JPH09305313A - タッチパネル - Google Patents
タッチパネルInfo
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- JPH09305313A JPH09305313A JP11501696A JP11501696A JPH09305313A JP H09305313 A JPH09305313 A JP H09305313A JP 11501696 A JP11501696 A JP 11501696A JP 11501696 A JP11501696 A JP 11501696A JP H09305313 A JPH09305313 A JP H09305313A
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- Japan
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- transparent
- substrate
- touch panel
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 座標検出を正確且つ安定して行えるタッチパ
ネルを提供する。 【解決手段】 透明抵抗膜の結晶粒径を平均値＋標準偏
差の３倍で評価して２８ｎｍ以下とすることにより、透
明抵抗膜におけるシート抵抗値の経時変化を抑制して、
座標検出を正確に且つ安定して行うことができる。
ネルを提供する。 【解決手段】 透明抵抗膜の結晶粒径を平均値＋標準偏
差の３倍で評価して２８ｎｍ以下とすることにより、透
明抵抗膜におけるシート抵抗値の経時変化を抑制して、
座標検出を正確に且つ安定して行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、指先やペン等によ
る押圧変位を利用して座標検出を行うタッチパネルに関
するものである。
る押圧変位を利用して座標検出を行うタッチパネルに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種のタッチパネルは、透明フィ
ルムと、透明フィルムの下面に付設された透明抵抗膜
と、透明基板と、透明基板の上面に付設された透明抵抗
膜とを備え、透明抵抗膜相互をドットスペーサを介して
絶縁状態で対向配置して構成されている。
ルムと、透明フィルムの下面に付設された透明抵抗膜
と、透明基板と、透明基板の上面に付設された透明抵抗
膜とを備え、透明抵抗膜相互をドットスペーサを介して
絶縁状態で対向配置して構成されている。
【０００３】このタッチパネルでは、透明フィルムの上
面所望箇所を指先やペン等で押圧することにより、該透
明フィルムを下方に撓ませて透明抵抗膜相互を接触さ
せ、該接触による導通によって押圧点の座標信号を得る
ことができる。
面所望箇所を指先やペン等で押圧することにより、該透
明フィルムを下方に撓ませて透明抵抗膜相互を接触さ
せ、該接触による導通によって押圧点の座標信号を得る
ことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】タッチパネルに使用さ
れる透明抵抗膜には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が一
般に用いられており、該ＩＴＯ膜は通常スパッタ法によ
って成膜されている。
れる透明抵抗膜には酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が一
般に用いられており、該ＩＴＯ膜は通常スパッタ法によ
って成膜されている。
【０００５】ところで、タッチパネルに使用される透明
抵抗膜のシート抵抗値は経時的に安定であることが重要
であり、正確な座標検出を安定に行うにはその経時変化
率が±１０％以内であることが望まれている。
抵抗膜のシート抵抗値は経時的に安定であることが重要
であり、正確な座標検出を安定に行うにはその経時変化
率が±１０％以内であることが望まれている。
【０００６】しかし、透明抵抗膜として用いられている
従来のＩＴＯ膜では、図１に示すように放置日数が経過
するに従って最小許容変化率（−１０％）を下回る難点
がある。この経時変化は透明基板に樹脂を用いた場合に
特に顕著で、このような経時変化を生じた後は所期の座
標検出を正確に行うことが難しくなる。
従来のＩＴＯ膜では、図１に示すように放置日数が経過
するに従って最小許容変化率（−１０％）を下回る難点
がある。この経時変化は透明基板に樹脂を用いた場合に
特に顕著で、このような経時変化を生じた後は所期の座
標検出を正確に行うことが難しくなる。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、座標検出を正確且つ安定
して行えるタッチパネルを提供することにある。
で、その目的とするところは、座標検出を正確且つ安定
して行えるタッチパネルを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、透明フィルムに付設された透明抵抗膜と
透明基板に付設された透明抵抗膜とを絶縁状態で対向配
置して成るタッチパネルにおいて、透明抵抗膜の結晶粒
径が平均値＋標準偏差の３倍で評価して２８ｎｍ以下で
ある、ことをその主たる特徴としている。
め、本発明は、透明フィルムに付設された透明抵抗膜と
透明基板に付設された透明抵抗膜とを絶縁状態で対向配
置して成るタッチパネルにおいて、透明抵抗膜の結晶粒
径が平均値＋標準偏差の３倍で評価して２８ｎｍ以下で
ある、ことをその主たる特徴としている。
【０００９】本発明に係るタッチパネルでは、透明抵抗
膜の結晶粒径を平均値＋標準偏差の３倍で評価して２８
ｎｍ以下とすることにより、該透明抵抗膜に生じ得るシ
ート抵抗値の経時変化を抑制して、所期の座標検出を正
確且つ安定に行うことができる。
膜の結晶粒径を平均値＋標準偏差の３倍で評価して２８
ｎｍ以下とすることにより、該透明抵抗膜に生じ得るシ
ート抵抗値の経時変化を抑制して、所期の座標検出を正
確且つ安定に行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図２（ａ）（ｂ）には本発明の実
施に好適なタッチパネルの構造例をそれぞれ示してあ
る。
施に好適なタッチパネルの構造例をそれぞれ示してあ
る。
【００１１】同図（ａ）に示したタッチパネルはドット
スペーサを透明基板と一体に形成したもので、図中、１
は透明フィルム、２はフィルム側の透明抵抗膜、３は透
明基板、４は基板側の透明抵抗膜、５はドットスペー
サ、６はスペーサである。
スペーサを透明基板と一体に形成したもので、図中、１
は透明フィルム、２はフィルム側の透明抵抗膜、３は透
明基板、４は基板側の透明抵抗膜、５はドットスペー
サ、６はスペーサである。
【００１２】同図（ｂ）に示したタッチパネルはドット
スペーサを透明基板と別体に形成したもので、図中、１
１は透明フィルム、１２はフィルム側の透明抵抗膜、１
３は透明基板、１４は基板側の透明抵抗膜、１５はドッ
トスペーサ、１６はスペーサである。
スペーサを透明基板と別体に形成したもので、図中、１
１は透明フィルム、１２はフィルム側の透明抵抗膜、１
３は透明基板、１４は基板側の透明抵抗膜、１５はドッ
トスペーサ、１６はスペーサである。
【００１３】透明フィルム１，１１はＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）等の樹脂フィルムから成り、厚み
が７５〜１５０μｍで、指先やペン等による押圧で容易
に変形し且つ復元可能な可撓性を有している。
レンテレフタレート）等の樹脂フィルムから成り、厚み
が７５〜１５０μｍで、指先やペン等による押圧で容易
に変形し且つ復元可能な可撓性を有している。
【００１４】フィルム側の透明抵抗膜２，１２はＩＴＯ
（酸化インジウムスズ）膜やＩＺＯ（酸化亜鉛を含有し
た酸化インジウム）膜等から成り、透明フィルム１，１
１の下面に均一な厚みで付設されている。
（酸化インジウムスズ）膜やＩＺＯ（酸化亜鉛を含有し
た酸化インジウム）膜等から成り、透明フィルム１，１
１の下面に均一な厚みで付設されている。
【００１５】透明基板３，１３はＰＣ（ポリカーボネイ
ト），ＰＭＭＡ（アクリル），ＰＥＴ，ＰＡＲ（ポリア
リレート），ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）等の樹脂
基板、またはソーダライムガラス等のガラス基板から成
り、厚みが８００μｍ〜３ｍｍで、押圧操作時でも撓み
難い剛性を有している。
ト），ＰＭＭＡ（アクリル），ＰＥＴ，ＰＡＲ（ポリア
リレート），ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）等の樹脂
基板、またはソーダライムガラス等のガラス基板から成
り、厚みが８００μｍ〜３ｍｍで、押圧操作時でも撓み
難い剛性を有している。
【００１６】基板側の透明抵抗膜４，１４は上記透明抵
抗膜と同様のＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等から成り、透明基板
３，１３の上面（図１のものではドットス部分を除く上
面）に均一な厚みで付設されている。ちなみに、同図
（ａ）のものでは、ドットスペーサ形成後の透明基板３
の上面全体に透明抵抗膜４を成膜してからドット部分の
膜を研磨によって取り除くか、或いはドットスペーサに
レジストを塗布してから成膜する方法が採用される。
抗膜と同様のＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等から成り、透明基板
３，１３の上面（図１のものではドットス部分を除く上
面）に均一な厚みで付設されている。ちなみに、同図
（ａ）のものでは、ドットスペーサ形成後の透明基板３
の上面全体に透明抵抗膜４を成膜してからドット部分の
膜を研磨によって取り除くか、或いはドットスペーサに
レジストを塗布してから成膜する方法が採用される。
【００１７】ドットスペーサ５，１５は透明抵抗膜相互
の絶縁状態を確保するためのもので、半球状，円柱状，
角柱状等の形状を成している。ドットスペーサ１個の寸
法は直径が３０〜５０μｍで高さが３〜１０μｍであ
り、同図（ａ）のものでは成形やエッチング等の手法に
よって透明基板３の上面に所定配列で一体に形成され、
同図（ｂ）のものでは印刷手法によって透明抵抗膜１４
の上面に所定配列で設けられている。
の絶縁状態を確保するためのもので、半球状，円柱状，
角柱状等の形状を成している。ドットスペーサ１個の寸
法は直径が３０〜５０μｍで高さが３〜１０μｍであ
り、同図（ａ）のものでは成形やエッチング等の手法に
よって透明基板３の上面に所定配列で一体に形成され、
同図（ｂ）のものでは印刷手法によって透明抵抗膜１４
の上面に所定配列で設けられている。
【００１８】スペーサ６，１６は透明抵抗膜間の隙間を
管理するためのもので、断面形状が矩形，半円等の連続
リブまたは不連続リブを透明基板周囲に配して構成され
ている。スペーサ６，１６の高さ寸法はドットスペーサ
５，１５よりも大きく、これにより透明抵抗膜間には僅
かな隙間が形成される。
管理するためのもので、断面形状が矩形，半円等の連続
リブまたは不連続リブを透明基板周囲に配して構成され
ている。スペーサ６，１６の高さ寸法はドットスペーサ
５，１５よりも大きく、これにより透明抵抗膜間には僅
かな隙間が形成される。
【００１９】上記の透明抵抗膜２，１２，４，１４は何
れもスパッタ法によって成膜されるが、そのシート抵抗
値の経時変化を抑制するためには結晶粒径と成膜時のス
パッタ圧力を適切に選定する必要がある。
れもスパッタ法によって成膜されるが、そのシート抵抗
値の経時変化を抑制するためには結晶粒径と成膜時のス
パッタ圧力を適切に選定する必要がある。
【００２０】図３には透明抵抗膜として使用されるＩＴ
Ｏ膜の結晶粒径[平均値＋３σ]とシート抵抗値経時変化
率の絶対値との関係を示してある。ＩＴＯ膜は、ＲＦマ
グネトロンスパッタ装置を使用しＩＴＯ焼結体（Ｓｎ＝
１０ｗｔ％）をターゲットとして、ＰＣ基板に成膜した
ものであって、ＩＴＯ膜の膜厚は１５ｎｍ、初期シート
抵抗値は１２００Ω／□である。
Ｏ膜の結晶粒径[平均値＋３σ]とシート抵抗値経時変化
率の絶対値との関係を示してある。ＩＴＯ膜は、ＲＦマ
グネトロンスパッタ装置を使用しＩＴＯ焼結体（Ｓｎ＝
１０ｗｔ％）をターゲットとして、ＰＣ基板に成膜した
ものであって、ＩＴＯ膜の膜厚は１５ｎｍ、初期シート
抵抗値は１２００Ω／□である。
【００２１】また、ＩＴＯ膜の結晶粒径は、ＡＦＭ（Ａ
ｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）＝原
子間力顕微鏡を用いて測定し、測定粒径の平均値に標準
偏差の３倍を加算した値、つまり平均値＋３σで評価し
た。つまり、結晶粒径が正規分布している場合にはその
９９．７％が平均値±３σに入ることから、ここではそ
の最大値を平均値＋３σで規定して評価してある。
ｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）＝原
子間力顕微鏡を用いて測定し、測定粒径の平均値に標準
偏差の３倍を加算した値、つまり平均値＋３σで評価し
た。つまり、結晶粒径が正規分布している場合にはその
９９．７％が平均値±３σに入ることから、ここではそ
の最大値を平均値＋３σで規定して評価してある。
【００２２】同図から分かるように、ＩＴＯ膜の結晶粒
径[平均値＋３σ]とシート抵抗値の経時変化率との間に
は関連性があり、結晶粒径[平均値＋３σ]が小さくなる
ほどシート抵抗値の経時変化量が小さくなる傾向があ
る。タッチパネルに求められるシート抵抗値の経時変化
率（±１０％）を考慮すれば、実用的なＩＴＯ膜の結晶
粒径[平均値＋３σ]は２８ｎｍ以下、好ましくは２５ｎ
ｍ以下となる。
径[平均値＋３σ]とシート抵抗値の経時変化率との間に
は関連性があり、結晶粒径[平均値＋３σ]が小さくなる
ほどシート抵抗値の経時変化量が小さくなる傾向があ
る。タッチパネルに求められるシート抵抗値の経時変化
率（±１０％）を考慮すれば、実用的なＩＴＯ膜の結晶
粒径[平均値＋３σ]は２８ｎｍ以下、好ましくは２５ｎ
ｍ以下となる。
【００２３】図４にはＩＴＯ膜成膜時のスパッタ圧力と
シート抵抗値経時変化率との関係を示してある。ＩＴＯ
膜は、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用しＩＴＯ焼
結体（Ｓｎ＝１０ｗｔ％）をターゲットとして、ＰＣ基
板に成膜したものであって、成膜温度は４０℃、ガス組
成はＯ2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％とした。ま
た、ＩＴＯ膜の膜厚は１５ｎｍ、初期シート抵抗値は１
０００〜１２００Ω／□で、放置条件は常温常湿で２１
日とした。
シート抵抗値経時変化率との関係を示してある。ＩＴＯ
膜は、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用しＩＴＯ焼
結体（Ｓｎ＝１０ｗｔ％）をターゲットとして、ＰＣ基
板に成膜したものであって、成膜温度は４０℃、ガス組
成はＯ2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％とした。ま
た、ＩＴＯ膜の膜厚は１５ｎｍ、初期シート抵抗値は１
０００〜１２００Ω／□で、放置条件は常温常湿で２１
日とした。
【００２４】同図から分かるように、ＩＴＯ膜成膜時の
スパッタ圧力とシート抵抗値との間には関連性があり、
スパッタ圧力が所定値を越えるとシート抵抗値の経時変
化量が大きくなる傾向がある。タッチパネルに求められ
るシート抵抗値の経時変化率（±１０％）を考慮すれ
ば、実用的なＩＴＯ膜を得るときのスパッタ圧力の範囲
は１〜３．８Ｐａ、好ましくは１〜３．５Ｐａとなる。
スパッタ圧力とシート抵抗値との間には関連性があり、
スパッタ圧力が所定値を越えるとシート抵抗値の経時変
化量が大きくなる傾向がある。タッチパネルに求められ
るシート抵抗値の経時変化率（±１０％）を考慮すれ
ば、実用的なＩＴＯ膜を得るときのスパッタ圧力の範囲
は１〜３．８Ｐａ、好ましくは１〜３．５Ｐａとなる。
【００２５】図５にはＩＴＯ膜成膜時のスパッタ圧力を
２ｐａとした場合における結晶粒径区間と度数との関係
を示してある。ＩＴＯ膜は、ＲＦマグネトロンスパッタ
装置を使用しＩＴＯ焼結体（Ｓｎ＝１０ｗｔ％）をター
ゲットとして、ＰＣ基板に成膜したものであって、成膜
温度は４０℃、ガス組成はＯ2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．
７ｖｏｌ％とし、ＩＴＯ膜の膜厚は１５ｎｍとした。ま
た、ＩＴＯ膜の結晶粒径は、ＡＦＭを用いて測定した。
２ｐａとした場合における結晶粒径区間と度数との関係
を示してある。ＩＴＯ膜は、ＲＦマグネトロンスパッタ
装置を使用しＩＴＯ焼結体（Ｓｎ＝１０ｗｔ％）をター
ゲットとして、ＰＣ基板に成膜したものであって、成膜
温度は４０℃、ガス組成はＯ2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．
７ｖｏｌ％とし、ＩＴＯ膜の膜厚は１５ｎｍとした。ま
た、ＩＴＯ膜の結晶粒径は、ＡＦＭを用いて測定した。
【００２６】同図から分かるように、スパッタ圧力を２
ＰａとしてＩＴＯ膜を成膜した場合には、結晶粒径を
６．９〜２０．７ｎｍの範囲に納めることが可能であ
り、しかもその分布を１０〜１５ｎｍと１５〜２０ｎｍ
の区間で集中させることができる。比較例を図６に示す
ように、スパッタ圧力を５Ｐａとして同様にＩＴＯ膜を
成膜した場合は、結晶粒径は１５．５〜３９．７ｎｍの
範囲に及び、２５〜３０ｎｍの区間でもかなりの度数が
現れてしまう結果が得られた。
ＰａとしてＩＴＯ膜を成膜した場合には、結晶粒径を
６．９〜２０．７ｎｍの範囲に納めることが可能であ
り、しかもその分布を１０〜１５ｎｍと１５〜２０ｎｍ
の区間で集中させることができる。比較例を図６に示す
ように、スパッタ圧力を５Ｐａとして同様にＩＴＯ膜を
成膜した場合は、結晶粒径は１５．５〜３９．７ｎｍの
範囲に及び、２５〜３０ｎｍの区間でもかなりの度数が
現れてしまう結果が得られた。
【００２７】このように、透明抵抗膜におけるシート抵
抗値の経時変化を効果的に抑制するには、結晶粒径を平
均値＋３σで評価して２８ｎｍ以下とすること、またス
パッタ圧力を１〜３．８Ｐａに設定することが肝要であ
り、少なくとも一方を満足すれば透明抵抗膜におけるシ
ート抵抗値の経時変化を±１０％以内に止めて、座標検
出を正確に且つ安定して行うことが可能となる。
抗値の経時変化を効果的に抑制するには、結晶粒径を平
均値＋３σで評価して２８ｎｍ以下とすること、またス
パッタ圧力を１〜３．８Ｐａに設定することが肝要であ
り、少なくとも一方を満足すれば透明抵抗膜におけるシ
ート抵抗値の経時変化を±１０％以内に止めて、座標検
出を正確に且つ安定して行うことが可能となる。
【００２８】以下に、透明抵抗膜の具体的な成膜方法
（実施例１〜５）を比較例を交えて詳細に説明する。
尚、実施例１〜５には基板側の透明抵抗膜の成膜手順の
みを説明してあるが、フィルム側の透明抵抗膜も同様の
手順で成膜できることは言うまでもない。
（実施例１〜５）を比較例を交えて詳細に説明する。
尚、実施例１〜５には基板側の透明抵抗膜の成膜手順の
みを説明してあるが、フィルム側の透明抵抗膜も同様の
手順で成膜できることは言うまでもない。
【００２９】［実施例１］まず、厚みが１ｍｍで大きさ
が１００ｍｍ□のポリカーボネイト基板（以下ＰＣ基板
と言う）を用意し、これを中性洗剤，メタノール，純水
で各々５分間超音波洗浄しさらに純水で濯いだ後、超高
純度窒素を吹き付けて乾燥させ、６０℃のクリーンオー
ブンの中に１時間入れて乾燥度を高める。
が１００ｍｍ□のポリカーボネイト基板（以下ＰＣ基板
と言う）を用意し、これを中性洗剤，メタノール，純水
で各々５分間超音波洗浄しさらに純水で濯いだ後、超高
純度窒素を吹き付けて乾燥させ、６０℃のクリーンオー
ブンの中に１時間入れて乾燥度を高める。
【００３０】次に、前処理を施したＰＣ基板に下記のよ
うにして酸化インジウムスズ膜（以下ＩＴＯ膜と言う）
を形成する。このＩＴＯ膜の形成には、ＲＦマグネトロ
ンスパッタ装置を使用し、そのターゲットには酸化イン
ジウムにスズを１０ｗｔ％含有させた酸化物を用いた。
うにして酸化インジウムスズ膜（以下ＩＴＯ膜と言う）
を形成する。このＩＴＯ膜の形成には、ＲＦマグネトロ
ンスパッタ装置を使用し、そのターゲットには酸化イン
ジウムにスズを１０ｗｔ％含有させた酸化物を用いた。
【００３１】つまり、ＰＣ基板を装着した基板ホルダを
成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａにな
るまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡｒ
と純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロー
ラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を２Ｐａと
する。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々９９．３ｓｃ
ｃｍと０．７ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／（Ａｒ
＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、ここでは基
板温度を４０℃に設定した。
成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａにな
るまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡｒ
と純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロー
ラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を２Ｐａと
する。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々９９．３ｓｃ
ｃｍと０．７ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／（Ａｒ
＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、ここでは基
板温度を４０℃に設定した。
【００３２】真空度、即ちスパッタ圧力が２Ｐａで安定
したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャッタ
ーを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするため
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２ｋ
Ｗに設定して、プレスパッタを３分間行う。このときの
スパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオー
トプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度調
整により行った。
したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャッタ
ーを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするため
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２ｋ
Ｗに設定して、プレスパッタを３分間行う。このときの
スパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオー
トプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度調
整により行った。
【００３３】プレスパッタ完了後はシャッターを開けて
成膜を開始する。ここではＩＴＯ膜の膜厚が５〜３０ｎ
ｍとなるように、好ましくは１５ｎｍとなるように成膜
時間を２０秒程度に設定する。
成膜を開始する。ここではＩＴＯ膜の膜厚が５〜３０ｎ
ｍとなるように、好ましくは１５ｎｍとなるように成膜
時間を２０秒程度に設定する。
【００３４】つまり、膜厚が５ｎｍ未満だと、指先やペ
ン等による入力時押圧に耐え得る強度を確保することが
困難である。また、膜厚が３０ｎｍを越えると、ＩＴＯ
膜の透過率が低下し、タッチパネル下に配置される液晶
表示素子等の表示が見難くなる。これがＩＴＯ膜の膜厚
を５〜３０ｎｍとする理由である。
ン等による入力時押圧に耐え得る強度を確保することが
困難である。また、膜厚が３０ｎｍを越えると、ＩＴＯ
膜の透過率が低下し、タッチパネル下に配置される液晶
表示素子等の表示が見難くなる。これがＩＴＯ膜の膜厚
を５〜３０ｎｍとする理由である。
【００３５】上記手順によって成膜されたＩＴＯ膜の膜
厚は１５ｎｍでシート抵抗値は１１００Ω／□であり、
その結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで
評価したところ２２．５ｎｍであった。
厚は１５ｎｍでシート抵抗値は１１００Ω／□であり、
その結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで
評価したところ２２．５ｎｍであった。
【００３６】また、ＩＴＯ膜を周囲温度２５℃、相対湿
度５５％ＲＨ、放置時間２１日（約５００時間）の条件
で放置してそのシート抵抗値の経時変化を次式 [|(初期シート抵抗値)-(放置後シート抵抗値)|/(初期シ
ート抵抗値)×100]％ で算出したところ０．５％となり、±１０％以内に十分
に収まることが確認できた。
度５５％ＲＨ、放置時間２１日（約５００時間）の条件
で放置してそのシート抵抗値の経時変化を次式 [|(初期シート抵抗値)-(放置後シート抵抗値)|/(初期シ
ート抵抗値)×100]％ で算出したところ０．５％となり、±１０％以内に十分
に収まることが確認できた。
【００３７】［実施例２］まず、厚みが１ｍｍで大きさ
が１００ｍｍ□のＰＣ基板を用意し、実施例１と同様の
手順で洗浄，乾燥処理を施す。
が１００ｍｍ□のＰＣ基板を用意し、実施例１と同様の
手順で洗浄，乾燥処理を施す。
【００３８】次に、前処理を施したＰＣ基板に下記のよ
うにして無反射コーティングを施す。この無反射コーテ
ィングにはＲＦスパッタ装置を使用し、そのターゲット
には純度９９．９９％のＳｉＯ2 を用いた。
うにして無反射コーティングを施す。この無反射コーテ
ィングにはＲＦスパッタ装置を使用し、そのターゲット
には純度９９．９９％のＳｉＯ2 を用いた。
【００３９】つまり、ＰＣ基板を装着した基板ホルダを
成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａにな
るまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡｒ
と純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロー
ラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を３．５Ｐ
ａとする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々３８ｓｃ
ｃｍと２ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／（Ａｒ＋Ｏ
2 ）＝５ｖｏｌ％であった。また、ここでは基板温度を
５０℃に設定した。
成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａにな
るまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡｒ
と純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロー
ラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を３．５Ｐ
ａとする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々３８ｓｃ
ｃｍと２ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／（Ａｒ＋Ｏ
2 ）＝５ｖｏｌ％であった。また、ここでは基板温度を
５０℃に設定した。
【００４０】真空度、即ちスパッタ圧力が３．５Ｐａで
安定したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャ
ッターを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするた
めに、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を１
ｋＷに設定して、プレスパッタを３分間行う。このとき
のスパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオ
ートプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度
調整により行った。
安定したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャ
ッターを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするた
めに、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を１
ｋＷに設定して、プレスパッタを３分間行う。このとき
のスパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオ
ートプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度
調整により行った。
【００４１】プレスパッタ完了後はシャッターを開けて
コーティングを開始する。ここでは無反射コーティング
の膜厚（ＳｉＯ2 の膜厚）が約１２０ｎｍとなるように
コーティング時間を３０ｍｉｎ程度に設定する。
コーティングを開始する。ここでは無反射コーティング
の膜厚（ＳｉＯ2 の膜厚）が約１２０ｎｍとなるように
コーティング時間を３０ｍｉｎ程度に設定する。
【００４２】次に、無反射コーティングを施したＰＣ基
板に実施例１と同様の手順でＩＴＯ膜を成膜する。
板に実施例１と同様の手順でＩＴＯ膜を成膜する。
【００４３】上記手順によって成膜されたＩＴＯ膜の膜
厚は１５ｎｍでシート抵抗値は１１００Ω／□であり、
その結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで
評価したところ２２．５ｎｍであった。
厚は１５ｎｍでシート抵抗値は１１００Ω／□であり、
その結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで
評価したところ２２．５ｎｍであった。
【００４４】また、ＩＴＯ膜を実施例１と同じ条件で放
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ０．５％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ０．５％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
【００４５】さらに、ＩＴＯ膜成膜後のＰＣ基板の透過
率を波長λ＝５５０ｎｍで測定したところ、コーティン
グ無しの実施例１のもので８８％であった透過率を９１
％まで向上させることができ、無反射コーティングが透
過率を高める上で効果的にあることが確認できた。
率を波長λ＝５５０ｎｍで測定したところ、コーティン
グ無しの実施例１のもので８８％であった透過率を９１
％まで向上させることができ、無反射コーティングが透
過率を高める上で効果的にあることが確認できた。
【００４６】［実施例３］まず、厚みが１ｍｍで大きさ
が１００ｍｍ□のアクリル基板（以下ＰＭＭＡ基板と言
う）を用意し、実施例１と同様の手順で洗浄，乾燥処理
を施す。ＰＭＭＡ基板はＰＣ基板に比べて吸湿性が高い
ため、クリーンオーブンによる乾燥は４時間とした。
が１００ｍｍ□のアクリル基板（以下ＰＭＭＡ基板と言
う）を用意し、実施例１と同様の手順で洗浄，乾燥処理
を施す。ＰＭＭＡ基板はＰＣ基板に比べて吸湿性が高い
ため、クリーンオーブンによる乾燥は４時間とした。
【００４７】次に、前処理を施したＰＭＭＡ基板に下記
のようにしてＩＴＯ膜を形成する。このＩＴＯ膜の形成
には、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用し、そのタ
ーゲットには酸化インジウムにスズを１０ｗｔ％含有さ
せた酸化物を用いた。
のようにしてＩＴＯ膜を形成する。このＩＴＯ膜の形成
には、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用し、そのタ
ーゲットには酸化インジウムにスズを１０ｗｔ％含有さ
せた酸化物を用いた。
【００４８】つまり、ＰＭＭＡ基板を装着した基板ホル
ダを成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａ
になるまで排気する。その後、純度９９．９９９９％の
Ａｒと純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコント
ローラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を３．
５Ｐａとする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々１７
３．８ｓｃｃｍと１．２ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ
2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、
ここでは基板温度を４０℃に設定した。
ダを成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａ
になるまで排気する。その後、純度９９．９９９９％の
Ａｒと純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコント
ローラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を３．
５Ｐａとする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々１７
３．８ｓｃｃｍと１．２ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ
2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、
ここでは基板温度を４０℃に設定した。
【００４９】真空度、即ちスパッタ圧力が３．５Ｐａで
安定したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャ
ッターを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするた
めに、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２
ｋＷに設定して、プレスパッタを３分間行う。このとき
のスパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオ
ートプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度
調整により行った。
安定したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャ
ッターを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするた
めに、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２
ｋＷに設定して、プレスパッタを３分間行う。このとき
のスパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオ
ートプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度
調整により行った。
【００５０】プレスパッタ完了後はシャッターを開けて
成膜を開始する。ここではＩＴＯ膜の膜厚が３０ｎｍと
なるように成膜時間を４０秒程度に設定する。
成膜を開始する。ここではＩＴＯ膜の膜厚が３０ｎｍと
なるように成膜時間を４０秒程度に設定する。
【００５１】上記手順によって成膜されたＩＴＯ膜の膜
厚は３０ｎｍでシート抵抗値は９２０Ω／□であり、そ
の結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで評
価したところ２５ｎｍであった。
厚は３０ｎｍでシート抵抗値は９２０Ω／□であり、そ
の結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで評
価したところ２５ｎｍであった。
【００５２】また、ＩＴＯ膜を実施例１と同じ条件で放
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ７．５％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ７．５％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
【００５３】本例で使用したアクリル樹脂はポリカーボ
ネイト樹脂よりも透過率が高いため、アクリル樹脂を基
板材料とした場合には、ポリカーボネイト樹脂を基板材
料とした実施例１のものよりもＩＴＯ膜の膜厚を厚くす
ることができる。ちなみに、厚さ１ｍｍのアクリル基板
の透過率は測定波長λ＝５５０ｎｍで９３％であるのに
対し、厚さ１ｍｍのポリカーボネイト基板の透過率は８
７％である。
ネイト樹脂よりも透過率が高いため、アクリル樹脂を基
板材料とした場合には、ポリカーボネイト樹脂を基板材
料とした実施例１のものよりもＩＴＯ膜の膜厚を厚くす
ることができる。ちなみに、厚さ１ｍｍのアクリル基板
の透過率は測定波長λ＝５５０ｎｍで９３％であるのに
対し、厚さ１ｍｍのポリカーボネイト基板の透過率は８
７％である。
【００５４】［実施例４］まず、厚みが１．１ｍｍで大
きさが１００ｍｍ□のシリカコート付きソーダライムガ
ラス基板（以下ガラス基板と言う）を用意し、実施例１
と同様の手順で洗浄，乾燥処理を施す。
きさが１００ｍｍ□のシリカコート付きソーダライムガ
ラス基板（以下ガラス基板と言う）を用意し、実施例１
と同様の手順で洗浄，乾燥処理を施す。
【００５５】次に、前処理を施したガラス基板に下記の
ようにしてＩＴＯ膜を形成する。このＩＴＯ膜の形成に
は、ＲＦパッタ装置を使用し、そのターゲットには酸化
インジウムにスズを１０ｗｔ％含有させた酸化物を用い
た。
ようにしてＩＴＯ膜を形成する。このＩＴＯ膜の形成に
は、ＲＦパッタ装置を使用し、そのターゲットには酸化
インジウムにスズを１０ｗｔ％含有させた酸化物を用い
た。
【００５６】つまり、ガラス基板を装着した基板ホルダ
を成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａに
なるまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡ
ｒと純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロ
ーラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を１Ｐａ
とする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々４９．６５
ｓｃｃｍと０．３５ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／
（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、ここ
では基板温度を２００℃に設定した。
を成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａに
なるまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡ
ｒと純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロ
ーラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を１Ｐａ
とする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々４９．６５
ｓｃｃｍと０．３５ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／
（Ａｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、ここ
では基板温度を２００℃に設定した。
【００５７】真空度、即ちスパッタ圧力が１Ｐａで安定
したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャッタ
ーを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするため
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２ｋ
Ｗに設定して、プレスパッタを３分間行う。このときの
スパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオー
トプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度調
整により行った。
したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャッタ
ーを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするため
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２ｋ
Ｗに設定して、プレスパッタを３分間行う。このときの
スパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオー
トプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度調
整により行った。
【００５８】プレスパッタ完了後はシャッターを開けて
成膜を開始する。ここではＩＴＯ膜の膜厚が５ｎｍとな
るように成膜時間を１５秒程度に設定する。
成膜を開始する。ここではＩＴＯ膜の膜厚が５ｎｍとな
るように成膜時間を１５秒程度に設定する。
【００５９】上記手順によって成膜されたＩＴＯ膜の膜
厚は５ｎｍでシート抵抗値は１３５０Ω／□であり、そ
の結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで評
価したところ１０ｎｍであった。
厚は５ｎｍでシート抵抗値は１３５０Ω／□であり、そ
の結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで評
価したところ１０ｎｍであった。
【００６０】また、ＩＴＯ膜を実施例１と同じ条件で放
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ０．２％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ０．２％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
【００６１】本例のようなガラスを基板材料とした場合
には、樹脂を基板材料とした実施例１〜３のものよりも
基板剛性（強度）を高めることができるので、ＩＴＯ膜
の膜厚をより薄くして透過率を高めるときに有利であ
る。
には、樹脂を基板材料とした実施例１〜３のものよりも
基板剛性（強度）を高めることができるので、ＩＴＯ膜
の膜厚をより薄くして透過率を高めるときに有利であ
る。
【００６２】［実施例５］まず、厚みが１ｍｍで大きさ
が１００ｍｍ□のＰＣ基板を用意し、実施例１と同様の
手順で洗浄，乾燥処理を施す。
が１００ｍｍ□のＰＣ基板を用意し、実施例１と同様の
手順で洗浄，乾燥処理を施す。
【００６３】次に、前処理を施したガラス基板に下記の
ようにして酸化亜鉛を含有した酸化インジウム膜（以下
ＩＺＯ膜と言う）を形成する。このＩＺＯ膜の形成に
は、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用し、そのター
ゲットには酸化インジウムに亜鉛を１０ｗｔ％含有させ
た酸化物を用いた。
ようにして酸化亜鉛を含有した酸化インジウム膜（以下
ＩＺＯ膜と言う）を形成する。このＩＺＯ膜の形成に
は、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用し、そのター
ゲットには酸化インジウムに亜鉛を１０ｗｔ％含有させ
た酸化物を用いた。
【００６４】つまり、ガラス基板を装着した基板ホルダ
を成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａに
なるまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡ
ｒと純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロ
ーラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を２Ｐａ
とする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々９９．３ｓ
ｃｃｍと０．７ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／（Ａ
ｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、ここでは
基板温度を４０℃に設定した。
を成膜室に入れ、該成膜室を真空度が２×１０-4Ｐａに
なるまで排気する。その後、純度９９．９９９９％のＡ
ｒと純度９９．９９９９％のＯ2 をマスフローコントロ
ーラを通して成膜室に導入し、成膜室の真空度を２Ｐａ
とする。このときのＡｒとＯ2 の流量は各々９９．３ｓ
ｃｃｍと０．７ｓｃｃｍであり、ガス組成はＯ2 ／（Ａ
ｒ＋Ｏ2 ）＝０．７ｖｏｌ％であった。また、ここでは
基板温度を４０℃に設定した。
【００６５】真空度、即ちスパッタ圧力が２Ｐａで安定
したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャッタ
ーを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするため
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２ｋ
Ｗに設定して、プレスパッタを３分間行う。このときの
スパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオー
トプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度調
整により行った。
したところで、ＰＣ基板とターゲットとの間にシャッタ
ーを挿入し、ターゲットの表面とクリーンにするため
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を入れ、出力を２ｋ
Ｗに設定して、プレスパッタを３分間行う。このときの
スパッタ圧力は、成膜室の排気孔に設けられているオー
トプレッシャーコントローラを用いて、排気孔の開度調
整により行った。
【００６６】プレスパッタ完了後はシャッターを開けて
成膜を開始する。ここではＩＺＯ膜の膜厚が５〜３０ｎ
ｍとなるように、好ましくは１５ｎｍとなるように成膜
時間を３０秒程度に設定する。
成膜を開始する。ここではＩＺＯ膜の膜厚が５〜３０ｎ
ｍとなるように、好ましくは１５ｎｍとなるように成膜
時間を３０秒程度に設定する。
【００６７】上記手順によって成膜されたＩＺＯ膜の膜
厚は１５ｎｍでシート抵抗値は１５００Ω／□であり、
その結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで
評価したところ２４ｎｍであった。
厚は１５ｎｍでシート抵抗値は１５００Ω／□であり、
その結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで
評価したところ２４ｎｍであった。
【００６８】また、ＩＴＯ膜を実施例１と同じ条件で放
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ３．５％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ３．５％となり、±１０％以内に十分に
収まることが確認できた。
【００６９】［比較例１］比較のために、スパッタ圧力
を５Ｐａとし、ＩＴＯ膜の膜厚が５〜３０ｎｍとなるよ
うに成膜時間を設定した以外は実施例１と同じ条件及び
手順でＰＣ基板上にＩＴＯ膜を成膜した。
を５Ｐａとし、ＩＴＯ膜の膜厚が５〜３０ｎｍとなるよ
うに成膜時間を設定した以外は実施例１と同じ条件及び
手順でＰＣ基板上にＩＴＯ膜を成膜した。
【００７０】上記手順によって成膜されたＩＴＯ膜の膜
厚２０ｎｍでシート抵抗値は１４００Ω／□であり、そ
の結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで評
価したところ４０ｎｍであった。
厚２０ｎｍでシート抵抗値は１４００Ω／□であり、そ
の結晶粒径をＡＦＭを用いて測定し、平均値＋３σで評
価したところ４０ｎｍであった。
【００７１】また、ＩＴＯ膜を実施例１と同じ条件で放
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ−７８％となり、±１０％以内から大き
く外れることが確認できた。
置してそのシート抵抗値の経時変化を実施例１と同様に
算出したところ−７８％となり、±１０％以内から大き
く外れることが確認できた。
【００７２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
透明抵抗膜におけるシート抵抗値の経時変化を抑制し
て、座標検出を正確に且つ安定して行うことを可能とし
た信頼性の高いタッチパネルを提供できる。
透明抵抗膜におけるシート抵抗値の経時変化を抑制し
て、座標検出を正確に且つ安定して行うことを可能とし
た信頼性の高いタッチパネルを提供できる。
【図１】従来のＩＴＯ膜におけるシート抵抗値経時変化
率を示す図
率を示す図
【図２】タッチパネルの構造例を示す図
【図３】ＩＴＯ膜の結晶粒径[平均値＋３σ]とシート抵
抗値経時変化率の絶対値との関係を示す図
抗値経時変化率の絶対値との関係を示す図
【図４】ＩＴＯ膜成膜時のスパッタ圧力とシート抵抗値
経時変化率との関係を示す図
経時変化率との関係を示す図
【図５】ＩＴＯ膜成膜時のスパッタ圧力を２ｐａとした
場合における結晶粒径区間と度数との関係を示す図
場合における結晶粒径区間と度数との関係を示す図
【図６】ＩＴＯ膜成膜時のスパッタ圧力を５ｐａとした
場合における結晶粒径区間と度数との関係を示す図
場合における結晶粒径区間と度数との関係を示す図
１，１１…透明フィルム、２，１２…フィルム側の透明
抵抗膜、３，１３…透明基板、４，１４…基板側の透明
抵抗膜、５，１５…ドットスペーサ、６，１６…スペー
サ。
抵抗膜、３，１３…透明基板、４，１４…基板側の透明
抵抗膜、５，１５…ドットスペーサ、６，１６…スペー
サ。
Claims (10)
- 【請求項１】 透明フィルムに付設された透明抵抗膜と
透明基板に付設された透明抵抗膜とを絶縁状態で対向配
置して成るタッチパネルにおいて、 透明抵抗膜の結晶粒径が平均値＋標準偏差の３倍で評価
して２８ｎｍ以下である、 ことを特徴とするタッチパネル。 - 【請求項２】 透明抵抗膜が酸化インジウムスズ膜また
は酸化亜鉛を含有した酸化インジウム膜から成る、 ことを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。 - 【請求項３】 透明抵抗膜がスパッタ法により１〜３．
８Ｐａの圧力下で成膜された被膜である、 ことを特徴とする請求項１または２記載のタッチパネ
ル。 - 【請求項４】 透明抵抗膜の膜厚が５〜３０ｎｍであ
る、 ことを特徴とする請求項１乃至３何れか１項記載のタッ
チパネル。 - 【請求項５】 透明基板として樹脂基板を用いた、 ことを特徴とする請求項１乃至４何れか１項記載のタッ
チパネル。 - 【請求項６】 樹脂基板がポリカーボネイト基板または
アクリル基板である、 ことを特徴とする請求項５記載のタッチパネル。 - 【請求項７】 樹脂基板に無反射コーティング処理が施
されている、 ことを特徴とする請求項６記載のタッチパネル。 - 【請求項８】 無反射コーティングが酸化ケイ素を主成
分とする、 ことを特徴とする請求項７記載のタッチパネル。 - 【請求項９】 透明基板としてガラス基板を用いた、 ことを特徴とする請求項１乃至４何れか１項記載のタッ
チパネル。 - 【請求項１０】 ガラス基板がソーダライムガラス基板
である、 ことを特徴とする請求項９記載のタッチパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11501696A JPH09305313A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | タッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11501696A JPH09305313A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | タッチパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09305313A true JPH09305313A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14652173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11501696A Pending JPH09305313A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | タッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09305313A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002119A1 (fr) * | 1998-07-06 | 2000-01-13 | Nissha Printing Co., Ltd. | Film conducteur transparent pour ecran tactile transparent, ecran tactile transparent utilisant un film conducteur transparent, et procede de fabrication d'un film conducteur transparent |
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
-
1996
- 1996-05-09 JP JP11501696A patent/JPH09305313A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002119A1 (fr) * | 1998-07-06 | 2000-01-13 | Nissha Printing Co., Ltd. | Film conducteur transparent pour ecran tactile transparent, ecran tactile transparent utilisant un film conducteur transparent, et procede de fabrication d'un film conducteur transparent |
| US7060320B1 (en) | 1998-07-06 | 2006-06-13 | Nissha Printing Co., Ltd. | Transparent conductive film for transparent touch panel, transparent touch panel using transparent conductive film, and method of manufacturing transparent conductive film |
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US10061174B2 (en) | 2005-02-23 | 2018-08-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US11567383B2 (en) | 2005-02-23 | 2023-01-31 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020723 |