TW473640B - Liquid crystal display thin film transistor array and method of fabricating the same - Google Patents

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47364UI公告本五、發明説明（'） 明 0 本 其 及 列 331 " 體 晶 ιρτ 膜 薄 之 器 示 顯 晶 液 It 種 一 關 有 係 明 嚴發 薄象 之現 器連 示解 顯的 晶線 液流 陣排 矩止 式防 動能 主構 種結 一 此 關 ， 有構 是結 別的 特列 131 ， 陣 法體 方晶 造電 製膜 關 有 及 以 造 製 以 加 下 巨 數 驟 步 造 製 。 知法 習方 加造 增製 不的 在構 能結 且此 明 説 術 枝 關 相 代 取 言 而 類 人 對 下 進 演 速 快 的 會 社 齊 對 I 訊 資 在 今 現 極 陰 線 資 。 種置 各裝 類要 之重 類的 人場 至市 腦¾ 電媒 由多 像展 自擴 來於 因用 已成 器變 示面 顯界 板的 平機 的端 Ϊ)终 管ί 顯資 板型ST 平小像 如及之 望腦較 希電中 有人器 器個示 示型顯 顯記晶 漿筆液 電因 。 及器展 器示發 示顯以 顯晶得 晶液而 液，及 是普 別的 待機 。端 器终 示 訊 類 之 器 示 顯 有所 沒 0 為質 因品 器示 示顯 顯高 晶極 液的 陣比 矩對 式高 β 有 主具 ，幕 器屛 示個 顯整 晶在 液現 陣呈 矩故 式擾 簡串 作機 當影 以投 可 、 僅機 不相 ,照 意訊 注視 人作 引當 會以 。 器可器 示也景 顯器取 晶示的 液顯等 陣的機 矩腦視 式電電 動人板 主痼平 ，型及 以小 、 表到並 齊加制 對場控 有電的 具將場 個而電 兩壓瘇 在電這 夾加受 料施會 材極向 晶電方 液些的 將這子 係在分 ，由晶 中藉液 器並 ， 示間果 顯之結 晶極 。 液電上 於的晶 面液 實 罔 到 得 向 方 轉 偏ΤΝ 的 是 光的 使用 相 列 向 轉 扭 晶 液 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :笨-- 、1TIn _ 使 常 經 料 材 晶 液 I 種 這 為 作 木纸认尺度述川屮阀围家標中.（（'NS ) Λ4規格（2IOX 297公势）

47364U A7 B7 五、發明説明（> ) 最近於正常白光模式下操作的主動式矩陣液晶顯示器 中，是在兩値電極之間未施加電場時藉由傳送光而顯示 為白色而在施加有電場時不傳送光而顯示為黑色。至於 驅動液晶的元件，通常使用的是具有高回應速率及髙顯 示品質的薄膜電晶體（以下稱為T F T )。 以下將參照第1圖及第2圖說明習知主動式矩陣液晶 顯示器配置的大綱。 第1圖顯示的是這種習知主動式矩陣液晶顯示器之TFT 陣列的基本配置。參照第1圖，像將許多閘極排流線（掃 描線）八1，八2，...4)«及許多汲極排流線（信號線）31，32，..· ，Sn依矩陣型式配置於TFT基片上（未圖示）β而將TFTsC 1 1，C 1 2，. · ·，C m η等形成於這些閘極排流線與汲極排流 線的交點上。 第2圖顯示的是第1圖之主動式矩陣液晶顯示器的TFT 陣列中某一像素的等效電路。如第2圖所示，TFT Cm η的 閘極G及汲極D分別是連接到閘極排流線A in及汲極排流線 S η。而作為T F T C π η上第三痼電極的源極S則是連接到 像素電極1 16上。 經方‘却屮次枵準’-?K-T消费合钧社印*'!水 (謫先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述，每一個TFT是由閛極排流線及汲極排流線 所選出的而將影像信號電壓寫到顯示像素内。依這種方 式而顯示出想要的影像。 如普通的主動式矩陣TFT陣列的一種實例，以下將參 照第3 _、第4A-4F圖、及第5A-5F圖說明日本驗證專利 刊物第4-52925號文件中所掲示的一種結構及其製造方 -4 - 本紙张尺度鸿川中國國家標肀.（rNS ) Λ4坭格（2丨ΟΧ297公釐） :^"i.sr屮决標卑局fi-T消ft合竹妇印繁

47364U A7 B7 五、發明説明（4 ) 法。第3圖俗用以顯示這種習知T F T陣列中某一元件的 及其交互連接電極配置的平面圖示。第4A-4F圖及第5A-F圖分1別偽依第3圖中製造步驟的次序沿線段I V - I V及 V - V截取而用以顯示製造區段之過程的截面圖示。 以下將參照第3圖、第4 A - 4 F圖、及第5 A - 5 F画説明這 種習知T F T陣列的製造程序。首先如第4 A圖及第5 A圖所 示，由鉻、鋁、耝或鉬等金屬薄膜構成的閘極排流線1 〇 1 及閘極1 0 2是在像玻璃基Η之類的透明絶緣基Η〗〇 〇上製 作成具預設形狀的圖案。 如第4 Β圖及第5 Β圖所示，形成由像氧化矽膜及氮化矽 膜之類材料構成的絶緣層a (閘形氧化膜）1 Q 3。除此之外 ，於絶緣層a ] 0 3上依這種次序形成由内稟半導體非晶矽 (以下將稱為「a -矽（I)」構成的通路層104及由η -型半 導體非晶矽（以下將稱為「a -矽（η +)」構成的接觸層1 0 5。 如第4C_所示，通路層104及接觸層105是製作成圖案 。之後，藉由於周緣終端部分（未標示）内將鉻、鋁、鉅 或鉬等金屬薄膜表面製作成圖案而去除部分的絶緣層a 1 〇 3，以便裝設外部驅動電路用以將信號加到閘極排流 線1 〇 1及汲極排流線1 〇 Μ將於稍後形成）上。 接下來如第4 D圖所示，藉由使用像錫絪氧化物（I Τ 0 ) 之類的透明導電材料而將像素電極1 1 〇製作成具預設形 狀的圖案。 、 除此之外如第4 Ε圖及第5 Ε圖所示，依與閘極排流線1 0 1 及閘電極102相同的方式使用鉻、鋁、鉅或鉬等金屬薄膜 -5 - 本紙張尺度適川中阄:標气* ( rNS ) Λ4現格（210Χ297公釐） (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "衣 訂

47364U A7 B7 五、發明説明（々） 而將汲極排流線106、汲極107、及源極108製作成具預 設形狀的圖案。於這種製作圖案的程序中，形成源極1 0 8 以便與像素電極1 1 〇達成電氣連接。為了使汲極1 Q 7與源 極108隔離開而將通路層104上接觸層105的不需要部分蝕 刻掉。 之後，如第4 F圖及第5 F圖所示，形成由像氮化矽膜之類 材料構成的絶緣層b(絶緣内層）109。藉由於周緣终端部 分（未圖示）内將鉻、鋁、鉅或鉬等金屬金屬薄膜表面製 作成圖案而去除部分的絶緣層bl09，以便裝設外部驅動 電路用以將信號加到閘極排流線1 0 1及汲極排流線1 0 6。 依這種方式而完成一種T F T陣列基Η。於這種T F T陣列基 Η中，閛極排流線1 〇 1及汲極排流線1 0 6是藉由絶緣層a 1 〇 3而呈互為絶緣。 經米‘部中次榡涔局兵T,消費合竹.^印纪 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依上述方法得到的習知T F T陣列基Η ,汲極排流線1 0 6 與像素電極110是形成於同一層上。所以為了防止短路 故不能將汲極排流線106與像素電極110形成於互相接近 處。因而能增加孔痙比（傳送光的面積對液晶顯示器之 顯示面積的比值）。除此之外，將汲極排流線106或像素 電極110的圖案製作與汲極排流線106和像素電極110短 路時便會形成金屬外來物質或是圖案殘留物。這會造成 點缺陷。 雖然未顯示於上述的習知製程，為了達'成防止汲極排 流線106解連的方法可以在形成像素電極110時藉由使用 -6 - 本紙张尺度述川中國國家標肀（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公漦） 經湞部中"桴準局Μ-τ·消於合竹社印5!

47364U A7 B7 五、發明説明（Γ ) 與像素電極U 0相同的材料而於汲極排流線1 Π 6底下形 成一種透明的導電膜。這種雙層的汲極排流線也是在某

I 一習知製程中所熟知的。不過即使是在習知製程中，汲 極排流線1 〇 6和像素電極1 1 0也是形成於同一層上。因此 ，無法增加其孔徑比而迅速形成了點缺陷。 日本未驗證專利刊物第6 - 1 3 0 4 1 6號文件中掲示了用以 解決參照第3圔、第4A-4F圖、及第5A-5F圖而解釋如上 之習用製程所遭遇問題的一種習知主動式矩陣液晶顯示 器結構實例。於日本未驗證專利刊物第6 - 1 3 Q 4 1 6號文件 中所掲示的結構中，分開形成一値儲存電容式電極。不 過，稍後將會說明的本發明中這種儲存電容式電極是形 成於閘極排流線1 〇 1上。所以為了說明上的一致性，會將 日本未驗證專利刊物第6 - 1 3 D 4 1 6號文件中所掲示的結構 稍作改變而解釋如下。以下將參照第6圔、第7A-7F圖、 及第8A-8F圖説明這種習用結構及其製造方法。第6圔 偽用以顯示這種習知TFT陣列中某一組件的電極配置及 其交互連接的平面圖示。第7A-7F圖、及第8A-8F圔分別 偽依第6圖中製造步驟的次序沿線段V I I - V I I及V I I I -VIII截取而用以顯示製造區段之程序的截面圖示。 第6 _、第7A-7F圖、及第8A-8F圖所顯示的習知TFT 陣列可依參照第3 _、第4A-4F圔、及第5A-5F圖而解釋 如上的相同程序製造，直到於周緣終端部~分（未圖示）内 將鉻、鋁、鲍或钼等金屬薄膜表面製作成圖案而去除部 分的絶緣層al03步驟，以便裝設外部驅動電路用以將信 -7- 本紙张尺度適用中國國家標伞（CNS > Λ4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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T F 导 極彳 電這 素、 像MO 中區 片的 JSS 另上 131 陣 6 本紙张尺度適州中國國家標卒（（’NS ) Λ4说格（210X297公笫） 47364ϋ 經硪部中决標卑局β-τ·消玢合竹社印髮 Α7 Β7五、發明説明（？） 這種TFT陣列基片是比第一習知製程中的TFT陣列基Η優 良。也就是説，可以增加孔徑比而因為汲極排流線1 0 6 I 可以藉由絶緣層bl09與像素電極110絶緣而能免除因汲 極排流線1Q6和像素電極no的短路所造成之點缺陷的形 成。 不幸的是，如第6画、第7A-7F圖、及第8A-8F圖所示 的習知製程中汲極排流線106會有因其單-層結構而很容 易發生解連的問題。更明確地說，在閘極排流線1 Q 1與 汲極排流線1 0 6交點上的汲極排流線1 0 6具有的是單-層 結構。齿此，蝕刻此汲極排流線1 Q 6時會從步階部分滲 透出像硝酸铈銨之類的溶液並蝕刻此金屬圖案，或是汲 極排流線106會在步階部分發生破裂。這會造成對液晶 顯示器而言屬致命缺陷的線缺陷。 日本未驗證專利刊物第1-105575號文件中所掲示的 TFT陣列結構是用於對付第6圖、第7A-7F圖、及第8A-8F圖而解釋如上的汲極線缺陷問題的一種反向對應措施 。如普通的主動式矩陣TFT陣列結構的另一種實例，以 下將參照第9圖、第10A-10G画、及第11A-11G圖說明日 本未驗證專利刊物第1-1Q5575號文件中所掲示的一種結 構及其製造方法。第9圖偽用以顯示這種習知TFT陣列 中某一元件的電極配置及其交互連接的平面圖。第10A -1 0 G圖及第1】A - U G圖分別係依第9圖中製造步驟的次 序沿線段IX-IX及X-X截取而用以顯示製造區段之程序的 截面圖示。 ---In I . . 1 ----- i X ' Ή"-- - I— - . - . \~~» 1-. - -i - -- I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺廋適用中國囤家標率（rNS ) Λ4規格（2l〇X297公笫）

47364U A7 B7 五、發明説明（方）

以下將參照第9圖、第10A-10G_、及第11A-11G圖說 明這種習知TFT陣列的製造程序。首先如第10A圖及第11A t 圖所示，由鈦金屬層構成的閘極排流線1 0 1及閘極1 0 2是 形成於像玻璃基Η之類的透明絶緣基K 1 〇 〇上。 如第1 Ο Β圖及第1 1 Β圖所示，形成由像氮化矽膜之類材 料構成的絶緣層a (閘形氧化膜）1 0 3。 除此之外如第10C圖及第11C_所示，於絶緣層al〇3上 藉由化學氣相澱積法（P - C V D )形成由内稟半導體非晶矽 (以下將稱為「a -矽（I )」構成的通路層1 Q 4、作為保護 膜的氧化矽膜（未標示）、以及接觸層（未標示）。結果， 形成了用以形成自動對齊電晶體的阻抗圔案並以此為覆 罩蝕刻通路層1 Μ及氧化矽膜。 之後如第101)圖及第111)圖所示，形成由a -矽（n+)構成 的接觸層1G5，及用以形成汲極和源極而像金屬膜的鈦和 鋁層。形成用以形成汲極107和源極108而具有圖案的阻 抗膜並以此為覆罩蝕刻鋁層、鈦層、及接觸層105。 接下來如第10E圖及第11E圖所示，去除此阻抗膜而形 成扮演箸絶緣内層bl09的聚亞醯胺層。具有圔案的阻抗 膜會暴露出接觸孔bll4以形成汲極107和源極108»氣體-電漿蝕刻程序是藉箸以這種阻抗膜為覆罩將絶緣内層b 1 〇 9製作成圖案而執行的。 如第1QF圖及第11F圖所示，形成像透明'導電膜的錫洇 氣化層。藉由發射法（lift-off)去除這種錫洇氧化物層 中不需要的部分以形成以橋接像素電極110及汲極107的 -1 0 - 本紙張尺度滴用中國國家標肀（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） --^------Aw I. 策------訂-----Awl (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

47364U A7 B7 五、發明説明（9 成 形 層 鋁 及 層 鉻 將 示 所 圖 G 1L 1—^ 第 及 。圖 2 G 1 11 11 層第 物如 化’ 氣後 絪之 錫 案 圖 成 作 製 11層 層屬 物金 化些 ，氧這 絪將 錫並 於 ， 極 汲 成 形 以 層 屬 金 為 成 上 果 結 除 由 S *" 線 流 hF 極 Λ;六乂 排間 ] ο 的 1 外線 之流 分排 部極 點鬧 交與 ] 6 間 ο U線 10流 線排 流極 排汲 極由 閘藉 與並 G Π ， 11 CO 線10 層 物 化 氧 翻 。 錫線 及流 G hF ο 衫 I極 汲 的 層 線 流 HF 0 極 汲雙 的成 形 域 區 個 整 於 而 必 會 序這 程而 作 ，-製06 1-—*· 案 圖 和 成 形 的 膜 屬10 金極 ，汲 中成 程形 製便 知以 習次 於兩 過行 不執 須 線 流 排 極 汲 和 線此 流因 排。 極接 汲連 ，氣 時電 同成 。達 雜而 複14 更bl 得孔 變觸 程接 製過 使透 是線 L07流 ~ hF 0 極 汲 若 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .取. 極 汲 和 化 變 的 序 程 作 製 因 會 阻 電 接 連 的 面 界 間 之 7 ο 1» 極 汲 和 CL Tr 則缺 ， 的 加類 増之 而陷 一了 /#1 進 的 常 正 行 進 能 再 不 極 電 素 像 與 於 由 外 此 缺 一 點同 像於 加成 増形 會是 這10 仍 題 問 的 陷 缺 點 生 發 易 容 且 比 徑 孔 加 増 法 無 以 〇 所決 。解 上未 層然 第 / 圖 3 第 於 示 顯 第 及 N 圔 證 驗 本 曰 的 圓 ,ιτ 的 示 掲 所 11 中：1 件.極 文電 號素 25像 29與 5 6 _ ο 4. 第線 物流 刊排 利楝 專汲 -I 種 同 於 成 形 是 ，不 中a 構 ， 結上 FT層 外 10之 線此 流除 排 。 極比 汲徑 讓孔 能加 增 法 無 而 因 處 ο 1L I 極 B ^ΙΙΓ 素 像 近 接 於 位 極 電 素 像 6 ο 11 線 流 排 極 汲 將 物 留 殘 1 案 線画 流是 排或 極質 汲物 與來 成外 作鼷 製金 案成 圖形 的會 極 電 素 像 和 便陷 時缺 路點 短成 10造 丨會 這 本紙张尺度沩用中國國家標肀（（'NS ) Λ4規格（2丨ΟΧ297公釐） 經消部屮"標準局货J-消贤合竹社印繁

47364U A7 B7 五、發明説明（i。） 為了解決日本驗證專利刊物4 - 5 2 9 2 5號文件中所遭遇 的這些問題，顯示於第6圖、第7 A - 7 F圖、及第8 A - 8 F圖 的Η本^驗證專利刊物第6 - 1 3 0 4 1 6號文件中所掲示的一 種T F Τ結構包含具有單-層結構的汲極排流線1 0 6。因此， 在蝕刻汲極排流線1 Q 6與閘極排流線1 〇 1之間交點上的汲 極排流線1 Π fi時，會從步階部分滲透出像硝酸鈽銨之類 的溶液並蝕刻此例如鉻質的金屬圖案，或是汲極排流線 1 0 G會在步階部分發生破裂。這會造成對液晶顯示器而 言屬致命缺陷的線缺陷。 為了解決上述兩個習用結構的問題，顯示於第9圖、 第i n A - 1 n G圖、及第1 1 A - 1 1 G圖的日本未驗證專利刊物第 1 - 1 G 5 5 7 5號文件所掲示的一種T F T結構中，金屬膜的形 成和圖案製作程序必須執行兩次以便形成汲極1 〇 7和汲極 排流線i G G ,而這會使製程變得更複雜。同時，汲極排流 線1 〇 6和汲極1 0 7是透過接觸孔b 1 1 4而達成電氣連接。因 此，若汲極排流線1 〇 6和汲極1 0 7之間界面的連接電阻會 因製作程序的變化而増加，刖T F T不再能進行正常的操 作。這會増加像點缺陷之類的缺陷。此外，日本驗證專 利刊物第4 - 5 2 9 2 5號文件所示由於源極排流線1 0 6與像素 電極1 1 〇是形成於同一層上，故無法増加孔徑tb &容易 發生點缺陷的問題仍然未解決。 [明H 、 本發明是在考量上述問題下提出的，且有一個基本目 的是提供一種液晶顯示器之薄膜電晶體陣列，此陣列會 -1 2 - 本紙張尺度进用中阈國家標肀（CNS ) Λ4说格（2IOX 297公梦） (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂

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47364U A7 B7 五、發明説明（ 0W a on. ， 與連 線解 流所 排階 極步 汲 一 使某 下為 目線 數流 驟排 步極 之汲 案的 圖 上 作點 製交 加間 増之 不線 在流 除排 免極 。供 陷提 缺而 線念 的概 陷論 1LV Ht 缺理 命 一 致第 屬明 言發 而本 器據 示根 顯 ， 晶的 液目 對述 生上 庠成 致達 不 了 而為 因 透排 於極 置閘 配與 多成 許置 含配 包多 列許 il 、 體線 晶流 電排 膜極 薄閘 之行 器平 示的 顯上 晶 ：c 液基 種緣 一 絶 的明 極薄 汲的 的點 緣交 絶線 線流 流排 排極 極汲 閘與 與線 而流 膜排 緣極 絶闊 一 近 第接 由於 0 置 R配 盲 、 垂線 線流 流排 圍晶 所電 線膜 流薄 排此 極 ， 汲極 和電 線素 流像 排的 極成 閘構 為膜 於電 置導 1C ffn 5 ¢. 値透 一 由 、 且 體内 晶域 電區 膜繞 連流膜 氣排緣 電極絶 有汲 一 線與第 流及由 排以經 極 、， 閘層極 與路汲 且通的 上 、成 H膜形 基緣而 緣絶層 絶一觸 明第接 透由的 於經接 成、連 形極氣 括閘電 包的有 體接線 成汲 形及 而極 層汲 觸與 接而 的膜 接緣 連絶 氣二 電第 有由 極藉 電偽 素極 像電 與素 及像 以此 、且 層 ， 路極 通源 、 的 氣方 8 勺 ipcr 成上 形線 線流 流排 排極 極汲 汲在 與疊 要堆 將膜 中緣 其絶 ,二 離第 隔伖 氣是 電孔 呈觭 線接 流的 排接 極連 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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47364U 經消部中夾標準局Μ工消竹社印4.44 A7 B7五、發明説明（) 同時，上逑液晶顯示器之薄膜電晶體陣列中可將接觸 孔形成於第二絶緣膜上落在包含閘極排流線和汲極排流 線交點的區域内而對應到閘極排流線兩側的兩個位置之 一。這榫配置中，可使液晶顯示器孔徑比的減小逹最小。 此外，可將接觸孔形成於跨過閘極排流線的第二絶緣 膜内而落在包含閘極排流線和汲極排流線交點的區域内 。這種配置中，能減小交互連接冗餘膜的面積並確保與 像素電極有足夠的距離。绻果，可以免除因像素電極與 交互連接冗餘膜之間的短路所造成的亮點缺陷。除此之 外，因為只需要與汲極排流線形成一次接觸而可以降低 冗餘部分的電阻。 根據本發明第一觀點而提供的一種液晶顯示器之薄膜 電晶體陣列的製造方法，其含有於透明絶緣基Η上將閘 極排流線和閘極製作成圖案的步驟，依序形成第一絶緣 膜、由内稟半導體非晶矽構成的通路層、由η-型半導體 非晶矽構成的接觸層，並將通路層及接觸層製作島狀的 圖案，於第一絶線膜内形成用以使閘極排流線及稍後將 形成的第二金屬膜達成電氣連接的穿孔並形成汲極排流 線、汲極、及源極，形成用以使閘極排流線及汲極與稍 後將形成之像素電極呈電氣隔離的第二絶緣膜，且形成 使源極與像素電極於第二絶緣膜内逹成電氣連接的接觸 孔並藉由使用透明導電膜而形成像素電極匕包括在形成 用以使源極與像素電極達成電氣連接之接觸孔的步驟中 於汲極排流線上第二絶線膜内閘極排流線與汲極排流線 -1 4 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -----II ,Λ 伞 本紙张尺度適;Π中國國家標卒（rNS > Λ4規格（210Χ 297公笫）

47364U A7 B7 五、發明説明（0 ) 孔二 觸第 接於 成成 形形 内中 域驟 區步 的的 間極 其電 置素 配像 錯成 交形 膜在 緣蓋 絶覆 一 以 第用 有成 而形 交及 互 ， 連 互 交. 成 形 便 驟 步 C 的 膜新 電何 導任 明加 透増 的要 孔需 觸不 接 ， 之中 .内法 膜方 緣此 絶

雜 知複 習更 與得 持變 維程 能製 時使 案會 圖不 作故 製 ， ，驟 以步 所的 0 目 孔數 觸同 接相 及中 膜程 餘製 冗TS 接TF 所 及 明 說 細 詳 的 下 以 照 參 在 lie 而 C 人 本的 成術 造技 製用 加習 増悉 致熟 不對 而 合的 結目 並他 例其 施多 實 很 佳及 較述 了上 示的 顯明 例發 實本 用白 示明 展 會 過 ，ο 透後點 中理優 其原及 ，的 、 示明質 圖發性 附本 、 述圖 簡 1 式第 圖 薄 之 器 示 顯 晶 液 陣 矩 式 ^^ 主 知 習 0 解 以 效 等 的 素 像 1 某 P 中 示列 圖陣 的體 造晶 構電 路膜 電薄 本圖 基 1 的第 列偽 陣 、 體圖 晶 2 電第 糢 晶圔 電面 膜平 薄的 之置 器配 示之 顯接 晶連 液互 陣交 矩其 式及 動極 主電 知之 習件 示元 顯一 、某 。圖中 圖 3 列 路第陣 電 體 沿 沿 中 中 圖 〇 圖 3 1/Γ3 第圖第 於段於 .驟區驟 步的步 造序造 製程製 依造依 偽製係 、示 、 圖顯圖 4 以 5 。第而第 示 截 取 所 段 線 截 取 所 段 線 (¾先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·— ,衣--- *-11. 第 物 刊 。利 示專 圖證 段驗 區未 的本 序 CC 程示 造顯 製 、 示圖 顯 G 以第 面 件 文 號 本紙張尺度逍用中國國家榡肀（（'NS ) Λ4坭格（2丨0X297公釐）

47364U A7 B7 五、發明説明（。 列 jB一 轉 0 體示 晶 圖 電而 膜平 薄的 之置 器配 示之 顯接 晶連 液互 陣交 矩其 式及 動極 主電 知之 習件 示組 掲一 所某 中中 沿 沿 中 中 圖 。圖 G 示 6 第圖第 於段於 驟區驟 步的步 造序造 製程製 依造依 偽製偽 /示 、 ，圖顯圖 7 以 8 第而第 截 取 所 段 線 所 段 線 第 。物 示刊 圖利 段專 區證 的驗 序未 程本 造日 製示 示顯 顯 、 以圖 而 9 截第 取 件 文 號 列 0 體示 晶 圖 電面 膜平 薄的 之置 器配 示之 顯接 晶連 液互 陣交 矩其 式及 動極 主電 知之 習件 示組 掲一 所某 中中 第 。第 於示於 驟圖驟 步段步 造區造 製的製 依序依 偽程偽 、造 、 圖製圖 ο 1 1 示 1 第顯第 以 面 截 取 所 段 線 X I X 沿 中 圖 沿 中 圖 截 取 所 段 線 薄的 器置 示配 顯之 晶接 液連 之互 例交 施其 實及 0 一 極 示第電 圖明之 段發件 區本組 的據一 序根某 程示中 造顯列 製、陣 示圖髏 顯 1 晶 以第電 而 膜 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經滅部屮次榡準局兵.T消炝合竹社印製 沿 沿 中 。中 圖示圖 12圖12 第段第 於區於 驟的驟 步序步 造程造 製造製 依製依 傜示俗 0 、顯 、 示圖以圖 圖13而14 而第截第 平 取 所 段 線 取 所 段 線 薄的 器置 示配 顯之 晶接 液連 之>一 例交 施其 C 實及 示二極 圖第電 段明之 區發件 的本組 序據一 程根某 造示中 製顯列 示、陣 顯圖體 以15晶 而第電 截 膜 沿 中 圖 5 11 第 於 驟 步 造 製 依 係 ο / 示圖 圖lfi 而第 平 取 所 段 線 \裝------訂----~" 本紙張尺度通用中國囤家標肀.（CNS ) Λ4说格（2丨0'〆297公釐） 47364ο Α7 Β7 五、發明説明（ιΟ 截面以顯示製造程序的區段圖示。 第1 7圖、俗依製造步驟於第1 5圖中沿X V I I - X V I I線段所 取截而1以顯示製造程序的區段圖示。 發明的詳細說明 以下將參照所附圖示說明本發明的幾値較佳實施例。 窨敝例的說明 首先，以下將參照第12圖、第13A-13F圖、及第14A-14 F_說明根據本發明第一實施例的主動式矩陣液晶顯示器 之T F T陣列。第1 2圖偽顯示根據本發明第一實施例之液晶 顯示器薄膜電晶體陣列中某一元件之電極及其交互連接 之配置的平面圖示。第1 3 A - 1 3 F圖及第1 4 A - 1 4 F圖分別傜 依製造步驟於第1. 2圖中沿X I I I - X I I I及v I X - V I X線段所取 截而以顯示製造程序的區段圖示。 以下將参照第12_、第13A-13F圔、及第14A-14F圖說 明根據本發明的T F T陣列製造過程程序。如第1 3 A及第1 4 A _所示，藉由噴濺法於像玻璃基片之類的透明絶緣基片 上形成厚度為】ί)0- 3 00ηιη的鉻、鋁、鉅或鉬等金屬薄 @。之後，形成具有圖案而用以形成閘極排流線1 0 1和閛 & 1 〇 2的阻抗膜。以此阻抗膜為覆罩蝕刻鉻、鋁、鉋或鉬 成的金屬薄膜並形成閘極排流線1 〇 i和汲極排流線 1 02〇 去除I5目抗膜之後如第1. 3 B及第1 4 B圖所示、以烷為主要 成份賴由液漿C V Π澱積厚度為2 Q 0 - 6 0 0 η B而扮演著絶緣膜 (間形氣化膜）丨〇 3角色的氮化矽膜。除此之外，以烷及氨 -1 7 - 本紙张尺度述用中國围家榡肀（（，NS ) Λ4規格（2丨〇χ 297公势) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 、-° 473640 A7 B7 五、發明説明（4 ) 為 度 厚 積 澱 法 Π V C 0 E Β?ΠΓ 由 份 成 要 中- 為 氣 寅 'VI 扮 而 由 ο 丢 1 禹 層—份 路成 通要 箸主 的 色 角 液 為 化 磷 及 烷 以 時 同 ο 膜 為 度 厚 積 澱 法 0 ^ttj 接 著 演 扮 層的 路接 通連 使氣 以電 用成 而達 色} 成 角ί 5 汗 10後 層稍 極 汲 ΰ.、 β 矽 膜 極1C 源第 和如 於 將 層 、 觸狀 解形 接.^ 、 的 及 L 4 設 10預 層成 路形 通而 成刻 形蝕 以行 用進 而罩 案覆 圖為 有此 具以 成並 形膜 示抗 所阻 圖的 杭分 m部 此端 了 終 除緣 去周 於 便薄 以屬 膜金 抗等 姐鉬 的或 案鉅 圖 、 有鋁 具 、 層鉻 一 將 另内 成> 形 示 標 未 線 流 排 10極 層汲 緣？ 絶10 的線 分流 部排 掉極 刻閘 蝕到 而加 案號 圖信 成將 作以 製用 而設 表裝 膜便 驟 步 以 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 路 電 驅 部 外 的 成 形 並 狀 形 的 設 預 成 成刻 形鈾 後03 稍層 於 f緣 U絶 將} 罩示 覆標 為未 膜ί 抗 阻 此 以 孔 穿 個 m 用 on而 30案 0-_ 1 有 為具 度成 厚形 成 ， 形後 法之 殿 。 噴膜 由薄 0 屬 ，金 後等 之飽 膜或 抗鈕 阻 、 除鋁 去 、 鉻 以 而 刻 蝕 行 進 罩 8 覆10 為極 膜源 抗和 阻 、 此07 以I 並 膜 抗6、 阻10 的線 狀流 形排 設楝 預汲 成成 形形 極 汲 經洎部屮决標準局I3CJ-消於合竹社印製 第 如 後 之 膜 杭 m 除10 去極 源 層 路 通 從 而 罩 覆 為 第 及 汲 5 以10: , 層 示觸 所接 圖掉 4D刻 I蝕 極 要 需 不 於 一 勺 將 m /VSJί V tFN 10。素 極分像 汲部自 在個0Π 成的双 ft,L分邊；; 5 0 1008--汲. 層10將 觸極以 接源用 將在成 便落形 以及來 ，分下 分部接 部個 而後 份之 成 。 要膜 主矽 為化 氣氮 氨的 及nm 烷00 以T ο ， ο 9 1 10為 層度 緣厚 絶成 的形 開法 丨 D 隔 V ) C 成漿 形液 後由 稍藉 木紙张尺度试州中國囤家標埤（ΓΝ5 ) Λ4说格（2丨0><297公釐）

47364U A7 B7 五、發明説明（ 第 及 設素 預像 成與 形08 以I 用 而 案 画 有 具11 成孔 形觸 ，接 示成 所形 圖即 E 4 亦 丨莫 OHM 抗 m 3 J 1 的 第狀 如形 極 源 使 便 以 素 11像 極與 電料 達 極 電

1 膜 孔餘 觸冗 接接 成連 形互 並交 ，之 接同 連相 M110 B 其圖 F 由 4 使1 便 以 第 材 與 蝕 一了 y/Ί 執 後 之 膜 抗 阻 成 形 在 0 接 連 氣 S 成 達 C ο ~ 線 流 。 排序 極程 汲刻 抗 阻 的 狀 形 設 預 IT成 像形 成以 形用 法而 濺案 噴圖 由有 藉具 後成 之形 膜 。 抗膜 阻料 除材 去電 導 明 透 的 類 之 第而 及11 F 1 13膜 第餘 如冗 ，接 果連 結互 。 交 刻及 蝕10 一了 ί 進 罩 覆 為 膜 抗 阻 此 以 並FI成 膜14完 極 電 素 像 0 了 Η 成基 形列 示陣 所rFT 圔 Γ 第 述 上 據 根11 示膜 所餘 圖冗 12接 第連 如互 交 中 Η 基 列 .131 導 Τ F Τ 的 例 施 實 線 流 排 極 閘 上 9 ο 1X 層 緣 絶 於 成 形 是 。成 處形 連過 解透 速是 迅11 會11 6 膜 10餘 線冗 流接 4nu 極互 汲交 而與 交06 相1 6 線 10流 線排 流極 排汲 極 ， 汲時 及同 線 流 排 極 汲 的 10上 線點 流交 排 ， 極果 閘結 到 0 應接 對連 氣 。 電構 成結 達層 而-4ίί雙 11有 孔具 蜀 6 解 ο 接I 的 分 部 側 兩 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 策 n 訂 In 經·T/P,部中次榡枣局I3C.T.消於合竹.社印黧 餘 11冗 孔接 觸連 接互 交 是 膜

膜 餘 冗 接 連 互 交雙 於的 成11 形I 成 形 便 以10 側線 兩流 11排 1極 汲 而 構 結 層 是 線向約 流方大 排度成 極寬形 汲的側 與06内 便,1的 以 面 流形!：點 方W端 極 6 的Ξ D 大汲1 更«畠 罾過流 是 不排 或 ffl 。極 A觸汲 接在 的會 靠14 可L 成 形 便 以 11小 孔大 觸的f; 蝕 到 受 時 9 ο li 層 緣 絶 之 上 其 蓋 覆 刻 蝕 在 致 不 3 ο IX 層 緣 絶。 使刻 本紙张尺度滴州屮國S家標肀（（'NS ) Λ4说格（2IOX 297公釐） ^ i OU L1V五、發明説明（吋 Α7 Β7 交互連接冗餘膜1 1 1具有ffi夠的尺寸以便完全覆蓋閘極 排流線1 η 1與汲極排流線1 (] G的交點以及形成於閘極排流 孔 觸 接 的 側 '兩 Λ— 1— 線 連 互 交 及 4 -:*-'* 孔 觸 接 成 形 於 常 通 是 度 確 準11 的膜 案餘 圖冗 作接 製連 知互 已交 時 及 1 4 1 11 U 11 膜.孔 餘觸 冗接 接而 小 更 是 或 £ 是 約 大 度 確 準 蓋 覆 的 1λ 膜 餘 冗 接 連 互 交 許 允 了 為 中 例 施 實 一 第 於 以 所 住 蓋 覆 能 也 時 象 現 準 失 生 發 而 度 確 準 述 上 因 於 使 即 互端 交的 4 使 1 11 定 設 是 寸尺與 的於 1Α 11成 膜形 餘是 冗分 接部 連點 互端 交的 11 故 1 1 4’ i 4 ΒΠ 11餘 孔冗 觸接 接連 孔 觸 接 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΠΗ» 传 3-施 開實 隔一 分第 部於 ¾ ten1' Λί 處 膜 餘 冗 接 連 互 交 成 形 述 所 上 如 中 硝 像 出 透 滲 分 部 階 步 從 會 案 _ 屬 金 的 質 鉻 如 例 ,比 時!! β 匆 10独 線並 流液 排溶 極的 汲類 刻之 蝕銨 在鋪 ο¾ 是 或 裂 破 生 發 分 部 階 步 在 會 膜 餘 冗 接 連 互 交 的 構 結 用 備 有 具 10為 線因 流 ， 排時 極象 汲現 種形 這是 生11 發I 使 即 内 分 ， 1 部外線 階之流 步此排 於除極 成 ·間 交 因餘 除冗 免接 能連 故互 線 流 排 極 汲 舆

。於？ PS成if 線堇。 W構i 罾用六乂 m備吣 aM 間 解m之 1 6 ~- ο 線膜I λ 經湞部中决標莩局MJ-消於合竹社印5ί. 造 製Ιο 以11 是膜 ο ， 小中冗 最例接 達施連 小實互 減一交 的第成 比於形 徑 而 極 f- 素 像 時 同 於

il、 驟5 步10 同線 相流 的排 10極 •^L BE 接接 10連， 膜互此 緣交因 絶與 。 10G構 第^結 有C.層 OK .¾ _ 交#雙-互®llt 6 汲成 In使形 線由而 流藉接 排内連 栎分氣 汲部電 配 錯 1父 的成成 間達形 其11是 置I丨

47364U A7 B7五、發明説明（19 ) 於絶緣層1 〇 9的柑同步階部分内，如同形成接觸孔U 3而 於絶緣屑1 〇 9内用以使源極1 η 8與像素電極1 1 0達成電氣連 I 接。結果、製作圖案時能維持與習知T F T s製程中相同數 目的步驟，故不致使製程變得更複雜。 接下來將參照第h圖、第1 (1 A - 1 G F圖、及第1 7 A - 1 7 F圖 說明根據本發明第二實施例的主動式矩陣液晶顯示器之 T F T陣列。第1 5圖傜顯示根據本發明第二實施例之液晶 顯示器薄膜電晶體陣列中某一組件之電極及其交互連接 之配置的平面示。第1 6 A - 1 (i F圖及第1 7 A - 1 7 F圖分別傷依 製造步驟於第1 5圖中沿X V I - X V E及X V I I - X V I I線段所取截 面以顯示製造程序的區段圖示。 注意如第 1 5圖、第1 G A - 1 6 F圖、及第1 7 A - 1 7 F圖説明根 據本發明的T F T陣列製造步驟是與第1 2圖、第1 3 A - ί 3 F圔 、及第1 4 A - 1 4 F圖中所顯示第一實施例的製造步驟相同， 所以將會省略相同的詳細説明。如第1 7 E圖所示，與第 一實施例的差異是藉由從閘極排流線1 01和汲極排流線 1 η 0之間交點上汲栩排流線1 0 6會迅速解連處蝕刻掉絶緣 層1 0 9以形成接觸孔U 4而用以使由其組成與像素電極 】1 〇相同的交互連接冗餘膜]1】（第1 7 F圖）與汲極排流線 1 0 G達成電氣連接。 如第1 5及第1 7 F圖所示，交互連接冗餘膜1 1 1是形成於 汲極排流線〗〇 上而在接觸孔]1 4露出。這^吏汲極排流線 1 f) fi在閘極排流線1 (1 1和汲極排流線1 0 6之間交點上呈現 雙-層結構。 -2 1 - - ---I I * -1— ί· I (. '*^^1 - 1 I - I I- n^i 一 ^ I I) 1^1 In (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙张尺度過州t國K家標肀（（’NS ) Λ4说格（210X297公釐） 473640 A7 B7 五、發明説明（〆） 在汲極排流線10G的寬度方向，接觸孔U4偽用以形成 交互連接冗餘膜1 1 1的雙-層結構而汲極排流線1 0 6的形成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ! 是在汲極排流線1 〇 6端點面的内側形成大約1 /i la的大小以 便使絶緣層103不致在蝕刻覆蓋其上之絶緣層1Q9時受到 蝕刻。同時，交互連接冗餘膜1 U是藉由在閘極排流線 1 〇 1和汲極排流線1 〇 6之間交點上閘極排流線1 0 1的端點 而外側製作4 - 5 # m的圖案而形成的。 交互連接冗餘膜η 1具有足夠的尺寸以便完全覆蓋閘 極排流線1 0 1與汲極排流線1 0 6的交點以及接觸孔1 1 4。 通常於形成接觸孔1 1 4及交互連接冗餘膜1 1 1時已知製作 圖案的準確度是1 Α Π1或是更小，而接觸孔1 1 4及交互連接 冗餘]Π的覆蓋準確度大約是1 a m。所以於第二實施例中 ，為了允許交互連接冗餘膜111即使於因上述準確度而發 生失準現象時也能覆蓋住接觸孔1 1 4 ,故交互連接冗餘膜 111的尺寸是設定成使交互連接冗餘膜111的端點部分是 形成於與接觸孔1 1 4的端點部分隔開3 - 4 # m處。 於第二實施例中，如上所述形成交互連接冗餘膜111 。在蝕刻汲極排流線10 6_時^會從步階部分滲透出像硝酸 姉銨之類的溶液並蝕刻此例如鉻質的金屬圔釋，或是汲 極排流線106會在步階部分發生破裂。即使發生這種現象 時，因為具有備用結構的交互連接冗餘膜111是形成於步 階部分内故能免除因線的解逋所诰成的線缺陷。 與第一實施例比較，此交互連接冗餘膜111是以製造像 素電極1 1 0的相同步驟而形成的。同時，此雙-層結構是於 -2 2 - 本纸张尺度询州中國國家標呤（（'NS ) Λ4坭格（210X 297公f )

47364U A7 B7 五、發明説明（Μ 線 流 排 極 汲 與 使 由 0 内 分 部 的 10間 線其 流置 排配 極錯 鬧交 3 ο 1Χ 膜 緣 絶 一 ^ ΓΙ ® 1 有線 且流 交排 互極 6 ο 汲 接 連 互 交 與 形 而 接 連 氣 電 成 達 層 .緣 絶 於 成 形 中 驟 11步 膜同 餘相 冗在 的内 成09 是 1 4 1 1 孔 孔觸 觸接 接同 ， 成 此形 因如 層果驟 緣結步 絶。的 於接目 而連數 極 源 使 以 用 内 9 維變 能程 時製 案使 圖致 作不 製故 同 相 中 程 製 S T πκι 15 切玲 τ ο 素知雜 像習複 與與更 08持得 極 氣 8 成 達 ο 不範 並利 明專 發請 本申 ，附 過所 不明 ，發 例本 施離 實偏 個不 兩在 的能 明巨 發例 本施 了 實 明些 説這 上於 以限 局 屬極 金汲 他 、 其線 用流 使排 由極 藉汲 夠 、 能極 BE » 如 、 例線 。流 正排 修極 種閘 各成 作形 下而 構膜 架成 之組 園或 各 用 使 由 藉 並 類 之 膜 。 餘層 冗緣 接絶 連諸 互成 交形 , 而 件膜 組成 素組 像或 、膜 極緣 源絶 cBj— 、 種 3 2 本紙张尺度通扣中阄围家標.中（（'NS ) Λ4規格（210Χ 297公f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

47364U A7 B7 五、發明説明（》 明 説 號 符 考 參 層 線 線 物 流 流極化 排 層層層排 電膜氧孔 Η 極極緣路觸楝極極素餘絪觸 基閘閘絶通接汲汲源像冗錫接 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 策------訂 經消部中决標卑局只工消於合竹社印製 本紙张尺度i<j州中國囤家榡肀（rNS ) Λ4現格（210Χ 297公犛）

Claims (1)

1. 47364U 本告 公 8 8 8 8 ABCD 圍 一利 一專 一ft 中 :線 括流 包排 中極 其閘 1了 ， Ai 列平 陣的 體上 晶片 電基 膜緣 薄絶 之明 器透 示於 顯置 晶配 液多 f 1 二. 種許 膜該 緣近 絶接 一 於 第置 由配 0 , 且線 直流 垂排 線極 流汲 排的 極緣 閘絶 該線 與流 於排 置極 配閘 多該 許與 而 以 體 晶 電 膜 薄 的 處 點 交 線 流 排 極 汲 該 與 線 流 排 極 閘及 繞 圍 所 線 流 排 ； 極棰 汲電 該素 和像 線的 流成 申 寒 額檟 極模 閘電 該導 為明 於透 置由 配且 傾内 一 域 區 該 、 與膜 且緣 上絶 Η 一 基第 緣該 絶由 明經 透 、 該極 於閘 成的 形接 括連 包氣 體電 晶有 電線 膜流 薄排 該極 閘 而以 層 、 觸層 接路 的通 接該 遵 、 氣膜 電緣 有絶 線一 流第 排一 極第 汲該 該由 舆經 及 ， 以極 、汲 層的 路成 通形 電 有 極 電 素 像 該 與 及 由 ； 藉離 傜隔 極氣 電電 素呈 像線 該流 而排 ，極 極汲 源該 的及 成極 形汲 而該 層與 觸而 接膜 的緣 接絶 連二 氣第 是於 孔成 觸形 接式 的方 接的 連上 氣線 電流 成排 形極 線汲 流該 排在 極叠 汲堆 該膜 與緣 要絶 將二 中第 其該 依 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 、tT XI. 經濟部中夬橾準局貞工消費合作社印«. 包由冗 線相 流極 排電 極素 閛像 該該 含與 二 第 於 成 形 膜 餘 而接 .1 ， 逋 内互 。 域交孔 區將觸 的而接 點成此 交構住 線膜蓋 流電覆 排導以 極明上 汲透膜 該之緣 與同絶 成排 形極 是汲 孔該 觸和 接線 該流 中排 其極 ， 列該 陣含 之包 項在 1 落 第上 圍膜 範緣 利絶 專二 請第 申該 如於 個 兩 的 侧 兩 線 流 排 極 閛 該 到 應 對 、Ή·-· 而 内 域 區 的 0 點一 交之 線置 流位 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 47364U A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3. 如申請專利範圍第1項之陣列，其中該接觸孔是形成 於跨過該閛極排流線的該第二絶緣膜内落在包含該 閘極排流線和該汲極排流線交點的區域内。 4. 如申請專利範圍第2項之陣列，其中所形成的該接觸 孔至少是4 /i B的方形且於該汲極排流線的端點面内側 不致小於1 Λί ®。 5. 如申請專利範圍第4項之陣列，其中該交互連接冗餘 膜的端點部分是形成於與該接觸孔的端點部分隔開3-4 Μ 1 〇 6. 如申請專利範圍第3項之陣列，其中所形成的該接觸 孔在該汲極排流線的端點面内倒不致小於1 # Β且在該 閘極排流線的端點面外側4 - 5 a m。 7. 如申請專利範圍第6項之陣列，其中該交互連接冗餘 膜的端點部分是形成於舆該接觸孔的端點部分隔開 3 - 4 # B 處。 8. —種製造液晶顯示器之薄膜電晶體陣列的方法包含有 下列步驟： 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於透明絶緣基片上將閘極排流線和閘極製作成圖案 ，依序形成第一絶緣膜、由内稟半導體非晶矽構成的 通路層、由η-型半導體非晶矽構成的接觸層，並將通 路層及接觸層製作島狀的圖案； 於第一絶緣膜内形成用以使該閘極排流線、形成該 閘極的第一金屬膜、及稍後將形成的第二金屬膜達成 電氣連接的穿孔並形成汲極排流線、汲極、及源極； -2 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4ϋ格（2丨Ο X 297公釐） 47364U A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 之 成該 之内膜 該 成 達成 接膜緣 於 形 内形 連緣絶 成 將 膜而 氣絶一 形 後 緣膜 電二第 中 稍 絶電 成第該及驟。 與且二導 達該有以步膜 極.，第明 極上而；的電 .汲膜該透 電線交孔極導 該緣於用 素流互觸電明 及絶極使 像排線接素透 線二電由 該搔流成像的 流第素藉 與汲排形該孔 排的像並 極該極内成觸. 極離該， 源於汲域形接 汲隔與孔：該中該區在該 該氣極觸括使.驟與的蓋之 使電源接包以步線間覆内 以呈該的，用的流其以膜 用極使接極成孔排置用緣 成電成連電形觸極配成絶 形素形氣素在接閘錯形二 像 電像 該該交 第 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印装 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）