TW503154B - LSI device polishing composition and method for reproducing LSI device - Google Patents
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 ____B7 _ 五、發明説明(1 ) 技術領域 本發明係於L S I裝置製造步驟爲硏磨金屬層及障壁 膜而用的組成物,尤其適用於硏磨前述金屬層係銅、薄膜 爲钽或氮化鉬類合鉬之合金而成的多層金屬層及薄膜之硏 磨用組成物,及採用該硏磨用組成物以製造L S I裝置之 方法。 發明之背景 L S I裝置雖係年年高積體化,然而至於支持此之基 礎技術之一者,可舉出爲硏磨加工。在L S I裝置步驟, 隨著設計規則微細化供形成微細配線而用的嵌埋金屬硏磨 (damascene,金屬鑲嵌法)等的硏磨加工技術之應用正予 .進展著。於L S I之高積體化係增大半導體表面之凹凸, 藉由此凹凸引起的階段差引起佈線之斷線、電阻値之增加 、電移棲的發生、而成爲可靠性降低等的問題之原因。因 此,減少各層間之凹凸的平坦化技術即成爲必要的。其中 一者爲C Μ P (化學機械性硏磨)技術。 至於佈線材料,係耐電移棲性良好,且低電阻之銅在 性能上優越。機械上銅的相互連接可適當的形成之有效果 的電漿鈾刻、或銅之濕飩刻的公知技術由於目前未存在, 故銅之C Μ Ρ係以供L S I上的銅之相互連接的適當形成 而用的現實方法被提出著。因此,爲於L S I上形成銅之 相互連接而可使用的適當C Μ Ρ組成物乃被要求著。 採用銅作爲佈線材料的情形,由於銅對層間絕緣膜之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)冬 . 辦衣 ; 訂 —. "線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 A7 B7 五、發明説明(2 ) 擴散係數較大,在形成供防止銅之擴散而用的任何障壁金 屬上,進行銅之成膜。至於障壁金屬,則可舉出障壁性較 高的Ta、 TaN有力的材料。然而,於CMP之際, T a或T a N以較難硏磨去除,即成爲問題所在。障壁金 屬及銅之硏磨速度比若較小時,則通常至完全去除障壁金 屬生成形成凹坑、沖蝕的現象。 以一次的C Μ P同時硏磨去除銅及障壁金屬的情形, 則以二次的C Μ Ρ分別硏磨去除障壁金屬及銅的情形之任 一者,均在硏磨去除障壁金屬.之階段,由T a或T a Ν而 成的障壁金屬之硏磨速度及銅之硏磨速度之比在1 · 〇以 上,由於能抑制形成凹坑狀等現象係較佳。 然而,在習用的硏磨用組成物並未能獲得此種性能, 成爲實用化之妨礙,例如,電子期刊主辦的「金屬C Μ P 徹底檢證」演講預稿輯(1 9 9 8年2月2 7日)第8 4 頁所記載的Cabot製造的CMP淤漿—「EP — C4 1 1 0 」係T a及銅之硏磨速度比爲1 / 1 2。 又,並無與障壁金屬之硏磨速度有關的記載,惟用作 與本案發明有關的習用技術,則有下述二件。 一者爲由本發明人等提出申請的日本特開平1 〇 — 4 6 1 4 0號公報,在此揭示含有羰酸、氧化劑、水之中 性硏磨L S I裝置用組成物。 目前一者爲日本特開平8 — 4 5 9 3 4號公報,揭示 有採用含有胺基之表面處理劑處理的硏磨粒之硏磨L S I 裝置用組成物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 5 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(3 ) 由本發明人等提出的日本特開平1. 0 — 1 6 1 4 0號 ,係揭示有含有羰酸、氧化劑、水的中性硏磨L S I裝置 用組成物,然而並無與以偶合劑處理的硏磨粒之使用,又 亦無與以偶合劑處理的硏磨粒之使用有關的記載,又亦無 與障壁金屬之硏磨有關的記載’再者以N a Ο Η、K〇Η 等的鹼金屬氫氧化物、N a 2 c 〇 3、Κ 2 C Ο 3等的鹼金屬 碳酸鹽、Mg (〇Η) 2、Ca (〇H) 2等的鹼土金屬氫 氧化物、2 ,2,6,6 —四甲基—4 —羥基哌啶、2, 2 ,6 ,6 —四甲基哌啶、2 ,2 ,6 ,6 —四甲基一4 —哌啶酮、2,2,6,6 —五甲基一2,3,4,5 — 四氫嘧啶、1.’9 —二重氮—2,2,8,8,10, 1 〇 —六甲基—螺〔5 · 5〕十一院一4 一酮、6 —重氮 —7,7·—二甲基螺〔4 · 5〕癸烷一 9 一酮等受阻胺選 出的至少一種以上的鹼性物質調配P Η,可降低銅之硏磨 速度一事經予教示的內容亦未見記載。因此以該公報單獨 並不容易完成本發明,並不損及本發明之可專利性。 另一方面,於日本特開平8 — 4 5 9 3 4號公報內, 則揭示有採甩含有胺基之表面處理劑處理的硏磨粒,並進 行半導體基體之金屬配線層表面的硏磨。 此技術係予詳細記載於該公報詳細說明書(第2頁右 欄第.1 6〜4 2行),使在酸性溶液中的氧化矽微粒子之 分散性提高,可抑制被稱作L S I裝置之多層佈線層及層 間絕緣膜表面之刮痕的損傷之發生者。至於其手段,係揭 示著以含有胺基之有機的化合物進行表面處理,使於表面 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)_ 6 - _ 批衣 Ί I 訂 . I I線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 ___B7 ___: 五、發明説明(4 ) 上形成鹼性層的氧化矽微粒子。在實施例,利用溶液反應 ,使用以r -胺基丙基三乙氧基矽烷或N - 2 -胺基乙基 - 3 -胺基丙基三甲氧基矽烷表面處理的矽微粒子,已硏 磨鎢佈線層之製程係予記載著。 此技術並不損及本發明之可專利性。理由如下所述。 (1 )經予記載該公報詳細說明書的技術。係使在酸 性溶液中的氧化矽微粒子之分散性提高者,例如實施例1 所記載般,於淤漿內,添加有 K2[Fe(CN)6] + KH2P〇4,pH5.0 呈酸 1生 另一方面,本發明之組成物,係以調整成中性〜弱鹼 性,可控制障壁金屬及銅之硏磨速度比,由可降低銅之溶 解速度者,以使用酸性爲前提之由該公報完全未見有教示 〇 . (2 )於該公報說明書內,與配線層金屬或障壁金屬 之硏磨速度有關的記載則完全未有。在實施例,雖記載有 已硏磨鎢佈線層之製程,惟評估係僅以刮痕而已。 另一方面,本發明之技術課程,係爲抑制形成凹坑等 問題,由控制由T a或T a N而成的障壁金屬的硏磨速度 及銅之硏磨速度之比,完全未有由該公報所教示的事物。 (3 )於該公報詳細說明書內,雖然記載有表面處理 劑之種類、表面處理之方法,但卻無有關表面處理劑之記 載。 於本發明可得效果之處理量,對硏磨粒係〇 . 0 0 1 〜5 0質量%,並非由該公報所教示者。 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ I I I ..................... I I i I I I —I I 訂— . I I I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(5 ) 發明之摘述 本發明之目的,係提供於銅佈線L S I裝置之障壁金 屬材料有力的T a或T a N之研磨速度較大的形成凹坑、 沖蝕較難發生的銅之硏磨L S I裝置用硏磨劑組成物、及 採用該種硏磨組成物之L S I裝置之製造方法。 本發明人等’爲解決上述課題,經精心努力的結果, 以含有水、硏磨粒、有機酸、氧化劑且鹼性物質經予調整 至ρΗ5 · 5〜10 · 0較宜爲pH5 · 5〜9 · 0的硏 磨L S I裝置用組成物,發現顯示出用作l S I裝置硏磨 用的優越性能。 在本發明,能以提高由T a或T a N而成的障壁金屬 之硏磨速度係必需的。使含有有機酸及氧化劑,以調整成 P Η 5 · 5 〜1 0 · 0,較宜爲 p Η 5 · 5 〜9 · 0,欲 得所期待的硏磨速度係可能的。 另一方面,爲控制減低銅之硏磨速度,於調配Ρ Η時 ,以使用N a OH、Κ〇Η等的鹼金屬氫氧化物、 N a 2 C〇3、K2 C 〇3等的驗金屬碳酸鹽、
Mg (ΟΗ) 2、C a (OH) 2等的鹼土金屬氫氧化物、 2 ,2 ,6 ,6 —四甲基—4 —羥基哌啶、2 ,2 ’ 6 , 6 —.四甲基哌啶、2,2 ,6 ,6 —四甲基一 4 —哌啶酮 、2,2,4,4,6 —五甲基一2,3,4,5 —四氫 嘧啶、1 ,9 —二重氮一2 ,2 ,8 ,8 ,10 ,1 〇一 六甲基—螺〔5 . 5〕十一烷一 4 —酮、6 —重氮—7, 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-8 - . 裝 ^ —訂I I I .線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 A7 B7 五、發明説明(6 ) 7 —二甲基螺〔4 · 5〕癸烷一9 一酮等受阻胺選出的至 少一種以上的鹼性.物質爲宜。 -------券-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又本發明之組成物係p Η 5 · 5〜1 0 · 〇 ’宜爲 ρ Η 5 · 5〜9 · 0時呈現中性〜弱鹼性,故腐蝕性極低 ’無銅之溶解性的問題。銅之溶解性係在室溫之浸漬試驗 可予評估,以重量法可算出溶解速度(蝕刻速度)。在本 發明之硏磨用組成物,銅之溶解速度係5 n m /分鐘以下 ,宜爲3 n m /分鐘以下,更宜1 n m /分鐘以下,實質 上不溶解銅。 亦即本發明係 〔1〕以含有水、硏磨粒、有機酸、氧化劑、且鹼性 物質經予調整至PH5.5〜10.0爲特徵之形成金屬 佈線層而用的硏磨L S I裝置用組成物。 〔2〕以含有水、硏磨粒、有機酸、氧化劑、且鹼性 物質經予調整至Ρ Η 5 . 5〜9 . 0爲特徵之形成金屬佈 線層而用的硏磨L S I裝置用組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔3〕如〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用組 成物,於絕緣膜上介由T a或丁3?^而成的障壁金屬,爲 硏磨銅經予堆積的銅系金屬佈線層而用的。 〔4〕一種硏磨L S I裝置用組成物,其特徵在於絕 緣膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬爲硏磨銅經予堆 積的銅系金屬佈線層而用的〔1〕或〔2〕記載之硏磨 L S Γ裝置用組成物由T a或T a N而成的障壁金屬之硏 磨速度及銅之硏磨速度之比在1 · 〇以上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -g _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 _ B7 __ 五、發明説明(7 ) 〔5〕一種硏磨L S I裝置用組成物,其特徵在於絕 緣膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬爲硏磨銅經予堆 積的銅系金屬佈線層而用的〔1〕或〔2〕記載之硏磨 L S I裝置用組成物,由T a或T a N而成的障壁金屬之 硏磨速度及銅之硏磨速度之比在1 . 0以上,銅之溶解速 度爲5 n m /分鐘以下。 〔6〕一種硏磨L S I裝置用組成物,其特徵在於絕 緣膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬爲硏磨銅經予堆 積的銅系金屬佈線層而用的〔1〕或〔2〕記載之硏磨 L S I裝置用組成物,由T a或T a N而成的障壁金屬之 硏磨速度及銅之硏磨速度之比在1 . 0以上,銅之溶解速 度爲lnm/分鐘以下。 〔7·〕以〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用組 成物,其中前述鹼性物質係K〇Η。 〔8〕如〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用組 成物,其中前述鹼性物質係由2,2 ,6 ,6 —四甲基一 4 —羥基哌啶、2,2,6 ,6 —四甲基哌啶、2,2, 6 ,6 —四甲基—4 —哌啶酮、2 ,2 ,4,4,6 ,6 —五甲基一2,3,4,5 —四氫嘧啶、1,9 —二重氮 —2 ,2 ,8 ,8 ,1 0 ,1 0 —六甲基一螺〔5 · 5〕 十一院—4 —酮、6 —重氮—7,7 —二甲基螺〔4 · 5 〕癸烷一9 一酮、1—重氮一2,2 —二甲基螺〔5 .5 〕十一烷一4一酮選出的至少一種以上的受阻胺。 〔9〕如〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用組 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) _ 1 〇 _ . I I ΊI 訂 ~. 線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 Α7 Β7 五、發明説明(8 ) 成物,其中前述硏磨粒係由二氧化矽、氧化鋁、氧化鈽、 二氧化欽、二氧化銷、複合金屬氧化物、金屬氫氧化物選 出的至少一種以上的化合物爲主成分。 〔1 0〕如〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用 組成物,其中前述硏磨粒係以氣相法製造的氧化矽。 〔1 .1〕如〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用 組成物,其中前述硏磨粒係經偶合劑進行表面處理者。 〔1 2〕如〔1〕或〔2〕.記載之硏磨L S I裝置用 組成物,其中前述硏磨粒係經具有至少一個以上的胺基之 偶合劑進行表面處理者。 〔1 3〕如〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用 組成物,其中前述有機酸係由蘋果酸、尼古丁酸、葡糖酸 、檸檬酸、酒石酸、琥珀酸、醋酸、草酸、己二酸、丁二 酸、癸酸、己酸、辛酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、富馬酸 、馬來酸、丙二酸、酞酸、丙酸、丙酮酸選出的至少一種 以上之有機酸。 〔1 4〕如〔1〕或〔2〕記載之硏磨L S I裝置用 組成物,其中前述氧化劑爲過氧化氫。 〔1 5〕一種L S I裝置之製造方法,其特徵在於絕 緣膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬以硏磨用組成物 硏磨銅經予堆積的銅系金屬佈線層之方法,前述硏磨用組 成物係含有水、硏磨粒、有機酸,且鹼性物質係經予調整 成 p Η 5 · 5 〜1 0 · 0。 〔1 6〕一種L S I裝置之製造方法,其特徵在於絕 I---------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) _巧巧 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(9 ) 緣膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬以硏磨用組成物 研1磨銅經予堆積的銅系金屬佈線層之方法,前述硏磨用組 $物係含有水、硏磨粒、有機酸、且鹼性物質係經予調整 成 PH5.5 〜9.0。 〔1 7〕如〔1 5〕或〔1 6〕記載之L S I裝置之 製造方法,係於含有設於絕緣膜之凹處的全面上設置由 T a或T a Ν而成之障壁金屬層,於其障壁金屬層上堆積 銅並以銅完全嵌埋凹處內之後,採用前述硏磨組成物硏磨 障壁金屬層上之銅及障壁金屬並使已嵌埋於前述絕緣膜之 凹處內的銅選擇的殘存著,形成嵌埋銅佈線層。 圖式之簡單說明 第1圖係利用本發明之銅佈線層之形成方法之步驟圖 〇 第2圖係利用本發明之銅佈線層的形成方法之步驟圖 〇 第3圖係利用本發明之銅佈線層的形成方法之步驟圖 〇 第4圖係利用本發明之銅佈線層的形成方法之步驟圖 潑明之詳細記載 本發明係含有水、硏磨粒、氧化劑、有機酸、以鹼性 物質,爲形成經予製備成p Η 5 · 5〜1 0 · 〇,較宜爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)-12 - I— I I —裝 ; 訂 , 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 A7 B7 五、發明説明(10) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) P Η 5 . 5〜9 . 0的金屬佈線層而用的硏磨L s I裝置 組成物,前述金屬佈線層,係於絕緣膜上介由T a或 T a N而成的障壁金屬,可較宜使用於銅經予澱積的銅系 金屬/佈線層之情形。由T a或T a N而成的障壁金屬之 硏磨速度,及銅之硏磨速度之比在1 . 0以上時,爲使能 抑制形成凹坑、沖蝕、更合適使用。以此硏磨速度之比在 1·0〜2·0之範圍內爲尤宜。 在本發明,宜爲將硏磨用組成物之p Η調整5 . 5〜 1 0 · 0較宜爲5 · 0〜9 · 0,更宜爲6 · 0〜9 · 0 ,更宜爲7 · 0〜9 · 0。ρ Η若較5 · 5小時,則有銅 之溶解速度變大的疑慮,故若較1 0 · 0大時,則硏磨作 業時之危險性增大,廢液處理之負載會增大所致。 又爲較低的控制銅之硏磨速度,於ρ Η調整方面,較 宜使用N a Ο Η,Κ〇Η等鹼金屬之氫氧化物, N a 2 C 0 a . K2C〇3等之鹼金屬碳酸鹽、 M g (〇Η ) 2、 C a (〇Η ) 2等的鹼金屬氫氧化物、2 ,2,6 ,6 —四甲基一4 -羥基哌啶、2,2 ,6 ,6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —四甲基一4 —哌Β定酮、2 ,2 ,4,4,6 —五甲基一 2,3,4,5 — 四氫嘧啶、1,9 —二重氮—2,2, 8,8,1 0,1 0 —六甲基一螺〔5 · 5〕十一烷一 4 —酮、6 —重氮一 7,7 —二甲基螺〔4 · 5〕癸院—9 -酮等受阻胺選出的至少一種以上的鹼性物質。Κ Ο Η在 硏磨L S I裝置方面係有使用實績,故較合適。又受阻胺 由於不含有對裝置特性給予惡劣影響之金屬成分,故較合 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ q ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 __ _ B7 五、發明説明(11 ) 適使用。 P Η調整法並未予特別限定,可於組成物內添加鹼性 物質,或以應添加的鹼性物質之全部或部分爲有機酸之鹽 可予添加。又經予添加的鹼性物質係以與有機酸反應並以 鹽類存在即可。 其次對本發明所使用的硏磨粒予以說明。 於本發明,硏磨粒之種類並未予特別限定,惟以由二 氧化矽、氧化矽。氧化鈽、二氧化鈦、氧化锆、複合金屬 氧化物、金屬氫氧化物選出的至少一種以上之化合物係較 合適使用。 其中,以氣相法製造的金屬氧化物粒子,以可抑制損 傷之發生且提高障壁金屬之硏磨速度係較容易的,故可較 .合適使用。在氣相法,通常以氯化物等爲原料並藉由加水 分解反應,可予製造金屬氧化物粒子,惟若未反應的氯大 量殘存時,則因淤漿之黏度有變高的傾向,故並不宜,又 因有腐蝕銅之顧慮,故並不合適。至於殘存氯濃度以在 0.3質量%以下爲宜。 又以氣相法製造的金屬氧化物粒子之中,二氧化矽粒 子因係以偶合劑容易進行表面處理,故可更合適的使用。 至於前述硏磨粒之二次粒子粒度分布,雖可利用動態 光散射法予以測定,惟最大値(d m a X )宜爲在5 // m以 下,較宜爲在3//m以下,更宜爲1 以下。若超過5 // m時,則因硏磨表面上形成較易受微小的損傷,故並不 宜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ g - 裝 „ "订 . 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 B7 五、發明説明(12) 又,於前述硏磨粒之二次粒子粒度分布方面,平均値 (d5〇)宜爲〇 · 0 1〜1 · 〇#m,較宜爲〇 · 1〜 〇 · 5#ηι,未滿0 · 01/zm時,則較難獲得障壁金屬 較高的硏磨速度,若超過1 # m時,則硏磨表面上形成較 易受微小的損傷’故並不宜。 前述硏磨粒之比表面積値,宜爲5〜4 0 0 m 2 / g, 較宜爲2 0〜3 5 0m2/g,更宜爲5 0〜3 Ο Ο m 2 / g。在此,此表面積係以被稱作Β Ε Τ法之氮吸附法 測定的値。此表面積若未滿5 m 2 / g時,則因硏磨表面上 形成較易受微小的損傷,故並不宜。又此表面積若超過 4 0 0 m 2 / g時,則較難獲得障壁金屬較高的硏磨速度, 又欲降低殘存氯濃度一事係成爲較困難所致。 其次說明本發明較宜使用於硏磨粒內之偶合劑。 在本發明,雖需提高由T a或T a N而成的障壁金屬 之硏磨速度,惟爲提高障壁金屬之硏磨速度,以偶合劑對 硏磨粒進行表面處理爲宜。 以偶合劑進行表面處理一事,使硏磨粒及樹脂製的小 塊試樣之親和性變高,硏磨粒成爲可予良好的保持於小塊 試樣。結果,有助於硏磨之硏磨粒的比例變高,使障壁金 屬之硏磨速度提高。又若以含有胺基之偶合劑處理時,則 可使硏磨粒表面帶正電。在T a或T a N之硏磨,使表面 上已生成的T a 2〇5與硏磨粒接觸,進行硏磨,惟因 T a 2 0 5帶負電,故與帶正電之硏磨粒間之親和性較高。 亦即若以含有胺基之偶合劑處理時,則可提高硏磨粒及障 裝 ^ 訂 » 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) _ 15 - 503154 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五, 、發明説明 ( 13) 1 I 壁 金 屬 之 親 和性 ,結: 果可提高障壁金屬之硏磨速度。 1 I 本 發 明 所 使 用 的 偶 合 劑 j 可 舉 出 有 矽 烷 系 偶 合 劑 鈦 1 1 1 酸 鹽 系 偶 合 劑 祉 m 酸 鹽 系 偶 合 劑 9 鋁 系 偶 合 劑 磷 酸 鹽 系 1 I 請 圓 | 偶 合 劑 等 0 至 於 石夕 院 系 偶 合 劑 之 例 可 舉 出 有 • 乙 烯 基 先 閲 1 I 讀 1 1 氯 矽 烷 、 1 2 — 二 氯 乙 基 二 氯 矽 垸 1 — 氯 乙 基 二 氯 矽 背 面 1 I 院 2 — 氯 乙 基 三 氯 矽 烷 乙 基 二 氯 矽 院 3 3 , 3 — 之 注 意 1 I 二 氟 丙 基 二 氯 矽 院 2 — 氰 基 乙 基 三 氯 矽 烷 烯 丙 基 二 氯 事 項 再 1 1 矽 烷 3 — 溴 丙 基 三 氯 矽 垸 Λ 3 — 氯 丙 基 三 氯 矽 烷 正 丙 填 寫 本 1 裝 基 二 氯 矽 院 、 3 — 氰 基 丙 基 二 氯 矽 院 > 正 丁 基 三 氯 矽 院 - 頁 1 1 異 丁 基 氯 矽 院 、 戊 基 二 氯 矽 院 、 己 基 三 氯 矽 烷 對 由 苯 1 基 二 氯 矽 烷 6 — 二 氯 甲 矽 基 — 2 — 原 冰 片 烯 2 — 二 氯 1 I 甲 矽 基 原 冰 片 烯 - 庚 基 二 氯 矽 烷 Λ 2 — ( 4 — 氯 己 烯 基 醚 1 訂 1 .) 二 氯 矽 院 辛 基 二 氯 矽 院 Λ 氯 苯 基 乙 基 二 氯 矽 院 Λ 十 四 1 烷 基 三 氯 矽 院 十 八 院 基 二 氯 矽 院 二 十 院 基 二 氯 矽 烷 1 1 一 十 二 基 二 氯 矽 烷 氯 甲 基 三 甲 氧 基 矽 院 甲 基 二 甲 氧 基 1 I 矽 烷 硫 醇 基 甲 基- .—‘ 甲 氧 基 矽 院 乙 烯 基 二 甲 氧 基 矽 烷 、 線 I 乙 基 二 甲 氧 基 矽 院 3 , 3 > 3 — 二 氟 丙 基 二 甲 氧 基 矽 烷 1 1 2 — 氰 基 乙 基 二 甲 氧 基 矽 院 % 3 — 氯 丙 基 三 甲 氧 基 矽 烷 1 1 、 3 — 硫 醇 基 丙 基 三 甲 氧 基 矽 烷 3 — 胺 基 丙 基 二 甲 氧 基 1 1 矽 烷 2 — 胺 基 乙 基 胺 甲 基 二 甲 氧 基 矽 院 丁 基 三 甲 氧 基 1 I 矽 烷 3 — 二 氟 乙 氧 基 丙 基 三 甲 氧 基 矽 院 、 3 — ( 胺 基 乙 1 1 | 基 胺 基 丙 基 ) 二 甲 氧 基 矽 院 、 苯 基 二 甲 氧 基 矽 烷 3 — 環 1 1 氧 丙 氧 基 丙 基 三 甲 氧 基 矽 1 完 3 — 烯 丙 基 胺 基 二 甲 氧 基 矽 1 1 院 己 基 二 甲 氧 基 矽 院 3 — 嗎 啉 基 丙 基 三 甲 氧 基 矽 院 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _化_ 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(14) 3〜六氫吡啡基丙基三甲氧基矽烷、3. —〔 2 —( 2 —胺 基乙_胺基乙基胺基)丙基〕三甲氧基矽烷、2 -( 3, 4〜環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3 -六氫吡啶基 丙基S甲氧基矽烷、3 -苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3 一氯己基胺基三甲氧基矽烷、〇,〇’ 一二乙基S —(2 一Ξ乙氧基甲矽基乙基)二硫代磷酸鹽、3一苄基胺基丙 基三甲氧基矽烷、3 -甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、 甲基Ξ乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基 砂烷、3-氯丙基三乙氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、3 一胺基丙基三乙氧基矽烷、2 —2 —胺基乙基硫代乙基 )三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、4 —氯苯基三乙羞 基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、6-三 .乙氧基甲矽基一 2 —原冰片烯、辛基三乙氧基矽烷、3 -(二乙氧基甲Ϊ夕基丙基)-對-硝基苯甲醯胺、十二院基 三乙氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷、烯丙基三乙氧基 石夕院、3 -環氧丙氧基丙基三乙氧基砂院、3 -甲基丙烯 氧基丙基三乙氧基矽烷、3 —(胺基乙基胺基丙基)三乙 氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、乙烯基參(2 -甲氧基乙 氧基)矽烷、3—環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3 一甲基丙烯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3 —(胺基乙基 胺基丙基)甲基二甲氧基矽烷等。又矽氮烷及其縮合物等 之衍生物、氯矽烷及其縮合物等之衍生物、烷氧基矽烷及 其縮合物等的衍生物等之構造中具有加水分解基之矽烷, 係一般並非被分類成矽烷系偶合劑,惟在本發明係可利用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210';<297公釐)
In I ί Γϋ nn--^mi I ................... ϋϋ in mi (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(15) 的。至於鈦酸鹽系偶合劑之例’可舉出有新戊基(二烯丙 基)氧基三(二氧基)焦磷酸鹽鈦酸鹽等。至於鋁系偶合 劑之例子,可舉出乙醯基烷氧基鋁二異丙酸鹽等。至於磷 酸鹽系偶合劑之例子,可舉出二丁基一 2 一甲基丙烯醯氧 基二乙基磷酸鹽等。其中矽烷系偶合劑,係工業上最常被 使用的,在成本面’種類之豐富面’到手之容易面係有利 的。此等的矽烷系偶合劑之中’宜爲烷氧系矽烷、例如乙 烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2 —( 3 ,4 -環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙 基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷 、3—甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧 基丙基三乙氧基矽烷、3—甲基丙烯氧基丙基甲基二甲氧 基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、2-胺基乙基胺基甲基三甲氧基 矽烷、3 -(胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、3 -〔 2 - ( 2 -胺基乙基胺基乙基胺基)丙基〕三甲氧基矽烷 、3 -苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3 -環己基胺基丙基 三甲氧基矽烷、3 -戊基胺基丙基三甲氧基矽烷、3 -胺 基丙基三乙氧基矽烷、2 — ( 2 —胺基乙基硫代乙基)三 乙氧基矽烷、3 -(胺基乙基胺基丙基)三乙氧基矽烷、 3 —(胺基乙基胺基丙基)甲基二甲氧基矽烷、3 —氯丙 基三甲氧基矽烷、3 -氯丙基三乙氧基矽烷、硫醇基甲基 二甲氧基5夕垸、3 -硫醇基丙基二甲氧基5夕院。再者,3 —(胺基乙基胺基丙基)甲基二甲氧基矽烷、3 -(胺基 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格( 210X 297公釐)Γη ο . "~ , n 裝 ^ 訂 * I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 A7 B7 五、發明説明(16) (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、3 -(胺基乙基胺基丙基 )三乙氧基矽烷、3 -胺基丙基三甲氧基矽烷、3 -胺基 丙基三乙氧基矽烷等之具有胺基之矽烷偶合劑,由於在水 溶液中的穩定性較高,於以水爲分散劑之本發明的硏磨材 組成物內,可最有利的使用。 此等偶合劑之適當的使用量,雖係依使用的偶合劑之 種類,表面處理方法,成爲表面處理之對象的硏磨粒之物 性者,惟對硏磨粒,宜爲0 . 0. 0 1〜5 0質量%,較宜 爲0 · 01〜30質量%,更宜爲0 . 1〜20質量%。 於未滿0 . 0 0 1質量%時,由於較難獲得所謂硏磨粒及 小塊試樣間之親和力的提高效果,故並不宜。另一方面, 若超過5 0質量%時,硏磨粒係具有撥水性,有未能懸浮 .於水中的顧慮,又偶合劑成爲合妨礙硏磨粒及被加工物之 障壁金屬之直接接觸,有帶來硏磨速度降低之顧慮。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明之利用偶合劑之表面處理方法,並非特予限 定者。以V型摻合機等強制攪拌硏磨粒,同時以乾燥空氣 或氮氣等使偶合劑溶液噴霧,進行充分混合後,爲使硏磨 粒表面之縮合反應而進行約1 0 0〜2 0 0 °C之熱處理之 乾式法,使硏磨粒分散於水等於成爲淤漿狀態時添加偶合 劑溶液,固液分離後,使在約1 0 0〜2 0 0 t乾燥的濕 式法等工業上經予確立的一般技巧係可予利用的。再者, 於本發明,以利用通常的偶合劑之表面處理進行的上述約 1 0 0〜2 0 0 t之熱處理係可予省略的。亦即,於使硏 磨粒懸浮於水的淤漿內。僅單單混合指定量之偶合劑,亦 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-19 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 ___ B7 _ 五、發明説明(17) 具有由偶合劑而得的表面處理之效果。 含有以本發明之偶合劑進行表面處理的硏磨粒之硏磨 用組成物,如上述般,使以偶合劑進行表面處理的硏磨粒 分散於水、宜爲純水內而得。又由使硏磨粒懸浮於水的淤 漿而成之硏磨用組成物內混入指定量的偶合劑之情形,硏 磨粒之利用偶合劑進行的表面處理之一定效果,故使用此 作爲本發明之硏磨用組成物亦可。無機化合物之分散技巧 並未予特別限定,可利用通常的攪拌機、均質機、渦輪混 合器、介質攪拌磨輪等公知的分散機器。又,此際若添加 被指適於聚羧酸鹽、萘磺酸鹽甲醛縮合物等水系淤漿的公 知分散劑亦可。再者爲去除較粗的凝集粒子,進行沈降分 級或過濾亦可。 於本發明,硏磨粒濃度宜爲0 · 1〜2 · 〇質量%, 較宜爲0 · 5〜15質量%,更宜爲1 · 〇〜10質量% 。硏磨粒濃度若較0 · 1質量%小時,則由於障壁金屬之 較高的硏磨速度成爲較難獲得,故即使超過2 0質量%時 ’由於即使超過2 0質量%,由於增量引起的障壁金屬之 硏磨速度之提高較少,並不經濟所致。 其次說明本發明使用的有機酸。 有機酸係與氧化劑同時予以添加,於增大障壁金屬之 硏磨速度方面係有效果的。 有機酸,雖然並未予特別限定者,惟羧酸係在工業規 模上可價廉的容易到手,由於較少安全面上的問題,可較 宜使用。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) _ 20 _ — •I I I I n I I I I n J 1 訂 ! I I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 B7 五、發明説明(18) 至於此種羧酸,可舉出有蘋果酸、尼克丁酸、葡糖酸 、檸檬酸、酒石酸、琥珀酸、醋酸、草酸、己二酸、酪酸 、癸酸、己酸、辛酸、戊二酸、乙二酸、甲酸、順丁烯二 酸、丙二酸、苯二甲酸、丙酸、丙酮酸、可單獨使用亦可 複合組合使用。 有機酸之濃度宜爲0 · 0 1〜2 0質量%,較宜爲 0 · 1〜15質量%,更宜爲0 · 5〜10質量%。若未 滿0 · 0 1質量%時,則成爲較難獲得障壁金屬之較高的 硏磨速度,故若超過2 0質量%時,則硏磨時會有銅溶解 的顧慮,故並不合宜。有機酸之部分或全部係與鹼性物質 反應並以鹽之形式存在亦可。 其次說明本發明使用的氧化劑。 氧化劑係於C Μ P時,促進金屬之氧化反應,具有可 提高硏磨速度之效果。使用的氧化劑若爲水溶性時’則並 未予特別限制,例如可舉出過氧化氫、過錳酸鉀等過錳酸 化合物、鉻酸鈉等的鉻酸化合物、硝酸等的硝酸化合物、 過氧化二硫酸等過氧酸化合物、過氯酸等的過氧酸化合物 、鐵氰化鉀等的過鍍金屬鹽、過醋酸、硝基苯等的有機系 氧化劑等。此等之中,過氧化氫係不含有金屬分,反應之 際生成的副產物或分解物係無害的,在半導體產業亦有使 用作淸洗用藥劑等的實績’故係尤宜的。 前述氧化劑之濃度宜爲〇 · 〇 1〜2 0質量% ’較宜 爲0 .1〜15質量%’更宜爲〇 · 5〜10質量%。若 未滿0 · 0 1質量%時,則障壁金屬之較高的硏磨速度係 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(BOX297公釐)-21 - I ^ 訂 . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(彳9) 變成較難獲得所致,若超過2 0質量%時,則在硏磨時會 有銅溶解的顧慮,故並不合宜。 於本發明之硏磨組成物,使用氧化劑之過氧化氫時, 爲防止由於儲存中的過氧化氫之分解引起的組成變動,藉 由添加指定濃度之過氧化氫水及過氧化氫,個別的製備成 爲指定的硏磨組成物之組成物,正在使用之前混合兩者並 進行化學的機械硏磨爲宜。 又,本發明之硏磨用組成物係混合黏度調整劑,p Η 調整劑、緩衝劑、螯合劑、界面活性劑、有機酸及其鹽等 ,各該領域公知的各種添加劑亦可。 本發明之硏磨組成物,係爲形成L S I裝置之金屬佈 線層而予使用者,較詳細而言係以於絕緣體上介由T a或 .T a N而成的障壁金屬而形成銅經予堆積的銅系金屬佈線 層爲目的。 若參閱圖面並予說明時,則如圖般於政晶圓1上以熱 氧化法等形成二氧化砂膜,於該二氧化砂膜2中形成已固 應佈線圖形之凹處3。凹部之形成係以微影法可予形成。 其次,如第2圖般,於含有凹部3之二氧化矽膜2之 全面上形成由T a或T a N而成的障壁金屬層4。障壁金 屬係以防止銅擴散(反應)於二氧化矽中爲目的者,障壁 金屬層之厚度係一般以約5〜2 0 0 nm即可。障壁金屬 層4形成係可利用濺鍍法或C V D法等而成。 形成障壁金屬層4後,全面的堆積銅,完全以銅嵌埋 凹部3內。此時,銅5係不僅凹部3內,亦堆積於二氧化 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) .22 " "" ^^1 I II 訂— — I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 503154 A7 __ B7 __ 五、發明説明(20) 矽膜2上的障壁金屬層4之上的全面。銅層5之堆積,若 爲完全嵌埋於凹部3內的方法時,則以濺鍍,C V D或電 鍍等任一種方法均可。 若參閱第3圖,第4圖時,則採用本發明之硏磨組成 物,進行硏磨銅層5。銅層係如第3圖之5 a ,5 b般依 序予以硏磨,再者予以硏磨至與障壁金屬層4之表面相同 高度爲止。硏磨係採用硏磨小塊試樣及硏磨組成物以硏磨 矽晶圓表面,故晶圓表面係如5. a ,5 b般,基本上可予 平坦的硏磨著,硏磨係與機械性硏磨作用亦同時具有化學 性硏磨之作用,僅銅之情形係予平坦的硏磨,惟同時硏磨 銅層5及障壁金屬層4時,不一定以相同硏磨速度經予硏 磨之理。本發明之硏磨組成物係由硬質的T a或T a N而 .成的障壁金屬與較柔軟的且亦不易爲酸所侵蝕的銅間之硏 磨速度予以設成相同般者。又,被使用作佈線層之銅若受 酸予以腐蝕時,則成爲裝置之劣化原因,故該點亦需予防 止則令人期待的。如此,採用本發明之硏磨組成物並同時 硏磨銅及障壁金屬時,則如第4圖所示,二氧化砂膜2上 之障壁金屬層4經予硏磨時,凹部3內的銅6之表面係實 質上具有與二氧化矽膜2之表面一致並可成平坦狀,且利 用硏磨組成物亦可防止腐蝕的特徵。 實施發明而採的最佳形態 以下,舉出實施例再詳細說明本發明,惟本發明並非 受此等實施例任何限定者。 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) » I ^ "訂 . 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- A7 B7 五、發明説明(21) (實施例1 ) 使以氣相法製造的二氧化砂(比表面積値2 3 0 m2/g,d 5 〇 = 0 . 1 2 // m . dmax=〇 · 41//m ,殘存氯濃度〇 · 1質量% ) 3 k g懸浮於7 k g之純水 中,使用一般的攪拌機攪拌3 0分鐘,而得淤漿。於此淤 漿內添加矽烷偶合劑(日本Unika (股)製造,八— 1 1 2 0,3 —(胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷 3 0 0 g ),再攪拌2 0 0小時後,過瀘出固形分,以 1 2 0 °C熱處理2小時,而得經予矽烷偶合劑表面處理的 二氧化矽硏磨粒。此時矽烷偶合劑係對二氧化矽硏磨粒爲 10質量%之使用量。 如此而得的二氧化矽硏磨粒爲4質量%,蘋果酸1質 量%,利用K〇Η調整pH或8 · 5,再者製造由含有過 氧化氫2質量%之純水而成的硏磨液。 進行此硏磨用組成物之對C u、T a的硏磨評估。 〔硏磨條件〕 被硏磨材:附有C u膜之晶圓 於直徑1 5 c m矽晶圓上堆積熱氧化膜1 〇 〇 nm,TaN 膜 50nm、Cu 膜 11〇〇 n m並予製作 附有T a膜之晶圓 於直徑1 5 c m矽晶圓上堆積熱氧化膜1 〇 〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I I 1111:::. I ^ I 11 11 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 A7 B7 五、發明説明(22) nm,Ta膜500nm並予製作 硏磨小塊試樣:Rodelnitter公司製造的I C 1 0 0 0 / S U B A 4 0 〇 硏磨機:硏磨L S I裝置用單面硏磨機(Speedfam (股) 公司製造,型式號碼SH — 2 4 ) 定盤旋轉速度:7 0 r p m 加工壓力:3 0 0 g f / c m 2 淤槳供給速度:1 〇 〇 m L / m i η 硏磨時間:6 0 s e e 〔評估項目及評估方法〕 硏磨速度:板片電阻測定裝置 (C u膜、T a膜:由板片電阻値換算成膜厚 ,以硏磨時間除去除量可予算出) C u溶解速度:將附有C u膜之晶圓小片浸漬於供硏磨試 驗用的淤漿(溫度:2 0 °C ) 1 h r,測 定浸漬前後的試料重量,由表面積、比重 、浸漬時間用下式予以算出。 溶解、、束庐.浸漬前重量—浸漬後重量 • it重X試料表面積X浸漬時間 損傷:光學顯微鏡觀察(以1 〇 〇倍觀察晶圓表面) 進行上述的硏磨試驗,而得表1之結果。 (實施例2 ) 除用2質量%取代二氧化矽硏磨粒之4質量%外,餘 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I--------— 裝 — I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A7 — _ ____—_ B7 ^ 五、發明説明(23) 以與實施例1相同的條件製造淤漿,進行與實施例i相同 的硏磨性能評估,而得表1所示的結果。 (實施例3 ) 除表面處理劑使用量對硏磨粒設爲1 5質量%以外, 餘以與實施例2相同的條件製造淤漿,進行與實施例i相 同的硏磨性能評估,而得表1所示的結果。 (實施例4 ) 除調整P Η成7 · 0以取代8 · 5外,餘以與實施例 2相同的條件製造淤漿,進行與實施例1相同的硏磨性能 評估,而得表1所示的結果。 (實施例5 ) 除調整Ρ Η成6 · 0以取代8 · 5外,餘以與實施例 2相同的條件製造淤漿,進行與實施例1相同的硏磨性能 評估,而得表1所示的結果。 (實施例Θ ) 除使用酒石酸取代蘋果酸外,餘以與實施例2相同的 條件製造淤漿,進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而 得表1所示的結果。 (實施例7 ) 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210>< 297公釐1 -26- '^' . 裝 I —^ 訂 . ~線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(24) 除使用己二酸取代蘋果酸外,餘以與實施例2相同的 條件製造激漿’進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而 得表1所示的結果。 (實施例8 ) 除使用蘋果酸1 〇質量%取代蘋果酸1質量%外,餘 以與實施例2相同的條件製造淤漿,進行與實施例1相同 的硏磨性能評估’而得表1所示的結果。 (實施例9 ) 除使用2 ’ 2 ’ 6,6 —四甲基一 4 一羥基哌D定取代 K〇Η並調整ρ Η外,餘以與實施例2相同的條件製造淤 漿,進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而得表1所示 的結果。 (實施例1 0 ) 除使用比表面積1 6 C m 2 / g之二氧化矽取代比表面 積2 3 0 m 2/ g之二氧化矽外,餘以與實施例2相同的條 件製造淤漿,進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而得 表1所示的結果。 (實施例1 1 ) 除使用二氧化鈦(比表面積値2 0 〇 m 2 / g,廿5 〇 =0 ·1 ,dmax=0 · 4 3#m ’ 殘存氯濃度 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-27 - I— I n I I ϋ —Ί I ^ I — I I I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 Α7 Β7 五、發明説明(25) 0 · 2質量% )外’餘以與實施例2相同的條件製造淤漿 ’進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而得表1所示的 ^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 結果。 (實施例1 2 ) 除使用氧化銘(比表面積値2 〇 〇 m 2 / g,d 5 〇 = 〇 · 13#m,dmax=〇 ·45//ιη,殘存氯濃度 〇 · 1質量% )外,餘以與實施例2相同的條件製造淤漿 ,進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而得表1所示的 結果。 (實施例1 3 ) 除使用草酸取代蘋果酸外,餘以與實施例2相同的條 件製造淤槳’進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而得 _ 1所示的結果。 (實施例1 4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與實施例1相同,惟對硏磨粒不進行表面處理,製造 淤漿,進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而得表丨所 示的結果。 ‘ (實施例1 5 ) 除調整P Η成9 · 5以取代8 · 5外,餘以與實施例 2相同的條件製造淤漿進行與實施例1相同的硏磨性能評 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)-28 - 卿154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(26) 估’而得表1所示的結果。 (比較例1 ) 除p Η調整成5 · 0以取代8 · 5外,餘以與實施例 2相同的條件製造淤漿進行與實施例1相同的硏磨性能評 估,而得表1所示的結果。得知C u之溶解速度正變大。 (比較例2 ) 除利用氨水取代Κ Ο Η調整ρ Η外,餘以與實施例2 相同的條件製造淤漿進行與實施例1相同的硏磨性能評估 ’而得表1所示的結果。得知C u之溶解速度正變大。 (比較例·3 ) 除使用殘存氯濃度0 · 5質量%之二氧化矽、酒石酸 取代殘存氨濃度0 · 1質量%之二氧化矽、蘋果酸外,餘 以與實施例2相同的條件製造淤漿進行與實施例1相同的 硏磨性能評估,而得表1所示的結果。 (比較例4 ) 與實施例1 3相同,惟在不使用有機酸下製造勝漿, 進行與實施例1相同的硏磨性能評估,而得表1所示的結 果。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)_ 29 - ----------裝 ; 訂 I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 A7 B7 五、發明説明(27) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
T嗽 損傷 <±Λ^ uU^ UU^ UU, i±J^ i±J^ tU, t±J^ i±J^ lU^ tU^ UJ/ tU, tU^ t±J, m- ffi- S Ά Ά ffl- Ά Ά S m: m: a- m: ΛΓΙν νΓι^ ^Τί> χΓ1> νΓ1> νΓί^ >ΓΓ1^ ntIv χγί'ν ^ΤΙ'ν ♦ ι<, UJ, UJ/ UJ, & & S xrl'N ^Tl'x ^T1> Cu 溶解速度 (nm/分) c<j 寸 οο cNcsi mcsico 〇〇〇〇〇〇〇<〇〇〇〇〇 〇'〇 ο 寸d 。 (S cn 〇4 r—3 選擇比 Ta/Gu ΟΟ CO CD 's〇 〇〇 ΐ—ΐ C3 ^—ΐ ΟΟ ι—ί t..............< τ.............< ι..............ί \....... f ι-i \............( τ—< \..............i r™™< ,..............i γ·_Η r.............( ι..............i t丨丨丨丨丨…i CSI 寸 O 〇 〇 r-ί 〇 硏磨速度(nm/分) (3 oownc^i 寸 OO 寸 C^OOCNC^IOOONO^O 寸cn寸寸寸cncnmcoco寸。奇寸co 卜csi CO C<1 ^~~1 CNl ^Οί r^i>-c^cNicncnc^〇Nmv〇r-H〇<ii〇^-ir-^ oo 寸 寸 寸 〇 卜 ί〇 CO 1/-)寸 1 1 \〇 in to ir^ un v〇 oo oo oo ι>^ λ〇 〇6〇6cx3〇6o6o6o6o6cx)〇n Cp O u〇 \n wo uri cx5 oo 〇6 有機酸 質量% ί- 〇 pppppoo^opppp. op r—H ,_.............i ΐ"·Ή i—^ t..............i iH ,丨丨丨丨丨丨H t.............i \..............\ t-H \..............4 τ—< i..............i r_H \丨丨丨丨丨丨丨 i 〇 〇 P 1 τ—H i............4 ί—Η 1 種類 氍氍氍瀣氍觀氍氍氍氍氍氍氍氍 mV m]Z tnlZ tn]Z rnjZ 1 Π 1 1 tn]Z trtlZ ni]Z tn]Z tnlZ ΐπ]Ζ m]Z 觀觀颧爾鶴製ΐυ觀觀鸛餾觀蚺鲲觀 蘋果酸 蘋果酸 酒石酸 te J \ NN 硏磨粒 表面處理 (質量%)_ 1 OOW^OOOO. 〇〇〇〇〇〇 宙二 〇 T"™......'i τ......Ή τ..........Η τ·1· 4 τ™Η τ.......Η τ·ηΉ τ~™Η τ~~Η τ_·丨丨丨丨丨丨丨丨i t™~H τ™™4 τιγ丨丨丨丨丨xf™}-% r"·丨丨丨丨崎 〇 〇 〇 〇 τ™Η ί—Η ί—H r—1 比表面積 (m2/g) 〇〇〇〇〇 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇 cocncncncncocncnco^ooococnco C^C<ICNlCNlCSlCslCslCS|CNlr-HC<lCNlO<lCNlCsI 〇 〇 〇 〇 cn cn co cn CN| C<1 C<l C<l 硏磨粒濃度 價量%) 寸 CNICS1C<1C<ICS1C<ICS10<I 寸 寸 C<1 Csl CN csl C<1 硏磨粒之 種類 (質量%) 给给给给给給给给给给鬆 给给给 祕祕鹏驅祕驅鹏鹏驅鹏鹏S祕鹏鹏 11 11 11 11 I] 11 11 11 11 11 lUfll 11 11 二氧化矽 二氧化矽 二氧化石夕 二氧化矽 d d .㈣鎰. 佩:Η 〇 ί~t 〇〇 m 寸 1~~1 CN CO 寸 V〇 O' OO ON 1~~1 1It1 ,1 r—i ,1 孽匡孽孽孽寒孽蒙孽匡孽孽孽匡寒· 辑滔辑滔㈣㈣㈣辑㈣滔辑㈣㈣㈣㈣ |i( |i( 1¾ Κ |ι( |1; |1( 11 |i( |ι( Κ |ΐ( |ΐ( {$ι( |ΐ( t i 〇<i co 寸 Ttnf rflii" Ι1Π! ίΙΠΙ J_J ^LJ JJ j_4 -LA -------丨—裝----J—-I訂—丨--丨—線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 30 - 503154 A7 B7 五、發明説明(28) 且上述的實施例係就T a之硏磨予以評估,惟對T a N亦與T a爲相同的硏磨速度係通常爲人所知的。 產業上之可利用性 若依本發明時,T a ,T a N等的障壁金屬之硏磨速 度高,且與銅間之硏磨速度之配衡亦優越,可防止形成凹 孔,同時亦可防止銅之沖蝕,故在L S I裝置以金屬鑲嵌 法尤其有用的。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)_ 31 -
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種爲形成金屬佈線層而用的硏磨L S I裝置用 組成物,其特徵在於含有水、硏磨粒、有機酸、氧化劑, 且鹼性物質經予調整至p Η 5 · 5〜1 0 . 0。 2 · —種爲形成金屬佈線層而用的硏磨L S I裝置用 組成物,其特徵在於含有水、硏磨粒、有機酸、氧化劑, 且鹼性物質經予調整至ρ Η 5 · 5〜9 . 0。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I裝 置用組成物,係於絕緣膜上介由T a或T a Ν而成的障壁 金屬,爲硏磨銅經予堆積的銅系金屬佈線層而用的。 4 · 一種硏磨L S I裝置用組成物,其特徵在於絕緣 膜上介由T a或Ta N而成的障壁金屬爲硏磨銅經予堆積 的銅系金屬佈線層而用的申請專利範圍第1項或第2項之 硏磨L S I裝置用組成物,由T a或T a N而成的障壁金 屬之硏磨速度及銅之硏磨速度之比在1 . 0以上。 5 · —種硏磨L S I裝置用組成物,其特徵在於絕緣 膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬爲硏磨銅經予堆積 的銅系金屬佈線層而用的申請專利範圍第1項或第2項之 硏磨L S I裝置用組成物,由T a或T a N而成的障壁金 屬之硏磨速度及銅之硏磨速度之比在1 · 0以上,銅之溶 解速度爲5 nm/分鐘以下。 6 · —種硏磨L S I裝置用組成物,其特徵在於絕緣 膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬爲硏磨銅經予堆積 的銅系金屬佈線層而用的申請專利範圍第1項或第2項之 硏磨L S I裝置用組成物,由T a或T a N而成的障壁金 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -32- ---------------------^-------I 1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 屬之硏磨速度及銅之硏磨速度之比在1 · 0以上,銅之溶 解速度爲1nm/分鐘以下。 7 ·如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I裝 置用組成物,其中鹼性物質係Κ Ο Η。 8 ·如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I裝 置用組成物,其中前述鹼性物質係由2,2,6 ,6 -四 甲基一 4 —羥基哌啶、2 ,2 ,6 ,6 —四甲基哌啶、2 ,2,6,6 — 四甲基一4 —哌陡酮、2,2,4,4, 6 —五甲基一2,3,4,5 —四氫嘧啶、1,9 —二重 氮—2,2 ,8,8,10,10 —六甲基一螺〔5.5 〕十一烷一4 一酮、6 —重氮—7,7 —二甲基螺〔4· 5〕癸烷一9 —酮、1 一重氮一 2,2 —二甲基螺〔5· 5〕十一烷一 4 一酮選出的至少一種以上的受阻胺。 9 .如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I裝 置用組成物,其中前述硏磨粒任由二氧化矽、氧化鋁、氧 化鈽、二氧化鈦、二氧化锆、複合金屬氧化物、金屬氫氧 化物選出的至少一種以上的化合物爲主成分。 1 0 ·如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I 裝置用組成物,其中前述硏磨粒係以氣相法製造的二氧化 石夕。 1 1 .如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I 裝置用組成物,其中前述硏磨粒係經偶合劑進行表面處理 者。 1 2 ·如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I ----------!-裝i ------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 -33- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503154 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 裝置用組成物,其中前述硏磨粒係經具有至少一個以上的 胺基之偶合劑進行表面處理者。 1 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I 裝置用組成物,其中前述有機酸係由蘋果酸、尼古丁酸、 葡糖酸、檸檬酸、酒石酸、琥珀酸、醋酸、草酸、己二酸 、丁二酸、癸酸、己酸、辛酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、 富馬酸、馬來酸、丙二酸、酞酸、丙二酸、丙酮酸選出的 至少一種以上之有機酸。 1 4 ·如申請專利範圍第1項或第2項之硏磨L S I 裝置用組成物,其中前述氧化劑爲過氧化氫。 1 5 · —種L S I裝置之製造方法,其特徵在於絕緣 膜上介由T a或T a N而成的障壁金屬以硏磨用組成物硏 磨銅經予堆積的銅系金屬佈線層之方法,前述硏磨用組成 物係含有水、硏磨粒、有機酸,且鹼性物質係經予調整成 ρΗ5·5 〜1〇.〇。 1 6 · —種L S I裝置之製造方法,其特徵在於絕緣 膜上介由T a或T a Ν而成的障壁金屬以硏磨用組成物硏 磨銅經予堆積的銅系金屬佈線層之方法,前述硏磨用組成 物係含有水、硏磨粒、有機酸、且鹼性物質係經予調整成 p Η 5 · 5 〜9 · 0。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5或第1 6項之L S I裝 置之製造方法,係於含有設於絕緣膜之凹處的全面上設置 由T a或T a Ν而成之障壁金屬層,於其障壁金屬層上堆 積銅並以銅完全嵌埋凹處內之後,採用前述硏磨組成物硏 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -34: — — — — — — — — — — — —— > 1 ! I I I i I — — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503154 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 磨障壁金屬層上之銅及障壁金屬並使已嵌埋於前述絕緣膜 之凹處內的銅選擇的殘存著,形成嵌埋銅佈線層。 - ----------II— --------^ --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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Cited By (1)
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KR100451986B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 저장전극 콘택 플러그 형성방법 |
JP2003277731A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨用粒子および研磨材 |
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JP2003338469A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Fujitsu Ltd | 研磨剤、研磨方法および洗浄方法 |
KR20040000009A (ko) * | 2002-06-19 | 2004-01-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라티늄-cmp용 용액 |
US6746498B1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-08 | Intel Corporation | Abrasive with a modified surface and a method for making it |
JP4267331B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2009-05-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板の処理方法及びエッチング液 |
US20040140291A1 (en) * | 2003-01-20 | 2004-07-22 | Swanson Eric D. | Copper etch |
US7964005B2 (en) * | 2003-04-10 | 2011-06-21 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Copper CMP slurry composition |
US7044836B2 (en) * | 2003-04-21 | 2006-05-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Coated metal oxide particles for CMP |
US7485241B2 (en) | 2003-09-11 | 2009-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
US20050090106A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Jinru Bian | Method of second step polishing in copper CMP with a polishing fluid containing no oxidizing agent |
KR20050050703A (ko) * | 2003-11-26 | 2005-06-01 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의 인덕터 형성방법 |
US7465408B1 (en) * | 2003-12-03 | 2008-12-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Solutions for controlled, selective etching of copper |
US20050279964A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Ming-Tseh Tsay | Chemical mechanical polishing slurry for polishing copper layer on a wafer |
JP2006269910A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
US20060266737A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Hanestad Ronald J | Process for removal of metals and alloys from a substrate |
JP2007173370A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | 研磨液 |
US8025811B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-09-27 | Intel Corporation | Composition for etching a metal hard mask material in semiconductor processing |
JP2007273910A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 研磨用組成液 |
JP2008288398A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウェハーの研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
US9028572B2 (en) * | 2007-09-21 | 2015-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane |
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US8518281B2 (en) * | 2008-06-03 | 2013-08-27 | Kesheng Feng | Acid-resistance promoting composition |
US8252687B2 (en) * | 2008-09-19 | 2012-08-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Barrier slurry for low-k dielectrics |
US8232648B2 (en) | 2010-06-01 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Semiconductor article having a through silicon via and guard ring |
TWI605112B (zh) | 2011-02-21 | 2017-11-11 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
US8778212B2 (en) * | 2012-05-22 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition containing zirconia particles and method of use |
CN106010297B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-07-31 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铝抛光液的制备方法 |
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CN115198276B (zh) * | 2022-07-11 | 2024-03-19 | 深圳市永霖科技有限公司 | 一种用于处理钛合金的抛光液及其制备方法 |
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US5575885A (en) * | 1993-12-14 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device |
US5858813A (en) * | 1996-05-10 | 1999-01-12 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
US6039891A (en) * | 1996-09-24 | 2000-03-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing |
US6309560B1 (en) * | 1996-12-09 | 2001-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
JP2000160139A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2000306873A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Tokuyama Corp | 研磨方法 |
JP4156137B2 (ja) * | 1999-07-19 | 2008-09-24 | 株式会社トクヤマ | 金属膜用研磨剤 |
JP4555936B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2010-10-06 | 日立化成工業株式会社 | Cmp研磨液 |
JP2001068438A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Speedfam Co Ltd | 化合物半導体ウェーハ研磨用組成物およびそれによる化合物半導体研磨方法 |
EP1193745A4 (en) * | 2000-02-04 | 2003-05-14 | Showa Denko Kk | POLISHING PASTE FOR LSI MANUFACTURING AND LSI MANUFACTURING METHOD |
US6574843B1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-06-10 | Thomas J. Meadows | Method and apparatus for installing and replacing valve stems |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI842954B (zh) * | 2019-11-15 | 2024-05-21 | 日商Jsr股份有限公司 | 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法 |
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