JP3529979B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶基板などの精密電子装置用基板等（以下「基板」と称
する）に対してレジストなどの薬液を塗布する基板処理
装置に関する。

【０００２】

【発明の背景】半導体基板のフォトリソグラフィー工程
では、レジスト液を基板上に塗布してレジスト膜を形成
することが必要となる。ここにおいて、半導体基板のサ
イズ（口径）は時代とともに増大傾向にあり、また、基
板上のパターンの集積度に対する要求も高まっているこ
とから、基板上のレジスト膜厚を薄くする必要があり、
たとえば１〜２μm程度ないしはそれ以下の膜厚が要求
される。

【０００３】このような大口径の基板に薄いレジスト膜
を均一の膜厚で形成するためには、レジスト液の粘度を
低めて流動性を高めることが必要である。それは、粘度
が高いレジスト液を使用すると、その粘性によって基板
上でレジスト液が盛り上がり、基板全体に薄く広がらな
いためである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、レジスト液
をこのように低粘度化すると、塗布されたレジスト膜厚
の状況が日によって異なるという現象が観測されてい
る。そこで、この現象について検討調査した結果、その
原因が大気圧の変動にあることが判明した。

【０００５】すなわち、レジスト液は液体であるからマ
クロに見れば非圧縮性流体であるが、基板上に塗布され
る状態では極めて薄い層になっているため、ミクロ的に
は体積変化なども生じ得るであって、周辺の気圧の影響
を受けるようになる。

【０００６】具体的には、大気圧が高いときは基板上の
レジスト液が押しつぶされたような状態になって、レジ
ストの膜厚が必要以上に薄くなる。この場合には、成膜
性が悪くなり、小さい穴（ピンホール）ができてしま
う。

【０００７】一方、大気圧が低いときはレジスト液も盛
り上がりやすくなって、レジストの膜厚が厚くなる。そ
の結果、後の露光工程およびエッチング工程において微
細なパターンを正確に形成することが困難となる。

【０００８】このような大気圧の変化による膜厚の変動
は約５０オングストロームにも及ぶことが確認されてい
る。そして、この問題は半導体基板へのレジスト液の塗
布装置に限らず、基板上に薬液を塗布して所要の膜を形
成する装置一般においても問題となる。

【０００９】この発明は、従来技術における上記の問題
の克服を意図しており、大気圧の変動の影響を防止しつ
つ、均一な所定の厚さの膜を形成することができる基板
処理装置を提供することを第１の目的とする。

【００１０】また、薬液の設定粘度を積極的に変更した
場合のほか、粘度調整機構の作動誤差によって薬液の粘
度に変動が生じた場合にも、均一な所定の厚さの膜を形
成することができる基板処理装置を提供することを第２
の目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に所定の薬液を塗布して前
記基板上に所定の膜を形成する基板処理装置において、
(a)前記基板上に前記薬液を供給する薬液供給手段と、
(b)前記薬液の粘度を測定する薬液粘度測定手段と、(c)
前記薬液の粘度に応じて前記基板の付近の雰囲気圧を調
整する雰囲気圧調整手段とを備える。

【００１２】請求項２の発明は、請求項１に記載の基板
処理装置において、前記雰囲気圧調整手段が、(c-1)前
記雰囲気圧を変化させる雰囲気圧制御手段と、(c-2)前
記雰囲気圧を測定する雰囲気圧測定手段と、(c-3)前記
雰囲気圧測定手段による測定結果を参照しつつ、前記粘
度の測定結果に応じた雰囲気圧指令を前記雰囲気圧制御
手段に与える雰囲気圧フィードバック手段とを有する。

【００１３】請求項３の発明では、請求項２に記載の基
板処理装置において、前記基板は、所定の給気経路と排
気経路とに連結されたチャンバ内に収容された状態で前
記薬液の供給を受けるものであり、前記雰囲気圧制御手
段が、(c-1-1)前記チャンバから前記排気経路への排気
量を調整する排気量調整手段を有する。

【００１４】請求項４の発明では、請求項１ないし請求
項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記薬
液粘度測定手段が、前記基板への薬液の供給経路中にお
いて、前記薬液の粘度を測定する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつこの発明
の実施の形態について詳細に説明する。

【００１６】＜Ａ．基板処理装置の概略構成＞まず、こ
の発明の実施形態である基板処理装置の概略構成を、そ
の概略断面図である図１を参照して説明する。この実施
形態における基板処理装置１は半導体基板の回転塗布装
置（スピンコータ）として構成されている。この装置の
中心部には、基板Ｗを略水平で真空吸着して保持するた
めのスピンチャック１０が配置され、このスピンチャッ
ク１０の回転軸１１を基板回転駆動用モーター１３で回
転駆動することによって、スピンチャック１０とともに
基板Ｗがこの軸の周りに水平面内で回転する。

【００１７】一方、余剰塗布液の周辺への飛散を防止
し、かつその余剰塗布液を捕集して所定の塗布液回収経
路へと導くために樹脂製又は金属性の塗布液回収カップ
１２が設けられており、この塗布液回収カップ１２の中
にスピンチャック１０と基板Ｗとが収容される。そし
て、塗布液回収カップ１２の底部には、廃液および排気
用のドレイン孔１４が設けられている。

【００１８】そして、塗布液回収カップ１２の全体を完
全に包囲するチャンバ１６が配設されている。このチャ
ンバ１６には、スピンチャック１０に真空保持された基
板Ｗの上方に給気口３０が形成され、その給気口３０に
は給気管路４０を介して給気装置３２が連結されてい
る。この給気装置３２は、給気ファン３４、給気量調節
用ダンバ３６、およびパーティクルなどの除去を目的と
して配置されたフィルター３８を備えており、これによ
って、チャンバ１６内への空気流路を形成している。そ
して、この給気装置３２から給気管路４０および給気口
３０を通して、クリーンルームと同じ一定温湿度に調節
された清浄空気がチャンバ１６内へと供給されるように
なっている。

【００１９】一方、チャンバ１６の底部付近には排気口
１８が形成され、この排気口１８に排気管路２０が連結
されている。そして、給気口３０を通してチャンバ１６
内へ供給された清浄空気が、チャンバ１６内部を上方か
ら下方へ流れ、排気口１８を通って排気管路２０へ排出
されるようになっている。

【００２０】この排気管路２０中には排気量調節用ダン
パ８１が設けられている。この排気量調節用ダンパ８１
は排気ダンパ調整用モータ８２によって駆動されるよう
になっており、それによって、排気量調節用ダンパ８１
は排気の流路方向に対して任意の開度に設定可能であ
る。このような構成によって排気管路２０を通る排気量
が調整可能となっているが、給気管路４０側からチャン
バ１６内への給気量を一定とした場合には、ダンパ８１
の開度変更によって排気管路２０からの排気量を変更す
ることにより、チャンバ１６内の気圧（したがって、基
板Ｗの周辺の雰囲気圧）を調整可能である。

【００２１】一方、チャンバ１６には、基板Ｗの搬出入
用の窓２４が形成されており、この窓２４は、基板Ｗの
搬出入用以外は蓋２６で密閉されている。また、チャン
バ１６への基板Ｗの搬出入は搬送ロボット（図示せず）
によって行われる。このチャンバ１６内には、基板Ｗの
周辺の雰囲気圧（具体的にはチャンバ１６内部の気圧）
を検知する静圧センサ４２が配置されている。そして、
この静圧センサ４２によってチャンバ１６内の雰囲気圧
が検知されるように構成されている。また、基板Ｗの上
方には、レジスト液を基板Ｗの上面に供給するためにノ
ズル５２が配置されている。

【００２２】＜Ｂ．ノズル付近の構造＞図２は、基板処
理装置１におけるノズル５２の周辺の拡大斜視図であ
る。この図２において、ノズルアーム５４は中空管であ
り、その上部の一端にノズル５２が設けられている。一
方、このノズルアーム５４のアーム下部５５は支持台
（図示省略）によって支持されている。

【００２３】後述する手段によってノズル下部５５から
供給されるレジスト原液は混合部５０に入る。混合部５
０にはまた、レジスト原液を希釈するための溶媒が配管
５１を介して供給されている。

【００２４】図２において、混合部５０の中の実線の矢
印は流体を示している。混合部５０には、レジスト原液
や溶媒などの流体の進行方向に沿って右エレメント５６
と左エレメント５８とが交互に配置されている。右エレ
メント５６と左エレメント５８とでは、流体の回転方向
が逆であり、両エレメントを通過する液体はその回転方
向が反転することにより、十分に攪拌、混合される。し
たがって、混合部５０に流入したレジスト原液と溶媒と
は、上記混合部５０によって十分に混合され、レジスト
液（溶液）としてノズルアーム５４中を流れ、ノズル５
２から基板Ｗ上へと吐出されることになる。

【００２５】また、ノズルアーム５４のうち混合部５０
側の部分には、粘度計９０が設置されている。この粘度
計９０は、レジスト原液と溶媒とを混合して得られたレ
ジスト液の粘度を検出する。このレジスト液の粘度は、
一定量のレジスト原液と、供給量が変動可能な溶媒との
混合比率を示す信号値として出力される。

【００２６】＜Ｃ．制御系＞図３は基板処理装置１の制
御系を示す要部機能ブロック図である。まず、レジスト
原液供給手段７０においては、レジストボトル７１中の
レジスト原液をポンプ７２によって汲み上げて混合部５
０へと圧送する。また、溶媒供給手段６０においては、
溶媒ボトル６１の溶媒がポンプ６２によって汲み上げら
れて混合部５０へと圧送される。これらのレジスト原液
と溶媒とは、図２において説明した混合部５０によって
混合され、レジスト液としてノズル５２から基板Ｗ上へ
と吐出される。

【００２７】一方、制御部１００には、粘度計９０によ
って検出されたレジスト液の粘度の検出信号値が入力さ
れる。後に詳述するように、制御部１００は、所要の膜
厚を得るためにはどのような雰囲気圧にすべきかを、そ
のときのレジスト粘度の実測値に応じて特定し、その雰
囲気圧を維持させるための制御動作を行う。

【００２８】制御部１００にはまた、レジスト液の粘度
を指定入力することが可能な粘度指定入力手段１１０が
接続されている。この粘度指定入力手段１１０は、たと
えばキーボードのような操作入力手段、フロッピーディ
スクなどを介してデータを入力するオフライン入力手
段、またはオンラインによって中央制御装置から受信す
る手段などである。これによって粘度値が指定される
と、溶媒供給手段６０内のポンプ６２の作動速度を制御
し、ポンプ６２から混合部５０へ供給される溶媒量が変
更する。

【００２９】この制御部１００はマイクロコンピュータ
などによって構成されており、ＣＰＵ１０１およびメモ
リ１０２を備えている。このメモリ１０２には制御プロ
グラムなどのほか、図４(a)に示すようなテーブルＴＢ
をあらかじめ記憶している。このテーブルＴＢは、あら
かじめ想定される粘度の種々の値と、それらの粘度にお
いて所定の膜厚を得るために必要な雰囲気圧との対応関
係を、数値テーブルの形式としたものである。このう
ち、粘度の値は一定量のレジスト原液と供給量を変更可
能な溶媒との混合比率によって表現されている。これ
は、粘度計９０から与えられる粘度実測値がそのような
形式になっていることに対応する。このようなテーブル
ＴＢは、種々の粘度値について、所要の膜厚が得られる
ような雰囲気圧をあらかじめ実測して求めておくことに
よって準備可能である。また、雰囲気圧については、気
圧そのものによって表現された値のほか、それに対応す
るダンパ８１の開度の値も登録されている。

【００３０】ここで、このテーブルＴＢにおける粘度と
雰囲気圧との関係について説明しておく。図４(b)に示
すように、一般にレジスト液の粘度が増大するに伴って
雰囲気圧を高めることにより、一定の膜厚を得ることが
できる。このため、レジスト原液の単位時間あたりの供
給量を固定しておく場合には、図４(c)中に実線で示す
ように、原液／溶媒の混合比率の増加に伴って雰囲気圧
を漸近的に増加させるような関係とする。このような関
係を具体的な数値として求めてテーブルＴＢとし、メモ
り１０２に記憶させておくのであるが、この実施形態の
装置では雰囲気圧の調整を排気量調整用ダンパ８１の作
動によって行うため、テーブルＴＢの雰囲気圧をダンパ
開度合を示す数値とともに表現しておくことが好まし
い。

【００３１】なお、その際に原液／溶媒の混合比率とダ
ンパ開度との関係は、原液／溶媒の混合比率が大きくな
れば、雰囲気圧を高めるように開度が小さくなるような
関係に登録される。

【００３２】チャンバ１６内の雰囲気の調整を行う雰囲
気圧制御手段８０は、既述した排気量調節用ダンパ８１
および排気ダンパ調整用モータ８２のほか、排気ダンパ
調整用モータ８２を駆動するためのモータ駆動部８３を
有している。雰囲気圧をダンパ開度で表現した指令値が
制御部１００から与えられるとモータ駆動部８３がその
開度に応じたモータ駆動信号をモータ８２へと与え、そ
れによってダンパ８１が回動して所要の開度に調整され
る。

【００３３】一方、図３に示すように、静圧センサ４２
によるチャンバ１６内の雰囲気圧の検知信号も制御部１
００に入力されている。これは、その時点で計測された
粘度に応じて図４(a)のテーブルＴＢから適正な雰囲気
圧が定まったとき、実際にその雰囲気圧が実現されてい
るかどうかを静圧センサ４２でモニタして、その結果に
応じたフィードバック制御を行うためのものである。

【００３４】＜Ｄ．制御動作＞次に、この基板処理装置
における基板処理手順を、基板Ｗ付近の雰囲気圧の調整
を中心として図５のフローチャートを参照しつつ説明を
する。

【００３５】なお、以下では、この発明の適用範囲の種
々の例を総合的に説明するために、 雰囲気圧の初期調整モード：あらかじめ指定された粘
度値に応じて初期雰囲気圧を調整するモード、 粘度の事前実測による雰囲気圧調整モード：基板Ｗへ
のレジスト液の塗布の前に試行的にレジスト液を待避位
置で吐出し、そこでの粘度実測値から雰囲気圧を特定し
て調整するモード、 装置稼働中の粘度実測による雰囲気圧調整モード：実
際に基板Ｗへのレジスト液の塗布と並行して、粘度実測
値から雰囲気圧をリアルタイムで調整するモード、 粘度指定値の変更後における雰囲気圧調整モード：粘
度の指定値の変更に応じて雰囲気圧を変更して調整する
モード、 のすべてのモードを総合的に行うようにしてあるが、こ
れらの調整モードのうちのひとつだけを実行してもよ
く、また任意の複数のモードを組み合わせて実行しても
よいことをあらかじめ指摘しておく。

【００３６】まず、ステップＳ１において、レジスト粘
度の種々の値に対して所要の厚さの膜を形成するために
必要な雰囲気圧の値を実測しておく。それらの雰囲気圧
を達成するための排気調節用ダンパ８１（以下、「排気
ダンパ８１」と略称）の開度についても同様である。そ
して、このようにして得られた対応関係を、図４(a)の
テーブルＴＢの形で制御部１００のメモリ１０２に記憶
させる（ステップＳ２）。既述したように、粘度の値は
原液／溶媒の混合比率によって表現されている。ここま
での手順は、装置メーカーにおいて行っておいてもよ
く、また、この装置１のユーザーが行ってもよい。

【００３７】また、指定されたレジスト粘度の値が粘度
入力手段１１０から制御部１００に設定される。これに
応じてＣＰＵ１０１はテーブルＴＢを参照し、その指定
粘度値に応じた雰囲気圧の初期値と排気ダンパ８１の初
期開度とを特定する。

【００３８】全てのデータ入力が終了すると、上記基板
処理装置を使用して実際のレジスト塗布の処理のための
一連のプロセスが開始される（ステップＳ３）。

【００３９】そこではまず、基板Ｗがチャンバ１６へ搬
入される前に、給気装置３２の作動が開始される。そし
て、これ以後、この給気装置３２はチャンバ１６内の環
境温度および湿度を一定に保つ。また、制御部１００か
ら雰囲気圧制御手段８０への指令によって、排気調節用
ダンパ８１の開度が上記の初期開度へと調節される。こ
れにより、チャンバ１６内の雰囲気圧はいったん所定の
初期値となる。

【００４０】そして、チャンバ１６への給気およびそれ
からの排気が安定した後、基板Ｗをチャンバ１６内に搬
入する前にノズル５２を待避位置に待避させ、そこで試
行的にレジスト液をノズル５２へと供給しつつ、粘度計
９０によってそのレジスト液の粘度を読み取る（ステッ
プＳ４）。

【００４１】このレジスト液の供給は、指定された粘度
に応じた溶媒供給量に応じてポンプ６２を駆動し、それ
によって送出された溶媒を混合部５０においてレジスト
原液と混合することによって行われる。後に説明する実
際の基板Ｗへのレジスト塗布の際も同様である。

【００４２】粘度計９０によって読み取られた粘度測定
値は制御部１００が取り込み、ＣＰＵ１０１が、メモリ
１０２上のテーブルＴＢのうちその値に一致する粘度の
値を検索する（ステップＳ５）。そして、ＣＰＵ１０１
は、テーブルＴＢ上に測定値と一致する粘度値が存在す
るときにはテーブルＴＢ上でその値に対応する雰囲気圧
と排気ダンパ８１の開度とを特定するが、一致するもの
がなければそれに最も近い粘度値を参照し、テーブルＴ
Ｂ上の雰囲気圧およびダンパ開度の数値列の内挿（補
間）または外挿によって雰囲気圧およびダンパ開度のそ
れぞれにつきひとつの値を特定する。そのようにして特
定された値が開度指令値として雰囲気圧制御手段８０に
出力される。

【００４３】雰囲気圧制御手段８０はこれに応じて排気
ダンパ８１を調整し（ステップＳ６）、チャンバ１６の
内部の雰囲気圧を、雰囲気圧の初期値から粘度実測値に
対応した雰囲気圧へと変更して調整する。

【００４４】このようにして、並行して実行される給気
および排気のうちの排気量の調整によってレジスト粘度
に応じた雰囲気圧が維持されるようになった後、基板Ｗ
がチャンバ１６内に搬入されてチャック１０によって保
持され、レジスト液がその基板Ｗの上に供給される。供
給されたレジスト液は基板Ｗの回転によって基板Ｗの表
面上に均一に塗布される。

【００４５】一方、チャンバ１６内の雰囲気圧は静圧セ
ンサ４２によってモニタされている（ステップＳ７）。
この静圧センサ４２による雰囲気圧測定値は制御部１０
０に与えられ、粘度に応じた雰囲気圧指令値と比較され
ることにより、チャンバ１６内の実際の雰囲気圧が雰囲
気指令値に維持されているか否かが制御部１００によっ
て比較判断される（ステップＳ８）。

【００４６】ステップＳ８での比較において、静圧セン
サ４２からの雰囲気圧実測値と雰囲気圧指令値とが所定
の許容範囲内で一致したか否かがＣＰＵ１０１によって
判断される。

【００４７】許容範囲を越えた不一致がある場合には、
ステップＳ１０で排気ダンパ８１の開度を微小量だけ変
化させることにより雰囲気圧を微小量だけ変化させてス
テップＳ７に戻る。このような雰囲気圧に関するフィー
ドバック制御系を設けることにより、雰囲気圧指令値と
実際の雰囲気圧とのずれに起因する誤差を補償して、安
定した雰囲気圧調整が可能となる。

【００４８】一方、ステップＳ９の判断で所定の許容範
囲内で「一致している」場合には、レジスト粘度の読み
取りステップ（ステップＳ４）へと戻り、再びレジスト
粘度を監視し、粘度変動変化があればそれに応じて雰囲
気圧を調整する。このようなループを繰り返すことによ
り、レジスト液の供給における誤差などによってその粘
度に時間的変動が生じた場合には、それに追随して雰囲
気圧を適正な値へと変化させることができる。

【００４９】そして、一連の基板Ｗへのレジスト液の塗
布の完了を指示する割り込み信号が入ってくると、この
ような雰囲気圧の監視調整ルーチンから抜け出して、一
連の基板Ｗへのレジスト液の塗布が完了する。

【００５０】基板Ｗのロットごとにレジスト粘度を変更
するような場合には、新たな粘度の値が粘度入力手段１
１０から制御部１００に設定される。この新たな粘度値
についてステップＳ４以下を行えばよい。

【００５１】以上のような雰囲気圧の自動調整を行うこ
とにより、気象変化によって大気圧が変化しても、レジ
スト粘度に応じて適正な雰囲気圧に自動調整されるた
め、レジスト膜厚が一定化する。それによって素子集積
度が高い大口径の基板に対しても適切な成膜が可能とな
る。

【００５２】また、ロットごとのレシピ変更などによっ
てレジスト粘度の設定値を変更した場合にも、それによ
る粘度の変化を自動検出してそれに応じた雰囲気圧が維
持されるため、このような積極的な粘度変更に対しても
レジスト膜厚が一定化される。

【００５３】＜Ｅ．変形例＞図１の実施形態では、排気
量を調整することによってチャンバ１６内の雰囲気圧を
調整しているが、給気量を調整することによって雰囲気
圧の調整を行ってもよい。図６はこのような場合の例を
示しており、給気装置３２内の給気量調節用ダンパ３６
を給気ダンパ調整用モータ３７によって駆動調整できる
ようにしておく。また、このときには、図４(a)のテー
ブルＴＢにおいてはこの給気用ダンパ３７の開度値を粘
度に応じて登録しておけばよい。

【００５４】また、給気量と排気量との双方を調整して
もよいが、このときにはテーブルＴＢに給気用ダンパ３
７と排気用ダンパ８１との双方の開度を登録しておく。

【００５５】さらに、粘度と雰囲気圧との関係を数値テ
ーブル化しておくことは必須ではなく、たとえば近似関
数を用いて関数化しておいてもよい。

【００５６】なお、この発明は、半導体基板へのレジス
ト液の塗布だけでなく、基板上に薬液を塗布して膜を形
成する装置一般に適用可能である。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項４の発明では、薬液の粘度に応じて基板付近の雰囲
気圧を調整する手段を設けているため、薬液の粘度に変
化が生じても、それによる膜厚への影響を雰囲気圧の値
によって補償するとともに、大気圧が変動してもそのよ
うな雰囲気圧を維持することが可能である。その結果、
薬液の粘度や大気圧の変動にかかわらず、所要の厚さの
膜を基板上に形成可能である（上記第１と第２の目的に
対応）。

【００５８】特に請求項４の発明では、薬液を実際に基
板へ供給する経路中でその粘度を測定するため、基板上
へ吐出される直前の状態での粘度を知ることができる。
その結果、粘度の測定値の信頼性が高まり、膜厚の均一
化の効果が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施形態に係る基板処理装置の概略
図である。

【図２】図１の基板処理装置におけるノズル付近の拡大
斜視図である。

【図３】図１の基板処理装置における雰囲気圧調整系の
機能ブッロク図である。

【図４】粘度と雰囲気圧との関係を示す説明図である。

【図５】この発明の実施形態における粘度調整手順を示
すフローチャートである。

【図６】この発明の変形例の基板処理装置を示す概略図
である。

【符号の説明】

Ｗ 基板 ＴＢ 粘度と雰囲気圧との対応関係テーブル １ 基板処理装置 １０ スピンチャック １２ 塗布液回収カップ １６ チャンバ ２０ 排気管路 ３２ 給気装置 ４２ 静圧センサ ５０ 混合部 ５２ ノズル ８０ 雰囲気圧制御手段 ９０ 粘度計 １００ 制御部

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−347394（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−29809（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142357（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−64515（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−10658（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−83327（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−209768（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 11/08

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に所定の薬液を塗布して前記基板上
   に所定の膜を形成する基板処理装置において、 (a) 前記基板上に前記薬液を供給する薬液供給手段
   と、 (b) 前記薬液の粘度を測定する薬液粘度測定手段と、 (c) 前記薬液の粘度に応じて前記基板の付近の雰囲気
   圧を調整する雰囲気圧調整手段と、を備えることを特徴
   とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記雰囲気圧調整手段が、 (c-1) 前記雰囲気圧を変化させる雰囲気圧制御手段
   と、 (c-2) 前記雰囲気圧を測定する雰囲気圧測定手段と、 (c-3) 前記雰囲気圧測定手段による測定結果を参照し
   つつ、前記粘度の測定結果に応じた雰囲気圧指令を前記
   雰囲気圧制御手段に与える雰囲気圧フィードバック手段
   と、を有することを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置におい
   て、 前記基板は、所定の給気経路と排気経路とに連結された
   チャンバ内に収容された状態で前記薬液の供給を受ける
   ものであり、 前記雰囲気圧制御手段が、 (c-1-1) 前記チャンバから前記排気経路への排気量を
   調整する排気量調整手段を有することを特徴とする基板
   処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記薬液粘度測定手段が、前記基板への薬液の供給経路
   中において、前記薬液の粘度を測定することを特徴とす
   る基板処理装置。