TW504773B - MOCVD method of tantalum oxide film - Google Patents

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Kazuhide Hasebe
Yuichiro Morozumi
Dong-Kyun Choi
Takuya Sugawara
Seiji Inumiya
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Description

504773 A7 B7 五、發明說明（i) 發明背景 本發明係有關於一種半導體處理系統中之钽氧化膜之 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)方 法，更詳而言之，即，係有關於一種形成半導體元件之閘 極絶緣膜或電谷器之絶緣膜之技術。又，於此，所謂的半 導體處理係意指藉著以預定圖案於半導體晶圓4LCD基板 專之被處理基板上形成半導體層、絶緣層、導電層等，以 製造包含有於該被處理基板上之半導體元件及與該半導體 元件相接續之配線、電極等之構造物所實施之種種處理。 於製造半導體元件時，通常是對半導體晶圓反覆的進 行成膜處理及圖案蝕刻處理。又，伴隨著半導體元件朝向 高密度化及高集積化發展，對成膜處理的要求也愈趨嚴 格’即，諸如要求須比電容器之絶緣膜或閘極絶緣膜等極 薄之氧化膜更薄及具更高之絶緣性等。 又，在過去通常是以矽氧化膜或矽氮化膜等作為絶緣 膜，但最近則開始使用絶緣特性更良好之材料作為絶緣 膜，即，金屬氧化膜（諸如钽氧化膜Ta2〇5 )。又，該金屬 氧化膜之成膜則可藉MOCVD法，即，將有機金屬化合物氣 相化而成膜。 以MOCVD法形成鈕氧化膜時，通常是使用鈕之金屬醇 鹽，即諸如Ta ( OC2H5 )5(六乙氧基钽：PET)作為原 料液。原料液則係以氮氣等使其彿騰，或以於氣化溫度之 氣化器使其氣化後，以氣體狀態供給至被設定於真空氣氛 之處理室内，然後，於加熱於預定處理溫度之半導體晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I · ί ϋ ϋ n ϋ ϋ n ίηο, · «I n n ·1 n n ϋ I I I n n I I n ϋ n ϋ n n n ϋ I d 1 n i n <i -4- 504773
五、發明說明（2) 表面上分解，即於晶圓表面上形成鈕氧化膜Ta205。 近年來，對鈕氧化膜之膜厚的要求已達1〇ηπι非常薄的 程度。但由於成膜溫度於6〇〇°c時，鈕氧化膜之成膜速率為 150nm/min ’因此，為了能精度良好的堆積出膜厚10nm之 麵氧化膜’成膜溫度就須降到4〇〇°c，以使成膜速率下降。 但如此一來本發明者們就發現到以下之問題，即：於上述 條件下形成之鈕氧化膜，其表面會產生凹凸之現象，即表 面粗糖度變高且表面形態惡化，因此，將導致膜之電氣特 性惡化。 本發明之要點 本發明之目的係提供一種可形成極薄之组氧化膜之 MOCVD方法，且形成之鈕氧化膜，其膜厚之控制性高，膜 之電氣特性良好。 本發明之第一觀點係提供一種叙氧化膜之Mocvd方 法，其係用以於置於半導體處理系統之氣密處理容器内之 被處理基板上形成钽氧化膜者，包含有以下步驟，即：一 準備步驟，係供準備第1、第2材料與第3、第4材料者，該 第1及第2材料係分別由氧化劑及有機鈕，或有機鈕及氧化 劑所構成者，該第3及第4材料則係分別由氧化劑及有機 组’或有機鈕及氧化劑所構成者；一吸着步驟，係形成使 該第1材料被吸着於該處理容器内之該被處理基板表面上 之狀態者；一第1層形成步驟，係將該第2材料以氣體狀態 供給至該處理容器内，與吸着於該被處理基板表面之該第1 材料反應’以於該被處理基板上形成由组氧化物所構成之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504773ΙΊ
、發明說明（3) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 第1層者；又，於該第1層形成步 取，驟中，該破處理基板係被 設定於20(TC〜35(TC ;及_第2層形成步驟係於該第】層 形成步驟後’將該第3及第4材料以氣體狀態供給至該處理 容器内’使其於該被處理基板上相互反應，以於該第】層上 形成由鈕氧化物所構成之第2屉I.” ^ x 取 < 乐2層者，又，前述鈕氧化膜係包 S有該第1層及第2層者。 本發明之第一觀點係提供一種鈕氧化膜之m〇cvd方 法，其係用以於半導體處理系統之氣密處理容器内之被處 理基板上形成鈕氧化膜者，包含有以下步驟，即：一準備 步驟，係供準備第1、第2材料與第3、第4材料者，該第J 及第2材料係分別由氧化劑及有機鈕，或有機鈕及氧化劑所 構成者，該第3及第4材料係分別由氧化劑及有機钽，或有 機鈕及氧化劑所構成者；一吸着步驟，係以氣體狀態將該 苐1材料供給至該處理容器内，使其吸着於該被處理基板之 表面者；一清洗步驟，係於該吸着步驟後，以惰性氣體清 洗該處理容器内，以將該第】材料由該處理容器内之氣體環 境中去除者；一第1層形成步驟，係於清洗步驟後，將該第 2材料以氣體狀態供給至該處理容器内，與吸着於該被處理 基板表面之該第1材料反應，以於該被處理基板上形成由钽 氧化物所構成之第1層者；又，於該第〗層形成步驟中，該 被處理基板係則設定於2〇〇°c〜35(TC ;及一第2層形成步 驟’係於該第1層形成步驟後，以氣體狀態將該第3及第4 材料供給至該處理容器内，使其於該被處理基板上相互反 應，以於該第1層上形成由钽氧化物所構成之第2層者；又， -6 -
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五、發明說明（4)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於該第2層形成步驟中，該第3及第4材料係分別由不同之噴 嘴同時供給至該處理容器内，而，前述组氧化膜則係包含 有該第1層及第2層者。 ▲如前述第-及第二觀點中之實施態樣，其中該使用於 刖述第3或第4材料中之氧化劑係較該使用於前述第t或第2 材料中之氧化劑氧化能力低者；又，該使用於前述第3或第 4材料中之有機鈕則係與該使用於前述第〗或第2材料中之 Φ 冑機鈕實質上為相同材料者；又，於前述第2層形成步驟 中，該被處理基板係設定於35〇。〇〜5〇〇。〇。 前述有機鈕可使用PET (六乙氧基钽：Ta(〇C2H5) 5 ) ° 又’則述使用於第1或第2材料中之氧化劑可由下列所 構成之群中擇一，即：H20、H2〇2、03、氧游離基（〇)、 &與〇2之混合物、Ha與Νβ之混合物、：》2與>^0之混合物、 NH3與〇2之混合物、〇3與^之混合物。 又，前述使用於該第3或第4材料中之氧化劑可由〇2、 03、H20所構成之群中擇一。 圖面之簡單說明 圖1係顯示本發明之實施形態之批次式縱型M0CVD裝 置之斷面圖。 圖2係顯示本發明之第1實施形態之鈕氧化膜之 M0CVD方法之時間流程圖。 圖3 A、B、C係顯示該第1實施形態之鈕氧化膜之 M0CVD方法之各步驟斷面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — —I,. _ I I I I I I I I I I I 1 I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 504773 A7 B7 五、發明說明（5 ) 圖4係顯示本發明之第2實施形態之钽氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。 圖5係顯示本發明之第3實施形態之钽氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。 圖6係顯示本發明之第4實施形態之钽氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。 圖7係顯示本發明之第5實施形態之钽氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。 圖8係顯示本發明之第6實施形態之钽氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。 圖9A、B、C係顯示以本發明之實施形態之MOCVD 方法形成Μ I M ( Metal Insulator Metal )構造之電容器中 之钽氧化物所構成之絶緣膜之各步驟斷面圖。 圖10係顯示使用鈕氧化膜作為閘極絶緣膜之電晶體之 斷面圖。 圖11係顯示鈕氧化膜之成膜速率與育成（incubati〇n) 時間之關係圖。 圖12 A、B係顯示習知之鈕氧化膜之MOCVD方法之各 步驟斷面圖。 圖13A、B、C係顯示以習知之MOCVD方法形成！^ ! M ( Metallnsulator Metal )構造之電容器中之鈕氧化物所 構成之絶緣膜之各步驟斷面圖。 圖14係顯示本發明之第7實施形態之鈕氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i - ·丨—丨 — 丨—訂·ί 丨 — I — _ - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 504773 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6) 本發明之詳細說明 本發明者們，致力於研究成膜溫度4〇〇。(：時，鈕氧化膜 之表面粗糙度變高及表面形態惡化之原因，發現如下： 圖11係顯示钽氧化膜之成膜速率與育成（incubation) 時間之關係圖。於此所謂的育成（incubati〇n )時間係意指 於成膜階段初期，雖有有機鈕氣體及氧化之氣體流動，但 膜（鈕氧化膜）尚未堆積成之期間。组氧化膜之成膜速率 | 與育成（incubation )時間之關係係如圖丨丨所示，於成膜溫 度低時，成膜速率低，即膜厚控制性高，但育成（incubati〇n ) 時間則有增加之傾向。 圖12A、B係顯示習知之鈕氧化膜之]viOCVD方法之各 步驟斷面圖。 如圖12 A所示，於由諸如矽基板等所構成之半導體晶 圓W之表面上，配設有一底層6。該底層6係由矽氧化物 (SiOx )、矽氮化物（siNx )或兩者的混合物（si〇xNy ) 所構成者。又，該底層6之功用係用來將形成於其上之鈕氧 化膜之界面準位密度限定於預定之範圍内，以謀求與矽面 之整合。 如圖12A所示，於育成期間，晶圓w之底層6之表面會 先形成一處於分散狀態之非晶質狀態之Ta2〇5之種14,隨著 育成時間的經過，種14將會以其為中心而成長成膜，即如 圖12B所示，形成一钽氧化膜8。此時由於反映前述處於分 散狀態之種14之凹凸狀態，故鈕氧化膜8之表面將會形成大 的凹凸。又，由於種14之尺寸會比於育成時間時略大，故 — — IIIIIIIIII1 -III — — — — ^ ·111!11« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504773 A7 B7 五、發明說明（7) 於400°C之低溫下，鉅氧化膜8—堆積，表面之凹凸將變大。 一產生凹凸之現象，將使钽氧化膜8之膜厚有厚有薄， 諸如膜厚之厚的部份H1為10nm，薄的部份H2則為3nm。因 此，一旦使用此膜作為半導體元件之閘極絶緣膜或電容器 絶緣膜時’膜厚薄的部份會產生較大的電界集中，即產生 遠大於原先設計值之漏電流。 圖13 A、B、C係顯示以習知之MOCVD方法形成μ I M (Metal Insulator Metal)構造之電容器中之鈕氧化物所 構成之絶緣膜之各步驟斷面圖。 如圖13 A所示，諸如於由Si〇2所構成之層間絶緣膜5 上，配没有一電容器之諸如由釕（RU )所構成之下部電極 3。下部電極3係經由諸如由嫣所構成之插塞（) 7而接 續至下方之擴散層（圖中未示）。又，下部電極3亦可以 SiN膜等堆積於摻雜多晶矽上，以作為反應防止層。 如圖13B所示，將钽氧化膜8堆積於下部電極3及層間 絶緣膜5上，以作為電容器絶緣膜時，由於前述育成時間的 緣故，因此，成膜於由Si〇2所構成之層間絶緣膜5之時間將 較成膜於由釕所構成之下部電極3上之時間相差七分鐘，導 致鈕氧化膜8成長成島狀，即有部份較薄。特別是於下部電 極3與層間絶緣膜5之交界部份之鈕氧化膜8，將發生凹部9 之現象。 如圖13C所示，進而，於鈕氧化膜8上形成電容器之諸 如由釕所構成之上部電極11，即以上部電極u材料將凹部9 覆篕。於此構造中，一外加電壓於電極3、“間，由於於上 1 n n if n I · n 1 n n n 1^aJ· n n n n >1 ·1 ϋ I ti ·1 I n i· n I ϋ I ml t— ί ϋ n n n 1 I n n · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-10- 504773 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（8) 述凹部9發生電界集中之現象，故將導致元件之電氣特性惡 化。 以下係參照圖面詳細說明本發明之實施形態。又，於 以下說明中，關於大略具有相同機能及構造之構成要素， 均以同一符號表示，只要在必要時才進行重複說明。 圖1係顯示本發明之實施形態之批次式縱型MOCVD裝 置之斷面圖。 > 如圖1所示，該MOCVD裝置係包含有一構造成有蓋之 圓筒體狀之石英製處理容器，即一處理室2〇。作為處理室 之處理容器20之下端部係開放形成有一開口部22，其外周 則係配設有一接合用凸緣24。處理容器20則係藉著於其四 周環繞之圓筒體狀之斷熱材28，而形成一加熱爐。又，該 斷熱材之内侧配設有作為加熱構件之加熱器26。 於處理容器20之下部侧壁處，貫通配設有四個喷嘴 30、32、34、35。喷嘴30係用以導入原粒氣體，喷嘴32係 丨用以導入氧化劑及改質用氣體，噴嘴34係用以導入被使用 作為其他氧化劑之氧氣，喷嘴35則係用以選擇性的導入惰 性氣體N2及Ar氣者。又，喷嘴30、32、34、35係沿著處理 谷器20之側壁而延伸至頂蓋處，一面分別調節各喷嘴之流 -量，一面由頂蓋處喷出。 於本發明之第1實施形態之组氧化膜之MQCVD方法 中，原料氣體（成膜氣體）係由有機钽所構成，即諸如ρ ΕΤ (六乙氧基鈕：Ta(OC2H5)5),氧化劑則由η2〇 (水 蒸氣）所構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） -----------------I I--^« — — — 1 — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11- 504773 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9) 於處理容器20之下部側壁，形成有用以排出處理容器 20内之氣氛之較大口徑之排氣口 36。含有排氣幫浦之排氣 系統（圖中未示）則接續至排氣口 36。處理容器20之凸緣 24則係藉諸如不鏽鋼製之支承板38而支持，以保持處理容 器20之全體。 處理容器20之下端部之開口部22可藉著諸如潛水式之 電梯之昇降機構40而昇降，以將石英製之蓋子42 (cap)開 閉。於蓋子42上，則經由保溫筒46載置有一石英製之晶舟 44，該晶舟44係用以於預定之距離，多段載置有複數之半 導體晶圓W。於晶舟44中可載置諸如8寸晶圓5〇〜1〇〇枚左 右。晶舟44則係藉著蓋子42之昇降而可於處理容器2〇内進 行負載或載之動作。 以下係參照圖1至圖3 C，說明以上述構造之成膜裝置 進行本發明之第1實施形態之叙氧化膜之MOCVD方法。 首先將昇降機構40下降於載狀態中，將未處理之半 導體晶圓W多段的載置於晶舟44上。又，其中該晶圓w已 形成有圖12 A、B中所示之底層6。該底層6則係由石夕氧化物 (SiOx )、石夕氮化物（SiNx )或兩者.的混合物（Si〇xNy ) 所構成者。 然後’藉幵降機構40使蓋子42上昇，將支持有晶圓w 之晶舟44由開口部22朝處理容器20之内部負載。最後藉著 蓋子42將開口部22關閉，使處理容器2〇内呈密閉狀態（圖2 中之時間P1)。 然後’ 一面維持晶圓W於200 °C，一面將處理容器2〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） . .— — 1ιι!φ--------------^ — φ!,----,---Μ------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12·
五、發明說明（10) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 内及引至真空狀態，維持於預定壓力，諸如133Pa ( ITorr) (時間P2)。於此狀態下，進行氧化劑吸着步驟。於氧化 劑吸着步驟中，係首先由喷嘴32供給預定量，諸如1〇〇sccm 之水条氣’以作為氧化劑。此水蒸氣係由諸如燃燒室（圖 中未示）内’藉〇2燃燒&而產生。藉著上述水蒸氣的供給， 係如圖3A所示，各晶圓臂之底層6之表面大略均勻的附著 有非常微細的水滴48 (時間P3 )。 由氧化劑吸着步驟開始至時間P3，宜大約進行1秒〜3〇 分，其中又以30秒〜20分為佳，其間，係一直維持於上述 200 C溫度及133Pa之壓力下。水滴之脫離溫度為3〇(rc，故 選擇一吸着之水滴不會由晶圓W表面脫離之溫度。即，氧 化劑吸着步驟之溫度宜設定於2〇〇〜350 °C ,其中又以 200〜30〇t：為佳，諸如2〇〇°C。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於氧化劑吸着步驟完成後，即停止供給水蒸氣，然後， 開始供給氮氣至處理容器20内，或反覆的進行氮氣的供給 與排氣。藉此，以將殘存於處理容器20之氣氛中之水蒸氣 向外排出。以氮氣清洗後（時間P4)，開始進行界面層形 成步驟。於界面層形成步驟中，係使用 惰性氣體，諸如氮氣作為載體，以將預定量PET氣體持續 供給至時間P5。由於晶圓W之表面已經吸附有水滴48，故 供給之PET氣體將與水滴48相接觸，因此，即使於2〇〇之 低溫下，亦可使PET氣體活性化，變成容易分解，結果， 如圖3B所示，形成了數原子般厚度（約〇.lnm)之由鈕氣 化物（Ta2〇5)所構成之界面層50。此時之反應式係如下所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 504773 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（u) 述’即於反應中，產生了醇（C2H5〇H )。 2Ta ( 〇C2H5) 5+5H20—Ta2〇5+l〇 c2H5OH 个 此時’使用之處理條件如下：即，設定pET流量為 0.05ml/min、氮氣流體為i〇〇〇seem。處理容器内之壓力 為 〇.133Pa ( O.OOlTorr)〜i3300Pa ( lOOTorr)，其中又以 13.3〜133?&為佳，諸如設定於4〇]?8。晶圓貿之溫度為 200〜350 C，以200〜300°C為佳，諸如設定於2〇〇°c。此處 理宜大約進行諸如1〇秒〜3〇分，其中又以3〇秒〜2〇分為佳。 藉此’水滴48約消耗盡時，即形成界面層5〇。又，於第1 實施形態中，界面層50之厚度宜為〇1〜2〇nm，其中又以 〇·1〜l.Onm為佳，諸如設定於〇5nm。 於界面層形成步驟終了後（時間P5)，為了使成膜速 率上升’故將晶圓W之溫度昇溫至諸如41 〇°c (時間P6 )， 然後’進行本層形成步驟。於本層形成步驟中，由於係於 較高的處理溫度下供給PET氣體及氧氣，故將以較界面層 形成步驟高之成膜速率，形成如圖3C所示之由鈕氣化物 (Ta2〇5 )所構成之本層51。又，於本層形成步驟中使用之 氧化劑（氧氣），係較於界面層形成步驟中使用之氧化劑 (HA)氧化能力低者。又，此時之反應式如下： 4Ta ( OC2H5) 5+502—2Ta205+20 C2H50 个 此時，使用之處理條件如下：即，設定pET流量為 0·05〜5.0ml/min、氧氣流體為i〇〇〇sccin。處理容器20内之 壓力為 1.33Pa ( 〇·〇 1 T〇rr )〜665Pa ( 5Torr )，其中又以 13·3〜133Pa為佳，諸如設定於4〇pa。晶圓w之溫度為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
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發明說明（ 12> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 350〜500°C，以350〜45(TC為佳，諸如設定於41(TC。又， 本層形成步驟開始至時間P7，宜大約進行諸如60秒，即形 成厚度共10nm之短氧化膜52。 於本層形成步驟終了後（時間p7 )，將晶圓W降溫至. 預定之操作溫度（時間P8 )。然後，將處理容器2〇内恢復 成常壓，由處理容器20内將晶圓w與晶舟44一同卸載。 如上所示，於本層形成步驟之前先於界面層形成步驟 中，形成薄且均勻之由Ta2〇5膜所構成之界面層50。因此， 由Ta2〇5膜所構成之本層51將能均勻地堆積於晶圓w表 面’厚度不會有任何傾斜。又，由於於本層形成步驟之過 程中之溫度，並無特別的高，故成膜速率不會過大。因此， 可良好的控制鈕氧化膜52於非常薄之程度（10ηπι)，且表 面不會產生凹凸之現象，可形成厚度均勻之膜。 於第1實施形態中，係分別進行了 一回氧化劑吸着步驟 (時間Ρ2-時間Ρ3 ) 、Ν2清洗步驟（時間Ρ3-時間Ρ4 )及界 面層形成步驟（時間Ρ4-時間Ρ5 )。如為了確保界面層5〇 之形成，可反覆進行時間Ρ2-時間Ρ5之一連串連續步驟。諸 如反覆進行五回Ρ2-Ρ5後，再進行時間Ρ5-時間Ρ6之昇溫步 驟。又，於由時間Ρ5朝時間Ρ2進行時，亦可進行於處理容 器20内之&清洗及/或真空吸引（圖中未示）。 又，於第1實施形態中各氣體之流量、過程之溫度、過 程之壓力等只是單純的列舉一例。又，於第1實施形態，為 形成界面層50，係於氧化劑吸着步驟中使用水蒸氣（η2〇 ) 作為氧化劑，但亦可使用其他之氧化劑。於氧化劑吸着步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ΙΙΙΙΙΙΙΙΙΙΙΙ — - I I I I I I I « — — — — — — — 1 f請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁} -15- 13; 五、發明說明（ 驟中所使用之氧# λ1μ 1丄 氣化以可由下列所構成之群中擇一，即： :Η2〇2'〇3、氧游離基(〇”、仏與〇2之混合物、Η2 〇、物、H#NGu合物、ΝΗ^以合物、 使3用V作：广χ’於第1實施形態，為形成本層51係 赤牛驟2Φ #]’但亦可使用其他之氧化劑。於本層形 =驟中所㈣之氧化劑可㈣2、〇3、η颇構成之群中 使用過氧化氫水（Η2〇2)作為於氧化劑吸着步驟中所 使用之氧化劑時，過氧化氫水之細微液滴會如圖3Α中之水 ㈣般均句地附着於晶圓表面。此附着之過氧化氫水之液 滴與ΡΕΤ反應，將形成膜厚均勻之薄界面層51(圖3Β)。 訂 圖4係顯示本發明之第2實施形態之鈕氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。第2實施形態與第！實施形態之 不同處為：於氧化劑吸着步驟中係使用臭氧作為氧化劑。 於第2實施形態中之時間ρ2_時間ρ3之氧化劑吸着步驟，係 於晶圓W收容於處理容器2〇内之狀態下，流入臭氧於處理 备器20内，使氣氛中充滿臭氧。又，於圖4之時間流程圖， 係除了於時間Ρ2-時間Ρ3間以臭氧取代η2〇外，其餘皆與圖 2之時間流程圖相同。 依第2實施形態，藉氧化劑吸着步驟，可使晶圓w之表 面均勻附着有於分子狀態之臭氧。然後，藉n2清洗以排除 殘留臭氧（時間P3)，進而，供給ΡΕτ氣體。藉此，使pet 氣體與臭氧反應，即形成膜厚均勻之Ta2〇5之薄界面層5〇 (圖3B)。即，於第2實施形態中亦可發揮與第1實施形態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G x 297公髮 -16 - 504773
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相同之効果。又，於第2實施形態中亦可反覆的連續進行複 數回時間P2-時間P5間之一連串步驟。 圖5係顯示本發明之第3實施形態之鈕氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。第3實施形態與第1及第2實施 形態之不同處為：於晶圓W負載於處理容器20内之前，先 進行氧化劑吸着步驟。於第3實施形態中係以晶圓w表面附 着有水分之狀態而負載於處理容器2〇内。此時，由於晶圓 表面已附着有水分，故於處理容器2〇内之真空吸引終了 後’即可由時間P2立刻至時間P4，開始界面層形成步驟， 供給PET。諸如，可於晶圓置入處理容器2〇内前，先以洗 淨水洗淨，即具有氧化劑吸着步驟之作用。藉此，於圖2 中，可省略時間P2〜至時間P4之時間，使生產量提升。 圖6係顯示本發明之第4實施形態之鈕氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。於第4實施形態中係將第丨實施 形態中之原料氣體與氧化氧體之供給順序顛倒。於第4實施 形態中’首先於時間P2至時間P3間，供給原料氧體pet至 處理容器20内，然後進行原料氧體吸着步驟。接著，於時 間P4至時間P5間，供給氧化劑，諸如水蒸氣至處 理容器20内’再進行界面層形成步驟。又，於圖6中所示之 時間流程圖’除上述供給氣體之順序改變外，其餘皆與圖2 中所示之時間流程圖相同。 於第4實施形態中，可藉著於時間”至時間？3間，流入 PET氣體，而使PET氣體大略均勻的附着於晶圓表面之全 面。然後，此附着之PET氣體係藉著於時間p4至時間p5間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
I _ I ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *1^ · --線· -17- 504773 五、發明說明（ 15>
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 間流動之氧化劑而氧化，而形成膜厚均一之薄界面層。因 此，於第4實施形態中亦可良好的控制鈕氧化膜52於非常薄 之程度（10nm)，且表面不會產生凹凸之現象，可形成均 勻厚度之膜。又，於第4實施形態中亦可反覆的連續進行複 數回時間P2-時間P5間之一連串步驟。 於第1至第4實施形態中，本層形成步驟之溫度係設定 為較氧化劑吸着步驟（或原料氣體吸着步驟）、界面層形 成步驟之溫度較南之溫度。但藉著適當選擇原料氧體或氧 化劑，氧化劑吸着步驟（或原料氣體吸着步驟）、界面層 形成步驟之溫度亦可設定為與本層形成步驟之溫度相同之 溫度。藉此，則可省略時間P5-時間P6之昇溫操作步驟。 於第1至第4實施形態中，於界面層形成步驟，係使用 氮體作為PET氣體之載子氣體，但亦可使用其他之惰性氣 體’諸如He、Ne、Ar作為載子氣體。又，不僅可使用惰性 氣體作為載子氣體，亦可使用與本層形成步驟相同之氣體 種類，即氧氣。又，進而，並不限定須以PET作為鈕用之 原料，使用其他之有機钽亦可。 圖7係顯示本發明之第5實施形態之钽氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。第5實施形態之特徵為，係連 續钽氧化膜之成膜階段，而於同一處理容器20内連續的進 行鈕氧化膜之改質步驟及結晶化步驟。於圖7中，時間pi-時間P7係與圖2所示之第1實施形態中之各步驟相同。但， 亦可以圖4所示之第2實施形態、圖5所示之第3實施形態或 圖6所示之第4實施形態之時間P1-時間P7之各步驟取代上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .I1 ---^-------I ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線—. -18 - 504773 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 f 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（16) 述圖2所示之第1實施形態中之各步驟。 於鈕氧化膜之成膜階段終了後（時間P7 )，即停止供 給PET等，進行清洗。即，供給氮氣至處理容器2〇内，
JT 以將殘存於處理容器20之氣氛中之PET等原料氣體排出至 處理容器20外。此時，處理容器20内之溫度係與成膜階段 之最終步驟，諸如本層形成步驟之溫度相同，即維持於41〇 °C。然後，於&清洗終了後（時間P9)，進行改質步驟。 於改質步驟中所使用之改質氣體係可由下列所構成之 群中擇一者，臭氧（Os)、氧游離基（〇*)、札與匕之混 合物、Η:與N2〇之混合物、&與NO之混合物、NH3與〇2之 混合物、〇3與Hz之混合物。於改質處理時之處理溫度係可 維持组氧化物於非晶質狀態之結晶化以下之溫度。即，晶 圓W之溫度為3〇〇〜600°C，以400〜450t：為佳，諸如設定於 與本層形成步驟相同之410°C。藉此，藉進行預定時間，諸 如三分鐘之改質處理，即可以上述臭氧或氧游離基等，切 斷並使含於鈕氧化膜中之C-C結合或碳氫化合物脫離，以 修補膜中之缺陷。 於改質步驟終了後（時間P10)，藉著供給氮氣至處理 容器20内進行N2清洗，而將殘存於處理容器2〇之氣氛中之 臭氧專改質氟體排出至處理容器2〇外。然後，於n2清洗步 驟終了後（時間P11)，將晶圓溫度昇溫至鈕氧化物之結 日日化/皿度以上之溫度（時間p丨2 )，開始結晶化步驟。 於結晶化步驟中，晶圓w之溫度宜為5〇〇〜75〇〇c，其中 又以675〜750°C為佳，諸如設定於7〇〇t。於結晶化步驟 I— —III— * — — — — ^ « — — — — — III (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 504773 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（17) 中，係一面控制惰性氣體，諸如氮氣或氬氣之流量，一面 供給至處理容器20内。如此，藉進行預定時間，諸如三分 鐘之結晶化處理，即可使於非晶質狀態之鈕氧化膜結晶 化。又’於此步驟中，係於形成MIM( Metal Insulator Metal ) 構造時’使用惰性氣體，諸如氮氣或氬氣作為處理氣體， 但形成MIS (Metal Insulator Semiconductor)構造時，亦 可使用〇2、03作為處理氣體。 於結晶化步驟終了後（時間P13),係一面供給氮氣， 一面將晶圓W降溫至預定操作溫度，諸如200〇c (時間 P14)。然後，將處理容器2〇内恢復常壓後，將晶圓w與晶 舟44 一同由處理容器2〇内載。 依第5貫施形態，係接續鈕氧化膜之成膜階段，而於同 一處理容器内連續的進行改質步驟與結晶化步驟。藉此， 可使處理速度加快，使生產量大幅提升。 圖8係顯示本發明之第6實施形態之钽氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。第6實施形態與第5實施形態之 不同處為，於結晶化步驟後，再次進行鈕氧化膜之改質處 理。於第6實施形態中，於結晶化步驟終了後（時間pi3)， 並不降低晶圓溫度至操作溫度，㈣低至較高之改質溫度 (牯間P15 )。然後，維持於此溫度狀態，進行預定時間， | 諸如二分鐘之第2改質處理。此時之改質氣體係與先前之改 I f處理相同，諸如使用臭氧、氧化游離基或氧、氫之游離 I。又，於此第2改質步驟中，晶圓w之溫度係宜設定於 300〜500t：，其中又以4〇〇〜45〇c>c為佳諸㈣旳。 本紙張尺度翻+關家鮮（CNS)A4祕(21〇7i7^J----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· --訂----------線！ -20- 五、發明說明（18) 於第2改質步驟終了後（時間P16)，係一面停止臭氣 等之供給’一面供給氮體，使晶圓W降溫至預定之操作溫 度，諸如200°C (時間P17)。然後，於處理容器20内恢復 吊壓後’將晶圓w與晶舟44一同由處理容器2〇内卸載。 依第6實施形態，於钽氧化膜之結晶化後，進行第2改 質處理。藉此，可使於結晶化步驟與由鈕氧化膜脫離之不 純物相結合之黏着劑，與氣結合，使鈕氧化膜之電氣特性 提升。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
圖14係顯示本發明之第7實施形態之鈕氧化膜之 MOCVD方法之時間流程圖。帛7實施形態與第5及第6實施 形態之不同處為，雖然是接續鈕氣化膜之成膜階段，於同 一處理容器内進行鈕氧化膜之改質處理，但卻不進行結晶 化步驟。即，於第7實施形態中，於钽氣化膜之成膜階段終 了（時間P7)且乂清洗步驟後，只進行改質步驟。於改質 步驟中之改質氣體、處理溫度及處理時間等處理條件係已 於第5實施形態中敍述。 於改質步驟終了後（時間P10)，係一面停止臭氣等之 供給，一面供給氮體，使晶圓W降溫至預定之操作溫度， 諸如200 C (時間P11)。然後，於處理容器2〇内恢復常塵 後，將晶圓W與晶舟44 一同由處理容器2〇内卸載。 依第7實施形態，可將叙氧化膜於維持於非晶質狀熊 下，進行组氧化膜之改質。藉此，可提供一具優良電氣特 随之非晶質组氧化膜。 又，於第〗至第7實施形態中，係將晶圓對處理容器“ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϊ Μ —-----^---------線· -I I I -
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 , 297公釐 -If — . -21 A7
/ό 五、發明說明（19) 負載及卸載時之溫度，設定為200T：。但，此溫度並不限於 上述200°C，亦可於2〇〇〜35(TC之範圍内。 圖9A、B、C係顯示以本發明之實施形態之MOCVD 方法形成MlM( Metal Insulator Metal )構造之電容器中 之紐氧化物所構成之絶緣膜之各步驟斷面圖。 如圖9A所示，諸如於由si〇2所構成之層間絶緣膜$ 上，配設有一電容器之諸如由釕（Ru)所構成之下部電極 3。下部電極3則係經由諸如由鎢所構成之插塞（plug ) 7 而接續至下方之擴散層（圖中未示）。 如圖9B所示，於下部電極3及層間絶緣膜$上堆積鈕氧 化膜52 ’以作為電容器絶緣膜。此時，係使用第1至第7實 施形態，如圖3A〜C所示，首先藉界面層形成步驟堆積界面 層50，然後，藉本層形成步驟，堆積本層51，而形成鈕氧 化膜52。接著，如圖9C所示，於鈕氧化膜52上，形成上部 電極11。 形成紐氧化膜52時，由於先堆積有界面層5〇,故解決 了育成時間，即成膜時間慢之問題。因此，可於下部電極3 及層間絶緣膜5上堆積同等厚度之鈕氧化膜52。即，可形成 厚度均一之钽氧化膜52。因此，即使於圖9C所示之元件之 兩電極3、11間施加電壓，因不會產生圖13A〜C*之凹部9 , 故可得到高的電氣特性。 又，於鈕氧化膜成膜後，藉於同一處理容器内連續的 進行膜之改質及結晶化，而可提高生產量，進而提高鈕氧 化膜之電氣特性。又，圖9C所示之電容器為MIM構造，但 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
---------訂-I It n n n n I I ^ — ----“---Ί--------------- -22· 504773 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（20) 本發明亦可適用於形成MIS構造之電容器絶緣膜時。 圖10係顯示使用鈕氧化膜作為閘極絶緣膜之電晶體之 斷面圖。本發明亦可適用於形成閘極氧化膜時。 如圖10所示，於由諸如矽基板等所構成之半導體晶圓 w之表面上，首先形成源極2及汲極4。然後，於源極2及汲 極4之間之表面上依序積層底層6、具有閘極絶緣膜功能之 組氧化膜52、障壁金屬層1〇及閘極電極12。該底層6則係由 > 矽氧化物（SiOx )、矽氮化物（SiNx )或兩者的混合物 (SiOxNy )所構成者。該障壁金屬層1 〇則諸如由TiN所構 成，係用以防止钽氧化膜52與閘極電極間之化學反應。閘 極電極12則由鋁或鎢所構成。 形成鈕氧化膜52時，係使用第1至第7實施形態之方 法，如圖3A〜C所示，首先藉界面層形成步驟堆積界面層 5〇，然後，藉本層形成步驟，堆積本層51。藉此，可解決 了育成時間，即成膜時間慢之問題，形成厚度均一之組氧 化膜52。 又，本發明亦可適用於處理容器為二層管構造之批次 式之MOCVD裝置。又’本發明亦可適用於單片式之m〇cvD 裝置。又，本發明亦可適用於半導體晶圓以外之被處理基 板，諸如LCD基板、玻璃基板等。 以上貫施形態’目的只在說明本發明之技術内容而 已’當不能以此具體例對本發明作狹義之解釋，即，只要 是合於本發明之精神及於以下申請專利範圍所述之範圍 内，均可做種種之變更。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -------------· I I-----^ · I I I--I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 504773 A7 B7 五、發明說明（21) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 符號說明 H1··.膜厚較厚之部份 26···加熱器 H2...膜厚較薄之部份 28...斷熱材 "W…晶圓 30...噴嘴 2...源極 32…喷嘴 3…下部電極 34…喷嘴 4...汲極 35…喷嘴 5...層間緣緣膜 36···排氣口 6…底層 3 8...支承板 7...插塞 40...昇降機構 8...鈕氧化膜 42...蓋子 9··.凹部 44…晶舟 10...障壁金屬層 46·.·保溫筒 11…上部電極 48...水滴 12...閘極電極 50…界面層 14···種 51…本層 20···處理室 52…钽氧化膜 22…開口部 24…凸緣 n n n n I 1 n —1 n I · n n n n n n 一-0▼ · n If n ϋ 1 n I β·β··.ι· ·β i····™· e.™ ·β Ο·····™ ββ ββ ·β ee _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24-

Claims (1)

  1. 504773 έΐ S_ 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1· 一種钽氧化膜之MOCVD方法，其係用以於置於半導體 處理系統之氣密處理容器内之被處理基板上形成钽氧 化膜者，包含有以下步驟，即： 一準備步驟，係供準備第1、第2材料與第3、第4材料者， 該第1及第2材料係分別由氧化劑及有機鈕，或有機鈕及 氧化劑所構成者，該第3及第4材料則係分別由氧化劑及 有機钽，或有機鈕及氧化劑所構成者； 一吸着步驟’係形成使該第1材料被吸着於該處理容器 内之該被處理基板表面上之狀態者； 一第1層形成步驟，係將該第2材料以氣體狀態供給至該 處理谷器内’與吸着於該被處理基板表面之該第1材料 反應，以於該被處理基板上形成由组氧化物所構成之第 1層者；又，於該第1層形成步驟中，該被處理基板係被 設定於200°C〜350°C ;及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一第2層形成步驟，係於該第1層形成步驟後，將該第3 及第4材料以氣體狀態供給至該處理容器内，使其於該 被處理基板上相互反應，以於該第1層上形成由鈕氧化 物所構成之第2層者；又，前述钽氧化膜係包含有該第i 層及第2層者。 2. 如申請專利範圍第1項之钽氧化膜之m〇CVD方法，其中 該吸着步驟係以氣體狀態將該第1材料供給至該處理容 器内’使其吸着於該被處理基板之表面者。 3. 如申請專利範圍第2項之钽氧化膜之MOCVD方法，其 並於該吸着步驟後具有一去除步驟，藉惰性氣體清洗該 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） / / λ / / λ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 處理合益内，以將該第i材料由該處理容器内之氣氛中去 除。 4.如申請專利範圍第2項之组氧化膜之M0CVD方法，其中 該第1及第2材料係分別由不同之喷嘴供給至該處理容器 内。 5·如申明專利範圍第丨項之鈕氧化膜之方法，其中 錢用於前述第3或第4材料中之氧化劑係較該使用於前 述第1或第2材料中之氧化劑氧化能力低者；又，該使甩 於刖述第3或第4材料中之有機鈕則係與該使用於前述第 1或第2材料中之有機鈕實質上為相同材料者；又，於前 述第2層形成步驟中，該被處理基板係設定於35(rc〜5〇〇 t：。 6·如申凊專利範圍第1項之鈕氧化膜之MOCVD方法，其中 該第2層形成步驟中之該第3及第4材料係分別由不同之 噴嘴同時供給至該處理容器内者。 7·如申請專利範圍第1項之钽氧化膜之MOCVD方法，其中 該使用於第1或第2材料中之氧化劑係由下列所構成之群 中擇一者，即：Η20、Η202、〇3、氧游離基、112與〇2之 混合物、Η2與乂0之混合物、&與NO之混合物、ΝΗ3與 〇2之混合物、〇3與Η2之混合物。 8·如申請專利範圍第5項之钽氧化膜之MOCVD方法，其中 該使用於該第3或第4材料中之氧化劑係由02、〇3、η2〇 所構成之群中擇一者。 9·如申請專利範圍第1項之钽氧化膜之MOCVD方法，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -----------襄i!丨丨—訂I! 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -26- 504773 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印彻衣 六、申請專利範圍 該吸着步驟係於將該被處理基板置入該處理容器前，先 對該被處理基板施予水份，以使由該氧化劑所構成之該 第1材料吸着於該被處理基板表面者。 10·如申請專利範圍第1項之钽氧化膜之MOCVD方法，其 並於該第2層形成步驟後具有一改質步驟，以於該處理容 器内將該第1及第2層加以改質，又，於該改質步驟中， 則係將該被處理基板設定於300°C〜600。(：。 11·如申請專利範圍第10項之鈕氧化膜之MOCVD方法，其 並於該改質步驟後具有一結晶化步驟，以於該處理容器 内將該第1及第2層結晶化，又，於該結晶化步驟中，則 係將該被處理基板設定於5〇〇eC〜750。(：。 12·如申請專利範圍第11項之鈕氧化膜之MOCVD方法，其 並於該結晶化步驟後具有一第2改質步驟，以於該處理容 器内進一步將該第1及第2層加以改質，又，於該第2改質 步驟中，則係將該被處理基板設定於3〇(rc〜6〇〇c>c。 13·如申請專利範圍第2項之钽氧化膜之MOCVD方法，其、 中該第1材料與該第3材料係實質上為相同材料，且該第2 材料與該第4材料亦係實質上為相同材料者；又，該第2 層形成步驟實質上係反覆的進行該吸着步驟及該第1層 形成步驟者。 I4·如申請專利範圍第1項之鈕氧化膜之MOCVD方法，其 中該第1層係形成於該被處理基板上之下部層上者，而該 下°卩層則係具備有一實質上由矽氧化物或矽氮化物、或 兩者之混合物所構成之表面者。 本紙張尺度適財關_咖x 297公髮）--J ---— ι!1ί,^. — 通！ — I 画 ^^ !! — ！11!1 _ ___ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -27- 504773 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ΐ5· —種鈕氧化膜之M0CVD方法，其係用以於半導體處理 系統之氣密處理容器内之被處理基板上形成鈕氧化膜 者，包含有以下步驟，即： 一準備步驟，係供準備第丨、第2材料與第3、第4材料者， 該第1及第2材料係分別由氧化劑及有機鈕，或有機钽及 氧化劑所構成者，該第3及第4材料係分別由氧化劑及有 機鈕，或有機鈕及氧化劑所構成者； 一吸着步驟，係以氣體狀態將該第丨材料供給至該處理 容器内，使其吸着於該被處理基板之表面者； 一清洗步驟，係於該吸着步驟後，以惰性氣體清洗該處 理谷器内，以將該第1材料由該處理容器内之氣體環境 中去除者； 一第1層形成步驟，係於清洗步驟後，將該第2材料以氣 體狀態供給至該處理容器内，與吸着於該被處理基板表 面之該第1材料反應，以於該被處理基板上形成由鈕氧 化物所構成之第丨層者；又，於該第丨層形成步驟中，該 被處理基板係則設定於2〇〇°c〜350°c ;及 一第2層形成步驟，係於該第1層形成步驟後，以氣體狀 態將該第3及第4材料供給至該處理容器内，使其於該被 處理基板上相互反應，以於該第1層上形成由鈕氧化物 所構成之第2層者；又，於該第2層形成步驟中，該第3 及第4材料係分別由不同之喷嘴同時供給至該處理容器 内’而’前述鈕氧化膜則係包含有該第1層及第2層者。 16·如申請專利範圍第15項之钽氧化膜之MOCVD方法，其 本紙中關家鮮（CNSG4規格⑵0 χ 297公楚） !> t -----I I I ^--! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -28- 504773 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 中該使用於前述第3或第4材料中之氧化劑係較該使用於 前述第1或第2材料中之氧化劑氧化能力低者；又， 該使用於前述第3或第4材料中之有機鈕係與該使用於前 述第1或第2材料中之有機鈕實質上為相同材料者；又， 於前述第2層形成步驟中，則係將該被處理基板設定於 350°C 〜500°C。 17.如申請專利範圍第16項之鈕氧化膜2M〇cvd方法，其 中該使用於該第1或第2材料中之氧化劑係由下列所構成 之群中擇一者，H20、H202、〇3、氧游離基、私與…之 混合物、&與ΝζΟ之混合物、H2與NO之混合物、Nh3與 〇2之混合物、〇3與^12之混合物。 18·如申請專利範圍第17項之鈕氧化膜之MOCVD方法，其 中該使用於該第3或第4材料中之氧化劑係由〇2、〇3、H2〇 所構成之群中擇一者。 19·如申請專利範圍第15項之鈕氧化膜之m〇cvd方法，其 並於該第2層形成步驟後具有一改質步驟，以於該處理容 器内將該第1及第2層加以改質者，又，於該改質步驟中 則係將該被處理基板設定於3〇〇°c〜600。(：。 20.如申請專利範圍第19項之钽氧化膜之m〇cvD方法，其 並於該改質步驟後具有一結晶化步驟，該結晶化步驟係 用以於該處理容器内將該第丨及第2層結晶化者，又，於 該結晶化步驟中，則係將該被處理基板設定於5〇〇。〇〜75〇 t。 21·如申請專利範圍第20項之钽氧化膜之MOCVD方法，其 . Μ I I · 1 I---I — ^^-1! — ！, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -29- 504773 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 並於該結晶化步驟後具有一第2改質步驟，以於該處理容 器内進一步將該第1及第2層加以改質者，又，於該第2 改質步驟中，則係將該被處理基板設定於300°C〜600°C。 22·如申請專利範圍第15項之钽氧化膜之MOCVD方法，其 中該第1層係形成於該被處理基板上之下部層上者，而該 下部層則係具備有一實質上由矽氧化物或矽氮化物、或 兩者之混合物所構成之表面者。 ----!丨！ · 1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) T Φ0 •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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