TW508524B

TW508524B - Transparent conductive film for transparent touch panel, transparent touch panel using the same, and method of manufacturing transparent conductive film

Info

Publication number: TW508524B
Application number: TW088111439A
Authority: TW
Inventors: Ryoumei Omote; Yoshihide Inako; Masayasu Sakane; A Yosuke Matsukaw; Kazuhiro Nishikawa
Original assignee: Nissha Printing
Priority date: 1998-07-06
Filing date: 1999-07-06
Publication date: 2002-11-01
Also published as: WO2000002119A1; CN1273650A; KR20010030578A; EP1011040B1; KR100376299B1; EP1011040A4; EP1011040A1; US7060320B1; CN1273650B; DE69942501D1

Description

發明說明（i) 本發明係有關於-種可以安定之輕接觸輸入之透明接觸式面板用之透明導電膜及使用該透明導電膜之透明接觸式面板以及該透明導電膜之製造方法。本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜及使用該透明導電膜之透明接觸式面板以及σ亥透明導電膜之製造方法，係用以於液晶顯示裝置電子發光元件、電聚顯示元件、螢光顯示管、場致發射顯示器等之平面顯示器之顯示晝面上積層者作為輸入裝置所使用之透明接觸式面板用之透明導電膜及使用該透明導電膜之透明接觸式面板以及該透明導電膜之製造方法最佳。在透明接觸式面板中可作為電極使用之透明導電膜，一般使用ΑΤΟ(氧化銻/氧化錫）、FT〇(氧化錫/氟添加）、ιτ〇( 氧化銦/氧化錫）、FAT0(氧化銻/氧化錫/氟添加）等之金屬氧化物。特別是用以於電阻膜式類比型之透明接觸式面板時，需要一種諸如表面電阻值為2〇〇〜2000 Q/sq，且其透明性高、著色少之透明導電膜。電阻膜式類比型之透明接觸式面板之構成為積層有，一在表面上設置由透明導電膜構成之下部電極及點狀隔離構件之玻璃板或薄膜等之絕緣基板所構成之下部電極基板，及一在表面由透明導電膜所構成之上部電極上設置之薄膜等之絕緣基板所構成之上部電極基板之構造，係藉由輸入面側按壓透明接觸式面板之表面的一部分，令兩電極相接觸，使電氣導通而加以輸入者。於透明接觸式面板所形成之透明導電膜通常藉蒸鍍法五、發明說明（2 ) 、濺射法等之物理成膜法，或CVD法等之化學氣相法形成。又，在該等方法係可控制在透明導電膜之膜表面上觀察之平面内之平均結晶粒徑（R)。例如，在物理成膜法時，一般由ITO所構成之透明導電膜為主，所需求者為：其表面電阻值為200〜2000 Ω/sq，與液晶顯示器用之電極相比呈略高者。但，因IT〇其比電阻較小，故需形成一膜厚為100〜200 Α左右之極薄膜，而提高其表面電阻值。從該等事由來看，透明導電膜係因形成一非常薄膜之 no膜，該平均結晶粒徑⑻為非常細，約ι〇〜ΐ5·，以原子間力顯微鏡觀察時，其算數平均粗度_為〇1〜〇.3nm，而均方粗度化叫狀以⑽，非常小。例如，透明導電膜之表面的截面如第5圖及第17〜19圖所示，依其粒子略呈三角形狀。 ’ 是故，在使用該種透明導電膜之透明接觸式面板中，鲁相互接觸之透明導電膜之截面係依其粒子略呈三角形狀，因此針對藉稍許重量之輸入，則使維持輸入狀態之輸入方式’即所謂輕接觸式輸入變成不安定。又，在藉用筆等叫左右之重量連續輸入時，會多次發生如第6圖之A所示之連續線之飛線及錯誤輸人部分，不能得到正確之輸入。在此為了解决該等現象，可考慮將隔離構件間隔擴大或將隔離構件之高度降低等之對策。但是，-將隔離構件之間隔擴大，即容易產生手掌觸摸時之錯誤輸入。又將隔離構件之高度降低時相對向之電極基板間本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐）獨524

五、發明說明（3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之距離iL成非常短，則產生在透明導電關成為光干擾原因之牛頓環，而變成看不清楚。又，也可考慮一對策，在透明接觸式面板之輸入時，藉使設定決定ON、OFF之臨界值電壓Evs(參考第7圖）為一低值’填補於相對向之電極間所發生之接觸電阻之電壓降低，可使輕易輸入。惟，相反地也容易接受不安定之輸入因此谷易產生座標逃逸之問題。即，如苐7圖所示，針對所檢測之電壓Ev(參考第4圖）因接觸電阻值肋之不均而有高低之問題，所採取之因應措施為採低值之臨界值電壓 Evs，例如臨界值電壓Evs採取3·6V時，因不當變形之薄膜接觸，或與筆輸入之同時，在旁邊用指頭觸摸時，即同時使4.0V及3.5V之兩處輸入時，則判斷錯誤輸入，而不能在液晶顯不晝面等顯示，即發生沒有該部分之座標輸入之情形，即飛線等情況發生（參考第6圖）。因此，本發明之目的在於提供一種可解決前述問題點，且可以安定進行輕接觸式輸入之透明接觸式面板用之透明導電膜及使用該透明導電膜之透明接觸式面板以及該透明導電膜之製造方法。本發明係為以達成前述目的，如下構成之。本發明之第1怨樣之透明接觸式面板用之透明導電膜 ,其構成係一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件相隔之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上且可構成該電極之透明導電膜：係使該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為〇.4nm $ Ra S 4.〇nm，而均方粗度（Rms)則為 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

508524 A7 ___B7_ 五、發明說明（4 ) 0.6nm$ RmsS 3.0nm 〇本發明之第2態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，其構成係一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件相隔之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜：係由氧化銦一氧化錫膜所構成，且，使在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均 # 結晶粒徑（R)為40nm条RS 200nm。本發明之第3態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，其構成係一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件相隔之透明接觸式面板之至少一方之電極電極基板上且可構成該電極之透明導電膜：係由添加有氟或銻之氧化錫膜所構成，且，使在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為80nmSRS 400nm。本發明之第4態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜 φ ，如第1或第2態樣者，其構成係由氧化銦一氧化錫膜所構成，且，該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為0.4nm$RaS 3.0nm，而均方粗度（Rms)則為 0.6nmS RmsS 2.0nm。本發明之第5態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，如第1或3態樣者，係由添加有氟或銻之氧化錫膜所構成，且，使該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為0.4nm$Ra$ 4.0nm，而均方粗度（Rms)則為 0.6nm S Rms $ 3.0nm。本發明之第6態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，如第1至5態樣中任一態樣者，其構成係於前述表面形狀，使Rp表示中心線深度，而Rmax表示最大粗度時，藉使本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7

表現前述表面形狀之參數（Rp/Rmax)為小於0.55，可使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈梯形形狀或矩形形狀者。本發明之第7恶樣之透明接觸式面板用之透明導電膜如第1至6悲樣中任一態樣者，其構成係藉以溶膠-凝膠材料之塗抹法或印刷法所形成者。本發明之第8態樣之透明接觸式面板，係使如第丨至7 〜樣中任悲樣之透明接觸式面板用之透明導電膜設於前述下。卩電極與前述上部電極之至少一方電極之電極基板上 ’且可構成該電極者。本發明之第9態樣之透明接觸式面板，係使如第丨至7 二樣中任悲樣之透明接觸式面板用之透明導電膜各自設於别述下部電極與前述上部電極之兩方電極基板上，且可各自構成該電極者。本發明之第10態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜之方法；係使至少構成溶膠-凝膠材料之有機金屬化合物由銦或錫所構成，且藉一使用了銦與錫之構成重量比為5重量 {Sn/(In+ Sn)} X 100$ 15重量％之溶膠_凝膠材料之塗抹法或印刷法，而形成一氧化銦-氧化錫膜，使該表面形狀之异數平均粗度（Ra)為〇.4nm$ RaS 3.0nm，而均方粗度（Rms) 則為 0.6nm$RmsS2.0nm 者。請先閱讀背 & 之注意再賢I 填丄 5裝不· 頁丁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 508524 A7 五、發明說明（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明之第11態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上，電極積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之_一^極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜者；係使至少構成溶膠-凝膠材料之有機金屬化合物由銦或錫所構成，且藉一使用了銦與錫之構成重量比為5重量％^ {Sn/(ln + Sn)} X 100 $ 15重量。/。之溶膠^疑膠材料之塗抹法或印刷法，开>成一氧化銦-氧化錫膜，使在表面所觀察之金屬化物之平面内之平均結晶粒徑（11)為4〇11111$11$2〇〇11111者本發明之第12態樣之透明接觸式面板用之透明導電之製造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上呼電積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之翁㉘一涘* 之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜之方法；係藉使用了溶膠-凝膠材料之塗抹法或印刷法，塗抹或印刷/谷膠·•凝膠材料後，先使之乾燥，其次在2〇〇它至4⑼。C 之/見度領域下，以每分鐘4〇它〜60°C之升溫速度進行氧化燒成，接著進行還原燒成，形成一氧化銦一氧化錫膜，該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為〇·4ηηι $ Ra $ 3 〇nm，均方粗度（Rms)則為〇.6nm$ RmsS 2.0nm之者。本發明之第13態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之怎麥一 #電極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜之方法；而藉使用了溶膠-凝膠材料之塗抹法或印刷法，塗抹或印刷氧膜極而使而 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 24

五、發明說明（7 溶膠-凝膠材料後，初步使之乾燥，其次在戰至彻。c 之溫度領域下，以每分鐘40t〜6(rc之升溫速度進行氧化燒成’接著進行還原燒成，形成—氧化銦.氧化錫膜，使在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑⑻ 為 40nmSR$ 200nm 之者。本發明之第14態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，如第_n態樣者，藉以㈣溶膠廣膠材料之塗抹法或印刷法形成前述透明導電膜時，係使塗抹或印刷溶膠·凝膠材料後，先使之乾燥，#次在· ^至伽 °c之溫度領域下，以每分鐘4(rc〜6Gt：之升溫速度進行氧化燒成，接著進行還原燒成，而形成前述透明導電膜者。本發明之第15態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，其係藉由製造如第10〜14態樣中任一態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之方法所製造之透明接觸式面板用之透明導電膜而加以構成者。圖示之簡單說明本發明之該等及其他目的及特徵係可從下列所附之圖式之理想實施例之敘述清楚得知。該等圖式為·· 第1圖係顯示本發明之一實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之表面之截面形狀之模式截面圖；第2圖係顯示一本發明之前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之原子力間顯微鏡照片；第3圖係觀測前述實施態樣之透明接觸式面板之透明本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）丨-裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7

Φ 坚农Γ Sr Am 塞 n53喚11肖賢-^3乍^.^-:^21 導電膜間因接觸電阻之電壓下降之方法之立體圖；第4圖係觀測前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜間因接觸電阻之電壓下降之方法之電路圖；第5圖係顯示習知透明接觸式面板之透明導電膜之表面之截面形狀之模式截面圖；第ό圖係表示在透明接觸式面板上以輕重量連續輸入時所發生之飛線等不宜處之線描繪圖；第7圖係輸入於前述實施態樣之透明接觸式面板時記錄測定的輸入電壓Εν及臨界值電壓Evs之模式圖；第8圖係輸入於前述實施態樣之透明接觸式面板時記錄測定的理想輸入電壓Εν之模式圖；第9圖係用以說明在前述實施態樣之透明接觸式面板中表面粗度參數之算數平均粗度之線圖；第1〇圖係用以說明在前述實施態樣之透明接觸式面板中表面粗度參數之中心線（平均線）深度之線圖；第11圖係於前述實施態樣之透明接觸式面板之上部電極與下部電極相對向之狀態下，顯示該透明導電膜之表面之截面形狀之模式截面圖；第12圖係於前述實施態樣之透明接觸式面板之上部電極與下部電極相對向之狀態下，顯示用筆輸入時之狀態之模式圖；第13圖係顯示第2圖之前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之原子力間顯微鏡照片；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐）裝.-------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 11 508524 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9) 第14圖係顯示本發明之前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之另一原子力間顯微鏡照片；第15圖係顯示第μ圖之A-B線截面上，前述透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之徑高方向之變動之線圖；第16圖係顯示第14圖之C-D線截面上，前述透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之徑高方向之變動之線圖；第Π圖係習知透明接觸式面板之透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之原子力間顯微鏡照片；第18圖係顯示第17圖之a-B線截面上，前述透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之徑高方向之變動之線圖；第19圖係顯示第17圖之c_d線截面上，前述透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之徑高方向之變動之線圖；第20圖係前述實施態樣之前述透明導電膜藉印刷法形成時’形成一實施例時所使用之薄膜形成裝置之立體圖。元件符號表 1…透明導電膜 2…輸入用筆 3…匯流條 4…上部電極 5…下部電極 1〇…隔離構件 14…上部電極基板 15···下部電極基板 ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· ¾.

508524 A7 B7 五、發明說明（10) 101…基台 102…支持架 103…凹版親 104…印刷輥 105…印墨供給裝置 10 6…刮刀 107···凸部 108…驅動裝置 109…定盤 111…被印刷體 110被印刷體驅動裝置用以實施發明之最佳態樣在接續本發明之敘述前，在所附圖示中針對相同零件附與相同參考符號。參考圖式詳細說明本發明之最佳實施態樣。第1圖係顯示本發明之一實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之表面之截面形狀之模式截面圖。第2圖係顯示一本發明之前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之原子力間顯微鏡照片。第 3圖係觀測前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜間因接觸電阻之電壓下降之方法之立體圖。第4圖係觀測刖述實施恶樣之透明接觸式面板之透明導電膜間因接觸電阻之電壓下降之方法之電路圖。第8圖係於前述實施態樣之透明接觸式面板輸入時記錄測定之理想輸入電壓以之本紙張尺錢t關家標芈（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -----!!裝-----I I I 訂----I----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 13

五、發明說明（11) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製模式圖。第9圖係於前述實施態樣之透明接觸式面板中，用以說明表面粗度參數之算數平均粗度之線圖。第1〇圖係於刖述貝施態樣之透明接觸式面板中，用以說明表面粗度參數之中心線（平均線）深度之線圖。第丨丨圖係於前述實施態樣之透明接觸式面板之上部電極與下部電極相對向之狀悲下，顯示該透明導電膜之表面之戴面形狀之模式截面圖第12圖係於則述貫施態樣之透明接觸式面板之上部電極與下部電極相對向之狀態下，顯示在用筆輸入時之狀態下之透明導電膜之表面之截面形狀之模式截面圖。第13圖係顯示第2圖之前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之原子力間顯微鏡照片。第14 圖係顯示本發明之前述實施態樣之透明接觸式面板之透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之另一原子力間顯微鏡照片第15圖係顯示在第14圖A-B線截面之上述透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之徑高方向之變動之線圖。第1 $ 圖之Al、A2、A3、A4、A5、A6之位置係與第14圖之A1 、A2、A3、A4、A5、A6之位置相對應。第16圖係顯示第 141IC-D線截面上，前述透明導電膜之金屬氧化物之結晶粒徑之徑高方向之變動之線圖。第16圖之C1、c2、、 C4、C5、C6之位置係與第14圖之C1、C2、C3、C4、C5 、C6之位置相對應。圖中，1為透明導電膜，2為輸入用筆，3為匯流條，4 為上部電極，5為下部電極。藉此係構成一如第3圖及第12 圖所不者，由輸入面侧諸如上部電極4側，藉輸入用筆2按 508524 齊、皆 i 讨 i 員 X- 消費 [乍 f土製 A7 B7 五、發明說明（I2) 壓透明接觸式面板之表面之一部分，經由透明導電膜1各自構成之兩電極4、5相接觸，使電氣導通，進行輸入作業，再透過匯流條3將輸入資訊向所定之裝置傳達者。本發明之前述實施態樣之透明接觸式面板係如第1圖以及第11圖、第12圖所示，其構成係由於下部電極基板15 表面上所設之透明導電膜1所構成之下部電極5與由上部電 ® 極基板14表面上所設之透明導電膜1所構成之上部電極4積層且藉多數隔離構件1 0相隔者。可使用作為隔離構件1 〇者，諸如使用直徑為20〜100#m，高度為4〜25/zm者，且各隔離構件10之間隔為1〜5mm者。該隔離構件通常形成於上部電極或下部電極之表面上。可作為前述實施態樣之下部電極基板以及上部電極基板之各基板係可舉具耐熱性且透明性優異之塑膠基板或玻璃基板等為例。可作為塑膠基板者，使用諸如聚碳酸酯樹 • 脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚醚磺樹脂、聚丙烯酸酯樹脂，或三聚醋酸酯樹脂等。而可作為玻璃基板者，則只要是色相少者即可，並無特別限定。用以作為前述實施態樣之透明導電膜1者，可舉下列 N型半導體之金屬氧化物為代表，諸如AT〇(氧化銻/氧化錫）、FTO(氧化錫/氟添加）、IT〇(氧化銦/氧化錫）、FAT〇( 氧化銻/氧化錫/氟添加）等。尤其IT〇作為透明導電膜時，其本身沒有著色，其透過性也佳，所以宜為透明導電膜。前述透明導電膜1係構成為：使該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為0.4nm $ Ra g 4.0nm，而均方粗度（Rm則

I — — — — — — — — I ^ i I I----^---I--! ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 508524

〇.6nm$Rms$3.0nm。經此構成透明導電膜1之理由為：可形成一令結晶粒之集合體緻密配列且平滑性佳之膜，因此如第11及12圖所示，可快速確保輸入時之接觸面積。進而，當算數平均粗度（Ra)比〇.4nm小或均方粗度（Rms)小於〇·6ηιη時，形成明顯的點狀接觸，使接觸面積變小，而不利輸入（參考第5圖及第17〜19圖）。不論算數平均粗度㈣與均方粗度（Rms)哪一個只要在前述範圍内，也不能正確輸入。又，算數平均粗度（Ra)比4 〇nm大或均方粗度㊉㈣經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

大於3.0mn時，會對透明導電膜滑動特性有不良影響 ’故不佳。又，宜使下列可表現透明導電膜丨之表面形狀之參數 (Rp/Rmax)小於〇·55，使構成前述表面形狀之粒子集合體的截面可呈如第1圖所示之梯形或矩形形狀。該理由為，構建該種形狀時，可確保非常安定之輸入，同時在作為開關時不可欠缺之滑動特性上，也可使壽命變長且得到良好之結果。更具體言之，在前述實施態樣之透明接觸式面板，可作為κ靶例之構成為··至少使可構成一方之電極之透明導電膜1為氧化銦-氧化錫膜時，令於該表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑㊉^系仙^^^尺^加加泔，透明導電膜1表面之算數平均粗度（Ra)係0 4nm $ Ra $ 3.0nm而均方粗度（Rms)則為〇.6nmS Rms S 2.0nm，且令表現表面形狀之下列參數（Rp/Rmax)小於0.55，使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面可呈如第1圖所示之梯形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂· ;鲁· 本紙張尺度翻悄目家標準（cNS)A4^^__x 297公爱） 508524 A7 B7 - I才 ί土五、發明說明（14) 或矩形形狀者。即構成使Rp/RmaxS0.55。在此，Rp表示中心線深度，而Rmax則表示前述表面之最大粗度。其單位都是nm。又，針對中心線深度Rp及最大粗度Rmax在後續中說明。如上所述，透明導電膜1係由氧化銦-氧化錫膜所構成時，使在該表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)分布於40nmSR$ 200nm之範圍内之理由如下。即，令平均結晶粒徑（R)分布在小於40nm之範圍内時，進行輕接觸輸入時，則使輸入變成不安定，而平均結晶粒徑（R) 分布在超過200nm之範圍時，則使製造具前述平均結晶粒徑（R)之透明導電膜1變得非常困難。是故，將平均結晶粒徑（R)限制於40nmSRS 200nm之範圍内，製作一以粒界 (grain boundary)等為代表之障壁少且安定之氧化皮膜，可減低相對向基板上之透明導電膜相接觸時之接觸電阻，而達到安定輸入。通常，氧化銦-氧化錫膜係以藉濺射法形成者為主，也可製造一結晶性良好之膜，惟，在進行粒成長時可採取諸如：將成膜時之基板溫度保持在高溫，及以成膜後所定之溫度鍛燒等之方式。在藉前述濺射法成膜時，如前述，使平均結晶粒徑（R)係於40nm$RS200nm之範圍内時，例如將成膜時之基板溫度設定在350°C，或成膜後在150〜200 °(：下進行數小時以上之老化效應（ageing)等之方法，也可促進結晶粒之成長。尤其在氧化銦-氧化錫時，如前述以濺射法形成ITO膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 508524 A7 五、發明說明（IS ) 時，因為該比電阻小，所以用以於接觸式面板之用途時，必須將膜厚變薄。因此，該平均結晶粒之大小也自然容易變小。因此，塗抹法及印刷法係與濺射法相比，其方法不但簡單，且容易進行粒控制，又，比電阻之調整也报簡單。又，適於控制表面形狀。例如，具有如第2圖以及第13、14圖所示之約5〇11〇1之平均結晶粒徑⑻之透明導電膜m，即使施以輕接觸輸入 ’也可得到正確輸入。進而，在6(rc、相對濕度95%(rh) 、500小時之耐濕熱測試後施以輕接觸輸入時，也可得到 -良好的結果。又，在第14圖中，算數平均粗度㈣為〇.8〇nm，而均方粗度（Rms)則為。對此，第η圖之習知例則是’算數平均粗度(Ra)為〇.21nm，而均方粗度(Rms) 在A-B線部分是〇.26nm，而C-D線部分則是〇28nm。第^ 、：16 ' 18、19圖中縱轴、橫軸各表示高度、距離。又，一般，透明導電膜表面觀察之平面内之平均結晶粒徑（R)非常細微，約1〇〜15細時，_進行前述耐濕熱測試，就使表面電阻值上升，在進行輕接觸式輸入時，使錯誤輸入之發生明顯增加。該原因為：平均結晶粒徑⑻小時’使透明導電膜之表面積變大，而使水份吸著量多，會佔據透明導電膜之載體，而使表面電阻值提高。又，與一具大的平均結晶粒徑（R)之透明導電膜相比，平均結晶粒徑⑻小的透明導電膜中存在有多數粒界，例如氧化姻曰曰_氧化錫時’因該載體之平均自由行程大約在1〇〇八左右，使在平常可忽視其存在之粒界散射，而使載體之移動度降低本紙張尺涵财國國家標準（CNS；)A4規格咖x 297公髮訂蠊 508524 痤齊郎智慧时轰局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（l6) ，容易發生輕接觸輸入時之不便。又，在前述實施態樣之透明接觸式面板可作為另一實施例之構成為：至少可構成一方之電極之透明導電膜1為添加有氟或録之氧化錫膜’以取代氧化姻氧化錫膜時，使該表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R) 係80nm $ R S 400nm，透明導電膜1之表面之算數平均粗鲁度（Ra)係0.4nm$ Rag 4.0nm，而均方粗度（Rms)則為〇.6nm S Rms S 3.0nm，且令用以表現表面形狀之下列參數 (Rp/Rmax)小於0 · 5 5，使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈如第1圖所示之梯形或矩形形狀者。即，使 Rp/Rmax S 0·5 5。在此，Rp表示中心線深度，而Rmax貝表示前述表面之最大粗度。其單位都是nm。又，針對中心線深度Rp及最大粗度Rmax在後續中說明。如上所述，透明導電膜1係由添加有氟或銻之氧化錫 φ 膜所構成時，使該表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)分布於80nmS RS 400nm之範圍内之理由如下。即，平均結晶粒徑（R)分布在小於80nm之範圍内時，施以輕接觸輸入時，則使輸入不安定，而平均結晶粒徑（R) 分布在超過400nm之範圍時，則使形成相對向之電極之透明導電膜因表面之凹凸而有損傷，使滑動耐久性劣化。因此，將平均結晶粒徑（R)控制在80nm$R$ 400nm之範圍内，可製作一以粒界（grain boundary)等為代表之障壁少且安定之氧化皮膜’可使相對向基板上之透明導電膜相接觸時之接觸電阻降低，而達到安定輸入。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 ο喝24 A7 -----SI__ 五、發明說明（η) 通常，添加有氟或銻之氧化錫膜係藉以CVD法為代表之氣相法形成者為主。使用⑽法時可使成膜溫度高約450C 550 C，且將平均結晶粒徑（R)控制在8〇nm$ RS40〇nm範圍内時，可調整結晶粒之成長。又，在前述兩例係使用溶膠-凝膠材料，且經塗抹法或印刷法成膜而形成一透明導電膜時，藉於溶液狀態下之各種元素之添加量或分散量，或墨水之自由能之調整，更甚者考慮乾燥程序、燒成條件，可控制使結晶粒之大小限定在前述範圍内。例如，透明導電膜係以印刷法形成時，有一種使用如曰本特公平第3-11630號所揭露之薄膜形成裝置印刷之方法（參考第20圖）。該薄膜形成裝置之構成係裝設有：一凹版輥103，支持於一基台之支持架1〇2而可旋轉自如且於表面上具有多數深度為1.0〜數l〇/zm之印墨胞體；一印墨供給裝置105 ’用以供應1.0〜3 05000mP as之印墨於凹版輥 103表面；一刮刀106,裝設在由支持架1〇2支持之凹版輥1〇3 之周圍所定處，將供給於凹版輥103之印墨在凹版輥1〇3表面擴展，使印墨胞體内保持一定量之印墨；一印刷輥104 ，支持於支持架102之凹版輥103之下方而可旋轉自如，且具有一可接觸凹版輥103之凸部107，並使印墨胞體内之印墨在凹版輥103之表面上向凸部107移轉者；一驅動裝置1〇8 ，使支持於支持架102之印刷輥104與凹版輥103同期旋轉驅動者；一定盤109，用以載置被印刷體111，且可於基台 101上在與印刷輥104相接觸之印刷位置I以及離開印刷輥本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） Γ请先閱讀背面之>i意事項再填寫本頁) --裝 a^T· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

508524 A7 _ B7 五、發明說明（18) 104之退避位置Π、ΙΠ間移動者；一被印刷體驅動裝置11〇，使定盤109可在前述兩位置間移動者；一控制裝置（圖示 . 略），用以控制印刷輥104之旋轉及從定盤109之退避位置 Π、ΠΙ向印刷位置I之移動，使移轉到印刷親丨〇4之凸部丨〇7 之印墨印刷在被印刷體111者。作為印墨者諸如由下列有機金屬化合物之至少一種、 • 溶劑及安定化劑所構成，前述有機金屬化合物為一通式 MCOHMR—CO—CHrCO—RDji^x+Ydj^

In、Sn、Sb、B、P、Al、Bi、Si、Ti、Se、Te、Hf、Zn 内之1種元素，R、R’為取代芳基或取代烷基，111為]^之價數，X、Y為自然數）。尤其使用由則‘通式之Μ為銦（in)、錫（sn)，且該銦與錫之構成重量比為5重量％$ {Sn / (In+Sn)}xl〇〇g 15重量％之範圍内所形成之印墨，可容易得到在前述範圍内之平均結晶粒徑（R)。又，也容易將算數平均粗度（Ra)、均方粗度（Rms)控制在前述範圍内。在此，銦及錫之構成重量比小於5重量％時，作為掺雜劑所添加之錫的量少，而不能期待電導之幫手一載體的產生。即，膜之比電阻形成在1·0Χ10-3Ω · cm以上，故不宜用於作一接觸式面板者。另一方面，如果銦及錫之構成重量比大於15重量％時，則平均結晶粒徑（R)為1〇〜30nm，使算數平均粗度（Ra)及均方粗度（Rms)難以控制在前述範圍内，而使構成透明導電膜之表面形狀之粒子集合體之截面難以形成一梯形或矩形形狀者。 I--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 齊， $ 讨 ί % 費製

川 8524

五、發明說明（19) ----------up -裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，經塗抹或印刷溶膠一凝膠材料後，先使之乾燥，接著，在200°C〜400°C之溫度領域下，以每分鐘4〇χ：〜6〇 °C之升溫速度進行氧化燒成，再進行還原燒成，可容易得到前述範圍内之平均結晶粒徑（R)。又，也容易將算數平均粗度（Ra)及均方粗度（Rms)控制在前述範圍内。在此，若升温速度不足於每分鐘4〇°C時，膜中之分解速度變慢，而在持有多量殘留有機溶媒之狀態下進行燒成，而使透明導電膜變黑，使透明導電膜之比電阻大於1()><1〇-3〇 · cm ，因此不宜用以於製作接觸式面板。另一方面，升溫溫度超過每分鐘60°C時，膜中之分解速度明顯加快，而形成一夕孔貝之膜，膜硬度不夠，在代表膜物性之耐濕度測試中也差，因此不宜用以於製作接觸式面板。 ·» 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製用以前述裝置形成一薄膜時，在40°c〜1〇〇〇C下以適且之溫度乾燥後，在540°c下氧化燒成，進而藉燒成形成一透明的導電膜。使用該方式形成一透明導電膜時，在所定條件下，可形成一平均結晶粒徑為4〇11111以上之膜。此時膜表面之Ra為〇.67nm，而Rms則為〇.87iim，Rp/Rmax為〇·51，用原子間力顯微鏡觀察時，成長後之結晶粒的集合體凝聚，而該膜截面之形狀，即構成前述表面形狀之粒子集合體之截面則呈梯形，輕輸入特性也良好，且其滑動耐久性也優異。經施以60t、相對濕度95%(RH)、500小時後之耐濕測試後，也能得到一安定輸入。又，藉由觀察因相對向之透明導電膜1間之接觸電阻之電壓下降，可評價輕接觸輸入時之安定度。如第3、4圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） A7五、發明說明（20) 堅齊ST1IP曰慧时轰苟員二消費合泎fi印製所示，將5V電壓連接於透明接觸式面板之上部電極4，且使用-可供1關負荷於下部電極5之電路，可將輕接觸輸入時之不妥，用以測定因相對向之透明導電膜丨間之接觸電阻之電壓下降，使之數值化。在此，Ev=5_(Ea+Eb + Ec)、Ea+Ec与const.、Eb=接觸電阻之不降電壓、Ev =檢測電壓。Ea以及Ec各自為上部電極4以及下部電極5 之電壓下降。即’相對於附加在上部電極4之電壓5 v，因電路電阻之電壓下降（Ea、Ec)與因接觸電阻之電壓下降（Eb)之和愈大，則檢測電壓（Εν)愈小。因此，檢測電壓（Ev)則愈小，愈使在輸入時發生不當。在使用ΙΤΟ作為透明導電膜1而平均結晶粒徑（以)在4〇〜100nm之範圍内時，檢測電壓（Εν)約為4·6ν時安定，針對於此，平均結晶粒徑（11)在10〜1511111之範圍内時，檢測電壓（Εν)為4.0〜4.2V，可觀察到不安定的變動。根據詳細實驗結果得知，加5V電壓時之檢測電壓（Εν)約45¥以時，即使施以輕接觸輸入，也可實現一良好之輸入。又，透明導電膜1之一實施例為藉由CVD法形成之化錫膜時，平均結晶粒徑（R)為分布在100〜200nm之範内者，而檢測電壓（Εν)為安定，約4.5V。又，可構成至少一方電極之透明導電膜1為氧化銦化錫時’使該表面之算數平均粗度（Ra)*〇.4nm$Ra 3.0nm ’而均方粗度（Rms)則為〇 6nm$ Rmsg 2.0nm之理如下。即’藉使透明導電膜1如此構成，如第1圖所示，上氧圍 .氧由 Μ--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 23 A7 A7 B7 五、發明說明（21) 形成-結晶粒之集合體緻密配列，且平滑性佳之膜，如第及12圖所示，可快速地確保輸入時之接觸面積。算數平均粗度（Ra)小於〇.4nm或均方粗度（Rms)小於〇6_夺，形成明顯的點狀接觸，使接觸面積變小，不利輸入（參考“ 圖^第17〜19圖）。不管算數平均粗度⑽)或均方粗度（㈣在前述範圍内，也不能期待有正破之輸入。又，製造一算數平均粗度（Ra)超過3 〇nm或均方粗度㈣超過2 〇細之透明導電膜1是彳艮難。進而，藉使中心、線深度Rp與最A粗度Rmax之比― Rp/Rmax小於θα時，可使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈梯形或矩形形狀（參考第15、16圖）。-得到該形狀者時，如第M12圖所示，可快速確保輸入時之接觸面積，又在輕接觸輸入時所發生之滑動特性也佳。是故，可確保-非常安定之輸入。又，在作為開關不可缺之滑動特性上也可使之壽命長且可得到一良好的結果。 ,又，可構成至少一方電極之透明導電膜1為添加氟或銻之氧化錫膜時，使該表面之算數平均粗度_為〇4· $ 4.〇nm，而均方粗度（hs)則為〇.6nmg Rmg3〇nm 之理由如下。即，藉使透明導電膜1如此構成，與氧化銦 -氧化錫同樣，如第!及12圖所示，可快速地確保輸入時之接觸面積。算數平均粗度（Ra)小於〇 4nm或均方粗度（化^) 小於〇.6nm時，形成明顯的點狀接觸，使接觸面積變小，不利輸入(參考第5圖及第17〜19圖)。不管算數平均粗度 (Ra)或均方粗度（Rms)在前述範圍内，也不能期待有正確 t ii^ii^NS)A4 ^ (210 -111--11111— — — — — — II ^ — — — — — — — —^^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n I n- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7

五、發明說明（22) 之輸入。又，算數平均粗度㈣超過4〇咖或均方粗度（Rms) 超過3.0nm時，對透明導電膜丨之滑動特性有不良影響，故不佳。進而，藉使中心線深度Rp與最大粗度Rmax之比— Rp/Rmax小於〇.55時，可使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈梯形或矩形形狀（參考第15、16圖）。一得到該 Φ形狀者時，如第Μ12圖所示，可快速確保輸入時之接觸面積，又在輕接觸輸入時所發生之滑動特性也佳。是故，可確保一非常安定的輸入。又，為了得到前述形狀，除了前述方法以外，也可在形成透明導電m之前，在基板上先形成一具所需形狀之底膜。針對各種表面粗度參數作說明，首先，平均線係指，在測定曲線之截取部分中具測定面之幾何學形狀之直線或 •曲線，且設定該線到測定曲線之偏差之自乘和為最小之線。又，中心線意指，描繪一與粗度曲線之平均線平行之直線時，使該線與粗度曲線所包圍而成之面積係於該線之兩側相等之直線。在此，算數平均粗度（Ra)可由下列式子算出，由粗度曲線向該中心線之方向截取測定長（基準長}/之部分，如第9圖所示，以該截取部分之中心線為又軸，縱倍率之方向為Y軸，粗度曲線為y=f(x)。

Ra^\{ \f(X)\dx 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐) --------- -25 - A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^-------___五、發明說明（23) 又，另-粗度參數均方粗度(Rms)“t，由粗度平均向該平均值之方向截取基準Μ，該截取部分之平均線之 Τ向為X軸，縱倍率之方向為γ軸時所求得之標準差者。沒些算數平均粗度（Ra)及均方粗度（Rms)都與數值成比例，具表面越粗之傾向’但兩者之間_般並沒有存在有成立的數學關係。 V N ^在，，Υί表示相對於截取部分之局部山頂之谷底線之高度，Y表示相對於截取部分之局部山頂之谷底線之高度之平均，N則表示基準長/内之局部山頂之間隔之個數。下列說明前述實施態樣之更具體之實施例以及用以比較該實施例之比較例。又，中心線深度（Rp)意指，如第丨〇圖所示，基準長/ 内之最高點至平均線或中心線之深度。另外，在本實施態樣中，為了修正膜之深度之影響，使用（Rp/Rmax)為參數。Rmax意指由截面曲線向該平均線之方向截取基準長/，用與平均線平行之兩直線夾持該截面曲線，沿著使該兩直線之間隔乘上縱倍率方向所測定之值。又，中心線深度（Rp) 相對於即使Rmax的值一樣而Rp也相異之面，在與接觸部分之面積相關之耐摩損性之考量上也有其用處。即，Rp 的值愈大，則使由最高點至平均線或中心線之深度變大，而形成一尖凸的形狀，相反地若Rp的值愈小，則使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈現一近似梯形或矩形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · 魏· 5〇8524 A7 B7 五、測表發明說明（24) 的形狀。 (實施例1) 在設有約5# m壓克力系硬罩之厚度20# m聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上，在成膜溫度1301下藉濺射法形成一 1丁0膜作為透明導電膜，又以150°C前後之溫度進行老化效應’製作一平均結晶粒徑（R)分布在40〜60nm之範圍内之透明導電薄膜。在該薄膜之硬罩面上以黏著層為媒介，先在背面貼合一設有約5/zm壓克力系硬罩之厚度125//m 聚對苯二曱酸乙二醇酯薄膜。又，在兩面浸鐘有Si〇2而厚度l.imm之玻璃作為下部電極基板，基板溫度設定在25(TC，藉濺射法形成一厚度 15nm之ITO膜作為透明導電膜。使用原子間力顯微鏡（(股) 島津製作所製SPM-9500)觀察之結果，平均結晶粒徑（R)分布在40〜60nm之範圍内。製作一以前述薄膜及玻璃為電極之透明接觸式面板，使聚縮醛製之筆負荷總重量成2〇g之荷重，經袼子狀輸入時’沒有發生歪線或飛線，可安定輸入。又’在该透明接觸式面板上付加5 V電壓之狀雜下，測定輸入時之電壓，顯示了一安定值4·6ν。進而，將該透明接觸式面板施以6〇t、相對濕度％% (RH)之耐濕熱測試，經5〇〇個小時後，同樣進行袼子輸入之言糖，與初期狀態-樣沒有變化。又，施以輪入電壓試時，顯示-安定值4.6V與初期值完全_樣沒有變化，示該面板是一種可使用於輕接觸輸入且沒有問題者。沐張尺度^財國(CNS)A4規格⑵G χ 297公爱 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填驚本頁) 27 524 524 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 _ 五、發明說明（25) (實施例2) 除成膜溫度設定在loot外，其他條件與實施例丨相同，在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成透明導電模。測定透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)之結果為〇 4nm < Ra S 1.2nm，而均方粗度（Rms)則為〇.8nm。又，基準長係與所使用之截取值相等。又，評價長係以700nm時所得之值〇又，使用一前述薄膜形成裝置（日本寫真印刷株式會社製恩格斯特龍馬（登錄商標）聯機（in-line)型），將調合有一使銦與錫之比為{Sn/(Sn + In)} X 100= 20重量％之透明導電印墨組成物印刷於浸鍍有Si02之300mmx30〇mmx 1.1mm之蘇打玻璃基板上。將玻璃基板以加熱板預先乾燥後，用運輸式氣體分離爐在540°C下燒成，接著在運輸式氣體分離爐内在含有微量氫氣之氮氣中從540°C冷卻到室溫，由此，可得一厚度 10nm之透明導電膜。使用原子間力顯微鏡（（股）島津製作所製SPM-9500)觀察之結果，平均結晶粒徑（R)分布在10〜 30nm之範圍内。進而，測定透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)之結果為0.1511111^1^$0.2911111，而均方粗度（111113)則為0.39 11111 。又，基準長係與所使用之截取值相等。又，評價長係以 700nm時所得之值。製作一以前述薄膜及玻璃為電極之透明接觸式面板，使聚縮趁製之筆負荷總重量成2〇g之荷重，經格子狀輸入 ΐ紙張尺度適用〒國國家標準（CNS)A4規^； (21〇 χ 297公釐）" : " - -28 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

508524

卜 L A7 五、發明說明（26) 時，沒有發生飛線，也沒發生歪線，可安定輸入。又，在該透明接觸式面板上付加5V電壓之狀態下，測定輸入時之電壓，顯示了一安定值4·5ν。進而，將該透明接觸式面板施以6〇艺、相對濕度％% (RH)之耐濕熱測試，經5〇〇個小時後，再進行同樣的格子輸入試驗，施以輸入電壓測試時，顯示一安定值4·5ν與初 • 期值完全一樣，顯示該面板在輕接觸輸入之使用上也是沒有問題者。又’使15萬字之連續輸入試驗後之輸入狀態藉格子輸入砰饧之結果，也沒有發生飛線，可描繚一安定之格子。 (實施例3) 除成膜溫度設定在15〇°C，在150°C下進行數小時的老化效應外，其他條件與實施例丨相同，在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成透明導電膜。該平均結晶粒徑（R)分布 φ 於40〜10〇11111之範圍内。透明導電膜表面之算數平均粗度 (Ra)為 l.lnm$Ra$2.3nm，而均方粗度（Rms)則為〇 9nm。又’基準長係與所使用之截取值相等。又，評價長係以 700nm時所得之值。又’使用前述薄膜形成裝置（曰本寫真印刷株式會社製恩格斯特龍馬（登錄商標）聯機（in-Hne)型），將調合有一使姻與锡之比為{Sn/(Sn+In)}Xl〇〇 = 12重量％之透明導電印墨組成物印刷於浸鍍有Si02之300mmx300mmx l.lmm 之蘇打玻璃基板上。將玻璃基板以加熱板先加以乾燥後，用運輸式氣體分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： --線· -29 508524 A7 B7_ 五、發明說明（27) 離爐在540°C下燒成，接著在運輸式氣體分離爐内在含有微量氫氣之氮氣中從540°C冷卻到室溫，由此，可得一厚度20nm之透明導電膜。使用原子間力顯微鏡（（股）島津製作所製SPI-3600)觀察之結果可知，平均結晶粒徑（R)分布在40〜60nm之範圍内。進而，測定透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)之結果為0.4nm $ Ra $ 0.8nm，而均方粗度（Rms)則為0.70nm。又，基準長係與所使用之截取值相等。又，評價長係以 700nm時所得之值。製作一以前述薄膜及玻璃為電極之透明接觸式面板，使聚縮醛製之筆負荷總重量成20g之荷重，經格子狀輸入時，沒有發生飛線，也沒有發生歪線，可安定輸入。又，在該透明接觸式面板上付加5 V電壓之狀態下，測定輸入時之電壓，顯示了一安定值4.65V。進而，將該透明接觸式面板施以60°C、相對濕度95% (RH)之耐濕熱測試，經500個小時後，進行同樣的格子輸入之試驗後，施以輸入電壓測試時，顯示一安定值4.5V與初期值完全一樣，表示該面板在輕接觸輸入之使用上是沒有問題者。 (實施例4) 除成膜溫度設定在100°C外，其他條件與實施例1相同，在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成透明導電膜。測定透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)為0.4nm$ RaS 1.2 nm，而均方粗度（Rms)則為0.8nm。又，基準長係與所使本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐了 ------------t--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

)SJ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508524 A7 B7 五、發明說明（28) 用之截取值相等。又，評價長係以700nm時所得之值。又，使用前述薄膜形成裝置（曰本寫真印刷株式會社製恩格斯特龍馬（登錄商標）聯機（in-line)型），將調合有一使銦與錫之比為{Sn/(Sn + In)} X 100 = 10重量％之透明導電印墨組成物印刷於浸鐘有8丨02之30〇111111><30〇111111><1.1111111 之蘇打玻璃基板上。將玻璃基板以加熱板預先乾燥後，用運輸式氣體分離爐以升溫曲線55°C/分鐘在540°C下燒成，接著在運輸式氣體分離爐内在含有微量氫氣之氮氣中從540°C冷卻到室溫，由此，可得一厚度10nm之透明導電膜。使用原子間力顯微鏡（(股）島津製作所製SPM-9500)觀察之結果，平均結晶粒徑（R)分布在40〜50nm之範圍内。進而，測定透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)之結果可知在0.4nmS Ra‘ 0.9nm範圍内，而均方粗度（Rms)則為0.67nm。又，基準長係與所使用之截取值相等。又，評價長係以700nm所得之值。又，Rp/Rmax為0.50，使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈現梯形形狀。製作一以前述薄膜及玻璃為電極之透明接觸式面板，使聚縮醛製之筆負荷總重量成20g之荷重，經格子狀輸入時，沒有發生飛線，也沒有發生歪線，可安定輸入。又，在該透明接觸式面板上付加5V電壓之狀態下，測定輸入時之電壓，顯示了一安定值4.55V。進而，將該透明接觸式面板施以60°C、相對濕度95% (RH)之耐濕熱測試，經500個小時後，進行同樣的格子輸本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 31 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508524 A7 B7_ 五、發明說明（29) 入之試驗後，施以輸入電壓測定時，顯示一安定值4.5V與初期值完全一樣，表示該面板在輕接觸輸入之使用上也是沒有問題者。又，在15萬字之連續輸入試驗後之輸入狀態下藉格子輸入評價之結果，也沒有發生飛線，可描繪一安定之格子。 (比較例1) 省略老化程序，其他條件與實施例1相同，在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成透明導電膜，該平均結晶粒徑 (R)分布在10〜20nm之範圍内。又，令兩面浸鍍有Si022 厚度1.1mm之玻璃作為下部電極基板，將基板溫度設定在 150°C，藉濺射法形成厚度10nm之ITO膜作為透明導電膜。使用原子間力顯微鏡（精工電子工業（股）製SPI3600)觀察之結果，平均結晶粒徑（R)分布在20〜30nm之範圍内。製作一以前述薄膜及玻璃為電極之透明接觸式面板，使聚縮醛製之筆負荷總重量成20g之荷重，經格子狀輸入時，沒有發生飛線，但發生歪線，不能安定輸入。又，在該透明接觸式面板上付加5V電壓之狀態下，測定輸入時之電壓，顯示了一不安定值4.3〜4.4 V。進而，將該透明接觸式面板施以60°C、相對濕度95% (RH)之耐濕熱測試，經500個小時後，進行同樣的格子輸入之試驗後可知，與初期狀態相比，有大的歪線且發生飛線，並可觀察到輸入不可之處。又，施以輸入電壓測定時，所顯示之數值為4 · 0〜4.3 V，比初期值低，表示該面板係不能用在輕接觸輸入者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .. _ ^9 _ 508524 A7 五、發明說明（30) (比較例2) 與比較例1同樣地在聚對苯二曱酸乙二醇醋薄膜上形成透明導電膜，該平均結晶粒徑（R)分布在10〜20nm之範圍内。透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)之結果為0111111 彡Ra$ 0.25nm，而均方粗度（Rms)則為〇 55nm。又基準長係與所使用之戴取值相等。又，評價長係以7〇〇nm時所得之值。又，令兩面浸鍍有Si〇2之厚度i.imm玻璃作為下部電極基板，將基板溫度設定在8〇°C，藉濺射法形成一厚度 15nm之ITO膜作為透明導電膜。使用原子間力顯微鏡（精工電子工業（版）製SPI3600)觀察之結果，平均結晶粒徑（r) 分布在10〜15nm之範圍内。透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)之結果為〇· inm $ 〇 22nm，而均方粗度（Rms) 則為0.35nm。又，基準長係與所使用之截取值相等。又 ’評價長係以700nm時所得之值。製作一以前述薄膜及玻璃為電極之透明接觸式面板，使聚縮駿製之筆負荷總重量成2〇g之荷重，在付加有5V電壓之狀態下’測定輸入時之電壓，顯示了一不安定值4.2 〜4.3V。進而，將該透明接觸式面板施以60°C、相對濕度95% (RH)之耐濕熱測試，經500個小時後，進行同樣的袼子輸入之試驗後可知，與初期狀態相比，有大的歪線且發生飛線，並且可觀察到輸入不可之處。又，進行輸入電壓測定時，所顯示之數值為3.7〜4.0V，比初期值低，表示該面本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · •線· 33 508524 五、發明說明（31) 板係不月b用在輕接觸輸入者。又，藉格子輸入評價1 5萬字之連續輸入試驗後之輸入狀態，可部分測出3·9〜41V之處。 (比較例3) 與實施例3同樣，在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成透明導電膜。使用前述薄膜形成裝置（曰本寫真印刷株式會社製恩才。斯特龍馬（登錄商標）聯機（in_Hne)型），將透明導電印墨組成物印刷於浸鍍有Si〇223〇〇mmx3〇〇mmxl lmm之蘇打玻璃基板上。 Γ請先閱讀背面之注意事 , 項再填1 •寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

將玻璃基板以加熱板預先乾燥後，用運輸式氣體分離爐在500°C下燒成，接著在運輸式氣體分離爐内在含有微量氫氣之氮氣中從500。(：冷卻到室溫，由此，可得一厚度 10nm之透明導電膜。使用原子間力顯微鏡（精工電子工業（股）製SPI3600)觀察之結果，平均結晶粒徑（R)分布在ι〇〜 30nm之範圍内。又，測定透明導電膜表面之算數平均粗度（Ra)之結果為〇· lnm $ Ra ^ 〇 4nm，而均方粗度則為〇.35nm。又，基準長係與所使用之截取值相等。又，評價長係以700nm時所得之值。製作一以前述薄膜及玻璃為電極之透明接觸式面板，使聚縮醛製之筆負荷總重量成2〇g之荷重，經袼子狀輸入時，沒有發生飛線，但發生歪線，不能安定輸入。訂· 又’在該透明接觸式面板上付加5v電壓之狀熊下，測定輸入時之電壓，顯示了一不安定值4.3〜44v。

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^4 發明說明（32) 進而，將该透明接觸式面板施以6〇艺、相對濕度95% (RH)之耐濕熱測試，經5〇〇個小時後，進行同樣的袼子輸入之試驗後，施以輸入電壓測試時，與初期值相比，歪線大且也發生了飛線，進而觀察到不能輸入之處。進行輸入電壓測定時可得4·〇〜4.3V之值，與初期值低，表示該面板係一不能使用在輕接觸輸入使用者。本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜及使用該透明導電膜之透明接觸式面板以及製造透明導電膜之方法係如刖述貫施例之構成者，因此具有下列效果。本發明之第1恶樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，其構成係一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件相隔之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上且可構成該電極之透明導電膜：該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為(Mnm^Ray.Onm，而均方粗度（Rms)則為〇 6⑽ ‘RmsUOnm。因此，可形成一使結晶粒之集合體緻密配列且平滑性佳之膜，可快速確保輸人時之接觸面積，而可構成一種適用於輕接觸輸入之透明導電膜。本發明之第2態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，其構成係一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件相隔之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上且可構成該電極之透明導電膜：其係由氧化銦一氧化錫膜所構成，且，在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均、，口日日粒徑（R)為40nmSR$ 200nm。因此，可構成一以粒界為代表之障壁少且安定之氧化皮膜，使相對向之基板上之 508524

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

透明導電膜相接觸時之接觸電阻降低，達到安定輸入，構成種適用於輕接觸輸入之透明導電膜。本發明之第3態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，其構成係-種設於使下部電極與上部電極制且藉隔離構件相隔之透明接觸式面板之至少―方之電極電極基板上且可構成該電極之透明導電膜：其係由添加氣或錄之氧化錫膜所構成，且在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為80nmSRg400nm。因此，藉以結晶成長之安定之氧化皮膜，可使相對向之基板上之透明導電膜相接觸時之接觸電阻降低，達到安定輸入，構成一種適用於輕接觸輸入之透明導電膜。本發明之第4態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，如第1或第2態樣者，其構成係由氧化銦_氧化錫膜所形成，且，該表面形狀之算數平均粗度（以）為〇411111$1^$ 3. 〇nm，而均方粗度（Rms)則為〇6nmgRms$2.〇nm。因此，可形成一使結晶粒之集合體緻密配列，平滑性佳之膜，可快速確保輸入時之接觸面積，可使輕接觸輸入時之接觸電阻變小’故可構成一種適用於輕接觸輸入之透明導電膜

本發明之第5態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜，如第1或3態樣者，其係由添加氟或銻之氧化錫膜所構成 ’且’該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為〇4nmgRaS 4. 〇nm’而均方粗度（Rms)則為〇6nmsRmSs3_0nin。因此，可快速確保輸入時之接觸面積，構成一種適用於輕接觸本紙張尺义適用中國國家標準（cns)a4規格⑵G X挪公爱）

：>υ 幻 24 Α7

請先閱讀背面之注意事項再 I裝頁訂線 37 508524 A7 B7 五、發明說明（35) 本發明之第9態樣之透明接觸式面板，係使如第丨至？〜、樣中任態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜各自設於前述下部電極與前述上部電極兩邊之電極基板上，且可各自構成該電極者。因此，依前述透明導電膜，可形成一使結晶粒之集合體緻密配列且平滑性佳之膜，並可快速確保輸入時之接觸面積，而可提供一接觸輸入更佳之透明接觸式面板。本發明之第10態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜之方法·，係使至少構成溶膠-凝膠材料之有機金屬化合物由銦或錫所構成，且藉一使用了錮與錫之構成重量比為5重量 {Sn/(In + Sn)} X 1〇〇$ 15重量％之溶膠·凝膠材料之塗抹法或印刷法，形成一氧化銦-氧化錫膜，使表面形狀之算數平均粗度（Ra)為〇.4nmSRaS3.〇nm，而均方粗度（Rms：^ 為〇.6nm$Rms$2.〇nm者。因此，可輕易得到一適用於輕接觸輸入之透明導電膜。本叙明之第11¾、樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜者；係使至少構成溶膠-凝膠材料之有機金屬化合物由銦或錫所構成，且藉一使用了銦與錫之構成重量比為5重量％${811/(111 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背面之注

訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

、、叫xioos 15重量％之溶膠♦膠材料之塗抹法或印刷法，形成一氧化銦-氧化錫膜，使在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑⑻為4〇_1^綱腿者。此可幸工易得到一可以粒界等表示之障壁少且安定之透明導電膜。，本發明之第12態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜 φ之衣造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之至少一方電極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜之方法；而係藉使用了溶膠-凝膠材料之塗抹法或印刷法，塗抹或印刷溶膠·凝膠材料後，初步使之乾燥，其次在20(TC至400 °C之溫度領域下，以每分鐘赋〜⑽之升溫速度進行氧化燒成，接著進行還原燒成，形成一氧化銦-氧化錫膜，使其表面形狀之算數平均粗度（Ra)為0.4nmgRag3.0nm， φ 而均方粗度（Rms)則為〇.6nm$Rms$2.〇nm者。因此，可輕易得到一適用於輕接觸輸入之透明導電膜。本盔明之第13態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係一可製造一種設於使下部電極與上部電極積層且藉隔離構件隔開之透明接觸式面板之至步一方電極之電極基板上，且可構成該電極之透明導電膜之方法；而藉使用了溶膠-凝膠材料之塗抹法或印刷法，塗抹或印刷溶膠-凝膠材料後，初步使之乾燥，其次在2〇〇它至4〇〇艺之溫度領域下，以每分鐘4〇°C〜60°C之升溫速度進行氧化燒成，接著進行還原燒成，形成一氧化銦-氧化錫膜，使 ---------I I------I----^---I-----^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 39 观524 五、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製發明說明（37) 在表面所觀察之金屬氧化物之〇面内之平均結晶粒徑（R：) 為4〇nm$RS20〇nm者。因此，可主一 ^ J孝二易侍到一可以粒界等表不之卩早壁少且安定之透明導電膜。，本發明之第14態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，如第10或丨1離樣去 — 、 .. ^樣者，猎以前述溶膠-凝膠材 '、之塗抹法或印刷法，而形成前述透料電料，係使塗抹或印刷溶膠-凝膠材料後，初步使之乾燥，其次在細。C 至彻。C之溫度領域下’以每分鐘听〜㈣之升溫速度進行氧化燒成，接著進行還原燒成，而形成前述透明導電膜者。因此，適用於輕接觸輸入，可輕易得到一可以粒界等表示之障壁少且安定之透明導電膜。訂本發明之第15態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜 ’其係藉以如第10〜14態樣中任一態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法所製造之透明接觸式面板用之透明導電膜所構成者。因此，具有製造如第10〜14態樣中任一態樣之透明接觸式面板用之透明導電膜之方法之利點同可快速確保輸入時之接觸面積，而可提供一種適用於輕接觸輸入之透明導電膜。又，依本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜或透明接觸式面板，使至少-方基板上之透明導電膜為氧化銦 —氧化錫膜，且藉此形成可控制該表面算數平均粗度（Ra) 為〇.〇411111$1^$3.〇11111，而均方粗度（尺11^)為大於〇611111者時’可確保接觸面積，適用於輕接觸輸入者。又，依本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜或透本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 508524 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（38) 明接觸式面板，使至少一方基板上之透明導電膜為氧化銦一氧化錫膜時，構成一可控制在表面觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為4〇nmgRg2〇〇nm，且使該表面算數平均粗度（Ra)為0.04nmgRaS3 〇nm，而均方粗度 (Rms)為大於〇.6nm者時，可確保接觸面積，並使輕接觸輸入時之接觸電阻變得更小，為一種適用於輕接觸輸入者 •。又依本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜或透明接觸式面板，使至少一方基板上之透明導電膜為氧化鋼一氧化錫膜時，可構成一可控制該表面算數平均粗度（Ra) 為0.04nmSRa$ 3.0nm，而均方粗度（Rms)為大於〇 6nm者，且使用以表現該表面形狀之下列參數小於〇55者時，可使構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈梯形或矩形形狀者日^，可確保接觸面積，且在輕接觸輸入時所發生之滑 • 動特性也優異，因此構成一適用於輕接觸輸入者。又，

Rp/RmaX$〇·55時，RP表示中心線深度，Umax表示最大粗度。兩者單位都是nm。又，依本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜或透明接觸式面板，使至少一方基板上之透明導電膜為添加有氟或銻之氧化錫膜時，可構成一控制表面觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為40nm $ R$ 20〇nm者時，可將輕接觸輸入時之接觸電阻Eb變小，因此構成一適用於輕接觸輸入者。依本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜或透明接本紙張尺度適财^格（210 X挪公爱)-- -41 - -------------^--------t·--------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 508524 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------B7 _ 五、發明說明（39) 觸式面板，使至少一方基板上之透明導電膜為添加有氟或銻之氧化錫膜時，可構成一控制表面平均粗度（Ra)為0.4nm SRS4.〇nm，而均方粗度（Rms)為大於〇 6nm者時，可確保接觸面積，因此構成一適用於輕接觸輸入者。依本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜或透明接觸式面板，使至少一方基板上之透明導電膜為添加有氟或録之氧化錫膜時，可構成一可控制表面觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為4〇nmgR$4〇〇nm，且使該表面异數平均粗度（Ra)為〇 04nmgRag4 〇nm，而均方粗度（Rms)為大於〇.6nm者時，可使輕接觸輸入時之接觸電阻更小，又可確保接觸面積，且滑動特性也佳，因此構成一適用於輕接觸輸入者。依本發明之透明接觸式面板用之透明導電膜或透明接觸式面板，使至少一方基板上之透明導電膜為添加有幅或銻之氧化錫膜時，可控制表面觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為4〇nmgRS3〇〇nm，且使該透明導電膜之表面算數平均粗度（Ra)為〇4nm^Ra^4〇nm，而均方粗度（Rms)為大於〇.6nm，且，用以表示表面形狀之下列參數小於0.55時，可構成前述表面形狀之粒子集合體之截面呈梯形或矩形形狀者時，可快速確保輸入時之接觸面積，使輕接觸輸入時之接觸電阻更小，且在輕接觸輸入時所發生之滑動特性也優|,因此為一適用於輕接觸輸入者。本案發明係已參考所附圖式針對最佳實施例充分揭露，但對熟悉該技術之業者，可知曉各種變形例及修正。該本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4.規格（210 x 297公釐）

(請先閱讀背面之注意事 I · I I 填寫本頁) 508524 A7 B7 五、發明說明（4〇) 種變形例及修正只要不脫離所附申請專利範圍之範疇外理應包含在本發明之專利範圍内。

-------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 43

Claims

.8524 <

A8 B8 C8 D8

容 X 製第_ 1439號專利申請案申請專利範圍修正本修正日期：89年02月 1. -種透明接觸式面板用之透明導電膜，係設置在透明接觸式面板之至少—側電極的電極基板上，以構成該電極者，該透明接觸式面板係_㈣τ部電極與上部電極間以隔離構件間隔開，而積層形成者；該透明導電膜之表面形狀，其算數平均粗度㈣為〇.4nmS Ra客4.0nm，且均方根粗度（Rms)為〇 6nm$ Rms$ 3.0nm 〇 2. -種透明接觸式面板用之透明導電膜，係設置在透明接觸式面板之至少一側電極的電極基板上，以構成該電極者’該透明接觸式面板係一種在下部電極與上部電極間以隔離構件間隔開，而積層形成者；該透明導電膜係由氧化銦一氧化錫膜所構成，且在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑 (R)為 40nniS R^ 200ηπι。 -種透明接觸式面板用之透明導電膜，係設置在透明接觸式面板之至少-側電極的電極基板上，以構成該電極者’該透明接觸式面板係一種在下部電極與上部電極間以隔離構件間隔開，而積層形成者；該透明導電膜係由添加有氟或綈之氧化錫膜所構成’且在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為 80nm$ 400nm。 4.如申請專利範圍第⑷項之透明接觸式面板用之透明 3 I - 1 · 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚）

----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 508524 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍導電膜，係由氧化銦-氧化錫膜所構成，且該表面形狀之异數平均粗度（Ra)為〇.4nm S Ra S 3.0nm，而均方根粗度（Rms)則為 0.6nm$RmsS2.0nm 者。 5.如申請專利範圍第丨或3項之透明接觸式面板用之透明導電膜，其係由添加有氟或銻之氧化錫膜所構成，且該表面形狀之算數平均粗度（Ra)為0 4nm $ Ra s 4 0nrn ’而均方根粗度（Rms)則為0.6nmS Rmsg 3.0nm者。 6·如申請專利範圍第ι、2或3項之透明接觸式面板用之透明導電膜’其中上述表面形狀，係在Rp表示中心線深度，而Rmax表示最大粗度時，藉著使一表現上述表面形狀之參數（Rp/Rmax)小於〇·55，而使構成上述表面形狀之粒子集合體之截面呈現梯形形狀或矩形形狀。 7. 如申請專利範圍第4項之透明接觸式面板用之透明導電膜’其中上述表面形狀，係在Rp表示中心線深度，而 Rmax表示最大粗度時，藉著使一表現上述表面形狀之參數（Rp/Rmax)小於〇·55，而使構成上述表面形狀之粒子集合體之截面呈現梯形形狀或矩形形狀。 8. 如申請專利範圍第5項之透明接觸式面板用之透明導電膜’其中上述表面形狀，係在Rp表示中心線深度，而 Rmax表示最大粗度時，藉著使一表現上述表面形狀之參數（Rp/Rmax)小於〇·55，而使構成上述表面形狀之粒子集合體之截面呈現梯形形狀或矩形形狀。 9·如申請專利範圍第1、2或3項之透明接觸式面板用之透明導，膜，係利用一使用溶膠-凝膠材料之塗抹法或印 --------tr---------$t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

8524 六、申請專利範圍刷法所形成者。 10·如申請專利範圍第4項之透明接觸式面板用之透明導電膜，係利用一使用溶膠_凝膠材料之塗抹法或印刷法所形成者。 11·如申請專利範圍第4項之透明接觸式面板用之透明導電膜，在上述表面形狀中，在尺卩表示中心線深度，且表示最大粗度時，藉使一用以表現上述表面形狀之參數（Rp/Rmax)小於〇·55 ,而使構成上述表面形狀之粒子集合體之截面呈現梯形形狀或矩形形狀；同時，以使用溶膠-凝膠材料之塗抹法或印刷法來形成。 12. —種透明接觸式面板，係使如申請專利範圍第1、2或3 項之透明接觸式面板用之透明導電膜設於上述下部極及上述上部電極之至少一側電極之電極基板上，構成該電極者。 13 · —種透明接觸式面板，係使如申請專利範圍第4項之透明接觸式面板用之透明導電膜設於上述下部電極及述上部電極之至少一側電極之電極基板上，以構成電極者。 14· 一種透明接觸式面板，係使如申請專利範圍第5項之透明接觸式面板用之透明導電膜設於上述下部電極及上述上部電極之至少一側電極之電極基板上，以構成該電極者。 15.—種透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係製造一種設於透明接觸式面板之至少一侧電極之電電訂以上該極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐

-----------—-------訂·-----I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

觸式面板係-種在下部電極與上部電極間以隔離構件間隔開而積層形成者； '該製造方法係藉以轉·凝膠材料之塗抹法或印刷法，塗抹或印刷溶膠-凝膠材料後，初步乾燥之，其次在200 C至400 C之溫度領域下，以每分鐘4〇。匚〜之升溫速度，進行氧化燒成，接著進行還原燒成，形成一氧化銦一氧化錫膜，以使表面形狀之算數平均粗度（Ra)為0.4nm g Ra客3 .〇nm，且均方根粗度㊉邮）為〇.6nm$ Rmsg 2.〇nm 〇 18·—種透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係製k種11又於透明接觸式面板之至少一側電極之電極基板上以構成該電極之透明導電膜的方法，該透明接觸式面板係一種在下部電極與上部電極間以隔離構件間隔開而積層形成者；；該製造方法係藉以溶膠-凝膠材料之塗抹法或印刷法，塗抹或印刷溶膠-凝膠材料後，初步乾燥之，接著在200 C至400 C之溫度領域下，以每分鐘4〇^〜6〇〇c 之升溫速度進行氧化燒成，接著進行還原燒成，形成一氧化銦一氧化錫膜，以使在表面所觀察之金屬氧化物之平面内之平均結晶粒徑（R)為4〇nm $ 2〇〇1^者 19·如申請專利範圍第15或16項之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法，係藉以上述溶膠…疑膠材料之塗抹法或印刷法形成上述透明導電膜時，

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐

(請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) --------訂---------線滅 A8 B8 C8 D8

六、申請專利範圍係使塗抹或印刷溶膠-凝膠材料後，初步乾燥之，接著在20(TC至40(rc之溫度領域下，以每分鐘听〜6〇 °c之升溫速度進行氧化燒成，接著進行還原燒成，以形成上述透明導電膜。 2〇· —種透明接觸式面板用之透明導電膜，其係利用如申印專利範圍第15、16、17或18項之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法所製造者。 21·—種透明接觸式面板用之透明導電膜，其係利用如申請專利範圍第19項之透明接觸式面板用之透明導電膜之製造方法所製造者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} .1 訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製良紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）