KR100530008B1 - Ｒｕ 박막 증착방법 - Google Patents
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Abstract
Ru 박막이 증착되는 확산방지막을 활성화시키는 전처리 공정이 포함되는 Ru 박막 증착방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 방법은, 확산방지막 상에 Ru 박막을 증착하는 방법에 있어서, Ru 박막을 증착하기 전에 확산방지막을 팔라듐으로 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 핵생성에 필요한 인큐베이션 타임을 줄여 증착속도 개선효과가 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있고, 종래보다 비저항값이 작아져서 열처리 공정이 필요 없으므로 생산성이 향상되며, 우수한 표면거칠기를 얻을 수 있으므로 커패시터의 하부전극으로 사용되면 누설전류가 감소되고, 항복전압이 증가하여 전기적 특성이 좋아진다.
Description
본 발명은 Ru 박막 증착방법에 관한 것으로, 특히 Ru 박막이 증착되는 확산 방지막을 활성화시키는 전처리 공정이 포함되는 Ru 박막 증착방법에 관한 것이다.
종래의 유전박막으로는 차세대 메모리 소자에 적용하기에 한계가 있어 새로운 고유전박막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Ta2O5, PZT 및 BST 등이 바로 그것이다. 이에 따라 해당 고유전박막에 적합한 커패시터 전극물질로 반도체 대신에 대부분 금속을 사용하는데 3차원 구조에서의 전극으로 사용되는 금속으로는 Ru, Ir, Pt 등이 있다. 이 중에서도 반도체 소자의 집적회로 공정, 특히 유기금속 화학기상증착(Metallorganic Chemical Vapor Deposition, 이하 MOCVD라 한다.)법에 의해 형성된 Ru 박막은 우수한 전기전도성, 넓은 온도범위에서의 높은 안정성, 실리콘, 실리콘산화막 및 세라믹산화막과의 우수한 접착성을 갖는 것으로 알려졌다. 상술한 MOCVD에 의해 형성된 Ru 박막은 기가(Giga)급 컴퓨터의 메인 메모리인 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 및 FeRAM(Ferroelectic Random Access Memory)에서 커패시터의 전극 또는 배선으로 사용되고 있으며, 또한 실리콘이나 금속산화물과의 반응성이 거의 없기 때문에 실리콘, 산소의 배리어막(Barrier)으로도 이용이 가능하다.
MOCVD법에 의한 일반적인 Ru 박막의 증착은 다음과 같다.
Ru 소스의 일 예로서, 전구체인 Ru(Etcp)2를 기화시켜 아르곤과 같은 비활성 가스로 운반하고, 전구체의 리간드를 떼어내기 위한 산소와 같은 반응가스를 반응챔버로 공급함으로써 반응챔버 내에 미리 장입되어 있는 고온으로 가열된 기판 표면에서 반응이 일어나 Ru 박막이 증착된다. 여기서 리간드란 수용체에서 결합하는 분자를 말한다.
그런데, Ru 박막을 MOCVD법으로 TiN 박막상에 증착할 때에는, 핵생성 단계에서 인큐베이션 타임(Incubation Time)이 존재하여 공정상 많은 시간이 소요되는 단점이 있다. Ru 박막을 증착함에 있어서 면저항값은 시간에 따라 점점 증가해서 최대값을 이루다가 급격히 감소한다. 이는 잠복기 동안에는 산소에 노출된 TiN 기판이 산화되면서 면저항이 점점 증가하다가 잠복기가 지나고 Ru의 핵이 생성되기 시작하면서 면저항이 감소하는 것이라 해석할 수 있는데, 그 때의 시간을 인큐베이션 타임이라고 한다. 예를 들어, 메모리 소자의 축전기의 하부전극으로 사용될 수 있도록 Ru 박막을 두께 70nm 정도로 증착할 때, 인큐베이션 타임이 4∼15분 소요된다.
또한, Ru 박막을 MOCVD법으로 TiN 박막상에 증착할 때에는 전구체에서 분해된 Ru 흡착종들이 저온에서도 서로 뭉치기 때문에 거친 박막이 증착된다는 단점이 있다. 실제로 Ru 박막은 약 120nm 정도의 두께로 증착되었을 때, 표면거칠기(Root Mean Squar, RMS)가 32nm 정도로 매우 거칠게 나타난다.
상술한 바와 같이 핵생성 단계가 길어지면, 3차원적인 패턴에 채워 넣을 경우 단차도포성이 낮고 또한 거친 박막이 증착되어, 커패시터의 방전항복전압이 낮아지고, 누설전류를 크게 하여 커패시터의 전기적 특성이 좋지 않게 된다. 또한 증착시간이 길어지면 고가인 전구체의 양도 많이 소비되어 경제적으로 좋지 못하다.
상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 기술적 과제는 인큐베이션 타임을 짧게 하고, 표면거칠기 및 단차도포성을 양호하게 할 수 있는 Ru 박막 증착방법을 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 Ru 박막 증착방법은: TiN, TaN, TaSiN 및 TiAlN으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 확산방지막 상에 유기금속 화학기상증착법으로 Ru 박막을 증착함에 있어서,상기 Ru 박막을 증착하기 전에 상기 확산방지막을 팔라듐과 HF와 HCl의 혼합용액으로 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 때 상기 팔라듐으로 활성화시키는 단계 전에, 상기 확산방지막의 표면에 형성된 산화물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 Ru 박막을 증착할 수 있는 버블러 방식이 채용된 일반적인 MOCVD 장치를 설명하기 위한 개략도이고, 도 2는 도 1에 따른 장치를 이용하여 본 발명에 따른 Ru 박막 증착방법을 설명하기 위한 공정도이다.
먼저, 도 1을 참조하여 버블러 방식을 이용하는 일반적인 Ru 박막 증착방법에 대하여 설명한다.
도 1을 참조하면, Ru 박막을 증착할 수 있는 버블러 방식이 채용된 일반적인 MOCVD 장치는, 반응챔버, Ru 소스를 공급하는 버블러, 반응가스 공급라인 및 트랩부로 이루어진다.
반응챔버 내에는 확산방지막이 증착된 기판이 상부에 안착되게 되는 히터가 설치되어 있으며, 기화된 Ru 소스를 MOCVD 챔버 내로 공급하기 위한 샤워헤드가 설치되어 있다.
버블러는 캐니스터와, 캐니스터에 각각 연결된 버블링가스 공급라인 및 운반가스 공급라인으로 이루어진다.
캐니스터에는 Ru 소스인 Ru 전구체가 담겨 있으며, 히터가 설치된다. 그 Ru 전구체는 버블링가스 공급라인을 통하여 N2와 같은 버블링가스가 유입됨으로써 버블링된다. 버블링된 Ru 소스는, 유량제어기에 의해 조절되어 운반가스 공급라인을 통하여 캐니스터로 유입되는 Ar과 같은 운반가스에 의하여 MOCVD 챔버내로 유입된다.
반응가스 공급라인을 통해서는 Ru 소스와 반응하는 O2와 같은 반응가스가 유령제어기에 의해 조절되어 MOCVD 챔버내로 유입된다.
트랩부는 개폐용 밸브가 설치된 배관에 의하여 MOCVD 챔버와 연결되어, 박막증착공정 후 잔류하는 가스원료를 처리한다.
즉 Ru 전구체를 버블링시킨 다음 비활성 가스인 운반가스를 이용해서 반응챔버내로 유입시키고, 다른 경로를 통하여 반응가스를 반응챔버로 유입시킴으로써, 고온으로 가열된 확산방지막 상에서 반응가스와 Ru 소스가 반응을 일으키게 되어 Ru 박막이 증착되는 것이다. 이때, 확산방지막은 TiN, Ta, TaN, TaSiN 및 TiAlN 으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나가 사용되어 질 수 있다.
본 발명에 따른 Ru 박막 증착방법은, 상술한 공정을 실행하기 전에 확산방지막의 표면에 형성된 Ti 산화물을 제거하고, 팔라듐을 이용하여 확산방지막을 활성화시키는 단계를 실시하는 것을 특징으로 한다.
계속해서, 상술한 일반적인 Ru 박막 증착공정과 결부시켜 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.
MOCVD법을 이용하여 Ru 박막을 증착하는 조건은 다음과 같다. 전구체로는 Ru(EtCp)2를 사용하고, 기판으로는 TiCl4를 소스로 사용하여 확산방지막으로서 TiN이 증착된 온도가 280∼400℃인 기판이 사용된다. 운반가스는 100sccm의 유량으로 반응가스는 50sccm의 유량으로 각각 유입하며, 공정압력은 3Torr, 기본압력은 15mTorr로 설정하고, 반응가스 공급라인은 110℃, 버블러 히터의 온도는 110℃, 샤워헤드 온도는 120℃로 각각 설정한다.
도 2를 참조하면, 상술한 Ru 전구체와 반응가스를 유입하기 전에, 먼저 TiN 표면에 형성된 Ti 산화물을 제거하기 위하여 TiN이 증착된 기판을 초순수 100㎖와 HF 2㎖ 용액을 혼합하여 마련한 용액에 10분동안 담가놓는다. 다음에, 10초동안 초순수로 세정한다.
계속해서, 초순수 100㎖와 PdCl2 0.01g, 35% HCl 0.3㎖, 50% HF 0.5㎖ 용액을 혼합하여 마련한 용액에 20초동안 담가놓음으로써 TiN 박막을 활성화시킨다. 그다음에, 초순수로 TiN이 증착된 기판 표면을 깨끗이 세정한다.
이와 같이, 팔라듐으로 활성화된 TiN 박막 상에서 MOCVD 공정을 진행하여 Ru 박막을 증착하면, 핵생성 단계를 줄여 증착속도가 개선되고, 흡착종들의 표면 이동도를 줄이게 되어 보다 두꺼운 박막이 되었을 때도 보다 매끈한 박막이 계속해서 얻어질 수 있다.
한편, 본 발명의 방법은 상술한 버블러 방식 또는 샤워헤드 방식에만 적용되는 것이 아니고, 액체운송장치(Liquid Delivery System, LDS) 방식을 비롯한 모든 MOCVD 방식에 전처리 공정으로서 적용된다.
이어서, 상술한 조건으로 Ru 박막을 증착함에 있어서, 본 발명의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우와 종래의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우를 비교 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우와 종래의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우의 기판 온도에 따른 인큐베이션 타임의 변화를 나타낸 그래프들이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우는 기판의 온도에 상관없이 항상 종래보다 인큐베이션 타임이 짧아지는 것을 알 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우와 종래의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우의 기판온도에 따른 비저항값을 나타낸 그래프들이다. 특히 Ru 박막의 두께가 70nm가 되도록 Ru 박막을 증착한 경우의 비저항값이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우는 기판온도에 상관없이 항상 비저항값이 종래보다 더 작아지는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 경우는 고온에서 별도의 열처리 단계가 필요없게 된다.
도 5는 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우와 종래의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우의 기판 온도에 따른 핵생성 모습을 나타낸 SEM 사진들이다. 특히 박막의 두께가 700Å로 유지되고, 기판의 온도가 280℃, 320℃, 400℃인 경우의 SEM 사진들이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우는 기판의 온도에 상관없이 항상 핵생성이 종래보다 더 많음을 알 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우와 종래의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우의 핵생성 모습을 나타낸 SEM 사진들이다. 특히, 기판의 온도가 320℃로 유지되고, Ru 박막 증착시간이 O분, 3분, 5분인 경우의 SEM 사진들이다. 여기서 증착시간이 O분이란 종래의 기술에서는 아무것도 증착되지 않은 상태이고, 본 발명에서는 팔라듐으로 활성화 처리된 상태이다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우는 증착시간에 상관없이 항상 종래보다 핵생성이 많음을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 경우는 인큐베이션 타임이 짧아져서 증착속도가 크게 향상되고, 핵생성이 많아짐으로서 촉매효과가 있음을 알 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우와 종래의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우의 AFM사진들이다. 특히 기판의 온도가 320℃로 유지되고, Ru 박막 증착시간이 10분인 경우의 그에 따른 표면거칠기 값을 나타낸 AFM 사진들이다.
도 7를 참조하면, 증착된 Ru 박막의 두께를 보면 종래의 방법을 이용한 경우의 박막의 두께는 1280Å이고 본 발명의 방법을 이용한 경우의 Ru 박막의 두께는 1380Å이다. 여기서 종래의 방법을 이용한 경우의 박막의 두께와 본 발명의 방법을 이용한 경우의 박막의 두께가 다른 이유는, 본 발명에 따른 방법으로 Ru 박막을 증착하면 촉매효과가 있어서 증착속도가 빨라지므로 박막의 두께가 종래보다 두꺼워진 것이다. 일반적으로 두께가 두꺼울질수록 표면거칠기는 증가해서 표면거칠기를 비교할 때는 동일한 두께에서 비교해야 된다. 그러나 도 7를 참조하면, 본 발명의 방법을 이용하여 Ru 박막을 증착한 경우의 표면거칠기는 100Å이고, 종래의 방법을 이용하여 Ru 박막을 증착한 경우의 표면거칠기는 320Å이다. 따라서, 본 발명의 경우는 Ru 박막의 두께가 두꺼워도 종래보다 표면거칠기 값이 감소하여 매우 조밀한 표면입자로 균일한 층이 형성되어 있다는 것을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 Ru 박막 증착방법에 의하면, 초기 핵생성에 필요한 인큐베이션 타임을 줄여 증착속도 개선효과가 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 종래보다 비저항값이 작아져서 열처리 공정이 필요없으므로 생산성이 향상된다.
나아가, 우수한 표면거칠기를 얻을 수 있으므로, 커패시터의 하부전극으로 사용되면 누설전류가 감소되고, 항복전압이 증가하여 전기적 특성이 좋아진다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
도 1은 Ru 박막을 증착할 수 있는 버블러 방식이 채용된 일반적인 MOCVD 장치를 설명하기 위한 개략도;
도 2는 도 1에 따른 장치를 이용하여 본 발명의 실시예에 따른 Ru 박막 증착 방법을 설명하기 위한 공정도; 및
도 3 내지 도 7은 본 발명의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우와 종래의 방법으로 Ru 박막을 증착한 경우를 비교한 그래프와 SEM 및 AFM 사진들이다.
Claims (5)
- TiN, TaN, TaSiN 및 TiAlN으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 확산방지막 상에 유기금속 화학기상증착법으로 Ru 박막을 증착함에 있어서,상기 Ru 박막을 증착하기 전에 상기 확산방지막을 팔라듐과 HF와 HCl의 혼합용액으로 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ru 박막 증착방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 팔라듐으로 활성화시키는 단계 전에, 상기 확산방지막의 표면에 형성된 산화물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Ru 박막 증착방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 2항에 있어서, 상기 산화물을 제거하는 단계는, HF 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 Ru 박막 증착방법.
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980070383A (ko) * | 1997-01-07 | 1998-10-26 | 이재복 | 기판위에 산화 방지 기능을 갖는 백금 박막을 형성하는 방법 및그 방법에 의해 형성된 백금 박막을 구비한 전자 소자 |
| KR20000061691A (ko) * | 1999-03-30 | 2000-10-25 | 윤종용 | 반도체소자의 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR20010082732A (ko) * | 2000-02-18 | 2001-08-30 | 이데이 노부유끼 | 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법 |
| KR20020010759A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | 박종섭 | 커패시터 제조 방법 |
| KR20030093737A (ko) * | 2002-06-05 | 2003-12-11 | 김재정 | 루테늄 박막 형성 방법 |
-
2002
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980070383A (ko) * | 1997-01-07 | 1998-10-26 | 이재복 | 기판위에 산화 방지 기능을 갖는 백금 박막을 형성하는 방법 및그 방법에 의해 형성된 백금 박막을 구비한 전자 소자 |
| KR20000061691A (ko) * | 1999-03-30 | 2000-10-25 | 윤종용 | 반도체소자의 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR20010082732A (ko) * | 2000-02-18 | 2001-08-30 | 이데이 노부유끼 | 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법 |
| KR20020010759A (ko) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | 박종섭 | 커패시터 제조 방법 |
| KR20030093737A (ko) * | 2002-06-05 | 2003-12-11 | 김재정 | 루테늄 박막 형성 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121113 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131104 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141110 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151111 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170113 Year of fee payment: 12 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |