TW492159B - Improved buried strap poly etch back (BSPE) process - Google Patents

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492159 A7 ____B7_ 五、發明說明（< ) 發明領域 本發明傺有關一種半導體製造，且更特的是有關一種用 於回蝕蝕深溝渠電容儲存經形成用之埋入帶多晶矽的改 良方法。 相關技術 像動態隨機存取記億體（DRAM)三類的半導體記億裝置 包含由電晶體取用以儲存資料的電容器。深溝渠（D T )電 容器是DRAM技術中所用電容器型式中的一種。為了使 深渠電容器連接到傳輸裝置（取用電晶體）上而必須形成 一個埋入帶接點而完成的。埋入帶接點的形成是藉由使 DT氧化物軸環下凹以形成一個凹陷或低窪部分且接著以 已攙雜多晶矽填充該軸環凹陷，而已攙雜多晶矽也用在深 溝渠内的儲存結〇該多晶矽澱積是藉由化學氣相澱積 (CVD)而執行的，亦即由多晶層覆蓋住整個露出表面。在 多晶矽澱積之前，通常是執行一種高溫氮化作用以形成一 超薄的氮化物層。這個氮化物層會減少從埋入帶界面的 缺陷産生作用，亦即導致變數保持時間（VRT)問題的根 源。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .線. 由於只有凹陷内需要多晶矽，必須再次清潔其他溝渠部 位（亦即多晶去除作用）。這種方法是所謂埋入帶多晶回 蝕法（BSPE)。最近，這種BSPE方法是藉由化學乾蝕刻方 法（CDE)而完成的，特別是一種乾燥各向同性反應離子蝕刻 (R I E )方法亦即會去除定常量額之多晶矽的方法。 這種方法的缺點包含： 一 3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 492159 A7 B7 五、發明說明（>) 1.這種方法對該深溝渠側壁不具選擇性，因此可能對結 晶矽產生過餽刻而導致對此方法的控制不良° 2 .這種方法會留下先前步驟中形成於襯墊氧化物底下 切口內的多晶矽。該襯墊氧化物通常是形成於基板的頭 部表面上以保護稍後用於閘極氧化物的表面。通常會將 該襯墊氧化物上與該深溝渠相鄰的部分鈾刻掉。當形成 多晶矽時，這些已飩刻部分將會塡滿多晶矽。這個多晶會 引致閘極氧化物的可靠度問題，特別是若形成的是垂直 (亦即從側面OT側壁取用各電晶體）裝置。 3.該RIE工具是一種單晶圓工具（產量差）。通常以這種 工具一次只能處理一個晶圓。 因此，存在著對埋入帶多晶矽回鈾之改良方法的需求。 另外也存在著對能提供具有比習知設計更高產値及更好 性能特徵之埋入帶多晶矽回飩法的需求。 發明總述 根據本發明，一種用於回蝕深溝渠電容器內埋入帶用塡 充材料之方法包含的步驟有：於基板內形成一個溝渠之以 第一塡充材料塡充該溝渠；以及使該第一塡充材料下凹達 相當於該溝渠內介電軸環的預定深度。使該介電軸環τ 凹的處理形成了 一個軸環凹陷。於該第一塡充材料以及 基板上因溝渠的形成而露出的部分之上成長一介電層，Μ 將第二充塡材料澱積於該介電層上及該軸環凹陷內。藉 由溼蝕刻法餽刻該表面而準備該第二充塡材料的表_以 便提供以氫爲終結的矽表面，且對該第二充塡材料施行g -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----^---------I ___ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線| 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492159 A7 B7 五 發明說明（4

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 蝕刻以便對該介電層和基板施行第二充塡材料的選擇性 回鈾。蝕刻該第二充塡材料以形成一個埋入帶。 根據本發明而提供了一種對結晶矽施行多晶矽之選擇 性回蝕的半導體製造方法包含的步驟有：提供其內形成有 溝渠的結晶矽基板；於該溝渠的上方部分內形成一個氧化 物軸環；於該溝渠內澱積多晶矽材料並使該多晶砂材料下 凹達該氧化物軸環頂上部份以下的預定深度；使該氧化物 軸環下凹以便於每一個溝渠內形成一個凹陷；沿溝渠內露 出的基板表面成長一個氮化物層；於凹陷處及多晶矽材料 上澱積充塡材料以塡充各溝渠和凹陷處；藉由溼蝕刻法倉虫 刻該充塡材料的表面以便提供以氫終結的矽表面；以及藉 由使用氫氧化氨對該基板和硝化物層施行該充塡材料的 選擇性回蝕以便對該充塡材料施行溼鈾刻。 於替代方法中，準備表面的步驟可能包含以氫氟酸對該 表面施行溼蝕刻而準備表面的步驟。該準備表面的步驟 可能包含在大約2 5 °C溫度下對該表面施行溼蝕刻而準備 表面的步驟。該準備表面的步驟可能包含藉由使用氫氧 化氨溼蝕刻第二充塡材料的步驟。該溼蝕刻步驟可能也 包含在大約2 5 °C到大約8 5 t之間的溫度下對第二充塡材 料施行溼蝕刻的步驟。該溼蝕刻步驟可能包含依批次方 法對第二充塡材料施行溼蝕刻的步驟，該第二充塡材料較 佳的是包含多晶矽或非晶矽。該介電層可能包含氮化物。 該氮化物的厚度可能是大約0.8毫微米。該溼餽刻步驟 可能也包含以至少40比1的選擇性對基板施行第二充塡 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------^---------^ I. {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^159

材料的選擇性溼蝕刻該溼蝕刻步驟可能包含藉由使用氮 氧化氨或氫氧化鉀對該充塡材料施行大約4〇秒到大約 8〇〇秒之間的溼蝕刻。該充塡材料較佳的包含多晶矽或 非晶砂。 本發明的這些以及其他目的，特性，以及優點將會因爲參 照各附圖對所顯示實施例的詳細說明而變得很明顯。 圖式簡述 本發明將會參照下列附圖對各較佳實施例作詳細的說 明： 第1圖顯示——種根據本發明之半導體裝置的截面圖 示，此裝置含有一個其內形成有軸環的溝渠，該溝渠內塡充 充塡材料，充塡材料下凹以便接受處理。 第2圖顯示第1圖之半導體裝置的截面圖示，其中含有 根據本發明成長於該下凹充塡材料及該溝渠側壁上的氮 化物層。 第3圖顯示第2圖之半導體裝置的截面圖示，其中含有 爲施行根據本發明之溼蝕刻而準備的第二充塡材料。 第4圖顯示第3圖之半導體裝置的截面圖示，其中含有 藉由根據本發明之溼蝕刻法回鈾而得的第二充塡材料。 第5圖顯示一種用於根據本發明之批次處理之圓桶的 簡略圖示。 較佳實施例說明 本發明係有關一種半導體製造，特別是有關一種用於埋 入帶多晶矽回蝕（BSPE)的方法。本發明包含一種利用基 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — pi — — — — — — — — · I I (請先閱讀背面之注意事項再良寫本頁) 訂---------線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492159 A7 ____B7___ 五、發明說明（r ) 礎溶液或化學溶液（如氫氧化氨及/或氫氧化鉀）以便作更 好的方法控制的溼BSPE方法。本發明係藉由允許批次 處理以取代單一晶圓的處理而改良了產量。本發明也允 許使用溼蝕刻圓桶以取代反應性離子鈾刻工具。 現在，依特別詳盡的方式參照各附圖，所有附圖以相似的 參考標碼辨識只類似或完全相同的元件。首先參照第1 圖，記憶體裝置100包含一個其上形成有一個襯墊堆疊 1 ο 1的基板1 02。該記憶體裝置可能包含動態隨機存取記 憶體（DRAM)、同部DRAM、靜態RAM、唯讀記憶體、或 其他記憶體積體電路。較佳的是，基板1 02是一種單晶矽 基板，不過吾人也可以使用例如絕緣基板上的矽之類的其 他基板。於某一較佳實施例中，襯墊堆疊1 0 1包含一個氧 化物層104(襯墊氧化物）和一個氮化物層1〇6(襯墊氮化 物）。在襯墊堆疊10 1上澱積一個硬遮罩層（未標示）並以 熟悉習知設計的人所熟知的微影印刷技術施行圖形製 作。例如，吾人可能將一個阻抗層澱積於硬遮罩層上，施行 曝光並顯影以便在將要形成溝渠1 1 0的位置上開一些孔 洞。較佳的是藉由使用像反應離子蝕刻法之類的各向異 性技術而形成溝渠110。將溝渠110蝕刻到基板102之 內。 一個埋入平板1 1 2是形成於溝渠1 1 0的下邊部分上，該 埋藏平板1 1 2可能是藉由一種離子植入方法或是其他植 入法而形成的。將用來形成該埋入平板1 1 2的攙雜離子 植入到基板1 〇 2之內足夠丨朱處或是植入定夠數量以確保 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 492159 A7 ___________ B7 五、發明說明u ) 該埋入平板的形成。吾人可以在植入之後藉由退火方法 使該攙雜物向外擴散。吾人也可以使用其他埋入平板形 成方法。所用的攙雜物或離子的型式和數量可能是由給 定設計構成的且足夠扮演電容電極的角色（在植入之 後）。 有一個軸環1 1 6是形成於溝渠i i 〇的上邊部分。較佳 的是藉由對基板1 0 2內的矽執行氧化作用或是藉由使用 TEOS或等效作用的澱積方法而將軸環116形成於基板 1 02上。吾人也可以使用其他方法以形成軸環i丨6。形成 軸環1 1 6以防止寄生性漏池電流使作業中的溝渠電容器 產生放電。吾人可以對軸環116施行退火以提高氧化材 料的密度。澱積一個氮化物襯墊1 1 1以便在埋入平板1 1 2 與儲存結點（參見充塡材料1 13)之間扮演一個電容介電質 的角色。 現在以導電充塡材料1 1 3塡充溝渠，較佳的是用已攙雜 多晶矽以形成該儲存結。使充塡材料1 1 3在溝渠1 1 0內 凹陷到軸環1 1 6以下的點1 〇 9上。 參照第2圖，使用一種蝕刻方法以便藉由使軸環〗i 6的 部份1 3 0下凹而蝕刻出凹陷丨〇 5。這種蝕刻作用所以導 致待蝕刻的襯墊氧化物1 〇 4內形成一個低窪1 0 8。執行 高溫氮化作用以形成一個超薄（大約0 · 8毫微米）的氮化物 墊圈（或層）132。其他型式的超薄介電質也是適用的。氮 化物墊圏1 3 2係形成於矽的表面上。該氮化作用可能包 含使用其溫度落在大約5 5 0到大約6 0 (TC的氨氣。這個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492159 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 氮化墊圈132會減少由埋藏帶產生的缺陷，這是導致深溝 渠電容內各種保持時間（V RT)問題的根源。有利的是，本 發明使用氮化物墊圈1 3 2而依以下將作更詳細說明的方 式改良的處理方法。 參照第3圖，以導電充塡材料（較佳的是已攙雜的多晶矽） 塡充下凹105。較佳的是藉由化學氣相澱積法（CVD)澱積 充塡材料134,這種方法會以一層充塡材料覆蓋所有露出 的表面。 根據本發明，蝕刻充塡材料1 3 4以準備該表面。該準備 步驟使用的可能是溼蝕刻法、乾蝕刻法、或其他能夠從該表 面去除原有氧原子的處理步驟。於一 ^佳實施例中，該準 備步驟會使用已稀釋氫氟酸（200比1)的溼蝕刻而準備表 面以接受進一步處理。該準備步驟也可能包含例如像氫 氟酸氣相蝕刻或氫氣烘烤之類的其他步驟。該準備步驟 會產生一個以氫爲終結的表面1 3 1。藉由使氫氟酸與矽 反應，使氫原子留在塡充材料134的表面上。吾人也可以 使用其他的酸準備該表面。 有利的是，吾人係在大約2 5 °C的溫度下準備該充塡材料 1 3 4的表面。較佳的是執行大約4 〇秒到大約8 〇秒的氫 氟酸準備方法，不過也可以取決於設計和環境而使用其他 的時間。吾人也可看到其他準備方法，只有能夠提供以氫 爲終結的矽表面就行了。吾人也可能在某些實施例中省 略該準備步驟。 參照第4圖，根據本發明藉由溼蝕刻方法而準備充塡材 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------t--------tT------------------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^159 ^159 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（ί ) 料1 3 4較佳的是使用該溼鈾刻方法以施行該埋入帶多晶 砂回蝕作用。較佳的是該溼蝕刻方法包含一種矽蝕刻法， 較佳的是使用一種含氫氧化氨或氫氧化鉀之水溶液的基 礎溶液。氫氧化氨和氫氧化鉀對基板1 〇 2的矽只選擇性 且提供相對於基板102至少大約40:1的選擇比，不過氮 化物墊圈會在本發明的溼蝕刻處理期間保護基板不受破 壞。根據本發明，較佳的是在大約2 5 °C到大約8 5 t之間 的溫度範圍內執行大約4 0到大約8 0 0秒之間的蝕刻處 理。吾人已標示了這些條件且能加以調整以適用多變的 條件或設計。根據本發明，該溼蝕刻方法會啓動下列反 應。

Si + 30H_— Si(OH) + ++4e· (1) 4H20 + 4e·— 4〇H_ + 2H2 (2) 上述反應（1)中的矽是指充塡材料1 34的矽。吾人係藉 由將溶液內的產物（例如氫氧化矽Si(OH) + + )帶走而使充塡 材料1 34回蝕。吾人係藉由時間量額、溫度和蝕刻劑的 濃度而控制回蝕的量額。這可以在使用具有受控制並監 控條件之處理用圓桶批次方法中受到仔細的監控。有利 的是該批次方法包含高產量而沒有習知設計（參見上述說 明）的缺點。本發明實質上排除了該溝渠上邊部分內的團 塊矽損失。有利的是，以氮化物墊圏1 32當作蝕刻阻擋以 保護基板1 0 2的矽。此外，吾人會於溼蝕刻期間以對氮化 物的選擇性去除澱積於低窪處1 0 8內的任何多晶矽。有 利的是，吾人可以執行蝕刻而下達儲存結點1 1 3上的氮化 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------___I I (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) tr---------線----------------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492159 A7 ___ B7_____ 五、發明說明（9 ) 物層1 3 2。現在根據本發明而形成埋藏帶1 40。吾人可以 在稍後的步驟中去除該氮化物鑲框1 3 2或使之留在原 處。 吾人應該了解的是，吾人能夠以不同組合或濃度的氫氟 酸或氫氧化氨（用於溼蝕刻）當作蝕刻劑，或是結合其他蝕 刻劑或化合物一起使用。本發明的方法可以同時用於垂 直或平面裝置的深溝渠技術。裝置1 〇〇可能包含平面取 用的電晶體，垂直取用的電晶體或是同時包含兩者。對平 面和垂直取用電晶體而言，如上所述的步驟實質上是相同 的。其結構是習知設計中所熟知的。本發明至少包含下 列優點： 1.更好的控制。該方法對超薄（0.8毫微米）的氮化物墊 圈具有極高的選擇性。 2 .成本降低。因爲可以使用這種溼蝕刻處理批次工具（例 如圓桶）而允許吾人同時對很多晶圓進行處理。 3.不需要特定的工具。習知設計中用於BSPE的RIE方 法只能在通常這個特殊目的而購買的十分特殊工具內執 行。對本發明而言，吾人能夠於任何一種溼蝕刻工具內使 用所揭示的方法而進一步降低了成本。 參照第5圖，顯示的是一種用來同時處理很多晶圓204 的圓桶2 0 2。圓桶2 0 2包含於處理期間用來固定晶圓2 0 2 的晶圓支架206。圓桶202會包含用來監控根據本發明 之溼蝕刻方法的裝置2 0 8。例如，圓桶2 0 2會包含用於水 溶液內之蝕刻劑的溫度監控儀器及濃度監控儀器。 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------- 丨訂i 1· ·ϋ I ϋ Βϋ I I ·ϋ ^1 ^1 ^1 ^1 ^1 ^1 ϋ ϋ n ϋ ^1 ^1 ^1 ϋ ^1 ϋ gi n (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 492159 A7 _B7__ 五、發明說明（^ ) 已說明了已改良埋藏帶多晶矽回蝕方法的較佳實施例 (作顯示而非限制之用），吾人應該注意的是熟悉習知設計 的人可以在上逑觀點上進行修正和改變。因此，吾人應該 了解的是能夠在本發明申請專利範圍的架構和精神之内 對本發明所掲示的特殊實施例進行改變。已依專利法的 要求，對本發明作了詳細而特殊的說明，本發明期望受到文 字專利保護的申請範圍則列舉如下。 符號之說明 100 .....記億體裝置 101 .....襯墊堆疊 102 .....基板 104 .....襯墊氧化物 105 .....凹陷 10 6.....氮化物層 108 .....低塗處 109 .....點 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 1111133330000 111111,....-1 1 2 2 2 2 面 表 料 墊 的圈材 襯板料 結墊充 架 物平材 終物镇 支 渠化力填環分為化電桶圓圓置 溝氮埋充軸部氫氮導圓晶晶裝 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8

   492159 六、申請專利範圍 1. 一種用以回蝕形成深渠電容器內埋藏帶用之充塡材料 的方法，包括的步驟有： 於基板內形成一個溝渠； 以第一充塡材料塡充該溝渠； 使該第一充塡材料下凹達相當於該溝渠內介電軸環 的預定深度； 於該介電軸環內蝕刻出一個凹陷； 於δ亥弟一充_材料以及基板上因溝渠的形成而露出 的部分之上澱積一個墊圏； 於該墊圈上及該凹陷內澱積第二充塡材料； 以溼蝕刻劑蝕刻該表面而準備該第二充塡材料表面 以便提供以氫爲終結的矽表面；以及 對該第二充塡材料施行溼蝕刻以便對該墊圈和基板 施行第二充塡材料的選擇性回鈾，並蝕刻該第二充塡材 料以形成一個埋藏帶。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該準備表面的步驟 包含以氫氟酸對該表面施行溼餓刻而準備表面的步 驟。 3 .如申請專利範圍第2項之方法，其中該準備表面的步驟 包含在大約2 5 °C溫度下對該表面施行溼蝕刻而準備表 面的步驟。 4 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該溼蝕刻步驟包含 藉由使用基礎化學物質對該第二充塡材料施行溼蝕刻 的步驟。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -ϋ ϋ 一 θν I ϋ ·ϋ Βϋ ϋ i-i ϋ I 線丨 #----------------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492159 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該基礎化學物質包 含氫氧化氨和氫氧化鉀之一。 6.如申請專利範圍第1項之方法，其中該溼蝕刻步驟包含 在大約2 5 °C到大約8 5 °C之間的溫度下對該第二充塡材 料施行溼蝕刻的步驟。 7·如申請專利範圍第1項之方法，其中該溼蝕刻步驟包含 於批次方法中對該第二充塡材料施行溼蝕刻的步驟。 8 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二充塡材料包 含多晶矽。 9 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該墊圈包含氮化 物。 1 0 .如申請專利範圍第9項之方法，其中該氮化物包含大約 0.8毫微米的厚度。 1 1 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該溼蝕刻步驟包含 以至少4 0比1的選擇性對基板施行第二充塡材料之選 . 擇性溼蝕刻的步驟。 1 2 . —種對結晶矽施行多晶矽之選擇性回蝕以半導體製造 方法，包括的步驟有： 提供結晶矽基板，其內形成有溝渠； 於該溝渠的上方部分形成一個氧化物軸環； 於該溝渠內澱積多晶矽材料並使該多晶矽材料下凹 達該氧化物軸環頂上部分以下的預定深度； 使該氧化物軸環下凹以便於每一個溝渠內形成一個 凹陷； -1 4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ________β_________----------------------- A8 B8 C8

   492159 六、申請專利範圍 沿溝渠內，該凹陷內及該多晶矽上露出的基板表面形 成~個墊圈； ί殿積充塡材料以塡充各溝渠和各凹陷； 以淫蝕刻劑蝕刻該表面而提供一個以氫爲終結的矽 表面；以及 藉由使用基礎化學物質對基板和該墊圈施行該充塡 材料的選擇性回蝕以便對該充塡材料施行溼蝕刻。 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中該準備表面的步 驟包含以氫氟酸對該表面施行溼蝕刻而準備表面的步 驟。 Μ·如申請專利範圍第13項之方法，其中該準備表面的步 驟包含在大約2 5 t溫度下對該表面施行溼蝕刻而準備 表面的步驟。 1 5 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該準備表面的步 驟包含藉由使用氫氧化氨對該充填材料施行濕蝕到逹 大約40秒到大約140秒之間的步驟。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該溼蝕刻步驟包 含在大約2 5 °C到大約8 5 °C之間的溫度下對該第二充塡 材料施行溼蝕刻的步驟。 1 7 _如申請專利範圍第.1 2項之方法，其中該溼蝕刻步驟包 含於批次方法中對該充塡材料施行溼蝕刻的步驟。 1 8 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該充塡材料包含 多晶矽。 1 9 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該墊圈包含氮化 -15- ---------------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） )ajI ϋ — — — — — ϋ I I I I ϋ ϋ n I I ϋ — — — — — — ϋ — — — — — — — — 492159 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 的 含 包 物 化 氮 該 中 其 法 方 之 項 〇 9 1 米 第撤 圍毫 範8 ffi自 專 請為h 二 物如ί • 厚 包 驟 步 刻 蝕 溼 該 中 其 選 之 料 材 镇 充 該 1了 y#1 施 法板 方基 之對 項性 12擇 第選 圍的 範b 利ot #>4 請至 申 如以 .¾含 驟 步 的 刻 • ίχ, 融 溼 性 擇 渠 溝 深 成 形 以 蝕 回 性 擇 選 之 矽 晶 多 一了 y/1 施 矽 晶 結 對 4i1 種 成 法形 方内 的其 帶板 入基 埋矽 之晶 用結 器供 容提 電 有 驟 步 的 括 包 渠 溝 有 凹 下 ;料 環材； 軸矽度 物晶深 化多定 氧該預 個使的 一 並下 成料以 形材分 分矽部 晶上 多頂 積環 澱軸 内物 渠化 溝氧 該該 於達 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部 方 上 的 渠 溝 該 於 個1 成 形 内 渠 溝 個1 每 於 & 以 凹 下 環 軸 物 化 氯 該 ； 使陷 凹 上 面 表 板 基 的 出 露 上 矽 晶 多 該 及 ； 内圈 陷墊 凹物 該化 内氮 渠値 溝一 沿成 形 蝕 1了 y/1 ;進 陷面 凹表 各該 和對 渠酸 溝氟 各氫 充以 填下 以度 料溫 材的 矽°c 晶25 多約 二大 第在 積由 澱藉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 備;i 準面 而表 刻矽 的 結 終 為 氫 以 供 提 而 面 表 料 材 矽 晶 多 二 第 該 及 下該材 度行矽 溫施晶 的圈多 間墊二 之該第 P 和該 85板對 到基便 P 該以 5 2 對独 約一回 大之性 在鉀擇 由化選 藉氧的 内氫料 法和材 方氨矽 次化晶 批氧多 於氫二 以第 每 於 而 刻 蝕 溼 行 施 料 第 圍 ΙΕ 利 專 請 申 如 包 〇 驟 帶步 入刻 mc3Λ 埋蝕 個溼 一 該 成中 形其 内， 渠 溝 個 法 方 之 項 訂---------f ·------------------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 492159 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 含藉由使用氫氧化氨對該過濾材料施行大約4 0秒到 大約8 0 0秒之溼蝕刻的步驟。 2 4 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中該氮化物包含的 厚度爲大約0.8毫微米。 2 5 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中該溼蝕刻步驟包 含以至少4 0比1的選擇性對該基板施行該第二多晶矽 材料之選擇性溼蝕刻的步驟。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) L#,, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂---------線Ink----------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）