TW465012B - Wafer positioning device - Google Patents

Description

A7 465012 B7_ 五、發明說明（） 發明領域： 本發明係有關於一種半導體設備，尤其是一種半導體 設備t之晶圓定位裝置。 發明背景： 在半導體晶圍製程及傳輸之過程中，適當的將半導體 晶圓定位是最基本的工作。如此將可防止例如不適當的處 理及/或晶®破裂等錯誤而產生成本上的問題。在半導體 裝置之製程中，晶圓必需正確的對準於晶圓承載平台或夾 盤（chuck)的中心，以確保製程中晶圓之整個表面可以接 受均勻的處理（例如，可以均勻的沉積鍍層）或確保夾盤不 會損壞。類似地，由於機械性誤差值的快速降低結合了持 續降低系統覆蓋區（也就是製造系統之橫向尺寸的降 低），在半導體裝置進行傳送時，晶圓必需正確的定位於 轉送機構的中心以避免晶圓的破裂（由於晶圓的掉落或碰 到反應室的元件），以降低晶圊從傳送機構滑落或掉落的 可能性。另外，對於晶圓方位或圖案對準較為敏感的製程 來說，通常會在晶圓上形成凹痕（notch)或切平處以表示 基板特定的晶圓方位或圖案對準，此類凹痕或者切平處必 需要對準並且和反應室元件維持適當的方向。此外，市場 上已有許多晶圓方位及/或定位中心之裝置（也就是定位 裝置）。 傳統的晶®定位裝置揭露於日本專利申請號碼 05045948中，於1994年八月二十三曰所發佈（曰本申請 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格Ul〇x；«7公釐） ----------{ _ 裝--------訂--------- -· * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 5 0 1 2 A7 _B7_ 五、發明說明（) 號碼9 4 8 )。揭露於日本申請號碼9 4 8之裝置利用了電荷 耦合元件（C C D )攝影機安裝在轉動桌上用以偵測半導體 晶圓在轉動桌上的位置並處理影像以偵測晶圓重心的位 置。特別的是，此C CD攝影機處於轉動桌上之半導體晶 圓的周圍區域。此裝置接著將處理的影像送到鏡頭中以決 定晶圓的方向。 然而實際上進行定位操作時，C C D攝影機卻很難分 辨晶圓和例如反應室之底部表面之間的差異。因此，便極 需要有4種改良過之晶圓定位裝置1以便更有效的偵測晶 圓位置。 發明目的及概述： 本發明提供了一種利用背光源系統以便更有效的偵 測晶圓位置之晶®定位裝置。特別地，本發明利用了 C C D 攝影機偵測到比C C D攝影機所要偵測的晶圓還要大的第 一區域，因而也會將所要偵測的晶圓之邊緣包圍住，然後 將背部光源之光線導向第二區域，此區域係由C C D攝影 機所偵測之晶圊的至少一個邊緣往外延伸的區域，且一操 作性耦合到CCD攝影機的控制器將根據CCD攝影機所偵 測到的背光源來決定晶圓的位置。 CCD攝影機和背部光源兩者最好都放置在真空反應 室的外面，並靠近一或多個石英透明視窗以容許CCD攝 影機和背部光源可分別的偵測和發出光線到製程反應室 中。最佳的情況為將C C D攝影機和背光源放置在真空反 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公芨） — — — — — — — — — — ^ I ---1 I--- «— — — fill — 1 --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 465 0 1 2 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消#合作社印製 五、發明說明（） 應室的相同側面’使其可以共用一個石英視窗，而非傳統 上放置於真空反應室的頂端〃於此配置中，一屏蔽與背部 光源操作性的搞合以便由背部光源所發出的光線被阻擋 住而不會到達晶圓的表面。如此方可避免光線由晶圓之頂 端反射回來而由CCD攝影機所偵測到，且因而也可碟保 由CCD攝影機所偵測到的所有光線都來自晶圓之後的，: 背部光源”。 如同先前所描述的’屏蔽可確保光線通過晶圓表面且 照射到真空反應室的底部表面。真空反應室的底部表面至 少將一部分的光線反射到CCD攝影機。而從製程反應室 底部表面反射朝向晶圓的任何光線部分將會被晶圓的底 部表面所阻播’因而也不會到達CCD攝影機》CCD攝影 機偵測到反射光線之後’則控制器將可決定晶圓的位置。 於最佳的實施例中，此屏蔽至少包含了第一屏蔽，用 來阻擋背部光源所發出的光線直接到達晶圓的表面，並包 含了第二屏蔽’用以阻擔反射光線（例如由背部光源所發 出的光線且由反應室表面所反射）到達晶圓的頂端表面。 因此晶圓可以有效的由背部光線照亮，並使晶圓周圍更容 易偵測。 晶圃定位偵測的方式可進一步將真空反應室之底部 表面加以粗糙化後使反射光線散射而得以改善。散射的光 線可確保某些光線會照射到晶圓的表面且被阻擋。散射光 線因而可將C C D攝影機所偵測到的晶圓外觀更清晰化。 控制器可計算晶圓的令心定位和對準之訊息；轉動承 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----I---------- I ---——訂 ----!-级 Η , Γΐ先閱tf背面之注意事項再填寫本頁) A7 465012 B7__ 五、發明說明（) 載晶圓之平台，將晶圓之凹痕或切平處定位到需求的位 置；且晶圓處理器將晶圓調整到操作的位置（例如在晶圓 抓取或放下時）並傳送以使晶圓正確的定位在後續之製程 反應室中。 本發明之其它的目的、特徵和丨憂點將可從後面較佳實 施例的詳細說明、所附之申請專利範圍及圖形說明而變得 更加清楚。 圖式簡單說明： 本發明的較佳實施例將於往後之說明文字中辅以下 列圖形做更詳細的闡述： 第一 Α圖所示為本發明之晶圓定位裝置的第一個態 樣之側視圖； 第一 B到一 C圖所示為依照第一 A圖之晶圓定位裝 置中將晶圓中心定位和對準之範例的圖示； 第二圖所示為本發明之晶圊定位裝置的第二個態樣 之側視圖； 第三圖所示為依照本發明之第一和第二圊之晶圓定 位裝置用以製造半導體元件的自動設備之上視圖。 圖號對照說明： 1 la 晶圓定位裝置 13 CCD攝影機 1 5 LED 17 第,一屏蔽 19 第二屏蔽 21 外殼 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X跗7公《 ) -----------/ i裝--------訂---------这 i ,. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 5 0 1 2 Λ7 B7五、發明說明（） 23 反應室 23b 側面 23c 底部表面 25 石 英透明視窗 27 轉動平台 29 晶 圓處理器 3 3 自動設備 35a ，b 負載室 37 第一晶圓處理反應室 39 第 一晶圓處理器 4 1 a, b 傳送反應室 43 第 二晶圓處理反應室 45 第二晶圓處理器 47, 49 製程反應室 5 1 控制器 53 微 處理器 55 記憶體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明詳細說明： 第一 A圖所示為依照本發明之晶圓定位裝置U a之第 一個態樣的侧視圖。晶圓定位裝置1 1 a包含了 C C D攝影 機1 3，背部光源如環狀光照射二極體（L E D) 1 5，及第一和 第二屏蔽17，19。由LED15所發出的光線被第一屏蔽17 和第二屏蔽19所阻隔，因此LED15所產生的光線不會直 接或反射到放置於下面的晶圓W之頂端表面，下面將進 一步加以描述。 晶圓定位裝置Π a放置於外殼2 1之中，外殼2 1則與 反應室23經由頂端表面23a耦合，LED15所發出的光線 及CCD攝影機1 3所偵測到的光線經由位於頂端表面23a 的石英透明視窗2 5進出反應室2 3。晶圓 W位於反應室 23中之轉動平台27上，且一晶圓處理器29和轉動平台 2 7操作性的耦合，以便晶圓處理器2 9可從轉動平台2 7 取出或傳送晶圓W。 (請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁) -裝--------訂---------故 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐） A7 465012 B7_ 五、發明說明（） C C D攝影機1 3調節成可偵測大於晶圓W周圍的第一 區域。第一屏蔽1 7則放置於可直接阻擋由L E D 1 5所發出 的光線直接照射在晶圓W之頂端表面上的位置》第一屏 蔽1 7的最佳位置為將其沿著L E D丨5的内部放置且其角度 可將第一屏蔽1 7往外（例如往遠離晶圓W的方向）以便阻 擋直接到達晶圓W頂端的光線（但並未被第二屏蔽1 9所 阻擋），如同下面所要描述的。 第二屏蔽19放置於可阻擋LEDI5所發出的光線之位 置上，且若少了此第二屏蔽1 9，光線將會反射到（例如被 反應室表面反射）晶圓W之頂端表面上。第二屏蔽19的 最佳位置為將其放置於石英視窗2 5的反應室内側面上， 且使第二屏蔽1 9沿著石英視窗2 5之外部邊緣往内延伸 一短距離。對於熟知此項技術的人來說，第一屏蔽丨7和 第二屏蔽1 9的特定尺寸和位置可以改變（例如，因為彼此 之間的距離而改變，因為晶圓之大小和與晶圓的距離而改 變，等等）。 實際進行操作時，晶圊W放置於轉動平台2 7上且環 狀LED15發出由FU-4所代表的光線。光線Rl，R2可直 接或間接的照射到第一屏蔽丨7上以便由屏蔽1 7阻擋到 達晶圓W之頂端表面，並由置放托架1 8阻擋以避免到達 CCD攝影機丨3，例如光線R3和R4照射到反應室23之 頂端表面23a或者第二屏蔽19之頂端表面而由置放托架 1 8所阻播。如圖中所示的，光線R 5和R 6通過第一屏蔽 1 7和第二屏蔽1 9照射到反應室2 3之側面2 3 b的區域且 本紙張尺度適用中國國家螵準（CNS)A4規格（210 X 297公穿） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' t --------訂 *--------致 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65 0 1 2 A7 _B7__五、發明說明（） 並不會產生光線反射到晶圊 W之頂端表面，或者照射到 反應室23之底部表面23c。因此，通過第一和第二屏蔽 17，19的光線R5，R6不是反射到CCD攝影機13之令， 不然就是由晶圓 W之背部所阻擋。雖然圖中並沒有顯 示，但沿著整個晶圓W之周圍的光線如光線R5可能反射 通過晶圓W之邊緣，到達C C D攝影機1 3，並提供了晶圓 W更容易被偵測到的背面光源影像。 控制器C從CCD攝影機t 3接收到偵測訊號並加以分 析以決定晶圓W之中心位置及/或是否對準，正如同傳統 上所習知的。例如，參考第一 A、B圖，沿著晶圓 W的 邊緣任意兩點（P1，P2)可利用三角測量法加以計算。在 P 1，P2點上分別具有切線 T 1，T2，且各個垂直於切線 τι，T2的交點1(例如，垂直線PL1和PL2)將和晶圓W 之中心重合。晶圓W之切平處或者凹痕（一般以圊上之參 考字母Ν代表）可檢視第一 Α、Β圖争所示之晶圓W的外 部邊緣而決定。根據此決定，控制器 C可控制轉動平台 27及/或晶圓處理器29的操作，使得晶圓W可在放置於 後續之製程反應室（未顯示出來）之前將晶圓W旋轉及/或 定位到中心。例如，控制器c可使轉動平台2 7轉動晶圓 W到所需的位置，並讓晶圓處理器2 9靠近晶圓W後可調 整其惻面的位置，因而可在晶圓處理器2 9之終點受動器 上將晶圓W定位於中心。另外，晶圓處理器2 9可調整其 趨近角度以調整晶圓W適當的對準位置，或利用其它傳 統的機構來對準及/或定位晶圓W之中心，例如以可伸縮 -----It---I ί 裝 -------訂---------織 I , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 5 Ο T 2. μ _Β7___ 五、發明說明（） 之晶圓抬舉梢從轉動平台2 7延伸並舉起和移動晶圓以便 將晶圓定位。其中以晶圓處理器2 9調整其晶圓W之趨近 角度，以便有效的影響其適當定位中之定位裝置1 1 a較佳 的操作順序如下所述·· 1 .晶圓處理器2 9將晶圓W傳送到反應室2 3中。同時 將訊息提供給控制器 C (例如，經由一未顯示出來的製造 設備系統控制器）有關於晶圓尺寸（例如，5，6，或8英吋）* 晶圓型式（例如為切平處或凹痕），及晶圊定位裝置1 1 a轉 動此切平處或凹痕的步階補償值。此訊息亦可在控制器C 中預先程式化； 2.控制器C傳送指令到C C D攝影機1 3中以進行晶圓 W之”取像”，且此控制器C可由取得之照片資料（如先前 所提的）來決定晶圓之切平處或凹痕現在的位置； 3 .控制器 C更進一步分析照片資料以決定需要多少 步驟，及在哪個方向（順時針或逆時針方向）來轉動和轉動 平台27耦合之轉動機構（未顯示出來），以便將轉動平台 27轉動到切平處或凹痕所需的位置上； 4.控制器 C傳送指令到轉動機構以開始晶圓之轉動 (例如，經由方向控制板上之步進驅動器以驅動耦合到轉 動平台27之步進馬達）； 5 .控制器C傳送第二指令到C C D攝影機1 3以取得晶 圓的第二個’’影像’’； 6.如先前所描述的，控制器C分析影像資料並決定晶 圓W之乍心位置（例如經由三角測量法）； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公Μ ) E I I IT m I n. n n ^ I n n 一OJ4 n n n 1 tt 1 J * {請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 465 0 1 2 A7 _ B7_ 五、發明說明（） 7. —旦晶圓中心確定之後，控制器C利用此中心訊息 來修正晶圓W於轉動平台2 7上未對準中心時的凹痕或切 平處的補償誤差值； 8 .控制器 C傳送指令到轉動機構以開始晶圓之轉勤 且晶圓轉動的角度不大於180度（一般會朝最小角度的方 向轉動）； 9.控制器 C傳送晶圓中心位置訊息到晶圓處理器 2 9 (例如，由未顯示於圖中的系統控制器來控制）以便將晶 圓 W放置於處理器盤的令心位置。此訊息包含三個變 數：ΔΙΙ、ΔΘ、和如同第一 A，C圖中所示的R補償值， 其中： Δ R為晶圓W中心（WC)和轉動平台27中心（PRC)之 間量測到垂直於反應室2 3之縫隙閥門（未顯示出來）之中 心點的距離； Δ0為晶圓處理器29轉動並在處理器盤之中心拾起 晶圓W的角度；及 R-補償值為晶圓中心（WC)和轉動平台27中心（PRC) 之間的直線距離；及 1 0.將△ R和△ Θ轉換成馬達步進器之步驊以便將晶 圓處理器29放置於晶圊29之下，晶圓處理器將被適當的 放置且晶圓將被拾起且從反應室2 3加以傳送。值得注意 的是R補償值係用於晶圓定位之時（上述之步驟7)。 反應室2 3之底部表面2 3 c最好是加以粗糙化（例如， 以露珠化爆炸（bead blasting)，藉由熱喷射的應用，或經 本紙張尺度適用+國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I ---------* I 裝----I---訂-------1_爽 1 . <請先閱讀背面之注t事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 465012 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7___五、發明說明（） 由化學性粗糙性程序，等等）使得光線照射到反應室23 之底部表面23c後散射成射線R6。光線的散射可確保某 些光線照射到晶圓W之底部表面，且某些光線將通過晶 圓W之邊緣，因而使C C D攝影機所偵測到之晶圓W的 外觀更加清楚，故更能幫助有效的定位。 第二圖所示為依照本發明之第二態樣之晶圓定位裝 置1 1 b的侧視圖。此晶圓定位裝置1 I b等同於第一 A圖 所顯示及描述之晶圓定位裝置1 1 a，但環狀LED 1 5的放 置位置不同。下面將只依照本發明之第一態樣的晶圓定位 裝置和參考第二圖中本發明之第二態樣的晶圓定位裝置 兩者之間的差異性加以描述。特別地，背部光源如環狀螢 光燈或者環狀 LED 1 5位於真空反應室 23之底部表面 23b，以便引導光線經由位於真空反應室23底部表面23c 中之石英視窗3 1進入反應室。石英視窗3 1和環狀LED 1 5 的位置將可提供光線到晶圓W的背面部分或全部，並可 供應光線到晶圓W的邊緣，以使得C C D攝影機1 3可以 債測到晶圓W的邊緣。因此，更具進步性的晶圓定位裝 置lib可在沒有第一 A圖之第一屏蔽17及/或第二屏蔽 1 9的幫助下操作。 第三圖所示為自動設備3 3製造部分之半導體元件的 上視圖，例如沉積内連線設備。此設備3 3至少包含一對 負載室3 5 a，3 5 b，且第一晶圓處理反應室3 7包含第一晶 圓處理器3 9。第一晶圓處理反應室3 7操作性的和負載室 對35a，35b及傳送反應室對41a，41b耦合。傳送反應室 ----------ί 1 I --------訂---------與 J * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 465 0 1 2 Λ; __Β7_五、發明說明（) 對41a，41b更和第二晶圓處理反應室43耦合，且包含有 第二晶圓處理器4 5。第二晶圓處理反應室4 3和第二晶圓 處理器45耦合到多個製程反應室47，49中，且每個反應 室在製程前皆需要將晶圓加以對準。特別重要地，傳送反 應室41a，及/或41b包含有第一圖或第二圖具進步性之 晶圓定位裝置。整個設備3 3將由控制器5 1 (包含有微處 理器5 3和記憶體5 5)加以控制，其具有程式以控制半導 體晶圓在負載室35a，35b，傳送反應室41a，41b，和製 程反應室4 7，4 9之間的傳送。 控制器程式可包含此具進步性之晶圓定位裝置的控 制，或者作為具進步性之晶圓定位裝置之控制器C的界 面，以便達到先前所描述的晶圓中心或方位的定位問題。 在設備3 3中包含此具進步性之晶圓定位裝置將可改善設 備的整體產能及信賴度。然而，由於在傳送反應室4 1 a， 4 1 b中加了具進步性之晶圓定位裝置，則晶圓可在第一晶 圊處理反應室和第二晶圓處理反應室之間的路徑上加以 中心定位及/或方向定位，且不需要額外的晶圓傳送時間 或佔據了較有價值的晶圓製程反應室的位置。因此，經由 本發明之具進步性之晶圓定位裝置的應用，則自動化半導 體製程設備的產能將會大幅的增加。 先前所描述的僅為本發明之較佳實施例而已，上面所 揭露的裝置和方法若加以修正後對於熟習此項技藝的人 為顯而易見的話，皆落入本發明之範圍内。例如，雖然本 發明之具進步性晶圓定位裝置特別適合放置於真空反應 ---I---I---i· - ---I 1 ---訂-------- -線 I <請先閱讀背面之沈意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS)A4規格（21ϋ X 297公;¥ ) 465 0 1 2 a7 _ B7__ 五、發明說明（） 室中來定位晶圓，此具進步性晶圊定位裝置亦可應用在處 理晶圓的適當環境中（例如化學機械研磨、清潔、電子化 學被覆）。晶圓並不一定非得水平置，且C C D攝影機也不 一定要針對晶圓的頂端表面。因此，對於熟習此項技藝的 人來說，”背部光源”僅為了方便才如此命名，實際上並不 限於放置在晶圓的哪個表面上。也就是說，垂直方向的晶 圓可將CCD攝影機放置於面對晶圓的背部表面，等等。 類似地，當C C D攝影機和背部光源系統沿著晶圓的 相同邊放置時，背部光源可從反應室底部表面之其它表面 上，即欲進行定位之表面上反射，此和晶圓放置的方向有 關。實際上，來自背部光源的光線可從晶圓放置面以下的 任何適當表面加以反射。 最後，本發明所顯示的屏蔽和在此所描述的僅為較佳 實施例罷了。吾人將可瞭解此兩個屏蔽係整體成形，且反 應室表面，石英視窗或者背部光源本身的設計均可避免背 部光源所產生的光線直射或反射，以免投射到晶圓的表面 並反射到CCD攝影機，因而才考慮使用屏蔽。 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限 定本發明之申請專利範園：凡其它未脫離本發明所揭示之 精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請 專利範圍内。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） I -------- i裝--------訂---------竣 (請先閱讀背面之;t意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 465012 六、申請專利範圍

   修正 1補充 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1. 一種定位裝置，至少包含： 一電荷耦合元件（C C D)攝影機，將其調整以偵測大於 晶圓之第一區域，以便包圍該電荷耦合元件攝影機所要偵 測之該晶圓邊緣； 一背部光源，將其調整而讓光線導向第二區域，該第 二區域從至少該晶圓之該邊緣往外延伸以便由該電荷耦 合元件攝影機所偵測； 一控制器和該電荷耦合元件攝影機操作性的耦合，以 便由該電荷耦合元件攝影機偵測到該背部光線而決定該 晶圓之位置。 2. 如申請專利範圍第1項之定位裝置，其中上述之電荷耦 合元件攝影機和該背部光源放置於該晶圓之第一表面 上，且其中該裝置更至少包含： 一表面位於該晶圓之第二表面之下；及 一屏蔽和該背部光源操作性耦合，從該背部光源所 發出的光線會被阻擋而不會到達該晶圓之該第一表面。 3. 如申請專利範圍第2項之定位裝置，其中上述之屏蔽至 少包含： 一第一屏蔽放置於直接阻擋該背部光源所發出的 光線到達該晶圓之該第一表面；及 一第二屏蔽放置於阻擋該背部光源所發出的反射 \4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） I n t— n t I 0 { tt n .^1 1· I i請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •po465012 g六、申請專利範圍 光線到達該晶圓之該第一^表面ΰ 晶表 亥 亥 -IPJn° 於從 位線 述光 上此 中因 其狀 置链 裝粗 位呈 定面 之表。 項該狀 2 的射 第下散 圍之成 範面變 利表將 專二後 請第之 申該射 如之反 4.圓面 器光 制的 控到 之測 述偵 上所 中機 其影 ，" 置Ϊ It 二 定合 之#。 項荷置 2電位 第該準 圍據對 範根的 利以圓 專整晶 請調定 申以決 如加來 5係線 第 圍 範 利 專 置 裝 位 定 之 項 合置 耦位 荷心 電中 該之 據圓 根晶 以該 整定 請調決 申以來 如加線 6 係光 器該 制之 控到 之測 述偵 上所 中機 其影 —攝 件 元 置 裝 位 定 之相和 項荷準 && - i 2售對 第該之 圍據圓 範把晶 利以該 專整定 請調決 申以來 如加線 7 係光 合中 器該 制之 控到 之測 述偵 上所 中機 其影。 ， -J年 攝置 件位 元^ 糙 置粗 裝呈 位係 定面。 之表狀 項該射 3 的 散 第下為 圍之成 範面將 利表後 專二之 請第射 申該反 如之面 〇〇 圓表 其 狀 晶該 該從 於線 位光 述此 上因 中 > — — — — —11111111 · — I ΐ請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . -泉 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 器該 制之 控到 之測 述偵 上所 中機 其影 ’ 攝 It位I 0 定合置 之麵位 項荷準 l"*-B-j L― 3 ΐ對 第該之 圍據圓 範根晶 利以該 專整定 ί#調決 申以來 如加線 9係光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21C* 297公釐） 46 5 0 1 2 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 範 利 專 請 申 如 係光 器該 以 整 調 以 加 -δ 第據 圍 根 中 之 圓 晶 該 定 決 來 線 位 荷 :) 項電' 3 制之 控到 之測 述偵 上所 中機 其影 ’ 攝 置件 裝元。 J合置 定M 之 範 利 專 請 申 如 係光 器該 制之 控到 之測 述偵 上所 中機 其影 ’攝 置件 裝元t合t 定耦和 項電； 3該 第據 圍 根 以 整 調 以 加 對 之 圓 晶 該 定 決 來 線 置 位 心 含 包 少 至 法 方 之 圓 晶 位 定 種 亮 照 部 背 之 圓 晶 將 及置 •， 位 線之 光圓 部晶 背該 該定 測決 偵來 機線 影光 攝部 件背 元該 合之 H% 1MJ 荷偵 電所 由據 經根 利 專 請 申放上 如 ® 13表 荷 電 置 法 方 之 項 2攝 1件 第元 圍合 範 含 包 少 至 更 中 其 第 之 圓 晶 該 之 測 偵 被 於 機 影 晶 該該 之從 偵阻面 被以表 於源一 源光第 光部該 部背之 背該圓 置蔽晶 放屏該 達 到 第 該 之 圓 光 部 背 •----------I I I · ) i <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 上 面 表 及線 光 之 出 發 所 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 β— 背 該 蔽 屏 述 上 其 法 方 之 項 3 11 第 ： 圍含 範包 ί.少 專至 請淨 申步 如源 14光 線 光 接 直 之 出 發 所 源 光 部 背及 該 ； 擋面 阻表 以一 蔽第 屏該 一 之 第圓 置晶 放該 達 到 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 4t ο 5 6 4 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 放置第二屏蔽以阻擋反射之背部光線到達該晶圓之 該第一表面。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中更至少包含： 從位於該晶圓之第二表面之下的表面散射背部光 線； 以該電荷耦合元件攝影機偵測該散射背部光線； 以該散射背部光線決定該晶圓之位置。 1 6 如申請專利範圍第1 4項之方法，其中更至少包含： 從位於該晶圓之該第二表面下之反應室的表面散射 背部光線； 以該電荷耦合元件攝影機偵測該散射背部光線； 以該散射背部光線決定該晶圓之位置。 1 7 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中更至少包含： 根據所決定之位置來調整晶圓處理器之操作以傳送 該晶圓1因而來調整該晶圓之位置。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之方法，其中上述之調整該晶 圓之位置至少包含將該晶圓定位到中心。 1 9.如申請專利範圍第1 7項之方法，其中上述之調整該晶 圓之位置至少包含將該晶圓對準。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) ---------1----裝--------訂i ί n ϋ 1 n 1 ( -- -X請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 465012 g D8六、申請專利範圍 2 0 如申請專利範圍第1 7項之方法，其中上述之調整該晶 圊之位置至少包含將該晶圓定位到中心並對準。 製 體 導 半 .t?f 種 第 處 圓 晶 晶 送 傳 以 器 3 處 圓 : 晶 含 一 包第 少含 至包 ，室 備應 設反 造理 圓 該 送 傳 以 器 glj 理 處 圓 晶二 第 含 包 室 應 反 理 處 圓 晶二 第 圓 晶 第處 該圓 和晶 室 一 應第 反該 理在 處收 圓接 晶以 一 整 第努 ^其 =& 等 在 T 合間 耦之 室室 應應 反反 送理 傳處 一 圓 晶 圓 晶 該 的 送 傳 間置 。 之裝置 室位位 應定之 反之圓 理項晶 處 1 之 圓第過 晶圍通 二範測 第利偵 該專便 和請以 室申合 應如耦 反 的 理 性 及作 操 站 送 傳 該 和 ----------4 -裝--- 4 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 製 體 導 半 種 第 處 圓 晶 送 傳 以 器 理 處 圓 · 晶 含 一 包第 少含 至包 ’ 室 備應 設反 造理 圓 第 該 送 傳 以 °yb ?-1 理 處 晶二 第 含 包 室 應 反 ?-1 理 處 圓 圓 晶 第處 該圓 和晶 室 一 應第 反該 理在 處收 圓接 晶以 一 整 周 第 P ^ 其 字 在 7 合間 輕之 室室 應應 反反 送理 傳處 一 圓 日阳 缦濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 第 該 和 室 應 反 理 圓 晶 該 的 送 傳 間置。 之裝置 室位位 應定之 反之圓 理項晶 處 2 之 圓第過 晶圍通 二範測 利偵 專便 請以 申合 如耦 的 性 及作 操 站 送 傳 該 和 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 465012 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 2 3 ·. —種半導體製造設備，至少包含： 第一晶圓處理反應室包含第一晶圓處理器以傳送晶 圓； 第二晶圓處理反應室包含第二晶圓處理器以傳送該 晶圓， 一傳送反應室耦合在該第一晶圓處理反應室和該第 二晶圓處理反應室之間，將其調整以接收在該第一晶圓處 理反應室和該第二晶圓處理反應室之間傳送的該晶圓；及 如申請專利範圍第3項之定位裝置，和該傳送站操作 性的搞合以便彳貞測通過之晶圓之位置。 -— ____- _________________· I L___It I It) -5 { (請先.閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉