TW476997B - Method of temperature-calibrating heat treating apparatus - Google Patents

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476997 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（j 、…本發明係提供一種熱處理裝置之溫度校正方法，係於 半導體處理中，根據參考用之第〗熱處理裝置的熱處理結 果，對第2熱處理裝置之溫度進行校正者。又，在此之半 導體處理係指，於半導體晶圓或LCD基板等之被處理基板 j，以一預定圖案形成半導體層、絕緣層或導電層等，而 藉以製造於該被處理基板上含有諸如半導體元件及與該半 導體元件連接之配、線、電⑮等之構造物而實施《各種處理 者。 ^在半導體處理中，有一廣為人知的縱型熱處理裝置， 係-種可用於-次對多數之半導體晶圓執行成膜處理、氧 化處理或擴散處理等熱處理之批式處理裝置。而，縱型熱 處理裝置収供下述之熱處理使用，卩卩，將多片晶圓垂直 相間排列於稱為晶舟（wafer b〇at)之載具上保持之，並將 該載具移人縱型之熱處理室中，進行如氧化處理等之熱處 理。 當對晶圓作熱處理時，必須能正確掌控晶圓之溫度。 例如藉氧化處理於晶圓上形成氧化膜時，晶圓之溫度將對 該形成之膜的膜厚產生影響，故必須精確地校正加熱器之 溫度控制器。 以往，係將附有熱電偶之晶圓放入一用以執行溫度校 正之熱處理裝置的處理室内測量晶圓之溫度，並根據該測 量值與溫度控制器之指示值進行校正。例如，⑨日本專利 公開公報特開平所示之縱形熱處理裝置，即係根 據附有熱電偶之晶圓的溫度、處理室内之溫度及加熱器之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

---------t---------n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- A7 ^~-----E_______ 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 溫度三者間之關係執行該熱處理裝置之溫度控制。但，若 於熱處理室置入附有熱電偶之晶圓，則構成該熱電偶之金 屬將可能飛散並附著於熱處理室内，而使該附著之金屬附 著於處理中之晶圓上，造成金屬污染。 另外，有一種正在研究中的方法，係使用一放射型溫 度计取代熱電偶，藉該放射型熱電偶捕捉自晶圓放射出之 輻射光，並以光電元件將之轉變成電訊，以測量晶圓溫度。 但，此時因自晶圓以外之部位所放射之輕射光亦將進入受 光部’故有放射率修正困難之問題。 本發明係提供一種熱處理裝置之溫度校正方法，其目 的在於能精確地校正熱處理器之溫度且不虞對被處理物造 成污染。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 按本發明，係提供一種熱處理裝置之溫度校正方法， 其係根據一參考用之第丨熱處理裝置的熱處理結果以執行 第2熱處理裝置之溫度校正者，其中前述第丨熱處理裝置 包含有一第1處理室、一用以將前述第丨處理室之内部加 熱之第1加熱部及一用以設定前述第丨加熱部之溫度的第 1控制器，而，前述第2熱處理裝置則包含有一第2處理 至 用以將别述第2處理室之内部加熱的第2加熱部及 一用以設定前述第2加熱部之溫度的第2控制器；在此， 前述第1及第2處理室實質上相互間具有相同之構造，且 前述第1及第2加熱部相互間亦具有相同之構造；而前述 熱處理裝置之溫度校正方法則包含有： 一溫度測定步驟，係於前述第丨處理室内之選擇位置， 本紙張尺度翻f國國家鮮（CNS)A4祕⑵〇 X 297公爱) 476997 A： 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（ 藉前述第1加熱部將一用於測量溫度之測定用基板加熱， 以求取則述第1控制器上一用以使前述測定用基板之測定 溫度歸結於溫度目標值之第1溫度設定值者者； 一一 1次側熱處理步驟，係將前述第〗控制器設定於前 述第1溫度設定值’並一面於前述η處理室之前述選擇 位置上，藉前述第i加熱部將第u板加熱，—面於前述 第1基板上形成第i薄膜者，其中該第1薄膜則係於經選 擇而使其成長速度可以溫度為函數而變化之選擇處理壓力 及選擇處理氣體條件下形成者； 一 2次側熱處理步驟，係於前述第2處理室内一與前 述選擇位置對應之位置，_面藉第2加熱部將—與前述第 板貫質上具有相同尺寸及材f之第2基板加熱，一面 灰則述第2基板i，以前述選擇處理壓力&選擇處理氣體 條件’形成-與前述第i薄膜之材質相同的第2薄膜者； 及 校正步驟’係求取前述第2控制器上當前述第i薄 膜與刖述第2薄膜厚度相同時之第2溫度設定值，依此， 而於刖述第2控制器之設定溫度為前述第2溫度設定值 時即涊疋則述第2處理室内該對應於前述選擇位置之位 置已達前述溫度目標值，而對前述第2熱處理裝置進行溫 度校正者。 【圖面之簡單說明】 第1圖係本發明貫施例之縱型熱處理裝置之立體圖。 第2圖係第1圖所不縱型熱處理裝置之剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21Q X 297公f ----l·---訂---------線t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 476997 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π A7 B7 五、發明說明（4 ) 第3圖係用以圖解實際上晶圓之溫度測定值與溫度控 制器之關係的說明圖。 第4圖係將溫度控制器之溫度設定值設定於某數值後 對晶圓w進行熱氧化處理，並對該晶圓的氧化膜測量其膜 厚之狀態說明圖。 第5圖係針對晶圓溫度之進行程序例之溫度特性圖。 【元件標號對照表】 -------------裝----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第6圖係測量晶圓氧化膜之膜厚，並根據該測量結果 調整溫度控制器的溫度設定值之情況說明圖。 1 縱型熱處理裝置 1A 參考裝置 1Β 安裝裝置 11 基板 12 溫度測定元件 2 晶舟 21 頂板 22 底板 23 支柱 Ο 載具升降機構 J 40 41 處理室 41a 外管 41b 内管 42 加熱部 43 氣體供給管 44 排氣管 45 均熱用容器 47 〜49 加熱器 5 溫度控制部 51 〜53 溫度控制器 6 開口部 61 蓋體 62 保溫筒 7 溫度顯示裝置 71 〜73 溫度顯示部 8 膜厚測定裝置 W 一般晶圓 MW 溫度測定用晶圓

476997 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 【實施例】 本發明貫施例之溫度校正方法中，將提及參考用之第i 縱型熱處理裝置及施以溫度校正之第2縱型熱處理裝置。 兩熱處理裝置係相同設計之裝置，即，兩裝置之各部分相 互間具有相同之構造。第丨圖及第2圖係顯示此一設計之 縱型熱處理裝置的斜面圖及斷面圖者。 如第1圖及第2圖所示，此裝置係具有一縱型熱處理 爐1，而該縱型熱處理爐丨係包含有一密閉之反應管，亦 即處理室41及一包圍該處理室W之加熱部U者。該處理 室41具有由諸如石英製之外管4U及内管4比所構成的二 重管構造，而該内管41b之頂部則形成有複數之孔4〇，使 該外管4la及内f 41b可經由該孔4〇相連通。該外管… 之底側連接一氣體供給管43,而該内管41b之底側則連接 一排氣管44。 前述處理室41係由一均熱用容器45所覆蓋，又，其 外側係由一藉溫度控制部5控制之加熱部42所包圍。而該 加熱部42係由如上中下三段之加熱器47、48、49所構成， 用以加熱前述處理室41内部各不同層級之水平領域（區 域）者。前述加熱器47、48、49係由電阻發熱元件等構成 並各自與溫度控制器51、52、53相接者。而前述加熱器 47〜49係藉調整由前述溫度控制器51〜53之供電，彼此獨 立控制發熱量。即，前述溫度控制器51〜53係設定為用以 各自管理保持於晶舟（載具）2上之多片半導體晶圓以的 Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】G X 297公髮 -----------------^----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4769^/

五、發明說明（6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上部群、中央部群及下部群之溫度者。 藉使月J述用以支撐被處理體之半導體晶圓W的晶舟2 朝垂直方向#動’即可對處理室41進行搭載/卸載。晶舟 2係由如頂板21及底板22與連接該等頂板及底板之複數 的支柱23所形成。支柱23於垂直方向形成有多數相間之 溝’藉此可規定晶圓之水平支擇層級。將晶圓界之周邊插 入該等槽中，即可使多數之晶圓w於垂直方❹Μ排列並 保持之。 晶舟2係載置於一保溫筒62上，而該保溫筒62乃設 置於-用以開關處理室之下端開口部6的蓋體61上。該蓋 體61係配置於載具升降機構3上，而可藉該載具升降機構 之升降蓋體61，對處理室41進行晶舟2之搭載及卸載。 其次，就本發明之實施例說明溫度校正之方法。在以 下之說明中’參考用之第i縱型熱處理裝置雖係以參考裝 置1A稱之，而施行溫度校正之第2縱型熱處理裝置雖係 以安裝裝置1B稱之，但此等裝置1A、1B均係如前述，具 有第1圖及第2圖之構造。 【溫度測定步驟】 參考用之第1縱型熱處理裝置係使用例如熱處理裝置 製造者所擁有之參考裝置1A。且，如第3圖所示，該參考 裝置1A之處理室41内並搭載一裝載有溫度測定用晶圓 (temperature measurement wafer) MW 之晶舟 2。該晶舟 2係可於適S之層級裝載測定用晶圓mw及一般晶圓W (係指與裝置1A及1B中預定施以熱處理之半導體晶圓具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2川x 297公釐） -9- -----：----訂-------- -線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、 發明說明（ 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2相同尺寸及材質者），而必要時亦可裝載至支撲層級滿載 為止者。X，測定用晶圓Mw係藉處理室41内之各加敎 益47〜49加熱，且於不同層級之各領域内至少各配置—片 者。 測疋用晶圓MW具有一與一般晶圓w (於第丨圖及第 2圖所示之縱型熱處理裝置1中處理的製品用半導體晶圓） 具相同尺寸及材質之基板"及配置於該基板卩之熱電偶 等溫度測定元件12。若使用放射型溫度計時，則測定用晶 圓MW可使用一般之晶圓。又，使用附熱電偶之測定用晶 圓的/皿度測疋方法’其細節係揭示於usp5,6i6,264中，而 該揭示内容並列入本說明書中以供參考。 接著，設定處理室41内的適當加熱溫度之目標值，並 面藉溫度控制部5調整加熱部42之發熱量，一面開始加 =測定用晶圓MW等。此時，測定完成之溫度將藉溫度測 定用晶圓MW而顯示於溫度顯示裝置7。故，溫度測定元 件12之信號線雖未標示於第3圖，乃係自晶舟2之底部經 蓋體61導出處理室41外，並與溫度顯示裝置7相接。且， 觀察其測定溫度，並求取溫度控制部5上一用以使該測定 溫度歸結於前述溫度目標值之溫度設定值者。 第3圖係圖解此一狀態。將測定用晶圓MW保持於各 加熱器47〜49之加熱領域（加熱負責範圍）内，則自前述 溫度測定元件12測定之溫度將各自顯示於溫度控制裝置7 之各顯不部71、72、73。加熱器47〜49之發熱量係各藉溫 度控制器51〜53而調整。即，藉各溫度控制器51〜53調整 ----------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- A7 B7

476997 五、發明說明（8 ) 各對應之加熱領域的測定用晶圓MW之溫度。 例如，若目標設定值係900°C，則調整溫度控制器5丨〜53 之溫度設定值，使對應之溫度顯示部71〜73的溫度顯示成 9〇〇°C。當第3圖中溫度控制器51〜53之溫度設定值各為 902 C、89 8°C、901°C (該等數值係便於說明用之數值）時， 各加熱領域之測定用晶圓MW的溫度係900°C。如此，即 可求取溫度控制器5 1〜53上，當各加熱領域内之測定用晶 圓MW達溫度目標值時（此例係9〇〇。(3 )之溫度設定值， 並將該等數值以1次側溫度設定值紀錄之。 又’必要時亦可設定9〇〇°c以外之複數溫度目標值，並 對該複數溫度目標值各自進行此一溫度測定步驟。藉此， 即便對900 °C以外之溫度目標值亦可取得溫度控制器 51〜53之溫度設定值。 【1次側熱處理步驟】 接著’於參考裝置丨八之處理室41内搭載一晶舟2， 而該晶舟2係以與溫度測定步驟相同之狀態裝載有熱處理 用之一般晶圓W者。且，將各溫度控制器5卜53設定於 900 C用之1次側溫度設定值後，進行氧化處理，而於晶圓 W上形成氧化膜。又，在此，以與溫度測定步驟相同之狀 態於晶舟2裝载熱處理用之一般晶圓w係指，將與於前述 溫度測定步驟之測定用晶圓Mw及一般晶圓w之合計片 數相同之一般晶圓，配置於與溫度測定步驟相同之支撐層 級。尤其’對溫度測定步驟中配置有測定用晶圓MW之支 樓層級’於此1次側熱處理步驟中勢必配置晶圓W以進行 本，，，氏張又巧用T四四豕保準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 . ---------訂-------I 1^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ' —— -- B7 __ 五、發明說明（9 ) 熱處理。 第4圖之上部係圖解此狀態。第4圖中係僅顯示對應 中奴加熱領域之溫度控制器52。但，上段及下段之溫度控 制器51、53亦同樣設定於9〇〇乞用之溫度設定值。 第5圖係一有關針對處理晶圓w進行氧化處理時的加 熱領域溫度之進行程序例。例如，將晶圓w於3〇〇艽時移 入（搭載）熱處理爐丨内，並加溫至處理溫度（此例係9⑻ C )待/3^度女疋後例如供給氧氣至熱處理爐1内對晶圓w 進行氧化處理，並於退火後降溫。在此，將各溫度控制器 51〜53設定於900它之溫度設定值，並使晶圓貿之處理溫 度月b與900 C —致。此時，選擇一處理壓力及處理氣體條 件以使氧化膜之成長速度可以溫度為函數而變化。 接著，如第4圖下部所示藉如偏振光橢圓率測量儀等 之膜厚測疋裝置8，針對已進行氧化處理之晶圓w測量其 氧化膜之膜厚。且，將此藉！次侧熱處理步驟所得之 它時之膜厚，紀錄為基準膜厚。又，該膜厚之數值係一便 於說明之數值。 接著，將處理溫度作些許變更，如變更為9〇rc後以同 樣之進仃程序進行相同之氧化處理，並測量氧化膜之膜 厚。相同之氧化處理係指，除處理溫度外，搭載晶圓w時 之溫度、加溫速度等皆為相同之進行程序者。又，前述之 溫度測定步驟中，若90代以外之溫度目標值係使用9〇5 °C，且已預先求取溫度控制器51~53之溫度設定值，則可 於該步驟中正確地得到905t:之處理溫度。但，即便未預 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） ---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12· 476997 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇 先求取㈣用之溫度控制器51〜53的溫度設定值，因與 9〇5 C之溫差甚小，故亦可大致正確地得到崎之處理溫 度。 如此，根據900°C時之氣仆腔：勝后〜 虱化膜膜厚與905°C時之氧化膜 膜厚，即可得到一代表基準膜戽 干勝/子之變化量與處理溫度之變 化量兩者間關係的調整數據。本眚 豕奉κ施例中，調整數據係使 用一可顯示若變更處理溫度則膜厘 ^ ⑷犋知將如何變化之膜厚溫度 係數（膜厚變化量/溫度變化量）。你 里）例如，以處理溫度係900 °C及905°C時之膜厚各為U 〇nm月η < .nm及ll.6nm為例，則該膜 厚溫度係數為（11.6-11 ·〇)/( 9〇5 λ ^ /、州5-90〇) =012nm/〇c 〇 又， 於第4圖中’為便於說明’故僅顯示中段加熱器48之加 領域的晶圓W及溫度控制器52，但事實上對其他加故 47、49之加熱領域的晶圓亦係進行相同程序。 【2次側熱處理步驟】 前述溫度測定步驟及1次侧熱處理步驟舉例言之係於 縱型熱處理裝置之製造者側進行。另一方面，於縱型熱處 理裝置之使用者侧則係自製造者側收到諸如處理溫 9〇代時之基準膜厚、處理進行程序及膜厚溫度係數等^料 後，進行以下之溫度校正。 即，如第6圖所示，進行溫度校正之第2縱型哉處 裝置係使用使用者側之安Μ置1β者。且，該安裝裝 ⑺之處理室4!内搭載-晶舟2,而該晶舟2係以幻 側熱處理步驟相同之狀態裝載有熱處理用之—般晶圓 者。且，將各溫度控制器51〜53設定於9〇(rc用之Βθ 熱 器 理 置 次 W 假定 裝-----：----訂—-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^7^· -13

476997 五、發明說明（11 ) 溫度設定值後，進行氧化處理，而於晶圓w上形成氧化 膜。在此，對在1次側熱處理步驟中配置過已測定氧化膜 之膜厚的測定用晶圓Mw之支撐層級，於此2次側熱處理 步驟中亦須配置晶圓w以進行熱處理。 … 第6圖中係僅顯示對應中段加熱領域之溫度控制器 52。但，上段及下段之溫度控制器51、53亦同樣設定於 900°C用之溫度設定值。 基本上2 _人側熱處理步驟係於與丨次側熱處理步驟相 同之條件下進行者。即，此一氧化處理中係按第5圖所示 之進行程序而進行處理室41内之各加熱領域之加溫、溫度 維持及降溫等者。又，處理壓力及處理氣體條件亦與於i 次側熱處理步驟所選擇之條件相同。 其次，藉膜厚測定裝置8對已進行氧化處理之晶圓w 測量其氧化膜之膜厚。例如，當溫度控制器52之溫度設定 值已設定於898°C，且若該溫度控制器52係與製造者側的 參考裝置之溫度控制器完全相同時，則晶圓w之處理溫度 亦應為900T：。但，由於參考裝置ία與安裝參考裝置1B 兩者之間，即便為相同之設計，事實上亦存在個別差異， 故般而吕’處理溫度將不會為9 0 0。〇，而氧化膜之膜厚 亦不會為11 .Onm。 因此，可求取一於2次側熱處理步驟所測得之膜厚與 於前述1次側熱處理步驟所得到的基準膜厚之差異值。若 晶圓W之處理溫度為900°C時該差異值為〇，但若非900 C時則會產生一數值（膜厚差）。另一方面，既已得到此氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 476997 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 五、發明說明（12 ) 化膜之膜厚溫度係數，故括μ _ p μ 致故根據膜厚差及膜厚溫度係數即可 了解於前述2次側埶處理牛^ …氣理步驟中，處理溫度自900°C偏離 了幾t。 —接者’依此偏差之程度調整溫度控制器52之溫度言; 疋值’以使對應之加熱領域$ 9〇〇t。同樣地，亦依此福 差之程度調整溫度控制器5卜53之溫度設定值。其次，於 安裝裝置⑺之處理室41内搭載一裝載有新晶圓w之晶舟 2 ’並再次進行熱處理。 即，在此必要之溫度設定值的調整量，係可根據一溫 度差（溫度變化量）=膜厚差（ 、旱i C膜厗變化置）/膜厚溫度係 數之公式而求取者。例如，若^ 2次側熱處理步驟所得之 膜厚較1次側熱處理步驟所得之基準膜厚大〇 24nm(即， 若膜厚差為0.24—，則溫度差為〇24nm(nm)/〇 12 (刪 °C ) =2°C。此時，即可推測2次側熱處理步驟係於9〇2充 下進行’故於下個2 :欠㈣處理步射，可將溫度控制器 52之溫度設定值降低2它以進行處理。 如此，反覆進行2次侧熱處理步驟，直到於2次側熱 處理步驟所得之膜厚與於丨次側熱處理步驟所得之基準膜 厚相同為止。且，針對各溫度控制器51〜53求取一當於2 次側熱處理步驟所得之膜厚與於1次側熱處理步驟所得之 前述基準膜厚相同時的溫度設定值，並將該等數值紀錄為 2次側溫度^定值。即，該等2次側溫度設定值係與於參 考裝置1A中所設定的9〇〇t：2溫度目標值相對應。 因此，使用者側之安裝裝置1B中，當溫度控制器 ^---------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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社 印 卢1二之溫度設定值分別為各2次侧溫度設定值時，係以 戶目二41内上中、下段之加熱領域中可得之9峨的溫 值’對前述裝置1B進行溫度校正。如此，將加敎 ::的實際溫度與溫度控制器51〜53的設定溫度兩者間之 二加以紀錄，並以此關係為基準加熱，藉此即可正確地 控制晶圓之溫度。 :前述實施例’係預先以如熱電偶等之溫度測定元件 2料考裝置1A中之敎用晶圓贿之溫度加以檢測， ^以該溫度對-般晶圓W進賴處理之絲化處理，並 欢測其氧㈣之膜厚。接著，於進行溫度校正之安裝裝置 中進仃相同之處理’並以該氧化膜之膜厚為媒介進行溫 度控制部5之溫度校正。因此，亦可不將溫度測定元件Η =入進行溫度校正之安裝裝ilB中，故可避免因熱電偶 專之溫度敎元件12而對稱後將於安裝裝置⑺内處理之 晶圓W造成金屬污染。 前述實施例固然是將溫度控制器5!〜53上對應於溫度 測定步驟中溫度顯示部71〜73顯示戰時之設定值直接 使用於1次側熱處理步驟巾，以進行氧化處理。但亦 於1次侧熱處理步驟中，例如將溫度控制器51〜53之指 值調整數度，例如降低5t的程度，以進行氧化處理， 得到-於895t時之膜厚基準。此時，即可藉氧化膜之 厚以895<t為溫度目標值對安裝裝置1B進行溫度校正 即，如此這般’於溫度測定步驟中所使用之暫定溫度目 值與潛在之實際溫度目標值相異之情形亦包含於本發明 可 示 而 膜 標 ------—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適則關復SM4規格⑵G χ 297公f -16 476997 A7

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Claims (1)

1. 8 8 8 8 A B c D 第891 17803號專利申請"請專利範圍修正本 90. 12. 1 0 修正日期：90年12月 1: 一種熱處理裝置之溫度校正方法，其係根據一參考 用之第1熱處理裝置的熱處理結果以執行第2熱處理裝置 度抆正者，其中前述第1熱處理裝置包含有一第1處 理室、一用以將前述第1處理室之内部加熱之第1加埶部 及-用以設定前述第i加熱部之溫度的第i控制器，而， 前述第2熱處理裳置則包含有一第2處理室、一用以將前 述第2處理室之内部加熱的第2加熱部及-用以設定前述 第2加熱部之溫度的第2控制器；在此，前述第丨及第2 處理至貫貝上相互間具有相同之構造，且前述第1及第2 加熱部相互間亦具有相@之構造；而前述熱處理裝置之溫 度校正方法則包含有： 一溫度測定步驟，係於前述第丨處理室内之選擇位置， 稭前述第1加熱部將一用於測定溫度之測定用基板加熱， 以求取前述第1控制器上一用以使前述測定用基板之測定 溫度歸結於溫度目標值之第1溫度設定值者； 一 1次側熱處理步驟，係將前述第i控制器設定於前 述第1溫度設定值，並一面於前述第丨處理室之前述選擇 位置上，藉前述第1加熱部將第丨基板加熱，一面於前述 第1基板上形成第1薄膜者，其中該第丨薄膜則係於經選 擇而使其成長速度可以溫度為函數而變化之選擇處理壓力 及選擇處理氣體條件下形成者； 一 2次側熱處理步驟，係於前述第2處理室内一與前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -18 - 六、申請專利範圍 述選擇位置對應之位置，-面藉第2加熱部將—與前述第 i基板實質上具有相同尺寸及材質之第2基板加执，一面 於前述第2基板上’以前述選擇處理壓力及選擇處理氣體 條件’形成-與前述第i薄膜之材質相同的第2薄膜者； 及 —校正步驟，係求取前述第2控制器上當前述第i薄 膜與前述第2薄膜厚度相同時之第2溫度設定值，依此， 而於前述第2控制器之設定溫度為前述第2溫度設定值 時，即認定前述第2處理室内該對應於前述選擇位置之位 置已達前述溫度目標值’而對前述第2熱處理裝置進行溫 度校正者。 2·如申請範圍第i項之熱處理裝置之溫度校正方法， 其中為求取前述第2溫度設定值，係對應於複數之第2基 板執行前述2次侧熱處理步驟複數次，在此，於前述複二 之第2基板間，將前述第2控制器設定於相異之溫度設定 值。 3·如申請範圍第2項之熱處理裝置之溫度校正方法， 其中於對應於複數之第2基板執行前述2次側熱處理步驟 複數次時’係根據—代表形成前述第i薄膜時，膜厚變化 量與溫度變化量間之關係的調整數據，將前述第2控制器 設定於前述相異之溫度。 4·如申請範圍第1項之熱處理裝置之溫度校正方法， 其中前述測定用基板上係配置有一溫度測定元件。 5· 一種熱處理裝置之溫度校正方法，其係根據一參 476997 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 用之第1縱形熱處理裝置的熱處理 ^ ^ 衣以執仃第2縱形 …、處理裝置之溫度校正，俾用以對實 貝上具有相同之輪廂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 尺寸的複數被處理基n料熱處理者，其巾前述 熱處理裝置包含有-第1處理室、-配置有複數之用以加 熱前述第1處理室内部不同層級領域的第i加埶写之第i 加熱部及複數之用以設定前述第i加熱器之溫度的第α 制器，而，前述第2熱處理裝置則包含有—第2處理室: -配置有複數之用以加熱前述第2處理室的内部：同】級 領域之第2加熱器的第2加熱部及複數之用以設定前述第 2加熱器之溫度的第2控制器；在此’前述第丨及第2處 理室實質上相互間具有相同之構造，且前述第1及第2加 熱部相互間亦具有相同之構造；而前述熱處理裝置之溫度 校正方法則包含有： 溫度測定步驟，係於前述第丨處理室之前述領域内的 各選擇位置上，藉各前述第丨加熱器將複數之用於測定溫 度的測定用基板加熱，以求取前述第丨控制器上用以使前 述測定用基板之測定溫度歸結於溫度目標值之第丨溫度設 定值者； 1次側熱處理步驟，係將前述各第i控制器設定於前述 第1溫度設定值，並一面於前述第丨處理室之各前述選擇 位置上’藉各前述第1加熱部將複數之第1基板加熱，一 面於則述第1基板上形成第1薄膜者，其中該第1薄膜則 係於經選擇而使其成長速度可以溫度為函數而變化之選擇 處理壓力及選擇處理氣體條件下形成者； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） -20- A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 2 -人側熱處理步驟，传％ 係於别述第2處理室内與前述選擇 位置對應之各位置，一此 — 曲精則述各第2加熱器將與前述第 土板：質上具有相同尺寸及材質之複數第2基板加熱， :於則述各第2基板上’以前述選擇處理壓力及選擇處 理氣體條件，形成—盘於、+β 一則返第1薄膜之材質相同的第2薄 膜者；及. 校正步驟，係求取前述第2控制器上當前述第i薄膜 二刖述第2薄膜厚度相同時之第2.溫度設定值，依此，當 刖述第2控制态之設定溫度為前述第2溫度設定值時，即 〜疋刖述第2處理室内對應於前述選擇位置之各位置已達 m述酿度目標值’而對前述第2縱形熱處理裝置進行溫度 校正者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公楚） .......................-裝.................·訂..................線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 -