TW466720B - Semiconductor package with flash-prevention structure and manufacture method - Google Patents

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TW466720B
TW466720B TW089109804A TW89109804A TW466720B TW 466720 B TW466720 B TW 466720B TW 089109804 A TW089109804 A TW 089109804A TW 89109804 A TW89109804 A TW 89109804A TW 466720 B TW466720 B TW 466720B
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Guo-Kai Su
Fu-Di Tang
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Siliconware Precision Industries Co Ltd
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Description

經濟部智慧財產局員Μ消費合作?i.s*i: A7 ____B7______ 五、發明說明（1 ) [發明領域] 本發明係關於一種半導體封裝件，尤指一種半導體晶 片與銲線外露於封裝膠體上所形成之開槽中的半導趙封裝 件及其製法。 [先前技藝說明] 隨電子產品之日新月異’針對不同功能之需求與不同 產品之規格需求’電子產品中所使用之半導體封裝件 (Semiconductor Package)遂愈趨多樣化，例如，導腳四面 排列之裝置（QFP)、球柵陣列裝置（Bga)、薄型裝置（TS〇p) 及影像偵測裝置（Image Sensor Device)等。 上述影像偵測裝置之結構大致上係在一具晶片座及導 腳之導線架上形成一具開槽之封裝膠體，使導線架供半導 體a日片黏著之aa片座及導腳上供金線鲜接之部位外露於該 開槽中’再以一蓋件封蓋至該封裝膠體上，以使該半導體 晶片及金線與外界氣密隔離。此種裝置之結構由於須在上 片（Die Bond)及銲線（Wire Bond)作業前，先將封裝膠體成 型於該導線架上，故在模壓製程中往往導致晶片座及導聊 外露於該開槽中之部位為形成該封裝膠體之封裝樹脂所污 染1即所謂之溢膠（F丨ash)，若不予以去除（De_flash)，則會 影響至晶片座與半導體晶片間之黏接品質以及導腳與金線 間之銲接品質因而，封裝業界對上述問題提出諸多去除 溢醪之方法惟該等方法均仍存在有缺點而不盡理想：故 美國專利第5、070;〇4 I號案即揭示Γ另.種去除溢勝之方 法 冀以解決習知方法之缺點 —«limn-»!-..·!»! r- --1 II ,,,,,,, ( ^丨''恨疋戈遝甲。固@家標準（CNS;A4規格i.:nc):< :：>丨9了公爱； τ----------~ I n D n 1 I» i i n 』OJ· n n n n I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 6 7 2 0 A7 --B7 五、發明說明（2) 該獲准專利之方法係包括下列步驟：丨）將導線架欲外 露於封裝膠體之開槽令的部位先塗覆一層高分子有機物 質，且該高分子有機物質之熔點高於用以形成封裝膠體之 封裝樹脂；2)於該導線架上形成一具開槽之封裝膠體；3) 將包覆有該導線架之封裝膠體浸入一可溶解該高分子有機 物質而不會溶解該封裝膠體之溶劑中；4)將一半導體晶片 黏著至該導線架之晶片座上，再以銲線連接該半導體晶片 與導線架；以及5)黏接一蓋片至該封裝膠體上以封蓋該開 該方法維較習知者為佳，然而，仍具有下列之缺點： 首先，該高分子有機物質係以溶劑溶除，故產生之溶液須 予以處理*否則會造成環保問題；由於須對產生之溶液進 行後蹟處理’因此會增加製造成本並使製程複雜化；再而， 其步驟3)之溶解作業完成後’由於該導線架及封裝膠體形 成之結構體係完全浸入溶劑中，故須將溶有該高分子有機 物質之溶劑完全自導線架及封裝膠體之表面上去除，否 則’若有殘留者，則會形成二次污染，而對後績之製程造 成不利影響；然而’欲有效去除溶有高分子有機物質之溶 劑’則須使用習知製程所不具有之設備與程序，而導致製 造成本的增加與製程之複雜化；同時，在該高分子有機物 質為溶劑溶解後，該專利方法不能立即進行上片及銲線作 業’因其須經過去除溶有該高分子有機物質之溶剤之處理 時間’而令製造時程為之增加’且不利於生產效率。 綜觀上述專利方法及其它習用方法之缺點，可瞭解到 --I-— I I ------ ^---I I I i I I--—II---5^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 2 16018 經濟部智慧財產局員Η 4費合"社-" 16018 A7 ____B7____ 五、發明說明（3 ) 其癥結所在係該等方法均是在溢膠於模壓製程（Molding) 中產生後方予以去除溢膠之後處理，其所以會衍生諸多新 問題乃是可預見的’因而，如何避免模壓製程中於導線架 上產生溢膠，始為有效之根本解決之道》 [發明概述] 本發明之目的即在提供一種能防止溢膠發生於導線架 上之具溢膠防止結構之半導體封裝件及其製法，由於導線 架上於模壓製程中不會形成溢膠，故毋須後績之去除溢勝 處理’而能降低製造成本並簡化封裝製程，從而可確保封 裝件之品質。 依據本發明上揭及其它目的所提供之具溢膠防止結構 之半導體封裝件的製法，係包括：準備—具頂面與底面之 導線架’將一溢膝防止結構成型於該導線架上之預設位置 後，使該導線架頂面位於溢膠防止結構内之部分與其位於 該溢膠防止結構外之其餘部分隔離’並在該導線架頂面位 於該溢膠防止結構内之部分上形成一晶片黏置區與—位於 該晶片黏置區外側之鋅接區；接而’將該結合有溢膠防止 結構之導線架置入封裝模具[以成型出-與該導線架結 合並具有一開槽之封裝膠體，該開槽之形成方式係使其槽 壁底邊與該溢膠防止結構接合，而令該導線架之晶片黏置 區與銲接區外露於該開槽中；然後於該晶片黏置區上黏接 卡導U再以_線連接該丰導艘晶片與錄接區而 使該丰導體晶片與導線架電性連結最後將蓋片黏接 曼球裝膠濮以封蓋住玆開攢而將開攢中之半導體晶 -MM—.....................
If ! I « -------I ^ --------- (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 466 72 0 a? ___ Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4)片及輝線與外界氣密隔離。 本發明之一較佳具體例中，該溢膠防止結構係由一黏 貼至該導線架之晶片黏置區與銲接區下方之底面上的貼 片’以及環設於該導線架銲接區外緣並與該貼片形成有黏 結關係之膠堤所構成者β該膠堤係凸出該導線架之頂面一 適當高度’且與位於其下方之貼片密合地黏接，令導線架 之頂面為膠堤所圈圍之部分（即晶片黏置區及銲接區）與導 線架位於膠堤及貼片外之其餘部分完整地隔離；故在模壓 製程中’封裝模具内之開槽成型塊的邊緣會壓抵至該膠堤 上’使用以形成該封裝膠體之融熔封裝樹脂不致溢流入導 線架之晶片黏置區及銲接區上’而得有效避免溢膠之形 成。 本發明之另一較佳具艘例令，該導線架頂面上所預設 之膠堤形成位置上’係以蝕刻或其它習知方式形成一凹部 以限成膠堤形成範園，並提高膠堤與導線架之結合性。 本發明之導線架得由一晶片座及多數之導腳所構成， 其組成方式係令各導腳之内端與晶片座之邊緣相隔一適當 距離而形成一缝隙；此時’該貼片即黏貼至晶片座與導腳 之下表面上，而將兩者間之縫隙下側封蓋住，該膠堤則成 型於導腳近内端之部位上，而使膝堤分別與各導腳與導腳 下於貼片密合地黏結’以由導腳之内端與膠堤間之頂面形 成該銲線區，晶片座之頂面形成該晶片黏置區。該導線架 亦得僅由多數之導腳所構成，令各導腳之内端間隔開一適 當距離而限定出一中空部，以在該半導體晶片黏接至該導 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i^---— I丨—丨訂-----II--線 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 4 16018 A7 A7 經濟部智慧財產局_H消費合"fj-Y·,· V' 圖 B7 五、發明說明（5 ) 線架上後，該中空部恰為半導體晶片所蓋覆，如此’該半 導體晶片與導線架間之黏接面積得大幅降低，以避免晶片 脫層（Delamination)的發生；此時，該貼片即黏貼至導線架 之底面上，其面積須大於中空部及半導體晶片之面積，以 在膠堤成型於該導線架上之預設位置後，各導腳供銲線銲 接之銲接區得圈圍於膠堤内易言之，此僅由導腳構成之 導線架，其晶片點置區與鲜接區均位於導腳向内部集中之 部位上。 以下茲以較佳具體例配合所附圖式進一步詳述本發明 之特點及功效。 [圖式簡單說明] 第1圊係本發明第一實施例之半導體封裝件之剖視 raa , 固， 第2A至2F圖係用以說明本發明第—實施例之半導體 封裝件製程之流程示意圖； 第3圖係本發明第二實施例之半導體封裝件之剖視 圖；以及 第4圖係本發明第三實施例之半導體封襞件之剖視 [發明詳細說明] JL—一實施体丨 第1圖係本發明第一實施例之半導體封裝件的剖視 圖如圖所示該丰導趙封裝{牛係包括有導線= 黏接於該導線架2 t.之本導髏晶^ .用以導電連接該丰
160 IS -------------^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 66 7 A7 B7 五、發明說明（6) 導體晶片3及導線架2之金線4,用以部分包覆該導線架2 之封裝膠體5’封接至該封裝膠體5上之蓋片6。 該導線架2係以銅、銘、銅合金、銘合金或其他具導 電性佳之金屬材料製成，其具有一晶片座20以及多數之導 腳21，使該導腳21之内端210與晶片座20之邊緣200間 相隔一適當距雜而形成一縫隙22;同時，該晶片座20具 有一頂面201與一相對之底面202,各該導腳21亦具有一 頂面211與一相對之底面212。該晶片座20即係供半導體 晶片3黏接至其頂面201上’黏接之方式得使用如銀膠等 之膠黏劑或使用熱固性或熱塑性樹脂製成之貼片 (Adhesive Tape)為之。而該封裝膠體5於模壓製程中即一 體成型出一開槽50,以令該半導體晶片3及金線4均外露 於該開槽50中，而不會為封裝膠體5所包覆，故在該開槽 50為蓋片6所封蓋住後，該半導餿晶片及金線4仍得與外 界氣密隔離，不致有外界異物及水氣入侵之問題。 如第1圖所示，該導線架2上復在該開槽50之槽壁 5〇〇的底邊上形成有一連績之膠堤7,並在該晶片座20之 底面202與導脚21之底面212上黏貼一貼片8,使該縫隙 22的下側為該貼片8所密合地封蓋住，以由該膠堤7與貼 片8構成一溢膠防止結構，避免該導線架2與溢膠防止結 構結合後於進行模壓製程時有溢膠之發生◊該貼片8之寬 度須大於該膠堤7與晶片座20之邊緣200間之距離，亦即 黏貼作業完成後，該貼片8之外側邊80須向外超出該膠堤 7,以避免該膠堤7之成型作業時，構成該膠堤7之樹脂不 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 16018 ί請先閱讀背面之;i$項再填寫本頁)
---11 I 丨訂------- ) I 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 Λ7 Λ7 經濟部智慧財產局員工消費合咋拉印" B7 五、發明說明（7 ) 致自貼>! 8之外側邊8 0向下溢流而污染作業設備，同時， 該貼片8之内側邊81則須向内延展一適當距離以超出該晶 片座20之邊緣200*而完整地封合住該縫隙22。該貼片§ 得以聚亞醯胺（Poly imide)或金屬片等材料製成：當該貼片 8為金屬材料製成時，適用之金屬材料為鋼、鋁銅合金 或鋁合金等。此外，該膠堤7之形成得以習用之點膠（G1〇b Top)或網版印刷等方式為之，其超出該導腳21之頂面2ιι 的高度以足以防止形成該封裝膠體5之封裝樹脂溢流至導 腳21頂面21]上於膠堤7與内端210間之部位為限，無特 殊限制。製成該膠堤7之樹脂材料宜為具彈性之s夕勝 (silicone)，環氧樹脂（Epoxy)或聚亞醯胺。 再參照第2A至2G圖，本發明第一實施例之半導艎封 裝件1之製法’係依下列步驟為之β 首先，如第2Α圖所示，準備一由導電性之金屬材料 製成之導線架2’使之形成—晶片座2〇以及多數裝設於該 晶片座20四周之導腳2卜且在導腳21之内端21〇與晶片 座20之邊緣200間相隔出一縫隙22。 然後，如第2Β圖所示，在該晶片座2〇之底面2〇2及 導腳2丨之底面2 i 2上黏貼—貼只R .坌舡扣 ^ 貼片8，其黏貼之位置係使該 站片8得完全地封住該縫隙2 2之下側。 再而，如第2C圖所示f w + 」 ® π不以點膠或網版印刷方式於該 導線架2上之預設位置形成…将該晶片座2()及導腳2丨近 内端2丨0之部分圈圍在内之穆堤由於編“外惻 係位於該躍堤7成型位置外故移堤：，成型膝吟會 一…二^.’ ----伙一一〜… 、度適粑卞國®家橒茗…規格ΐ_2】η ％ H 」-1^ n n I · Et I n .^1 MM 丨 n I il It )— ! u( —i i tt IJr „1 .·/ ft, ;!. (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁)
\60iH 綬濟部哲慧財雇扃負>消費含作杜印製 : .6 6 7 2 0 · A7 — ：'V乾先 B7 五、發明説明（8 ) 黏附至各導腳21上，並會由兩相鄰導腳21間之間隙流至 該誌片8上，以在膠堤7固化成型後，該膠堤7亦會與貼 片8彰結，而使該導脚21之頂面2n位於該穆堤7與其内 端210間之部分以及晶片座20之頂面2〇1與導線架2位於 該穆堤7與點片8外之部分隔離開。為使膠堤7、站片8 與導線架2間之黏設關係明確起見，第2C圖並以正視圖 方式表現。 謬堤7形成後，即舆該貼片8構成一溢膠防止結構， 該结合有溢膠防止機構之導線架2之隨即可置入一封裝模 具中以進行模壓製程。如第2D圖所示，該封裝模具係由 一上模90與一得與上模90合模之下模91所構成「該上模 90與下模91分別eg設有椟六900及91〇，俾供融熔封裝樹 脂注入以形成該封裝醪體5 :該上模90之模六900中並一 體設有一開槽形成塊901，該開槽形成塊9〇i在上模卯與 下模91合模後，其頂緣會壓抵至該膠堤7上，由於該膠堤 7具有彈性’故開槽形成堍90〗與之壓接後，兩者間不會 留有融熔封裝樹脂得流入之間隙，且導線架2之底部黏接 有該貼片8 ’遂不會有溢膠發生於晶片座20之頂面2〇1及 導腳2】位於膠堤7内之頂面上的情形，故在模壓作業 完成後，該-晶片座20之頂面201及導腳2ί位於膠堤7内 之i頁面211均無封裝樹腊之污染’而可直接進行後續製程 見母需任何清洗處理，所以，相較於習知製法，本發明之 製造成本得以降低且製程得以簡化並縮短時程。 如第2£圖所示’封裝製程結束並脫模後，該封裝 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁各摘} -訂----- .線 本紙張尺·度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） Ϊ6018 Λ7 Λ7 經 濟 智 慧 財 產 Μι 費 合 B7 五'發明說明（9) 體5即會形成一開槽5〇，使該晶片座2〇之頂面2〇1與導 聊21位於其内端210與膠堤7間之頂面2]1外露於該開槽 50中。 然後’將-半導體晶片3經由該開槽5〇黏接至該晶片 座20之頂面2〇1上，隨而，進行銲線作業以將金線4銲接 於半導體晶片3及導腳21位於膠堤7内之部位上而導電 連接該半導體晶片3及導線架2，如第2p圖所示。 最後’參照第I.圖，將一習用之蓋片6黏接至該封裝 勝體5上’以封蓋住該封裝膠體5之開槽5〇，而使開槽 中之半導體晶片3及金線4與外界氣密隔離。 上述之前三個步驟得由組件供應商先製成，再運交封 裝業者直接進行模壓製程後之作業，因而’本發明之半導 體封裝件製法不惟可解決溢膠發生的問題’並可直接沿用 既有之封裝設備與製程，故能有效降低製造成本。 如第3圖所示者為本發明第二實施例之半導體封裝件 1 '該半導體封裝件丨，之結構大致同於前揭之第一實施 例’其不同處在於其導線架2,係由多數之導腳2]，構成。 該導線架2,之導腳2Γ的内端210，係以朝内部集令並間隔 開之方式限定出—由導腳2丨，之内端2i〇,形成之中空部 23 '以令半導體晶片3,黏設至該導線架2,上時，該尹空 # “ J恰位於半導體晶片3 ’下方並為之完全蓋覆而令該 半導體晶片3之底面3丨―僅部分與導腳2 Γ之頂面2 Π相黏 接故$減’少晶片脫層發生機會..由於該丰導體晶月3..係 直接秦1著至該導腳2 1上故須使用非導電性之膠黏劑或
I601S --------^----------^ (請先閱璜背面之注意事項再填寫本頁) 466 466 經濟邨智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（10) 貼片黏接兩者，同時，各導腳21，之頂面211，上亦分別形 成有一晶片黏置區213’及位於該晶片黏置區213,外側之鮮 接區214’。 該溢膠防止結構之形成係在導腳21’之底面212,上黏 貼一貼片8’，使該貼片8,之宽度大於兩相對之導腳21，上 之銲接區214’外緣間的距離，以在該膠堤7,形成於該導腳 21’之銲接區214,的外緣上時，該膠堤7,得與該導腳21， 及位於導腳2Γ下方之貼片8’分別黏接，且在膠堤7,成形 時，形成膠堤7’之樹脂不致自貼片8’之外側邊80,向外溢 流：同時，該貼片8’黏貼至預設位置後，得完全將該中空 部23’及兩相鄰導腳2Γ位於晶片黏置區213,及銲接區214, 間之間隙封蓋住，而使晶片黏置區213’及銲接區214,上於 模壓製程申不會發生溢膠的問題。 如第4圈所示者為本發明第三實施例之半導體封裝件 的剖示圖》該第三實施例之半導體封裝件1”之結構大致同 於前揭之第一實施例’其不同處在於該導線架2”之導腳 2 1 ”供膠堤7”成型之部位上係以習知之蝕刻方式蝕刻出一 凹部215”；該凹部215”之形成在使該膠堤7”之成型範圍 得為該凹部215”所限制，而不致過度外擴，同時，亦可強 化該膠堤V’與導腳21”間之黏結性。 以上所述者’僅為本發明之具體實施例而已，其它任 何未背離本發明之精神與技術下所作之等效改變或修飾， 均應仍包含在下述專利範圍之内。
[元件符號I I--- 1 I I I I ! i •丨 I I 丨丨 i 丨訂· 1 丨 ----I r r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 10 16018 A7 B7 五、發明說明（U ) 1M ” 半導體封裝件 20 晶片座 22 縫隙 200 邊緣 202, 212,212’ 底面 213, 晶片黏置區 215, ’凹部 3Γ 底面 5 封裝膠體 6 蓋片 8,8, 貼片 81 内侧邊 91 下模 901 形成塊 2,2’，2” 導線架 21，2Γ,21” 導腳 2 3’ 中空部 201，201’，211，21 1’ 頂面 210 内端 214’ 銲接區 3,3’ 半導體晶片 4 金線 50 開槽 7, 7%7” 膠堤 80, 80’ 外側邊 90 上模 900,910 模穴 ---------------------訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合件杜印.名
-Γ ΤΓ- Τ.ΠΙ ΙΙΠ'ΓΤιΜ·^ y'j|. ·Ι Τ ΙΠ ~ * .-.1 — -«·!·.'· nV-|(_ !卜.卜,七 I-V4H—>bU 圓丨 ****TTT
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Claims (1)

  1. 經濟郎中央標準局員工福利委員會印製 拍件、一 4 66 ----------- -H3_ 第89109804號專利申請案 申請專利範圍修正本 (90年8月31曰） 1- 一種具溢膠防止結構之丰導體封裝件，係包括： 一導線架，其具有頂面及相對之底面，並在預設 位置上結合有一溢膠防止結構，使該導線架頂面位於 該溢膠防止結構内之部分與該導線架位於該溢膠防止 結構外之其餘部分隔離，以在該導線架之頂面位於該 溢膠防止結構内之部分上形成一晶月黏置區與一位於 該晶片黏置區外側之銲接區； 一黏設於該導線架之晶片黏置區上的半導體晶 片； 多數導電連接元件’係銲接於該半導體晶片與該 導線架之銲接區上，以導電連接該半導體晶片舆導線 架’· —具開槽以部分包覆該導線架之封裝膠體，使該 半導體晶片與導電連接元件均外露於該開槽中；以及 一蓋接至該封裝膠體上之蓋件，以封蓋住該開槽 而使該開槽中之封裝膠體及導電連接元件與外界氣密 地隔離。 2. 如申璋專利範圍第〗項之半導體封裝件，其中，該溢 躁防止機構係由一成型於該導線架頂面上之膠堤以及 一翁貼至該導線架底面上之貼片所構成，且該醪堤係 同時舆該導線架與貼片相黏結。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體封裝件，其中，該膠 本纸張尺度適用中§ S家標芈（C Ns〕A 4七格（2丨〇 χ Μ?公度)-- 1 16018 堤係成型於該導線架之銲接區外緣上。 4. 如申請專利範圍第2項之车连 禾，之平導體封裝件，其令，該膠 堤係凸出於導線架之頂面上。 5. 如申請專利蘇圍第2項之半導體封裝件，其中，該移 堤係由該封裝膠體之開槽之槽壁相接。 6-如申請專利範圍第2項之半導體封裝件，其中，該貼 片係黏接至該導線架之底面位於該晶片黏置區與銲接 區下方之位置上β 7.如申請專利範圍第2項之半導體封裝件，其中，該貼 片之外側邊係向外超出該銲接區之外緣一適當距離。 8·如申請專利範圍第丨項之半導體封裝件，其中，該導 線架係由一晶片座與多數之導腳所構成者。 9.如申請專利範圍第8項之半導體封裝件，其中，該晶 片座之倒邊與各導腳之内端間係相隔開一距離而形成 一缝隙。 經濟耜中央標準局員工福利委員會印製 10-如申請專利範圍第2或9項之半導體封裝件，其中， 該貼片貼黏至該導線架之底面上後，係分別與該晶片 座與導腳黏接而將該缝隙封合D Π.如申請專利範圍第2或9項之半導體封裝件，其中， 該膠堤係形成於該導脚上之預設位置，而分別與該導 腳與貼片黏接。 12.如申請專利範園第1項之半導體封裝件，其中，該導 線架係由多數導脚所構成。 】3.如申請專利範圍第12項之半導體封裝件，其中，各該 導腳之内端係向内集中並間隔開而限定出一中空部〇 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公赞) 2 16018 4 6 6 ί 7 ------Η3 經.濟部中央標準局員工福利委員會印製 14. 如申請專利範圍第12項之半導體封裝件，其中，各該 導脚係由其内端向外依序形成該晶片黏置區及該銲接 區。 15. 如申請專利範圍第2或13項之半導體封裝件，其中， 該貼片黏貼至該導線架之底面上後，係將該中空部封 合住。 】6.如申請專利範圍第2項之半導體封裝件，其中，該導 線架頂面上供膠堤成型之部位上復形成有一凹部。 如申請專利範圍第J6項之半導體封裝件，其中，該凹 部係形成於各該導腳上。 18.如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中該導 電連接元件係金線。 】9.如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中，該移 堤之材料係選自由矽膠、環氧樹脂及聚亞磕胺所组成 之组群之一者。 20·如申請專利範圍第][項之半導體封裝件，其中，該貽 片係由聚亞醢胺樹脂製成者》 2】‘如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中，該貼 片係金屬片。 22.—種具溢膠防止結構之半導體封裝件之製法，係包括下列#驟： 準備一結合有溢膠防止結構之導線架，使該導線 架之頂面位於該溢移防止結構内之部位與該導線竿位 於溢膠防止結構外之其餘部位隔離開，並於該導線架 之頂面位在該溢膠防止結構内之部位上形成有一晶片 本紙張尺度適用中國國家為準（CNS )Α4規格（210Χ 297公努) 3 16018 4 6 6 -----------H3 黏置區及一位在該晶黏置區外側之辑接區* 將該结合有溢膠防止結構之導線架置入封裝模具 中，進行模壓製程以形成一具有開槽而部分包覆該導 線架之封裝躁體’令該導線架上之晶片黏置區與銲接 區外露於該開攢中； 黏設一半導體晶片至該導線架之晶片黏置區上； 導電連接該半導體晶片與導線架之銲接區；以及 蓋接一蓋片至該封裝膠想上，以封蓋住該封裝膠 餿之開槽。 如申請專利範圍第22項之製法，其中，該溢移防止機 構係由一成型於該導線架頂面上之膠堤以及一黏貼至 該導線架底面上之貼片所構成，且該膠堤係同時舆該 導線架與貼月相黏結。 24·如申請專利範園第23項之製法，其中，該膠堤係成型 於該導線架之銲接區外緣上。 25, 如申請專利筑園第23項之製法，其中，該膠堤係&出 於導線架之頂面上。 經濟部中央標準局WX福利委®會印製 26. 如申請專利範圍第23項之製法，其中，該膠堤係由該 封裝膠體之開槽之槽壁相接。 27‘如申請專利範圍第23項之製法，纟中，該貼片係黏接 至該等線架之底面位於該晶片黏置區與銲接區下方之 位置上。 2S-如申請專利範圍第23項之製法，丨中，該能片之外側 邊係向外超出該銲接區之外緣一適當距離。 29·如申請專利㈣第22項之製法’纟中，該導線架係由 本纸張纽適用㈣國雜準（C N S ) A 4規格U10 X -------- 4 16018 4 66 H3 一晶片座與多數之導腳所構成者。 30.如申請專利範圍第29項之製法，其中，該晶片座之側： 邊與各導腳之内端間係相隔開一距離而形成一缝隙。 31如申請專利範園第23或29項之製法，其中，該貼片 貼黏至該導線架之底面上後，係分別與該晶片座與導 腳黏接而將該缝陳封合。 32. 如申請專利範圍第23或29項之製法，其中，該膠堤 係形成於該導腳上之預設位置，而分別與該導腳與貼 片黏接® 33. 如申請專利範圍第22項之製法，其中’該導線架係由 多數導腳所構成。 34. 如申請專利範圍第33項之製法’其中，各該導腳之内 端係向内集中並間隔開而限定出一中空部。 35·如申請專利範圍第33項之製法，其中，各該導腳係由 其内端向外依序形成該晶片黏置區及該銲接區。 36. 如申請專利範圍第23或34項之製法，其中，該貼月 黏貼至該導線架之底面上後，係將該中空部封合住。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 37. 如申請專利範圍第23項之製法，其中，該導線架頂面 上供膠堤成型之部位上復形成有一凹部。 如申請專利範圍第37項之製法’其中，該凹部係形成 於各碑導腳上。 39.如申請專利範圍第22項之製法，其中，該導電連接元 件係金線。 40·如申請專利範圍第22項之製法，其中，該膠堤之材料 係1 “料、環氧樹脂及聚亞醢胺所組成之组群之 未紙張元变適用巾國國準（CNS )Α4規格（2i〇x撕公愛) —- 5 16018 466720 _H3_ 一者。 41. 如申請專利範圍第22項之製法，其中，該貼片係由聚* 亞贐胺樹脂製成者。 42. 如申請專利範圍第22項之製法，其中，該貼片係金屬 片。 經濟部中央搮準局員Η福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格^(210/297公免 6 16018
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