TW457534B - Pedestal of a load-cup which supports wafers loaded/unloaded onto/from a chemical mechanical polishing apparatus - Google Patents

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457534 Λ_ Β" 五、發明説明（i ) 本發明係有關於一種負載杯，在它們被裝載於或自一 化學機械抛光（CMP)裝置卸下時容納晶圓，詳而言之，本 發明係有關於這種負載杯的托架。 .裝. 半導體裝置之積體化的增加需要在一晶圓上依序沈積 多層’因此’該半導體製造方法必須包括用以使形成在該 半導體晶圓上之各層平坦化的步驟’化學機械拋光（CJVIp) 是一種用以達成這種目的的典型方法，事實上，CMP是一 種非常適用於連接大直徑晶圓’因為CMP在使寬區域及窄 區域平面化時產生極佳的均勻性。 *π 泉 該CMP方法利用機械摩擦力及一化學藥劑以精細地拋 光一晶圓表面’如包含鎢或一氧化物者，在這種拋光之機 械特性方面，一晶圓被放一轉動的拋光墊上且在一負載施 加於其上時被轉動’藉此該晶圓表面藉由在該抛光替與該 晶圓表面間產生的摩擦力而被拋光。在這種拋光之化學特 性方面，該晶圓表面被供應於該拋光墊及該晶圓間且被稱 為泥的一化學拋光劑所拋光。 經濟部智慧財產^肖工^費合作社印製 現在一習知CMP裝置將參照第1 -6圖加以說明，該習 知CMP裝置包括一基座1〇〇、安裝在該基座上之拋光墊 210a、21 Ob及210c、裝載/卸載晶圓的一負載杯3〇〇、具 有用以固持該等晶圓並且使在該等拋光墊21〇a、21 Ob與 210c上的同一者固定地轉動的多數拋光頭4l〇a、41 Ob、410c 及410d。 通常，該CMP裝置具有三個拋光墊210a、21 Ob與210c， 使得多數晶圓可以在一短時間内被加工，各拋光墊210a、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） 4- i ! β' 五、發明説明 21 Ob與210c係被緊密地固定在一可轉動的轉盤（圖未示） 上e用以控制該等拋光墊210a、210b與210c之表面狀態的 墊調整器21 la、21 lb與21 lc及用以將泥供應到該等拋光墊 210a、2 10b與2 10c之表面上的泥供應f 212a ' 212b與2 12c 係設置在該等拋光墊2 10a、2 1 Ob與2 1 0c的附近。 再 供晶圓裝載/卸載的該負載杯300具有安裝於其中的 一圓板狀的一托架310,該等晶圓係放在該托架310上。在 該負載杯300處，用以固持晶圓及該托架3〇1的拋光頭 410a ' 410b、41〇c與4 10d將如在以下所詳述般地被清洗。 該頭轉動單元400包括四個拋光頭410a、410b、4l〇c 與410d及四個轉轴420a、420b、420c與420d，該等拋光頭 410a、410b、4 10c與41 〇d固持晶圓並且對該拋光墊210a、 2 1 0b、2 1 0c與210d的頂面施加一預定的壓力，用以分別轉 動該等拋光頭410a、410b、410c與410d的轉軸420a、420b、 欲 ^"-^"Λ,ν'-'Η 二;;·^^-:;:":;''',^ 4 20c與420d係分別安裝在該頭轉動單元400的一枢架4〇 j 上。在該頭轉動單元400的框架401内設置有用以轉動該等 轉轴420a、420b、420c與4 20d的一驅動機構，該頭轉動單 元400係被一樞軸402支撐並且被安裝成可以該樞軸4〇2為 中心轉動。 同時，該負載杯300包括一圓形托架3】0、該等晶圓係 放在ΐ玄托架）丨〇上。該等抛光頭4i〇a、410b、410c與410d 之底面以及該托架Η 0艾頂面在玆負載杯300處如將在α 丁 ¥ #述般地被清洗。 該頭轉動單元4(!|丨包招四個拋光頭4 1 Oa .. 4丨〇b 4丨（丨c Η. 457534 經."邵智慈时凌局員工沩費合作社印製 A· B' 五、發明説明（） 3 ' 與4I0d及四個轉轴42〇a、420b、420c與420d，該等拋光頭 410a、41〇b、410c與410d固持晶圓並且對該拋光墊210a、 210b、21〇c與210d的頂面施加一預定量的壓力，用以分別 轉動該等拋光頭410a、410b、410c與41 0d的轉轴420a、 420b、420c與420d係分別安裝在該頭轉動單元400的一框 架401上。用以轉動該等轉轴420a、420b、420c與420d的 一驅動機構係設置在該頭轉動單元400的框架401内，該頭 轉動單元400係被一轉動轴承402支撐以便可以該轉動軸承 402之縱軸為中心轉動β 現在將參照第1與2圖來說明由具有上述構形之該CMP 裝置所實施之方法《首先，藉一晶圓傳送裝置（圓未示）被 傳送到該負載杯300的一晶圓10被放在該負載杯300之托架 310上’在此處，該晶圓1〇藉由吸力黏附於該托架3丨0之表 面上。接著’該晶團10被該托架310舉起到位於該托架310 上方的一拋光頭410上’該晶圓1〇藉吸力被黏附於該拋光 頭410上。該頭轉動單元4〇〇被轉動以將該晶圓1〇以在該拋 光墊210a上方靠近該負載杯300的一種狀態來傳送，然後， 該拋光頭410被降下以將該晶圓1〇緊緊地壓在該拋光墊 21(^上。此時*該拋光墊21〇a及該晶圓10以相同的方向轉 動而該泥則被供應通過其間，藉此該晶圓10被拋光。該晶 圓10接著被依序傳送到其他的拋光墊210b及210c並且再被 送到該負載杯300，在此處它被放在該托架3 10上。然後， 該晶圓傳送裝置將被放在該托架310上的該晶圓1〇傳送到 位於該CMP裝置外的一位置處。 本紙張尺度適用中國國家標準（〔卜'5)八4規格（2丨0\ 297公楚） ---------U------訂------東 '-"^"ν-Ά之 ri-fifi#^“'-'J"lso Β' 五、發明説明ς ) 一旦該晶圓1 0被卸載之後，該拋光頭4 1 0向該負載杯 300下降，在這種狀態下，去離子水被噴灑以清洗該拋光 頭410之底面及該托架31〇的頂面，當完成清洗時，該把光 頭410及該托架3 10再被舉起且—新的晶圓被該晶圓傳送裝 置傳送到該托架3 1 0上。 第3與4圖分別是該習知CMp裝置之負載杯及托架的立 體圖，第5圖是該負載杯及其托架的一橫截面圖，並且第6 圖是顯示在第5圖中之托架的一周緣部份的一放大橫截面 圖。 请參閱第3與5圖，為了清洗該拋光頭41〇之底面及該 托架3 1 0之頂面，該負載杯3〇〇具有清洗裝置，其包含用以 將去離子水喷灑在該負載杯300之一清洗槽32〇内的第一嗜 嘴331及第二贺嘴332。該第一噴嘴33 1的方位係可向該托 架310之頂面嘖灑去離子水且該第二喷嘴332的方位係可向 安裝在該拋光頭410底面上的一膜片411噴灑去離子水。該 膜片411可使一真空作用在該等晶圓上且將它們固定在該 拋光頭410上。三組中的各第一與第二噴嘴135與136係以 相等的角度間隔安裝在該托架3丨〇之周緣四週，用以引導 晶圓的三晶圓對齊器340係以相等之角度間隔被安裝在該 負載杯300之清洗槽320内且於該托架3丨0之周緣四週以引 導被放在該托架3 1 0上的晶圓進入定位。 該清洗增2()被一圓柱形支撐殼體3 5 〇所支撐，並且用 u將去離了水供應到該等第一與第二噴嘴3 3 !與3 3 2的-按 姓水管3 36係安裝在該支撐殼體3 50闷，，闬以連接該撓性水 457534 五、發明説明（5 ) 管到該等第一與第二噴嘴331與332上的一清洗流體管道 337係被設置在該清洗槽320内》 如第4圖所示，該負載杯3〇〇之托架310包括一托架板 311，一托架支撐管柱312及一薄托架膜313。該托架板311 用來支撐晶圓並且接著被該托架支撐管柱312支撐，該習 知托架板311是圓形的。該薄托架膜313係黏著於該托架板 3Π的頂面並且直接接觸被該托架板3Π所支撐的晶圓。 請參閱第4與5圖’多數流體孔〇3〗4延伸穿過該托架 板311以便讓_晶圓得以被真空夾持在該板311上且可讓去 離子水由該板喷濃出來《—垂直通道316延伸穿過該托架 管柱312，並且形成在該托架板311内的一橫向通道3 15連 接該等流體礼口 314及該垂直通道316。該垂直通道316及 該橫向通道315可讓去離子水被送入該等流體孔口 314以清 洗設置在該拋光頭410底部的膜片411。 §!·"部皙总財4笱負工涓費合作社印製 因此，如上所述，該負載杯300係用以清洗該拋光頭4 10 的底面及該托架310的頂面並且當它們被裝載於該CMP裝 置上或由該CMP裝置上卸載時用以支撐晶圓。該清洗步驟 在該CMP方法中是非常重要的，污染物，如泥渣或拋光矽 顆粒在該CMP方法中會不可避免地產生，並且某些污染物 會留在該膜片411之表面及/或該托架310上，如果當一晶 圓在拋光之過程中被載入時該等污染物被傳送到其上，那 麼留在該膜片411之表面及/或該托架310上的污染物會在 該晶圓之表面上產生微到痕，該等微刮痕會造成缺陷，如 在半導體裝置中閘極氧化物洩漏或閘極線橋接，這些會降 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX2W公嫠） •8· 、發明説明（6 ) 低該等半導體裝置的產率及可靠性。因此1在該膜片川 之表面及/或該托架3 上的任何污染物必須藉由以去離 水水清洗之來去除。 但是，這些污染物無法藉由以該習知CMp裝置所實绝 之清洗操作而完全地被去除。 在一種要將該等污染物由設置在該拋光頭41〇之底部 處之該膜片411上清洗去除的方法中，去離子水經由該托 架板311之流體孔□ 3 14向上噴m。但是，由該膜片之表面 上清洗去除的污染物由於被夾帶在去離子水中而掉落在該 托架膜313上。同時，某些污染物也被導入在該托架膜313 中的孔313丨中，這些孔3131係顯示在第6圖中，這些孔3i3i 已被沖壓入該膜3 1 3中以減少其剛性且因此減少在接觸該 膜313之晶圓上的衝擊力=各孔3 131具有大約2mm的直徑， 因此該等污染物可以進入該等孔3 1 3丨中並且不會被經由該 負載杯300之第一喷嘴331喷遷出的去離子水輕易地清洗去 除。所以。該等污染物會在一段一時間之後在該等孔3丨3 j 中乾燥並且因此形成被失帶在仍留在該托架膜313之表面 上之去離子水中且堆積在該等孔3131中的該等污染物接觸 被裝載在該C Μ P裝置上之一晶圓的表面= 在該習知CMP裝置中1該托架膜3 1 3及該晶圓互相接 觸一寬的區域 > 因為該托架膜3〗3延伸在該托架板311之整 個表面上.緣是|相當大量的污染物被送到該晶圓表面， 即污染物被送到該晶圓上 '事實上是其整個表面上^被 送幻該晶®表面上的污染物會於拋光時在該晶圈表面Φ產 --------------------------------------------------------------------------- _ ...........—----—-------, :t 心：：m孝φ r: ；'〇 · 2<^：>η .................... 經濟部智芨財產笱胃工消費合作社印製 457534 五、發明説明（7 ) 生刮痕’因而降低了由該被拋光之晶圓所製造出之一半導 體裝置的產率及可靠性。 因此，本發明之一目的為提供一負載杯之一改良托 架’其可防止刮痕由留在該托架之表面上之污染物在—晶 圓之表面上產生。 為了達到上述目的’本發明提供一種化學機械拋光 (CMP)裝置之一負載杯的一托架，其包括用以將晶圓支撐 在該負載杯内的一托架板、用以支撐及升高該托架板的— 托架支律管柱’設置在該托架板中以便讓一晶圓可以被真 空夹持在該托架上且可讓去離子水由該托架噴灑出來的多 數流體孔口，及固定於該托架上且僅延伸在包括圍繞在該 專流趙孔口四週之區域之一有限區域上的一托架膜。 較佳地，該托架膜包含多數環狀構件，各延伸在各個 多數流體孔口之周緣四週。或者，該托架膜可包含沿一徑 向延伸在該等多數流想孔口四週的一或多個構件。 此外，該托架板可具有—h字形的形狀或者可包括由 一中央部份及由該中央部份延伸之多數徑向臂所構成的一 内十于形部份’及連接遠離該中央部份之該内部份之徑向 臂之末端的一周緣部份。在任一種情形中，該托架膜還包 含僅各延伸環繞各個流體孔口的多數環狀構件，或者各徑 向延伸環繞數個該等流想孔口的一或多個構件。 緣疋，可能會刮傷晶圓表面的該等污染物，包括泥渣， 可以由該托架上有效地被清除及/或僅留下少量，因此可 才于到由該晶圓所製造之該半導體裝置的高產率及可靠度。 本纸張又度適用中國國家標隼（CMS ) A4規格（2丨0X297公楚> ---------U------訂------泉 ~I f--B;、x"·---卞Ji!4J4·'·..^丌) -10- 發明説明（s ) 本發明之以上及其他目的、特徵及優點將可由以二其 乂佳Λ把例之詳細說明並g己合附圖而更加明瞭，其中： 第1圖是一習知化學機械拋光（CMP)裝置的一分解立 體圖； 第2圖是該習知CMP裝置之一底部的頂視圖，顯示在 她光時一晶圓的移動； 第3圖是該習知CMP裝置之負載杯的一立體圖： 第4圖是該負載杯之一托架的一立體圖； 第5圖疋該負載杯的一橫裁面圊，顯示一抛光頭之底 面及該托架之頂面被清洗的狀態； 第6圖是該負載杯之托架之一周緣部份的一橫載面 圖： 第7圖是本發明之一托架之一較佳實施例的—立體 圖： 第S圖是沿著在第7圊中之線a-A所裁取之該托架的一 橫載面圊；以及 第9至〗4圖是本發明之一托架的其他實施例的立體 圖。 請參閱第7與8圖，本發明之一化學機械拋光（CMP)裝 置之一負載杯的一托架510包括一托架板511 ’由該托架板 ’ Π之底部延伸出來的一托架支撐管柱5 1 2，及固定於該托 架板：:ί i於其頂面處的一托架膜5〖3 . 該托架板：> Π支撐在該負載杯中的一晶圓丨0且 > 為達 此g的係®形的該托架支撐管扫$ | ?支撐旦升高玆托 r .t π π « ® 圉家螓哭 .…一…-…—.............——-—一—一- 457534 絃濟郝智.%財產均WK工沩費合作社印裝 A' B* 五、發明説明（9 ) 架板511，多數流體孔口 514由該板511之頂面延伸入該板 5 11中且位於沿著由該板511之中心向外徑向延伸之線上的 位置處。如第8圖所示’一垂直通道516延伸穿過該托架支 樓管柱512，並且形成在該托架板5n内的一橫向通道515 連接該等流體孔口 514及該垂直通道516，該垂直通道5 16 及該橫向通道515可讓去離子水被供應到該等流體孔口 514 以清洗安裝在該CMP裝置之一拋光頭之底部上的一膜片。 該垂直通道516及該橫向通道515也可做為真空管線以讓晶 圓10可以被真空夾持在該托架上且位於該托架膜513頂 部d 直接接觸該晶圓10之表面的該托架膜513係由分別延 伸在該等流體孔口 514四週的多數環狀膜構件所構成，因 此該托架膜513僅覆蓋被用來真空夾持該晶圓1〇之該托架 板5 11的部份*因此，該托架膜5丨3使在該晶圓表面及該膜 5 13本身之間發生的接觸量減至最小，即，接觸面積明顯 地小於由習知托架所提供者》 第9與10圖顯示本發明之托架610與710的其他實施 例’在第9圊之實施例中，該托架61 0具有為一十字形的一 托架膜613a，詳而言之，該托架膜連續地延伸在形成於該 托架611之中央處的流體孔口 614a四週且在由該中央流體 孔口 614a徑向向外地設置的流體孔口 614b四週。另一方 面，第10圖之實施例的托架膜713a係由延伸在該中央流體 孔口 714a四週的一環狀膜構件及各連續地延伸在位於沿著 由該中央孔口 714a徑向向外延伸之相同各條線上之流體孔 本紙俵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4%格（210X297公釐） ---------裝------订------泉 (^li-'.;.vvf'.rv,'.c-T\r:l',-f'rl^if:(；r 夂页) •12·

A 、10 五、發明説明 口 7I4b四週的多數骐構件c 這些托架膜613a與7l3a也提供與該晶圓表面相當小的 接觸面積。 Λ )/： 在晶圊是大的情形下，不同的托架膜構件61外與？… 可以相同之角度間隔設置在該等托架板6]丨與71丨之外周緣 四週以支樓該晶圓之周緣部#，藉此該等晶圓係穩定地被 基相上只延伸在該等流體孔口及該等不同周緣膜搆件6 1讣 /71315四週的膜構件6133/7133支樓。 τ；τ 因為該等托架獏構件係被設置在由直接圍繞在該等流 體孔口四週之區域所搆成的一有限區域’即該等晶圓發生 真空夹持之區域上方，及在必須用來穩定支撐該晶圓的任 何外加者上方，所以在該托架膜及該晶圓表面間的接觸面 積最小。因此，留在該托架膜之表面上或堆積在該托架膜 中之孔中的污染物量相當的少並且因此，只有少量污染物 可点會被送到該晶圓表面。 線 第11-13圖顯示本發明之一托架的另一些其他實施 例。 在各實施例中，該托架8 1 0 / 9 1 0 /丨0 1 0包括十字形的 —托架板8 1 i / 9 1 1 / 1 ο 1 1 1及延伸穿過該托架板8丨丨/ 9 J i 〇丨I之頂面於其中央處且於其徑向臂處的多數流體孔口 814。 因此、該等托架板9 π ... i 0 Π各具有·....最小頂 面叫以> Η有非當少量之含有污染物的去離子水可以留 在該托架板上.藉此可能會被送到該晶圓表面之污染物的 3^- 、驚 457534 A" B- "^部智"3?"^員工消^合作社印製 五、發明説明（n )量被減至最少。 在第11圖之實施例中’該托架骐8〖3係由各延伸在各 個流體孔口 8 14四週的環狀膜構件所構成，與習知cmP裝 置之托架膜相較’該托架膜813提供對該晶圓表面一較小 的接觸面積。 在第12圖之實施例中’該托架膜913速續地延伸在該 中央流體孔口 914a四週並且在該托架板911之徑向臂中的 流體孔口 914b四週。在第13囷之實施例中，該托架膜1013 係由延伸在該中央流體孔口 1 〇 14a四週的一環狀膜構件及 各連續地延伸在該托架板1011之各個徑向臂中之流體孔口 1014b四週的多數徑向膜構件。 這些實施例的托架膜913與1 0 13也對該晶圓提供比習 知CMP裝置之托架膜小相當多的接觸面積。 在第14圊之實施例中，該托架1丨1〇包括一托架板 ΠΠ ’其具有_十字形内部份Ulla及連接該十字形内部 份1111 a之徑向臂之末端的一環狀周緣部份I π丨b。多數流 體孔口 1114係沿著該十字形内部份11U a設置且多數環狀 托架膜構件Π 13a延伸在該等流體孔口丨114四週，分開的 托架膜構件1113b係較佳地固定於該托架板之周緣部份 1111 b且沿其上以一致之間隔互相分開。做為在第14圖中 所示的其他形態，在該十字形内部份111a上的托架膜可包 含第〗2圓之實施例之連續十字形托架構件或第13圖之分開 托架膜構件。 在這些情況中的任一種，第14圖之實施例係適於在該 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） c.lt^f^r!再杧0;'太玎) -裝. 訂 泉

• In . -I I 1 I -14- ΒΛ M2 五、發明説明 晶圓該托架板1111都是大的時候、因為在這實矻例中，該 晶圓之周緣部份係被支樓在—更穩定的狀態：除了這個優 點以外，第U圖之實施例具有與第12]4囷之實施例有關 的這些前述優點。 'K: 因此，依據本發明，在一晶圓與—托架膜之間的接觸 面積是最小的’因此將可能會在該托架與該晶園直接接觸 犄由該把架被傳到該@ (U纟面的污染#的量減至最 少，因此，本發明抑制由於污染物而在該晶圓上產生的刮 痕量，而此再減少由這些刮痕所造成之在一半導體裝置中 的缺陷’藉此改善了該等半導體裝置的產率與可靠度。 雖然本發明已參照特定之實施例加以說明了]:是形 態及細節上的各種變化對於熟習該項技術者是顯而易見 的e因此所有的這此错+ ^卜H +丄 ’ U化係在由以下申請專利範圍所界定 之本發明的真正精神與範疇内。 元件標號對照表 fe;fK 甘 U-垮：KV i^sjk^lu.i·;^: 10...晶圓 100…基座 135.··第一噴嘴 ! 3 6…第二嗔嘴 2 拋光墊 2 1 0 b ·.,抛光塾 2 1 () c…抛光墊 2 Π a...墊調整器 •M ib .墊調整器 lc...墊調整器 212a…泥供應臂 2 i 2b...泥供應臂 2 12c…泥供應臂 300.，.負載杯 3 1 0 ...圓形托架 311…托架板 Η.托架支撑管;j：主 3 I 3 ..托架膑 4 5 7 5 ο 4

A Β 經^部晳丛財凌笱g(工消費合作社印製 五、發明説明（13 ) 3131.. .孔 314.. .流體孔口 315…橫向通道 316.. .垂直通道 320.. .清洗槽 331.. .第一噴嘴 332…第二噴嘴 3 3 6...撓性水管 337.. .清洗流體管道 340.. .晶圓對齊器 350.. .支撐殼體 400…頭轉動單元 401.. .框架 402.. .轉動拍承；梅抽 410.. .拋光頭 410a...拋光頭 410b...拋光頭 4 1 0c...拋光頭 410d...拋光頭 411…膜片 420a...轉轴 420b…轉軸 420c...轉轴 420d...轉轴 510.. .托架 51 1...托架板 512.. .托架支撐管柱 513.. .托架膜 514…流體孔口 515…橫向通道 515.. .垂直通道 610…托架 61 1...托架板 613a...托架膜 613b...托架膜構件 6 14a…流體孔〇 6 14b…流體孔口 710.. .托架 711.. .托架板 713a...托架膜 713b...托架膜構件 714a...中央流體孔口 714b...流體孔口 8 10...托架 811.. .托架板 813.. .托架膜 8 14...流體孔口 910.. .托架 ί--ν'''·τ''卜---''上-卞項再坨^-太頁'- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2]OX297公釐） -16-

B 五、發明説明（μ ) 91 I ...托架板 913.. .托架膜 914a...中央流體孔口 914b...流體孔口 1010.. .托架 10Π...托架板 1013.. .托架膜 1014a...中央流體孔口 1014b…流體孔口 Π 1 0 ...托架 1 1 1 1 ...托架板 1 111 a...十字形内部份 1 1 Π b....環形周緣部份 111 3a...托架膜構件 111 3b...托架膜構件 111 4 ...流體孔口

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45?534 六、申請專利範圍 1·—種在一晶圓被裝載於一化學機械拋光（CMP)裝置/自 該化學機械拋光裝置卸下時支撐該晶囿之一負載杯的托 架，該托架包含： 一托架板，其係用以支撐一晶圓； 一托架支撐管柱，由該托架板之底部延伸出來並且 支撐該托架板；及 一托架膜’其係固定於該托架板之上表面； 該托架支撐管柱具有垂直延伸於其中的一垂直通 道， 該托架板具有延伸穿過該上表面的多數流想孔口， 及延伸在其中且連接該等流體孔口與在該托架支撐管柱 中之垂直通道的_内部通道，及 該托架膜僅延伸在該托架板之整個上表面之一部份 上方’該部份包括圍繞在該等流體孔口四週的區域。 2. 如申請專利範圍第1項之一負載杯之托架，其中該托架 膜包含各延伸在各個流趙孔口四週的多數環狀構件。 3. 如申請專利範圍第】項之一負載杯之托架，其中該等流 體孔口沿著由該托架板之頂面之一中央部份徑向向外延 伸之數條線的各線設置，並且該托架膜包括連續地延伸 在該等流體孔口四週沿著該等線之至少—線設置的至少 一構件。 4. 如申請專利範圍第1項之一負載杯之托架，其中該等流 體孔口包括位在該托架板之頂面的中央部份處的一中央 流體孔口，及沿著由該中央部份徑向向外延伸之數條線 本紙張又度過用中S國家標準（CNS)A·!規格（210x297公发 裝--------- 訂.------- '^^ΐ面之汰t事項再填茑木頁) -ίδ- •AS CS 經濟部智慧时產局員消費合^"-4 申請專利範圍 之各線設置的多數周緣流體孔口，並且該托架膜包含廷 伸在該中央流體孔口四週的一中央環狀膜構件，及與該 中央膜構件分開的多數徑向延伸膜構件，且各徑向延坤 膜構件延伸在沿著各條線設置之多數該等流體孔口四 5. —種在一晶圓被裝載於一化學機械拋光（CMp)裝置/自 該化學機械拋光裝置卸下時支撐該晶圊之一負載杯的托 架，該托架包含： 一托架板·其係用以支撐一晶圓： 一托架支撐管柱，由該托架板之底部延伸出來並且 支撐該托架板；及 一托架膜，其係固定於該托架板之上表面； 該托架支撐營柱具有垂直延伸於其中的一垂直通 道， 該托架板具有—中央部份，由該中央部份徑向向外 延伸的多數徑向臂’延伸穿過該上表面的多數流趙孔 及L伸在其中且連接該等流體孔口與在該托架支樓 管柱中之垂直通道的一内部通道，及 該托架膜僅延伸在玆等流體孔口四週= 6. 如申請專利範圍第5項之一自巷虹少化加 貞戰杯之托架，其中該托架 板還包括連接該等經向眢夕古# & β 间s之末為的—環狀周緣部份。 奶申請專利範圍第S項之一自恭iT v , 、、負載杯 < 托架，其中該托架 暝包含各廷伸在各個浠體# σ 阴 、四過的多數環狀構件 〆和申請專利範圍苐6項之一參巷虹，4〜 貞載杯之托架 '其中該托架 --------------裝·-------訂-------線 -'--父-背面-^急事項再填"本頁) Β. "'-部智髮財產局員工消費合作社印髮 457534 六、申請專利範圍 膜包含各延伸在各個流體孔口四週的多數環狀構件。 9. 如申請專利範圍第5項之-負載杯之托架，其中該托架 膜連續地延伸在該等流體孔口四週。 10. 如申請專利範圍第5項之-負載杯之托架，其t該托架 膜連續地延伸在該等流體孔口四週。 η.如申請專利範圍第5項之-負載杯之托架，其中該等流 體孔口包括位在該托架板之頂面的中央部份處的一中 央流體孔口，及位在各徑向臂之上表面處的多數周緣 流體孔口’並且該托架膜包含延伸在該中央流體孔口 四週的一中央環狀膜構件，及與該中央膜構件分開的 多數徑向延伸膜構件，且各徑向延伸膜構件延伸在位 於各個控向臂之上表面處之多數該等流體孔口四週。 12.如申4專利範圍第6項之—負載杯之托架，其中該等流 趙孔口包括位在該托架板之頂面的中央部份處的一中 央流體孔口，及位在各徑向臂之上表面處的多數周緣 "’L體孔口，並且該托架膜包含延伸在該中央流體孔口 四週的一中央環狀膜構件，及與該中央膜構件分開的 多數徑向延伸膜構件，且各徑向延伸膜構件延伸在位 於各個L向4之上表面處之多數該等流體孔口四週。 13_如申請專利範圍第6項之_負載杯之托架，其尹該托架 膜包含图定於該托架板之周緣部份的頂部且以相對於 該托架板之中央部份的角度間隔互相分開。 本紙張尺度通用中® •標丰（CNS)A4規格（2~^ 297 公;g ) -------------裝--------訂--------丨線 ί:ί^":ί背面之;1急事項再填窵本頁) •20·