JPS58211244A - 反射防止膜の形成方法 - Google Patents
反射防止膜の形成方法Info
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- JPS58211244A JPS58211244A JP57093472A JP9347282A JPS58211244A JP S58211244 A JPS58211244 A JP S58211244A JP 57093472 A JP57093472 A JP 57093472A JP 9347282 A JP9347282 A JP 9347282A JP S58211244 A JPS58211244 A JP S58211244A
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- film
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- reflection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は表面に反射防止用の粗面を有する反射防止膜の
形成方法に係シ、特にタッチ式座標検出パネル、つまシ
マトリックス状にＫｍを配設した電極座標点の特定座標
点を指示し、指示の有無によって電極における静電容量
の変化をもたらし、該容量変化を検出して指示点の位置
を検出するようにした座標検出装置に用いられるタッチ
式座標検出パネルの反射防止膜の形成に適用して有効な
反射防止膜の形成方法に関するものである。
形成方法に係シ、特にタッチ式座標検出パネル、つまシ
マトリックス状にＫｍを配設した電極座標点の特定座標
点を指示し、指示の有無によって電極における静電容量
の変化をもたらし、該容量変化を検出して指示点の位置
を検出するようにした座標検出装置に用いられるタッチ
式座標検出パネルの反射防止膜の形成に適用して有効な
反射防止膜の形成方法に関するものである。
（ｂ） 従来技術と間鵜点
静電容量の変化を利用して指示された位置を検出する装
置は、指やペン等が指示する接触部は電極だけ存在すれ
ばよく、従来周知のキースイッチのごとき機械的な接点
を必要としないので、座標検出パネルの透明化が容易で
ある。そのだめ表示装置等と組合わせて情報入力手段と
して近年注目を集めている。すなわち表示装置の表示面
前面に透明化されたタッチ式座標検出パネルを設置し、
情報の表示位置に対応する接触部を指示することにより
所望の情報を入力するものである。
置は、指やペン等が指示する接触部は電極だけ存在すれ
ばよく、従来周知のキースイッチのごとき機械的な接点
を必要としないので、座標検出パネルの透明化が容易で
ある。そのだめ表示装置等と組合わせて情報入力手段と
して近年注目を集めている。すなわち表示装置の表示面
前面に透明化されたタッチ式座標検出パネルを設置し、
情報の表示位置に対応する接触部を指示することにより
所望の情報を入力するものである。
このような座標検出装置に用いられるタッチ式座標検出
パネルは一般に次のような構造が採られている。すなわ
ち、ガラス基板上に透明な例えば線状のＸ側検出電極を
並設し、それら検出ｗＬ極を含むガラス基板表面に透明
な第１絶縁層を形成するとともに、その第１絶縁層上に
前記Ｘ側検出電極と直交する関係で線状のＹ側検出電極
が並設される。さらにそのＹ側検出電極表面を含む前記
第１絶縁層表面に透明な第２絶縁層を形成するとともに
、その第２絶縁層上を透明な合成樹脂膜で被覆保護しで
ある。そして前記合成樹脂膜上のＸ側およびＹ側検出？
［［の各交点部に対応する領域に接触部を構成し、その
接触部を操作者が例えば指で指示することにより、その
指示点に対応したＸ側およびＹ側検出ｖｔ極に人体容量
を付加して、その検出［極に静電容量の変化をもたらす
ようになっている。
パネルは一般に次のような構造が採られている。すなわ
ち、ガラス基板上に透明な例えば線状のＸ側検出電極を
並設し、それら検出ｗＬ極を含むガラス基板表面に透明
な第１絶縁層を形成するとともに、その第１絶縁層上に
前記Ｘ側検出電極と直交する関係で線状のＹ側検出電極
が並設される。さらにそのＹ側検出電極表面を含む前記
第１絶縁層表面に透明な第２絶縁層を形成するとともに
、その第２絶縁層上を透明な合成樹脂膜で被覆保護しで
ある。そして前記合成樹脂膜上のＸ側およびＹ側検出？
［［の各交点部に対応する領域に接触部を構成し、その
接触部を操作者が例えば指で指示することにより、その
指示点に対応したＸ側およびＹ側検出ｖｔ極に人体容量
を付加して、その検出［極に静電容量の変化をもたらす
ようになっている。
ところでこのような構造のタッチ式座標検出バネｐにお
いては、電灯等の周囲光が検出パネル面で反射され、操
作者に′まぶしさを与え、視覚に疲労感を与えることに
もなシ、操作性の低下にもつながるといった問題がある
。それ故に周囲光に対する反射防止対策が必要と々る。
いては、電灯等の周囲光が検出パネル面で反射され、操
作者に′まぶしさを与え、視覚に疲労感を与えることに
もなシ、操作性の低下にもつながるといった問題がある
。それ故に周囲光に対する反射防止対策が必要と々る。
その反射防止策として、検出パネル表面に透明被膜を幾
重にも積層して外光の入４ｉ位相をコントロールし反射
光を防止することも考えられるが被膜層を多層に重ねる
ため工数大でコスト高になる。またその他の方法として
検出パネル表面を粗面にすることが考えられる。この表
面に粗面を形成するには一般にサンドブラストによる方
法が安価な方法として知られている。
重にも積層して外光の入４ｉ位相をコントロールし反射
光を防止することも考えられるが被膜層を多層に重ねる
ため工数大でコスト高になる。またその他の方法として
検出パネル表面を粗面にすることが考えられる。この表
面に粗面を形成するには一般にサンドブラストによる方
法が安価な方法として知られている。
ところで前述のような構造のタッチ式座標検出パネルに
おける合成樹脂膜や第１および第２絶縁層の厚みは出来
るだけ薄いことが望ましい。何故なら合成樹脂膜上の接
触部を例えば触手によシ指示した際、人体容量は、指の
接触面と合成樹脂膜ならびに絶縁層を介して配設された
検出ＷＷとの間に構成される静電容量を通して検出’ｒ
［Ｗにイτ］加されるので、それら合成樹脂膜や絶縁層
の厚みが薄い程、検出電極における容量変化が大となり
、検出感度が向上するからである。
おける合成樹脂膜や第１および第２絶縁層の厚みは出来
るだけ薄いことが望ましい。何故なら合成樹脂膜上の接
触部を例えば触手によシ指示した際、人体容量は、指の
接触面と合成樹脂膜ならびに絶縁層を介して配設された
検出ＷＷとの間に構成される静電容量を通して検出’ｒ
［Ｗにイτ］加されるので、それら合成樹脂膜や絶縁層
の厚みが薄い程、検出電極における容量変化が大となり
、検出感度が向上するからである。
しかるに、膜厚の薄い合成樹脂膜表面にサンドブラスト
法で反射防止用の粗面を形成しようとすると、微細な凹
凸の粗面を合成樹脂膜表層部にのみ形成することは極め
て困難であり、場合によっては合成樹脂膜を突通して、
その下層の第２絶縁層にまで微細な凹凸が形成されるこ
ともあり、その結果、検出パネルの而を湿性の劣化を招
くよいう問題を生ずる。つ捷り膜厚の薄い合成樹脂膜表
面に反射防止用の粗面を形成するには従来のサンドブラ
スト法の適用は極めて困難であるのが実状である。
法で反射防止用の粗面を形成しようとすると、微細な凹
凸の粗面を合成樹脂膜表層部にのみ形成することは極め
て困難であり、場合によっては合成樹脂膜を突通して、
その下層の第２絶縁層にまで微細な凹凸が形成されるこ
ともあり、その結果、検出パネルの而を湿性の劣化を招
くよいう問題を生ずる。つ捷り膜厚の薄い合成樹脂膜表
面に反射防止用の粗面を形成するには従来のサンドブラ
スト法の適用は極めて困難であるのが実状である。
（Ｃ） 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、特に膜厚の薄
い合成樹脂膜表面に反射防止用の粗面を容易に形成する
ことができる反射防止膜の形成方法の提供を目的とする
ものである。
い合成樹脂膜表面に反射防止用の粗面を容易に形成する
ことができる反射防止膜の形成方法の提供を目的とする
ものである。
（ｄ） 発明の構成
本発明による反射防止膜の形成方法は、反射防止膜を形
成すべき基板表面に合成樹脂膜を塗布し、該合成樹脂膜
を硬化させるに先立ち、当該合成樹脂膜を有機溶剤に接
触させる処理を施して合成樹脂膜表面に反射防止用の粗
面を形成するようにしたことを特徴とするものである。
成すべき基板表面に合成樹脂膜を塗布し、該合成樹脂膜
を硬化させるに先立ち、当該合成樹脂膜を有機溶剤に接
触させる処理を施して合成樹脂膜表面に反射防止用の粗
面を形成するようにしたことを特徴とするものである。
（θ）発明の実施例
原子本発明の実施例をタッチ式座標検出パネルに適用し
た場合について図面を参照して説明する。
た場合について図面を参照して説明する。
第１図〜第８図は本発明による反射防止膜の形成方法を
説明するだめの要部断面図で順次に示した工程図である
。まず第１図に示すような反射防止膜を形成すべきガラ
ス基板１を用意する。そのガラス基板１上には例えば線
状のＸ側検出１［ｍ２が並設され、さらにそれらＸ側検
出！ｆＭ２表面を含むガラス基板１上面には第１絶縁層
８ａが形成しである。さらに第１絶縁層８ａ上には線状
のＹ側検出電極令が前記Ｘ側検出電極２と直交する関係
で配設されるとともに、それらＹ側検出電極４表面を含
む第１絶Ｒ層８ａ表面に第２絶縁層３ｂが形成しである
。前記Ｘ側およびＹ側検出電極２および４はインジウム
錫酸化物（ＩＴＯ）のような透明導電膜（例えば膜厚０
，２μｍ程度）を蒸着あるいはスパッタリングで成膜し
、その透明導電膜を写真蝕刻法でパターニングしたもの
である。また第１および第２絶縁層８ａおよび８ｂはＡ
＃２０３あるいは硼硅酸ガラス等を例えば層厚２〜８μ
〃ｚに蒸着して形成したものである。
説明するだめの要部断面図で順次に示した工程図である
。まず第１図に示すような反射防止膜を形成すべきガラ
ス基板１を用意する。そのガラス基板１上には例えば線
状のＸ側検出１［ｍ２が並設され、さらにそれらＸ側検
出！ｆＭ２表面を含むガラス基板１上面には第１絶縁層
８ａが形成しである。さらに第１絶縁層８ａ上には線状
のＹ側検出電極令が前記Ｘ側検出電極２と直交する関係
で配設されるとともに、それらＹ側検出電極４表面を含
む第１絶Ｒ層８ａ表面に第２絶縁層３ｂが形成しである
。前記Ｘ側およびＹ側検出電極２および４はインジウム
錫酸化物（ＩＴＯ）のような透明導電膜（例えば膜厚０
，２μｍ程度）を蒸着あるいはスパッタリングで成膜し
、その透明導電膜を写真蝕刻法でパターニングしたもの
である。また第１および第２絶縁層８ａおよび８ｂはＡ
＃２０３あるいは硼硅酸ガラス等を例えば層厚２〜８μ
〃ｚに蒸着して形成したものである。
次にこのようなガラス基板１上に第２図に示すように合
成樹脂膜５ａを形成する。この合成樹脂膜５ａは例えば
ポリウレタン系樹脂をヌピンナあるいはスフ゛レー法に
よって膜厚２〜２０ｔｔｍ程度で鉄イ＋ｊ Ｌ、それを
約５０Ｃ〜６１，１時間程度の乾燥処理を施して、樹脂
膜中の溶剤の大部分を揮化させて形成したものである。
成樹脂膜５ａを形成する。この合成樹脂膜５ａは例えば
ポリウレタン系樹脂をヌピンナあるいはスフ゛レー法に
よって膜厚２〜２０ｔｔｍ程度で鉄イ＋ｊ Ｌ、それを
約５０Ｃ〜６１，１時間程度の乾燥処理を施して、樹脂
膜中の溶剤の大部分を揮化させて形成したものである。
引続いて前記合成樹脂膜５ａを常温の例えばトリクレン
溶液等の有機溶剤中に約８〜５分間浸漬した後、約１２
０ ［ｉ５１゜形成され、反射防止用の粗面を有する反
射防止膜５が形成される。この反射防止膜５表面の微細
な凹凸５ｂは、硬化前（熱処理前）の合成樹脂膜５ａの
表層部の樹脂が有機溶剤中に部分的に溶出して形成され
たもので、微細な凹凸５＋）の大きさを観測した結果、
凹凸のピッ千Ｐは約４０μｍ以下で、その深さＤは約１
μｍ程度である。なお８ｆｌ厚のガラス基板１を用いて
前述の方法で製作したタッチ式座標検出パネルをＣＲＴ
の表示面前面に実装して観察した結果、周囲光に対する
反射防止効果は向上し、しかも（、ＲＴの表示面に表示
された文字も明瞭に判読できることが確認された。
溶液等の有機溶剤中に約８〜５分間浸漬した後、約１２
０ ［ｉ５１゜形成され、反射防止用の粗面を有する反
射防止膜５が形成される。この反射防止膜５表面の微細
な凹凸５ｂは、硬化前（熱処理前）の合成樹脂膜５ａの
表層部の樹脂が有機溶剤中に部分的に溶出して形成され
たもので、微細な凹凸５＋）の大きさを観測した結果、
凹凸のピッ千Ｐは約４０μｍ以下で、その深さＤは約１
μｍ程度である。なお８ｆｌ厚のガラス基板１を用いて
前述の方法で製作したタッチ式座標検出パネルをＣＲＴ
の表示面前面に実装して観察した結果、周囲光に対する
反射防止効果は向上し、しかも（、ＲＴの表示面に表示
された文字も明瞭に判読できることが確認された。
かくして、本発明によれば、膜厚の薄い合成樹脂膜表面
に反射防止用の粗面を極めて容易に形成でき、微細な凹
凸の深さも硬化前の合成樹脂膜の有機溶剤中への浸漬時
間で制御することができる。
に反射防止用の粗面を極めて容易に形成でき、微細な凹
凸の深さも硬化前の合成樹脂膜の有機溶剤中への浸漬時
間で制御することができる。
さらにＸ側およびＹ側検出電極２および４の端末部は外
部検出回路に接続するために図示を省略したがガラス基
板１の周縁部に露出して導出しであるが、本発明によれ
ば、それら検出電極端末部を何ら保護することなく反射
防止膜を形成できる利点もある。
部検出回路に接続するために図示を省略したがガラス基
板１の周縁部に露出して導出しであるが、本発明によれ
ば、それら検出電極端末部を何ら保護することなく反射
防止膜を形成できる利点もある。
また前述の実施例では硬化前の合成樹脂膜５ａ（第２図
参照）を有機溶剤に接触させる処理として、合成樹脂膜
５ａを有機溶剤に浸漬する方法について述べたが、それ
以外に合成樹脂膜５ａ表面に霧状の有機溶剤をスプレー
することにより、その表面に粗面を形成することもでき
る。
参照）を有機溶剤に接触させる処理として、合成樹脂膜
５ａを有機溶剤に浸漬する方法について述べたが、それ
以外に合成樹脂膜５ａ表面に霧状の有機溶剤をスプレー
することにより、その表面に粗面を形成することもでき
る。
なお、表面に微細な凹凸を有する板あるいはフィルム等
を硬化前の合成樹脂膜表面に押圧してその樹脂膜表面に
反射防止用の粗面を形成する方法も考えられるが、この
よりなブレス方法に比べて ぞれ示も本発明による方
法はより工程が簡略化できる。
を硬化前の合成樹脂膜表面に押圧してその樹脂膜表面に
反射防止用の粗面を形成する方法も考えられるが、この
よりなブレス方法に比べて ぞれ示も本発明による方
法はより工程が簡略化できる。
また前述の実施例ではタッチ弐Ｐｙ標検出パネルについ
て述べたが、それに限らず、液晶表示パネルやＥＬ表示
パネルのような平板形表示装置やＣＲＴ等の反射防止膜
の形成にも適用可能である。
て述べたが、それに限らず、液晶表示パネルやＥＬ表示
パネルのような平板形表示装置やＣＲＴ等の反射防止膜
の形成にも適用可能である。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように１本発明によれば膜厚の
薄い合成樹脂膜表面にも反射防止用の粗面を極めて簡単
な工程で容易に形成することかでき、適用し得る装置の
範囲が極めて広く、それら装置に適用して装置の低価格
化が可能となシ、その実用的効果は大である。
薄い合成樹脂膜表面にも反射防止用の粗面を極めて簡単
な工程で容易に形成することかでき、適用し得る装置の
範囲が極めて広く、それら装置に適用して装置の低価格
化が可能となシ、その実用的効果は大である。
第１図〜第８図は本発明をタッチ式座標検出バネ）ＶＫ
適用した実施例を説明するための要部断面図で順次に示
しだ工程図である。 図忙おいて、■はガラス基板、２および４は検出電極、
３ａおよび３ｂは絶縁層、５ａｉ′ｉ合成樹脂膜、６ｂ
は微細な凹凸、５は反射防止膜をそれす。
適用した実施例を説明するための要部断面図で順次に示
しだ工程図である。 図忙おいて、■はガラス基板、２および４は検出電極、
３ａおよび３ｂは絶縁層、５ａｉ′ｉ合成樹脂膜、６ｂ
は微細な凹凸、５は反射防止膜をそれす。
Claims (1)
- 反射防止膜を形成すべき基板表面に合成樹脂膜を塗布し
、該合成樹脂膜を硬化させるに先立ち、当該合成樹脂膜
を有機溶剤に接触させる処理を施して合成樹脂膜表面に
反射防止用の粗面を形成するようにしたことを特徴とす
る反射防止膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093472A JPS58211244A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 反射防止膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093472A JPS58211244A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 反射防止膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58211244A true JPS58211244A (ja) | 1983-12-08 |
Family
ID=14083278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093472A Pending JPS58211244A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 反射防止膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58211244A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258632A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タブレツト入力プレ−トの製造方法 |
| JPS61632U (ja) * | 1984-06-04 | 1986-01-06 | 松下電器産業株式会社 | 入力プレ−ト面保護シ−ト |
| JPS6133137U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-28 | 具昭 前田 | スクリ−ン・タツチ・パネル |
| JPS6189941U (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-11 | ||
| JP2010020749A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Samsung Mobile Display Co Ltd | タッチスクリーンパネル及びその製造方法 |
| JP2011076386A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hosiden Corp | 静電容量式タッチパネル及びその製造方法 |
| JP2013037671A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Fortrend Taiwan Scientific Corp | タッチパネル構造及びその製造方法 |
| JP2013508801A (ja) * | 2009-10-15 | 2013-03-07 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | タッチパネル及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57093472A patent/JPS58211244A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2010020749A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Samsung Mobile Display Co Ltd | タッチスクリーンパネル及びその製造方法 |
| US8279201B2 (en) | 2008-07-11 | 2012-10-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Touch screen panel and method of fabricating the same |
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| JP2013037671A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Fortrend Taiwan Scientific Corp | タッチパネル構造及びその製造方法 |
| US8710516B2 (en) | 2011-08-10 | 2014-04-29 | Fortrend Taiwan Scientific Corp. | Touch panel structure and manufacturing method thereof |
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