CN1315989A - 化学机械抛光浆料和其使用方法 - Google Patents

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Abstract

一种化学机械抛光浆料用于抛光半导体晶片的多晶硅层,包括至少一种磨料和至少一种醇胺的水溶液。该浆料优选pH值约9.0－10.5而且它包括一种非必要的缓冲剂。

Description

化学机械抛光浆料和其使用方法
发明背景
1、发明领域
本发明涉及一种化学机械抛光浆料，用于半导体集成电路制造业，更具体地，涉及改良的化学机械抛光浆料，可用于抛光多晶硅(多Si)及各种互连层、在半导体集成电路生产所用的金属及薄膜，具有对层间介电材料特别高的选择性。
2、技术背景
半导体晶片一般包括诸如硅或砷化镓晶片的基材，其上构成了许多晶体管。通过基材中图形区及基材上的各层，以化学及物理方法，将晶体管连接到基材上。晶体管及各层通过主要由某些形态的二氧化硅(SiO2)组成的层间介电质(ILDs)而被分隔开。晶体管通过使用众所周知的多层互连件互相联接形成功能电路。典型多层互连件是由一种或多种下述材料组成的叠加薄膜所构成：钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、铝-铜(Al-Cu)、铝硅(Al-Si)、铜(Cu)、钨(W)，掺杂多晶硅(Poli-Si)，及其各种组合。另外，各晶体管或晶体管组间通常通过充填了绝缘材料，诸如SiO2、SiN4或Poly-Si，的沟槽而互相绝缘。
成形互连件的传统方法，通过US 4,789,648(Chow等人)披露的涉及在基材上产生共面多层金属/绝缘体薄膜的方法已有所改善。该新技术，在器件制造各阶段中采用化学机械抛光(CMP)来平整金属层或薄膜表面，已获广泛效益和生产多层互连件。
一般CMP包括对覆盖第一层并行化学及机械抛光，暴露其上构成第一层的非平面第二层表面。U.S.4,789,648(贝尔(Beyer)等人)描述过这种方法，其说明书在此引以参考。简短地说，贝尔等人披露了一种CMP方法，用抛光垫及浆料以比第二层更快速率脱除第一层，直至材料的第一层覆盖表面变成与被覆盖的第二层顶面共面。在U.S 4,67l,851、4,910,155及4,944,836中有该化学机械抛光更详细的说明，其说明书在此引以参考。
CMP浆料组合物是提供最佳化学机械抛光方法的一个重要因素。对CMP方法可提供的典型抛光浆料含一种磨料，诸如在酸或碱溶液中的二氧化硅或氧化铝。例如U.S.4,789,648(贝尔等人)披露了一种浆料配方，包括氧化铝磨料，一种酸诸如硫酸，硝酸及乙酸和去离子水。同样地，U.S.5,209,816俞(Yu)等人披露了一种含水浆料，包括磨料微粒和控制二氧化硅脱出速率的阴离子。
其它的CMP抛光浆料描述于U.S.5,354,490(俞等人)、5,340,370(卡丁(Cadien)等人)、5,209,816以(俞等人),5,157,876和5,137,544(密德林(Medellin)等人)、4,956,313(科特(Cote)等人)专利中，各说明书在此引以参考。
尽管许多砂浆成分只适合于有限场合，但是上述浆料对用于晶片制造中的绝缘体材料容易表现出不合格的抛光变形速率和对应选择性水平。另外，已知抛光浆料易于使底膜产生不良薄膜脱除斑痕或产生有害的膜腐蚀，造成低劣成品。
因此，仍然需要新的及改良的抛光浆料和对沟槽或互连接件周围的绝缘体介质选择性高的方法，例如对二氧化硅、旋压玻璃及无危害或侵蚀的低k(介电常数)介电材料。还需要能够提供对第一层有高而均匀除去速率和对绝缘体薄膜选择性高的单一浆料。
发明概述
本发明为一种化学机械抛光浆料，尤其可用于对半导体集成电路的半导体层进行高速抛光。
本发明也属于一种呈现对介电质层的抛光选择性比对IC电路层间介电质层(ILD)更高的化学机械抛光浆料。
此外，本发明是一种储藏稳定性良好的化学机械抛光浆料。
本发明也是一种用化学机械抛光浆料对基材诸如集成电路的至少一层进行抛光的方法。
在一个实施方案中，本发明是一种含水化学机械抛光组合物，用于抛光含金属或硅层或薄膜的基材。该含水化学机械抛光浆料包括至少一种磨料和至少一种醇胺，其中醇胺优选是一种叔醇胺。
在另一个实施方案中，本发明是一种含水化学机械抛光浆料。该含水化学机械抛光浆料包括约0.5-15％重的煅制二氧化硅，约50ppm-2.0％重的2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇，和约0.01-1.0％重的碳酸氢铵缓冲剂。该含水化学抛光浆料优选具有约9.0-10.5的pH值和对PETEOS抛光选择性至少500的多晶硅。
本发明实施方案的描述
本发明涉及用于抛光导电体层和半导体层和薄膜对ILD材料选择性高的化学机械抛光浆料。该抛光浆料是一种包括至少一种磨料和至少一种醇胺的含水介质。该浆料也可包括任选的添加剂诸如缓冲剂。
本发明浆料的第一组分是至少一种磨料。该磨料一般为一种金属氧化物磨料。该金属氧化物磨料可选自氧化铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化锗、二氧化硅、二氧化铈和其混合物。本发明的CMP浆料可以包括约0.1-55％重或更多的磨料。但是，更优选的是，本发明CMP浆料包括约0.5-15％重的磨料，最优选地是，0.5-约3.0％重的磨料。
该金属氧化物磨料可通过本领域技术人员所知的任何技术生产。金属氧化物磨料，可采用任何高温方法，诸如溶胶-凝胶、水热处理、或等离子方法，或通过生产煅制或沉淀金属氧化物的方法来生产。优选地是，该金属氧化物是一种煅制或沉淀的磨料，更优选地，它是一种煅制磨料，诸如煅制二氧化硅或煅制氧化铝。例如，煅制金属氧化物的生产是一种众所周知的涉及在氢和氧火焰中对适宜进料蒸气(如用于氧化铝磨料的氯化铝)进行水解的方法。在燃烧过程中形成粗球形的熔融微粒，其直径随工艺参数而变。这熔融球形氧化铝或类似氧化物，一般称为初级微粒，经其接触点碰撞彼此融合，形成分枝的三维的似链聚结物。破坏聚结物所需的作用力相当大。在冷却和收集过程中，该聚结物经进一步碰撞可导致某些力学扭结，形成聚结物。聚结物被认为是通过范德华力而松散地聚结一起，并可通过在适宜介质中恰当分散而反向，即解聚结。
沉淀磨料可通过诸如通过在高盐、酸或其它凝聚剂浓度的作用下从水成介质中凝聚为所需微粒的传统方法制造。用本领域技术人员已知传统技术过滤、洗涤、干燥这些微粒，分离其它反应产物的残渣。
按通常称为BET的法(美国化学学会会志(Chemical Society)，卷60，页309(1938))计算，优选金属氧化物应当具有表面积约5-430平方米/克，优选约30-170平方米/克。由于集成电路工业对纯度要求严格，优选金属氧化物应该是高纯度的。高纯度指源于诸如原料杂质及痕量加工污物的含量一般在1％以下，优选0.01％以下(即100ppm)。
用于本发明分散相的金属氧化物磨料可由金属氧化物的聚结物或单球微粒组成。按此处引用的术语“微粒”指一种以上的初级微粒的聚集体和单颗微粒两种。
优选的是，该金属氧化物磨料由粒径分布约1.0微米以下、平均粒径约0.4微米以下和其作用力足以抵消和克服磨料聚结物本身之间的范德华力的金属氧化物微粒所组成。这种金属氧化物磨料已被认为对避免抛光过程的刮痕、砂眼、麻点及其他表面缺陷或使之减到最少是有效的。在本发明中粒度分布可利用已知技术诸如透射电子显微镜(TEM)来确定。平均粒径指的是采用TEM图像分析的平均当量球径，即根据微粒截面积确定。所谓作用力指必须足以抵消及克服微粒间的范德华吸引力的金属氧化物微粒的表面势能或水合力。
在另一优选实施方案中，该金属氧化物磨料可由其初级微粒直径小于0.4微米(400纳米)及表面积约10-250平方米/克的离散单一金属氧化物微粒组成。
优选地是，将该金属氧化物磨料掺混至抛光浆料的含水介质中，作为一种金属氧化物的浓缩含水分散相。该金属氧化物浓缩水分散相包括约3％-45％固合物，优选在10％-20％固合物。该金属氧化物含水分散相可利用诸如缓慢添加金属氧化物磨料至适当介质中，例如去离子水中，形成胶态分散体的传统方法来产生。该分散相一般通过使其受到本领域技术人员已知的高剪切混合条件下的处理来完成。可调节该浆料的pH值到远离等电点来达到最大胶体稳定性的程度。
本发明最优选的磨料是煅制二氧化硅。
本发明化学机械抛光浆料包括至少一种醇胺。已经发现，抛光浆料中加入醇胺会提高多晶硅化合物的抛光速率，使之快于下ILD层。任何醇胺都可用于本发明的组合物。有效醇胺的实例包括乙醇胺、丙醇胺、伯醇胺、仲醇胺、叔醇胺等。用于本发明组合物中的最优选醇胺类是叔醇胺。有效叔醇胺的实例包括三乙醇胺、二烷乙醇胺、烷基二乙醇胺等等。优选的是，该叔醇胺包括两个甲基及一个异丙基。最优选的叔醇胺是2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇。
在本发明组合物中该醇胺含量要能提高该多晶硅的抛光速率。用于本发明组合物中的醇胺数量应在约50ppm-2％重或更多的范围变化。更优选地是，该醇胺应在本发明组合物中数量在约500ppm-1.0重％的范围。
可在本发明组合物中添加缓冲剂，作为一种任选的成分。在本发明组合物中该缓充剂起到能使浆料更耐pH变化的作用。另外，对本发明组合物添加缓充剂，可略微提高多晶硅速率(polysilicon rate)。任何具有酸/共轭碱和pKa值接近所需组合物pH值的缓充剂均是优选作为组合物缓充剂的。可用于本发明组合物中近似计算实际pH值公式：
                pH=pKa++log[共轭碱]/[酸]。
但优选的是，该缓充剂不含金属离子。尤其有效的缓冲剂包括碳酸盐及碳酸氢盐的缓冲液，诸如碳酸氢铵。
该缓充剂，如果用，在本发明组合物中的数量应约为0.01-1.0％重。最优选的是，在本发明组合物中的缓充剂含量在约0.01-0.15％重。
其它众所周知的抛光浆料添加剂也可掺混至本发明化学机械抛光浆料中。可用的任选添加剂包括表面活性剂、稳定剂、配合剂、成膜剂等组合物。任选添加剂一类的实例是可加至抛光浆料中进一步改善或提高诸如钛及钽晶片屏障层的抛光速率的无机酸及/或其盐类。可用的无机添加剂包括硫酸、磷酸、硝酸、氢氟酸、氟化铵、铵盐、钾盐、钠盐或硫酸盐、磷酸盐及氟化物的其它阳离子盐类。
最好保持本发明CMP浆料的pH值在约7.0-12.0的范围，更优选在约8.0-12.0的范围，最优选在约9.0-10.5的范围，以有利于对CMP方法控制。当本发明CMP浆料pH值过低时，如在约8以下，会遇到基材抛光质量问题。可采用任何已知酸类或碱类来调节CMP浆料的pH值。但是，利用不含金属离子的酸，或碱是优选的，诸如氢氧化铵或硝酸磷酸、硫酸或有机酸，以避免在CMP浆料中引入不希望有的金属组分。
本发明CMP浆料可用于抛光任何类型的导电层，例如包括，钨、铝、铜、钛、钽、及其混合物。但是，已经发现，本发明化学机械抛光浆料是最适用于抛光集成电路晶片的导电及半导体层，包括但不限于氮化钛、氮化钽、及多晶硅层。该多晶硅层可包括外延硅及多晶硅两者。
本发明的化学机械抛光浆料对多晶硅(Poly-Si)抛光速率高。另外，本发明化学机械抛光浆料对介电质(FETEOS)绝缘层呈现最好的低抛光速率。因此，本发明抛光浆料呈现对[Poly-Si]/[PETEOS]抛光选择性至少100以上，优选约50以上。
对本发明CMP浆料可采用本领域技术人员已知传统方法生产。一般，在低剪切情况下将非磨料组分，诸如醇胺，以预定浓度混合到水成介质中，诸如去离子或蒸馏水中，直至这种组分完全溶于介质中。在使用浆料之前，要将该金属氧化物磨料的浓缩分散相，诸如煅制二氧化硅，加至该介质中，并稀释到最终CMP浆料所要求的磨料加料量。
用于本发明组合物中的二氧化硅及醇胺形成了一种稳定的浆料。因此，本发明该CMP浆料一般应当按一个包装体系(磨料及醇胺在稳定水成介质中)供应。
在使用本发明CMP浆料的一种典型化学机械抛光方法中，将待抛光的基材或晶片放在与旋转抛光衬垫直接接触的位置。底盘在基材背部施加压力。抛光处理过程中该衬垫和台面旋转，同时保持对基材背部向下作用力。在抛光过程中将本发明化学机械抛光浆料涂敷于衬垫上。该浆料通过与正被机械、化学或化学机械抛光的薄膜的反应，进行抛光处理。当将浆料提供到晶片/衬垫的界面时，通过衬垫相对于基材的旋转运动，促进抛光处理。用这样的方式持续抛光，直至除去绝缘体上至少部分所需薄膜。
实施例1
本实施例研究在普通低金属二氧化硅基的抛光浆料中添加叔醇胺对PETEOS抛光速率及选择性的影响。
加入2％重的Cab-O-Sil@L90煅制二氧化硅(其平均表面积约90平方米/克，Cabot公司制造)及水，用氢氧化铵(NH4OH)调节pH至10.5，经混合制得一种基础抛光浆料。加入2％重的L90煅制二氧化硅(Cabot公司制造)和水，用0.15％重的一种叔醇胺，即2二甲基氨基-2甲基-丙醇，调节pH值至10.5，制成第二抛光浆料。
将此两种抛光浆料，经Rodel公司制造的装配穿孔IC1000/SubaⅣ垫的一种IPEC 472磨光器，用于对Poly-Si和PETEOS 8”晶片进行抛光。所用抛光条件为5.5psi向下作用力、1.8psi背压、30rpm压盘速度、24rpm的底盘速度和140毫升/分浆料流率。
抛光结果列于下表Ⅰ。
                                表1
试验  二氧化硅重％  添加剂   pH 多晶硅速率埃/分  PETFOS速率埃/分 多晶硅/PETEOS选择性
 1     2  NH4OH  10.5  1868.4   48.0     38.92
 2     2  T-AMINE  10.5  3003.4   9.36     320.9
该抛光结果表明，采用包括叔醇胺的浆料，对多晶硅的抛光速率提高，对PETEOS抛光速率降低。
实施例2
本实施例研究在普通低-金属二氧化硅基的抛光浆料中添加胺的数量和种类对PETEOS抛光速率和选择性的影响。
加入2重％其平均表面积约90平方米/克(Cabot公司制造)的L90煅制二氧化硅和水，制备一种基础抛光浆料。将不同数量和类型的醇胺或铵盐按下表Ⅱ所列加至浆料中。该醇胺和铵盐与包括铵盐氢氧化四甲基铵(“TMAH”)、氢氧化甲基叔丁基铵(“MTBAH”)，和醇胺2-氨基-2-甲基-1-丙醇(“AMP-95”)和2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇(“T-AMINE”)的基础浆料组合一起。
利用一种装配穿孔IC1000/Suba Ⅳ垫(Rodel公司制造)以该抛光浆料对Poly-Si和PETEOS 8”晶片抛光。所用抛光条件为5.5psi的向下作用力、1.8psi背压、30rpm压盘速度、24rpm底盘速度和140毫升/分浆料流率。
抛光结果列于下表Ⅱ。
                         表Ⅱ
   试验    ％固粒   pH 添加剂类型 添加剂 多晶硅速率  PETEOS速率 多晶硅/PETEOS选择性
    3    2  10.5  TMAH  430     2968   10.16     292
    4    2  10.5  MTBAH  875     3085   2.62     1177
    5    2  10.3  AMP-95  1500     2367   2.88     822
    6    2  10.5  T-AMINE  1500     2995   2.67     1122
    7    2  10.6  T-AMINE  1500     2909   0.80     3636
    8    2  10.0  T-AMINE  730     2716   3.17     857
    9    2  10.0  T-AMINE  500     2218   1.25     1774
    10    2  10.5  T-AMINE  1500     3232   2.50     1293
    11    2  10.6  T-AMINE  5000     2987   4.32     692
    12    2  11.2  T-AMINE  15000     2236   2.25     994
    13    2  11.3  T-AMINE  25000     2056   2.35     875
该抛光结果表明，包括醇胺的二氧化硅浆料，即(试验5-13)，显示对[Poly-Si]/[PETEOS]的抛光选择性优于包括相同数量铵盐的二氧化硅浆料。
实施例3
本实施例研究在包括煅制二氧化硅磨料和至少一种叔胺的抛光浆料中添加缓冲剂对抛光速率和选择性的影响。
加入2重％的平均表面积约90平方米/克(由Cabot公司制造)L90煅制二氧化硅和水，经混合制备一种基础抛光浆料。按下表Ⅲ所列，将不同数量的碳酸氢铵和叔醇胺，2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇加至该浆料中。
采用装配穿孔IC1000/SubaⅣ垫(Rodel公司制造)的一种IPEC 472磨光器，以该抛光浆料对Poly-Si及PETEOS 8”晶片进行抛光。
所用抛光条件为5.5psi的向下作用力、1.8psi背压、30rpm压盘速度、24rpm的底盘速度和140毫升/分的浆料流速。
抛光结果列于下表Ⅲ。
                         表Ⅲ
   试验     T-胺wt％   缓充剂ppm 多晶硅速率 PETEOS速率 多晶硅/PETEOS选择性
    1     0.15     0   3197.83
    2     0.15     0   3231.71   2.5     1293
    3     0.15     700   3526.36
    4     0.15     700   3564.93   5.12     696
    5     0.5     0   2960.8
    6     0.5     0   2987.39   4.32     691
    7     0.5     700   3474.3
    8     0.5     700   3467.33   4.28     810
    9     1.5     0   2213.34
    10     1.5     0   2235.9   2.25     994
    11     1.5     700   2367.87
    12     1.5     700   2344.33   4.25     552
    13     2.5     0   2055.3
    14     2.5     0   2055.73   2.35     875
                        装入衬垫，延迟3C分润湿
    15     2.5     700   2135.48
    16     2.5     700   2131.76   3.94     541
    17     0.15     0   3218.72   2.79     1154
该抛光结果表明，在含本发明浆料的醇胺中，加入缓冲剂，提高了浆料Poly-Si抛光速率，而未显著改变该Poly-Si/PETEOS的抛光选择性。
尽管对本发明通过具体实施方案已进行了描述，但是，显然可对本发明进行改进而不会偏离本发明的精神。不能认为本发明范围是限于以上说明书和实施例中的描述，而应是按下述权利要求书来界定。

Claims (36)

1、一种用于抛光含金属或硅层或薄膜的基材的含水化学机械抛光组合物，包括：
至少一种磨料；和
至少一种醇胺。
2、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，其中浆料具有一种对绝缘层抛光选择性大于约100的多晶硅。
3、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，浆料的pH值为约9到约10.5。
4、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，包括约50ppm-2.0％重的至少一种醇胺。
5、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，其中该醇胺是一种叔胺。
6、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，其中醇胺选自三乙醇胺、二烷基乙醇胺、烷基二乙醇胺和2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇。
7、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，其中该醇胺是2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇。
8、按照权利要求1的含水化学机械抛光组合物，其中磨料是一种金属氧化物。
9、按照权利要求8的含水化学机械抛光浆料，其中金属氧化物磨料是至少一种选自氧化铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化锗、二氧化硅、二氧化铈或这些金属氧化物化学混合物的化合物。
10、按照权利要求8的含水化学机械抛光浆料，其中磨料是一种氧化铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化锗、二氧化硅和二氧化铈的基本氧化物的物理混合物。
11、按照权利要求8的含水化学机械抛光浆料，其中磨料具有低于1000纳米的中等粒度和低于约400纳米的平均聚集直径。
12、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，其中磨料的量为约0.5％-55％重量的固含物。
13、按照权利要求1含水化学机械抛光浆料，其中磨料是约0.5-3.0％重的煅制二氧化硅。
14、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，包括至少一种缓冲剂。
15、按照权利要求1的含水化学机械抛光浆料，包括一种选自碳酸盐和碳酸氢盐缓冲剂类的缓冲剂。
16、按照权利要求1的含水化学机械组合物，包括碳酸氢铵。
17、按照权利要求1含水化学机械抛光浆料，包括含约0.01-1.0％重的一种缓冲剂。
18、一种含水化学机械抛光浆料，包括：
约0.5-15％重的煅制二氧化硅；
约50ppm-2.0％重的至少一种叔醇胺；和
约0.01-1.0％重的一种缓冲剂，选自碳酸盐、碳酸氢盐、或其混合物，其中该浆料pH约9.0-10.5。
19、按照权利要求18的含水化学机械抛光浆料，其中叔醇胺是2-二甲基氨基-2-甲基-t-丙醇。
20、按照权利要求18的含水化学机械抛光浆料，其中缓冲剂是碳酸氢铵。
21、按照权利要求18的含水化学机械抛光浆料，具有一种对PETEOS抛光选择性至少500的多晶硅。
22、一种用于化学机械抛光含第一绝缘层和至少一层选自至少一种导电或半导体材料的第二层的基材的方法，该方法包括下列步骤：
a)提供一种包括磨料和叔胺的含水化学机械抛光浆料；
b)将该浆料涂至基材上；和
c)让抛光垫与基材接触，相对基材转动抛光垫，以除去至少部分第二层。
23、按照权利要求22的含水化学机械抛光浆料，其中第二层是多晶硅，该浆料具有对绝缘层抛光选择性大于约100的多晶硅。
24、按照权利要求22的方法，其中第二层为选自钨、铝、铜、钛和钽的一种导电层。
25、按照权利要求22的方法，其中第二层为选自外延硅和多晶硅的一种半导体层。
26、按照权利要求22的方法，其中含水化学机械抛光浆料包括约50ppm-2.0％重的至少一种醇胺。
27、按照权利要求22的方法，其中含水化学机械抛光浆料包括至少一种叔醇胺。
28、按照权利要求22的方法，其中含水化学机械抛光浆料包括一种选自三乙醇胺、二烷基乙醇胺、烷基二乙醇胺和2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇的醇胺。
29、按照权利要求22的方法，其中该醇胺为2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇。
30、按照权利要求22的方法，其中含水化学机械抛光组合物磨料是一种金属氧化物。
31、按照权利要求22的方法，其中该含水化学机械抛光浆料磨料在该浆料中的含量为约0.5％-55％重。
32、按照权利要求22方法，其中用于含水化学机械抛光浆料中的磨料是约0.5-3.0％重的煅制二氧化硅。
33、按照权利要求22的方法，其中该含水化学机械抛光浆料包括至少一种缓冲剂。
34、一种用于对包含绝缘层和多晶硅层的基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括下列步骤：
a)提供一种含水化学机械抛光浆料，包括约0.5-15％重的煅制二氧化硅、约50ppm-2.0％重的2-二甲基氨基-2-甲基-1-丙醇和至少一种缓冲剂，其中该浆料具有pH约9.0-10.5；
b)将该浆料涂至该基材上；和
c)令抛光垫与基材接触，并转动与基材相关联的衬垫，来脱出至少部分多晶硅层。
35、按照权利要求34的方法，其中用于含水化学机械抛光浆料中的缓冲剂是约0.01-1.0％重的碳酸氢铵。
36、按照权利要求34的方法，其中多晶硅对浆料的绝缘层抛光选择性大于约100。
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