494455 A7 B7 五、發明説明（彳） 本發明係關於一種基板的顯像處理方法以及顯像處理 裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 置A技術 例如，在半導體裝置的製造製程中之微影步驟，依序 進行在晶圓表面塗敷光阻液，以形成光阻膜之光阻塗敷處 理；於晶圓使圖案曝光之曝光處理；以及對於曝光後的晶 圓進行顯像之顯像處理，並於晶圓形成規定之電路圖案。 在上述顯像處理中，形成較晶圓的直徑長，並且沿著 其長邊方向具有複數的供給口之顯像液供給噴嘴以規定速 度從晶圓一端至另一端，藉由一邊移動一邊供給規定流量 之顯像液，以對晶圓全面供給顯像液，並進行晶圓的顯像 處理，即習知所使用的所謂掃描方式。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 在上述使用掃描方式的情況下，從盡量使晶圓面內之 顯像開始時期一致之觀點來看，雖在可能的範圍內儘量使 顯像液供給噴嘴的移動速度加快或是顯像液的供給流量增 加較爲理想，惟當顯像液供給噴嘴的移動速度過快時，供 給晶圓上的顯像液產生波，即所謂引起波浪現象。繼之， 當引起該波浪現象時，無法順利進行顯像，最後將對圖案 形狀產生不良影響。因此，有必要將影液供給嘴之移動速 度等嚴格微調整並設定在適當的速度。 之後，例如，作業員用以測定在晶圓上最後形成的線 幅等，作業員依據經驗從其測定値推測較佳條件，作業員 藉由其狀況以人工作業變更上述移動速度，並進行晶圓的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐Γ 494455 A7 B7 五、發明説明（2 ) 處理程式變更時等之上述移動速度或供給流量之修正。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，藉由作業員的人工作業，測定晶圓最後所形成 的線幅，以進行上述顯像液供給噴嘴之移動速度等之修正 時，到上述移動速度變更成適當的速度之前需花費相當多 時間，例如，在這段時間內將導致產生製造出多數品質惡 劣的晶圓之弊害。 發明之掲示 本發明係有鑑於上述之問題點而硏創者，提供一種使 基板面內之顯像時間一致且使顯像液之液面不產生過大的 波之顯像液的適當供給條件下，可實施在更早期階段進行 修正的顯應處理方法與其顯像處理方法之顯像處理裝置爲 目的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了達成其目的，本發明之顯像處理方法，係於基板 全面供給顯像液之顯像處理方法’其特徵係具備有至少從 上述基板一端至另一端以規定速度移動顯像液供給噴嘴並 供給上述顯像液之步驟；在上述顯像液供給之後用以測定 供給上述基板之顯像液的液面之波的振幅之步驟；以及依 據其測定値，以變更上述顯像液供給噴嘴之上述規定速度 之步驟。此外，供給上述顯像液後意指在基板上供給顯像 液以後之意，但以供給不久之後較爲理想。又，變更規定 速度意指變更上述規定速度之設定，亦即對顯像處理之基 板供給顯像液時之上述規定速度。 根據本發明之另一觀點，本發明之顯像處理方法，係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 494455 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (3 1 於 基 板 全 面 供 給 顯 像 液 之 顯 像 處 理 方 法 > 其 特 徵 係 具 備 有 至 少 從 上 述 基 板 — 端 至 另 —k 丄山 騎 以 規 定 速 度 移 動 顯 像 液 供 給 噴 嘴 並 供 給 上 述 顯 像 液 之 步 驟 ; 在 上 述 顯 像 液 供 給 之 後 用 以 測 定 供 給 上 述 基 板 之 顯 像 液 的 液 面 之 波 的 振 幅 之 步 驟 以 及 依 據 其 測 定 値 以 變 更 來 白 上 述 顯 像 液 供 給 噴 嘴 之 顯 像 液 之 規 定 流 量 的 步 驟 〇 變 更 規 定 流 量 指 變 更 上 述 規 定 流 量 之 設 定 亦 即 對 顯 像 處 理 之 基 板 供 給 顯 像 液 時 之 上 述 規 定 流 量 〇 且 農 里 據 直 發 明 另 觀 點 ， 本 發 明 顯 像 處 理 方 法 係 於 基 板 全 面 供 給 顯 像 液 其 特 徵 係 具 備 有 至 少 從 上 述 基 板 — 端 至 另 — 端 以 規 定 速 度 移 動 顯 像 液 供 給 噴 嘴 並 供 給 上 述 顯 像 液 之 步 驟 而 在 上 述 移 動 中 ， 上 述 供 給 不 久 後 .的 顯 像 液 進 出 上 述 顯 像 液 供 給 噴 嘴 之 移 動 方 向 刖 方 時 5 加 速 上 述 移 動 速 度: 或; 是ί 咸少來自顯像液供給噴嘴的供給 ί量 〇 復 且 根 據 本 發 明 之 另 —^ 觀 點 本 發 明 之 顯 像 處 理 方 法 係 於 基 板 全 面 供 給 顯 像 液 J 其 特 徵 係 具 備 有 至 少 從 上 述 基 板 — 丄山 m 至 另 — 端 以 規 定 速 度 移 動 顯 像 液 供 給 噴 嘴 並 供 給 上 述 顯 像 液 之 步 驟 ， 而 在 上 述 移 動 中 當 上 述 已 供 給 的 顯 像 液 在 上 述 顯 像 液 供 給 噴 嘴 之 移 動 方 向 後 方 並 且 於 比 所 供 給 的 部 分 薄 時 降 低 上 述 移 動 速 度 或 是 增 加 來 白 顯 像 液 供 給 噴 嘴 的 供: 給: 量 0 本 發 明 之 顯 像 處 理 裝 置 ， 係 於 基 板 全 面 供 給 顯 像 液 以 進 行 顯 像 處 理 > 其 特 徵 係 具 備 有 至 少 從 上 述 基 板 一 端 至 另 —. 端 以 規 定 速 度 移 動 且 對 上 述 基 板 供 給 上 述 顯 像 液 之 顯 像 ΙΦ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -裝· 訂 494455 A7 ___ B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 液供給噴嘴；用以測定供給上述基板之顯像液液面的波之 振幅的振幅測定裝置；以及依據上述振幅測定裝置之測定 値以測定上述顯像液供給噴嘴之上述規定速度之移動速度 控制裝置。 根據本發明之另一觀點，本發明之顯像處理裝置，係 於基板全面供給顯像液以進行顯像處理，其特徵係具備有 至少從上述基板一端至另一端以規定速度移動且對上述基 板供給上述顯像液之顯像液供給噴嘴；用以測定供給上述 基板之顯像液液面的波之振幅的振幅測定裝置；以及依據 上述振幅測定裝置之測定値以控制來自上述顯像液供給噴 嘴之顯像液的規定流量之流量控制裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明之另一觀點，本發明之顯像處理裝置，係 於基板全面供給顯像液以進行顯像處理，其特徵係具備有 至少從上述基板一端至另一端以規定速度移動且對上述基 板供給上述顯像液之顯像液供給噴嘴；用以測定供給上述 基板之顯像液液面的波之振幅的振幅測定裝置；以及依據 上述振幅測定裝置之測定値以控制來自上述顯像液供給噴 嘴之顯像液的規定流量與上述顯像液供給噴嘴之上述規定 速度之控制裝置。 根據本發明，由於測定基板上所供給的顯像液之液面 所產生的波之振幅，並依據其測定値以變更上述顯像液供 給噴嘴的移動速度，因此，如習知般，在測定最終形成於 基板上的線幅等之後，依據其測定値，無變更上述規定速 度之必要，因此對於進行顯像處理的基板亦可以適當速度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） 494455 A7 B7 __ 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 供給顯像液，而可早期加以修正爲規定速度。又，由於測 定顯像液的波之振幅，並依據其測定値變更上述顯像液供 給噴嘴的移動速度或供給流量，因此當上述波之振幅大時 ，可以縮小波之振幅的方式適當減低上述規定速度之速度 ，並減少供給量，又，當上述波之振幅小時，可以基板面 內之顯像時間一致之方式適當加速上述規定速度，以增加 供給量。 靥示之簡要說明 第1圖係顯示具有本實施形態之顯像處理方法所使用的 顯像處理裝置之塗敷顯像處理系統之外觀的俯視圖。 第2圖係第1圖之塗敷顯像處理系統的正視圖。 第3圖係第1圖之塗敷顯像處理系統的後視圖。 第4圖係本實施形態所使用的顯像處理裝置之縱剖面說 明圖。 第5圖係本實施形態所使用的顯像處理裝置之橫剖面說 明圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6圖係第4圖之顯像處理裝置所示用的顯像液供給噴 嘴斜視圖。 第7圖係第6圖之顯像液供給噴嘴之縱剖視圖。 第8圖係顯示在晶圓上所供給之顯像液的液面之波的振 幅的容許範圍之說明圖。 第9圖係顯示顯像液供給噴嘴之設定條件的處理程式之 圖表。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 494455 A7
7 B 五、發明説明（6 ) 第1 0圖係用以修正顯像液供給噴嘴之設定條件時之流 程圖。 第1 1圖係顯示顯像液供給噴嘴的移動速度與每一單位 時間之供給量適當之供給狀態之說明圖。 第1 2圖係顯示顯像液供給噴嘴的移動速度過慢或是每 一單位時間之供給量過多時的供給狀態之說明圖。 第1 3圖係顯示顯像液供給噴嘴的移動速度過快或是每 一單位時間之供給量過少時的供給狀態之說明圖。 符號說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1塗敷顯像處理系統 2卡匣台 3處理台 4界面部 5卡匣載置台 7晶圓搬送體 8搬送路 Π主搬送裝置 1 7光阻劑塗敷裝置 18顯像處理裝置 1 8 a機殼 1 9光阻劑塗敷裝置 20顯像處理裝置 30冷卻裝置 -9- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 494455 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 31黏著力促進膜塗敷裝置 32延長待機裝置 33,34預先烘烤裝置 3 5,36事後烘烤裝置 40冷卻裝置 41延長冷卻裝置 42延長待機裝置 43冷卻裝置 44,45曝光後顯像前之烘烤裝置 46,47事後烘烤裝置 50晶圓搬送體 51周邊曝光裝置 60旋轉卡盤 6 2旋轉驅動機構 63廢液回收管 64環狀杯體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 65外側杯體 66背面淸洗噴嘴 70顯像液供給噴嘴 71淸洗噴嘴 7 3顯像液供給口 74空間部 76配管 77閥 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _扣_ 494455 A7 B7 五、發明説明（8 ) 7 8流量控制裝置 8〇臂部 81軌道 82移動控制裝置 85臂部 8 7淸洗槽 9〇雷射位移計 92主控制裝置 %搬送口 9 6快門光匣 C卡匣 E液面 W晶圓 N測定値 A上限容許値 B下限容許値 Gi第1處理裝置群 G2第2處理裝置群 G3第3處理裝置群 G4第4處理裝置群 發明之實施形態 以下’就本發明之最佳實施形態加以詳細說明。本實 施形態之顯像處理方法係以顯像處理裝置加以實施。第1圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494455 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 係具備有顯像處理裝置之塗敷顯像處理系統的俯視圖。第2 圖係第1圖之塗敷顯像處理系統的正視圖。第3圖係塗敷顯 像處理系統的後視圖。 塗敷顯像處理系統1如第1圖所示係具備有一體連接之 構成’例如一體連接有對於塗敷顯像處理系統1以卡匣單元 從外部搬入搬出25片晶圓W，且對於卡匣C搬入搬出晶圓W 之卡匣台2 ;在塗敷顯像處理步驟中多段配置有以葉片式施 行規定之處理的各種處理裝置之處理台3 ;在鄰接該處理台 3而設之未圖式曝光裝置之間用以接收晶圓w的界面部4。 在卡匣台2載置部之卡匣載置台5的規定位置上，使複 數的卡匣C向X方向（第1圖中之上下方向）載置自如地成爲 一列。繼而，相對於該卡匣排列方向（X方向）與卡匣C所 收容的晶圓W排列方向（Z方向；鉛直方向）可移送的晶圓搬 送體7，以移動自如方式沿著搬送路8而設置，俾使選擇性 地對各卡匣C進行抽取。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 晶圓搬送體7具備有用以進行晶圓W之位置對準的調整 功能。該晶圓搬送體7以對於處理台3側之第3處理裝置G3所 屬之延長待機裝置32亦可進行抽取之方式而構成。 處理台3上之中心部設有主搬送裝置13，在該主搬送裝 置1 3的周邊多段配置有各種處理裝置以構成處理裝置群。 該塗敷顯像處理系統1中配置有四個處理裝置群G1，G2，G3以 及G4，第1以及第2處理裝置群G1,G2配置於顯像處理系統！ 的正面側，第3處理裝置群G3鄰接配置於卡匣台2上，第4處 理裝置群G4鄰接配置於界面部4。再者，以虛線表示的第5 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 494455 經濟部智慧財產苟8工消費合作社印製 A7 B7 ___五、發明説明（10 ) 處理裝置群G5可選擇性另外配置於後面側。上述主搬送裝 置13可對於上述處理裝置群G1，G3，G4以及G5所配置的後述 各種處理裝置搬入搬出晶圓W。 第1處理裝置群G1例如第2圖所示，從下依序2段配置有 用以在晶圓W上塗敷光阻液之光阻塗敷裝置1 7 ;以及可進行 本實施形態之顯像處理方法的顯像處理裝置1 8。處理裝置 群G2亦相同，從下依序2段堆疊有光阻塗敷裝置19以及顯像 處理裝置20。 第3處理裝置群G3如第3圖所示，從下依序7段重疊有用 以冷卻處理晶圓W之冷卻裝置30 ;使晶圓W待機的延長待機 裝置32 ;使光阻液中的溶劑乾燥的預先烘烤裝置33,34以及 用以實施顯像處理後之加熱處理的事後烘烤裝置35，36等。 第4處理裝置群G 4例如從下依序8段堆豐有冷卻裝置4 0 、自然冷卻已載置的晶圓W之延長冷卻裝置4 1、延長待機裝 置42、進行曝光處理後之加熱處理的曝光後顯像前之烘烤 裝置44,45以及事後烘烤裝置46,47等。 界面部4的中央部設有晶圓搬送體50。該晶圓搬送體50 以可自由旋轉於X方向（第1圖中的上下方向），Z方向（垂 直方向）之移動與0方向（以Z軸爲中心的旋轉方向）之方 式構成，俾使可對於第4處理裝置群G4所屬的延長冷卻裝置 41、周邊曝光裝置51以及未圖式之曝光裝置進行抽取以搬 送晶圓W之方式構成。 繼之，詳細說明上述顯像處理裝置1 8之構成。第4圖以 及第5圖所示之顯像處理裝置1 8的機殻1 8a內受有用以吸附保 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 494455 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 持晶圓W之旋轉卡盤60。在旋轉卡盤60的下方設有具備馬達 等之旋轉動機構62，係用以使該旋轉卡盤60可以規定速度 旋轉。又，旋轉卡盤60的旋轉驅動機構62具備有使旋轉卡 盤60上下移動自如的功能，在晶圓w搬入搬出時使旋轉卡盤 60上下移動，以在主搬送裝置13之間可接收晶圓W之方式構 成。 在旋轉卡盤60的外周外方以包圍該外周之方式設有上 面開口之環狀杯部64，以接住從上述旋轉卡盤60上所吸附 保持且旋轉之晶圓W飛散的顯像液等，俾使周邊裝置不受污 染。在杯部64的底部設有用以排出從上述晶圓W等飛散之顯 像液等的廢液回收管63。此外，藉由未圖式之驅動機構使 杯部64全體可上下移動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該杯部64更外側以包圍杯部64之方式而設有上面爲 開口的方形外側杯體65，俾使接收來自上述杯體64沒有接 收到的晶圓W以及後述顯像液供給噴嘴70之顯像液等。此外 ，外側杯體65設有使外側杯體65上下移動自如之未圖式驅 動機構，例如在晶圓W淸洗之際上昇，使已飛散的淸洗液等 更可完全回收。 在旋轉卡盤60以及杯部64上方之左右方向（第4圖，第5 圖中之X方向）以及鉛直方向以移動自如之方式設有對晶圓 W供給顯像液之顯像液供給噴嘴之顯像液供給噴嘴70以及對 晶圓W上面供給淸洗液之淸洗噴嘴7 1 ° 顯像液供給噴嘴70係如第5圖以及第6圖所示形成細長 形狀，其長度至少比晶圓W之直徑大。顯像液供給噴嘴7〇之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 494455 A7 B7 _____ 五、發明説明（12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 下部於長邊方向一列設有附述之顯像液供給口 73。又’在 顯像液供給噴嘴70之內部如第7圖所示，在與上述各顯像液 供給口 73連通的長邊方向形成有長的空間部74 ’暫時儲存 流入顯像液供給噴嘴7 0內的顯像液，俾使從其空間部7 4可 同時自顯像液供給口 73吐出同流量之顯像液而構成。 又，在顯像液供給噴嘴70上部連接有使來自未圖式之 顯像液供給源的顯像液流入顯像液供給噴嘴70之配管76之 一端。該配管76係設有閥77，俾使可調節從顯像液供給噴 嘴70所吐出之顯像液的流量。此外，該閥77的開關度係透 過流量控制裝置78加以控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顯像液供給噴嘴70係如第5圖所示，以藉由臂部80懸掛 之方式加以保持。該臂部80係以移動自如的方式在外殼18a 內所構成單方向延伸之軌道81上，其移動速度或移動時序 係藉由移動控制裝置82加以控制。從而，顯像液供給噴嘴 7 0在晶圓W上以規定的速度平行移動，且吐出規定流量之顯 像液，以對晶圓表面全面供給顯像液，俾使可在晶圓w上形 成規定膜厚之顯像液的液膜之方式形成。此外’上述臂部 80係具備有汽缸等之構造，臂部80在上下方向移動’俾使 可調節顯像液供給噴嘴70與晶圓W之距離的方式構成。 另外，淸洗噴嘴71支持於臂部85上，該臂部85係藉由 未圖式之驅動機構在軌道8 1上以移動自如之方式構成。從 而，淸洗噴嘴71與顯像液供給噴嘴71相同於X方向移動自如 。此外，當臂部85位於晶圓W之中心上方位置時’淸洗噴嘴 7 1位於可對晶圓W之中心供給淸洗液的位置。藉此’旋轉中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _巧- 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 494455 A7 B7 __ 五、發明説明（13 ) 的晶圓W上所供給的淸洗液可全面擴散至晶圓W，俾使晶圓 W全面的斑點可淸洗乾淨。 又，如第4圖以及第5圖所示，位於外側杯體6 5外側之 顯像液供給噴嘴70之待機位置T上設有用以淸洗顯像液供給 噴嘴70之淸洗槽87。該淸洗槽87爲了收容細長的顯像液供 給噴嘴70而使其剖面形成凹狀，該淸洗槽87內儲留有用以 淸洗附著在顯像液供給噴嘴70之顯像液之規定溶劑。 旋轉卡盤60上方係透過使用雷射光以測定測定對象物 之距離，而固定設有做爲可側定期對象物之位移量的振幅 測定裝置之例如雷射位移計90。亦即，對晶圓W上所供給的 測定對象物即顯像液照射雷射光，使其反射光受光以測定 顯像液之液面E所產生之波的振幅。 繼而，以該雷射位移計90測定的測定値係可送信至具 備有控制機構的功能之主控制裝置92之方式構成。該主控 制裝置92係紀錄有藉由如第8圖所示之預先的實驗求得的上 述液面E之波的振幅之容許範圍（第8圖的斜線部）；以及 第9圖所示，相對於供給晶圓W上的顯像液之各目標液厚之 上述顯像液供給噴嘴70之移動速度與顯像液之供給流量的 處理方式。此外，第8圖係從晶圓W之側面觀看，顯示波之 狀態的模式說明圖。又，第9圖中之液厚爲供給晶圓W上之 顯像液的液膜之厚度。然後，主控制裝置92比較測定値N與 上述容許範圍之上線容許値A或是下限容許値B，當上述測 定値N逸脫容許範圍時，隨著上述處理程式，以將資料傳送 至用以控制顯像液供給噴嘴70之移動速度之移動控制裝置 ---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 彳6 _ 一 裝 „ 訂 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 494455 A7 ___ B7 五、發明説明（14 ) 82以及用以控制顯像液的供給^量之流量控制裝置78之方 式構成’藉由其資料可變更上述移動速度與上述供給流量 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之設定値。 此外’外殼18a上設有藉由搬送裝置13搬出搬入晶圓W 之搬送口 95與該搬送口 95設爲開關自如之快門光匣96，除 了搬入搬出晶圓W時之外係用以關閉快門光匣96以防止從外 殼18a內之處理液之飛散等，同時可保存規定之環境。 繼而，就以上所構成之顯像處理裝置1 8所實施的顯像 處理方法加以說明，同時說明在塗敷顯像處理系統1所進行 的微影步驟之流程。 經.濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 首先，晶圓搬送體7從卡匣C取出1片未處理的晶圓W， 並且搬入第3處理裝置群G3所屬的黏著力促進膜塗敷裝置3 1 。該黏著力促進膜塗敷裝置3 1中，塗敷用以使光阻液之密 著性提昇的HMDS等之密著強化劑之晶圓W，藉由主搬送裝 置1 3搬送至冷卻裝置30，並以規定的溫度加以冷卻。之後 ，晶圓W依序搬送至光阻塗敷裝置17或是19以及預先烘烤裝 置34或是35，以進行規定之處理。然後，晶圓W搬送至延長 冷卻裝置41。 繼而，晶圓W透過晶圓搬送體50從延長冷卻裝置41取出 ，之後，經由周邊曝光裝置51搬送至曝光裝置（未圖式） 。曝光處理結束後之晶圓W在藉由晶圓搬送體50搬送至延長 待機裝置42之後保持於主搬送裝置13。繼之，該晶圓W依序 搬送至曝光後顯像前之烘烤裝置44或是45以及冷卻裝置43 ，以上述處理裝置進行預定之處理後，再搬送至顯像處理 17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 494455 A7 B7 五、發明説明（15 ) 裝置1 8或20。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 詳細說明上述顯像處理的製程，首先，前處理結束後 之晶圓W藉由主搬送裝置1 3搬入顯像處理裝置1 8，以吸附保 持於旋轉卡盤6 0上。之後，在位於待機位置T之淸洗槽8 7內 待機的顯像液供給噴嘴70移動至杯部64內之晶圓W的一端部 外側位置S上。 然後，在其位置S上，從顯像液供給噴嘴70開始吐出顯 像液，直到其吐出狀態安定爲止。此時，例如從第9圖觀看 ，當目標膜厚爲1.6mm，顯像液光給噴嘴70的移動速度選擇 爲80mm/s時，顯像液之供給流量變爲1.51/min。 繼而，顯像液供給噴嘴70以上述規定速度80mm/s從晶 圓w之一端部外側位置S移動至另一端部外側之位置P，在晶 圓W上形成顯像液之液膜。在此，使用第10圖說明修正顯像 液供給噴嘴70之移動速度的製程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顯像液供給噴嘴70到達另一端部外側之位置P，且晶圓 W上形成有顯像液之液膜不久後，以雷射位移計90開始測定 ，並測定上述晶圓W上之液膜液面E之波的振幅。之後，比 較其測定値N傳送至主控制裝置92，且事先記憶於主控制裝 置92之上述振幅的容許範圍。 當上述測定値N比上述容許範圍之上限容許値A大時， 根據第9圖以及第10圖所示之處理程式，可讀出顯像液供給 噴嘴70之移動速度，例如一階段遲延的移動速度70mm/s， 其資料傳送至移動控制裝置82。繼之，在移動控制裝置82 中，其移動速度之設定從80mm/s變更爲7〇mm/s。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 494455ίΤΐ. 6, A7 B7 民國91年6月修正 五、發明説明（16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當上述測定値N比上述容許範圍之下限容許値B小時， 根據第9圖以及第10圖所示之處理程式，可讀出顯像液供給 噴嘴70之移動速度，例如一階段快速的移動速度90mm/s， 在將其資料傳送至移動控制裝置82。繼之，與上述之情況 相同，移動速度之設定從80mm/s變更爲90mm/s。 由於顯像液相對於各顯像液供給噴嘴70之移動速度的 供給流量如第9圖所示爲事先預定，因此隨著上述移動速度 之變更，從主控制裝置92將其資料傳送至流量控制裝置78 ，並變更顯像液之供給流量的設定。 當上述測定値N在上述容許範圍內時，無法進行顯像液 供給噴嘴70之移動速度的變更，可維持現在的移動速度之 設定。 繼之，如上述變更顯像液供給噴嘴70之移動速度，或 維持時，結束上述移動速度之修正步驟。 另外，晶圓W的顯像如上述藉由顯像液供給噴嘴70將顯 像液供給晶圓W之同時開始，而之後晶圓W進行規定時間顯 像。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，當晶圓W的顯像結束後，淸洗噴嘴71移動至晶圓 W之中心部上方爲止，當晶圓W開始規定速度之旋轉的同時 ，從淸洗噴嘴71與背面淸洗噴嘴66對晶圓W供給淸洗液，以 淸洗晶圓W。此外，此時杯部64上昇，藉由其杯部64接住從 晶圓W飛散之淸洗液等。 之後，當停止供給淸洗液時，晶圓W可更高速轉，以乾 燥晶圓w。繼而，當晶圓w之乾燥工程結束時，結速晶圓w -19- 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ^6：494455 A7 B7 五、發明説明（ii 的顯像處理，晶圓W藉由主搬送裝置13從顯像處理裝置18搬 出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在以上之實施形態中，測定晶圓上所供給之顯像液液 面E之波的振幅，當其測定値N比上限容許値A大時，將顯像 液供給噴嘴70的移動速度之設定値縮小，當當其測定値N比 下限容許値B小時，將顯像液供給噴嘴70的移動速度之設定 値加大。藉此，上述測定値亦即顯像液液面E之波的振幅大 時，可使供給顯像液之際之顯像液供給噴嘴70的移動速度 較慢，然後在所處理的晶圓W上供給的顯像液液面E所產生 的波之振幅較小。又，當顯像液之液面E的波之振幅比容許 値小時，顯像液供給噴嘴70的移動速度加快，可更縮小晶 圓W面內之顯像開始時期的差。反覆操作數次上述實施形態 之顯像處理方法時，以適當的顯像液供給噴嘴70之移動速 度亦即在可能範圍內之高速度，可調節可以縮小晶圓W上所 供給的顯像液液面之波的振幅之移動速度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，由於事先記憶複數種類之上述顯像液供給噴嘴70 之移動速度相對於上述顯像液之波的振幅之容許範圍與晶 圓W上所供給的顯像液之目標液厚；以及顯像液之供給流量 的處理程式，因此以人工作業測定的次數不需設定變更上 述移動速度等，而可自動地設定變更。 在以上之實施形態中，雷射位移計90之測定値N不論上 限或下限，當從上述容許範圍逸脫時，雖設定變更顯像液 供給噴嘴70之設定値，惟僅在上述測定値N超越上述容許範 圍之上限容許値A時變更上述移動速度之設定値亦可，在此 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） 494455^ % 6f: - 3 , 充 A7 B7 五、發明説明（id (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 情況下，亦可抑制晶圓W上之顯像液之波的振幅。此外，在 此情況下，爲了可盡量限制晶圓W面內之顯像時間的差，因 此有將顯像液供給噴嘴70之移動速度之初期設定設定爲高 速度之提案。 在以上實施形態中，雖依據雷射位移計90的測定値N變 更顯像液供給噴嘴70之移動速度的設定値，惟亦可變更從 顯像液供給噴嘴70所供給的顯像液之供給流量的設定値。 以下，就此情況加以說明時，與上述實施形態相同，比較 藉由雷射位移計90測定供給晶圓W上之顯像液液面E之波的 振幅，且事先記憶其測定値N之容許範圍，當測定値N比上 述容許範圍之上限容許値A大時，例如根據第9圖之處理程 式，減少顯像液之供給流量的設定値，當測定値N比上述容 許範圍之下限容許値B小時，增加顯像液之供給流量的設定 値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉此，當測定値N過大時，亦即晶圓W上所供給的顯像 液液面之波的振幅比容許値大時，在供給顯像液之際減少 來自顯像液供給噴嘴70之顯像液供給流量，其次，可減少 所處理之晶圓W上所供給的顯像液液面E所產生的波之振幅 。又，當測定値較容許値小時，由於增加供給晶圓W之顯像 液的供給流量，且縮短顯像液供給晶圓W全面的時間，因此 更可調節晶圓W面內之顯像開始時間的差。 此外，振幅測定裝置亦可採用利用雷射光等光的性質 測定測定對象物之位移量的裝置或以上述波做爲圖像取入 ，再從圖像測定上述振幅之裝置。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 494455 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，雖顯像液供給噴嘴70的移動速度、供給流量以 及液之膜厚雖有第9圖所示之關係，惟經發明者實驗的結果 顯示，例如當膜厚設定爲2.0mm、移動速度爲65mm/s以及供 給流量爲1. 5 1 / m i η時，可獲得無斑點之最佳顯像結果。适是 因爲考慮到顯像液供給噴嘴70之移動速度、供給量無法取 得平衡以及來自顯像液供給噴嘴70所供給不久之後的顯像 液進出移動方向前方，或是拉至移動方向後方的緣故。又 ，該狀況亦是引起波浪的原因。 依據圖式加以說明，當移動速度與供給量的關係較佳 時，如第1 1圖所示，來自顯像液供給噴嘴7 0之顯像液供給 口 73所供給之後的顯像液就此隨伴噴嘴的移動於後方漸漸 形成液膜。 然而，在顯像液供給噴嘴70的移動速度過快或是每單 位時間之供給量過少時，如第1 3圖之Q所示，顯像液供給噴 嘴70的移動方向後方暫時產生較所供給的顯像液之液膜薄 的部分。 上述現象將形成波浪，結果有產生顯像不均之虞。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 爲了防止如此「進出」或「暫時產生薄的液膜」’在 第12圖的狀況下，亦可加速顯像液供給噴嘴70的移動速度 ，或是減少每單位時間的供給量。又，在第1 3圖的狀況下 ，亦可減緩顯像液供給噴嘴70的移動速度，或是增加每單 位時間的供給量。 此外，就如此的「進出」或「暫時產生薄的液膜」的 觀測而言，就前者而言，例如藉由CCD相機等攝影加以確認 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 494455 A7 B7 五、發明説明（20) ，就校舍而言，例如可藉由雷射位移計測定顯像液供給噴 嘴70的移動方向後方附近之液的膜厚加以確認。 另外，以上所說明的實施形態雖就半導體裝置製造製 程之微影步驟之晶圓W的顯像處理裝置，惟本發明亦可應用 在半導體晶圓以外之基板例如LCD基板之顯像處理裝置。 根據本發明，當顯像液供給基板上時，測定產生於其 顯像液液面之波的振幅，俾使依據其測定値可修正縮小對 顯像處理產生不良影響之上述顯像液之波的振幅。從而， 如習知般，在測定最終形成於基板上的線幅等之後無修正 必要，由於與習知相比可早期加以修正，因此可謀求不良 品的數量減少並提生產率。 尤其是，藉由事先記憶顯像液液面之波的振幅之容許 値，以自動抑制上述振幅之方式可設定變更。從而，可早 期修正，以謀求不良品的數量減少且提生產率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）