TW503472B - Epitaxial silicon wafer - Google Patents
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Description
503472 五、發明說明(5) 最初拉引部分(肩部部分)開始至終端(尾部部 增,另一方面氧濃度為漸減。 ^為止漸 因此,於取得製品s象區域中顯示最冑氮 最終端之部分中,將該氮濃度以前述氮濃度之=直胴π 定,則可使得矽塊錠全體中的氮濃度為未滿3 χ i(j^予以設 atoms/cm3,並且對應於此矽塊錠中氮濃度之微 控制氧濃度,令氧濃度,氮濃度為在上述(6 )所厂、而適田 内,使得拉引之矽塊錠的直胴部分並未形成多^範^ 作成該直胴部分之全部可普遍使用作為象4^ 的矽塊錠。 , 勹侍對象製品區域 於此情形中,若與氮濃度相比,則氧濃度可較 定’故令石夕塊錠直胴部分幾乎全部可作為石夕 :、= 象區域、作成直胴部可有效率使用之石夕塊鍵地 ^對 度,或者,配合所得底材晶圓之氧濃度、_ /乳展 制氧濃度即可。 U之氧,辰纟L辰度地適當控 實驗例為將各種條件所育成iCZ_Si單結晶中切 圓,並於施以鏡面研磨加工後施以磊晶成長,且 曰曰曰 基板的氧析出舉動及磊晶表層的缺陷。 一猫曰曰 於此只驗例中,結晶為添加硼作為摻雜物之直秤 、二型、結晶方位<100>,,且氧濃度控制則χΐ〇ΐ7 χ 二toms/cm3,並且添加氮令氮濃度為4. g χ 1 〇ΐ3 -1·24χ 1(P at〇ms/cm3,且比較例為準備未添加氮之社 曰曰 _ 晶成長為以三氯矽烷作為成長氣體、成長溫度為° 1100 c、磊晶膜厚為6 。
503472 五、發明說明(6) 結果示於圖3及圖4。圖3為判定筒、、曲 LPD型式被觀察到的缺陷數/關你^ /辰又與缺陷發生數(以 、旧数)之關係,圖4盔 據,判定氮濃度與氧濃度之關係。 馮板據相同數 首先,由圖3得知“形 亦不會令缺陷數更為増大,於氧濃 y吏亂浪度較高 度變高則缺陷數目變多。因此,由此圖3提月:出中气’,,氮濃 之情形中,則必須降低氮濃度,於 ^出^辰度高 有指定的相關關係。 辰&風^辰度之間具 又,由圖4,若將氧灑疮你曲 軸,則可得知氧濃度與氮";農'^Ύ描繪於橫轴和縱 此處,是否適於作為指ί的相關關係。 ΛΑΤ on 1 〇 I⑽之界限’若以每2〇〇mm之晶圓 HPD數(0· 12 //m以上)為2〇個以下者為基準,則如圖4所 不將(氧濃度,氮濃度)=(7x 10n atoms/cm3,約3χ 1〇15 atoms/cmO 與(氧濃度,氮濃度)=(1·6>< 1〇18 at〇ms/cm3, 約3 X 1〇14 atoms/cm3)連結線(圖4中傾斜之實線)為界限 線。又,於設定作為製品之更嚴格基準之情形中,提示將 (氧濃度,氮濃度)=(7 X 1 017 a toms/cm3,約 1 X 1 〇15 atoms /(21113)與(氧濃度’氮濃度)=(15\1〇18 31:01113/€1113,約1\ 1 °14 a t oms/cm3)連結線(圖4中之點線)作為界限線。但, 其均為指在目前所得數據之範圍内,故對於數值可允許某 程度的偏差。 因此,由此圖4可知,為了作成製造矽磊晶晶圓所合適的 摻雜氮之底材矽晶圓,乃以實線左侧(更具體而言,氧濃度 為7 X 1 017 a toms/cm3 時之氮濃度為約 3 X 1 015 a toms/era3 以
89116434.ptd 第9頁 503472 圖式簡單說明 圖1為用以說明本發明者等人所發現之「丘狀缺陷」之 形狀圖。 圖2為用以說明伴隨結晶成長之矽塊錠中的氮濃度變化 與氧濃度變化圖。 圖3為示出描繪氮濃度與LPD (Light Point Defect)關 係之圖示。 圖4為示出描繪氮濃度與氧濃度關係之圖示。
89116434.ptd 第11頁
Claims (1)
- 503472 六、申請專利範圍 at〇ms/cm3以下、且氧濃度為15x 1〇〗8 at〇ms/cm3時之氮濃 度為約1 X 1 〇14 a toms/cm3以下之範圍内。 8 · 一種秒塊疑’其特徵為:直胴部最終端之氮濃度為在1 X 1〇15 at〇ms/cm3 至1〇15 atoms/cm3 之範圍内。 中HI ; Ϊ 2 :第8項之石夕塊疑’其中根據該石夕塊1定 中…度交化而適當控制該石夕塊鍵中的氧濃度。$ 13頁
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