WO2000002119A1

WO2000002119A1 - Film conducteur transparent pour ecran tactile transparent, ecran tactile transparent utilisant un film conducteur transparent, et procede de fabrication d'un film conducteur transparent

Info

Publication number: WO2000002119A1
Application number: PCT/JP1999/003654
Authority: WO
Inventors: Ryoumei Omote; Yoshihide Inako; Yosuke Matsukawa; Masayasu Sakane; Kazuhiro Nishikawa
Original assignee: Nissha Printing Co., Ltd.
Priority date: 1998-07-06
Filing date: 1999-07-06
Publication date: 2000-01-13
Also published as: EP1011040A1; KR100376299B1; KR20010030578A; TW508524B; CN1273650A; CN1273650B; US7060320B1; EP1011040A4; DE69942501D1; EP1011040B1

Description

明細書透明タツチパネル用の透明導電膜及び該透明導電膜を使用する透明タツチパネル及び透明導電膜の製造方法技術分野

本発明は、安定した軽タツチ入力が可能な透明タツチパネル用の透明導電膜及ぴ該透明導電膜を使用する透明タツチパネル及び透明導電膜の製造方法に関する。本発明の透明タツチパネル用の透明導電膜及び該透明導電膜を使用する透明タツチパネル及び透明導電膜の製造方法は、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ素子、蛍光表示管、フィールドエミッシヨンディスプレイなどのフラットディスプレイの表示画面に積層して入力装置として使用される透明タツチパネル用の透明導電膜及ぴ該透明導電膜を使用する透明タツチパネル及び透明導電膜の製造方法として特に好適なものである。背景技術

透明タツチパネルにおいて電極として使用される透明導電膜は、一般に AT O (酸化アンチモン Z酸化スズ）、 F T O (酸化スズ /フッソドープ）、 I T O (酸化インジウム酸化スズ）、 F AT O (酸ィ匕アンチモンノ酸ィ匕スズ /フッソドープ）などの金属酸化物が用いられている。とりわけ、抵抗膜式アナ口グタイプの透明タツチパネルの場合には、表面抵抗値は 2 0 0〜2 0 0 0 ΩΖ s qで、かつ、透明性が高く、着色の少ない透明導電膜が求められている。抵抗膜式アナログタイプの透明タツチパネルは、表面に透明導電膜より構成される下部電極とドット状のスぺーサとを設けたガラス板やフィルムなどの絶縁基板より構成される下部電極基板と、表面に透明導電膜より構成される上部電極を設けたフィルムなどの絶縁基板より構成される上部電極基板とを積層した構造となっており、入力面側から透明タツチパネルの表面の一部を押圧することにより、両電極を接触させて電気的に導通させて入力できるものである。透明タツチパネルに形成された透明導電膜は、通常、蒸着法、スパッタリング法などの物理的成膜法、または CVD法などの化学的気相法により形成される。そして、これらの方法においては、透明導電膜の膜表面で観察される平面内の平均結晶粒径 (R) を制御することが可能である。たとえば、物理的成膜法の場合、一般的に I TOより構成される透明導電膜が主流であり、表面抵抗値としては、 200〜 2000 QZs qと液晶ディスプレイ用電極に比べてやや高めのものが求められる。しかし、 I T〇は比抵抗が小さいため、膜厚を 1 00~20 OA程度の極薄膜で成膜して表面抵抗値を高める必要がある。

このような事情から、透明導電膜はかなり薄膜の I TO膜となるため、平均結晶粒径 (R) は 10〜1 5 nmと細かく、原子間力顕微鏡で観察した場合の算術平均粗さ（Ra) は 0. 1〜0. 3 nm、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 25 nmと小さレ、。たとえば、透明導電膜の表面の断面は、図 5及び図 1 7から図 1 9に示すように粒子により大略三角形状となっている。

したがって、このような透明導電膜が用いられた透明タツチパネルにおいては、互いに接触する透明導電膜の断面が粒子により大略三角形状となっているため、わずかな荷重による入力に対して入力状態が維持できるいわゆる軽タツチ入力が不安定となる。さらに、ペンなどを用いた 1 0 g程度の荷重にて連続入力した場合、図 6の Aに示したように連続線の線飛びや誤入力部分が多発し、適正な入力が得られない。

そこで、このような現象を解消するため、スぺーサ間隔を広げたりあるいはスぺ—ザの高さを低くするなどの対策が考えられる。しかし、スベーサ間隔を広げると、掌が触れた場合などに誤入力が生じやすレ、。

また、スぺ一サの高さを低くすると、対向する電極基板間の距離が非常に短くなり、透明導電膜間で光の干渉を原因とするニュートンリングが生じて見ににくくなる。

また、诱明タツチパネルの入力の際に ON、 OF Fを決定する閾値電圧 E V s (図 7参照）を低く設定することにより、対向する電極間で発生する接触抵抗による電圧低下を補い、入力しやすくする対策も考えられる。しカゝし、かえつて不安定な入力も受け付けやすくなるため、座標飛びが生じやすくなるという問題がある。つまり、図 7に示したように、検出した電圧 Ev (図 4参照）が接触抵抗値 Ebのばらつきにより上下する対策として閾値電圧 Ev sを小さくとつた場合、例えば閾値電圧を 3. 6 Vにした場合、不適切なひずみによるフィルムの接触或いは、ペンと同時に近傍で指が触れた場合などにおいて同時に 2力所の 4. 0Vと 3. 5 Vの入力があったときには、誤った入力と判断されて、液晶表示画面などで表示されずに、当該部分での座標入力がないケースすなわち線飛びが生じる（図 6参照。）。

したがって、本発明は、上記のような問題点を解消し、安定した軽タツチ入力が可能な透明タツチパネル用の透明導電膜及び該透明導電膜を使用する透明タッチパネル及び透明導電膜の製造方法を提供することを目的とする。発明の開示

本発明は、上記目的を達成するため、以下のように構成している。

本発明の第 1態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、下部電極と上部電極とがスベ一サによって隔てられるように積層された透明タツチパネの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4nm≤Ra≤4.

Onmであり、自乗平均粗さ（Rms) カ、 0. 6 n m≤ Rm s≤ 3. On であるように構成している。

本発明の第 2態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タッチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、酸化インジウムー酸ィ匕スズ膜より構成され、力つ、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 ( ) が 40 nm≤R≤ 200 nmであるように構成している。本発明の第 3態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タッチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜より構成され、かつ、表面で観察される金属酸ィヒ物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 80 nm≤R≤40

0 nmであるように構成している。

本発明の第 4態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1又は 2態様ににおいて、酸ィヒインジウム一酸化スズ膜より構成され、かつ、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4nm≤Ra≤3. Onmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤2. 0 n mであるように構成している。

本発明の第 5態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1又は 3態様において、弗素或いはアンチモン添加の酸ィ匕スズ膜より構成され、かつ、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤4. Onmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤3. Onmであるように構成している。

本発明の第 6態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1〜5のいずれかの態様において、上記表面形状において、 Rpは中心線深さを表し、 R ma Xは最大粗さを表すとき、上記表面形状を表現するパラメーター（Rp/ Rma x) が 0. 55以下にすることによって上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状もしくは矩形形状を呈するように構成している。本発明の第 7態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1〜6のいずれかの態様において、ゾル-ゲル材料を用いた塗布法或いは印刷法で形成されるように構成している。

本発明の第 8態様にかかる透明タツチパネルは、第 1〜7のいずれかの態様に記載の透明導電膜が、上記下部電極と上記上部電極の少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成するようにしている。

本発明の第 9態様にかかる透明タツチパネルは、第 1〜 7のいずれかの態様に記載の透明導電膜が、上記下部電極と上記上部電極の両方の電極基板にそれぞれ設けられて当該電極をそれぞれ構成するようにしている。

本発明の第 1 0態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、

少なくともゾルーゲル材料を構成する有機金属化合物がィンジゥムとスズとから構成され、インジウムとスズの構成重量比が、 5重量 (S n/ (I n + S n) } X 1 00≤ 1 5重量％であるようなゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、表面形状における算術平均粗さ（Ra) が 0. 4nm

≤R a≤ 3. 0 nm、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤2. 0 nmとなるように、酸化インジウム一酸化スズ膜を形成するように構成している。

本発明の第 1 1態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、

少なくともゾルーゲル材料を構成する有機金属化合物がィンジゥムとスズとから構成され、インジウムとスズの構成重量比が、 5重量％≤ {S n/ (I n +Sn) } X 100≤ 1 5重量％であるようなゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40 nm≤R≤ 200 nmとなるように、酸化インジウム一酸化スズ膜を形成するように構成している。

本発明の第 i 2態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、

ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、ゾルーゲル材料を塗布または印刷後初期乾燥し、次いで 200°Cから 400°Cの温度域で毎分 4 0°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い、弓 1き続き還元焼成を行って、表面形状における算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤3. ◦ nm、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤2. O nmとなるように、酸化インジゥム一酸化スズ膜を形成するように構成している。

本発明の第 13態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによつて隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、

ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、ゾルーゲル材料を塗布又は印刷後初期乾燥し、次いで、 200°Cから 400°Cの温度域で毎分 4 0°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き還元焼成を行って、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40 nm≤R≤20 Onmとなるように、酸化ィンジゥム一酸化スズ膜を形成するように構成している。

本発明の第 14態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、第 1 0又は 1 1態様において、上記ゾル—ゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により上記透明導電膜を形成する場合において、

ゾルーゲル材料を塗布または印刷後初期乾燥し、次いで 200°Cから 40 0°Cの温度域で毎分 40°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い引き続き還元焼成を行って上記透明導電膜を形成するように構成している。

本発明の第 15態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 10〜1 4のいずれかの態様に記載の透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法により製造された透明タッチパネル用透明導電膜により構成している。図面の簡単な説明

本発明のこれらと他の目的と特徴は、添付された図面についての好ましい実施形態に関連した次の記述から明らかになる。この図面においては、図 1は、本発明の一実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の表面の断面形状を示す模式断面図であり、

図 2は、本発明の上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の金属酸ィヒ物の結晶粒径を示す原子力間顕微鏡写真であり、

図 3は、上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜間の接触抵抗による電圧降下を観測する方法を示す斜視図であり、

図 4は、上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜間の接触抵抗による電圧降下を観測する方法を示す回路図であり、

図 5は、従来の透明タツチパネルの透明導電膜の表面の断面形状を示す模式断面図であり、

図 6は、透明タツチパネルに軽荷重で連続入力した場合に発生する線飛びなどの不具合を表す線描画図であり、

図 7は、上記実施形態の透明タツチパネルに入力した際に検出した入力電圧 E Vと閾値 mffiE V sを記録した模式図であり、

図 8は、上記実施形態の透明タツチパネルに入力した際に検出した理想的な入力電圧 E Vを記録した模式図であり、

図 9は、上記実施形態の透明タツチパネルにおいて、表面粗さパラメータの算術平均粗さを説明するためのグラフであり、

図 1 0は、上記実施形態の透明タツチパネルにおいて、表面粗さパラメータの中心線（平均線）深さを説明するためのグラフであり、

図 1 1は、上記実施形態の透明タツチパネルの上部電極と下部電極とが対向した状態での透明導電膜の表面の断面形状を示す模式断面図であり、

図 1 2は、上記実施形態の透明タツチパネルの上部電極と下部電極とが対向した状態においてペンで入力が行われた状態を示す模式図であり、

図 1 3は、図 2の上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の金属酸ィ匕物の結晶粒径を示す原子力間顕微鏡写真であり、

図 1 4は、本発明の上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径を示す別の原子力間顕微鏡写真であり、図 1 5は、図 1 4の A— B線断面における上記透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径の高さ方向の変動を示すグラフであり、

図 1 6は、図 1 4の C一 D線断面における上記透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径の高さ方向の変動を示すグラフであり、

図 1 7は、 ¾来の透明タツチパネルの透明導電膜の金属酸ィヒ物の結晶粒径を示す原子力間穎微鏡写真であり、

図 1 8は、図 1 7の A—B線断面における上記透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径の高さ方向の変動を示すグラフであり、

図 1 9は、図 1 7の C一 D線断面における上記透明導電膜の金属酸ィヒ物の結晶粒径の高さ方向の変動を示すグラフであり、

図 2 0は、上記実施形態にかかる上記透明導電膜を印刷法にて形成する場合に一例として使用する薄膜形成装置の斜視図である。発明を実施するための最良の形態

本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。

図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳しく説明する。

図 1は、本発明の一実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の表面の断面形状を示す模式断面図である。図 2は、本発明の上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径を示す原子力間顕微鏡写真である。図 3は、上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜間の接触抵抗による電圧降下を観測する方法を示す斜視図である。図⁴は、上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜間の接触抵抗による電圧降下を観測する方法を示す回路図である。図 8は、上記実施形態の透明タツチパネルに入力した際に検出した理想的な入力電圧 E vを記録した模式図である。図 9は、上記実施形態の透明タッチパネルにおいて、表面粗さパラメータの算術平均粗さを説明するためのグラフである。図 1 0は、上記実施形態の透明タツチパネルにおいて、表面粗さパラメータの中心線（平均線）深さを説明するためのグラフである。図 1 1 は、上記実施形態の透明タツチパネルの上部電極と下部電極とが対向した状態での透明導電膜の表面の断面形状を示す模式断面図である。図 1 2は、上記実施形態の透明タッチパネルの上部電極と下部電極とが対向した状態にぉレ、てぺンで入力が行われた状態での透明導電膜の表面の断面形状を示す模式断面図である。図 13は、図 2の上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径を示す原子力間顕微鏡写真である。図 14は、本発明の上記実施形態の透明タツチパネルの透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径を示す別の原子力間顕微鏡写真である。図 1 5は、図 14の Α—Β線断面における上記透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径の高さ方向の変動を示すグラフである。図 1 5の Al, A 2, A3, A4， A5， A 6の位置は図 14の A 1， A 2, A3,

A4， A 5， A 6の位置に対応している。図 16は、図 14の C一 D線断面における上記透明導電膜の金属酸化物の結晶粒径の高さ方向の変動を示すグラフである。図 16の C l， C 2, C 3, C4, C5， C 6の位置は図 14の C 1， C 2, C 3, C4, C 5, C 6の位置に対応している。

図中、 1は透明導電膜、 2は入力用ペン、 3はバスバ一、 4は上部電極、 5 は下部電極である。よって、図 3及び図 12に示すように、入力面側例えば上部電極 4側から透明タツチパネルの表面の一部を入力用ペン²により押圧することにより、透明導電膜 1よりそれぞ^成される両電極 4, 5を接触させて電気的に導通させて入力作業を行い、バスバ一 3を介して入力情報を所定の装置に伝達するようにしたものである。

本発明の上記実施形態の透明タツチパネルは、図 1及ぴ図 1 1、図 1 2に示すように、下部電極基板 1 5の表面に設けられた透明導電膜 1より構成される下部電極 5と、上部電極基板 14の表面に設けられた透明導電膜 1より構成される上部電極 4とが多数のスぺ一サ 10によって隔てられるように積層されている。スぺーサ 10としては、例えば直径 20〜100 / m、高さ 4〜25 μ m、各スぺーサ 1 0の間隔が l〜5mmのものが用いられる。スぺーサは、通常、上部電極または下部電極の表面に形成される。

上記実施形態の下部電極基板及び上部電極基板の各基板としては、耐熱性を有し透明性に優れたプラスチック基板あるいはガラス基板が挙げられる。たとえば、プラスチック基板としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアクリレート樹脂、若しくは、トリアセテート樹月旨などが用いられる。ガラス基板としては、色相の少ないものであれば特に限定されない。

上記実施形態の透明導電膜 1としては、 ATO (酸化アンチモン酸化スズ）、 FTO (酸化スズ /フッソド一プ）、 I TO (酸ィ匕インジウム/酸ィ匕スズ）、 FATO (酸化アンチモン/酸化スズ /フッソドープ）に代表される N 型半導体である金属酸化物が挙げられる。特に、 I TOは、透明導電膜自身の着色もなく透過性に優れているため好適である。

上記透明導電膜 1は、その表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤R a≤4. O nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤R ms≤3. 0 nmであるように構成する。その理由は、透明導電膜 1をこのように構成することにより、図 1に示すように、結晶粒の集合体が緻密に配列され、しかも平滑性のよい膜となり、図 1 1及び図 1 2に示すように、入力時の接触面積を速やかに確保することが可能となるためである。詳しくは、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm未満又は自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm未満の場合、著しく点状の接触となり、接触面積が少なく入力に不向きとなる (図 5及び図 1 7から図 19参照。）。算術平均粗さ（Ra) 、自乗平均粗さ (Rms) のどちらか一方が上記範囲にあっても適正な入力は期待できない。また、算術平均粗さ（Ra) が 4. Onm又は自乗平均粗さ（Rms) が 3. 0 n mを超える場合は、透明導電膜 1の摺動特性に悪影響を及ぼすので好ましくない。

さらに、好ましくは、透明導電膜 1の表面形状を表現する下記のパラメータ一 (Rp/Rma x) 力 0. 55以下として上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が、図 1に示すような台形形状又は矩形形状を呈しているように構成する（図 1 5, 図 16参照。）。その理由は、このような形状が得られると、非常に安定した入力が確保できるとともに、スィッチとして必要不可欠な摺動特性に於ても寿命が長く良好な結果が得られるためである。

より具体的には、上記実施形態の透明タツチパネルにおいて、一例として、少なくとも一方の電極を構成する透明導電膜 1力 ^s、酸化インジウム一酸化スズ膜の場合、その表面で観察される金属酸ィ匕物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40 nm≤R≤200 nmであり、透明導電膜 1の表面の算術平均粗さ（R a) が 0. 4 nm≤Ra≤ 3. O nmであり、自乗平均粗さ（Rm s) が 0. 6 nm≤Rms≤ 2. O nmであり、表面形状を表現する下記のパラメーター (RpXRma x) 力 0. 55以下として上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が、図 1に示すような台形形状又は矩形形状を呈しているように構成されたものである。すなわち、 RpZRma x≤0. 5 5となるようにする。ここで、 Rpは中心線深さを表し、 Rm a Xは上記表面の最大粗さを表す。単位はいずれも nmである。なお、中心線深さ R p及ぴ最大粗さ Rm a Xについては後述する。

上記したように、透明導電膜 1が酸化インジウム一酸化スズ膜より構成される場合、その表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) は、 40 nm≤R≤200 n mの範囲に分布するようにする理由は以下のとおりである。すなわち、平均結晶粒径 (R) が 40 nm未満の範囲に分布する場合、軽タツチ入力を行うと入力が不安定となる一方、平均結晶粒径 (R) が 200 nmを越える範囲に分布する場合、そのような平均結晶粒径 (R) を有する透明導電膜 1を製造する極めて困難である。したがって、平均結晶粒径 (R) を 40 nm≤R≤ 200 nmの範囲に収め、粒界（grain boundary) などに代表される障壁の少ない安定な酸化皮膜とすることで、対向する基板上の透明導電膜が接触する際の接触抵抗を低減でき、安定な入力が達成できる。

通常、酸ィヒインジウム一酸化スズ膜は、スパッタリング法によって形成するのが主流であり、結晶性の良好な膜を得ることが可能で有るが、粒成長を行うには、成膜時の基板温度を高温に保持したり、成膜後所定の温度でァニーリングするなどの処方がとられる。上記スパッタリング法による成膜の場合に；上記したように平均結晶粒径 (R) を 40 nm≤R≤ 200 nmの範囲にするには、例えば、成膜する際の基板温度を 350°Cに設定したり、成膜後に 1 50 〜 200 °Cで数時間以上のエージングを行うなどの方法により、結晶粒の成長を促すようにするとよい。

特に、酸化インジウム一酸化スズの場合であって、前述のようにスパッタリング法による I TO膜の場合は、比抵抗が小さい為、タツチパネル用途ではかなり薄膜にする必要が有る。そのため、平均結晶粒の大きさも自ずと小さくなりやすい。このため、塗布法や印刷法は、スパッタリング法と比較して工法が簡単であるばかりでなく、粒制御を容易に行え、また比抵抗の調整も容易である。さらに、表面形状を制御するのにも適している。

例えば、図 2及び図 1 3及ぴ図 14に示すような約 50 n m前後の平均結晶粒径（R) を有する透明導電膜 1の場合、軽タツチ入力を行っても適正な入力を得ることができた。さらに、 60°C、相対湿度 95% (RH) 、 500時間の耐湿熱テスト後の軽タツチ入力においても良好な結果が得られた。なお、図 14では、算術平均粗さ（Ra) は 0. 80 nm、自乗平均粗さ（Rms) は 1. 06 nmであった。これに対して、従来の例にかかる図 1 7では、算術平均粗さ（Ra) は 0. 21 nm、自乗平均粗さ（Rms) は A— B線部分では 0. 26 nmであり C— D線部分では 0. 28 n mであった。図 1 5、図 1 6、図 1 8、図 1 9において、それぞれ、縦軸は高さ、横軸は距離を示す。

また、一般に、透明導電膜表面で観察される平面内の平均結晶粒径（R) が 10〜1 5 nmと細かい場合、前述の耐湿熱テストを行うと表面抵抗値の上昇が発生し、軽タツチ入力を行った場合、誤入力の発生が著しく増加する。この原因としては、平均結晶粒径 (R) が小さい場合、透明導電膜の表面積が大きくなり水分吸着量が多く、透明導電膜中のキャリアが奪われ、表面抵抗値が上昇すると考えられる。また、大きな平均結晶粒径（R) を有した透明導電膜と比較して、平均結晶粒径 (R) の小さな透明導電膜中には粒界が多く存在し、たとえば酸化インジウム一酸化スズの場合、キャリアの平均自由行程は約 10

0 A程度と考えられるので、通常ならば無視できる粒界散乱によりキャリアの移動度が低下し、軽タツチ入力時の不具合を発生しゃすレ、と考えられる。また、上記実施形態の透明タツチパネルにおいて、他の例として、少なくとも一方の電極を構成する透明導電膜 1が、酸化インジウムー酸ィ匕スズ膜に代えて、弗素或いはアンチモン添カ卩の酸ィヒスズ膜の場合、その表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径（R) が 80 nm≤R≤400 nmであり、透明導電膜 1の表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤4. 0 nm であり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤3. O nmであり、表面形状を表現する下記のパラメーター（RpZRma x) 、 0. 55以下として上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が、図 1に示すような台形形状又は矩形形状を呈しているように構成されたものである。すなわち、 Rp /Rma x≤0. 55となるようにする。ここで、 Rpは中心線深さを表し、

Rma Xは最大粗さを表す。単位はいずれも nmである。なお、中心線深さ R p及び最大粗さ Rma Xについては後述する。

このように透明導電膜 1が弗素或いはアンチモン添加の酸ィ匕スズ膜より構成される場合、その表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) は、 80 nm≤R≤400 nmの範囲に分布するようにする理由は以下のとおりである。すなわち、平均結晶粒径 (R) が 80 nm未満の範囲に分布する場合、軽タツチ入力を行うと入力が不安定となる一方、平均結晶粒径（R) が 4 00 nmを越える範囲に分布する場合、対向する電極となる透明導電膜を表面の 03凸により損傷を与えることになり、摺動耐久性に劣る。したがって、平均結晶粒径 (R) を 80 nm≤R≤40 Onmの範囲に収め、結晶成長させた安定な酸化皮膜とすることで、対向する基板上の透明導電膜が接触する際の接触抵抗を低減でき、安定な入力が達成できる。

通常、弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜は、 CVD法で代表される気相法によって形成するのが主流である。 CVD法では、成膜温度が 450°C〜 550°Cと高く、平均結晶粒径 (R) を、 80 nm≤R≤400 nmの範囲に収めるように、結晶粒の成長を調整することが可能である。

また、上記 2つの例の場合において、ゾルーゲル材料を用いて塗布法或いは印刷法にて成膜して透明導電膜を形成する場合には、溶液状態での各種元素の添加量や分散性、さらに、インキの自由エネルギーを調整したり、さらに乾燥工程、焼成条件を考慮することで結晶粒の大きさを上記範囲内に収めるように制御することができる。

例えば、透明導電膜を印刷法にて形成する場合、特公平 3— 1 1630号に示されるような薄膜形成装置を用いて印刷する方法が有る（図 20参照）。この薄膜形成装置は、基台の支持枠に回転自在に支持されかつ深さ 1. 0〜数 1 0 / mの多数のインキセルを表面に有する凹版ロール 1 03と、凹版ロール 1 03の表面に1. 0〜30， 00 OmP a sのインキを供給するインキ供給装置 105と、支持枠 102に支持された凹版ロール 103の周囲所定箇所に備えつけられ、凹版ロール 103に供給されたインキを凹版ロール表面に広げてインキセル内に一定量のインキを保持させるドクター 106と、支持枠 102 の凹版ロール 103の下方に回転自在に支持されかつ凹版ロール 103に接触する凸部 107を有して凹版ロール 103の表面にインキセル内のインキを凸部 1 07に転移させる印刷ロール 104と、支持枠 102に支持された印 JSIJ口ール 104と凹版ロール 1 03とを同期回転駆動する駆動装置 108と、被印刷体 1 1 1を載置しかつ基台 101上に印刷ロール 104に接触する印刷位置 Iと印刷ローノレ 104から離れた退避位置 I I、 I I Iとの間で移動可能に備えた定盤 1 09と定盤 109を上記両位置間で移動させる被印刷体駆動装置 1 10と、印刷ロール 1 04の回転と定盤 109の退避位置 I I、 I I Iから印刷位置 Iへの移動とを制御して印刷ロール 104の凸部 107に転移させたィンキを被印刷体に印刷させる制御装置（図示せず）とより構成されるように構成されている。

インキとしては、例えば、有機金属化合物が下記一般式 M (OH) _x (R— CO— CH₂— CO— R ' ) _γであり、 m=X + Y (ただし、 Mは I n， S n， S b， B, P， A 1 , B i， S i , T i , S e , T e , H f , Znの内の 1種である元素、 R， R 'は置換ァリル基または置換アルキル基、 mは Mの価数、 X、 Yは自然数を示す。）で、示されるような化合物の少なくとも 1種と；溶剤と、安定化剤とより構成される。特に、上記一般式の Mがインジウム（I n) 、スズ（S n) であり、さらにそのインジウム、スズの構成重量比が、 5重量％≤ { S n/ ( I n +S n) } X 1 00≤ 1 5重量％の範囲からなるインキを用いると、上記範囲内の平均結晶粒径（R) を容易に得ることができる。また、算術平均粗さ（Ra) 、自乗平均粗さ（Rms) も上記範囲内に収めるように制御するのが容易である。ここで、インジウム、スズの構成重量比が 5重量％に満たない場合、ドーパントとして添加されたスズの量が少なく、電導の担い手であるキャリアの発生が期待できない：つまり、膜の比抵抗が、 1. 0 X 1 0- ³Ω · cm以上となり、タツチパネル用として使用するのに不適当なものとなる。一方、インジウム、スズの構成重量比が 1 5重量。 /。を越えると、平均結晶粒径が 1 0 ~ 30 n mとなり、上記範囲內に算術平均粗さ（Ra) 、自乗平均粗さ（Rms) を収めるのが困難となり、透明導電膜の表面形状を構成する粒子の集合体の断面を台形形状や矩形形状とするのが困難となる。

また、ゾルーゲル材料を塗布又は印刷後初期乾燥し、次いで、 200°Cから 400°Cの温度域で、毎分 40°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き、還元焼成を行うことにより、上記範囲内の平均結晶粒径 (R) を容易に得ることができる。また、算術平均粗さ（R a ) 、自乗平均粗さ（Rms) も上記範囲内に収めるように制御するのが容易である。ここで、昇温速度が毎分 40°Cに満たない場合、膜中の分解速度が遅く、残留した有機溶媒を多く抱え込んだまま焼成するため、透明導電膜が黒ずんだり、透明導電膜の比抵抗が 1.

0 X 1 0— ³Ω · cm以上となり、タツチパネル用として使用するのに不適当なものとなる。一方、昇温速度が毎分 60°Cを越える場合、膜中の分解速度が著しく早まって多孔質な膜となり、膜硬度が不足し、耐湿度試験などに代表される膜物性も劣るので、タツチパネル用としては不適当なものとなる。

上記装置を用いて薄膜に成膜した後、適宜、 40°C〜 1 00°Cにて乾燥の後、約 540°Cにて酸化焼成後、さらに、還元焼成することにより透明な導電膜を形成した。このような手法を用いて、透明導電膜を形成する際、所定の条件下で平均結晶粒径が 40 nm以上の膜を形成することができた。その時の膜表面の Raは、 0. 67 nmであり、 Rmsは、 0. 87 nmであり、 RpZRm a xは、 0. 51で原子間力顕微鏡観察すると、成長した結晶粒の集合体が凝集し、膜断面の形状、すなわち上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状を呈しており軽入力特性も良好でかつ摺動耐久性にも優れていた。 6 0°じで相対湿度95% (RH) で 500時間後の耐湿試験後も安定した入力が得られた。

また、対向する透明導電膜 1間の接触抵抗による電圧降下を観測することにより、軽タツチ入力時の安定度を評価することができる。図 3及ぴ図 4に示すように、 .5 Vの電圧を透明タツチパネルの上部電極 4に接続し、下部電極 5に 10 ΙίΩの負荷を与えるような回路を用い、軽タツチ入力時の入力不具合を、対向する透明導電膜 1間の接触抵抗による電圧降下として測定して数値ィヒできる。なお、 Ε V = 5— (E a +Eb+E c) 、 E a +E c^c o n s t. 、 E b=接触抵抗によるドロップ電圧、 Ev=検出電圧である。 £ &及び£。はそれぞれ上部電極 4及ぴ下部電極 5の電圧降下である。

すなわち、上部電極 4に印加した電圧 5 Vに対して、回路の抵抗などによる電圧降下（Ea、 E c) と接触抵抗による電圧降下（Eb) の和が大きければ大きいほど検出電圧 (E v) は小さくなる。したがって、検出電圧（Ev) が小さいほど、入力に不具合を発生していることになる。

透明導電膜 1として I TOを用い、平均結晶粒径 (R) が 40〜： L O O nm の範囲にある場合は、検出電圧（Ev) が約 4. 6 Vで安定するのに対して、平均結晶粒径 (R) が 10〜15 nmの範囲にある場合は、検出電圧（Ev) が 4. 0〜4. 2 Vと不安定な変動が観察された。詳細な実験の結果、 5V印加時における検出電圧（Ev) が約 4. 5 V以上の時、軽タツチ入力を行っても良好な入力が実現されることがわかった。

また、透明導電膜 1の一例として CVD法による酸化スズ膜を用いた場合、平均結晶粒径 (R) が 100〜 200 n mの範囲に分布するものとなり、検出電圧（Ev) が約 4. 5 Vで安定する。

また、少なくとも一方の電極を構成する透明導電膜 1が酸化インジウム一酸化スズの場合、その表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4nm≤Ra≤ 3. 0 nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms 2. 0 n mであるようにする理由は以下のとおりである。すなわち、透明導電膜 1をこのように構成することにより、図 1に示すように、結晶粒の集合体が緻密に配列され、しかも平滑性のよい膜となり、図 1 1及び図 1 2に示すように、入力時の接触面積を速やかに確保することが可能となる。算術平均粗さ（Ra) が◦. 4n m未満又は自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm未満の場合、著しく点状の接触となり、接触面積が少なく入力に不向きとなる（図 5及び図 1 7から図 19 参照。）。算術平均粗さ（Ra) 、自乗平均粗さ（R_{m s}) のどちらか一方が上記範囲にあっても適正な入力は期待できない。また、算術平均粗さ（Ra) が 3. O nm又は自乗平均粗さ（Rms) が 2. 0 n mを超えるような透明導電膜 1を製造するのは極めて困難である。

さらに、中心線深さ Rpと最大粗さ Rma Xとの比、 RpZRma x力 0. 55以下になるようにすることで、上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状又は矩形形状となる（図 15，図 16参照。）。このような形状が得られると、図 1 1及び図 12に示すように、入力時の接触面積を速やかに確保することができ、また軽タツチ入力時に発生する摺動特性にも優れている。よって、非常に安定した入力が確保できる。また、スィッチとして必要不可欠な摺動特性に於ても寿命が長く良好な結果が得られている。

また、少なくとも一方の電極を構成する透明導電膜 1が弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜の場合、その表面の算術平均粗さ（Ra) 力 0. 4 nm≤ R a≤4. Onmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤3. Onmであるようにする理由は以下のとおりである。すなわち、透明導電膜 1 をこのように構成することにより、酸化インジウム一酸化スズと同様に、図 1 1及び図 12に示すように、入力時の接触面積を速やかに確保することが可能となる。算術平均粗さ（R_a) が 0. 4 nm未満又は自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm未満の場合、著しく点状の接触となり、接触面積が少なく入力に不向きとなる（図 5参照）。算術平均粗さ（Ra) 、自乗平均粗さ（Rms) のどちらか一方が上記範囲にあっても適正な入力は期待できない。また、算術平均粗さ（Ra) が 4. O nm又は自乗平均粗さ（Rms) が 3. Onmを超える場合は、透明導電膜 1の摺動特性に悪影響を及ぼすので好ましくない。さらに、中心線深さ Rpと最大粗さ Rma Xとの比、 1^ ノ1^111 & が、 0. 55以下になるようにすることで、上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状又は矩形形状となる（図 15，図 16参照。）。このような形状が得られると、図 1 1及び図 12に示すように、入力時の接触面積を速やかに確保することができ、また軽タツチ入力時に発生する摺動特性にも優れている。よって、非常に安定した入力が確保できる。

また、このような形状を得るために、上記した方法以外に、透明導電膜 1を形成する前に基板上に所望の形状を有する下地膜を形成しておいてもよい。各種表面粗さパラメータに関して説明を行うと、初めに、平均線とは、測定曲線の抜き取り部分において測定面の幾何学的形状を持つ直線または曲線で、かつ、その線から測定曲線までの偏差の自乗和が最小になるように設定した線を指す。また、中心線とは、粗さ曲線の平均線に⁵ mなを引いたとき、この直線と粗さ曲線で囲まれる面積が、この直線の両側で等しくなる直線のことを意味する。

ここで、算術平均粗さ（Ra) は、粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さ（基準長さ） /の部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線を X軸、膽率の方向を Y軸とし、粗さ曲線を y= i (x) で図 9のように表したとき、次の式によって算出する。

また、もう一つの粗さパラメータ自乗平均粗さ（Rms) は、粗さ平均からその平均値の方向に基準長さ /だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向に X軸を、 »率の方向に Y軸を取ったときに求められる標準偏差のことを指す。これら算術平均粗さ（Ra) 、自乗平均粗さ（Rms) は共に数値に比例して表面が粗くなる傾向を示すが、両者の間には一般的に成立する数学的な関係は存在しない。

ここで、 Y iは抜き取り部分における局部山頂の谷底線に対する高さ、は抜き取り部分における局部山頂の谷底線に対する高さの平均、 Nは基準長さ/内での局部山頂の間隔の個数を意味する。

以下に、上記実施形態のより具体的な実施例と、当該実施例と比較するための比較例とを示す。

また、中心線深さ（Rp) とは、図 10に示すように、基準長さ/内の最高点から平均線または中心線までの深さで表す。なお、本実施形態では、膜の深さの影響を補正するために、パラメータとして（Rp/Rma x) を使用している。 Rma Xは断面曲線からその平均線の方向に基準長さ/だけ抜き取り、平均線に平行な 2直線でその断面曲線を挟んだとき、この 2直線の間隔を樹咅率の方向に測定した値を指す。さらに、中心線深さ（Rp) は、 Rma Xの値が同じであっても Rpが異なる面に対し、接触部分の面積に関係する耐摩耗性を考える上で有用な意味も持つ。即ち、 Rpの値が大きければ、最高点から平均線または中心線までの深さが大きくなるので、尖った形状を表すことになり、逆に R pの値が小さいと、上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形もしくは矩形形状に近い形状を示す。

(実施例 1 )

約 5 μ mのァクリル系ハードコートを有した厚さ 20 μπιのポリエチレンテレフタレ一トフイルム上に、透明導電膜として I TO膜を成膜温度 1 30°Cにてスパッタリング法により形成し、さらに、 1 50°C前後の温度でエージングを行って、平均結晶粒径 (R) が 40〜60 nmの範囲に分布した透明導電フイルムを作製した。このフィルムのハードコート面に粘着層を介してあらかじめ背面に、約 5 μπιアクリル系ハードコートを有した厚さ 1 25 /zmのポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り合わせた。

また、両面に S i 0₂がディップコートされた厚さ 1. 1mmのガラスを下部電極基板とし、基板温度 250°Cに設定し、透明導電膜として厚さ 1 5 nm の I TO膜をスパッタリング法により形成した。原子間力顕微鏡（株式会社島津製作所製 S PM— 9500) により観察したところ、平均結晶粒径 (R) は 40〜60 nmの範囲に分布していた。

上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タツチパネルを作製し、ポリァセタール製のペンに総重量 20 gとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線の歪や飛びもなく、安定した入力ができた。

また、この透明タツチパネルに 5 V印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、 4. 6 Vで安定した値を示した。

さらに、この透明タツチパネルを 60°C、相対湿度 95% (RH) の耐湿熱試験に 500時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態と変わりがなかった。また、入力電圧測定を行ったところ、 4. 6Vで安定した値を示し初期値とまったく変化なく、軽タツチ入力において問題なく使用できるものであった。

(実施例 2)

成膜温度を 100°Cとした他は実施例 1と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフイルム上に透明導電膜を形成した。透明導電膜表面の算術平均粗さ (Ra) を測定したところ、 0. 4nm≤Ra≤ l. 2nmであり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 8 nmであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 700 nmで得られた値である。

また、インジウムとスズとの比が {SnZ (Sn+ I n) } X 100 = 20 重量％になるように調整された透明導電ィンキ組成物を前述の薄膜形成装置

(日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、 S i 0₂コートした 30 OmmX 30 OmmX 1. 1mmのソーダガラス基板上に印刷した。

ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、コンベア式雰囲気分離炉を用いて 540°Cで焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で 540°Cから室温に冷却することにより、厚さ 10 nmの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（株式会社島津製作所製 S PM— 9 500) により観察したところ、平均結晶粒径 (R) は 10〜30 nmの範囲に分布していた。

さらに、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ra) を測定したところ、 0. 1 5 nm≤R a≤ 0. 29 nmであり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 39 nm であった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 700 nmで得られた値である。

上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タツチパネルを作製し、ポリァセタール製のペンに総重量 ₂0 gとなるように荷重を負荷し格子状に入力したところ、線飛びもなく、線の歪も発生せず安定な入力ができた。

また、この透明タツチパネルに 5 V印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、 4. 5 Vと安定な値を示した。

さらに、この透明タツチパネルを 60°C、相対湿度 95% (RH) の耐湿熱試験に 500時間かけた後、同様の格子入力の試験を行い、その後、入力電圧測定を行ったところ、 4. 5 Vと初期値と同様の値を示し、軽タツチ入力においても問題ないものであった。また、 15万字の連続入力試験後の入力状態を格子入力により評価したところ、線飛びも生じなく、安定した格子を描画できた。

(実施例 3)

成膜温度を 150°C、エージングを 150°Cで数時間行った他は実施例 1と同様にして、ポリエチレンテレフタレ一トフィルム上に透明導電膜を形成した。平均結晶粒径 (R) は 40〜100 nmの範囲に分布していた。透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ra) は 1. l nm≤Ra≤2. 3 nmであり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 9 nmであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 700 nmで得られた値である。

また、インジウムとスズとの比が {S n/ (S n+ I n) } X 100 = 1 2 重量％になるように調整された透明導電ィンキ組成物を、前述の薄膜形成装置 (日本写真印刷株式会社製オングストローマー（登録商標）インライン型）を用い、 S i 0₂コートした 300 mmX 300 mmX 1. 1mmのソーダガラス基板上に印刷した。

ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、ニンベア式雰囲気分離炉を用いて 540°Cで焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で 540°Cから室温に冷却することにより、厚さ 20 nmの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（セイコー電子工業株式会社製 S P 1 3600) により観察したところ、平均結晶粒径（R) は 40〜60 nmの範囲に分布していた。

さらに、膜表面の算術平均粗さ（Ra) を測定したところ、 0. 4 nm≤R a≤ 0. 8 nmであり、かつ自乗平均粗さ（Rms) が 0. 70 nmであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 70 O n mで得られた値である。

上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タツチパネルを作製し、ポリァセタール製のペンに総重量 20 gとなるように荷重を負荷し格子状に入力したところ、線飛びもなく、線の歪も発生せず安定な入力ができた。

また、このタツチパネルに 5 V印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、 4. 65 Vと安定な値を示していた。

さらに、この透明タツチパネルを 60°C、相対湿度 95% (RH) の耐湿熱試験に 500時間かけた後、同様の格子入力の試験を行い、その後、入力電圧測定を行ったところ、 4. 65 Vと初期値と同様の値を示し、軽タツチ入力においても問題ないものであった。

(実施例 4)

成膜温度を 100°Cとした他は実施例 1と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成した。透明導電膜表面の算術平均粗さ (Ra) を測定したところ、 0. 4 nm≤Ra≤ l. 2 nmであり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 8 nmであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 700 nmで得られた値である。

また、インジウムとスズの比が {S n/ (S n+ I n) } X 1 00 =10重量％になるように調整した透明導電インキ組成物を、前述の薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オングストローマ一（登録商標）インライン型）を用い、 S i 0₂コートした 30 OmmX 30 OmmX 1. 1 mmのソーダガラス基板上に印刷した。

ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、ニンベア式雰囲気分離炉を用いて昇温カーブを 55°C/分にて 540°Cで焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で 540°Cから室温に冷却することにより厚さ 10 nmの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（株式会社島津製作所製 S PM— 9500) により観察したところ、平均結晶粒径

(R) は 40〜50 nmの範囲に分布していた。

さらに、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ra) を測定したところ、 0. 4 nm≤R a≤ 0. 9 nmであり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 67 nmであつた。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 7 00 nmで得られた値である。また Rp/Rma xが、 0. 50であり、上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状を呈していた。

上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タツチパネルを作製し、ポリァセタール製のペンに総重量 20 gとなるように荷重を負荷し、格子状に入力したところ、線飛びもなく、線の歪も発生せず安定な入力ができた。

また、この透明タツチパネルに 5 V印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、 4. 55 Vと安定な値を示した。

さらに、この透明タツチパネルを 60°C、相対湿度 95% (RH) の耐湿熱試験に 500時間かけた後、同様の格子入力の試験を行い、その後、入力電圧測定を行ったところ、 4. 5 Vと初期値と同様の値を示し、軽タツチ入力においても問題ないものであった。また、 1 5万字の連続入力試験後の入力状態を格子入力により評価したところ、線飛びも生じなく、安定した格子を描画できた。

(比較例 1 )

エージング工程を省略したことを除いて、実施例 1と同様にポリエチレンテレフタレ一トフイルム上に透明導電膜を形成したところ、平均結晶粒径 (R) は 10〜20 nmの範囲に分布した。また、両面に S i 0₂がディップコートされた厚さ 1. 1mmのガラスを下部電極基板として、基板温度 1 50°Cに設定し、透明導電膜として厚さ 10 nmの I TO膜をスパッタリング法により形成した。原子間力顕微鏡（セィコ一電子工業株式会社製 S P I 3600) により観察したところ、平均結晶粒径（R) は 20〜30 nmの範囲に分布していた。

上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タツチパネルを作製し、ポリァセタール製のペンに総重量 20 gとなるように荷重を負荷し格子状に入力したところ、線飛びはなかったものの、線の歪が発生し、安定した入力ができなかった。

また、この透明タツチパネルに 5 V印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、 4. 3〜4. 4 Vと不安定な値を示した。

さらに、この透明タツチパネルを 60°C、相対湿度 95% (RH) の耐湿熱試験に 500時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態に比べ線の歪は大きく線飛びも発生し、さらに入力不可能な場所も観察された。また、入力電圧測定を行ったところ、 4. 0〜4. 3 Vと初期値よりさらに低く、軽タツチ入力において使用できないものであった。

(比較例 2)

比較例 1と同様に、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に透明導電膜を形成したところ、平均結晶粒径 (R) は 10〜20 nmの範囲に分布していた。透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ra) は、 0. l nm≤Ra≤0. 25 nm であり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 55 nmであった。なお、基準長さは使用するカツトオフ値に等しい。また、評価長さは 700 nmで得られた値である。

また、両面に S i 0₂がディップコートされた厚さ 1. 1mmのガラスを下部電極基板とし、基板温度 80°Cに設定し、透明導電膜として厚さ 1 5 nmの I TO膜をスパッタリング法により形成した。原子間力顕微鏡（セイコー電子工業株式会社製 S P I 3600) により観察したところ、平均結晶粒径 (R) は 10〜1 5 nmの範囲に分布していた。透明導電膜表面の算術平均粗さ（R a) は、 0. l nm≤Ra^0. 22 nmであり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 35 nmであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 700 nmで得られた値である。

上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タツチパネルを作製し、ポリァセタール製のペンに総重量 20 gとなるように荷重を負荷し、 5 V印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、 4. 2〜4. 3 Vと不安定な値を示した。

さらに、この透明タツチパネルを 60°C、相対湿度 95% (RH) の耐湿熱試験に 500時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態に比べ線の歪は大きく線飛びも発生し、さらに入力不可能な場所も観察された。また、入力電圧測定を行ったところ、 3. 7〜4. 0Vと初期値よりさらに低く、軽タツチ入力において使用できないものであった。また、 1 5万字の連続入力試験後の入力状態を格子入力により評価したところ、部分的に 3. 9 〜4. IVの箇所が検出された。

(比較例 3)

実施例 3と同様に、ポリエチレンテレフタレ一トフイルム上に透明導電膜を形成した。

また、透明導電インキ組成物を薄膜形成装置（日本写真印刷株式会社製オンダストローマー（登録商標）インライン型) を用い、 S i〇₂コートした 30 OmmX 30 OmmX 1. 1 mmのソーダガラス基板上に印刷した。

ガラス基板をホットプレートで予備乾燥を行った後、コンベア式雰囲気分離炉を用いて 500°Cで焼成し、引き続きコンベア式雰囲気分離炉内で水素ガスを微量含む窒素雰囲気中で 500°Cから室温に冷却することにより、厚さ 10 nmの透明導電膜を得た。原子間力顕微鏡（セイコー電子工業株式会社製 S P 1 3600) により観察したところ、平均結晶粒径 (R) は 10〜30 nmの範囲に分布していた。また、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ra) を測定したところ、 0. l nm≤Ra≤0. 4 nmであり、自乗平均粗さ（Rms) は 0. 35 nmであった。なお、基準長さは使用するカットオフ値に等しい。また、評価長さは 700 nmで得られた値である。

上記のフィルムおよびガラスを電極とする透明タツチパネルを作製し、ポリァセタール製のペンに総重量 20 gとなるように荷重を負荷し格子状に入力したところ、線飛びがなかったものの、線の歪が発生し、安定した入力ができなかった。

また、この透明タッチパネルに 5 V印加した状態で入力時の電圧を測定したところ、 4. 3〜4. 4 Vと不安定な値を示した。

さらに、この透明タツチパネルを 60°C、相対湿度 95% (RH) の耐湿熱試験に 500時間かけた後、同様の格子入力の試験を行ったところ、初期の状態に比べ線の歪は大きく線飛びも発生し、さらに、入力不可能な場所も観察された。また、入力電圧測定を行ったところ、 4. 0〜4. 3 Vと初期値よりさらに低く、軽タツチ入力において使用できないものであった。

本発明の透明タツチパネル用の透明導電膜及ぴ該透明導電膜を使用する透明タツチパネル及び透明導電膜の製造方法は、上記のように構成されたものであるので、次のような優れた効果を有する。

本発明の第 1態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、下部電極と上部電極とがスぺ一ザによつて隔てられるように積層された透明タッチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) 力 SO. 4 nm≤Ra≤4. O nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤3. O nmであるように構成している。従って、結晶粒の集合体が緻密に配列され、しかも平滑性のよい膜となり、入力時の接触面積を速やかに確保することができて軽タツチ入力に適したものとすることができる。

本発明の第 2態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、下部電極と上部電極とがスぺ一サによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、酸化インジウム一酸化スズ膜より構成され、かつ、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40 nm≤R 200 nmであるように構成している。従って、粒界などに代表される障壁の少ない安定な酸化皮膜とすることができて、対向する基板上の透明導電膜が接触する際の接触抵抗を低滅でき、安定な入力が達成でき、軽タツチ入力に適したものとすることができる。

本発明の第 3態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、下部電極と上部電極とがスぺ一サによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜より構成され、かつ、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 80 nm≤R≤40 0 nmであるように構成している。従って、結晶成長させた安定な酸化皮膜とすることで、対向する基板上の透明導電膜が接触する際の接触抵抗を低減でき、安定な入力が達成でき、軽タツチ入力に適したものとすることができる。

本発明の第 4態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1又は 2態様ににおいて、酸化インジウム一酸化スズ膜より構成され、つ、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤3. O nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms ^2. 0 n mであるように構成してレ、る。従って、結晶粒の集合体が緻密に配列され、しかも平滑性のよい膜となり、入力時の接触面積を速やかに確保することができて軽タツチ入力時の接触抵抗を小さくできるため、軽タツチ入力に適したものとすることができる。本発明の第 5態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1又は 3態様において、弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜より構成され、力つ、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤4. O nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤3. O nmであるように構成している。従って、入力時の接触面積を速やかに確保することができて軽タッチ入力に適したものとすることができる。

本発明の第 6態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1〜 5のいずれかの態様において、上記表面形状において、 R pは中心線深さを表し、 R m a Xは最大粗さを表すとき、上記表面形状を表現するパラメータ一（R p / R m a x ) が 0 . 5 5以下として上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状もしくは矩形形状を呈しているように構成している。従って、このような台形形状もしくは矩形形状が得られることにより、入力時の接触面積を速やかに確保することができ、また軽タツチ入力時に発生する摺動特性にも優れている。よって、非常に安定した入力が確保できるとともに、スィッチとして必要不可欠な摺動特性に於ても寿命が長くなる。

本発明の第 7態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1〜6のいずれかの態様において、ゾル-ゲル材料を用いた塗布法或いは印刷法で形成されるように構成している。従って、上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状または矩形形状となり、入力時の接触面積を速やかに確保することができ、軽タツチ入力時に発生する摺動特性にも優れるため、軽タツチ入力に適したものとすることができる。

本発明の第 8態様にかかる透明タツチパネルは、第 1〜7のいずれかの態様に記載の透明導電膜が、上記下部電極と上記上部電極の少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成するようにしている。従って、上記透明導電膜においては、結晶粒の集合体が微密に配列され、しかも平滑性のよい膜となり、入力時の接触面積を速やかに確保することができて、軽タツチ入力に優れた透明タツチパネルを提供することができる。

本発明の第 9態様にかかる透明タツチパネルは、第 1〜7のいずれかの態様に記載の透明導電膜が、上記下部電極と上記上部電極の両方の電極基板にそれぞれ設けられて当該電極をそれぞ^成するようにしている。従って、上記透明導電膜においては、結晶粒の集合体が緻密に配列され、しかも平滑性のよい膜となり、入力時の接触面積を速やかに確保することができて、より軽タツチ入力に優れた透明タツチパネルを提供することができる。

本発明の第 1 0態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、少なくともゾル—ゲル材料を構成する有機金属化合物がインジウムとスズとから構成され、インジウムとスズの構成重量比が、 5重量。/ o≤ {S n/ (I n +S n) } X 100≤ 1 5重量⁰ /₀であるようなゾル一ゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、表面形状における算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤3. 0 nm、自乗平均粗さ（Rm s) が 0. 6 nm≤Rms≤ 2. O nmとなるように、酸化インジウム一酸化スズ膜を形成するように構成している。従って、軽タツチ入力に適した透明導電膜を容易に得ることができる。

本発明の第 1 1態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、少なくともゾル—ゲル材料を構成する有機金属化合物がィンジゥムとスズとから構成され、インジウムとスズの構成重量比が、 5重量⁰ /o {S n/ ( I n +S n) } X 100≤ 1 5重量％であるようなゾル—ゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径（R) が 40 nm≤R≤200 nmとなるように、酸化インジウム一酸化スズ膜を形成するように構成している。従って、粒界などに代表される障壁の少ない安定な透明導電膜を容易に得ることができる。

本発明の第 1 2態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、ゾル—ゲル材料を塗布または印刷後初期乾燥し、次いで 200°C から 400°Cの温度域で毎分 40°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き還元焼成を行って、表面形状における算術平均粗さ（Ra) が 0· 4 n m≤R a≤ 3. O nm, 自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm Rms≤2. O nmとなるように、酸化ィンジゥム一酸化スズ膜を形成するように構成してレ、る。従って、軽タツチ入力に適した透明導電膜を容易に得ることができる。本発明の第 1 3態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、下部電極と上部電極とがスぺーサによって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、ゾル—ゲル材料を塗布又は印刷後初期乾燥し、次いで、 200°C から 400°Cの温度域で毎分 40°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き還元焼成を行って、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径（R) が 40 nm^R 200 nmとなるように、酸化インジウム一酸化スズ膜を形成するように構成している。従って、粒界などに代表される障壁の少ない安定な透明導電膜を容易に得ることができる。

本発明の第 1 4態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法は、第 1 0又は 1 1態様において、上記ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により上記透明導電膜を形成する場合において、ゾル—ゲル材料を塗布または印刷後初期乾燥し、次いで 200°Cから 400°Cの温度域で毎分 40°C~ 60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い引き続き還元焼成を行って上記透明導電膜を形成するように構成している。従って、軽タツチ入力に適しており、粒界などに代表される障壁の少ない安定な透明導電膜を安定的に得ることができる。本発明の第 1 5態様にかかる透明タツチパネル用透明導電膜は、第 1 0〜1

4のいずれかの態様に記載の透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法により製造された透明タツチパネル用透明導電膜により構成している。従って、上記第 1 0〜1 4のいずれかの態様に記載の透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法の有利な点を得つつ、入力時の接触面積を速やかに確保することができて軽タツチ入力に適したものを提供することができる。

また、本発明の透明タツチパネル用透明導電膜又は透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の基板上の透明導電膜を酸化インジウム一酸化スズ膜とし、かつ、その表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra 3. O nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm以上であるように制御されたものとするときには、接触面積が確保でき、軽タツチ入力に適したものとなる。また、本発明の透明タツチパネル用透明導電膜又は透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の基板上の透明導電膜を酸化インジウム一酸化スズ膜とするとき、その表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 4 0 nm≤R≤ 200 n mになるように制御されたものであり、かつその表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤3. O nmであり、自乗平均粗さ (Rms) が 0. 6 nm以上であるように制御されたものとするときには、接触面積が確保でき、軽タツチ入力時の接触抵抗をさらに小さくできるため、軽タツチ入力に適したものとなる。

また、本発明の透明タツチパネル用透明導電膜又は透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の基板上の透明導電膜を酸化インジウム—酸化スズ膜とするとき、その表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤3. O nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm以上で、かつ表面形状を表現する下記のパラメータ一が、 0. 55以下として上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状又は矩形形状を呈しているように制御されるときには、接触面積が確保でき、また軽タツチ入力時に発生する摺動特性にも優れているため、軽タツチ入力に適したものとなる。なお、 RpZRma x O. 55のとき、 Rpは中心線深さを表し、 Rm a Xは最大粗さを表す。単位はいずれも nmである。

また、本発明の透明タツチパネル用透明導電膜又は透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の基板上の透明導電膜を弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜とするとき、その表面で観察さる金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40 nm≤R≤400 n mになるように制御されたものとするときには、軽タツチ入力時の接触抵抗 Ebを小さくできるため、軽タツチ入力に適したものとなる。

また、本発明の透明タツチパネル用透明導電膜又は透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の基板上の透明導電膜を弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜とするとき、その表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤4. O nmであり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 n m以上であるように制御されたものとするときには、接触面積が確保でき軽タツチ入力に適したものとなる。

また、本発明の透明タツチパネル用透明導電膜又は透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の基板上の透明導電膜を弗素或いはアンチモン添加の酸ィ匕スズ膜とするとき、その表面で観察さる金属酸化物の平面内の平均結晶粒径

(R) が 40 nm≤R 400 nmであり、かつ、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra^4. O nmであり、自乗平均粗さ（Rm s) が 0. 6 nm以上であるように制御されたものとするときには、軽タツチ入力時の接触抵抗をさらに小さくでき、また接触面積が確保でき、摺動特性にも優れているため、軽タツチ入力に適したものとなる。

また、本発明の透明タツチパネル用透明導電膜又は透明タツチパネルにおいて、少なくとも一方の基板上の透明導電膜を弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜とするとき、その表面で観察さる金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40 nm≤R≤300 nmであり、かつ、透明導電膜表面の算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤4. O nmであり、自乗平均粗さ（Rm s) が 0. 6 nm以上でかつ表面形状を表現する下記のパラメーターが、 0. 55以下として上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状又は矩形形状を呈しているように制御されたものとするときには、入力時の接触面積を速やかに確保することができ、軽タツチ入力時の接触抵抗をさらに小さくでき、軽タツチ入力時に発生する摺動特性にも優れているため、軽タツチ入力に適したものとなる。

本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されている力この技術の熟練した人々にとつては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。

Claims

請求の範囲

1. 下部電極（5) と上部電極（4) とがスぺーサ（10) によって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板 (14, 1 5) に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤4. 0 nm であり、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤3. O nmである透明タツチパネル用透明導電膜。

2. 下部電極 (5) と上部電極（4) とがスぺーサ（10) によって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、

酸化インジウムー酸ィヒスズ膜より構成され、かつ、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径（R) が 40 nm≤R≤ 200 nmである透明タツチパネル用透明導電膜。

3. 下部電極 (5) と上部電極（4) とがスぺーサ（10) によって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成する透明導電膜において、

弗素或いはアンチモン添加の酸ィ匕スズ膜より構成され、かつ、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径（R) が 80 nm≤R≤400 nmである透明タツチパネル用透明導電膜。

4. 酸ィヒインジウム一酸化スズ膜より構成され、かつ、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤3. O nmであり、自乗平均粗さ

(Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤2. 0 n mである請求項 1又は 2に記載の透明タッチパネル用透明導電膜。

5. 弗素或いはアンチモン添加の酸化スズ膜より構成され、かつ、表面形状における、算術平均粗さ（Ra) が 0. 4nm≤Ra≤4. O nmであり'、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤3. 011111でぁる請求項1又は 3に記載の透明タツチパネル用透明導電膜。

6. 上記表面形状において、 Rpは中心線深さを表し、 Rma xは最大粗さを表すとき、上記表面形状を表現するパラメ一ター（Rp/Rma x) が 0. 55以下にすることによって上記表面形状を構成する粒子の集合体の断面が台形形状もしくは矩形形状を呈するようにした請求項 1〜 5のいずれかに記載の透明タツチパネル用透明導電膜。

7. ゾル-ゲル材料を用いた塗布法或いは印刷法で形成された請求項 1〜 6のいずれかに記載の透明タツチパネル用透明導電膜。

8. 請求項 1〜 7のいずれかに記載の透明導電膜が、上記下部電極 (5) と上記上部電極 (4) の少なくとも一方の電極の電極基板に設けられて当該電極を構成するようにした透明タッチパネル。

9. 請求項 1〜 7のいずれかに記載の透明導電膜が、上記下部電極 (5) と上記上部電極（4) の両方の電極基板にそれぞれ設けられて当該電極をそれぞれ構成するようにした透明タッチパネル。

10. 下部電極 (5) と上部電極（4) とがスぺーサ（1 0) によって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板（14、 15) に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法におレヽて、

少なくともゾルーゲル材料を構成する有機金属化合物がインジウムとスズとから構成され、インジウムとスズの構成重量比が、 5重量 { S n/ (I n

+ S n) } X 100≤ 1 5重量⁰ /。であるようなゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、表面形状における算術平均粗さ（Ra) が 0. 4nm ≤R a≤ 3. 0nm、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤2. 0 nmとなるように、酸ィ匕インジウム一酸化スズ膜を形成するようにした透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法。

1 1. 下部電極（5) と上部電極（4) とがスぺーサ（10) によって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板（14、 1 5) に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、

少なくともゾルーゲル材料を構成する有機金属化合物がィンジゥムとスズとから構成され、インジウムとスズの構成重量比が、 5重量％≤ {S n/ (I n + S n) } X 100≤ 1 5重量⁰ /oであるようなゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40 nm≤R≤200 nmとなるように、酸化インジウム一酸化スズ膜を形成するようにした透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法。

1 2. 下部電極（5) と上部電極（4) とがスぺーサ（10) によって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板（14、 1 5) に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、

ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、ゾル—ゲル材料を塗布または印刷後初期乾燥し、次いで 200°Cから 400での温度域で毎分 4 0°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い、弓 Iき続き還元焼成を行って、表面形状における算術平均粗さ（Ra) が 0. 4 nm≤Ra≤3. O nm、自乗平均粗さ（Rms) が 0. 6 nm≤Rms≤2. 0 n mとなるように、酸ィ匕インジゥム一酸化スズ膜を形成するようにした透明タッチパネル用透明導電膜の製造方法。

1 3. 下部電極 (5) と上部電極（4) とがスぺーサ（10) によって隔てられるように積層された透明タツチパネルの少なくとも一方の電極の電極基板（14、 1 5) に設けられて当該電極を構成する透明導電膜の製造方法において、

ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により、ゾル—ゲル材料を塗布又は印刷後初期乾燥し、次いで、 200°Cから 400での温度域で毎分 4 0°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い、引き続き還元焼成を行って、表面で観察される金属酸化物の平面内の平均結晶粒径 (R) が 40nm≤R≤20 0 nmとなるように、酸ィ匕インジウム一酸化スズ膜を形成するようにした透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法。

14. 上記ゾルーゲル材料を用いた塗布法あるいは印刷法により上記透明導電膜を形成する場合において、

ゾル一ゲル材料を塗布または印刷後初期乾燥し、次いで 200°Cから 40 0°Cの温度域で毎分 40°C〜60°Cの昇温速度で酸化焼成を行い引き続き還元焼成を行って上記透明導電膜を形成するようにした請求項 10又は 1 1に記載の透明タツチパネル用透明導電膜の製造方法。

1 5. 請求項 1 0〜 14のいずれかに記載の透明タッチパネル用透明導電膜の製造方法により製造された透明タツチパネル用透明導電膜。