TW494520B - Automated determination and display of the physical location of a failed cell in an array of memory cells - Google Patents

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494520 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1) [技術領域] 本發明係廣泛地關於1C(積體電路）封裝製造時之1C (積體電路）小晶片測試，更明確地，係關於一種方法與系 統，以自動判定與顯示記憶胞陣列中失敗之記憶胞之實際 位置於具記憶胞陣列之記憶體1C(積體電路）小晶片放大影 像。 [背景技藝] 參照第1圖，一種記憶體1C(積體電路）小晶片具有製 造於其中譬如非揮發性快閃記憶體裝置之記憶體裝置，此 非揮發性快閃記憶體裝置包含快閃記憶胞陣列20，此為熟 習電子學之一般技藝者所熟知。於第1圖中，第一快閃記 憶胞22與第二快閃記憶胞24形成快閃記憶胞之第一列， 且第二快閃記憶胞2 6與第四快閃記憶胞2 8形成快閃記憶 胞之第二列。第一快閃記憶胞22與第三快閃記憶胞26形 成快閃記憶胞之第一行，且第二快閃記億胞24與第四快閃 記憶胞2 8形成快閃記憶胞之第二行。 一個用於典型非揮發性記憶體裝置之記憶胞陣列具 更多快閃記憶胞（例如數百萬個快閃記憶胞）與更多快閃記 隐胞列與行。然而，位於具兩列與兩行矩陣裡之四個記憶 胞22、24、26、與28描繪於第i圖，作為清楚說明。 參照第2圖，顯示快閃記憶胞22、24、％、與28其 中之的検截面圖式10〇。快閃記憶胞為一種用於非揮發 性决閃圯憶體裝置之浮動閘極M〇s(金屬氧化物半導體）類 型裝置，此為熟習電子學之一般技藝者所熟知。快閃記憶 --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «_ 本紙張尺料家鮮（CNS)A4規格⑵0 297公釐） 1 91839 494520

五、發明說明（2 ) 胞之橫截面1 00包含典型地由多晶矽構成之控制閘極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 。摻雜接面掺質[例如珅（As)或碟（p)]之没極接面1Q4， 形成於半導體基板106裡。一個摻雜接面摻質之源極接面 1〇8，形成於半導體基板106裡。 控制電介質結構形成於，半導體基板106裡之控制問 極區域110上，此基板106置於沒極接面104與源極接面 108間。控制電介質結構包含疊置於半導體基板ι〇6上之 第一電介質層112,置於第一電介質層112上之第二電介 質層114,與置於第二電介質層114上之第三電介質層 Π6。於控制電介質結構之一個範例裡，第一電介質層112 由二氧化矽（Si02)所構成，第二電介質層114由氮化矽（SiN) 所構成，及第三電介質層116由二氧化矽（Si〇2)所構成。 第一％氧化物118形成於没極接面1〇4裡，且第二場氧化 物120形成於源極接号1〇8裡，以隔絕由第一、第二、與 第三電介質層112、114、與116所構成之閘極電介質結構 及控制閘極1 02。 參照第1圖與第2圖，同一行每個記憶胞之汲極接面 連接在一起以形成位元線，此為熟習電子學之一般技藝者 所熟知。於第1圖中，舉例來說，記憶胞22與26的第1 行連接至第一位元線32，且記憶胞24與28的第2行連接 至第二位元線34。同一列每個記憶胞之控制閘極連接在一 起以形成字元線，此為熟習電子學之一般技藝者所熟知。 於第1圖中，舉例來說記憶胞22與24之第1列連接至第 一字元線42，且記憶胞26與28之第2列連接至第二字元 --------------^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度顧+國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 2 91839 494520 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（3 ) 線44 〇 參照第2圖，於快閃記憶體裝置之記憶胞之程式操作 或拭除操作時，電荷載子注入第二電介質層ιΐ4或由第二 :介質層114注出。此第二電介質層114内電荷載子之數 置變化改變控制閘極1〇2之臨限電壓，此為熟習電子學之 :般技藝者所熟知。例如，當注入第二電介質層ιΐ4之電 荷載子為電子時，臨限電愿便上升。另一種則是， 二電介質層U4注出之電荷載子為電子時，臨限電； 降。 當偏壓經由控制閘極端點122(即連接至控制閘極1〇2 之字元線）施加於控制閘極1〇2時，電荷載子由汲極接面 1 〇4主入或注出第二電介質層i i 4至控制電介質結構，此 為熟習電子學之一般技藝者所熟知。例如，當接近+ 12伏 特之偏壓施加於控制閘極端點122以程式化記憶胞時，電 子由汲極接面104，藉由熱載子注入效應，注入第二電介 質層114,此為熟習電子學之一般技藝者所熟知。另一種 則是，當接近-12伏特之偏壓施加於控制閘極端點122以 拭除記憶胞，電子藉由熱載子注入效應，由第二電介質層 114注出並注入汲極接面1〇4,此為熟習電子學之一般技藝 者所熟知。 為了由記憶胞讀取數位位元資訊，一個接近5 〇伏特 之閘極-源極電壓與接近1 · 5伏特之没極-源極電壓施加於 記憶胞。藉此偏壓，記憶胞依據記憶胞是否被程式化與拭 除’而傳導電流或不傳導電流。此兩種情況作為儲存數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------線 j (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494520 五、發明說明（4 ) 位元資訊於快閃記憶胞100裡之兩種狀態，此為熟習電子 學之一般技藝者所熟知。 於製造非揮發性快閃記憶體裝置過程中 衣置程T ’測試用於非 揮發性快閃記憶體裝置之記憶體IC小晶片的適當功能。用 以測試記憶體1C小晶片功能之系統為熟習1C封裝製b造之 一般技藝者所熟知。於此測試中，此測試系統產生無法正 確運作之失敗記憶胞的標記資訊，以指出位於記憶體IC 小晶片上之此失敗記憶胞的實際位置。 記憶體1C小晶片之標記資訊於記憶體1C小晶片之積 體電路配置中發明，且此標記資訊紀錄於設計書冊，此為 熟習積體電路設計之一般技藝者所熟知。例如，參^照第3 圖，記憶胞陣列製造於記憶體1C小晶片202上。第3圖之 記憶體1C小晶片202包含複數個接觸鋒墊204、206、208、 210、212、214、216、218、220、與 222，以提供至製造 於s己憶體IC小晶片2 0 2上之快閃記憶體積體電路節點的連 接。一個典型記憶體1C小晶片包含更多接觸銲墊，但十個 接觸銲墊 204、206、208、210、212、214、216、218、220、 與222描繪於第3圖以清楚說明。 進一步參照第3圖，記憶胞陣列分成複數個區段，包 含第一區段232、第二區段234、第三區段236、與第四區 段238，於記憶體1C小晶片202上。一個典型記憶體π 小晶片包含更多區段，但四個區段232、234、236、與238 則描繪於第3圖以清楚說明。設計記憶體1C小晶片202 具複數個區段之原因為記憶體1C小晶片202配置時，每個 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 91839 五、發明說明（5 區段之配置可鑄模以簡化記憶體IC小晶片2〇2配置，此為

熟習積體電路設計之一般技藝者所熟知。因此，記憶體IC -----：—I----—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 小晶片202上之每個區段232、234、236、與238具大致 上相同配置。 參照第3圖與第4圖，每個區段具個別記憶胞陣列製 這於其中。參照第4圖，例如第一區段232，包含複數個 記憶胞列與複數個記憶胞行。參照第丨圖，同一列記憶胞 之每個§己憶胞控制閘極連接至此列之字元線。參照第4 圖，同一列記億胞之字元線由包含第一水平傳導結構 242 '第二水平傳導結構244、第三水平傳導結構246、與 第四水平傳導結構248之水平傳導結構形成。 --線 水平傳導結構可以由例如多晶矽所構成，當該水平傳 導結構形成連接至同一列記憶胞之每個記憶胞控制閘極的 子7〇線時。一個區段典型地具更多水平傳導結構如數千個 水平傳導結構以形成較多數量之記憶胞列。然而，四個水 平傳導結構242、244、246、與248顯示於第4圖以作為 清楚說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同樣地，參照第1圖，同一行記憶胞之每個記憶胞之 及極連接至此行之位元線。參照第4圖之垂直傳導結構25〇 範例（但第4圖之其他垂直傳導結構並無標示數字標記以 作為清楚說明）。一個垂直傳導結構典型地為一條金屬線， 此為熟習積體電路設計之一般技藝者所熟知。 一個區段典型地包含比顯示於第4圖之更多數量的垂 直傳導結構（如數千個垂直傳導結構），但較少垂直傳導結 適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 5 91839 494520 A7

五、發明說明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 構顯示於第4圖以作為清楚說明。區段232典型地分為複 數個ι/ο(輸入/輸出）區域包含第一 1/〇區域262、第二ι/〇 區域264、第三I/O區域266、與第四1/〇區域268(顯示於 第4圖之虚線裡）。每個I/O區域具規定垂直傳導結構圖樣 於其中。一個典型區段232具更多1/〇區域因為一個區段 裡有更多垂直傳導結構，但4個I/O區域262、264、266 ' 與268描繪於第4圖以作為清楚說明。此外，一個典型1/〇 區域具比第4圖所顯示有更多垂直傳導結構，但6個垂直 傳導結構顯示於第4圖中之每個1/〇區域裡，以作為清楚 說明。 經濟部知？慧財產局員工消費合作社印製 没计區段232具複數個1/〇區域之原因為記憶體1(^小 晶片202配置時，每個I/O區域之配置可鑄模以簡化記憶 體1C小晶片202配置，此為熟習積體電路設計之一般技藝 者所熟知。因此，每個I/O區域262、264、266、與268 丨大致上具相同配置。此外，至少一個垂直傳導結構作為兩 相鄰I/O區域間之冗餘區域，使得相鄰1/〇區域可由外觀 上彼此區別。例如，於第4圖，第一垂直傳導結構272形 成位於第一 I/O區域262與第二I/O區域264間之第一冗 餘區域，第二垂直傳導結構274形成位於第二1/〇區域264 與第三I/O區域266間之第二冗餘區域，且第三垂直傳導 結構276形成位於苐三1/〇區域266與第四I/O區域268 間之第三冗餘區域。 於測試具記憶胞陣列之記憶體1C小晶片時，測試站 藉由輸出失敗記憶胞之區段標記、I/O標記、列標記、與 本紙張尺度適冢標準（CNS)A4規格⑽χ撕公餐y 6 91839 494520 A7 _ _ - B7 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 行標記指出失敗記憶胞之實際位置。參照第3圖，區段標 記表示具失敗記憶胞於其中之區段232、234、236、與238 中之一個。參照第4圖，I/O標記表示具失敗記憶胞於其 中，且位於對應於區段標記之區段裡的1/〇區域262、264、 266、與268中之一個。行標記表示連接至失敗記憶胞汲 極，且位於對應於I/O標記之丨/〇區域裡的垂直傳導結構 其中之一。列標記指出連接至失敗記憶胞控制閘極之水平 傳導結構242、244、246、與248其中之·〇 線 當測試站判定標記資訊，包含失敗記憶胞之區段標 記、I/O標記、列標記與行標記，操作者定位連接至此失 敗兄憶胞之水平傳導結構與垂直傳導結構以判定記憶體 i C小片上失敗δ己憶胞之實際位置。進一步測試可於失敗 記憶胞執行以判疋對應於失敗記憶胞之水平傳導結構與垂 直傳導結構位置，及記憶體1C小晶片上失敗記憶胞之實際 位置，以更進一步地判定記憶胞失敗原因。判定記憶胞失 敗原因，可採取修正行動以避免於製造記憶體IC小晶片時 失敗記憶胞之產生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於先刖技藝，當測試站輸出失敗記憶胞之區段標記、 I/O標記、列標記·、與行標記之標記資訊時，操作者於設 計書研究記憶體1C小晶片如何被配置，以轉換標記資訊至 記憶體1C小晶片上之失敗記憶胞實際位置。操作者察看記 憶體1C小晶片之放大影像且計算水平傳導結構與垂直傳 導結構，以人工方式轉換失敗記憶胞之區段標記、I/O標 記、列標記、與行標記之標記資訊至記憶體Ic小晶片上失

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五、發明說明（8 ) 敗記憶胞之實際位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此丨人工判定失敗記憶胞之實際位置需操作者計算數 千個水平傳導結構與垂直傳導結構。結果，先前技藝以人 工判定失敗記憶胞之實際位置為耗時且易於產生人為錯 誤。 因此，需有一個裝置以自動判定與顯示記憶體1C(積 體電路）小晶片放大影像上之記憶胞陣列之失敗記憶胞實 際位置。 [發明之揭示] 本發明之一般概念，乃使用軟體應用與電腦系統，由 測試站產生之失敗記憶胞標記資訊，自動判定與顯示記憶 體1C(積體電路）小晶片放大影像上之記憶胞陣列之失敗記 憶胞實際位置。 於本發明之一般概念，電腦系統之資料處理器接收對 應於記憶體1C小晶片之記憶體1C(積體電路）小晶片名 稱。資料處理器亦接收區段標記。記憶體1C小晶片包含複 數個區段，且失敗記憶胞位於對應於區段標記之區段裡。 資料處理器由資料儲存單位，擷取對應於記憶體1C小晶片 名稱之記憶體1C小晶片第一放大影像。資料處理器將區 段標記寫映至一區段，該區段對應於記憶體1C小晶片之第 一放大影像上之區段標記，並且可以顯示記憶體1C小晶片 之第一放大影像，且對應於區段標記之區段於GUI(圖形使 用者介面）上被反白。 於本發明另一實施例，資料處理器接收一個1/〇(輸入 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 — — — — — — — — — — — — · 11 — 111 · 1111III» (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 --------- B7__ 五、發明說明（9 ) /輸出）標記。對應於區段標記之區段包含複數個1/〇《輸入/ 輸出）區域，且失敗記憶胞位於對應於1/〇標記之1/〇區域 裡。資料處理器由資料餘存單位，擷取對應於區段標記之 區段第二放大影像。資料處理器將1/〇標記寫映至一 1/〇 區域’該區域對應於區段標記之區段第二放大影像上之1/〇 標記’並顯示對應於區段標記之區段第二放大影像，且對 應於I/O標記之I/O區域於GUI(圖形使用者介面）上被反 白。 於本發明再另一之實施例，資料處理器接收行標記。 對應於I/O標記之I/O區域包含複教個記憶胞行。記憶胞 每一行具有連接至同一行複數個記憶胞中每個節點之垂直 傳導結構，且失敗記憶胞位於對應於行標記之記憶胞行 裡。資料處理器由資料儲存單元，擷取對應於1/0標記之 I/O區域之第三放大影像。資料處理器將行標記寫映至對 應於I/O標記之1/0區域之第三放大影像上之行標記之垂 直傳導結構，該資料處理器並顯示對應於1/0標記之1/0 區域之第二放大影像’且對應於行標記之垂直傳導結構於 GUI(圖形使用者介面）上被反白。 於本發明另一實施例，資料處理器接收列標記。對應 於I/O標記之I/O區域包含複數個記憶胞列，且記憶胞每 一列具有一連接至同一列複數個記憶胞中每個節點之水平 傳導結構。失敗記憶胞位於對應於列標記之記憶胞列裡。 資料處理器由資料儲存單元，擷取對應於1/0標記之1/0 區域之第三放大影像。資料處理器將列標記寫映至對應於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝 訂---------線

，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494520 A7 --—------gz _ 五、發明說明（1〇 ) ' '~"" I/O標m/o區域之第三放大影像上之列標記之水平傳 導結構。該資料處理器並顯示對應於1/〇標記之ι/〇區域 之第三放大影像，且對應於列標記之水平傳導結構於 GUI(圖形使用者介面）上被反白。 當記憶體ic小晶片為由浮動閘極M〇s(金屬氧化物半 導體）記憶胞陣列所構成之非揮發性快閃記憶體裝置時，本 發明具特殊的優點。於此情形，水平傳導結構可以為連接 至浮動閘極MOS記憶胞每列之控制閘極的多晶矽線，且 垂直傳導結構可以為連接至浮動閘極M〇§記憶胞每行之 ί及極的金屬線。 以此方式，於相當短暫時間裡（例如一分鐘之部分）， 由失敗記憶胞之^記負訊’將水平傳導結構、垂直傳導結 構、與記憶體1C小晶片放大影像上之失敗記憶胞實際位置 自動判定與顯示於GUI(圖形使用者介面）。因此，操作者 避免先前技藝以人工判定方式，計算數千個傳導結構之耗 時工作。此外，本發明避免先前技藝以人工判定方式之人 為錯誤。 藉由考慮下列附有圖式之本發明詳細說明，將可更加 瞭解本發明這些與其他特徵及優點。 [圖式之簡單說明] 第1圖顯示一個非揮發性記憶體裝置範例之記憶胞陣 列； 第2圖顯示製造於半導體底座裡，第1圖之其中之一 記憶胞的橫截面圖； I --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇） 10 91839 494520 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) 第3圖顯示具有複數個區段之記憶體ic(積體電路）小 晶片的配置之範例； 第4圖顯示第3圖之區段之範例，具有複數個I/。區 域，每個I/O區域具複數個水平傳導結構與複數個垂直傳 導結構； 第5圖係根據本發明之一實施例顯示一套電腦系統之 零件，以執行軟體使用之順序，由測試站產生之標記資訊， 自動判定與顯示記憶體1C(積體電路）小晶片放大影像上之 記憶胞陣列之失敗記憶胞實際位置； 第6圖係根據本發明之一實施例顯示一流程圖，說明 軟體使用之操作步驟，由測試站產生之標記資訊，自動判 定與顯示記憶體1C(積體電路）小晶片放大影像上之記憶胞 陣列之失敗記憶胞實際位置； 第7圖係根據本發明之一實施例說明使用一下拉功能 選單由操作者於圖形使用者介面（GUI)輸入記憶體ic小晶 片名稱； 第8圖係根據本發明之一實施例顯示由操作者於圖形 使用者介面（GUI)輸入標記資訊包括失敗記憶胞之區段標 記、I/O標記、列標記、與行標記； 第9圖係根據本發明之一實施例說明顯示記憶體ic 小晶片之放大影像，且對應於區段標記之區段於(圖形 使用者介面）上被反白； 第1 〇圖係根據本發明之一實施例說明顯示對應於區 段標記之區段放大影像，且對應於1/0標記之1/0區域於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -n i« 1· n n I^OJ· n n n 線. 本紙張尺度義巾_家鮮（CNS)A4規格⑵〇 297公釐） 11 91839 494520 A7 ---------Β7 _ 五、發明說明（U) GUI(圖形使用者介面）上被反白；及 第11圖係根據本發明之一實施例說明顯示對應於1/〇 標記之I/O區域放大影像，且對應於列標記之水平傳導結 構與對應於行標記之垂直傳導結構於GUI(圖形使用者介 面）上被反白； 此處提及之圖式乃用於清楚說明，並不需依照尺寸描 繪。第1圖至第11圖具相同參考數字之元件表示具相似結 構與功能之元件。 [元件符號說明] ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 快閃記憶體陣列 22 > 24 、 26 、 28 快閃記憶胞 32、 34 位元線 42 - 44 字元線 100 記憶胞（截面圖） 102 控制閘極 104 汲極接面 106 基板 108 源極接面 110 閘極區域 112 、114 、 116 電介質層 118 、12 0場氧化物 122 控制閘極端點 202 小晶片 204、206、208、210、212、214、216、 218、220、222 接觸銲墊 232 、234 、 236 ' 238 區段 242 > 244 > 246 > 248 水平傳導結構 250 、272 、 274 、 276 垂直傳導結構 262 、264 > 266 \ 268 、 352 、3 54 輸入/輸出（I/O)區域 300 電腦系統 302 資料處理器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公芨） 12 91839 A7 B7 五、發明說明（13 ) 304 資料儲存單元 308 306 310 350 362 鍵盤 顯示器 放大影像 垂直傳導結構群 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 滑鼠 312 功能選單 356 冗餘區域 362、364 [實行本發明之模式] 參照第5圖，電腦系統範例3〇〇之方塊圖包含資料處 理益302與資料儲存單位3〇4。資料儲存單位可以包 各電腦系統300之靜態儲存裝置，例如唯讀記憶體（r〇m) 裝置，電腦系統300之主要記憶體，例如隨機存取記憶體 (RAM)裝置，及/或任何其他種類之資料儲存裝置例如軟式 磁碟片或光碟片，此為熟習電子學之一般技藝者所熟知。 2料儲存單位3〇4儲存資料處理器3〇2欲執行之資料與指 令，且亦可於資料處理器3〇2執行指令時儲存暫時變數， 此為熟習電子學之一般技藝者所熟知。 電腦系統300亦包含外部資料輸入裝置例如鍵盤3〇6 ”二鼠308 ’此為熟習電子學之一般技藝者所熟知。此外， 取系統300亦包含顯示器3 1〇例如圖形使用者介面（〇υ工） 螢幕，此為熟習電子學之一般技藝者所熟知。 _ :本發月之般概念，根據測試站產生之失敗記憶胞 一:資Λ電腦系統3〇〇用以自動判定與顯示記憶體(積 體電路）小晶片放大影像上之記憶胞陣列之失敗記憶胞實 際位置。電腦系統3〇〇之資料處理器3〇2執行位於資料儲 人單4 304裡之指令順序。此指令可由另一電腦可讀取媒 I 如軟式磁碟片或光碟片，將其程式化至電腦系統300 (21G x 297 公爱 _) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •線- 13 91839 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製

494520 五、發明說明（14 之主要纪憶體或寫入電腦系統300之主要記憶體。執行此 指令順序使得資料處理器302執行敘述於本發明之實施例 之步驟。 第6圖顯示一張流程圖包含本發明之實施例之一般步 驟’由測試站產生之失敗記憶胞標記資訊，自動判定與顯 不記憶體1C(積體電路）小晶片放大影像上之記憶胞陣列之 失敗記憶胞實際位置。 許多種類之記憶體1C小晶片被製造以提供不同記憶 容量。不同種類記憶體1C小晶片具不同配置。例如，提供 較高記憶容量之非揮發性記憶磁IC小晶片具較大之小晶 片尺寸與具較多數目之較大區段。參照第5圖與第6圖， 本發明之實施例之操作包含由資料處理器302接收記憶體 1C小曰曰片之記憶體1C小晶片名稱的步驟此記憶體小晶 片具有需定位之失敗記憶胞（第6圖之步驟402)。 參照第7圖，資料處理器302提供一個下拉功能選單 3 12於圖形使用者介面螢幕3 i 〇，顯示記憶體ic小晶片名 稱。操作者使用鍵盤3 06或滑鼠308，由下拉功能選單312 選擇記憶體1C小晶片名稱。例如第7圖之下拉功能選單 312,記憶體ic小晶片名稱可以為ACC4888，，、DOC9867，，、 LS1432’’、KHJJ0011，，、與 TFJI0000，，。應用程式，例如 位於加州舊金山 Macromedia，Inc·之 Authorware Professional Macromedia Program 產生下拉功能選單 312， 為熟習軟體程式之一般技藝者所熟知與商業上可取得。 參照第6圖，失敗記憶胞之標記資訊由資料虛 — — — — — — — — — 1— -III — — — — ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494520 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（15 ) 3 〇2(第6圖之步驟404)所接收。如本文中所述，參照第3 圖與第4圖，標記資訊可包含記憶胞陣列裡之失敗記憶胞 之區段標記、I/O標記、行標記、與列標記。參照第8圖， 根據本發明一實施例操作者可使用鍵盤3〇6輸入此標記資 訊於圖形使用者介面（GUI)螢幕310。於本發明另一實施 例’產生此失敗記憶胞標記資訊之測試站將此標記資訊送 至資料處理器302。 參照第6圖，資料處理器302接著由資料儲存單位 3〇4(第6圖之步驟406)，擷取對應於記憶體IC小晶片名稱 之纪憶體1C小晶片第一放大影像。產生不同放大倍率與記 億體ic小晶片不同位置之記憶體IC小晶片放大影像之系 統，為熟習1C封裝製造之一般技藝者所熟知。此外，用以 儲存此記憶體1C小晶片放大影像於電腦系統3〇〇之資料儲 存單位304之裝置，此為熟習電子學之一般技藝者所熟 知。資料儲存單位304產生並儲存不同記憶體IC小晶片之 放大影像。 參照第6圖，資料處理器302接著將區段標記寫映至 對應於記憶體1C小晶片之第一放大影像上之區段標記之 區段（第6圖之步驟408)。應用程式，例如加州舊金山 Macromedia, Inc.^ Authorware Professional Macromedia Program，將資訊繪製至圖形影像上之一區域，此為熟習軟 體程式之一般技藝者所熟知與商業上可取得。此應用程式 用以程式化，將區段標記繪製至對應於記憶體ic小晶片之 第一放大影像上之區段標記之區段。 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格⑵Q χ 297公爱 15 91839 ---------------------^------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 線 « 494520 五、發明說明（16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參照第9圖，資料處理器3〇2顯示記憶體小晶片 之第一放大影像上於GUI(圖形使用者介面）螢幕31〇，且對 應於區& 4示記之區段被反白（第6圖之步驟41〇)^於第9 圖例如第3圖之5己憶體1C小晶片202，假設區段標記3，， 對應於第三區段236。於此情形，第3圖之記憶體IC小晶 片202放大影像顯示於圖形使用者介面（GUI)螢幕31〇，且 第三區段236被反白。 參照第6圖，資料處理器302接著由資料儲存單元3〇4 (第6圖之步驟412)，擷取對應於區段標記之區段第二放大 衫像。第二放大影像為對應於區段標記之區段圖形影像， 且比整個s己憶體1C小晶片之第一放大影像較高之放大倍 率。 資料處理器接著將I/O標記寫映至對應於區段標記之 區&第一放大影像上之I/O標記之I/O區域（第6圖之步驟 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 414)。應用程式，例如加州舊金山Macromedia，Inc.之 Authorware Professional Macromedia Program，將資訊寫映 至圖形影像上之一區域，此為熟習軟體程式之一般技藝者 所熟知與商業上可取得。此應用程式用以程式化，將1/〇 標記寫映至對應於區段標記之區段第二放大影像上之1/() 標記之I/O區域。 如本文中所述並參照第4圖，一個區段包含複數個；[/〇 區域。對應於I/O區域之I/O標記具失敗記憶胞於其中。 參照第10圖，資料處理器302顯示對應於區段標記之區段 第二放大影像350於圖形使用者介面之螢幕310，且對應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） \& 91839 494520 A7 五、發明說明（Π)

於I/O標記之I/O區域被反白（第6圖之步驟416)。於第W (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖，例如第4圖之區段232，假設I/O標記4”對應於區段 232裡之第四I/O區域268。於此情形，第4圖之區段232 之放大影像顯示於圖形使用者介面之螢幕31〇，且第四"〇 區域268被反白。 參照第6圖，資料處理器302接著由資料儲存單元3〇4 (第6圖之步驟418)，擷取對應於1/〇標記之1/〇區域之第 三放大影像。第三放大影像為對應於1/〇標記之1/〇區域 圖形影像，具有比對應於區段標記之區段第二放大影像較 高之放大倍率。 資料處理斋接著將行標記寫映至對應於j/O標記之 I/O區域之第三放大影像上之行標記之垂直傳導結構（第6 圖之步驟420)。應用程式，例如加州舊金山Macr〇media， Inc.之 Authorware Pr0fessi〇Ilal Macr〇media Pr〇gram，將資 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訊寫映至圖形影像上之一區域，此為熟習軟體程式之一般 技藝者所熟知與商業上可取得。此應用程式用以程式化， 將行標纪寫映至對應於1/〇標記之1/〇區域第三放大影像 上之行標記之垂直傳導結構。 如本文中所述並參照第4圖，一個1/〇區域包含複數 個垂直傳導結構，而每個垂直傳導結構連接至M〇s型快 閃記憶胞行之没極。行標記對應於連接至具失敗記憶胞之 快閃記憶胞行之垂直傳導結構。 參照第11圖，資料處理器302顯示對應於1/〇標記之 I/O區域第三放大影像於圖形使用者介面之螢幕31〇，且對 494520

經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（18) 應於行標記之垂直傳導結構被反白（第6圖之步驟422)。於 第11圖’例如，左邊I/O區域352與右邊1/〇區域354藉 由一冗餘區域356所分隔（區域352、354、與356位於第 U圖虛線裡）。左邊I/O區域352為對應於1/〇標記之1/〇 區域’具有失敗記憶胞於其中，且此1/〇區域352之第三 放大影像顯示於圖形使用者介面之螢幕31〇。一個冗餘區 域形成於兩相鄰I/O區域間使得相鄰1/〇區域於1/〇區域 之放大影像裡可以視覺區別彼此。 參照第11圖，每個1/0區域具一群垂直傳導結構，且 垂直傳導結構之兩相鄰群間具有更遠的間隔，使得垂直傳 導結構相鄰群於1/0區域之放大影像裡可以視覺區別彼 此。於第11圖之範例，]70區域352具有含有十個垂直傳 導結構之第一群362與含有十個垂直傳導結構之第二群 364(傳導結構群362與364位於第u圖之虛線裡）。垂直 傳導結構之第一群362與第二群364彼此相鄰且由相對地 更遠之間隔所分隔。於第n圖之範例，行標記由垂直傳導 結構第二群364之左邊繪製至第五垂直傳導結構，且對應 於行標記之此垂直傳導結構於圖形使用者介面之螢幕 被反白。 參照第6圖，資料處理器3〇2亦將列標記寫映至對應 於I/O標記之I/O區域之第三放大影像上之列標記之水平 傳導結構（第6圖之步驟424)。應用程式，例如加州舊金山

Macromedia, Inc.^ Authorware Professional Macromedia

Program，將資訊寫映至圖形影像上之一區域，此為熟習軟 本紙張尺度適用T關冢標準（CNS)A4規格（2_1〇 X 297公爱） ^ ^---------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 494520 A7 — -----上7 —__ 五、發明說明（19) 體程式之一般技藝者所熟知與商業上可取得。此應用程式 用以程式化，將列標記寫映至對應於1/〇標記之1/〇區域 之第二放大衫像上之列標記之水平傳導结構。 如本文中所述並參照第4圖，一個1/〇區域包含複數 個水平傳導結構，每個水平傳導結構連接至M〇s(金屬氧 化物半導體）型記憶胞之列之控制閘極。列標記對應於連接 至具失敗記憶胞之記憶胞列之水平傳導結構。 參照第11圖，資料處理器302顯示對應於1/()標記之 I/O區域第二放大景々像上於圖形使用者介面之螢幕且 對應於列標記之水平傳導結構被反白（第6圖之步驟 426)。於第11圖，例如，列標記由頂端繪製至第四水平傳 導結構，且對應於列標記之此水平傳導結構於圖形使用者 介面之榮幕310被反白。 以此方式，產生記憶體1C小晶片之第一放大影像， 且對應於區段標記之區段被反白（例如第9圖所描繪）。此 外’產生對應於區段標$之區段第二放大影像，且對應於 I/O標記之I/O區域被反白（例如第圖所描繪）。再者， 產生對應於I/O標記之I/O區域第三放大影像，且對應於 行標記之垂直傳導結構與對應於列標記之水平傳導結構被 反白（例如第11圖所描繪）。 電腦系統300由記憶體1C小晶片之失敗記憶胞之標 記資訊自動產生此放大影像。以此方式，於相當短暫時間 裡（例如一分鐘之部分），由失敗記憶胞之標記資訊，將記 憶體1C小晶片放大影像上之水平傳導結構、垂直傳導結 ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公餐） 19 91839

49452U 本紙張尺度適用中_家標準規格⑽χ 297公爱_ A7 五、發明說明（2〇) 構、與失敗記憶胞之實際位置自動判定與顯示於圖形使用 者介面。因此，操作者避免先前技藝以人工判定方式，計 算數千個傳導結構之耗時工作。此外，本發明冑免先前技 蟄以人工判定方式之人為錯誤。 s圮憶體1C小晶片於另一測試系統之顯微鏡下以進 步判疋失敗記憶胞失敗之原因，操作者接著使用此影像 作為標的以判定位於記憶體IC小晶片上之失敗記憶胞結 構之貝際位i。由判定記憶胞失敗之原目，可採取修正動 作以避免於記憶體IC小晶片製造中產生失敗記憶胞。 上述僅為範例而並非意圖限制。例如， 記憶諸小晶片配置之範例。然而，本發明可與用= 記憶體1C小晶片之不同種類之配置，此對於熟習本文敛述 之一般技藝者是顯而易知的。 此外，本發明可產生由記憶體1C小晶片之第一放大 影像，具有對絲區段標記之區段被反白，及/或對應於區 段標記之區段之第二放大影像具有對應於1/0標記之1/() 區域被反白，及/或對應於1/0標記之1/0區域之第三放大 影像具有對應於行標記之垂直傳導結構及/或對應於列標 έ己之水平傳導結構被反白之任何組合。 此外’對於瞭解本發明之技藝者，本文所描述之結構 可以相同方式製造或使用’不管其位置與方向。因此，需 瞭解本文中所使用之名稱與片語例如左邊、頂端、行、與 列，乃關於結構不同部分彼此相對位置與方向，且並非意 圖建議任何相對於外界物體之特定絕對方向為必須或必 91839 ^--------* t---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494520 A7 ____B7___ 91 五、發明說明（） 要。 本發明僅由下列申請專利範圍所定義之與其相等物 定限 所 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-裝--------訂---------線L 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 21 91839

Claims (1)

1. 經*濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 I甲％專利範圍 •一種自動判定與顯示記憶體1C(積體電路）小晶片上記 隐跑陣列中之失敗之記憶胞之實際位置的方法，此方法 包含步驟有·· 由資料處理器，接收對應於該記憶體1C小晶片之 記憶體1C(積體電路）小晶片名稱； 由該資料處理器，接收區段標記，其中該記憶體 Ic小晶片包含複數個區段，且其中該失敗之記憶胞位 :對應於該區段標記之區段内； 由該資料處理器，從資料儲存單元，擷取對應於該 。己憶體1C小晶片名稱之該記憶體1C小晶片之第一放大 影像；以及 由該資料處理器，寫映該區段標記至對應於該記憶 體1c小晶片之該第一放大影像上之該區段標記之區 段。 •如申請專利範圍第1項之方法，更包含有步驟： 由該資料處理器，顧示該記憶體Ic小晶片之該第 放大景> 像，具有對應於該標記區段之該區段於圖形使 用者介面（GUI)上被反白。 .如申請專利範圍第1項之方法，更包含有步驟： 由該資料處理器，接收1/0(輸入/輪出）標記，其中 對應於該區段標記之該區段包含複數個1/0(輸入/輸出） 區域，且其中該失敗之記憶胞位於對應於談1/()標記之 一個I/O區域裡； 由該資料處理器，由資料儲存單元，擷取對應於該 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494520 六、申請專利範圍 區段標記之該區段之第二放大影像； 由該資料處理器，宫咏 ^ 冩映該υ〇標記至對應於該區段 才示έ己之該區段之該筮-冰丄 該第—放大影像上之該I/O標記之I/O 區域；以及 由該資料處理器’顯示對應於該區段標記之該區段 之該第二放大影像’具有對應於該I/O標記之該1/0區 域於圖形使用者介面上被反白。 4.如申_範圍第3項之方法，更包含有步驟： 由心貝料處理15，接收行標記，其中對應於該I/O 標記之該I/O區域包含複數個記憶胞行； 、且其中5己憶胞之每一行具有連接至各該行中各該 複數個記憶胞之節點之垂直傳導結構，且其中該失敗之 記憶胞位於對應於該行標記之記憶胞行裡； 線 由、資料處理器，從該資料儲存單元，擷取對應於 該I/O標記之該1/0區域之第三放大影像； 由該貝料處理器，寫映該行標記至對應於該I/O標 記之該I/O區域之該第三放大影像上之該行標記之垂直 傳導結構；以及 。、由該資料處理器’顯示對應於該UO標記之該 區域之該第二放大影像，具有對應於該行標記之該垂直 傳導結構於圖形使用者介面上被反白。 5·如申請專利範圍第3項之方法，更包含有步驟： 由該貢料處理器，接收列標記，其中對應於該I/O 標記之該1/0區域包含複數個記憶胞列； 本紙張尺度適用中國國家標準 494520 A8 B8 C8

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C8 - ———————— __ D8 六、申請專麵 ' " 從該資料儲存單TL，擷取對應於該記憶體IC小晶 片名稱之該記憶體IC小晶片之第一放大影像；以及 繪製該區段標記至對應於該記憶體IC小晶片之該 第一放大影像上之該區段標記之區段。 7. 如申請專利範圍第6項之電腦系統’其中該資料處理器 更執行步驟有： 顯示該記憶體1C小晶片之該第一放大影像，具有 對應於該區段標記之該區段於該電腦系統之圖形使用 者介面（GUI)上被反白。 8. 如申請專利範圍第6項之電腦系統，其中該資料處理器 更執4于步驟有： 接收1/0(輸入/輪出）標記，其中對應於該區段標記 之該區段包含複數個1/0(輪入/輸出）區域，且其中該失 敗之記憶胞位於對應於該I/O標記之I/O區域裡； 從該資料儲存單元，擷取對應於該區段標記之該區 段之第二放大影像； 寫映該I/O標記至對應於該區段標記之該區段之 該第二放大影像上之該U0標記之1/〇區域；以及 顯示對應於該區段標記之該區段之該第二放大影 像’具有對應於該I/O標記之該I/O區域於圖形使用者 介面上被反白。 9·如申請專利範圍第8項之電腦系統，其中該資料處理器 更執行步驟有： 接收行標記，其中對應於該I/O標記之該I/O區域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公髮） 25 91837 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   494520 A8 --—--- - D8 六、申請專利Ιϊΐ ' 一' 包含複數個記憶胞行； 且其中記憶胞之每一行具連接至各該行中各該複 數個記憶胞之節點之垂直傳導結構，且其中該失敗之記 憶胞位於對應於該行標記之記憶胞行裡； 從該資料儲存單元，擷取對應於該1/〇標記之該 I/O區域之第三放大影像； 寫映該行標記至對應於該1/0標記之該1/0區域之 該第三放大影像上之該行標記之垂直傳導結構；以及 顯示對應於該I/O標記之該1/0區域之該第三放大 影像，具有對應於該行標記之該垂直傳導結構於圖形使 用者介面上被反白。 ι〇·如申請專利範圍第8項之電腦系統，其中該資料處理器 更執行步驟有： 接收列標記，其中對應於該I/O標記之該1/〇區域 包含複數個記憶胞列； 且其中記憶胞之每一列具有連接至各該列中各該 複數個記憶胞之節點之水平傳導結構，且其中該失敗之 記憶胞位於對應於該列標記之記憶胞列裡； 從該資料儲存單元，擷取對應於該I/O標記之該 I/O區域之第三放大影像； 寫映該列標記至對應於該I/O標記之該1/0區域之 該第三放大影像上之該列標記之水平傳導結構；以及 顯示對應於該I/O標記之該I/O區域之該第三放大 影像’具有對應於該列標記之該水平傳導結構於圖形使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐）

   ΙΙΙΙΙΙΙ — — — » ·11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線· 26 494520 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍用者介面上被反白 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）