TW506028B - Wire bonding device and wire bonding method - Google Patents
Wire bonding device and wire bonding method Download PDFInfo
- Publication number
- TW506028B TW506028B TW090117783A TW90117783A TW506028B TW 506028 B TW506028 B TW 506028B TW 090117783 A TW090117783 A TW 090117783A TW 90117783 A TW90117783 A TW 90117783A TW 506028 B TW506028 B TW 506028B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- magnification
- image data
- image
- agency
- aforementioned
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 26
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims 2
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/97—Determining parameters from multiple pictures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
506028 A7 ____ B7_______ 五、發明說明(/ ) 【技術領域】 ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於打線裝置及方法,特別係關於將對打線 構件進行攝影之攝影機構相關之偏差量,能正確算出的裝 置及方法。 【習知技術】 以下,就引線打線裝置作爲一例來加以說明。在搭載 於XY台上之打線頭,係設有:位置檢測用攝影機(以下稱 之攝影機),係用以定位半導體元件等之打線構件上之打線 點,而對打線構件上之基準圖案進行攝影;以及打線臂, 其一端係裝配有用以進行打線之工具。而且,攝影機在對 打線構件上之既定圖案進行攝影時,爲避免工具及打線臂 妨礙攝影機之視野,故攝影機之光軸與工具之軸心係於 XY方向偏移一定距離,而裝配於打線頭。一般,將攝影 機之光軸與工具之軸心的距離稱爲攝影機工具偏置量,或 僅稱爲偏置量。 因攝影機係用以求出檢測使工具移動之位置之基準點 ,故要得知攝影機從工具偏置多少,乃非常重要。然而, 實際之偏置量,會因爲來自高溫之打線頭之輻射熱所引起 之攝影機保持器或打線臂的熱膨脹而時時刻刻在變化,故 必須在打線作業開始時或作業空閒之適宜時間,測定•校 正偏置量。 對該偏置量之測定·校正已提出種種方法,例如特開 2000-100858號公報所揭示之方法就是如下所述。首先, 在半導體元件或其附近之適當場所,將工具之頂端抵接而 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 506028 A7 五、發明說明(V) f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成壓痕。其次,驅動XY台而將打線頭僅移動預先所記 憶之偏置量’以攝影機對包含壓痕在內之影像進行攝影。 其次,藉由對所得之影像施以影像處理,求出壓痕中心點 之位置座標。然後,將壓痕中心點之位置座標’與光軸之 位置座標的距離就χγ方向算出’藉由將該等距離加於預 先記憶之偏置量,來測定偏置量。 【發明所欲解決之課題】 然而,近年正在嘗試著··將複數部攝影機搭載於ΧΥ 台上,例如使用高倍率側之攝影機於焊墊側定位識別’又 使用低倍率側之攝影機於引線側定位識別的方法(例如’特 開昭63-236340號公報)。該方法,因能以高倍率側之攝影 機進行焊墊處之高精度打線,又能以低倍率側之攝影機將 多數條之引線影像整批處理,故能期待高效率化。 因此,若將上述習知之偏置量之測定方法’適用於如 上所述搭載複數部攝影機之裝置之情形’僅將各幾與 工具間之偏置量個別測定就可以。然而’工具因經彳吏$胃 磨損•變形,必須以一天一次程度之頻率交換’故在如^ 述之構成若要交換工具之情形,必須對各攝影機重新"測^ 與工具之間之偏置量,甚爲煩雜。 / 於是本發明之目的,係在於提供一種使用複數部攝影 機時,能將偏置量之測定簡化的機構。 【用以解決課題之手段】 第1本發明,係一種打線裝置,具備:處理構件,$系 用以處理打線構件;第1攝影機構,係對既定之圖案進行 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 506028 A7 B7 五
發明說明(5) 、、 攝,·及第1偏置量算出機構,係根據以前述第1攝影機 構=攝影之影像資料,來算出前述處理構件與前述第1攝 影機構之間之膨町具_量;並且具備:胃2攝影機 構,係對前述既定之圖案進行薇影;及第2偏置量算出機 構,係根據以前述第1攝影機麵攝影之第:1影像資料’ 與以前述第2攝影麟進行攝影之第2 _資料’來算出 前述第1雜_之基賴與第2影㈣_之基準點之 間之偏差量。 在第1本發明,根據以第1攝影機構所攝影之第1影 像杳料與以第2攝影機構所攝影之桌2影像資料,來算出 第1影像之基準點與第2影像之基準點之間之偏差量。因 此,藉由使用所算出之偏差量’根據第1攝影機構與工具 之間之偏置量能算出第2攝影機構與工具之間之偏置量’ 藉此,即使是交換工具之情況等,亦能不必進行第2攝影 機構與工具之間的偏置量之再測定。 第2本發明,係如第1本發明之打線裝置,其中,前 述第2偏置量算出機構’係根據則述弟1攝影機構之攝心 倍率(第1倍率),與前述第2攝影機構之攝影倍率(第 ^ 率),來算出前述第1影像資料之基準點與前述第 料之基準點之間之偏差量。 在第2本發明,因根據第1攝影機構之攝影倍率(第i 倍率),與第2攝影機構之攝影倍率(第2倍率), 术·算出第 1影像之基準點與第2影像之基準點之間之偏差量,故& 算出有考慮個別攝影機構之倍率之正確偏差量。 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝 ---------
2倍 2影像資 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐) 506028 A7 五、發明說明(Η* ) 爲要算出有考慮該個別攝影機構之倍率之偏差量’如 第發明,若以第1攝影機構所攝影之弟1影像寅料與 以第2攝影機構所攝影之第2影像資料中,將高倍率側之 影像資料配合低倍率側之攝影倍率而施以縮小處理,並旦 與低倍率側之影像資料作比較’則對偏差量之算出能直接 利用低倍率側之影像資料,故爲較佳。 第4本發明,係一種打線方法’用於打線裝置’係具 備:處理構件,係用以處理打線構件;第1攝影機構’係 對既定之圖案進行攝影;第2攝影機構,係對既定之圖案 進行攝影;及運算處理裝置’係根據以前述第1攝影機構 所攝影之影像資料,來算出前述處理構件與前述第1攝影 機構之間之偏置量,其特徵在於:根據以前述第1攝影機 構所攝影之第1影像資料,與以第2攝影機構所攝影之第 2影像資料,來算出前述第1影像資料之基準點與第2影 像資料之基準點之間之偏差量。 第5本發明,係如第4本發明之打線方法,其含有· 根據前述第1攝影機構之攝影倍率(第1倍率),與前述第2 攝影機構之攝影倍率(第2倍率),來算出第1影像,料之 基準點與第2影像資料之基準點之間之偏差量之步驟。· 第ό本發明,係如第5本發明之打線方法,其含有· 前述第1影像資料與前述第2影像資料中,將高倍率側之 影像資料配合低倍率側之攝影倍率而施以縮小處理之f驟 •,及將縮小處理後之影像資料與前述低倍率側之影慘f料 作比較之步驟。在第4至第6本發明,能獲得與上述第1 -------------.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公i ) 506028 A7 五、發明說明(彡) 至第3本發明同樣之效果。 【發明之實施形態】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據圖式說明本發明之實施形態如下。圖1至圖5係 表示本發明之實施形態。如圖示,在搭載於XY台1之打 線頭2,係設置打線臂3且能上下動,打線臂3係以未圖 示之上下驅動機構驅動於上下方向。在打線臂3之頂端部 係用以裝配工具4,在工具4係插通有引線5。本實施形態 之工具4係毛細管。 在打線頭2係固定鏡筒6,在鏡筒6係各固定第1攝 影機7及第2攝影機57。第1攝影機7及第2攝影機57, 係均爲具備電荷結合元件(CCD)與透鏡系統之光電轉換式 之攝影機構,第1攝影機7係以高倍率對半導體元件1〇上 之墊片11進行攝影,第2攝影機57係以低倍率對引線12 進行攝影。鏡筒6之攝影軸6a及工具4之軸心4a,係均 朝向下方垂直。XY台1,構成爲係藉由設置於其附近之未 圖示之2個脈動馬達而正確地沿X方向及Y方向移動而構 成。以上所述者均是周知之構成。 在圖2,鏡筒6係由筒體所構成,具備:反射鏡16a、 16b及半反射鏡16c。反射鏡16a,係具有將從圖中下方垂 直向上射入之光向右反射之反射面。半反射鏡16c,係將 來自反射鏡16a之反射光,分束爲向上之反射光與向右之 透過光。反射鏡16b,係將來自半反射鏡16c之透過光向 上反射。 圖3,係表示以第1攝影機7所攝影之高倍率影像30 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 506028 κι ___Β7^_____—- -- 五、發明說明(匕) ,又,圖4係表示以第2攝影機所攝影之低倍率影像4〇二 高倍率影像30及低倍率影像40,係分別表示伴隨所顯示 、記憶之影像中心標記32、42作爲各影像之視野中心,及 所顯示、記憶之標線片標記34、44作爲表示包圍該影像中 心標記32、42之視野內之領域者。 對應於影像中心標記32、42之光程7a、57a(參照圖 2),及工具4之軸心4a,係互相沿XY方向偏置。光程7a 與軸心4a之偏置量係(Xtl,Ytl),光程57a與軸心4a之 偏置量係(Xt2,Yt2),光程7a與光程57a之偏差量,係(△ Xt,△ Yt)。 又,光程7a與光程57a,不一定與第1攝影機7或弟 2攝影機57之光軸一致,又亦與筒體6之攝影軸6a,不一 定一致。 XY台1,係以運算控制裝置20之指令透過XY台控 制裝置21驅動。以第1攝影機7或第2攝影機57進行攝 影取得之影像資料,被轉換爲電氣訊號後以影像處理裝置 22處理,藉由電腦所構成之運算控制裝置以後述之方法算 出正確之偏置量(Xtl,Ytl)、,△ Yt)及(Xt2,Yt2)。 在運算控制裝置20,係連接輸出輸入裝置24及顯示裝置 25。顯示裝置25係由CRT等所構成,用以顯示以第1攝 影機7或第2攝影機57所攝影之低倍率影像30、高倍率 影像40及其他影像。 其次,說明本實施形態之動作。在圖6 ’首先’分別 算出第1攝影機7或第2攝影機57之倍率比(S10)。該倍 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -
506028 A7 B7 _ " ... , 五、發明說明(?) 率比之算出,係先求出高倍率側及低倍率側之倍率,其次 以低倍率側之倍率除以高倍率側之倍率而進行。 首先對高倍率側,邊以第1攝影機7進行攝影,邊以 運算控制裝置20之指令將XT台1僅移動既定距離(例如 200/z m)。其次,將在該移動之前後發生於高倍率影像3〇 之畫面上之移動像素量算出或測定。然後,藉由以移動像 素量(例如80像素)除以XY台1之移動跑離,來算出高倍 率側之倍率ml。 又,對低倍率側亦同樣,邊以第2攝影機57進行攝影 ,邊以運算控制裝置20之指令將XT台1僅移動既定距離 (例如870//m)。其次,將在該移動之前後發生於低倍率影 像40之畫面上之移動像素量算出或測定。然後,以移動像 素量(例如80像素)除以XY台1之移動距離,來算出低倍 率側之倍率ms。又,該等倍率ml、ms之算出,由於亦須 檢測第1攝影機7或第2攝影機57之旋轉成分之目的,故 分別沿X方向及Y方向之雙方進行。又,移動像素量之算 出或測定,由於亦須檢測攝影機之旋轉成分之目的,故亦 可在移動中之各步驟進行。 然後,以所算出之低倍率側之倍率ms除以高倍率側 之倍率ml,而算出倍率比mp。 其次,以第1攝影機7所攝影之影像資料中’對標線 片標記34內側之領域36之影像資料,根據倍率比mP施 以縮小處理(S20),藉此,取得領域36之影像資料之縮小 影像36s。即,對領域36之影像資料乘以倍率比mP,使 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------^ --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂* -
506028 A7 _____B7___ 五、發明說明(f ) 領域36之影像資料轉換爲縮小影像36s。 -------------I --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次,比較縮小影像36s與以低倍率所攝影之低倍率 影像40,算出偏差量(S30)。即,首先,將縮小影像36s作 爲模板(template)影像,將低倍率影像40內之相關度筒之 影像圖案藉由多値化正規化相關等來檢測,以識別對應於 縮小影像36s之影像在低倍率影像40內之位置。其次’將 伴隨影像中心標記32及標線片標記34、44之縮小影像 36s重疊於低倍率影像40(參照圖4)。然後,以影像處理裝 置22算出被重對準之縮小影像36s之影像中心標記32, 與低倍率影像40之影像中心標記42之X方向及Y方向之 偏置量(△ Xt,△ Yt)。 最後,將所算出之偏置量(ΔΧί,ΔΥΟ,加上在預先 求出且已記憶在記憶體23之光程7a與軸心4a之偏置量 (Xtl,Ytl),以數1求出光程7a與軸心4a之偏置量(Xt2, Yt2) (S40),完成本程序。
【數學式1】
Xt2=Xtl + AXt
Yt2=Ytl + A Yt 如上所得之低倍率側之光程57a與軸心4a之偏置量 (Xt2,Yt2),係用以利用在以後之引線12側之打線。即, 以第2攝影機57對半導體元件10上之既定基準點進行攝 影,驅動XY台1,使打線頭2僅移動所求得之偏置量(Xt2 ,Yt2),對在記憶體23被記憶爲XY座標之引線上各打線 點,以工具進行打線。 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 506028 A7 B7 五、發明說明(1 ) 又,高倍率側之光程7a與軸心4a之偏置量(Xtl, Ytl) ’係使用以下所示之根據習知之方法算出。即,在記 憶體23預先記憶第1攝影機7與工具4之間之偏置量 (Xwl ’ Ywl)。若設定正確之偏置量(xtl,YU)與預先記億 之偏置量(Xwl ’ Ywl)之差,即偏置量校正量爲(Δχι,△ Υ1) ’該等正確之偏置量(Xtl,Ytl)、預先記憶之偏置量 (Xwl ’ Ywl)及偏置量校正量(Δχι,Δγι)則變成數學式 2之關係。 【數學式2】
Xtl= Xwl + Δ XI
Ytl= Ywl +A Y1 首先’如圖5所示,在半導體元件l〇或其附近之適宜 埸所,使工具4之頂端抵接,形成壓痕4b。其次以運算控 制裝置20之指令透過χγ台控制裝置21驅動XY台1而 將打線頭2僅移動預先記憶之偏置量(Xwl,Ywl),而且, 以第1攝影機7進行攝影。並且,藉由對所得之高倍率影 像30施以影像處理,將壓痕4b之影像之中心點之壓痕中 心4c與影像中心標記32之距離,當作偏置量校正量(△ Xt,ΔΥ〇來算出。如此所得之高倍率側之光程7a與軸心 4a之偏置量(Xtl,Ytl),係如上述,在步驟S40,使用於 低倍率側之光程57a與軸心4a之偏置量(Xt2,Yt2)來算出 〇 如以上所述,在本實施形態’係根據以第1攝影機所 攝影之高倍率影像30與第2攝影機57所攝影之低倍率影 11 ------------I --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 506028 A7 五、發明說明) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 像4〇,來算出高倍率影像30之基賴之影像中心標記32 ®低倍轉像之基_之影像柯關42之間之偏差 量。因此,藉由使用所算出之偏差量,根據以第1攝影機 7趣工亘4之間之偏置量能算出第2攝影機57與工具4之 間之偏置量,藉此,即使是交換工具4時’能使第2攝影 機57與工Μ 4之間之偏置量之額定爲不需要。又,圖6 之程序相關之偏差量之算出’讎於在裝置安裝時之棚 設定時,或是交換第1攝影機7或第2攝影機57等之情形 進行則足夠。 又,在本實施形態,因根據弟1攝影機7之細^丨口率 之倍率ml,與第2攝影機57之攝影倍率之倍率ms,算出 高倍率影像之影像中心標記32與低倍率影像之影像中心標 記42之間之偏差量,故能算出有考慮個別之攝影機7、57 之倍率的正確之偏差量。 又,在本實施形態’爲要進行算出有考慮個別之攝影 機7' 57之倍率之偏差量,以第1攝影機7所攝影之局倍 率影像與以第2攝影機57所攝影之低倍率影像中,將高倍 率側之影像資料配合低倍率側之影像資料施以縮小處理’ 並且與低倍率側之影像資料作比較’故對偏差量之算出能 直接利用低倍率側之影像資料,而且合適。 又,在本實施形態,雖將半導體元件之一部分利用 爲用以比較高倍率影像30與低倍率影像40之基準之圖案 ,然而該圖案不使用半導體元件10,而亦可利用其他構件 ,例如保持引線之引線架之一部分,或打線台之一部分。 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 506028 A7 ___ B7 _—.— — 五、發明說明(^ ) 又,用以比較高倍率影像3〇與低倍率影像4〇之基準點, 雖利用影像中心標記32、42,然而該等基準點非必須在禹 倍率影像30與低倍率影像40之中心,但只要是在高倍率 影像30與低倍率影像40內之點,即使是任何點均可。但 在本實施形態,因利用在高倍率影像30與低倍率影像4〇 之中心之影像中心標記32、42,故能利用影像中央之失真 少之領域,能作正確之測定。 又,在本實施形態,基準點雖利用在高倍率影像3〇與 低倍率影像40之個別單一點之影像中心標記32、42 ’然 而本發明之基準點亦可複數個,若使用複數個時’就有亦 能容易測定·把握第1攝影機7與第2攝影機57之旋轉方 向之偏差量的優點。 又,在本實施形態,因構成爲將影像中心標記32 ' 42 及標線片標記34、44顯示於顯示裝置25,故有將影像中 心標記32、42及標線片標記34、44容易配合各攝影機之 視野中易成爲基準圖案之部分的優點,然而影像中心胃# 32、42及標線片標記34、44亦可不顯示於顯示裝置25 ° 又,在本實施形態,雖構成爲以第1攝影機7與第2 攝影機57使用共同之鏡筒6,然而,本發明’亦能適用於 如下構造之打線裝置,該打線裝置係將複數部攝影機分 固定在打線頭2之複數部攝影機保持器。但是’在該情开乡 ,本發明因對以複數部攝影機進行攝影之影像資料作比較 ,故需要以複數部攝影機對共同圖案進行攝影’或至少對 已互相正確定位之複數個圖案分別進行攝影。 13
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) 506028 A7 B7 五、發明說明(θ) 又,在本實施形態,雖以毛細管爲工具4,然而本發 明之處理構件只要是楔形(wedge)工具等之其他工具,或檢 查用之探測構件等,在處理對象之關係上施以某些處理者 即可。又,在本實施形態雖使用2部攝影機構,然而本發 明之攝影機構亦可使用3部以上。又在本實施形態雖以處 理構件爲單獨之工具4,然而本發明亦可適用於複數個處 理構件與複數部攝影機構之偏置量之測定。 又,在本實施形態雖使用攝影機爲攝影機構,然而本 發明之攝影機構只要是能檢測光之構成即可,例如亦可爲 行傳感器(line sensor)。又,在本實施形態,雖將本發明適 用於引線打線裝置之情形說明,但是本發明亦能適用於晶 粒打線裝置、膠帶打線裝置、倒裝片打線裝置等其他各種 打線裝置,對這一點同業者則能容易理解。 【圖式之簡單說明】 【圖1】係表示本發明之實施形態相關之打線裝置要 部之立體圖。 【圖2】 塊圖。 【圖3】 【圖4】 【圖5】 --------------裝·—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 係表示實施形態之光學系統及控制系統之方 係表示高倍率影像之說明圖。 係表示低倍率影像之說明圖。 係表示第1攝影機與工具之間之偏置量之測 定行程之說明圖。 【圖6】係表示控制例之流程圖。 【符號說明】 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 506028 A7 _B7 五、發明說明(νή ) 1 XY台 2 打線頭 3 打線臂 4 工具 4a 軸心 6 鏡筒 7 第1攝影機 7a、57a 光軸 10 半導體元件 16a、16b 反射鏡 16c 半反射鏡 20 運算控制裝置 22 影像處理裝置 30 低倍率影像 32、42 影像中心標記 34、44 標線片標記 40 高倍率影像 57 第2攝影機 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 506028六 、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 署係里備:處理構件,係用以處理打 i•一種打線$置,係行攝影;及第 線構件;第1虜彡娜,係^_第/㈣麟所攝影之 丄偏置量算出機構’係根據以::二機構之間之攝 影像資料,來算出前述處理構件與弟1 w 影機工具偏置量;並且具備二進行攝影;及 第2攝影機構,係對前述既疋之圖】攝勢機構所 ㈣旦笪屮機構,係根據以前述弟W機構所 偏;;=以前述第2攝影機構所攝影之第 攝影之弟心像/、 /、以鹿次料夕基準點與前述第2 2影像韻,來算出前述第1影像貝似 影像資料之基賴之間之偏鮮。‘ 2如申請賴麵第1項之打線麵〜、中^ 偏置量算出讎,讎_述第1勝_之_倍率(第 i倍率),與前述第2攝影機構之攝影倍率(第2仏來 算出前述第1影像資料之基準點與前述第2影像資料之基 準點之間之偏差量。 3·如申請專利範圍第2項之打線裝置,其中前述第2 偏置量算出機構,係藉由第1攝影機構所得之影像資料與 藉由第2攝影機構所得之影像資料中’將高倍率側之影像 資料配合低倍率側之攝影倍率而施以縮小處理,並且與前 述低倍率側之影像資料作比較。 4·一種打線方法,係用於打線裝置,該打線裝置係具 備··處理構件,係用以處理打線構件·,第1攝影機構,係 對既定之圖案進行攝影;第2攝影機構,係對前述既定之 圖案進行攝影;及運算處理裝置,係根據以前述第1攝影 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂——-------線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規1Q χ 297公爱 506028 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 機構所攝影之影像資料,來算出前述處理構件與前述第1 攝影機構之間之偏置量,其特徵在於: 根據以前述第1攝影機構所攝影之第1影像資料、與 以第2攝影機構所攝影之第2影像資料,來算出前述第1 影像資料之基準點與前述第2影像之基準點之間之偏差量 〇 5·如申請專利範圍第4項之打線方法,係含有: 根據前述第1攝影機構之攝影倍率(第1倍率)、與前 述第2攝影機構之攝影倍率(第2倍率),來算出前述第1 影像資料之基準點與前述第2影像資料之基準點之間之偏 差量之步驟。 6.如申請專利範圍第5項之打線方法,係含有: 前述第1影像資料與前述第2影像資料中,將高倍率 側之影像資料配合低倍率側之攝影倍率而施以縮小處理之 步驟;及將縮小處理後之影像資料與前述低倍率側之影像 資料作比較之步驟。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-· •線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000290071A JP3732082B2 (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW506028B true TW506028B (en) | 2002-10-11 |
Family
ID=18773358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090117783A TW506028B (en) | 2000-09-25 | 2001-07-20 | Wire bonding device and wire bonding method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6961457B2 (zh) |
JP (1) | JP3732082B2 (zh) |
KR (1) | KR100412109B1 (zh) |
TW (1) | TW506028B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4088232B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2008-05-21 | 株式会社新川 | ボンディング方法、ボンディング装置及びボンディングプログラム |
TWI370501B (en) * | 2003-11-10 | 2012-08-11 | Hermes Microvision Inc | Method and system for monitoring ic process |
JP4587742B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線顕微方法及び荷電粒子線応用装置 |
KR100718973B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2007-05-17 | 주식회사 쎄크 | 반도체 칩 검사장치 및 검사방법 |
JP2008252080A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Shinkawa Ltd | ボンディング部の圧着ボール検出方法及び圧着ボール検出装置 |
US7810698B2 (en) * | 2008-11-20 | 2010-10-12 | Asm Assembly Automation Ltd. | Vision system for positioning a bonding tool |
US8091762B1 (en) * | 2010-12-08 | 2012-01-10 | Asm Assembly Automation Ltd | Wedge bonding method incorporating remote pattern recognition system |
JP6435099B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2018-12-05 | Juki株式会社 | 電子部品実装装置及び電子部品実装方法 |
JP6461311B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-01-30 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 |
CN107887295B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-07-23 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种芯片键合装置及键合方法 |
JP7300353B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-06-29 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
CN114005777B (zh) * | 2021-12-24 | 2022-03-29 | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 | 键合装置和键合方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4937618A (en) * | 1984-10-18 | 1990-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus and method for manufacture of integrated circuits |
JPS63236340A (ja) | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Nec Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JP2622573B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-06-18 | キヤノン株式会社 | マーク検知装置及び方法 |
JP2000100858A (ja) | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Shibaura Mechatronics Corp | 部品実装装置およびその装置における撮像オフセットの校正方法 |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000290071A patent/JP3732082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-20 TW TW090117783A patent/TW506028B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-31 KR KR10-2001-0046185A patent/KR100412109B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-25 US US09/964,210 patent/US6961457B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020024524A (ko) | 2002-03-30 |
US6961457B2 (en) | 2005-11-01 |
KR100412109B1 (ko) | 2003-12-24 |
US20020039437A1 (en) | 2002-04-04 |
JP2002100649A (ja) | 2002-04-05 |
JP3732082B2 (ja) | 2006-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW506028B (en) | Wire bonding device and wire bonding method | |
TW475229B (en) | Offset measurement method, tool position detection method and bonding device | |
TWI547162B (zh) | 用於使元件與印刷電路板上之印跡對準的照相機系統及方法 | |
TW419759B (en) | Bonding method and device thereof | |
TW512220B (en) | Image processing method and device | |
JP5047188B2 (ja) | Tcpハンドリング装置および当該装置における接続端子の位置合わせ方法 | |
TW201109645A (en) | Substrate inspecting method, substrate inspecting device and storage medium | |
CN108769530B (zh) | 图像采集处理设备和图像采集处理方法 | |
US6678058B2 (en) | Integrated alignment and calibration of optical system | |
JP2010245508A (ja) | ウェハアライメント装置及びウェハアライメント方法 | |
TW538231B (en) | Image processing method and device, and wire-bonding device | |
JP2007225522A (ja) | 基板の変形量測定方法 | |
TW201007401A (en) | Substrate expansion and contraction conditions display device, method for displaying substrate expansion and contraction conditions, and information recording medium | |
JP2007225423A (ja) | 変位測定装置 | |
JPH08167571A (ja) | 位置検出装置及び位置合せ装置 | |
TWI278047B (en) | Offset measuring mechanism and offset measuring method in a bonding apparatus | |
JP2009299241A (ja) | 身体寸法測定装置 | |
CN114494460A (zh) | 标定方法、多相机探针装置及飞针测试机 | |
JP2014060621A (ja) | 光学部品位置合わせ装置 | |
JP4264403B2 (ja) | ボンディング装置 | |
JP2000077502A (ja) | 電子部品検査装置及び電子部品検査方法 | |
JP4264404B2 (ja) | ボンディング装置 | |
JP2011055084A (ja) | 撮像装置及び電子機器 | |
TW202142834A (zh) | 應變量測方法及應變量測裝置 | |
TWI674422B (zh) | 非接觸式光學量測方法與系統 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |