JPH0729809A - ホトレジスト塗布装置 - Google Patents
ホトレジスト塗布装置Info
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- JPH0729809A JPH0729809A JP17517093A JP17517093A JPH0729809A JP H0729809 A JPH0729809 A JP H0729809A JP 17517093 A JP17517093 A JP 17517093A JP 17517093 A JP17517093 A JP 17517093A JP H0729809 A JPH0729809 A JP H0729809A
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- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホトレジストの膜厚や物性の測定管理を迅速
かつ正確に効率良く行うことが可能なホトレジスト塗布
技術を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１を支持するスピンチャック
２、モータ３、ホトレジスト供給制御部５を介してホト
レジスト槽６に接続されるノズル４、モータ３およびホ
トレジスト供給制御部５を統括して制御する塗布制御部
７、半導体ウエハ１の周辺部を挟んで対向する光源８お
よび受光部９、膜厚測定部１０からなる。光源８から放
射され、半導体ウエハ１を透過して受光部９に入射する
光ビーム８ａにより、膜厚測定部１０は、半導体ウエハ
１のホトレジストＰの膜厚を測定する。膜厚測定部１０
における膜厚の測定結果は、塗布制御部７に入力され、
ホトレジストＰの膜厚の測定結果に応じて、モータ３に
よるスピンチャック２の回転状態、ホトレジストＰの半
導体ウエハ１への供給量やタイミング等の制御を行う。
かつ正確に効率良く行うことが可能なホトレジスト塗布
技術を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１を支持するスピンチャック
２、モータ３、ホトレジスト供給制御部５を介してホト
レジスト槽６に接続されるノズル４、モータ３およびホ
トレジスト供給制御部５を統括して制御する塗布制御部
７、半導体ウエハ１の周辺部を挟んで対向する光源８お
よび受光部９、膜厚測定部１０からなる。光源８から放
射され、半導体ウエハ１を透過して受光部９に入射する
光ビーム８ａにより、膜厚測定部１０は、半導体ウエハ
１のホトレジストＰの膜厚を測定する。膜厚測定部１０
における膜厚の測定結果は、塗布制御部７に入力され、
ホトレジストＰの膜厚の測定結果に応じて、モータ３に
よるスピンチャック２の回転状態、ホトレジストＰの半
導体ウエハ１への供給量やタイミング等の制御を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトレジスト塗布技術
に関し、特に、半導体装置の製造プロセスにおける半導
体ウエハへのホトレジスト塗布に適用して有効な技術に
関する。
に関し、特に、半導体装置の製造プロセスにおける半導
体ウエハへのホトレジスト塗布に適用して有効な技術に
関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
ホトリソグラフィにおけるパターン転写においてマスク
となるホトレジストを半導体ウエハに塗布する技術とし
て、株式会社工業調査会、昭和６１年１１月１８日発
行、「電子材料」１９８６年１１月号Ｐ９５〜Ｐ１０
０、等の文献に記載されているように、回転塗布装置を
用いることが知られている。
ホトリソグラフィにおけるパターン転写においてマスク
となるホトレジストを半導体ウエハに塗布する技術とし
て、株式会社工業調査会、昭和６１年１１月１８日発
行、「電子材料」１９８６年１１月号Ｐ９５〜Ｐ１０
０、等の文献に記載されているように、回転塗布装置を
用いることが知られている。
【０００３】このような従来の回転塗布装置では、半導
体ウエハの裏面の汚染、発塵防止等に関しては配慮され
ているが、ホトレジスト塗布時のホトレジスト膜厚の測
定については考慮されていなかった。
体ウエハの裏面の汚染、発塵防止等に関しては配慮され
ているが、ホトレジスト塗布時のホトレジスト膜厚の測
定については考慮されていなかった。
【０００４】一般に、ホトレジストの粘度は、温度によ
って変化する。またホトレジストの製造ロット毎、ある
いは、製造日からの経過日数によっても粘度のばらつき
があると考えられ、これらの粘度のばらつきは、半導体
ウエハに塗布されるホトレジスト膜厚に影響することが
考えられる。
って変化する。またホトレジストの製造ロット毎、ある
いは、製造日からの経過日数によっても粘度のばらつき
があると考えられ、これらの粘度のばらつきは、半導体
ウエハに塗布されるホトレジスト膜厚に影響することが
考えられる。
【０００５】ホトレジストの膜厚は、露光および現像等
によって転写されるパターン寸法の精度に大きく影響す
るため、ホトレジストの膜厚を塗布後に測定することが
必須となるが、従来では、回転塗布装置とは別個に設け
られた他の装置でホトレジストの膜厚を測定していた。
によって転写されるパターン寸法の精度に大きく影響す
るため、ホトレジストの膜厚を塗布後に測定することが
必須となるが、従来では、回転塗布装置とは別個に設け
られた他の装置でホトレジストの膜厚を測定していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来技術
では、ホトレジストの膜厚測定装置が別個に設けられて
いたため、ホトレジストの膜厚を測定するまでの時間が
かかるとともに、経時変化等によって塗布時の膜厚を正
確に測定することが困難であった。
では、ホトレジストの膜厚測定装置が別個に設けられて
いたため、ホトレジストの膜厚を測定するまでの時間が
かかるとともに、経時変化等によって塗布時の膜厚を正
確に測定することが困難であった。
【０００７】また、ホトレジストの種類に応じて、ホト
レジストの滴下量あるいは半導体ウエハの回転数等のパ
ラメータをその都度、回転塗布装置に入力する必要があ
り、回転塗布装置の管理および運用が煩雑になる、とい
う問題もある。
レジストの滴下量あるいは半導体ウエハの回転数等のパ
ラメータをその都度、回転塗布装置に入力する必要があ
り、回転塗布装置の管理および運用が煩雑になる、とい
う問題もある。
【０００８】本発明は、ホトレジスト塗布時の膜厚の測
定を迅速かつ正確に行うことが可能なホトレジスト塗布
技術を提供することにある。
定を迅速かつ正確に行うことが可能なホトレジスト塗布
技術を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、ホトレジストの物性
の変動に影響されることなく、ホトレジストの膜厚を所
望の値に制御することが可能なホトレジスト塗布技術を
提供することにある。
の変動に影響されることなく、ホトレジストの膜厚を所
望の値に制御することが可能なホトレジスト塗布技術を
提供することにある。
【００１０】本発明のさらに他の目的は、管理運用を効
率よく行うことが可能なホトレジスト塗布技術を提供す
ることにある。
率よく行うことが可能なホトレジスト塗布技術を提供す
ることにある。
【００１１】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１３】すなわち、請求項１記載の発明は、板状物
にホトレジストを塗布するホトレジスト塗布装置におい
て、ホトレジスト膜厚測定装置を備えたものである。
にホトレジストを塗布するホトレジスト塗布装置におい
て、ホトレジスト膜厚測定装置を備えたものである。
【００１４】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のホトレジスト塗布装置において、ホトレジスト膜厚
測定装置は、ホトレジストが塗布された板状物を透過ま
たは反射した光線を測定する分光分析により、ホトレジ
ストの膜厚を測定するものである。
載のホトレジスト塗布装置において、ホトレジスト膜厚
測定装置は、ホトレジストが塗布された板状物を透過ま
たは反射した光線を測定する分光分析により、ホトレジ
ストの膜厚を測定するものである。
【００１５】また、請求項３記載の発明は、板状物にホ
トレジストを塗布するホトレジスト塗布装置において、
板状物に供給されるホトレジストの粘度を測定するホト
レジスト粘度測定装置を備えたものである。
トレジストを塗布するホトレジスト塗布装置において、
板状物に供給されるホトレジストの粘度を測定するホト
レジスト粘度測定装置を備えたものである。
【００１６】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載のホトレジスト塗布装置において、ホトレジスト粘度
測定装置を、定流量ポンプで所定の口径の細管中に所定
の流量のホトレジストを流し込み、細管の出入口での差
圧を測定することにより、粘度を知る細管式としたもの
である。
載のホトレジスト塗布装置において、ホトレジスト粘度
測定装置を、定流量ポンプで所定の口径の細管中に所定
の流量のホトレジストを流し込み、細管の出入口での差
圧を測定することにより、粘度を知る細管式としたもの
である。
【００１７】また、請求項５記載の発明は、請求項１，
２，３または４記載のホトレジスト塗布装置において、
ホトレジスト塗布装置は、モータによって回転駆動され
るスピンチャックと、このスピンチャックに載置された
板状物にホトレジストを供給するホトレジスト供給制御
部と、モータおよびホトレジスト供給制御部を制御する
塗布制御部とからなり、塗布制御部は、ホトレジスト膜
厚測定装置による測定結果、またはホトレジスト粘度測
定装置による測定結果に基づいて、ホトレジスト供給制
御部およびモータを制御することにより、板状物に対す
るホトレジストの供給量、供給タイミングおよび板状物
の回転状態の少なくとも一つを制御する構成としたもの
である。
２，３または４記載のホトレジスト塗布装置において、
ホトレジスト塗布装置は、モータによって回転駆動され
るスピンチャックと、このスピンチャックに載置された
板状物にホトレジストを供給するホトレジスト供給制御
部と、モータおよびホトレジスト供給制御部を制御する
塗布制御部とからなり、塗布制御部は、ホトレジスト膜
厚測定装置による測定結果、またはホトレジスト粘度測
定装置による測定結果に基づいて、ホトレジスト供給制
御部およびモータを制御することにより、板状物に対す
るホトレジストの供給量、供給タイミングおよび板状物
の回転状態の少なくとも一つを制御する構成としたもの
である。
【００１８】
【作用】上記した本発明のホトレジスト塗布装置によれ
ば、ホトレジストの塗布時にその場で板状物に塗布され
たホトレジストの膜厚を測定でき、たとえば、別の装置
で測定する従来の場合に比較して、迅速かつ正確にホト
レジストの膜厚を測定できる。
ば、ホトレジストの塗布時にその場で板状物に塗布され
たホトレジストの膜厚を測定でき、たとえば、別の装置
で測定する従来の場合に比較して、迅速かつ正確にホト
レジストの膜厚を測定できる。
【００１９】また、ホトレジストの膜厚や、板状物に供
給されるホトレジストの粘性等の測定結果に応じて、板
状物の回転状態や、ホトレジストの供給量およびタイミ
ング等をきめ細かく制御できるので、ホトレジストの物
性の変動に影響されることなく、ホトレジストの膜厚を
所望の値に制御することが可能となる。
給されるホトレジストの粘性等の測定結果に応じて、板
状物の回転状態や、ホトレジストの供給量およびタイミ
ング等をきめ細かく制御できるので、ホトレジストの物
性の変動に影響されることなく、ホトレジストの膜厚を
所望の値に制御することが可能となる。
【００２０】また、ホトレジストの粘性等の物性値を自
動的に入力／設定でき、ホトレジスト塗布装置の管理運
用を効率良く行うことができる。
動的に入力／設定でき、ホトレジスト塗布装置の管理運
用を効率良く行うことができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２２】（実施例１）図１は、本実施例のホトレジ
スト塗布装置の構成の一例を示す概念図である。
スト塗布装置の構成の一例を示す概念図である。
【００２３】たとえば、真空吸着等の方法で半導体ウエ
ハ１を着脱自在に支持するスピンチャック２は、モータ
３によって回転駆動される。スピンチャック２の上部に
は、ノズル４が先端部を下向きにした姿勢で配置され、
ホトレジスト供給制御部５を介してホトレジスト槽６に
接続されている。ホトレジスト供給制御部５は、ノズル
４から半導体ウエハ１に供給されるホトレジストＰの供
給量やタイミング等の制御を行う。
ハ１を着脱自在に支持するスピンチャック２は、モータ
３によって回転駆動される。スピンチャック２の上部に
は、ノズル４が先端部を下向きにした姿勢で配置され、
ホトレジスト供給制御部５を介してホトレジスト槽６に
接続されている。ホトレジスト供給制御部５は、ノズル
４から半導体ウエハ１に供給されるホトレジストＰの供
給量やタイミング等の制御を行う。
【００２４】また、モータ３およびホトレジスト供給制
御部５は、塗布制御部７によって統括して動作が制御さ
れている。
御部５は、塗布制御部７によって統括して動作が制御さ
れている。
【００２５】この場合、スピンチャック２の近傍には、
当該スピンチャック２に載置された半導体ウエハ１の周
辺部を挟んで対向する光源８および受光部９が設けられ
ており、光源８から放射され、半導体ウエハ１を透過し
た光ビーム８ａが受光部９によって検出される。光源８
および受光部９の各々は膜厚測定部１０に接続されてい
る。
当該スピンチャック２に載置された半導体ウエハ１の周
辺部を挟んで対向する光源８および受光部９が設けられ
ており、光源８から放射され、半導体ウエハ１を透過し
た光ビーム８ａが受光部９によって検出される。光源８
および受光部９の各々は膜厚測定部１０に接続されてい
る。
【００２６】この膜厚測定部１０における膜厚の測定結
果は、塗布制御部７に入力され、塗布制御部７は、ホト
レジストの膜厚の測定結果に応じて、モータ３によるス
ピンチャック２の回転状態の制御、さらには、ホトレジ
スト供給制御部５によるホトレジストＰの半導体ウエハ
１への供給量やタイミング等の制御を行う。
果は、塗布制御部７に入力され、塗布制御部７は、ホト
レジストの膜厚の測定結果に応じて、モータ３によるス
ピンチャック２の回転状態の制御、さらには、ホトレジ
スト供給制御部５によるホトレジストＰの半導体ウエハ
１への供給量やタイミング等の制御を行う。
【００２７】膜厚測定部１０は、たとえば、赤外線から
なる光ビーム８ａが半導体ウエハ１を透過した時に得ら
れる干渉縞を利用して次式により、半導体ウエハ１に塗
布されたホトレジストＰの膜厚を求める。
なる光ビーム８ａが半導体ウエハ１を透過した時に得ら
れる干渉縞を利用して次式により、半導体ウエハ１に塗
布されたホトレジストＰの膜厚を求める。
【００２８】ｄ＝ｍ／２ｎ（ｖ１−ｖ２） ただし上式において、ｄ：ホトレジストの膜厚，ｎ：ホ
トレジストの屈折率，ｖ：波数，ｍ：波数間における干
渉縞の数、である。
トレジストの屈折率，ｖ：波数，ｍ：波数間における干
渉縞の数、である。
【００２９】また、ホトレジストの膜厚を測定する方法
としては、上述のような方法に限らず、たとえば、既知
のホトレジスト膜厚と赤外線吸収のある波数におけるピ
ーク高さとの関係を予め求めておき、その関係を利用し
てもよい。
としては、上述のような方法に限らず、たとえば、既知
のホトレジスト膜厚と赤外線吸収のある波数におけるピ
ーク高さとの関係を予め求めておき、その関係を利用し
てもよい。
【００３０】なお、上述のような膜厚測定方法の詳細
は、社団法人日本分析機器工業会発行「分析機器の手引
き」に記載されている。
は、社団法人日本分析機器工業会発行「分析機器の手引
き」に記載されている。
【００３１】以下、本実施例のホトレジスト塗布装置の
作用の一例を説明する。
作用の一例を説明する。
【００３２】まず、静止したスピンチャック２の上に半
導体ウエハ１が載置され、真空吸着等の方法によって固
定される。
導体ウエハ１が載置され、真空吸着等の方法によって固
定される。
【００３３】次に、塗布制御部７は、ホトレジスト供給
制御部５を作動させ、所定の量のホトレジストＰを半導
体ウエハ１の中央部に滴下供給する。
制御部５を作動させ、所定の量のホトレジストＰを半導
体ウエハ１の中央部に滴下供給する。
【００３４】その後、モータ３を起動して、スピンチャ
ック２に載置された半導体ウエハ１を所定の回転速度で
回転させ、この時、遠心力によってホトレジストＰは半
導体ウエハ１の全面に分散して塗布される。
ック２に載置された半導体ウエハ１を所定の回転速度で
回転させ、この時、遠心力によってホトレジストＰは半
導体ウエハ１の全面に分散して塗布される。
【００３５】ここで、本実施例の場合には、膜厚測定部
１０は、前述のスピンチャック２による回転塗布中、あ
るいは、回転塗布直後における半導体ウエハ１のホトレ
ジスト膜厚を測定し、塗布制御部７に入力する。
１０は、前述のスピンチャック２による回転塗布中、あ
るいは、回転塗布直後における半導体ウエハ１のホトレ
ジスト膜厚を測定し、塗布制御部７に入力する。
【００３６】塗布制御部７は、入力されたホトレジスト
膜厚の測定結果と、目的とするホトレジスト膜厚との差
等に応じて、当該半導体ウエハ１または、次の半導体ウ
エハ１における回転速度やホトレジストＰの供給量を制
御し、ホトレジストＰの物性のばらつき等に関係なく、
半導体ウエハ１の表面に目的とする一定の膜厚でホトレ
ジストＰが塗布されるようにする。
膜厚の測定結果と、目的とするホトレジスト膜厚との差
等に応じて、当該半導体ウエハ１または、次の半導体ウ
エハ１における回転速度やホトレジストＰの供給量を制
御し、ホトレジストＰの物性のばらつき等に関係なく、
半導体ウエハ１の表面に目的とする一定の膜厚でホトレ
ジストＰが塗布されるようにする。
【００３７】このように、本実施例のホトレジスト塗布
装置によれば、膜厚測定部１０を備えているので、塗布
中あるいは塗布直後の半導体ウエハ１におけるホトレジ
ストＰの膜厚を迅速かつ正確に測定できる。
装置によれば、膜厚測定部１０を備えているので、塗布
中あるいは塗布直後の半導体ウエハ１におけるホトレジ
ストＰの膜厚を迅速かつ正確に測定できる。
【００３８】また、測定結果を半導体ウエハ１の回転制
御や、ホトレジストＰの供給量の制御に帰還することに
より、ホトレジストＰの物性等のばらつきに影響される
ことなく、半導体ウエハ１に対して、目的とする膜厚で
ホトレジストＰを塗布することができる。
御や、ホトレジストＰの供給量の制御に帰還することに
より、ホトレジストＰの物性等のばらつきに影響される
ことなく、半導体ウエハ１に対して、目的とする膜厚で
ホトレジストＰを塗布することができる。
【００３９】また、たとえば、ホトレジストＰの品種等
の切替えに際しても、テスト用の半導体ウエハ１を用い
て塗布試験を行い、その時に膜厚測定部１０で測定され
た値を塗布制御部７に入力することで、その都度、手入
力によって各種パラメータを入力することなく、目的と
するホトレジスト膜厚を得るための回転速度やホトレジ
スト供給量等の情報を塗布制御部７に容易に自動的に設
定でき、ホトレジスト塗布装置の管理運用を効率化でき
る。
の切替えに際しても、テスト用の半導体ウエハ１を用い
て塗布試験を行い、その時に膜厚測定部１０で測定され
た値を塗布制御部７に入力することで、その都度、手入
力によって各種パラメータを入力することなく、目的と
するホトレジスト膜厚を得るための回転速度やホトレジ
スト供給量等の情報を塗布制御部７に容易に自動的に設
定でき、ホトレジスト塗布装置の管理運用を効率化でき
る。
【００４０】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
であるホトレジスト塗布装置の構成の一例を示す概念図
である。
であるホトレジスト塗布装置の構成の一例を示す概念図
である。
【００４１】この実施例２の場合には、膜厚測定部１０
に代えて、粘度測定装置１１を設けたところが、前記実
施例１の場合と異なっている。
に代えて、粘度測定装置１１を設けたところが、前記実
施例１の場合と異なっている。
【００４２】すなわち、ホトレジスト槽６とホトレジス
ト供給制御部５の間には、当該ホトレジスト槽６からホ
トレジスト供給制御部５に供給されるホトレジストＰの
粘性を測定する粘度測定装置１１が介設されている。こ
の粘度測定装置１１による測定結果は、塗布制御部７に
入力されるとともに、たとえばディスプレイ等からなる
粘度モニタ１２にも出力される構成となっている。
ト供給制御部５の間には、当該ホトレジスト槽６からホ
トレジスト供給制御部５に供給されるホトレジストＰの
粘性を測定する粘度測定装置１１が介設されている。こ
の粘度測定装置１１による測定結果は、塗布制御部７に
入力されるとともに、たとえばディスプレイ等からなる
粘度モニタ１２にも出力される構成となっている。
【００４３】特に図示しないが、粘度測定装置１１は、
たとえば、定流量ポンプで所定の口径の細管中に所定の
流量のホトレジストＰを流し込み、細管の出入口での差
圧を測定することにより、粘度を知る細管式を採用する
ことが考えられる。
たとえば、定流量ポンプで所定の口径の細管中に所定の
流量のホトレジストＰを流し込み、細管の出入口での差
圧を測定することにより、粘度を知る細管式を採用する
ことが考えられる。
【００４４】そして、塗布制御部７は、粘度測定装置１
１から入力されるホトレジストＰの測定結果に基づい
て、スピンチャック２による半導体ウエハ１の回転状態
や、ホトレジストＰの供給量を制御することにより、半
導体ウエハ１の上に形成されるホトレジストＰの膜厚が
目的の値に一定となるような制御動作を行う。
１から入力されるホトレジストＰの測定結果に基づい
て、スピンチャック２による半導体ウエハ１の回転状態
や、ホトレジストＰの供給量を制御することにより、半
導体ウエハ１の上に形成されるホトレジストＰの膜厚が
目的の値に一定となるような制御動作を行う。
【００４５】また、操作者は、随時、粘度モニタ１２を
見ることにより、現在のホトレジストＰの粘性を監視す
ることができる。
見ることにより、現在のホトレジストＰの粘性を監視す
ることができる。
【００４６】このように、本実施例２のホトレジスト塗
布装置によれば、粘度測定装置１１を備えているので、
半導体ウエハ１に供給されるホトレジストＰの粘性を常
時、正確に測定および監視できる。
布装置によれば、粘度測定装置１１を備えているので、
半導体ウエハ１に供給されるホトレジストＰの粘性を常
時、正確に測定および監視できる。
【００４７】また、ホトレジストＰの粘性の測定結果を
半導体ウエハ１の回転制御や、ホトレジストＰの供給量
の制御に帰還することにより、ホトレジストＰの粘性等
のばらつきに影響されることなく、半導体ウエハ１に対
して、目的とする膜厚でホトレジストＰを塗布すること
ができる。
半導体ウエハ１の回転制御や、ホトレジストＰの供給量
の制御に帰還することにより、ホトレジストＰの粘性等
のばらつきに影響されることなく、半導体ウエハ１に対
して、目的とする膜厚でホトレジストＰを塗布すること
ができる。
【００４８】また、たとえば、ホトレジストＰの品種等
の切替えに際しても、テスト用の半導体ウエハ１を用い
て塗布試験を行い、その時に粘度測定装置１１で測定さ
れた値を塗布制御部７に入力することで、その都度、手
入力によって各種パラメータを入力することなく、目的
とするホトレジスト膜厚を得るための回転速度やホトレ
ジスト供給量等の情報を塗布制御部７に容易に、自動的
に設定でき、ホトレジスト塗布装置の管理運用の効率化
できる。
の切替えに際しても、テスト用の半導体ウエハ１を用い
て塗布試験を行い、その時に粘度測定装置１１で測定さ
れた値を塗布制御部７に入力することで、その都度、手
入力によって各種パラメータを入力することなく、目的
とするホトレジスト膜厚を得るための回転速度やホトレ
ジスト供給量等の情報を塗布制御部７に容易に、自動的
に設定でき、ホトレジスト塗布装置の管理運用の効率化
できる。
【００４９】なお、上述の実施例１および実施例２の説
明では、便宜上、膜厚測定部１０および粘度測定装置１
１を個別に備えた場合について説明したが、両者を併せ
持つ構成としてもよいことは言うまでもない。
明では、便宜上、膜厚測定部１０および粘度測定装置１
１を個別に備えた場合について説明したが、両者を併せ
持つ構成としてもよいことは言うまでもない。
【００５０】以上発明者によってなされた発明を実施例
に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
である事はいうまでもない。
に基づき説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
である事はいうまでもない。
【００５１】たとえば、上述の実施例の説明では、板状
物の一例として半導体ウエハの場合について説明した
が、板状物にホトレジストを精密な厚さで塗布すること
が必要とされる分野に広く適用できる。
物の一例として半導体ウエハの場合について説明した
が、板状物にホトレジストを精密な厚さで塗布すること
が必要とされる分野に広く適用できる。
【００５２】
【発明の効果】本願において開示される発明の代表的な
ものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の
通りである。
ものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の
通りである。
【００５３】すなわち、本発明のホトレジスト塗布装置
によれば、ホトレジスト塗布時の膜厚の測定を迅速かつ
正確に行うことができる、という効果が得られる。
によれば、ホトレジスト塗布時の膜厚の測定を迅速かつ
正確に行うことができる、という効果が得られる。
【００５４】また、ホトレジストの物性の変動に影響さ
れることなく、ホトレジストの膜厚を所望の値に安定に
制御することができる、という効果が得られる。
れることなく、ホトレジストの膜厚を所望の値に安定に
制御することができる、という効果が得られる。
【００５５】また、管理運用を効率よく行うことができ
る、という効果が得られる。
る、という効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例であるホトレジスト塗布装置
の構成の一例を示す概念図である。
の構成の一例を示す概念図である。
【図２】本発明の他の実施例であるホトレジスト塗布装
置の構成の一例を示す概念図である。
置の構成の一例を示す概念図である。
１ 半導体ウエハ（板状物） ２ スピンチャック ３ モータ ４ ノズル ５ ホトレジスト供給制御部 ６ ホトレジスト槽 ７ 塗布制御部 ８ 光源 ８ａ 光ビーム ９ 受光部 １０ 膜厚測定部（ホトレジスト膜厚測定装置） １１ 粘度測定装置（ホトレジスト粘度測定装置） １２ 粘度モニタ Ｐ ホトレジスト
Claims (5)
- 【請求項１】 板状物にホトレジストを塗布するホトレ
ジスト塗布装置であって、ホトレジスト膜厚測定装置を
備えたことを特徴とするホトレジスト塗布装置。 - 【請求項２】 前記ホトレジスト膜厚測定装置は、前記
ホトレジストが塗布された前記板状物を透過または反射
した光線を測定する分光分析により、前記ホトレジスト
の膜厚を測定することを特徴とする請求項１記載のホト
レジスト塗布装置。 - 【請求項３】 板状物にホトレジストを塗布するホトレ
ジスト塗布装置であって、前記板状物に供給される前記
ホトレジストの粘度を測定するホトレジスト粘度測定装
置を備えたことを特徴とするホトレジスト塗布装置。 - 【請求項４】 前記ホトレジスト粘度測定装置は、定流
量ポンプで所定の口径の細管中に所定の流量の前記ホト
レジストを流し込み、前記細管の出入口での差圧を測定
することにより、粘度を知る細管式であることを特徴と
する請求項３記載のホトレジスト塗布装置。 - 【請求項５】 前記ホトレジスト塗布装置は、モータに
よって回転駆動されるスピンチャックと、このスピンチ
ャックに載置された前記板状物に前記ホトレジストを供
給するホトレジスト供給制御部と、前記モータおよび前
記ホトレジスト供給制御部を制御する塗布制御部とから
なり、前記塗布制御部は、前記ホトレジスト膜厚測定装
置による測定結果、または前記ホトレジスト粘度測定装
置による測定結果に基づいて、ホトレジスト供給制御部
および前記モータを制御することにより、前記板状物に
対する前記ホトレジストの供給量、供給タイミングおよ
び前記板状物の回転状態の少なくとも一つを制御するこ
とを特徴とする請求項１，２，３または４記載のホトレ
ジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17517093A JPH0729809A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | ホトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17517093A JPH0729809A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | ホトレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729809A true JPH0729809A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15991493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17517093A Pending JPH0729809A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | ホトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729809A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-07-15 JP JP17517093A patent/JPH0729809A/ja active Pending
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