TW504480B - Magazine for semiconductor device - Google Patents
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Description
五、發明說明(1) 發明背景 本發明係有關於一種用於在 已封裝半導體積體電路裝置的半導牛下儲存複數個 該裝置係於該封裝一下方表面上且收藏盒’其中 陣列(ball grid array,BGA)、^接如子而以一球格 array,PGA)封襄、及一岸面柵格陣列Dn陣TP1?,id array,LGA)封裝為代表。本 j(laM gnd 導體積體電路裝置為一半導體裝置β中將簡稱該已封裝半 如,= = 裝外型包括各種外型。譬 丨:◦…剖面外型,、且第置
圖、第6B圖及第6C圖所 :二::視圖。如第6A 括小單體模製型及全晶圓包封及:以置之封裝外型包 _二底?03所示上方小/體模製型半導體裝置 :;---^ ^第6^2個連接端子(球)101。另一方面,如第6B圖 括覆蓋-基底二ΛΒ"Λ包封及”型半導體裝置100包 形剖面外型二:/面之一模製樹脂103且具有-矩 成。今_ ^使付一封裝係由基底1〇3及模製樹脂1〇4構 ί數;:剖严外型。相似於小單體模製型, 連接鳊子(球)1 01係以一矩陣式配置於基底1〇3之一 2144-4149-Pf.ptd 第6頁 五、發明說明(2) 下方表面上。 上述半導體裴置100及100 子之數量大幅高於一羽知夕特徵,即其連接端 生較少電氣雜訊。 之四方平面封卿p)者,且產 之半導體裝置係藉:=托::”型及岸面柵格陣列型 導體裝置之尺寸若; 黏著速度將變得緩慢。 ^托疏,則一 第7Α圖係顯示收納或儲存小單體模製型 其中的一習知收藏盒剖面圖, 装置於 全晶圓包封及切割型半導:納或儲存 二门 卞守粒衣置於其中的一習知收藏各立I丨 面圖。該等習知收藏各乃〗η 皿σ 卞白叹職凰ΐυϋ及l〇〇a包括由一上方板1〇7、一 :方板1G6及-對側板1()5所限制之—矩形外殼⑽。在每 一千丨,1 0 5之側表面上,一對水平向内延伸導執丨丨4係在 一垂直方向上、互相分離一相當程度之距離而形成,使得 一導引溝槽111藉由每一側板105内側表面上之該成對水平 向内延伸導軌114定義之。藉由將半導體裝置1〇〇及1〇〇3之 基底103插入一對溝槽ui中,可使得半導體裝置丨〇〇及 1 0 0 a以連接知子1 〇 1絕不接觸到下方板1 〇 6之一狀態定位於 該收藏盒中。 如上所述,習知收藏盒之外殼丨〇9在成對側板丨上具 有一對用於收納基底1 0 3之溝槽111,以防止半導體裝置 100及100a之連接端子101接觸外殼1〇9。藉由此配置,實 際上可能確實地防止半導體裝置lQ〇及lQ〇a之連接端子1〇1 2144-4149-Pf.ptd 第7頁 504480 五、發明說明(3) =夕卜殼1 09。然而,該等收藏盒將成為分別用於特定限 制之半導體裝置100與1〇(^的專用收藏盒。 =外,在習知收藏盒中,導軌丨14 :功能係支持半導 ^,100及100a並且防止半導體裂置1()()及l〇()a錯位。然 田基底1G3下方表面之—週邊淨空區域的寬度$(第 ^較小,則必須縮短導軌lu之高度 == 與上執114之間的一接觸。然而,在此狀㈡ 收藏盒因-掉落造成之—衝擊而㈣,則將產生馨 :m導/線接腳等連接導軌114及/或基底1 〇3之連接 子01自導軌114掉落而因此無法運動的可能 半導體裝置下方表面之週邊淨 之半導體裝置微型化而變得較小,因此該二變 =ί;月二m,該半導體下方表面之週邊 的寬度W已減小至0. 5公厘 =3厘。因此,導軌114之高度必 厘等級。在此狀況下’收藏盒之一此 ·2^ 體裝置100及100a自導軌114掉落。一 U文开八士爷每成丰導 發明概述 :ί主= :目的係提供-種已克服 藝問題的半導體裝置之收藏盒— 本發明之另一目的係提供一 下方表面上具有複數個端^夠確貫地儲存一封裝 1/r益人= &子之複數半導體裝置的半導體梦 置之收滅盒,其無論該封裝 1们午等體裝 衣卜方表面週邊淨空區域之寬度
504480 五、發明說明(4) 表面為何。玄等連接端子皆不可能接觸到該收藏盒之一内 本發明之又一目的伤捭糾 下方表面上具有複數個端子=1 =確實地儲存一封裝 置之收藏盒,即使者气收朽各後數半導體裝置的半導體裝 夠防止該半導體裝;;;落广因譬如一衝擊而變形時仍能 -半他目的可依據本發明而藉由-種將 裝置有複數連接端子之該半導體 置之收藏盒包括儲存該半導匕成,,半導體裝 殼具有至少—對傾斜壁中之一外殼,該外 對邊緣鄰接著該成對傾斜;表面之相 人該成對傾斜壁之間。j此,::來士持該半導體裝置插
表面卜ί ί 面栅袼陣列封裝作為該半導體f詈下J 面士形成有該等連接端子的半導體裝置裝置下方 *,該外殼:J ^於2 ί t發明的半導體裝置之收藏盒 _ 舟有用於支持該半導髀驻罢—π , 土’該半導體裝置具有形成於盆_^^、一個傾斜 子,該半導體裝置係藉由直& 表面之該等連接端 傾斜壁的事實而插入該成對傾^對邊緣鄰接著成對 絕不接觸到該外殼任何内壁之狀$。^,且呈連接端子1 ’儲存於依據本發明的半導體裝S ^丄該半導體裝置 該半導體之連接端子。 、 藏盒中而不致傷害 2144-4149-Pf,ptd 麵 第9頁 此外,即使π秘 些程度,,由於該::=的半導體襄置之收藏盒變形某 與先前技藝半導‘壯—衣置係由該成對傾斜壁所支持? 對邊緣之每-個皆υ收藏盒中、’導體裝置之-對相 連接端子不可能;i::;對導轨之間者不同,因此該等 轨掉^而彎曲變形或受傷^,振動及/或該半導體自該導 具有成對導2體裝置之收藏盒的結構相較於 收藏盒而言係非常汽^體邊緣之先前技藝半導體裝置 成本。 間早’因此可大幅降低製造該收藏ii 在半導體裝置收藏*之—仏丛— 括分別自該成對傾斜壁:上方車:t貫施例中’料殼尚包 成對垂直壁係互相垂-對垂 置之—末端接觸到該成對垂離其备该半導體裝 端子絕不接觸到該外殼之任何;壁:::時確保該等連接 端之間的—第卜::=包t連結於該成對傾斜壁一下方末 之間的-第:水ΪΓ;結::成對垂直壁-上方末: 該等連接端“;第-水平壁時確保 在半導體裝置之收二壁=。 包:-第二對傾斜壁,“二 y名導,相對末端的位置處,且; 先疋名為一對傾斜壁之各傾斜方向的方向傾斜。 '百
S 2144-4149-Pf.ptd 第10頁 504480 該第 係在對應於儲存在該外 置處連結首先定名為一 對傾斜壁係在對應於儲 端的各位置處分別藉由 定名為一對傾斜壁者。 首先定名為J對傾斜壁 一水平壁及連結該第二對傾斜壁一 水平壁。 傾斜壁具有 聚苯乙烯或 他目的、特 明較佳實施 置相對 半導體 結首先 較佳地包括連結該 五、發明說明(6) 本實施例中 &中之半導體裝 對傾斜壁者。另 存*在遠外殼中之 —對垂直壁而連 更,該外殼 —下方末端之間 上方末端之間的 較佳地,每 度。此外,該外 本發明之上 考隨附圖式來說 二對傾斜壁 末端的各位 一選擇為,該第二 裳置相對末 殼可由 述及其 明本發 不小於45度之一傾斜角 聚氯乙婦形成。 徵及優點將藉由以下參 例後而得明顯。 兒明 —第1圖係依據本發明之半導體裝置之收藏盒的一第一 實施例概略剖面圖; 第2A圖係第1,圖中顯示之半導體裝置之收藏盒在儲存 球格陣列型半導體裝置時的概略剖面圖; 第2B圖係第i圖中顯示之半導體裝置之收藏 該球格陣列型半導體裝置時的透視圖; 什
第3A圖係依據本發明之半導體裝置之收藏盒之一 _ 實施例在儲存一球格陣列型半導體裝置時的概:剖 了 第3B圖係依據本發明之半導體裝置之收藏各之兮二_ 實施例在儲存具有一不同外型之一球格陣列型;導體X ; Z 2144-4149-Pf.ptd 第11頁 504480 五、發明說明(7) 時的概略剖面圖·, 第3C圖係依據本發 實施例以一不同之儲存存^ 1收藏盒之該第二 置時的概略剖面圖;杈心來儲存^球格陣列型半導體裝 第4A圖係依據本發 實施例在儲存一球格陣列匕收藏盒之-第三 第4 B圖係依攄太& ^ t的概也剖面圖; 實施例在儲存具有—不同外型之一=收臧盖之該第三 時的概略剖面圖; 表心陣列型半導體裝置 第4C圖係依據本發明之半導體 實施例以-不同之儲存模態來儲存該 =之該第三 置時的概略剖面圖; ’七陣列型半導體裝 第5圖係依據本發明之半導 實施例在儲存一球格陣列型半導體裝置^藏盒之一第四 第6A圖係小單體模製型 “::剖面圖; 圖; 干V體裝置的概略剖面 第6B圖係全晶圓包封及切割型之 略剖面圖; 千导體裝置的概 第6C圖係第圖及 圖; ΰ及州圖中所示半導體裝置之下視 第7Α圖係儲存著小單體模製 體裝置之收藏盒的概略剖面圖;及 咸置之習知半導 第7Β圖係儲存著全晶圓包封及 知半導體裝置之收藏盒的概略剖面圖。+導體裝置之習 504480 五、發明說明(8) 符號說明 1〜連接端子; 3〜基底; 5〜第二側板; 7〜水平上方板; 8〜第三側板; 9A〜外殼; 9C〜外殼; 10a〜半導體裝置; 12A〜收藏盒; 12C〜收藏盒; 1 0 0 a〜球格陣列半導 1 0 1〜連接端子; 103〜基底; 1 0 5〜側板; 1 0 7〜上方板; 111〜溝槽; W〜週邊淨空區域寬度 2〜模製樹脂; 4〜第一側板; 6〜水平底板; 7 a〜水平上方板; ^ 9〜外殼; 9 B〜收藏盒; 10〜半導體裝置; 1 2〜收藏盒; 1 2 B ~收藏盒; 1 0 0〜球格陣列半導體裝置; 裝置; 1 0 2〜模製樹脂; 1 0 4〜模製樹脂; 1 0 6〜下方板; 1 0 9〜外殼; 114〜導執; 發明之詳細說明 現在將參考隨附圖式中來說明依據本發明的半導體裝 置之收藏盒實施例。 請參考第1圖,其顯示依據本發明的半導體裝置之收
2144-4149-Pf.ptd 第13頁 五、發明說明(9) 藏盒的—第一實施例概 — 之半導體裝置之收藏盒在“圖::2A圖係第】圖中所示 的概略剖面圖。第“圖係子未\陣列型半導體裝置時 藏盒在儲存該球格陣列型"所不之半導體裝置之收 通常以參考代碼12桿式3:!時的概略透視圖。 長外殼9,其沿―方向延伸弟一_貫施例收藏盒包括_細 該成對開放末端中每;、對相對之開放末端, 或-鬆緊止動件(未顯示=膠止動件(未顯示) 該橡膠止動件或鬆2 5一開口。藉由將 口中,即可防止儲存於 口 ^12每-末端之開 盒12掉落。 凰中之半導體裝置10自收藏 外设9包括一水平底板 ::壁)’其自水平底板6之相對側1緣:=-側板4(傾 ;"-!;; ^ f#J ^ ^ 辟“ 側板5(垂直側壁),且分別白2 7壁4之—上方邊緣垂直地向上延伸,;:!_”成對第一側 7(水平壁)’…妾成對第二側 水平上方板 9之剖面圖係相對於_中心垂直線對稱。上方邊緣。該外殼 一側板4係朝向鄰接之第二 α,當半導體裝置10儲存於外傾斜一傾斜角度 以確保半導體裝置j 〇 接;日守’ 5亥角度必須且足 底板6(任何壁之表面)之連子j巴不接觸到第1板4及 離-距離,即導二, 側板5時,該距離仍必須且、足以確之伴任半一:末端接觸到第二 貝疋以確保+導體裝置1 0之連接 2144-4149-Pf.ptd 第14頁 504480 五、發明說明(10) 端子1絕不接觸到第一側板4及底板6(另一壁之表面)。 更,底板6與上方板7係互相分離一距離,即使當半導體裝 置1 0以=傾斜狀態接觸上方板7時,該距離仍必須且足以 確保半導體裝置1 〇之連接端子丨絕不接觸到第一側板4、第 二側板5及底板6(另一壁之表面)。 疋以’可形成滿足以上條件而由底板6、上方板7、第 —側板4與第二側板5所包圍且限定之外殼9,並且如第2β 圖中所示者’將複數個半導體裝置儲存於外殼9中。 亦即’如第2 A圖中所示,球格陣列型半導體裝置1 〇係 儲存於第一實施例之收藏盒12中。第2A圖中所示之半導體 =係藉由以樹脂包封晶圓之一上方表面、黏著端子(球M =晶圓之-下方表面(基底3之—下方表面)上、及切割 錢脂包封晶圓成為個別之晶片而形&,並且該半導 】:與第6B圖中顯示之先前技藝半導體裝置1〇〇相同、 作為全晶圓包封及切割型半導體裝置。亦即,半 10具有形成於基底3 一上方表面上之一矩形 、置 模製樹脂2及以一矩陣型式配置於基底3 一下的— 數個連接端子1。如第2A圖所示,半導體^面上的複 體裝置基底3下方表面相對邊緣接觸著第二係以半導 儲存於外殼9中。 板4的條件下 更,不僅全晶圓包封及切割型球格陣列 而且第6A圖中顯示之藉由黏著端子(球M於—曰體敦置1〇 方表面(基底3 一下方表面)上、切割該晶下 片、及以樹脂包封每一個單一曰 战個別之晶 早曰曰片而形成的小單體模製型 五、、發明說明^7 導體裝置1〇〇“可儲存於收藏盒12中。如第Η 括覆η斤示,t玄小單體模製型球格陣列半導體裝置包 以一矩卩鱼11上方表面之一梯形剖面外型的一模製樹脂及 子。陣型式配置於該基底一下方表面上的複數個連接端 相1 4如上所述,在該第一實施例之收藏盒1 2中,.由於笛一 裝3係傾斜該角度α ’因此半導體裝置10係藉由半導體 :成對:Ί之 '對邊緣鄰接著第一側板4的事實而插 子1Λr 且由該等者支持者’以達成連接端 、 致接觸第一側板4及底板6 (任何壁之表面)之一 况。由於如第2Α圖中,僅半導體裝置1〇之相對丁 月 ’、即,當由一剖面觀察時之一角度的頂點)鄰接一側 因此半導體裝置1 0與第一側板4之間的一接觸面 小’使得半導體裝置10可在收藏盒12之一縱向(積 平順地運動。 I 方向)上 更,如上所述,成對之第二側板5係互相分離一 離,其即使當半導體裳置10接觸到一第二側板 且足以確保半導體裝置1〇之連接端子丨絕不接觸第一柄、 及底板6 (另一壁表面)。因此,當半導體裝置丨〇沿 板4運動時’由於半導體裝置㈣由成對之第二1 制,因此可防止半導體裝置丨〇大幅偏離一中心位置。( 此外,亦如同上述者,底板6與上方板7係互八一 距離,其當半導體裝置1〇變為傾斜至上方板7時必刀 以確保半導體裝置丨〇之連接端子i絕不接觸第一側板4、第
2144-4149-Pf.ptd 第16頁 五、發明說明(12) 由根上及方底板16之。目此’半導體裝置1〇之連接端子1係藉 ^'1 , /J: tVj ^ ^ , 施你I t以ΐ可看出’依據本發明的半導體裝置之收藏盒實 此不致菸在:=ί略設於先前技藝收藏盒中之導轨14,因 ^ 舍生因先前技藝收藏盒中之一收藏盒變形而菸斗本 導體裝置100自溝槽U1掉落的這種情:藏一而發生+ 估若:7,板4之傾斜角度α較佳地係不小於45度。 半導體裝置1〇 —上方側\度一於45度’則當一力量自 憂慮因收藏盒12變形而造成车2加於收藏盒12上時,將 第一側板4之間運動 —裝置100無法在成對之 於45度之情況下,者_、w卜在第一側板4之傾斜角度《小 膨脹時將使得成對;一;二= 高且 置1 〇將朝向該底板掉落之間,/巨離變大且半㈣ 體1 〇將因其無法在成 ς後,s该收藏盒收縮時,半導 或朝向上方板7返回。 側板4之間運動而無法移動 在該半導體裝置 因該半導體裝置下方#收藏益貫施例中,即使連接端子1 於該半導體裝置下方^面週邊淨空區域之寬度W微小而位 而由於第一側板4係以"^面、一周圍邊緣附近的一位置處,然 1 〇可儲存於外殼9中二斜角度01設置,因此半導體裝置 間不接觸。是以,可At連接端子1與第一側板4及底板6之 板4及底板6之間的接=防止譬如球端子等連接端子1與側 的接觸。緣是,當半導體裝置1G依據本發 2144-4149-Pf.ptd 第17頁 ^U4480 五、發明說明(13) =存於收藏盒12中且運送收藏盒,彳 球端子等連接端子1之J立練 u興譬如 中之污染而造成的傷之Λ變:在譬如球端子等連接端子1 此1’由於本實施例之半導體裝置收藏盒之結 技:之半導體裂置之收藏盒簡化,因此可能降= =藏盒12之-模具成本。此外,由於先前技 董;導=4 ’因此先前技藝收藏盒係由譬如皿 :本二甲酸乙二醋等具有一極佳可模製性之一昂貴材及: 、。此外,依據本發明’由於收藏盒i 2之結構已大巾” / 二因等此收不藏巧可由譬如聚苯乙顧)及聚氯乙; 12之成本。叩貝之材枓形成。是以,可降低製造收藏盒 —現在將說明依據本發明的半導體裝置之收藏盒 =施例。第3A圖係依據本發明的半導體裝置之 = = 列型半導體裝置1〇時的概略剖 第3Β,係依據本發明的半導體裝置之收藏盒之第二實施 以 儲存模態來儲存一不同外型之一球格陣列型半導 體裝置時的概略剖面圖;第3C圖係依據本發明的半導 置之=盒之第二實施例以一第二儲存模態來儲 型之球格陣列型半導體裝置時的概略剖面圖。在第Μ 第第Κ圖中,相對應於第1圖、第2Α圖及第2Β圖中 兀件者=賦予相同參考代碼,且將省略其說明。 f二二參考代碼1 2Α指示之該第二實施例收藏盒與該 第一貝加例不同之處在於以下幾點:水平底板6(水平壁)
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五、發明說明(14) 與一水平卜 寬度。成肖之水平壁)在一水平寬度方向1具有相同 方板7a每—個f :側板5(垂直側壁)係定位於自底板6及上 第三側板8(;側末端向外分離的一位置處。提供-對 彡緣h = 7斜側壁)以跨接成對第:側邮n # >工万板7a之相對側末端。 即,ί::: m實施例相同之處在於其他幾點:亦 板5之-下方對/=則板4 (傾斜之側壁)以跨接成對第二側 方邊緣與底板6之相對側末端。 # 此,成對第一側板4之一下方末端#遠& 成對第三側祐sL 一丄 7 +和係運結下方板6。 側板4與成對第;"上方末端係連結上方板7a。成對第- 在半導以μ 1板5而連結。 4與相對庫之一側末端處’外殼9α之第-側板 8係以-以;:;::Λ相相Λ地傾斜。每 係當全曰η °目郴之第一側板8傾斜,且該角度 使得連接端子1褰 、置10儲存於外殼9A中而 置⑺之ΐ;Γ子 =::;8時必須且足以確保半導體裝 係第三ΞΙ盘第:圖至第3C圖中所示,該傾斜丄 度点較佳地㈣小於45度,其 &例+ ’傾斜角 二側板5之夾角者。 八 同於第一側板4與第
:方部處形成有傾斜角二;收咖 上方部處形成有傾斜角度々,並;:8係牛在收藏盒12A 尺運—步,第二側板
504480 五、發明說明(15) 係形成為跨接第一側板4與第三 · 1:係鄰接第三側板8,這與鄰接 。因半導體裝置 鈿子1向下之一狀況插入收藏盒12 4置係以連接 =其:方表面相對邊緣鄰接第三側板8、導·體裝置10將 對弟二側板8之間且由該 ^ Α而插入成 接觸到第三側板8及上方板73。;時使子1絕不致 與收藏盒12A之間的一接觸面積“小=導體裝置1〇 10可沿著收藏盒m < 一縱向(一 2 +導體裝置 此外’如㈣圖及第3(:圖中所干,Y地運動。 體裝置l〇a可儲存於收藏盒12"。斤:此;^模製型半導 置1〇a係以連接端子U月向底板6之一第H下’半導體裝 接端子!朝向上方板7a之一第反一;存=::存模態或以連 t 〇 ^ ^ ^ ^ ^ 第一側板4之一第一方A % # 連接端子1朝向 -Λ Λ";7Λ^;::f^#Jfe8 收藏盒12A内且接著與收藏盒12A一 儲存於 m翻倒或翻轉,則可藉倒 门運^方他右收藏盒 裝置i。及10a插入收藏盒12A中。同妾時而子由之^ 致接觸收藏盒1 2 A内之住仿你罢π ;連接鳊子1不 在運送期間不致受到傷宝° “」匕半導體裝置W及l〇a ^ ^ ±12A t # ^ ^ ^ ^ 410^10a 受限制,目此將半導體Λ扞方/則及下方側之方向上不 且因此得以提高Ϊ=置插入收藏盒之工作將變得簡單 2144-4149-Pf.ptd 第20頁 504480 五、發明說明(16) ^本實施例中,—側板4之傾 _ 傾斜角度/3係藉由儲存於收 2 及^二側板8之 …之高度以及半導體裝置ίο及T〇A下方〇及 區域的寬度所決定。因此,'"之一週邊淨空 «與第三側板8之傾斜角日使弟-側板4之傾斜角度 半導體裝置10及10a儲存=丘 ^同,而得將兩種 下,可此降低用於模製收藏盒12A之一模且在廷情況 不同種類之半導體裝置可乒 勺稟、/、成本。此外, 藏盒庫存管理之步驟數。、 匕么’’、。更,可減少該收 ,、人,以下將說明依據本發明的半導俨驻罢 之一第三實施例。第4A圊#=牛¥體裝置之收藏盒 滅益之弟三實施例在儲存小單體 ::,裝置之收 導體裝置時的概略剖面圖;二圖‘=二球格陣列型半 衣置之收臧盒之該第三實施例以一二=導體 晶圓包封及切割型之一-存杈恶來儲存全 面圖。第4c H ^σ q尘半導體裝置時的概略气 弟4C圖係依據本發明的半導體裝 :j 二貝施例以一第二儲存模態來儲存全曰 ^皿之该弟 球格陣列型半導體裝置時的概 :囫=及切割型之 係賦予,參=r:3么圖略=第-圖中元㈣ 通常以參考代碼丨2B指示之本 同於第二實施例之處僅在於其未本提V*第貝m收千藏盒不 體波置的相對末端側處直接與第三側壁8(另—傾斜壁)+ m 第21頁 2144-4149 二td 504480 五、發明說明(17) 連結。第三實施例在其他方面係與第二實施例相同。譬 如,小單體杈製型半導體裝置係如第4A圖中所示 收藏盒12B中。 子於 在本實施例中,第一側板4與相鄰第三側板8之間在一 垂直方向上之間隔係縮小成為第一側板4與相鄰第三側板8 y曰1的-點。S Λ,當半導體裝置1〇a係沿第一側運動 吟,半導體裝置10a之偏移將受第一側板4及第三側板8限 =而得防止半導體裝置10a錯位。亦即,可獲致相似於在 第一及第二貫施例中所獲致之一優點。 型半= 第4C圖中所示’全晶圓包封及切割 至+導體衣置10可儲存於收藏盒12B中。在此情況下, 導體裝置10係以連接端子i朝向底板6之 =接端子i朝向上方板—第二儲存模態而 滅益12B中。此外,藉由使第一側板4之傾斜角度α與第三 度β兩者互不相同’而得將兩種半導體裝 及10a儲存於一共同收藏盒12B中。 f著,以下將說明依據本發明的半導體裝置之收藏盒 ^ 一第四實施例。第5圖係依據本發明的半導體裝置之收 ίΐΐ”例儲存一球格陣列型半導體裝置時的概略 ί元Ξΐί Ϊ5圖中’相對應於第3八圖、第3Β圖及第3C® 者係賦予相同參考代碼,且將省略其說明。 2常以參考代碼12C指示之第四實施例 ,一 :::=(傾斜壁)係自一底板6之相對側末端起中以一傾 〇之方向延伸,使得成對傾斜側板4之間的一間隔朝 第22頁 2144-4149-Pf.ptd 504480 五、發明說明(18) =-:上方向增加’且一上方板 分別連結成對傾斜側 形成為具有 構成一夕卜殼9C。第四〜/乂末甘\之相對末端。是以,得 同。譬如,如第5圖所示,全晶圓包方封面及,與第三、實施例相 f10:儲存於本實施例之收藏盒12c中。心了!體裝 製型^體裝置係可儲存於本實施例…^2 :體模 本貫施例之特徵在於,可儲存 J:12C中。 莫駚驻罢丨η Γ 存在弟二貫施例收藏盒中之*锸坐 導體^置僅了 中僅其中一種,且其特徵在於該二種半 ΪίΪΪ Ζ"存模態來儲存於該收藏盒中。緣是 致於得減小該收藏盒之尺寸,且因者’以 成本。 行祁對應地降低材料 依據本發明的半導體裝置收藏各 盒中之該種全日圓勺封r + —丨 皿中 了儲存於該收藏 罟绍韭說 日日口匕封及切軎彳型及小單體模製型半導矽壯 可儲;^ Μ 表面上之連接端子的任何種類半導體穿詈比 存於依據本發明的半導 j置自 格陣列半導駚驻要A I i ^里干。譬如,銷 ,^ ππ導體波置及厗面柵格半導體裝置皆可儲;& Μ & Μ 本發明的半導體裝置之收藏盒中。 了儲存於依據 盒包詳用依據她^ 傾钭壁4 Γ胃八/、有用於支持該半導體裝置之至少一個 ㈣壁,言亥半導體裝置具有 主少個 接端子,該半導體…、下方表面之該等連 牛導體表置係糟由其下方表面相 _ 第23頁 2144-4149-Pf.ptd ^〇u 五、發明說明(19) 二對傾斜壁的事實而插入該 子1絕不接觸到該外殼任何内辟、之間並且呈連接端 傷害该半導體之連接端子。 —、 收藏盒中而不致 此外,即使依據本發明的半導體穿® , 二程度,但由於該半導體:之收藏盒變形某 與先前技藝半導體裝置之收藏各二=傾斜壁所支持, 2邊緣之每-個皆支持於一對;軌之門:體裝置之-對相 連接端子不可能因運送期間之間、者不同,因此該等 軌掉落而彎曲變形或受傷害。、動 或该半導體自該導 更’依據本發明的半導 具有成對導執來支持該半^ j結構相較於 收藏盒而言係非常簡 ^、,彖之先珂技藝半導體褽置 成本。 因此可大幅降低製造該收藏金之 限定發施例揭露如上’然其並非“ 神和範圍内,當可作:二者,★不脫離本發明之精 當視後附之申請專利者::本發明之保護範園 2144-4149-Pf.ptd 第24頁
Claims (1)
- 六 申請專利範圍 ___ 其 子 種半導體裝置之人 中且該半導體裝置一下方J是,用於儲一半導體裝置於 4半導體裝置之收藏4I面上形成有複數個連接端 -以於其中,罐具有至少 耆忒成對傾斜壁之事餘 、置下方表面之相對邊緣鄰接 :任何内壁表面之“來二:等連接端子絕不接觸到該外 斜壁之間。 支持该半導體裝置插入該成對傾 人2廿如申請專利範圍第1項 ;二其中該外殼尚包括分別、t广之半導體裝置之收藏 直向上延伸之一對垂直辟,二4成對傾斜壁一上方末端垂 離,該距離係當該半導二穿=成對垂直壁係互相分離一距 壁其中之一時確伴 & 之末端接觸到該成對垂直 内壁表面。保^連接端子絕不接觸到該外殼之任何 3 ·如申請專利範圍第2項所、十、 益,其中該外殼尚包括連姓、返之半導體裝置之收藏 間的一第—水平壁, 忒成對傾斜壁一下方末端之 間的一第二水平壁,該第二:該成對垂直壁一上方末端之 -距離’該距離係當該半導體;:與該第二水平壁分離 確保該等連接端子絕不接觸到該到該第-水平壁時 4.如申請專利範圍第丨項 Λ又之任何内壁表面。 盒,其中該外殼包括一楚_述之半導體裝置之收藏 儲存在該外殼中之半導^署,斜壁,其分別設在對應於 別朝向相對於該成;且其分 1只针方向的方向傾斜。504480 六、申請專利範圍 5.:申請專利範圍第4項所述之半導體收藏 盒’其中该第二對傾斜壁係在對應於儲存在該置外殼中之半 導體裝置相對末端的各位置處連結該成對傾斜辟。 人專利範圍第4項所述之半導體裳/之收藏 a ’其中邊第二對傾斜壁係在對應於儲存在該外殼中之半 導體裝置相對末端的各位置處分別藉由連結 該對傾斜壁。 ★ 7·如申請專利範圍第4、5或6項所述之半導體裝置之 收藏益其中該外殼包括連結該成對傾斜壁一下方末端之 間的一第一水平壁及連結該第二對傾斜壁一上方末端之間 的一第二水平壁。 一 8·如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所述之半導 體裝置之收藏盒,其中每一該等傾斜壁皆具有不小於45度 之一傾斜角度。 一另9.如申請專利範圍第1、2、3、4、5或6項所述之半導 體裝置之收藏盒,其中該外殼係由聚苯乙烯或聚氯乙烯形 成。 人1 0 ·如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置之收藏 益’其中每一該等傾斜壁皆具有不小於4 5度之一傾斜角 度0 11 ·如申晴專利範圍第7項所述之半導體裝置之收藏 益’其中該外殼係由聚苯乙烯或聚氣乙烯形成。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之半導體裝置之收藏 盒’其中該外殼係由聚苯乙烯或聚氯乙烯形成。
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