TW463246B - Production methods of compound semiconductor single crystal and compound semiconductor divice - Google Patents

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TW463246B
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Junya Ishizaki
Nobuhiko Noto
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Shinetsu Handotai Kk
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Description

46324 6 A7 B7 五、發明說明彳) 〔技術領域〕 本發明係有關於一種化合物半導體單結晶及化合物半 導體元件之製造方_法，更詳細而言，是有關一種不塗光阻 劑卻能對化合物半導體單結晶的表面，有效的形成圖型之 化合物半導體元件之製造方法。 •〔背景技術〕 近年來活用具有化合物半導體之各種特性，而硏究開 發出受光元件、高頻元件、電源元件等多數元件。在製造 該些化合物半導體元件之際，例如爲了形成電極和形積體 電路，一般是採用利用重複塗佈和曝光光阻劑之光刻法.， 對化合物半導體單結晶的表面，形成所定圖型之方法。 但就此方法來看，如第6圖之習知工程所示，對堆疊 氧化膜（S i 〇2)或氮化膜（S i Νχ)的化合物半導體 單結晶4的表面，用高速邊旋轉該單結晶4邊塗佈光阻膜 2後〔工程1 ，第6圖（Α)〕，予以加熱，並自光阻膜 2驅出溶媒和水份之預先烘烤處理（工程2)例如照射紫 外線藉此將形烘烤在光阻膜2之曝光〔工程3，第6圖（ Β)〕，在光阻膜2形成圖形6之顯影以及漂洗[工程4 ，第6圖（C)〕，自光阻膜2去除顯影液及漂洗液之事 後烘烤處理（工程5 )的各工程之後，必須有所謂利用化 學蝕刻將開口圖形6部分的氧化膜或是氮化膜加以蝕刻去 除（工程6 )之工程。 此種利用重複塗佈和曝光光阻劑的光刻法形成圖型6 本紙張尺度適用中困S家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐）· 4 - (猜先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -I 裝·！--！| 訂 *--- -----線 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 463246 經濟部暫慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明$ ) 的過程，需要許多工程， 且因針對其中一道工程就要花費相應的成本，所以愈 維持此種方法對降_低成本就愈有限。 且亦無法忽視對結晶表面堆疊氧化膜或氮化膜，引起 結晶損傷的影響，而致使元件動作恐遭受不良影響之虞。 爲解決此損傷問題I近年提案實踐一種將易被 •A 1 GaAs等氧化的化合物半導體之自然氧化膜，應用 做掩模材料的方法。但因連此方法中也因採用上述之光刻 法，還是須要許多的工程，那麼多的工程數很難減少。 本發明係爲有鑑於上述問題點之發明，其目的在於提 供一不塗光阻劑卻能形成預定圖型之化合物半導體單結，晶 及化合物半導體元件之製造方法。 〔發明之揭示〕 爲解決上述課題，本發明之化合物半導體單結晶，其 特徵爲：構成I I I - V族化合物半導體單結晶之V族元 素成份’或者是構成I I - V I族化合物半導體單結晶之 VI族元素成份，爲較前述化合物半導體化學式所示的組成 比少的範圍。 又，本發明化合物半導體元件之製造方法，其特徵爲 具有：使得構成I I I-V族化合物半導體單結晶之V族 元素成份，或者是構成I I - V I族化合物半導體單結晶 之V 1族元素成份，少於前述化合物半導體化學式所示的 組成比，藉以令前述化合物半導體單結晶蝕變爲圖型狀之 本紙張尺度適用中圉國家標準（CNS)A4規格<210 * 297公爱）-5- I I — I-------- i I — I I I I ^ ·111111 I 1^ (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 46 32 4 6 ___B7___ 五、發明說明§ ) 蝕變工程、和選擇性地對前述化合物半導體單結晶進行蝕 刻之蝕刻工程。 利用對前述也合物半導體單結晶的表面施加能量予以 加熱來進行前述蝕變工程。又•利用對前述化合物半導體 單結晶的表面照射雷射光或電子束來進行前述蝕變工程。 又於前述蝕刻工程中，利用以前述蝕變工程工蝕變的化合 _物半導體單結晶之表面做爲保護膜爲佳。 又，本發明之化合物半導體元件之製造方法，其特徵 爲具有：形成構成I I I-V族化合物半導體單結晶層， 或者是構成II-VI族化合物半導體單結晶層之生長工 程、和對前述化合物半導體單結晶層的表面，照射雷射光 並使該化合物半導體單結晶層的表面蝕變之蝕變工程、和 利用選擇性地對具有該蝕變工程所蝕變的範圍之化合物半 導體單結晶層進行蝕刻，形成保護膜之蝕刻工程。 前述雷射光係以具有比照射該雷射光的化合物半導體 單結晶層的禁帶寬更大之能量爲佳。 〔用以實施本發明之最佳形態〕 以下試舉本發明之實施形態，但以下之說明係舉例示 之，當然並不限於此。 如第1圖之本發明的槪略工程圖所示，利用對I I I 一 V族或I I —VI族之化合物半導體單結晶4 (以下簡 稱爲單結晶4)的表面4a，例如照射雷射光〔第1圖（ A)及第1圖（B)〕和吸收被加熱的雷射光之能量來加 本紙張尺度適用t國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公爱）-6- ! 裝！1—訂·! I-線 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 6324 6 A7 __B7___ 五、發明說明$ ) 熱單結晶4 > <請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 但是，雷射光的能量等於照射該雷射光的單結晶4之 禁帶寬時*引起場致發光（photoluminesecence)現象來消 耗能量。又，雷射光的能量小於單結晶4的禁帶寬時，單 結晶4無法吸收能量會被穿透。因此，照射在單結晶4的 雷射光之能量，以大於單結晶4的禁帶寬爲佳。 若一邊適當地控制照射輸出一邊對III-V族或 I I - V I族之化合物半導體單結晶4照射雷射光時，因 蒸氣壓高的V族元素成份或VI族元素成份一部分會成爲 氣體，而自單結晶4蒸發，所以就照射雷射光的範圍而言 ’構成單結晶4的化合物之V族元素成份或VI族元素成，份 少於該化合物之化學式所示的組成比。 因I I I - V之化合物半導體單結晶4例如爲燐化鎵 時’若對該燐化鎵照射雷射光，蒸氣壓高的燐會蒸發掉， 所以就照射雷射光的範圍而言，相對於鎵的燐之組成比乃 少於化學式G a P所示之1 : 1的組成比。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 其結果*前述單結晶4的表面4 a會蝕變成I I I族 元素成份或I I族元素成份略多的結晶6 a。由於此結晶 6 a具有較單結晶4更接近Ga、I η、A 1等m族金靥 或Ζ η、C d等E族金屬，所以能量速度不同於單結晶4 。通常因結晶6更接近金屬，所以能量速度小於單結晶4 〇 於是，使用合適的蝕刻液，以化學蝕刻單結晶4時， 不能更進一步的蝕刻被覆在因蝕變而成爲接近金屬性質的 本紙張尺度適用中困g家標準（CNS>A4規格（210 X 297公着) 經濟部管慧財產局異工消f合作社印製 46324 6 A? _ B7 五、發明說明§ ) 結晶6 a之被保護的部份，另一方可選擇性的蝕刻未蝕變 的單結晶4所組成的圖型部分6，所以可在單結晶4上形 成圖型6〔第1圖’（C)〕。 結晶6 a蝕變爲更接近金靥的性質，則是藉由v族或 VI族的元素成份少於該化學式所示的組成比約5%以上而 達成的。又此種減少組成比的層約爲0 . 05#m'，理想 爲0 . 1 # m以上，即具有做爲蝕刻工程的保護膜之功能 〇 因很難蝕此蝕變而更接近金屬性質的結晶6 a，所以 可在後序工程的蝕刻中成爲保護膜的功能。 作爲適用於可令前述單結晶4的表面4 a蝕變成m.族 元素成份或Π族元素成份略多的結晶6 a的雷射，係試舉 有須使Ar雷射、He - Cd雷射、準分子雷射等V族元 素成份或VI族元素成份蒸發之輸出的雷射。 實際所用的雷射則爲具大於照射對象爲化合物半導體 單結晶之禁帶寬的能量之雷射。但就G a N，A 1 N、 AlGaN' InAIN' InGaN'AlGalnN 而言，則須用波長325nm的He_Cd雷射。 ‘ 上述雷射光的輸出在照射對象爲化合物半導體單結晶 的表面上，則適合1 kw/c m2以下。雷射光的輸出高於 5 kw/cm2時，例如不光是構成m - V族化合物半導體 單結晶的V族元素成份，就連瓜族元素成份也會蒸發，所 以結晶會被完全破壞，會開孔》雷射光的輸出小於1 k w / c m2時’因V族元素成份或Vi族元素成份蒸發不夠，所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公« ) -8- I —lulls —— — — — — — ^* — 1 —tnll^_ (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
463246 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明@ ) 以化合物半導體單結晶無法充分触變。此例可在大氣中使 用雷射。 利用照射雷射光而蝕變的Π — V族化合物半導體如下 舉例之。共通於該些m — ν族化合物半導體的特徵乃爲包 含以具有高蒸氣壓的硼或燐或氮作爲v族元素成份。
GaAs、AlAs，InAs、AlGaAs ' 'AI InAs ' InGaAs 、GaP、InP、 AlGaP、I n G a P ' A 1 I η P ' A 1 G a I η P 'GaAsP' InAsP'AlGaAsP' InGaAsP、Al InAsP、GaN、AlN、 A 1 G a N ' A 1 InN、InGaN'AlGa In.N 'GaAsN'AlAs. Ν' InAsN、 AlGaAsN、InGaAsN、InAlAsN。 以下同樣試舉可利用雷射光之照射而蝕變的I I — VI族化合物半導體。
ZnS'ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe， C d T e。 該些I I - V I族化合物半導體因包括以蒸氣壓高的 硫磺或硒之碲爲V I族元素成份，所以可藉由進行雷射照 射使一部份的VI族元素成份蒸發，而蝕變成I I族元素 成份稍多的結晶= ’就本發明之實施形態而言，是針對照射雷射光的場合 所做的說明，但電子束也可藉由調整其輸出，而同樣可以 使用。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4规格<210 X 297公釐）-9- — II --< - I I — I I I I ^ -----I--I ^ (請先《讀背面之注意Ϋ項再填窝本頁> 4 6 324 6 A7 ____ B7 五、發明說明f ) 組成蝕變爲更接近金屬性質的層，可根據以下在生長 化合物半導體層的氣氛進行熱處理，再度成爲化合物半導 體層而活用電氣性‘之用途，並利用乾式蝕刻等去除組成蝕 變的層，藉此也可將除此以外未蝕變的組成活用於電氣性 之用途。 由於在電流擴散層內設有表面形成組成蝕變成更接近 '金屬性質的層的電流區塊範圍之發光元件，不用光刻法就 能加以製造，所以成本低。而能夠利用雷射之更便宜、簡 單的裝置來繪製圖型。進而•本發明不光是化合物半導體 層本身，就連A 1 GaAs氧化膜層也適用。 以下試舉本發明之實施形態做更具體的說明，但本.發 明並不限於該等，在未脫離本發明之技術思想範圍當然可 做種種的變更。 (實施例1 ) 於實施之際，係採用第2圖槪念性所示的雷射光照射 裝置1 2。此雷射光照射裝置1 2係具備有：A r雷射振 盪器1 4、反射鏡1 6、聚光鏡1 8以及可水平方向操作 之X — Y工作台19。 試料2 0乃如第3圖（a )所示’可利用在G a A s 單結晶基板2 2上依序堆叠G a A s緩衝層2 4、 ΑΓΙηΡ層26 (厚度約1.0只m左右））、AlAs 混晶率0.8的AlGaAs層28 (厚度約5_0/z.m)的 化合物半導體單結晶。A 1 G a A s層2 8的間接遷移形 本紙張尺度適用t國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公« ) - 10- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> · 11! I 訂，11 ί 111 - 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 463246 A7 B7 五、發明說明§ ) 禁制帶寬，其AlAs混晶率爲〇.8時，約爲 2 0 eV。將此試料20載置在X - Y工作站1 9上後 ，將具有能量之波'長爲5 1 4 . 5 nm的氬雷射光1 4 a ，一邊一定的維持雷射的输出一邊以聚光鏡1 8聚光，並 針對A 1 G a A s層2 8表面的各面做數秒的照射〔第3 圖（b )〕.。 於是，被雷射照到的範圍之構成A 1 GaAs層28 的砒會變成氣體而蒸發|故可在試料2 0的A 1 G a A s 層2 8形成A s組成比較A 1 G a A s所示之組成比少的 範圍2 8 a » 再者，照過雷射後的A 1 G a A s層2 8表面的組减 變成（A 1 G a ) 〇.52sA s〇.475。又，輸出 5 kW/ c m2的雷射時，推定照射過雷射後的A 1 G a A s層2 8 ，其組成會從表面到深度約3 開始蝕變。 接著，硫酸：可用過氧化氫的混合蝕刻液，來蝕刻照 射過雷射的試料2 0。因照射過雷射光1 4 a，會令試料 20表面的AIGaAs層28蝕變成更具金屬性，故前 述硫酸：以過氧化氫之混合蝕刻液來蝕刻試料2 0之際， 會殘留照射雷射的AIGaAs部分28a ，只選擇蝕刻 照射雷射的AlGaAs部分28〔第3圖（c) 〕》 又，前述硫酸：因過氧化氫之混合蝕刻液，相對於 Α ΓGaAs層28的蝕刻速度大，而相對A1 I nP層 26的蝕刻小，故實際上只鼪刻AlGaAs層28。於 是，例如在AlGaAs層28的下側設有A1 I nP層 本紙張尺度適用中0國家標準<CNS>A4規格（210 * 297公釐）-11 - <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · — I — I ! I 訂.1111 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 6324 6 A7 B7 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 五、發明說明e ) 26，就能用此A1 I nP層26來停止蝕刻β 如此一來，不必塗佈光阻劑’就能形成如第3圖（c )所示的圖形，不必過多的工程就能製造化合物半導體元 件。 (實施例2 ) 此實施例乃採用第4圖槪略性所示的雷射光照射裝置 3 0。該雷射光照射裝置3 0是由可微動的X - Υ工作站 3 2、試料固定夾3 4 '雷射振盪器3 6 '聚光鏡3 8、 X — Υ工作站控制用電腦4 0、雷射光點徑聚光鏡4 2、 真空室44、離子幫浦46、渦輪式分子幫浦48、旋-轉 式幫浦5 0、反射鏡5 2構成的。5 4係被配置在上述X - Υ工作站3 2上的化合物半導體材料。 前述X — Υ工作站3 2是用1 的刻度來移動站。 又，利用具有2 . 4eV能量之波長514 _ 5nm的氬 雷射作爲雷射光。 聚光鏡3 8可用1倍至1 0 0倍倍率者。X — Y工作 站控制用電腦4 0，可程式繪製圖形。用可聚光約1 0 至ΙΟΟμιη#作爲聚光鏡42。具備真空室44即 能用低照射的雷射輸出來實施。此真空室4 4乃對應需求 而設，但也可不設置。 於第5圖中，爲製造發光元件，被施以一連串工程的 化合物半導體材料54，如以下所製成。先於（1 1 1) A面方向，於5度至1 5度傾斜的面方位（◦ 0 1 )的 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐）-12 - ί f ---—I— I I------^ - » <锖先《讀背面之注意事項再填寫本頁> 463246 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明（!〇 )
GaA s基板6 0上，以1 生長η型GaA s緩衝層 6 2。接著爲形成雙顯像構造層6 3，故依序生長厚度 l//m的η型Α Γΐ nP包覆層64、厚度0，6vm的 無摻雜之A1 InP活性層66,厚度lym的p型 AllnP包覆層68。 更爲了形成方塊區70a，故生長由厚度0 . lym •的η型GaAs層72、厚度1 . 5em的η型 A1 I ηΡ層74、厚度〇 . 1仁m的η型GaAs層 7 6製成的方塊層7 0。 方塊區7 0 a乃被形成在n型，與第5圖（ί )所示 之Ρ型電流擴散層7 8相反的導電型，而於該電流擴散、層 7 8中，部分性的阻止流經流向發光範圍的雙顯像構造層 6 3的電流|且令電流集中在未形成方塊區7 0 a的範圍 *藉此提高發光效率。例如藉由形成方塊區70a ，只要 電流擴散層7 8中，流經電流的斷面積爲1/5，流經相 當於單位斷面積的電流爲5倍，因此發光效率爲5倍·> 針對按此準備形成第5圖（a )所示的化合物半導體 單結晶5 4的圖形，乃如下所示》 先從η型G a A s層7 6的表面，於大氣中將直徑 1 0 // m 0光點的雷射光，在GaAs層76的表面上 ，以輸出5 kW/ c m2做矩形狀之平均5秒的照射。於是 ，巨厚度0.1#111的11型〇3厶5層7 6開始將一部分 高蒸氣壓的砒成爲氣體予以蒸發，形成蝕變一部分. GaAs層76的方塊區70a 〔第5圖（b)〕。 本纸張尺度適用+國0家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-13, I I ---ml - I I I — I I — ^ * — — — — — — - · ΐ請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 4 6324 6 __B7 _ 五、發明說明彳1 > 接著，利用由重量比爲97.2%的硫酸：0 . 5%的 過氣化氫：2.3%的純水所組成的混合蝕刻液，以50 V 3分鐘進行選'擇性蝕刻GaAs層76，去除方塊區 70a蝕變部分以外的GaAs層76〔第5圖（c)〕 «此選擇性蝕刻所殘留的方塊區7 0 a，乃於之後的蝕刻 工程中，具保護膜之功能。 其次，利用由重量比爲30 . 8%的氯：69 . 2% 的純水所組成的混合蝕刻液，以2 2 °C 1分鐘進行 A1InP層74的蝕刻，去除以方塊區70a被覆部分 以外的AllnP層74〔第5圖（d)〕- 更利用由重量比爲9’ 7 . 2%的硫酸：0 . 5%的過 氧化氫：2 . 3 %的純水所組成的混合蝕刻液，以5 0 °C 進行G a A s層7 2的蝕刻，去除以方塊區7 0 a被覆部 分以外的GaAs層72〔第5圖（e)〕。 並在η型的方塊區7 0 a上，生長1 的p型
AlGaAs層作爲電流擴散層78〔第5圖（f)〕。 最後在G a A s基板6 0的表面形成η型電極，且於 電流擴散層8的表面形成ρ型電極，藉此即可在電流擴散 層7 8內製造具有方塊區7 0 a的化合物半導體發光元件 〇 〔產業上之可利用性〕 如上所述，爲了形成圖案，習知使用須要許多工程的 光刻法是不可或缺的I但按本發明，只要在形成圖形的化 I--- ----- 裝 _ ! ! t ·11!1· A • . (婧先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210x297公* ) - 14 - 4 6 324 6 A7 B7 五、發明說明d2 ) <靖先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁> 合物半導體單結晶，形成構成該單結晶的V族元素成份或 是V I族元素成份，少於前述單結晶之化學式所示的組成 比之範圍，藉此不’必塗佈光阻劑就能形成圖形，且可藉由 工程數大幅減少的簡單工程來製造利用化合物半導體單結 晶所形成的受光元件、發光元件'高頻元件、功率元件等 種種元件。 '〔圖面之簡單說明〕 第1圖係表示針對本發明之化合物半導體單結晶之圖 型形成工程之槪略說明圖，（A )( B )係表示雷射照射 工程，及（C)爲蝕刻工程。 第2圖係實施例1所使用之雷射光照射裝置之槪略.說 明圖。 第3圖係分別爲實施例1中之圖型形成方法之工程圖 ，（a)係化合物半導體試料，（b)係對該試料照射雷 射光之狀態，以及（c )係進行蝕刻後之試料。 第4圖係實施例2所使用之雷射光照射裝置之槪略說 明圖β 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 第5圖係分別表示實施例2中之化合物半導體發光元 件之製造方法的工程圖，（a)係化合物半導體單結晶， (b )係對該單結晶照射雷射光之狀態，（c )係以蝕刻 去除G a A s層的狀態，（d )係以蝕刻去除A 1 I n P 層的狀態，（e )係以蝕刻去除G a A s層的狀態，（f )係生長電流擴散層的狀態。 第6圖係分別表示針對習知化合物半導體單結晶之圖 本紙張尺度適用中國8家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）-15- A7 46 324 6 _____B7___ 五、發明說明（!3 ) 型形成工程圖以及代表性工程之槪略說明圖* (A)係對 化合物半導體單結晶的表面塗佈光阻劑的狀態1 ( B )係 利用紫外線照射來烘烤圖型之曝光工程，（C)係顯影及 漂洗後的圖型以及（D )係最後所獲得的圖型》 〔符號之說明〕 12:雷射光照射裝置 1 4 : Α Γ雷射振盪器 16:反射鏡 18:聚光鏡 1 9 : X - Υ工作台 . 2 0 :試料 22:GaAs單結晶基板 24:GaAs緩衝層 2 6 : A 1 I η P 層 28:AlGaAs 層 3 0 :雷射光照射裝置 32:X — Y工作站 3 4 :試料固定夾 3 6 :雷射振盪器 3 8 :聚光鏡 _4 0 : X — Y工作站控制用電腦 42:雷射光點徑聚光鏡 4 4 :真空室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）-16- (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 46324 6 A7 B7 五、發明說明（!4 ) 4 6 :離子幫浦 4 8 :渦輪式分子幫浦 5 0 :旋轉式幫浦 5 2 :反射鏡 5 4 :化合物半導體材料 60 : GaAs 基板 62:n型GaAs緩衝層 6 3 :構造層 6 4: η型A 1 I nP包覆層 66:Α1ΙηΡ活性層 68 : p型A 1 I nP包覆層 7 0 a :方塊區 72 : η 型 GaAs 層 74:11型入1111?層 76 : η 型 GaAs 層 7 0 :方塊層 78:p型電流擴散餍 (請先閲讀背面之>i意事項再填寫本頁) 裝· ------訂------線 1 . 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) - 17 -

Claims (1)

  1. 463246 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種化合物半導體單結晶，其特徵爲具有： 構成i II—V族化合物半導體單結晶之V族元素成 份’或者是構成II—VI族化合物半導體單結晶之VI 族元素成份，爲少於前述化合物半導體化學式所示之組成 比的範圍。 2 種化合物半導體元件之製造方法，其特徵爲具 .有： 使得構成III-V族化合物半導體單結晶之V族元 素成份*或者是構成II-VI族化合物半導體單結晶之 VI族元素成份，少於前述化合物半導體化學式所示的組成 比，藉以令前述化合物半導體單結晶蝕變爲圖形形狀之·蝕 變工程、和選擇性地對前述化合物半導體單結晶進行蝕刻 之蝕刻工程。 3 .如申請專利範圍第2項所述之化合物半導體元件 之製造方法，其前述蝕變工程是利用施加能量來加熱前述 蝕變單結晶的表面來進行的β 4. 如申請專利範圍第3項所述之化合物半導體元件 之製造方法，其前述蝕變工程是利用對前述化合物半導體 單結晶的表面照射雷射光或電子束來進行的。 5. 如申請專利範圍第2項至第4項之任一項所述之 化合物半導體元件之製造方法，其在前述蝕刻工程中’利 用以前述蝕變工程工所蝕變的化合物半導體單結晶之表面 做爲保護膜。 · 6 .—種化合物半導體元件之製造方法，其特徵爲具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公爱）-18- -----------^* — — — — — 1— 訂· I I I I 1 I--線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 BS C8 D8 463246 六、申請專利範圍 有： 形成構成I I I-V族化合物半導體單結晶層，或者 是構成I I - V I族化合物半導體單結晶層之生長工程、 和對前述化合物半導體單結晶層的表面，照射雷射光並使 該化合物半導體單結晶層的表面蝕變之蝕變工程、和利用 選擇性地對具有該蝕變工程所蝕變的範圍之化合物半導體 •單結晶層進行蝕刻，形成保護膜之蝕刻工程。 7 .如申請專利範圍第6項所述之化合物半導體元件 之製造方法，其前述雷射光係以具有比照射該雷射光的化 合物半導體單結晶層的禁帶寬更大的能量》 8 .如申請專利範圍第7項所述之化合物半導體元件 之製造方法，其前述雷射光的輸出，爲1 kW/cm2以上 5kW/cm2以下。 — — — — — — I ) I I I ^ 1111111 ^ ---— I I I I · Λ. <请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經.濟部智慧財產局員工消f合作社印製 本紙張疋度通用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱）-19 -
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