TW464931B - Heating processing device - Google Patents

Heating processing device Download PDF

Info

Publication number
TW464931B
TW464931B TW089121849A TW89121849A TW464931B TW 464931 B TW464931 B TW 464931B TW 089121849 A TW089121849 A TW 089121849A TW 89121849 A TW89121849 A TW 89121849A TW 464931 B TW464931 B TW 464931B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat treatment
plate
space
hot plate
substrate
Prior art date
Application number
TW089121849A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Sakamoto
Takamitsu Yamaguchi
Masato Kubo
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW464931B publication Critical patent/TW464931B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

46493 1 A7 ' -___B7___ 五、發明說明(1 ) 【發明背景】 本發明爲關於L C D基板等基板加熱處理作業的加熱 處理裝置。 液晶顯示裝置(L C D )的製造,是在玻璃製長方形 L C ϋ基板塗敷抗光液以形成抗光膜,而以電路型樣將抗 光膜曝光、顯影之所謂光刻技術,製作電路型樣。以往爲 實施這一系列工程需要複數處理單元的抗光物塗敷及顯影 系統。 這種塗敷抗光物及顯影系統,在塗敷抗光液於基板後 或顯影前後,以加熱處理單元對基板進行加熱處理。這種 加熱處理單元,採用將基板直接放置於熱板上的接觸烘烤 ,或在熱板與基板間留設微小間隙的非接觸烘烤方式。其 中非接觸烘烤處理方式,因基板不接觸熱板,所以可避免 基板產生帶電等不良製品的優點。 可是以往的加熱處理單元,在構造上具有不易使基板 或熱板的溫度保持均一的缺點,尤其是上述非接觸烘烤方 式爲甚。爲解決此問題,曾考慮改用密閉氣密構造加熱處 理裝置的加熱處理單元,但是由於抗光膜所產生的昇華物 及揮發物容易滯留,且裝置的維護不易而未見實用。_ 因此,將熱板與天井部之間所構成的加熱處理空間以 遮擋板作成可開閉的構成,在遮擋板與熱板之間設置若干 間隙狀態進行排氣的加熱處理裝置,被使用爲加熱處理單 元。此加熱處理裝置係由遮擋板與熱板間的間隙導入外氣 供排除抗光物昇華物等,以防止滯留於加熱處理空間,再 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4- V·· -./ ------------------r---訂---------線 i , J (請先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 4 6, 4 9 3 1 ---------B7________ 五、發明說明(2 ) &可開閉的圍繞構件使維護作業更加容易進行。 【發明槪要】 但是如上所述的加熱處理裝置’.由於遮擋板與熱板間 的間隙所導入外氣將奪取熱板及基板的熱量,產生致使溫 度均一性惡化的問題。尤其這種加熱處理裝置用以處理 L C D基板的熱處理時,因熱板及基板的四隅角容易降溫 ’形成四隅角爲低溫的特殊溫度分布,致使溫度均一性更 加惡化。 爲解決此問題,採取在上述加熱處理裝置的覆蓋構件 與遮擋板間增設間隙,由此導入外氣以減少流入熱板與遮 擋板間的外氣的因應對策。但是此方式因基板受外氣(下 降氣流)影響加大•使溫度分布的安定性惡化。尤其對於 複數加熱處理裝置間容易產生個差。 本發明鑑於上情1以提供抗光物昇華物不易滯留於裝 置內,可防止外氣的侵入而使被處理基板的溫度分布不安 定,可對被處理基板的溫度進行高精度控制的加熱處理裝 置爲目的。 爲解決上述課題,依本發明的第1觀點爲,提供具有 在加熱的熱板上載置被處理基板,及具備可圍繞上述熱板 上方對於所規定被處理基板進行加熱處理的加熱處理空間 的圍繞構件,及前述圍繞構件在圍繞加熱處理空間之際, 將前述熱板周圍加以近於密閉的密封機構,及在前述加熱 處理空間由外緣向中央形成氣流的氣流形成手段等特徵的 . -----r---訂---------線·;VJ. {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,k.
IP 經濟部智慧財產局員工消費合ftfi印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 4 6 4 9 3 1 A7 ----- B7 五、發明說明(3 ) 加熱處理裝置。 此種構成將熱板周圍幾乎加以密閉,防止外氣由熱板 周圍_的間隙侵入,因此可防止由意外的外氣對被處理基板 產生溫度偏差或溫度分布的不安定,此外在加熱處理空間 可形成由外緣向中央的氣流,有助於被處理基板溫度的均 一性。可對基板溫度進行高精度的控制。又因氣流的形成 亦可防止昇華物的滞留。 ' 本發明者等曾經提出將熱板周圍大致加以密閉,由熱 板中央向外緣形成氣流的加熱處理裝置,認爲如此可增加 被處理基板的溫度分布均一、安定化且高精度化。但是由 中央向外緣的氣流雖有上述正面效果,卻有偏向基板長邊 方向的中央流動而不容易維持排氣的均衡,確認在基板周 緣部的長邊中央部分,容易產生低溫部分=因此本發明改 由外緣向中央形成的氣流以改善排氣的均衡,防止基板的 局部溫降,以實現高精度的溫度控制。 本發明的第2觀點爲提供,配置被處理基板*並具備 對前述被處理基板加熱的熱板,及可圍繞前述熱板上方對 於所規定被處理基板進行加熱處理的加熱處理空間的圍繞 構件,及覆蓋前述加熱處理空間上方的覆蓋構件,及前述 圍繞構件在圍繞加熱處理空間之際,將前述熱板與前述圍 繞構件間的間隙及前述覆蓋構件與前述圍繞構件間的間隙 加以封閉的密封機構,及設在前述覆蓋構件的外側中央部 ,爲導入外氣的外氣導入部及排出前述加熱處理空間的具 有排氣部導管構件,及介由前述排氣部對前述加熱處理空 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) }裝--------訂---------線1 I, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 464931 A7 B7 五、發明說明(4 ) 間加以排氣的排氣機構,及在前述加熱處理空間上部以對 向於前述熱板位置配置的第1整流板(在中央形成開口) 等’當運轉前述排氣機構之際,由前述外氣導入部所導入 的外氣係沿前述第1整流板上面流至前述加熱處理空間外 緣側,再沿前述第1整流板下面經由前述加熱處理空間外 緣側流至中央’介由前述第1整流板的開口由前述導管構 件的排氣部排出的加熱處理裝置。 此加熱處理裝置,係以密封機構加以大致密封狀態, 介由導管構件的排氣部進行熱處理空間的排氣,同時由外 氣導入部導入外氣,由第1整流板下面沿外緣向中央形成 氣流,所以易於維持排氣的均衡,不致於引起基板溫度分 布的不安定,以外氣置換加熱處理空間的廢氣加以防止抗 光物昇華物的滯留,及維持被處理基板溫度的均一以達成 基板溫度的高精度控制。 【發明之實施形態】 參照附圖,就本發明的實施形態加以說明如下。 第1圖表示適用本發明的L C D基板抗光物塗敷、顯 影處理系統平面圖。 此塗敷、顯影處理系統係配置載置卡匣C (收容複數 L CD基板G)的卡匣站1 ,及備有對基板G實施塗敷抗 光物與顯影等一系列處理的複數處理單元的處理部2,及 與曝光裝置(圖內未標示)之間進行收、送基板G的介面 部3等,處理部2的兩端分別配置卡匣站1及介面部3。 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .一裝--------訂----- ----線 I· 娌濟部智慧財產局員工消費合作社印製 464931 A7 ------ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5 ) 卡匣站_1備有在卡匣C與處理部2間輸送L CD基板 的輸送機構1 〇。在卡匣站1進行卡匣C的進出運送。輸 送機構1 0係備有可沿著卡匣的配列方向所設置的輸送線 路1 0 a上移動的輸送臂1 1,利用此輸送臂1 1在卡匣 C與處理部2間進行基板G的運送。 處理部2分爲前段部2 a、中段部2 b及後段部2 c ’分別在中央設有輸送線路1 2、1 3及1 4,在這些輸 送線路兩側各配設處理單元而中間設有中繼部1 5及1 6 α 前段部2 a係備有可沿輸送線路1 2移動的主輸送裝 置1 7 ’輸送線路1 2的一側配置兩個洗淨單元(s C R )2 1 a 、2 1 b,輸送線路1 2的另一側配置將紫外線 照射單元(U V )與冷卻單元(C 0 L )以兩段組合的處 理塊2 5,及將加熱處理單元(Η P )以兩段重復所組合 的處理塊2 6及將冷卻單元(COL )以兩段重復所組合 的處理塊2 7。 ’ 中段部2 b係備有可沿輸送線路線1 3移動的主輸送 裝置1 8,輸送路線1 3的一側配置以二者合爲一體的抗 光物塗布處理單元(C T ) 2 2與去除基板G周緣部抗光 物去除單元(E R ) 2 3 ,輸送線路1 3的另一側配置將 加熱處理單元(Η P )以兩段重復所組合的處理塊2 8 ’ 及以上下重疊加熱處理單元(ΗΡ )與冷卻單元(COL )所組合的處理塊2 9 ,及將黏著(a d h e s i ◦ η )處理單元 (AD )與冷卻單元(C 0 L )以上下重疊所組合的處理 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 -8 - ------------「/裝-! _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 陰 訂---- 气V. A7 B7 五、發明說明(6 ) 塊3 0。 後段部2 c係備有可沿輸送線路1 4移動的主輸送裝 置1 9 ’輸送路線1 4的一側配置三個顯影處理單元2 4 a ' 2 4 b及2 4 c ’輸送線路1 4的另—側配置將加熱 處理單元(Η P )以兩段重復所組合的處理塊3 ;[_ ,及上 下重疊加熱處理單元(Η P )與冷卻單元(c 〇 L )所組 合的處理塊3 2、3 3。 處理部2係以輸送路線爲界,一側只配置以洗淨單元 2 1 a ,抗光物處理單元2 2,顯影處理單元2 4 a等旋 轉系單元,另一側只配置加熱處理單元及冷卻處理單元等 熱處理系單元。 中繼部1 5、1 6的旋轉系單元配置側部分,配置藥 液供給單元3 4以及維修主輸送裝置用空間3 5。 上述主輸送裝置1 7、1 8、1 9分別備有水平面內 的二方向X軸驅動機構、Y軸驅動機構,及垂直方向的Z 軸驅動機構,及以Z軸爲旋轉中心的旋轉驅動機構,以及 支撐基板G的臂部17a、18a、19a。 上述主輸送裝置1 7具有與輸送機構1 0的臂部1 1 之間進行基板G的收、送,同時具有對前段部2 a各處理 單元進行基板G的搬進、搬出,且與中繼部1 5之間具有 進行收、送基板G的功能。又主輸送裝置1 8具有與中繼 部1 5之間進行基板G的收' 送之外,對中段部2 b的各 處理單元具有進行基板G的搬進、搬出’更與中繼部1 6 之間具有進行基板G的收、送功能。此外主輸送裝置1 9 (諝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) j 裝--------訂-------線- Λ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 4^493 1 A7 ___________B7_____ 五、發明說明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有與中繼部1 6之間進行基板G的收、送之外,對後段 部2 c的各處理單元具有進行基板〇的搬進、搬出,更與 介面部3之間具有進行基板G的收、送功能。又中繼部 1 5、1 6尙具有冷卻板的機能。 介面部3 ’備有與處理部2之間收 '送基板時握持基 板的延伸部3 6,及設置在兩側的配置緩衝卡匣的兩個緩 衝台3 7 ,及對曝光裝置(圖內未予標示)進行基板G的 搬進、搬出用輸送機構3 8。輸送機構3 8設有可沿著延 伸部3 6及緩衝台3 7配列方向的搬送路線3 8 a上移動 的輸送臂3 9,由此輸送臂3 9輸送處理部2與曝光裝置 間的基板G。 如此將各處理單元彙集爲一體,以期節省空間及提升 效率。 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此構成的抗光物塗敷、顯影處理系統,係將卡匣C 內的基板G輸送至處理部2,在處理部2先由前段部2 a 處理塊2 5的紫外線照射單元(U V )進行表面改質及洗 淨處理,冷卻處理單元(COL )冷卻後,由洗淨單元( E C R ) 2 1 a、2 Γ b擦洗,再由處理塊2 6的任一加 熱處理單元(HP )加熱乾燥後,以處理塊2 7的任一冷 卻單元(C ◦ L )加以冷卻。 然後將基板G送至中段部2 b,由處理塊3 0上段的 黏著處理單元(A D )加以疏水化處理(Η M D S處理) 以提高抗光物的定著性’經下段的冷卻處理單元(C 0 L )冷卻後,由抗光物塗敷處理單元(C Τ ) 2 2加以塗敷 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -1〇. 48493 t A7 B7 五、發明說明(8 ) 抗光物,並由周緣部抗光物去除單元(E R ) 2 3去除基 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 板G周緣的多餘抗光物。最後由中段部2 b的加熱處理單 元(Η P )之一將基板G加以先期焙烤,經.處理塊2 9或 3 0下段的冷卻單元(C 0 L )冷卻。 然後介由介面部3以主輸送裝置19將基板G由中繼 部1 6輸送至曝光裝置進行指定的型樣曝光。再介由介面 部3搬入,依需要由後段部2c的處理塊31、32、 3 3的任一加熱處理單元(Η P )施以曝光後焙烤處理後 ,經由顯影處理單元(DEV) 24a 、24b、24c 的任一加以顯影處理,製成所指定的電路型樣。完成顯處 理的基G將由後段部2 c的任一加熱處理單元(Η P )施 以後期焙烤後,再經任一冷卻單元(C 0 L )冷卻後,由 主輸送裝置1 9、1 8、1 7及輸送機構1 〇收納於卡匣 站1的指定卡匣內。 以下將對上述塗敷、顯影處理系統的處理塊2 6、 28、3 1、32、33所使用,適合本發明加熱處理裝 置的加熱處理單元(Η Ρ )加以說明。第2圖爲本發明的 第1實施形態的加熱處理單元模式剖面圖。第3圖爲第2 圖A - Α剖面的下視略圖,第4圖爲第2圖Β — Β剖面的 下視略圖。 第2至4圖所示本加熱處理單元(HP ),主要由面 向塗敷、顯影系統的輸送線路1 2、1 3或1 4側具有開 口 6 0 a的外殼6 0 ’及收納於外殼6 0內用以對基板加 熱的熱板4 1 ,及覆蓋在外殻6 0上方的覆蓋構件5 γ, 本紙張尺度璉用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 11 464931 經濟部智慧財產局員工消費合作Fiivsd A7 B7 五、發明說明(9 ) -及可圍繞覆蓋構件5 7與熱板4 1間所形成加熱處理空 6 5的繞構件4 8,及位於加熱處理空間6 5上方以對向 位置配置的第1整流板5 4及第2整流板5 5 ,及具有外 氣導入部59與排氣部58的導管構件66 ,及連接在排 氣部5 8的排氣管5 8 a上所設置的排氣機構7 6所構成 。其中由外氣導入部59、排氣部5 8、排氣機構76 、 第1整流板5 4及第2整流板5 5構成後述形成氣流的氣 流形成手段。至於第2整流板5 5是爲防止在開口 5 3附 近形成亂流,及防止開口 5 3對基板G及熱板4 1的溫度 分布產生不良影響所設補助物件,並非形成後述氣流所必 須之物件。 熱板4 1可由鋁合金等所構成,爲配合基板G的形狀 頂面製成長方形。熱板4 1的內側埋設未加圖示的加熱器 及溫度感測器,由溫度感測器將檢測的溫度傳送至未圖示 的控制部,以調節加熱器的發熱量,熱板4 1的溫度通常 保持在攝氏1 2 0〜1 5 0度間的指定溫度。 熱板4 1可設9個貫穿孔43。這些貫穿孔43,分 別穿插支撐基板G的支撐銷4 4。支撐銷4 4係由設在熱 板4 1下面的保持構件4 6所支摄。保持構件4 6係連接 在保持構件昇降機構4 7。可由保持構件昇降機構4 7加 以昇降保持構件4 6,使支撐銷4 4對熱板4 1表面產生 上突、下縮運作。 此加熱處理單元(HP )裝置與臂部1 7 a 、1 8 a 、1 9 a間進行基板G的收、送之際’由保持構件昇降機 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12 - ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 4 6 4 9 3 1 ___________B7___ 五、發明說明(10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 構4 7將保持構件4 6上昇,使支撐銷4 4突出於熱扳 4 1的狀態’由臂部17a ' 18a、19 a與支撐銷 4 4之間進行基板G的收、送。 收取基板G之後’進行加熱處理之際,可由保持構件 昇降機構4 7將保持構件4 6下降指定距離,使基板歸位 。如熱板4 1與基板G需在相接觸狀態下進行接觸焙烤時 ,可使支撐銷4 4完全沒入熱板4 1的表面,令基板G直 接載置於熱板狀態進行加熱處理。如熱板4 1與基板G需 在不接觸狀態下進行先期焙烤時,可將支撐銷4 4突出熱 板表面指定高度狀態下進行加熱處理,或以未圖示的間隔 板確保間隔進行加熱處理亦可。 經濟部智慧財產局員工消費=乍!£沪贤 熱板4 1下方,設有反射板4 2加以反射熱板4 1的 熱。此反射板4 2不僅對熱板下面還含蓋熱板側面,換言 之,反射板4 2呈現收容熱板4 1的薄型容器狀。反射板 4 2與熱板4 1係由未圖示的間隔板以指定間隔加以隔開 ’反射板4 2與熱板4 1之間設有防止外氣由熱板下方入 侵的密封構件4 2 a。反射板4 2的形狀及反射板4 2與 熱板4 1的相關位置,可依配置發熱器的發熱模樣,及熱 板4 1所要求的溫度模樣加以調整。密封構件4 2 a可使 用矽膠等適當材料。 上述第1整流板5 4,係以對向於熱板4 1的位置設 在加熱處理空間6 5上方,對應於熱板4 1的中央位置設 有開口 5 3。第1整流板5 4係配合熱板4 1及基板G的 形狀製成長方形。第1整流板5 4與熱板4 1相對的板面 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規袼(210 X 297公髮) 464931 A7 j-------_B7___五、發明說明(11 ) 如施以1¾面處理或電鍍等提闻反射率的表面處理,可由第 1整流板5 4將熱板4 1的輻射熱加以反射,形成對基板 G的兩面加熱,增加熱效應。 上述第2整流板5 5,係與第1整流板5 4的開口 5 3以對向位置,設置在第1整流板5 4與熱板4 1之間 ’其大小略大於開口 5 3。第2整流板5 5係配合熱板 4 1的形狀作成長方形,如第7圖所示,第2整流板5 5 的形狀與熱板4 1的形狀相似’可對基板g面施加均一的 加熱處理。又開口 5 3的形狀與第2整流板5 5的形狀相 似,作成長方形。如提高第2整流板5 5的反射率,因第 2整流板5 5的反射熱而可能使基板G的局部溫度上昇, 所以第2整流板5 5面向熱板4 1的表面,以加工爲黑色 等設法降低反射率爲宜。 上述覆蓋構件5 7,係位於第1整流板5 4上方,以 可覆蓋全加熱處理空間6 5上部加以配置,此覆蓋構件 5 7的上部中央裝設前述導管構件6 6。導管構件6 6, 具有上部6 6 a及下部6 6 b,上部6 6 a裝設兩個排氣 部5 8 ,下部6 6 b設有兩個外氣導入部5 9。導管構件 % ί 66 ,在其中央部位有筒狀構件56 ,由上部66a的底 I 部貫穿下部6 6b至第1整流板5 4的開口 5 3。上述2 \ 排氣部5 8係並設於上部6 6 a的一側壁,上述外氣導入 - 部5 9係設在下部6 6 b的側面隔著筒狀構件5 6相對峙 ί » · β ο • 上述筒狀構件5 6的下部係形成於覆蓋構件5 7的中 .....A.j... ^ .......1 . ----------I^-------I --- -----丫 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標竿(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14- 464931 A7 B7 vr >F Lu 3 J·- 五、發明說明(彳2 ) 央’插入大於筒狀構件5 6的孔部5 7 a 。因此該部分由 覆蓋構件5 7與筒狀構件5 6形成間隙5 6 a。由外氣導 入部5 9所導入的外氣係經由間隙5 6 a送到加熱處理空 間6 5,此時間隙5 6 a扮演外氣導入路徑的·功能。而筒 狀構件5 6內側係介由開口 5 3通往加熱處理空間6 5 , 扮演排氣路徑的功能。 排氣部5 8接有排氣管5 8 a ,此排氣管5 8 a連接 在前述排氣機構7 6。因此驅動排氣機構7 6,可使外氣 由外氣導入部5 9經間隙5 6 a至加熱處理空間6 5 ,通 過加熱處理空間6 5行經筒狀構件5 6內側、上部6 6 a 內空間而由排氣部5 8排出。 上述遮擋板4 8,係以包圍熱板4 1及反射板4 2而 可昇降方式加以裝設。遮擋板4 8連結在遮擋板昇降機構 4 9,驅動遮擋板昇降機構4 9可昇降遮擋板4 8。當與 臂部1 7 a、1 8 a或1 9 a進行收、送基板G時,係操 作遮擋板昇降機構4 9使遮擋板4 8下降,當進行基板G 的加熱處理時,係操作遮擋板昇降機構4 9使遮擋板4 8 上昇,將覆蓋構件5 7與熱板4 1間所形成的加熱處理空 6 5加以圍繞。當遮擋板4 8在下降狀態時,較容易進行 裝置的維修工作。 遮擋板4 8的上端部設有第1抵接構件6 1 ,覆蓋構 件5 7的底面外緣側設有第2抵接構件6 3 ,在第2抵接 構件6 3的下面貼有彈性構件6 4。當遮擋板4 8上昇時 ,第1抵接構件6 1與第2抵接構件6 3,介由彈性構件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} '袭------訂 ---
P ο 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15· 464931 A7 B7 五、發明說明(13 ) 6 4相互抵接,而將遮擋板4 8與覆蓋構件5 7之間加以 密閉,使外氣無法由遮擋板.4 8與覆蓋構件5 了之間侵入 〇 在遮擋板4 8內側下部,將第i卡合構件5 z以向內 緣突出狀態加以設置,並將彈性構件5 〇貼在第丨卡合構 件5 1的上面。又將第2卡合構件4 5以向外緣突出狀態 設置在反射板4 2。第1卡合構件5 1與第2卡合構件 4 5 ’係於遮擋板4 8上昇時,介由彈性構件5 〇相互卡 合’而將遮檔板4 8與反射板4 2之間加以密閉,使進行 加熱處理時外氣無法由遮擋板4 8與反射板4 2之間侵入 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % % 將使用本實施形 熱處理時的操作,依 板4 8下降狀態下, 。其次將握持基板G 口 6 0 a伸入,將基 臂部 1 7 A、1 8 A 遮擋板昇降機構4 9 致密閉,並由熱板表 設定高度,運轉排氣 行基板G的加熱處理 運轉排氣機構7 氣部5 8排出,同時 理空間6 5。如此同 態的加熱處理裝置,進行基板G的加 據第5圖加以說明如後。首先在遮擋 使支撐銷4 4突出於熱板4 1的表面 的臂部17a 、18a ' 19a由開 板G放置於支撐銷4 4上面。然後將 ,1 9 A由開口部6 0 a退出後,以 上昇遮擋板4 8 ’將熱板4 1的周大 面降低支擦銷4 4 ’將基板G調整在 機構7 6進行排氣同時以熱板4 1進 〇 6,可將加熱處理空間6 5廢氣由排 由外氣導入部5 9將外氣導入加熱處 時進行排氣與外氣導入’使外氣導入 /裝!—訂 i I I J I I--線, 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -16- 4 6 49'31' A7 ----—____B7_______ 五、發明說明(14 ) 部5 9所導入的外氣,由筒狀構件5 6與覆蓋構件5 7間 的間隙5 6 a ,經第1 .整流板5 4,與覆蓋構件5 7間流 入’沿第1整流板5 4的頂面向加熱處理空間6 5的外緣 側流入’然後沿第1整流板5 4的底面由加熱處理空間的 外緣流向中央,形成經由第1整流板5 4與第2整流板 5 5間的間隙流向開口 .5 3的氣流。第5圖以虛線標示氣 流流向。 本實施形態的加熱處理裝置,如上所述係上昇遮擋板 4 8將熱板4 1的周圍大致加以密閉狀態下進行加熱處理 ’不會如往例在加熱處理中有外氣入侵熱板4 1周圍的情 形’可防止基板G的溫度分布惡化及不安定,可將熱板的 熱更有效地利用於加熱處理。又如上述沿第1整流板5 4 底面由加熱處理空間的外側向中央所形成的氣流,可防止 基板溫度發生局部偏差,對基板G及熱板4 1的溫度可進 行高精度的控制。再者可同時進行外氣導入與排氣,可將 加熱處理空間6 5保持在連續置換空氣下進行加熱處理, 可在抗光物昇華物不易滯留的狀態下進行加熱處理。 在上述加熱處理裝置1如改由外氣導入部5 9排氣, 由開口 5 3導入外氣的構成,將氣流方向與本發明相反時 ,容易在基板G及熱板41外緣部的長邊中央部分產生局 部低溫部分,不容易進行基板G的高精度溫度控制。 但是如.本實施形態的加熱處理裝置,形成由外緣向中 央的氣流時,基板G及熱板4 1的溫度不致於產生局部溫 度偏差。.這現象應該是起因於中央向外緣所形成的氣流不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先間讀背面之注意事項再填窝本頁)
a6A93h Α7 Β7 五、發明說明(彳5 ) 容易保持排氣的平衡而產生氣流的偏差,由氣流的偏差產 生溫度的偏差,但本發明例的由外緣向中央所形成的氣流 谷易保持排氣的平衡而容易形成均勻的氣流t對基板及熱 板不會產生局部溫度偏差。 以下利用第8及9圖,就加熱處理裝置中,由中央向 外緣的氣流與由外緣向中央的氣流^對熱板加熱狀態的表 面溫度偏差測定結果加以說明。第8圖標示將熱板4 區 分爲九個領域1 0 1〜1 〇 9的狀態。第9圖表示在排氣 量1 · 37立方公尺/每分之下ιοί〜log各領域的 熱板溫度變化情形,第9圖(a )爲由中央向外緣氣流所 形成的圖表,第9圖(b )爲由外緣向中央氣流所形成的 圖表。如弟9圖(a )及第9圖(b )所示,由外緣向中 央所形成的氣流(本實施形態的加熱處理裝置),比φ & 向外緣所形成的氣流對熱板面溫度所產生的偏差較少。而 基板G係載置於熱板上加熱,基板G的受熱狀態與熱扳白勺 加熱狀態大致相似,所以由外緣向中央形成氣流的加熱處 理裝置,可對基板G施以表面溫度偏差較少的加熱處理。 第1實施形態的加熱處理裝置,係利用第1整流板 5 4形成上述由加熱處理空間的外綠向中央形成氣流,達 成由外氣導入部5 9導入的外氣向加熱處理空間6 5的外 緣全面分散 > 可沿第1整流板5 4面向熱扳4 1側形成大 致均一的氣流,可有效防止因氣流偏差對基板G及熱板 4 1所產生的局部溫度偏差。 又利用第1整流板5 4形成如上所述氣流時,外氣將 本紙張尺度適用中國國家標(CNS)A4 格(21G x 297 ϋ - 1δ - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 二 * n n 1 n 1> >^1 4.6 49 31 A7 __ B7 五、發明說明(16 ) 在第1整流板5 4與上部覆蓋搆件5 了間的間隙被加溫後 到達熱板4 1 ,所以可減少外氣對基板G及熱板4 1的熱 影響。 再以第2整流板5 5係以對向於1整流板5 4的開口 5 3位置加以配置,所以可防止在開口 5 3部位產生亂流 ’而達成基板G及熱板的溫度均一化及高精度控制。又由 於第2整流板5 5的設置,可防止開口 5 3對基板G及熱 板4 1產生溫度分布的負面影響。 此外本發明並不限定於上述實施形態,可有多種變彤 的可能。例如第2實施形態的遮擋板4 8與反射板4,2間 的密閉方式,可以採取如第6圖所示,在沿遮擋板4 8內 緣貯存液體7 1的構成,當遮擋板4 8上昇時,設置在反 射板4 2外緣的突起部7 5沒入液體7 1內,由突起部 7 5與液體7 1將遮擋板4 8與反射板4 2之間加以密閉 。又可在裝設於熱板4 1的貫穿孔4 3與支撐銷4 4之間 加設轉軸用的密封構件,將貫穿孔4 3與支撐銷4 4之間 加以密封亦可。 又第3實施形態係將加熱處理裝置的排氣量改爲可變 化的構造。具體而言,在第1實施形態係將第2整流板 5 5加以固定,如第1 〇圖所示將第2整流板1 5 5改爲 對基板G厚度方向可移動的構造而改變排氣量。換言之, 將第2整流板1 5 5移向圖表的上方,將第1整流板5 4 與第2整流板1 5 5的間隔加以縮小而減少排氣量。如此 可在加熱處理過程中將排氣遂漸緩慢減量或完全停止。這 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) m tx---------Αν. 經濟部智慧財產局員工消費合阼F£.:pai 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公袭) -19- 1 493 t A7 _____ B7 __ 五、發明說明(Ί7 ) 種處理|可在加熱處理初期快速排出抗光物昇華物,而抗 光物昇華物大致排盡時減少排氣量甚至停止排氣,可在無 氣流影響下對基板G進行高效率的加熱處理。 又第4實施形態爲第1 1及1 2圖所示,對第1實施 形態的構造,在第2整流板5 5面向第1整流板5 4的表 面,增設比如八個板2 5 3。這種構造可將第2整流板 5 5至排氣部5 8的熱排氣偏差低減。因此可降低由於氣 流偏差對基板表面及影響第1整流板5 4所產生的熱影響 。設置在第2整流板5 5的板可採用如第1 3圖所示,向 第2整流板5 5中心部逐漸增加高度的板2 5 4。又可如 第1 4圖所示,分別四張板2 5 5分別在中心部相交的放 射狀配置亦可。 又上述實施形態係將筒狀構件5 6的頂部設在低於排 氣部5 8的底部,但第5實施形態可如第1 5圖所示,將 筒狀構件5 6的頂部設在高於排氣部5 8的底部亦可,但 最好將筒狀構件5 6的頂部設在高出排氣部5 8的中央部 位。 如上所述實施形態,當筒狀構件5 6的頂部低於排氣 部5 8的底部時,如第1 6及1 7圖所示,將由筒狀構件 5 6向排氣部5 8如箭頭所示方向產生氣流,可能使該領 域內的溫度上昇而在排氣部內產生熱偏差。相較之下如第 1 5圖所示,如將筒狀構件3 5 6頂部加高至超過排氣部 5 8的底部時,通過筒狀構件3 5 6內的排氣,將改向水 平方向,可抑制上述局部領域的溫度上昇,而消減排氣部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝---I----訂!--» 線〔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) -20- 經濟部智慧財產局員X消費合阼.ft申ai 4 6 4 9 3 t A7 B7 五、發明說明(1δ ) 內的熱偏差。又同狀構件3 5 6的頂部如1¾於排氣I部5 8 的頂部時排氣壓損失將加大’因此筒狀構件3 5 6的頂部 應設計爲低於排氣部5 8的頂部爲宜。 以上各實施形態改用以下構成的熱板4 1亦可。 如第1 8圖所示,在該熱板4 1上面設置將基板G引 導至加熱處理熱板4 1指定位置的引導構件1 8 1。引導 構件1 8 1可在基板G每邊設兩個,共計八個。 如第1 9圖所示,此引導構件1 8 1係由配置在熱板 4 1上指定位置的基台1 9 1 ,及設在基台1 9 1可向基 台長邊方向旋轉滾動的滾輪1 9 2所構成。 第2 0圖係表不基板G不在指定位置,而基板G的一 邊騎在滾輪1 9 2上(如點線所示部分)。在此狀態時由 於基板G的重量使滾輪1 9 2回轉將玻璃基板G引導至指 定位置(如實線所示部分)。
由於在熱板41上設置引導構件181 ,可將基板G 更加準確地對準整流板5 5及開口 5 3等,可改善提升基 板G在加熱處理時的溫度分布。經引導構件1 8 1定位後 的基板G,由於引導構件1 8 1具有防止基板G向水平方 向位移的止滑功能’可改善提升溫度分布。尤其基板G的 大小增大時容易產生撓曲’如不具有上述滾輪的導引構件 ,如具有導引用斜面的導引構件,經常發生基板未完全滑 落而滯留在斜面半途,所以具有滾輪的導引構件對於定位 手段非常確實有效。 上述實施形態爲本發明的加熱處理裝置適甩於抗光物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) -21 - {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、裝--------訂--------線/Y 6' 4 9! 3 1 A7 ____ B7 _五、發明說明(19 ) 塗敷、顯影單元之例’但本發明並不限定於此,尙可適用 於其他處理用途。上述實施形態係對於L C D基板的情形 加以說明,但本發明不限定於此,對於其他基板的處理亦 可適用,自不待言。 如上所述,本發明係以密封機構將熱板大致密閉狀態 下進行加熱處理,在加熱處理時可防止外氣侵入熱板周邊 ,可避免基板溫度的偏差及不安定性,同時由氣流形成手 段積極促成由加熱處理空間的外圍向中央形成氣流,增進 排氣平衡,防止基板形成局部溫度低降,使受處理基板的 溫度均一化。因此對基板可達成高精度的溫度控制。由於 此種氣流的形成,亦可防止抗光物昇華物的滞留。 對於氣流形成手段,將外氣導入部導入的外氣沿第1 整流板頂面導至外綠,形成沿第1整流板底面由外緣向中 央的氣流’介由第1整流板中央所設開口排出,而在加熱 處理空間有效地由外緣向中央形成氣流,亦可極有效地防 止抗光物昇華物等滯留在加熱處理空間內。此種氣流形成 手段,如將第2整流板以對向於第1整流板的開口加以配 置,可整理開口附近的氣流,防止開口對基板溫度的不良 影響。 k寸於上述氣流齡成手段,可在第1整流板施以高反射 率的表面處理,以增加基板加熱處的效率,又如在第2整 流板施以低反射率的表面處理,增加第1及第2整流板的 表面狀態差異,抵消基板中央部與周邊部間所產生溫度分 布變位,可更加提升基板溫度的均一性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -22 - 4.§_3ί Α7 ^_________Β7____ 五、發明說明(2〇 ) 【圖面之簡單說明】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 【圖一】表示適用本發明之L CD基板的抗光物塗敷 、顯影處理系統平面圖。 【圖二】本發明第1實施形態之加熱處理裝置模式剖 面圖。 【圖三】第2圖之加熱處理裝置A — A剖面下視略圖 〇 【圖四】第2圖之加熱處理裝置B - B剖面之下視略
Hi。 【圖五】使用第2圖所示加熱處理裝置進行基板G之 加熱處理狀態模式剖面圖。 【圖六】本發明第2實施形態之密封機構變形例圖。 【圖七】設在第1整流板的開口形狀及第2整流板的 形狀及熱板形狀之比較圖》 【圖八】熱板平面略圖。 【圖九】加熱處理裝置內通過被處理板上氣流流向的 差異對熱板的加熱狀態在板面內偏差的比較圖表,第9圖 (a )爲由中央向外緣氣流的圖表,第9圖)爲由外 @向中央氣流的圖表。 【圖十】第3實施形態之加熱處理裝置模式剖面圖<= 【圖十一】第4實施形態之加熱處理裝置模式剖面圖 〇 【圖十二】第1 1圖之加熱處理裝置第2整流板平面 略圖。 本紙張尺度適用中國.國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -23 -
464S3I A7 B7 五、發明說明(21 > 【圖十三】第4實施形態之其他第2整流板剖面略圖 0 【圖十四】第4實施形態之其他第2整流板略圖,第 14圖(a)爲剖面圖第14圖(b)爲平面圖。 【圖十五】第5實施形態之加熱處理裝置模式剖面圖 〇 【圖十六】第.1實施形態之加熱處理裝置排氣部附近 放大圖 【圖十七】第1實施形態之加熱處理裝置剖面圖的下 視略圖。 [圖十八】配置引導構件之熱板平面圖。 【圖十九】第1 8圖所示引導構件之立體圖。 [圖二十】第1 8圖所示引導搆件之運轉圖。 【圖號說明】 4 0 . HP 4 1 熱板 4 2 反射板 4 3 貫穿孔- 4 4 支撐銷 4 5 第2卡合構件 4 6 保持構件 4 7 保持構件昇降機構 4 8 遮擋板(圍繞構件) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公沒) -24 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 464931 A7 B7 五、發明說明(22 4 9 .50 4 5 7 5 7 5 8 0 6 4 6 6 b 7 1 7 5 7 6 遮擋板昇降機構(圍繞構件昇降機構) 彈性構件 第1卡合構件 開口 第1整流板 第2整流板 筒狀構件 間隙 覆蓋構件 孔部 排氣部 排氣管 外氣導入部 外殻 第1抵接構件 ^ 第1抵接構件 彈性構件 導管構件 上部 下部 液體 突起部 排氣機構 第2整流板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.!!1 訂--in----線/v· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 25- t A7 B7 五、發明說明(23 )2 5 3 板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
]f H I / 一σ,1 I 11 n I ? 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -26-

Claims (1)

  1. 4 6 4 9 3? 六、申請專利範圍 1 · 一種加熱處理裝置,其特徵爲: 具備對被載置的基板進行加熱處理的熱板’,及 可圍繞前述熱板上方對於所規定前述被處理.基板進行 加熱處理的加熱處理空間的圍繞構件,及 前述圍繞構件在圍繞加熱處理空間之際,將前述熱板 周圍加以近於密閉的密封機棒,及 在前述加熱處理空間由外緣向中央形成氣流的氣流形 成手段。 2 ·如申請專利範圍第1項的加熱處理裝置,其中氣 流形成手段係設在前述加熱處理空間上方具備將外氣導 入前述加熱處理空間的外氣導入部,及設在前述加熱處理 空間上方,爲進行前述加熱處理空間的排氣用排氣部,及 介由前述排氣部對前述加熱處理空間進行排氣的排氣機構 ,及在前述加熱處理空間上部以對向於前述熱板位置加以 配置,而中央形成開口的第1整流板等,當運轉前述排氣 機構之際,由前述外氣導入部所導入的外氣,係沿前述第 1整流板頂面流至前述加熱處理空間外緣側,再沿前述第 1整流板底面經由前述加熱處理空間外緣側流至中央,介 由前述第1整流板的開口由前述排氣部排出。 3 ·如申請專利範圍第2項的加熱處理裝置,其中前 述第1整流板面向熱板側的表面施以高反射率的表面加工 〇 4 .如申請專利範圍第2項的加熱處理裝置,其中前 述第1整流板與熱板之間,以與前述整流板的開口成對向 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -27 - ------------i — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線, 1 46493 t A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 位置配置第2整流板。 5 .如申請專利範圍第4項的加熱處理裝置,其中前 述第2整流板面向熱板的表面施以低反射率的表面加工。 6 .如申請專利範圍第4項的加熱處理裝置,其中前 述第2整流板面向前述第1整流板的表面以放射狀設有複 數的板。 7 .如申請專利範圍第4項的加熱處理裝置,其中前 述第2整流板可在前述被處理基板厚度方向移動β 8 .如申請專利範圍第4項的加熱處理.裝置,其中前 .述弟2整流板的形狀與則述熱板的形狀相似。 .9 ·如申請專利範圍第8項的加熱處理裝置,其中前 述第2整流板的形狀與前述開口的形狀相似。 1 0 ·如申請專利範圍第2項的加熱處理裝置,其中 前述開口的形狀與前述熱板的形狀相似。 1 1 .如申請專利範圍第1項的加熱處理裝置,其中 前述圍繞構件係配置爲可昇降,而上昇時可圍繞前述加熱 處理空間。 1 2 _如申請專利範圍第1項的加熱處理裝置,其中 後具備覆蓋則述加熱處理空間上方的覆蓋構件,前述密封 機構係封閉前述熱板下方的間隙及前述覆蓋構件與前述圍 繞構件間的間隙》 1 3 如申請專利範圍第1 2項的加熱處理裝置,其 中具備包覆前述熱板下面與側面,將熱板的熱加以反射的 反射板,前述密封機構係封閉前述反射板與前述圍繞構件 <猜先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί--------訂---------線 _ -J · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) .28 - 4.S4193 t A8 B8 C8 DS 六、申請專利範圍 間的間隙。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項的加熱處理裝置,其 中前述密封機構係配置在前述反射板的外緣側與前述圍繞 構件的內緣側下部,供前述圍繞構件上昇時具有可相互卡 合的一對卡合構件,及配置在前述覆蓋構件下部與前述圍 繞構件上部,供前述圍繞構件上昇時具有可相互抵接的一 對抵接構件。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項的加熱處理裝置,其 中前述一對卡合構件中至少有一方在與他方的卡合構件相 .卡合的位置裝有彈性構件,同時前述一對抵接構件中至少 有一方在與他方的抵接構件相抵接的位置裝有彈性構件。 16 · —種加熱處理裝置,其特徵爲: 具備對被載置的基板進行加熱處理的熱板,及 可圍繞前述熱板上方對於所規定前述被處理基板進行 加熱處理的加熱處理空間的圍繞構件,及 覆蓋前述加熱處理空間上方的覆蓋構件,及 前述圍繞構件在圍繞前述加熱處理空間之際,將前述 熱板與前述圍繞構件間的間隙及前述覆蓋構件與前述圍繞 構件間的間隙加以封閉的密封機構,及 設在前述覆蓋構件外側中央部,爲導入外氣的導入部 及爲前述加熱處理空間的排氣用具有排氣部的導管構件, 及 介由前述排氣部對前述加熱處理空間排氣的排氣機構 ,及 ¥紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規袼(210 X 297公愛)^ 〇9 : --' C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Jmi------訂--------線' _ C8 D8 六、申請專利範圍 在前述加熱處理空間上部以對向於前述熱板位置加以 配置,而中央形成開口的第1整流板等, 當運轉前述排氣機構之際,由前述外氣導入部所導入 的外氣係沿前述第1整流板頂面流至前述加熱處理空間外 '緣側,再沿前述第1整流板底面經由前述加熱處理空間外 緣側流至中央,介由前述第1整流板的開口由前述導管構 件的排氣部排出。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項的加熱處理裝置,其 中復具有在前述第1整流板與前述熱板間,以對向於前述 整流板的開口位置加以配置的第2整流板,當運轉前述排 氣機構時’前述加熱處理空間的空氣將經由前述第1整流 板與前述第2整流板間的間隙流入前述第1整流板的開口 〇 1 8 .如申請專利範圍第1 6項的加熱處理裝置,其 中前述導管構件在其中央具有筒狀構件連接在前述加熱處 理空間,前述加熱處理空間的空氣將經由前述筒狀構件由 前述排氣部排出,由前述導入部所導入的空氣係經由前述 筒狀構件的外側供給加熱處理空間。 1 9 .如申請專利範圍第1 6項的加熱處理裝置,其-中在前述覆蓋構件與前述整流板間形成流路,由前述外氣 導入部所導入的外氣係經由前述流路流至前述加熱處理空 間》 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' 裝---- 訂--------^線: 本紙張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格咖X 297公釐) -30-
TW089121849A 1999-10-19 2000-10-18 Heating processing device TW464931B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29709399 1999-10-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW464931B true TW464931B (en) 2001-11-21

Family

ID=17842123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089121849A TW464931B (en) 1999-10-19 2000-10-18 Heating processing device

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100732806B1 (zh)
TW (1) TW464931B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113140480A (zh) * 2020-01-19 2021-07-20 聚昌科技股份有限公司 具有提升温度均匀性上盖导流板的晶圆加热模块

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100709096B1 (ko) * 2006-12-22 2007-04-19 길종진 전자파 차단 발열선
KR102503827B1 (ko) * 2022-06-16 2023-02-24 주식회사 에이알티플러스 가스 측정기의 성능 평가 시스템

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121324A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板加熱装置
JPH11168045A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置およびウェハの処理方法
JP3555734B2 (ja) * 1998-03-24 2004-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板加熱処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113140480A (zh) * 2020-01-19 2021-07-20 聚昌科技股份有限公司 具有提升温度均匀性上盖导流板的晶圆加热模块

Also Published As

Publication number Publication date
KR100732806B1 (ko) 2007-06-27
KR20010060154A (ko) 2001-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW509987B (en) Coating film forming apparatus and coating unit
KR101059309B1 (ko) 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법
TW383414B (en) Photoresist agent processing method and photoresist agent processing system and evaluation method and processing apparatus for photoresist agent film
TW472307B (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP4542577B2 (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
TWI375135B (en) Reduced-pressure drying device
TWI358103B (en) Substrate transport and processing apparatus
KR101216747B1 (ko) 감압 건조 장치
TW464931B (en) Heating processing device
JP2009081182A (ja) 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
JP2000040731A (ja) 処理装置
JP6447328B2 (ja) 加熱装置
TW201222706A (en) Heat processing apparatus
TW497124B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008205116A (ja) 基板処理装置
KR20150061103A (ko) 반송 로봇, 기판 처리 장치, 그리고 파티클 배출 방법
JP2003203965A (ja) 基板支持ピンの支持位置検知方法、その傾き検知方法及びそれらの教示装置並びに教示用治具
JP3874960B2 (ja) 基板処理装置
JP2003007594A (ja) 基板熱処理装置
JP3950424B2 (ja) 熱処理装置
JP2001189368A5 (zh)
KR102076593B1 (ko) 기판처리장치
JP3363368B2 (ja) 熱処理装置
JP3576826B2 (ja) 加熱処理装置および加熱処理方法
JP2002270484A (ja) 冷却処理装置及び冷却処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent