TW512169B - Aqueous chemical mechanical polishing composition, slurry and method for chemical-mechnical polishing of a substrate - Google Patents

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Description

五、發明說明（1) 發明背景 1.發明領域
本發明係用供半導體 及較特別地係改良化學 電路製造時拋光多結晶 金屬、及薄膜，且對層 2 ·相關發明背景 積體電路製造之化學機械拋光漿， 機械拖光漿，其用供在半導體積體 石夕（聚石夕）及各種不同互相連接層、 間介電質具特高選擇性。 半導體 上已形成 電晶體以 由層間介 (Si02)。 能電路。 各項材料 (A 1 -Cu ) (Poly-Si 為通常由 而彼此隔 晶圓典型地含 複數電晶體。ί二例如⑪或坤化鎵晶圓’在11 化學上及物理上m基質上區域及基質之層， 電質ULDd分Ϊ Ϊ連接至基質上。電晶體及肩 電晶體由使用九要-鸟括某些形式的氧化石夕 .,.^ 白知多層互接而互相連接以形成功 夕曰互^包含堆積薄膜，其包含一或多下歹· ••敛（Tl )、氣化鈦（TiN)、钽（Ta)、鋁銅 在呂石夕（A^Sl)、銅（Cu)、鎢（W)、及摻混聚矽 )及其夕種藏合物。再者，電晶體或電晶體組 使用裝滿絕緣材料例如S i 02、S i N4或聚矽之渠的 離。
^成互接之傳統技術已由揭露在授予趙（Ch〇w)等氏之美 I ®利/虎4, 789，64 8方法改良，其係用來產生共平面多層 = '/、’’巴、、彖體膜在基質上。已經得到廣泛的興趣且產生多 層^接之新的技術，其使用化學機械拋光（CMp)以平面化 在衣置製造各種不同階段之金屬層表面或薄膜。 大體上化學機械拋光（CMP )涉及同「時化學及機械拋光覆
第4頁
五、發明說明（2) 益之弟一層以暴路非平面第— 層。-種此等方法為描述於；在其上形成第-專利號以队…號’其說明^百於耶’…等式^美國_ 言之，授予百耶（Beyer)等氏:掘二*併供參照。簡短地 材料，直到覆蓋第一層材；漿；除第-層 ., 丁十之表面與遮蔽第二層上表面# 平面。化學機械抛光的較詳的解釋為發現在美國專利 ί參Γ。，851、4,91G，155及4,944,836，其說明書於此併 化學機械拋光（CMP)眾組合物在提供最佳化學機械拋光 方法的方面為重要的因素。可供-有效化學機械拋光（cm㈠ 方法之典型拋光漿包含有如氧化1夕或氧化鋁之磨料在酸性 或鹼性的溶液中。例如授予百耶（Beyer)等式之美國請准 專利號4，7 8 9，6 4 8號揭露漿配方包括氧化鋁磨料、酸如硫 酸、硝酸及乙酸及去離子水。同樣地授予尤（Yu )等氏之美 國專利號5, 2 0 9, 8 1 6號揭露水性漿包含磨蝕粒子及陽離 子，其控制氧化矽的排除率。 其他化學機械拋光（CM P )之拋光漿為描述於授予尤（γ u ) · 專氏之美國專利號5，354，490、授予卡定（Cadien)等氏之 5, 340, 370、授予尤（YU)等氏之5, 209, 816、授予馬丁尼 (Medellin)氏之 5, 157, 876 及5, 137, 544、及授予可提 (Cote)等氏之美國專利號4, 9 56, 3 1 3，其說明書為於此併 供參照。 雖然許多漿組合物為適合供有限的目的，上述漿容易展
五、發明說明（3) 現難以接受之 對應選擇性程 不良膜排除特 產率。 因此，迄仍 環繞渠或互接 覆玻璃，及低 的。迄仍進一 勻一致 本發 積體電 本發 質層相 此外 漿。 本發 電路之 於一 含有金 皆具之 崖 明係化 路之半 明亦係 較於層 ，本發 明亦為 基質的 實例中 屬或石夕 至少一磨料及 在另 學機械 50百萬 一實例 抛光聚 分之一 =光率及對用於晶圓製造之絕緣體 度。除此之外，習知拋光聚容易產；：的相 色或產生有害的膜腐飯’其導致不良的U 需要嶄新及改良的拋光漿及方法，龙 : = 介質之高糊生，例如氧;匕:夕、： 二；；；？)介電質，其為不危險或腐， 要為早一漿，其能提供第一層之古β 除率及對絕緣體膜之高選擇性。阿均 =機械拋光漿，其特用供高速率 導體層。 九+導體 ΐ ΐ ΐ Ϊ拖光漿，其對抛光積體電路之介带 明乂私質層（ILD)之層展現高的選擇性。电 …、具有良好倉儲穩定性之化學機械拋光 ppt J 孥機械拋光漿以拋光至少一層如積體 万法。 、 層^ ί明為水性化學機械拋光組合物以拋光 I=薄膜之基質。水性化學機械拋光漿包含 中ν 一醇胺，其中醇胺較優為三級醇胺。 包人本發明為水性化學機械拋光漿。水性化 由約〇 · 5到約1 5重量％霧化氧化矽、由約 1約2· 0重量❾/。之2-二曱基胺_2一甲基-1-丙醇
第6頁 512169 五、發明說明（4) 及由約0. 0 1至約1 · 0重量％碳酸氫銨之缓衝劑。水性化學拋 光漿較優具有酸驗值由約9 · 0到約1 0 . 5，而且展現聚石夕對 電漿促進四乙基鄰矽酸酯（PETEOS)拋光選擇性為至少 - 5 0 0 ° 當今實例描述 . 本發明係指化學機械拋光漿供拋光傳導性及半導性層及 薄膜，其具對層間介電質層（I LD )材料之高選擇性。拋光 ~ 漿為水性介質包括至少一磨料及至少一個醇胺。漿亦包含 如緩衝劑之可選擇添加劑。 本發明聚的第一成分為至少一磨料。磨料典型地為金屬 0 製氧化物磨料。金屬氧化物磨料可能選自包含下列的族群 中：氧化銘、氧化鈦、氧化錯、氧化鍺、氧化碎、二氧化 鈽及其混合物。本發明的化學機械拋光（CMP)漿可能包含 由約0. 1至約5 5重量％或更多之磨料。然而較優地，本發明 的化學機械拋光（CMP)漿含由約0. 5至約15重量％磨料及最 . 優由0 . 5至約3. 0重量％磨料。 金屬氧化物磨料可由熟練技藝者以任何習知的技術產 生。金屬氧化物磨料產生使用任何高溫方法，如凝膠、氫 熱法或電漿處理，或製造霧化或澱積金屬氧化物的方法。p 較優金屬氧化物為霧化或殿積磨料，更優為霧化磨料，例 如霧化氧化石夕或霧化氧化銘。例如霧化金屬氧化物之生產 為習知方法，其涉及在氫及氧火焰中的適當進料蒸汽（例 如氧化鋁磨料的氣化鋁）之水解。在燃燒方法中形成鎔化 略呈球形之粒子，其直徑依方法參數而變動。氧化鋁或相、·
第7頁 512169 五、發明說明（5) 似的氧化物之鎔化球形，典型地參照為主要粒子，由其接 觸點進行碰撞彼此融合以形成分枝、三維鏈狀原子團。打 破原子團需要的力量是相當大的。在冷卻收集的時候，原 子圑進行進一步的碰撞，可能造成一些機械糾纏而形成塊 集。塊集認為由凡得瓦力鬆弛地維持結合在一起，而且可 被反向5此即以適當介質中之適當分散而去除塊集。 澱積磨料可由傳統技術製作，例如在高鹽濃度、酸或其 他凝聚劑的影響力之下，由水性介質中凝聚所需粒子。粒 子以熟練技藝者習知傳統技術由其他反應產物殘留物中經 過濾、清洗、乾燥及分離。 較優金屬氧化物將具表面積，如同由布魯那 (S.Brunauer)氏、埃沒（P.H.Emmet)氏、及泰勒 (I. Tel ler)氏之方法計算，參見美國化學學會期刊第60冊 (1938年出版）第309頁，而且普遍參見為BET法，範圍為由 約5平方米/克至約43 0平方米/克，且較優為由約3 0平方米 /克至約1 70平方米/克。由於積體電路工業裡對純度之嚴 格要求，較優金屬氧化物應該是高純度。高純度表示由原 料雜質來源及由處理微量污染物之總雜質含量，典型地比 1%少，且較優比0.01%少（此即100百萬分之一）。 有用在本發明分散系之金屬氧化物磨料可能由金屬氧化 物原子團或個別單一球體粒子所組成。所謂”粒子”在此處 用以參照多於一主要粒子之原子團及單一粒子兩者。 較優金屬氧化物磨料包含金屬氧化物粒子具尺寸分布少 於約1. 0微米，平均粒子直徑少於約0. 4微米及力量足以自
512169 五、發明說明（6) 行逐退且克服磨钮原子團間的凡得瓦力。此金屬氧化物磨 |料已發現在拋光時可有效地最小化或避免刮傷、凹痕、斷 ； ： * 片及其他表面不完美。本發明之粒度分布可利用如傳動電― 子顯微鏡（TEΜ)的習知技術決定。當使用傳動電子顯微鏡_ (ΤΕΜ)影像分析的時候，平均粒子直徑係平均相等球形直 -徑，也就是基於粒子的橫斷面積上。所謂力量意謂不是金 屬氧化物之表面位能就是水合作用力必須足以逐退且克服 粒子之間的凡得瓦吸引力。 於另一較優實例中，金屬氧化物磨料可包含不連續、個 別金屬氧化物粒子，其具主要粒子直徑小於0 . 4微米（4 Ο Ο Φ 毫微米）及表面積範圍由約1 0平方米/克至約2 5 0平方米/ 克。較優金屬氧化物磨料為合併進入拋光漿的水性介質之| 内當做金屬氧化物之濃縮水分散系，包含約3%至約45%固 體，且較優介於10%及20%固體。金屬氧化物的水性分散系 可能利用傳統技術產生，例如慢慢地增加金屬氧化物磨料 -至適當的介質中，例如去離子水，以形成膠體系統。分散 典型地藉由施以熟練技藝者習知之高剪力混合條件下完 ! 成。漿的酸驗值可能是調節離開等電點以極大化膠質的穩 定性 本發明最優磨料為霧化氧化石夕。 本發明化學機械拋光漿至少包含一醇胺。已經發現將醇 胺加入拋光漿中促進聚矽化合物相對於其下層間介電質層 (I L D)層之抛光率。任何醇胺可使用在本發明組合物。有 用醇胺例包含乙醇胺、丙醇胺、一級醇胺、二級醇胺、三、_
第9頁
:m。本發明組合物使用最優型醇胺為三級醇胺。 醇胺胺1列包含三乙醉胺丄二燒基乙醇胺、烧基二乙 ^妝及其類。較優三級醇胺包含二個甲基及—個里乙 取優三級醇胺為2-二曱基胺-2-甲基-；[—丙醇。/、 土 存在於本發明組合物中醇胺的量為改良聚矽之拋光 年。本發明組合物中所用醇胺的數量變化將由約5〇百 重量％或更多。更優的醇胺存在於本發明組合： 甲數夏乾圍由約5 0 0百萬分之一至約1 · 〇重量％。
緩衝劑可能加入本發明組合物中當作可選擇成分。本發 明組合物裡緩衝液使漿較能抵抗酸鹼值之變更。除此之& 外，增加緩衝液至本發明組合物中些微地提高聚^速率。 :何緩衝液具有酸/共軛鹼，其具pKa(電解質電離常數倒 數的對數）值靠近於所需組合物pH(酸鹼）值為較優當作組 合物緩衝液。實際之酸驗值可以下計算式趨近： pH = pKa+log[共軛鹼]/[酸] 其可使用在本發明組合物中。然而較優緩衝液不包含金屬 離子。尤其有用的緩衝液包含如碳酸氫銨之 氫鹽缓衝液。 如果使用之緩衝液存在本發明组合 〕·01至約1·0重量％。最優緩衝液存& 量範圍為由約0 · 0 1至約〇 · 1 5重量％。 其他廣為人知的拋光漿添 械拋光漿。有用可選擇添加 複合劑、膜成形劑及相似組 物中的量範圍應由約 於本發明組合物的數 加劑可併合入本發明之化學機 劑包含表面活化劑、安定劑、 合物。可選擇添加劑之種類
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五、發明說明（8) 例為無機酸及/或其鹽’其可加入拋光漿中以再促進改^ 或提高晶圓中障礙層的拋光率，例如鈦及鈕。有用無機^ 加劑包含琉酸’罐酸’梢酸，氫氟酸，氟化銨、銨鹽、= 鹽、鈉鹽或硫酸、磷酸及氟化物之其他陽離子鹽類。 、 想要維持本發明化學機械拋光（C Μ P)漿之酸驗值介於由' 約7·0至約12.0的範圍，更優介於由約8·0至約12〇的範 圍’及最優介於由約9 · 0至約1 〇 · 5的範圍以輔助化學機找 拋光（CMP)方法.之控制。當本發明化學機械拋光（(：Μρ)^酉楚 驗值為太低的時候，舉例來說少於約8，會遇到基質抛光欠 品質的問題。本發明化學機械拋光漿的酸驗值可能使用# 何已知的酸或驗來調節。然而，使用沒有含金屬離子之妒 或鹼，例如氫氧化銨或硝酸、填酸、硫酸、或有機酸為車a 優以避免導入本發明化學機械拋光漿之内不受歡迎的金屬 成分。 本發明的化學機械拋光（C Μ P)漿可能用來拋光任何類型 傳導層，包括例如：鶬、IS、銅、鈦、钽、及其混合物。 然而本發明的化學機械拋光漿已發現為最有用於拖光積體 電路晶圓的傳導及半導層，包括但不限於氮化鈦、氮化 钽、及聚矽層。聚矽層可含晶膜矽和多晶矽二者。 本發明的化學機械拋光漿具有高聚矽（聚-矽）拋光速 率。除此之外，本發明化學機械拋光漿對介電體（電漿促 進四乙基鄰矽酸酯，PETEOS)絕緣層展現令人想要的低拋光 速率。結果，本發明拋光漿展現[聚-矽]/ [電漿促進四乙 基鄰矽酸酯（PETEOS)]之拋光選擇性至少大於1〇〇，且較優、-
O:\59\59207.PTD 第 11 頁 512169 發明說明（9) 大於約5 0 0。 本發明化學機械拋光漿之產生可能使用熟練技藝者習知 傳f技術。典型地，如醇胺之非磨蝕成分，在預定濃度於 ，剪力狀態之下，為混合進入如去離子或蒸餾水之水性介 貝之内’直到此成分為完全地溶解在介質中。金屬氧化物 磨料的ί辰細分散系，例如霧化氧化鋁，為加入介質中且在 聚使用d稀釋至最後化學機械拋光（CMP)漿裡所需磨料的 載負量。 本發明組合物所用氧化矽及醇胺形成穩定漿。因此本發 明化學機械拋光漿之供應為典型的一整包系統（磨料及醇 胺在穩定水介質中）。 在典型使用本發明化學機械拋光（CMp)漿的化學機械拋 光方法中’拋光之基質或晶圓將會放置與旋轉拋光墊進行 直接接觸。台車在基質背部施加壓力。在拋光方法的時 ~ 候’塾及台為旋轉，而使向下的力保持施加在基質背部。-本發明化學機械拋光漿在拋光時應用到墊上。漿由與拋光 膜進行機械地、化學地，或兩者之作用而開始拋光方法。 當裝為提供至晶圓/墊界面上，拋光方法由墊為相對於基 質旋轉移動而輔助之。拋光為以此方式連續直到至少一部 分絕緣體上所欲膜為移除。 瞟 例1 此例研究增加三級醇胺至傳統低金屬之氧化矽基拋光漿 · 内對抛光率及四乙基鄰矽酸酯（ΡΕΤΕ05Π選擇性之 效應。 _
第12頁 512169 五、發明說明（ίο) 鹼性拋光漿包括2重量％由科波（Cabot)公司製作之L90霧 化氧化矽’其具約90平方米/克之平均表面積，及使用氫 氧化銨（ΚΗ40Η)調節酸鹼值至1 〇. 5之水，經摻混成分而製k 備。第二拋光漿之製備包括2重量％由科波（Cabot)公司製. 作之L 90霧化氧化矽，及使用〇·ΐ5重量-二甲基胺-2-曱 -基- 1 -丙醇調節酸鹼值至1 〇. 5之水，其為三級醇胺。 兩種拋光漿為用以拋光聚矽及電漿促進四乙基鄰矽酸酯 (PETE0S)8吋晶圓，其使用艾培克（IPEC)472拋光器裝載以 羅代爾（Rodel)製作之穿孔艾西（ic) 1 0 0 0 /舒巴（Sub a) IV 墊。所用拋光狀態為5· 5磅/平方呎向下力、1. 8磅/平方呎 月W壓力’30轉/分定模板速率，24轉/每分台車速度及 140毫升/分漿流率。 … 撤光結果為報告在下表I。 次 氧化矽 重量％ 加成 酸驗值 聚矽速率， 埃/分 電漿促進 四乙基鄰 矽酸酯 (PETEOS) 速率， 埃/分 聚矽/電漿 促進四乙基 鄰碎酸酉旨 (PETEOS) 選擇性 1 2 氫氧化銨 (NH4〇H) 10.5 1868.4 48.0 38.92 2 2 三級醇胺 110^5 ~ 3003.4 9.36 320.9 拋光結果指出使用包括三級醇胺之漿，聚矽拋光率為提 高’而且電漿促進四乙基鄰矽酸酯（pETE〇s)拋光率為減 少 〇
O:\59\59207.PTD 第13頁 512169 --案號 88110750 |P.Ά 日 條正_、— 五、發明說明（11) —— 例2 此例研究增加至傳統低金屬之氧化矽基拋光衆内胺之種 類及數量，對拋光率及電..皇促進見乙某鄰石夕酴西§ ( PETEOS ) 選擇性之效應。 鹼性抛光漿包括2重量％由科波（Cabot)公司製作之L90·-化氧化矽，其具約9 0平方米/克之平均表面積，及水。如 下表2中所列，不同數量及類型之醇胺或銨鹽為加入漿 中。醇胺及錄鹽與鹼性漿混合，其包含銨鹽四曱基銨氫氧 化物（"Τ Μ Α Ηπ )、甲基三級丁基錢氫氧化物（"Μ T B A Η，），及 醇胺2 -胺基-2-甲基-卜丙醇（"AMP - 95,）及2-二甲基胺-2-甲基-1-丙醇（” T-AMINE”）。 拋光漿為用以拋光聚矽及電漿伤進四乙基鄰石夕酸 ||(PETE0S)8吋晶圓，其使用艾培克（IPEC) 472拋光器裝載 以羅代爾（Rodel)製作之穿孔艾西（ic)1000 /舒巴（Suba) IV墊。所用拋光狀態為5·5磅/平方呎向下力、1.8磅/平方 呎背部壓力，30轉/分定模板速率，24轉/每分台車速度及 140毫升/分聚流率。 拋光結果為報告在下表II。
O:\59\59207.ptc 第14頁 2001.08. 06.014 512169 五、發明說明（12) 次 固體 % 酸鹼 值 加成類型 分之一 聚石夕速 率， 埃/分 電漿促進 四乙基鄰 石夕酸酯 (PETEOS) 速率，埃/ 分 聚矽/電漿 促進四乙 基鄰矽酸 酯 (PETEOS): 選擇性 3 2 10.5 TMAH 430^~ 2968 10.16 292 4 2 10.5 MTBAH 875' 3085 2.62 1177 5 2 10.3 AMP-95 1500 2367 2.88 822 6 2 10.5 T-AMINE 1500 2995 2.67 1122 7 2 10.6 丁-AMINE — 1500 2909 0.80 3636 8 2 10.0 T-AMINE 730 2716 3.17 857 9 2 10.0 T-AMINE 500 2218 1 1.25 1774 10 2 10.5 T-AMINE 1500 3232 2.50 1293 11 2 10.6 T-AMINE 5000 2987 4.32 692 12 2 11.2 丁-AMINE 15000 [2236 2.25 994 13 2 11.3 T-AMINE 25000 2056 2.35 875 拋光結果指出包含醇胺之氧化石夕漿（此即次5至1 3 )，當 與包含相似量銨鹽之相同氧化矽漿比較時，展現優異之 [聚矽]/[電漿促進四乙基鄰矽酸酯（PETE〇s)]拋光選擇 性。 例3 此例研究增加緩衝劑至包括霧化氧化矽磨料及至少一三 級胺之拋光漿中’對抛光速率及瑕疯度之效果。 鹼性拋光漿包括2重量％由科波（Cabot)公司製作之L9〇霧 化氧化石夕’其具約9 〇平方米/克之平均表面積，及水，經 摻混成分而製備。如下表3中所列，不同數量之碳酸氫銨 及三級醇胺、2〜二甲基胺一2-甲基一i-丙醇為加入漿中。 拋光漿為用以拋光聚石夕及電漿促進四乙某鄰石夕醅
O:\59\59207.PTD 第15頁 512169 五、發明說明（13) ||(PETE0S)8吋晶圓，其使用艾培克（ipec)472拋光器裝載 以羅代爾（Rodel )製作之穿孔艾西（1C) 1 0 0 0 /舒巴（Suba) IV墊。所用拋光狀態為5.5碎/平方呎向下力、ι·8碎/平方 吸背部壓力，30轉/分定模板速率，24轉/每分台車速度及 1 4 0毫升/分漿流率。 抛光結果為報告在下表11 I。 次 Τ-ΑΜΙΝΕ 重量％ 緩衝劑 百萬分 之一 聚矽速 率， 電漿促進四乙基 鄰矽酸酯 (PETEOS)速率 聚矽/電漿促進 四乙基鄰矽酸酯 (PETEOS)選擇 性 1 0.15 」 0 3197.83 - 2 0.15 0 3231.71 2.5- ^ 1293 3 0.15 700 3526.36 4 0.15 700 3564.93 5.12 696 5 0.5 0 2960.8 6 0.5 0 2987.39 4.32 691 7 0.5 700 3474.3 8 0.5 700 3467.33 4.28 810 9 1.5 0 2213.34 10 1.5 0 2235.9 2^25 994 11 1.5 700 2367.87 12 1.5 700 2344.33 4.25 - ' … 552 13 2.5 0 2055.3 14 2.5 0 2055.73 235 ^ 875 進入墊溼等待30分鐘延遲一· 15 2.5 700 2135.48 16 2.5 700 2131.76 ^94 '— 541 17 0.15 0 3218.72 2J9 ^ 1154
512169 五、發明說明（14) 拋光結果指出增加緩衝劑至本發明包含醇胺之漿中提高 漿之聚-矽拋光率，而沒有顯著地改變聚-矽/電漿促進四 乙基鄰矽酸酯（PETEOS)拋光選擇性。 當本發明己由特例方式描述，吾人將了解可以進行修正 而不離開本發明之精神。本發明之範圍並非認為是限制在 本發明說明書及例子中所指明描述者，而是由下列申請專 利範圍所定義。 參
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Claims (1)

  1. 口 本 修正 案號8811075獻。& I敏年]d月，？日 專利就圍 1. 一種水性化藏irlri合物，其供拋光包含金屬基 質或$夕層或薄膜，其包含： 至少一磨料；及 50 ppm(百萬分之一）至2.5重量％之至少一種醇胺。 2. 根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其具有聚矽對絕緣層之拋光選擇性大於1 〇 〇。 3. 根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其酸驗值（pH)由9至10.5。 4. 根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其中包括由50 ppm至2.0重量％之至少一種醇胺。 5 .根據申請專利範ΪΙ第1項之水性化學機械拋光組合 物，其中之醇胺為三級胺。 6 .根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其中醇胺為選自三乙醇胺、二烷基乙醇胺、烷基二乙 醇胺、及2 -二甲基胺-2-甲基-1-丙醇。 7. 根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其中醇胺為2 -二甲基胺-2-曱基-1-丙醇。 8. 根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其中磨料為金屬氧化物。 9. 根據申請專利範圍第8項之水性化學機械拋光組合 物，其中金屬氧化物磨料為至少一化合物選自包含下列族 群中：氧化鋁、氧化鈦、氧化锆、氧化鍺、氧化矽、二氧 化鈽或金屬氧化物之化學混合物。 1 0 .根據申請專利範圍第8項之水性化學機械拋光組合
    O:\59\59207.ptc 第19頁 512169 _案號88110750 9/年3月日 修正_丨 六、申請專利範圍 ! 物，其中磨料為氧化鋁、氧化鈦、氧化锆、氧化鍺、氧化 石夕及二氧化鈽之元素氧化物之物理混合物。 1 1 .根據申請專利範圍第8項之水性化學機械拋光組合 物，其中磨料具少於1 0 0 0毫微米之平均粒度及少於4 0 0毫 微米之平均聚集體直徑= 1 2.根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其中磨料存在量之範圍為由0. 5%至5 5 %固體重量比。 1 3.根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其中之磨料為由0.5至3.0重量％霧化氧化石夕。 1 4.根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其包括至少一緩衝劑。 1 5.根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其包括選自碳酸鹽及礙酸氫鹽緩衝劑之緩衝劑。 1 6.根據申請專利範圍第1項之水性化學機械組合物，其 包括碳酸氫4安。 1 7.根據申請專利範圍第1項之水性化學機械拋光組合 物，其包括由0 . 0 1至1 . 0重量％之缓衝劑。 1 8. —種水性化學機械拋光漿，其包括： 由0 . 5到1 5重量％之霧化氧化石夕； 由50 ppm至2.0重量％之至少一種三級醇胺； 及 由0 . 0 1到1. 0重量％之緩衝劑，其選自碳酸鹽、碳酸氫 鹽、或其混合物，其中漿具有由9.0至10. 5之酸鹼值。 1 9.根據申請專利範圍第1 8項之水性化學機械拋光漿，
    O:\59\59207.ptc 第20頁 512169 _案號88110750 ”年d月，7日 修正_' 六、申請專利範圍 其中之三級醇胺為2 -二甲基胺-2-曱基-三級-丙醇。 2 0 .根據申請專利範圍第1 8項之水性化學機械拋光漿， 其中之緩衝劑為碳酸氫銨。 · 2 1 .根據申請專利範圍第1 8項之水性化學機械拋光漿，’ 其具聚矽對電漿促進四乙基鄰矽酸酯（PETEOS)之拋光選擇-性為至少5 0 0。 · 22. —種化學-機械拋光基質之方法，其中基質包含第一 _ 絕緣體層及至少一種選自至少一傳導性或半導性物質之第 二層，該方法包括下列步驟： a) 提供包括磨料及三級胺之水性化學機械拋光漿； b) 施用該漿至基質上；及 ¥ c) 將拋光墊移至與基質接觸，且相對於基質移動該墊， 而移除至少部分之第二層。 2 3.根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中第二層為聚 矽，且該漿具聚矽對絕緣層之拋光選擇性大於1 0 0。 ~ 2 4.根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中第二層為傳 導性層，其選自鎢、鋁、銅、鈦及鈕。 _ 2 5.根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中第二層為半 傳導性層，其選自包含晶膜矽及多晶矽組成之群組。 2 6 .根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中水性化學機 械拋光漿包括由50 ppm至2. 0重量％之至少一種醇胺。 2 7.根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中水性化學機丨® 械拋光漿包括至少一種三級醇胺。 2 8.根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中水性化學機
    O:\59\59207.ptc 第21頁 512169 案號88110750 年J月/ ?曰 修正 、 ， / 六、申請專利範圍 械拋光漿包括選自三乙醇胺、二烷基乙醇胺、烷基二乙醇 胺、及2 -二甲基胺-2-甲基-1-丙醇之醇胺。 2 9.根據申請專利範圍第22項之方法，其中醇胺為2 -二 · 甲基胺-2-甲基-1-丙醇。 3 0 .根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中水性化學機· 械拋光漿磨料為金屬氧化物。 ' 3 1 .根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中水性化學機 — 械拋光漿磨料以由0.5%至55%重量比之量存在漿中。 3 2.根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中水性化學機 械拋光漿中所用磨料為由0. 5至3. 0重量％霧化氧化矽。 3 3.根據申請專利範圍第2 2項之方法，其中水性化學機# 械拋光漿包括至少一種缓衝劑。 34. —種化學-機械抛光基質之方法，其中基質包含一絕 緣層及一聚矽層，該方法包括下列步驟： a )提供水性化學機械拋光漿，其包含由0 . 5至1 5重量％霧、 化氧化矽、由50 ppm至2.0重量％ 2 -二甲基胺-2-曱基-1-丙 醇，及至少一種缓衝劑，其中漿具有由9 . 0到1 0. 5之酸鹼 _ 值； b) 施用該漿至基質上；及 c) 將拋光墊移至與基質接觸，且相對於基質移動該墊， 而移除至少部分聚矽層。 3 5 .根據申請專利範圍第34項之方法，其中水性化學機 β 械拋光漿中所用缓衝劑為由0. 0 1至1. 0重量％之碳酸氫銨。 3 6.根據申請專利範圍第34項之方法，其中漿之聚矽對
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