TW452854B - Method and device for treating substrates - Google Patents

Description

4 5 2 8 5 4 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 槽 因 五、發明說明（ 本發明係關於一種處理在槽内基板之裝置及方法，槽可 充填至少二處理流體。 此類之裝置被稱為單槽工具(Single Tank Tool (STT))， 因為在一處理槽内，藉導入不同之處理流體而進行多個基板 處理。此類之裝置可例如參見由同一申請人提出、未公伟之 德國專利申請編號197 38 147及也是同一申請人之專利 DE-A-1% 16 402。在此類之裝置内，一個處理槽配置給不 同之裝置，包括一晶圓輸入/輸出站、晶圓排列裝置，其為 所謂之推擠器(Pusher)、輸送裝置、電子線路裝置及至少二 處理流體供應裝置。前述多項裝置之容量是為單一槽而設 計。 至少一處理流體供應裝置通常包括一處理流體準備裝 置，在其中處理流體，例如由氨，遇氧化氫及水之混合液组 成之SCI，被混合及加熱。此處理流體準備裝置及準備工作 本身是處理基板時極大之成本因素。 從JP-A-61-133633習知一以三個相同之處理槽處理半 導體基板之裝置’其以-共|S]之供應設備供麟需之處理流 體。處理槽是以順序方式處理基板，使在任何時刻只有一槽 是用於處理晶圓。其他的槽則在等待中’以便使用之處理槽 在一定數量之處理循環後’可取代之而成為處理槽。此裝置 需要為三處理槽提供夠大之空間，雖然在任一時刻只有. 是用於晶®之處理。此設備之成本也㈣間需要而大增 為此設備通常是置於極昂貴之潔淨室内。 JP-A-6-3H683顯示—處理轉體晶圓之裝置，其具多 !!11- ·!1!11 訂--11 — — — — —.^ <諝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) b紙張尺度舶巾關家鮮(CNS)A4規格(210x 297*^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 452854 A7 B7 五、發明說明 個處理槽，以一共同之供應裝置提供處理流體^在此裝置， 多個處理槽可同時使用’只有一未使用之處理槽處於準備狀 態，以保證有連續之處理。供應裝置是以同時供應所有槽而 設計，雖然並不是任何時候所有的槽均在使用中。藉此隨時 待命之槽，及為所有處理槽所設計之供應裝置又需要較大之 空間β JP-A，6-2〇42〇l顯示一處理半導體晶圓之裝置，具多個 處理槽，由一共同之供應裝置供應處理流體。所有的槽均同 時使用，且供應裝置是為同時供應所有的槽而設計。 從前述之裝置出發’本發明之任務是提供一處理基板之 裝置及方法，其可經濟的處理基板。除此之外，本裝置之產 量要加以提升，但不要過於增加裝置之空間需要，因為本裝 置通常是置於潔淨室内，潔淨室之設置及運轉非常的昂貴。 本發明任務’根據本發明，藉一處理在二槽至少其中一 槽内基板之方法，其中各槽可至少充填二處理流體，經由以 下方法步驟加以解決：a)在一供應二槽共同之處理流體準備 單元内準鮮-處理麵，此單元之容量是為—處理流體槽 而設計，b)將基板運入槽内，c)將第一處理流體以預定之時 間導入槽内，d)將至少—第二處理越導人勒及e)將基板 從槽取出，其巾’各槽之程序順序均平行，且以—定之時間 安裝來加以控制，使在其中-槽的步驟e)結尾及另-槽之步 驟〇開始之間，有足_間來準備第—處理流體。藉使用二 ^理槽及槽峰行轉.有時帛上絲之㈣，可將傳統 單槽處理器或是單槽工具(Single Tank Tool)之產量增倍。藉 本纸張尺度適用中國國家標準 x 297公釐） -6 - i I 裝-----I--訂---------線 : (請先閱婧背面之注意ί項再填寫本頁) 4 528 5 4 A7 B7 五、發明說明（3·) 各槽内各程序順序時間上安裝之控制，可將與槽有關之裝置 及元件共同利用，而不必將其容量為多個槽加以設計。如 此，不兩一個元整之卓槽工具，因而佔地面積可相對於使用 二傳統之單槽工具大大的降低。尤其是因為裝置通常是設置 在製造及維護均極需成本之潔淨室内，此點特別的有利。 第一處理流體最好在導入第二處理流體前先行排出，或 是藉導入第二施體而從槽中驅出β 第一處理流體最好在準備時用不同之化學材料混合及/ 或加熱，以便處理時有新鮮準備、具所需要混合比例之處理 流體。依一較偏好之實施形式，在步驟幻結束後，第一處理 流體至少是部分被導回處理流體準備單元，以再次準備處理 流體，如此可大大節省所使用的化學材料，因為這些化學材 料至少有部分被重複利用。 最好在處理時，有一第三處理流體導入槽内，此時，第 二或第三流體是一清潔基板用之清洗流體。 為更進一步節省空間，第二及/或第三處理流體是由二 槽共同之處理流體供應裝置加以準備，且各槽是以一共同之 操作裝置進行上料及下料。在一發明實施形式中，在將基板 上料及上料進入一槽中時，會運動經過另一槽上方，此運動 只有當另一槽在進行清洗程序時才出現，以防止基板被另一 槽内進行之化學處理污染。在另一發明實施形式中，設有一 關閉裝置，在操作裝置運動經過處理槽時，槽被關閉裝置封 閉。此關閉裝置最好是一主要是平面之頂蓋。操作裝置最好 抓取其共同之輸入/輸出站β 本紙張尺没週用1Ρ國國家標準（CNS)A4規格（210 >c 297公釐） -7 - (請先閱讀背面\沒意事項再填寫本頁) ! —訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4528ο 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（4.) 為良好及快速脫乾基板，在基板從槽内取出時，以馬拉 哥尼(Marangoni)原理加以脫乾’當然也可使用其他的脫乾方 法。 本發明之任務也可以一處理基板之裝置加以解決，此裝 置具二至少可充填二處理流體之槽，其至少有一第一、各槽 共用之處理流體供應裝置，此供應裝置至少有一處理流體準 備單元’單元之容量是為一槽而設計，另外，至少有一第二 處理流體供應裝置及一控制裝置，以時間安裝方式，控制各 槽内平行進行之程序。此類之裝置有上面已敘述之優點。 每個槽最好有一快速排放閥及/或溢流。為防止在處理 流體供應裝置内出現分離或處理流體發生靜態變化，供應裝 置内有流體循環，可將處理流體經常維持在運動狀態◊為將 處理使用過之化學材料循環利用，在一偏妤之發明實施例 中’供應裝置設有一裝置’將處理流體從槽導回至第一處理 流體供應裝置’在此供應裝置内設有一循環準備單元。 為了讓本裝置有最小之空間，最好設置一共同之基板操 作裝置’以進行二槽之上料及下料，及一共同之輸入/輸出 站，用以準備基板及/或一共同之裝置’用以提高在二槽内 受處理基板之密度。為了讓基板操作裝置有最簡單之運動機 構，輸入站-提高基板密度之裝置及/或槽均被設置在一列 上。 為防止基板操作裝置在進行一槽之上料及下料時必須 經過另一槽，最好將此二槽設置在用於提高基板密度之裝置 不同之侧。 本纸張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 * 297公楚） --------------------訂—-------. {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 452854

經濟部智慧財產局員工消費合作社印M A7 B7 五、發明說明（s.) 以下藉偏好之實施例，以圖式更進一步說明本發明。各 圖式之内容如下： 圖一本發明處理裝置之示意上視圖； 圖二處理旒體流動循環示意圖； 圖三另一處理流體流動循環示意圖； 圖四本發明裝置之處理基板程序順序。 圖一顯示本發明晶圓處理裝置1之示意上視圖。本裝置 1有一處理站2、電子線路箱3、去離子水(DIW)加熱裝置4、 稀釋氫氟酸(DHF)之第一化學材料供應裝置5，及去離子水 供應裝置6。電子線路箱3、加熱裝置4、化學材料供應裝 置5及供應裝置6均是設置在處理站2之外。也可將其設置 在處理站2内。 在處理站2内設有一輸入/輸出儲存區8,以接收多個晶 圓匿扣’晶圓匣則是藉一未示出之閘口被送進輸入/輸出儲 存區，並從之取出》與此輸入/輸出儲存區8相鄰，設置有 一第一裝置，即所謂之推動器(pusher)i2，用以提高晶圓之 贫度，在推動器内之晶圓是由二個晶圓匣10之晶圓插入而 得，為下一處理形成一密集之晶圓包裹。若在晶圓匣10内 包含有例如26個晶圓，則在推動器52内依序推移之包裹包 含有晶圓。 第一推動器12也以同樣方式，將處理完之晶圓再分配 至二獨立之晶圓匣1〇。 與第一推動器12相鄰，可有一第二推動器14，如圖— 所不。使用二獨立之推動器’可由其中之-推動器，例如推 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 裝--------訂----—----線..

452854 經濟部智慧射產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6.) 動器12 ’將基板聚合至一包裹内’而第二推動器，例如推 動器14 ’則將包裹内之晶圓分配出去。 在處理站2内設置有標示為STT1之處理槽16，及標示 為STT2之處理槽18。為運輸在推動器12及14間及在處理 槽16及18間之晶圓包裹，設有一可動頂蓋2〇形式之輸送 裝置。處理槽16及18與推動器12及14是成列設置。藉此 成列設置之推動器12、14及處理槽16、18，頂蓋只須在二 運動方向’亦即水平及垂直方向運動即可。 在處理站2内，另外設有一化學材料供應裝置22，例 如SC卜亦即氨、過氧化氫及水混合液。以下再以圖二更進 一步說明化學材料供應裝置22。 從圖一可以看出，頂蓋20必須在處理槽18上料之前， 或是在處理槽18下料之後，穿越處理槽16。此時，在處理 槽Ϊ6内進行之處理過程可能會影響在頂蓋跗内之晶圓。因 而處理槽16、18也可設置在與推動器12、14相對立之側， 因而不出現為處理槽18之上料及下料而穿越處理槽16之情 形。除此之外，也可如此設置處理槽16、18，使頂蓋2〇在 駛向-個處理槽時，不必越過另—處理槽。此時，頂蓋2〇 而要有-複雜之運動機構’ ®為此時除了線性及垂直運動之 外’還要在第三方向進行運動。 現在以圖二說明化學材料供應裝置22之構造及功能。 化學材料供應裝置22包括-加缝置24、混合裝置26、果 28、過遽器29、30、凝結裝置32及—回火裝置％。各元件 以圖二所示之方式’时路相連接，形朗閉循環。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297^ΪΤ -10 ~

4 52 8 5 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7·) 加熱裝置24及/或混合裝置26以管路與化學材料容器 相連接’所需之化學材料經管路輸入循環内。當然，可將化 學材料從另一位置輸入循環内。 管路36、38從封閉之循環延伸至第一及第二處理槽 16、18之入口 37、39。迴路管路40、42從處理槽16、18 回到化學材料供應裝置22之循環内。 從圖二可以看出’第一處理槽具一排放口 44。此排 放口 44具一相對而言較大之開口，可將在處理槽16内之處 理流體快速的排出。除此之外’處理槽16具一溢流46，其 與一排放口相接’從槽溢流出之處理流體可被導出。 處理槽18同樣具一排放口 48及一溢流50。迴路管道 4〇、42可與溢流46'50及/或排放口 44、48相連接。 在化學材料供應裝置内，尤其是加熱裝置24及混合裝 置26形成一化學材料準備單元，處理槽丨6、18内處理晶圓 所需之化學材料在此單元内進行準備。此化學材料供應裝置 之容量，尤其是化學材料準備單元之容量是為單個處理槽 16或18設計。在化學材料準備好後，經泵28及過濾器29、 30進入處理槽16或18,在處理槽内化學材料維持一預定之 時間，處理在槽内之基板。然後，化學材料被從處理槽16 或18導回至化學材料供應裝置22。在此，化學材料在凝結 裝置32内凝結，再被繼續導至回火裝置34，並在其内回火。 從此化學材料被送至加熱裝置％，並在其中以適當方式加 熱至處理溫度。 化學材料再從加熱裝置24被導至混合裝置26，在其 L紙張尺度適用中國國象標毕（Cns)A4規格（21〇 X 297公爱） -11- ------------^--------訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4528 /i 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（8·) 中’或有新鮮的化學材料被加入並進行混合，再經泵28及 過濾器29、30被導至另一槽丨6、18。在化學材料供應裝置 内準備化學材料需要一段時間，因而在槽16、18内之程序 流程是以適當之方式加以控制，以後再會以圖四加以說明。 雖然以上藉圖二說明整個處理流體在槽16、18内處理 後，被導回至化學材料供應裝置，也可以完全不，或只是部 分導回’並可經溢流46、50或排放口 44、18排出。 現在藉圖三說明稀釋氫氟酸(DHF)之化學材料供應裝 置5。該裝置5包括一混合裝置52、栗54、過遽器55、56、 57、回火裝置58及一凝結裝置60 ,各元件將藉管路相互連 接’以形成封閉之循環。此循環經適當之管路61、62 ,與 處理槽16、18之入口 37、39相連接。此化學材料供應裝置 5之容f是為-處輯16、18設計，而且永遠只有一槽被 供應DHF。混合裝置52與化學材料容器相接，化學材^可 經混合裝置導入循環内。在循環内之化學材料經常處在運動 中，而且只要不是經管路61、62被導至槽16、18，就一直 是在封閉之循環内運動。 化學材料供應裝置5是以相對而言較高之流動速度，例 如每分鐘5〇公升加以設計，且化學材料可不需要很 備時間就立刻可供應出。 現在以_·在處輯16、18内程序流程之時間安 裝控制，此控制是由-未示出之控制裝置進行。圖四顯示各 處理槽内之程序流程時序圖，時間軸是從上到下。。, 在圖式中所使用之簡寫字母，含義如下： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -------—訂-------- -12- 452854 A7 B7 五、發明說明（9·) SC卜以在化學材料供應裝置22中準備之SC1來處理晶 圓； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0R=溢流清洗(Overflow Rinse)，亦即在各槽内之處理流 體’藉導入另一處理流體而被從槽中驅出，並溢流 而出； QDR=快速排放清洗(Quick Dump Rinse)，亦即在槽内之 處理流體經各排放口 44或48快速排出。 DHF=以稀釋之氫氟酸處理基板。 FR=最終清洗(Final Rinse)，亦即晶圓被去離子水清洗。 MG/Dry=基板由處理流體舉出，並依馬拉哥尼方法加以 脫乾。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，處理槽18(STT2)進行晶圓之上料，同時化學材 料供應裝置22内之SCI則進行準備。上料完成後，在處理 槽18内以SCI處理晶圓一預定之時間。處理完後，處理槽 18之SCI輸入被停止，同時在化學材料供應裝置22内為下 一處理準備新的SCI。仍在處理槽18内之SCI ’在晶圓清 洗時，藉導入去離子水後，以溢流方式將之從槽出取出或 SCI經快速排放口 48排出，然後將去離子水導入槽18内。 隨後以一段時間，將DHF導入處理槽18内，並維持在槽内 或持續導入。在晶圓受DHF處理後，DHF被導入之去離子 水從槽中驅出，並造成溢流，晶圓即被去離子水清洗°然後 晶圓從去離子水中取出，並依馬拉哥尼方法加以脫乾。此時 處理槽18完成下料，在一短暫時間後，再以進行上料’此 短暫時間有其需要，用以將清潔後之晶圓運走’並將要加以 本紙張尺度適用中國國家標孳（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 452854 A7 五、發明說明（ίο.) 清潔之基板取來。 ^處輯16㈣進行均之轉，但 裝，處理槽16在槽18内做卿處 = 圓上料。在槽16内進行SC1處理時，槽18内則進行^ 清洗/最後清洗及馬拉哥尼脫乾。在處理槽ιό將奶化 料導出及將DHF化學材料導入時，槽18則進行下料在^ 内進行DHF處理時’槽18則在下料及上料之空槽間。 在槽Μ進行溢流清洗/最後清洗時，槽18則進行上料 16進行馬拉哥尼脫乾及下料時，槽18則進行幻處理/ 由上述時間安裝之控制，可以保證槽18内幻之處理 結尾及槽16 Θ SCI之處理開始間，在準備SCH匕學材料時 有足夠的時間。另外’在各槽内之卿處理及溢流清洗/ 最後清洗處理時間上之偏置，二者不會重疊。藉此在二槽 16及18内各程序流程之時間偏置，雖然sa準備需要時 間，但仍可只使用一 SCI供應裝置，此供應裝置之容量主 要疋為供應處理槽之需要而設計。此點，對Djjp供應裝置 也成立，雖然在此裝置中，相連二處理程序間之準備時間不 是問題。 除此之外，處理槽18之上料及下料是在處理槽16之 sci處理步驟之間。如此，將晶圓運輸至槽18，及將晶圓 運出槽18 ’是在槽16進行SC1處理步驟之間，因而經槽 16上方運輸之晶圓不會被槽16内之sci處理污染。 雖然以上藉一較偏好之實施例說明了本發明，可以看 出’本發明並不只限於此具體之實施例。例如，頂蓋可以主 b紙張尺度適用中圉國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45285/ A7 B7 五、發明說明（11 ·) 要是平面蓋之形式，以遮蔽至少一槽，當操作裝置運動經過 此槽上方時。頂蓋可只是遮住槽或是將之密封，以防止操作 裝置或由其抓持之晶圓受到污染。尤其是，此處在處理槽内 所使用之化學材料及程序流程可與此具體顯示者相異。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 45285 4 Λ7 B7 五、發明說明（I2.) 元件符號說明

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 晶圓處理裝置 2 處理站 3 電子電路箱 4 加熱裝置 5 化學材料供應裝置 6 供應裝置 8 輸入/輸出儲存區 10 晶圓匣 12 推動器 14 推動器 16 處理槽 18 處理槽 20 頂蓋 22 化學材料供應裝置 24 加熱裝置 26 混合裝置 28 泵 29 過濾器 30 過濾器 32 凝結裝置 34 回火裝置 36 管路 37 入口 « . · I -----』----- I I，--------訂·-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 4 5 2 8 5 4 A7 五、發明說明（13.) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 38 管路 39 入口 40 迴路管路 42 迴路管路 44 排放口 46 溢流 48 排放口 50 溢流 52 混合裝置 54 泵 55 過濾器 56 過濾器 57 過濾器 58 回火裝置 60 凝結裝置 61 管路 62 管路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .tT*. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） -17-

Claims (1)

1. 4 5285 4 Ms08

   經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 第89102056號專利案申請專利範圍修正本 1. 一種處理基板之方法，其用於處理在二槽之至少其中一 槽内的基板，各槽可至少充填二處理流體，其具下列方 法步驟： a) 在一供應二槽共同之處理流體準備單元内準備第一 處理流體，此處理流體準備單元之容量是為一處理流 體槽設計， b) 將基板運入槽内， c) 將第一處理流體以預定之時間導入槽内 d) 將至少一第二處理流體導入槽内，及 e) 將基板從槽取出， 其各槽之方法程序順序均平行，且以一定之時間安裝來 加以控制，使在其中一槽的步驟c)結尾及另一槽之步驟 c)開始之間，有足夠時間來準備第一處理流體。 2. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，第一 處理流體在導入第二處理流體之前先被排出。 3. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，第一 處理流體係藉導入第二處理流體而被從槽中驅出。 4. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，第一 處理流體在準備時，由不同之化學材料混合及/或加熱。 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，第一 處理流體在步驟c)結束後至少是部分被導回至處理流體 準備單元。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^1 ^1 ^1 I tf H ϋ n I Λ I 1 I ^1. I n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -18 - 452854 8OP0Q8 AKaD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 6♦根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，準備 第一處理流體及槽之上料時間上至少有部分時間上之重 疊。 7·根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，有導 入第三處理流體。 8.根據申請專利範圍第7項所述之方法，其特徵為，第二 及/或第二流體是一清洗流體。 9_根據申請專利範圍第7項所述之方法，其特徵為，第二 及/或第三處理流體是藉二槽共同之處理流體供應裝置加 以提供。 10. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，二槽 以一共同之操作裝置上料及下料。 11. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，基板 在一槽之上料及下料時，運動經過另—槽，因此該運動 只疋當另一槽是在清洗程序時才進行。 12. 根據申清專利範圍第1項所述之方法，其特徵為，其中 之一槽在操作裝置經其上運動時被遮住。 13. 根據申請專利範圍第12項所述之方法，其特徵為，槽是 被一主要是平面之頂蓋遮住。 14·根據申請專利範圍第丨項所述之方法，其特徵為，操作 裝置抓取一共同之輸入/輸出站。 I5·根據帽專利麵帛1爾述之料，其雜為，基板 被從各槽中取出時，加以脫乾。 16.根據命請專利範圍第15項所述之方法，其特徵為，脫乾 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公龙） ^ Ml. !裝------—tr,--------.4 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I -19- 452854 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 是依馬拉哥尼原理進行。 17. —種處理基板之裝置，其具 -二至少可充填二處理流體之槽， -至少有一第一為各槽共用之處理流體供應裝置，此供 應裝置至少有一處理流體準備單元，該單元之容量是 為一槽而設計， -至少有一第二處理流體供應裝置，及 控制裝置’以時間安裝方式，控制各槽内平行進 行之程序。 18. 根據申請專利範圍第17項所述之裝置，其特徵為，各槽 底部有一快速排放閥。 19. 根據申請專利範圍第π項所述之裝置，其特徵為，各槽 有一溢流。 20. 根據申請專利範圍第π項所述之裝置，其特徵為，處理 流體準備單元具有一化學材料混合裝置及/或一加熱裝 置。 21·根據申請專利範圍第17項所述之裝置，其特徵為，第— 處理流體供應裝置有一流體循環。 22. 根據申請專利範圍第Π項所述之裝置，其特徵為，有— 裝置將處理流體從槽導回至第一處理流體供應裝置。 23. 根據申請專利範圍第17項所述之裝置，其特徵為，在第 一處理流體供應裝置内有一循環準備單元。 24. 根據申請專利範圍第17項所述之裝置，其特徵為，有一 共同之基板操作裝置，用來進行二槽之上料及下料。 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----— IT — — *:— 11 -1111III 訂--1-----^ (靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -20- 4 5 2 8 5/^ 韻 C8 D8 六、申請專利範圍 25. 根據申請專利範圍第17項所述之裝置，其特徵為，至少 一槽設有可動之遮蓋。 26. 根據申請專利範圍第25項所述之裝置，其特徵為，遮蓋 是一主要是平面之頂蓋。 27. 根據申請專利範圍第17項所述之裝置，其特徵為，為二 槽設有一輸入/輸出站，以提供基板。 28. 根據申請專利範圍第17項所述之裝置，其特徵為，有一 裝置，其用來提高基板密度，以在二槽内進行處理。 29. 根據申請專利範圍第28項所述之裝置，其特徵為，輸入 站設有提高基板及/或二槽密度之裝置，且是設置在一列 上。 30. 根據申請專利範圍第29項所述之裝置，其特徵為，二槽 是設置在提高基板密度裝置不同之侧。 ------；----ΊI — — 11 —tr---------.VJe (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 -