EP1153417A1 - Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten

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Publication number
EP1153417A1
EP1153417A1 EP00903663A EP00903663A EP1153417A1 EP 1153417 A1 EP1153417 A1 EP 1153417A1 EP 00903663 A EP00903663 A EP 00903663A EP 00903663 A EP00903663 A EP 00903663A EP 1153417 A1 EP1153417 A1 EP 1153417A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
treatment
treatment fluid
basin
basins
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP00903663A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
John Oshinowo
Ulrich Biebl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Steag Microtech GmbH
Original Assignee
Steag Microtech GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19926462A external-priority patent/DE19926462C1/de
Application filed by Steag Microtech GmbH filed Critical Steag Microtech GmbH
Publication of EP1153417A1 publication Critical patent/EP1153417A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a method for treating substrates in a basin, which can be filled with at least two treatment fluids.
  • Such a device is referred to as a single tank tool (STT), since several substrate treatments are carried out within a treatment tank by introducing different treatment fluids.
  • STT single tank tool
  • Such a device is described, for example, in the unpublished German patent application number 197 38 147 which goes back to the same applicant and DE-A-196 16 402 which goes back to the same applicant.
  • different devices are assigned to a treatment basin. These include, inter alia, a wafer input / output station, a device for compacting the wafers, which is referred to as a pusher, a transport device, an electronic circuit device and at least two treatment fluid supply devices. These previously mentioned devices each have a capacity which is designed for a single basin.
  • At least one of the treatment fluid supply devices generally contains a treatment fluid treatment device in which a treatment fluid, such as SC1, consisting of a mixture of ammonia, hydrogen peroxide and water, is mixed and heated.
  • a treatment fluid such as SC1
  • SC1 consisting of a mixture of ammonia, hydrogen peroxide and water
  • JP-A-61-133633 a device for treating semiconductor wafers with three identical treatment tanks is known, which are supplied with treatment fluid via a common supply device.
  • the treatment basins are sequentially used to treat the wafers set that only one basin is used for the treatment of wafers at a time.
  • the remaining pools are kept ready to be used as treatment pools after a certain number of treatment cycles in the pool being used.
  • This device requires space for three treatment pools, although only one of the pools is used for the treatment of wafers at a time. This high space requirement leads to high costs for the system, which are usually set up in expensive clean rooms.
  • JP-A-6-314683 shows a device for treating semiconductor wafers with a plurality of treatment tanks, which are supplied with treatment fluid via a common supply device.
  • a plurality of treatment basins can be used at the same time, in each case one treatment basin which is not currently used is kept on standby in order to ensure continuous treatment.
  • the supply unit is designed for the simultaneous supply of all pools, although they are not all in use at any time. The constant availability of a pool and a supply facility designed for all treatment pools in turn results in a high space requirement.
  • JP-A-6-204201 also shows a device for the treatment of semiconductor wafers with a plurality of treatment tanks which are supplied with treatment fluid via a common supply device.
  • the pools are all used at the same time and the supply device is designed for the simultaneous supply of all pools.
  • the object of the present invention is to provide a device and a method for treating substrates which enables the substrates to be treated inexpensively.
  • the throughput of the device is to be increased without a significantly increased space requirement for the device. tion, as this is usually set up in clean rooms, which are very expensive to provide and operate.
  • the object on which the invention is based is achieved according to the invention by a method for treating substrates in at least one of two basins, each of which can be filled with at least two treatment fluids, by providing the following method steps: a) preparing a first treatment fluid in one for both basins common treatment fluid treatment unit, the capacity of which is designed for a treatment basin, b) loading the basin with substrates, c) introducing the first treatment fluid into the basin for a predetermined period of time, d) introducing the at least second treatment fluid into the basin and e) removing the Substrates from the basin, the process sequences in the respective basins being controlled in parallel and at different times so that between the end of step c) in one of the basins and the beginning of step c) in the other basin, a sufficient amount for the treatment of the first treatment fluid Time m is provided.
  • the first treatment fluid is preferably drained off before the introduction of the second treatment fluid or displaced from the basin by the introduction of the second treatment fluid.
  • the first treatment fluid is preferably mixed and / or heated from different chemicals during the preparation in order to be able to provide freshly prepared treatment fluid with the respectively required mixing ratios for the treatment.
  • the first treatment fluid after the end of step c) is in each case at least partially returned to the treatment fluid treatment unit in order to reprocess the treatment fluid, which leads to considerable cost savings in the chemicals used, since these are at least partially reused.
  • a third treatment fluid is preferably introduced into the basin during the treatment, either the second or the third fluid being a rinsing fluid for cleaning the substrates.
  • the second and / or third treatment fluids are provided via treatment fluid supply devices that are common to both pools, and the pools are loaded and unloaded with a common handling device.
  • the substrates for loading and unloading one tank are moved over the other tank, this movement taking place only during a rinsing process in the other tank in order to impair the substrates by chemical treatment in the other Avoid basin.
  • a closure device is provided which closes the treatment basin over it during a movement of the handling device.
  • the closure device is preferably a substantially flat cover.
  • the handling device preferably accesses a common input / output station.
  • the substrates For good and quick drying of the substrates, they are dried according to the Marangoni principle when they are removed from the respective basin. net, but alternative drying processes can also be used.
  • the object on which the invention is based is also achieved by a device for treating substrates with two basins which can be filled with at least two treatment fluids, at least one first treatment fluid supply device which is common to basins and which has at least one treatment fluid treatment unit, the capacity for which Basin is designed, solved at least a second treatment fluid supply device and a control device for staggered control of parallel processes in the respective basin.
  • Each basin preferably has a quick drain valve and / or an overflow.
  • this has a fluid circuit in which the treatment fluid can be kept in constant motion.
  • the device in a preferred exemplary embodiment of the invention has a device for returning treatment fluid from the pools to the first treatment fluid supply device, in which a reprocessing unit is provided.
  • the device takes up as little space as possible, there is preferably a common substrate handling device for loading and unloading both basins, a common input / output station for the provision of substrates and / or a common device for 'compacting the substrates for treatment in the two Basin provided.
  • the substrate handling device can have the simplest possible movement mechanism, the input station, the device for compacting the substrates and / or the basins are arranged in a row.
  • the two tanks are preferably arranged on different sides of the device for compacting the substrates.
  • Figure 1 is a schematic plan view of a treatment device according to the invention.
  • Flow circuit 3 is a schematic view of an alternative treatment fluid flow circuit
  • Fig. 4 shows a process sequence for the treatment of substrates in the device according to the invention.
  • the device 1 shows a schematic top view of a wafer treatment device 1 according to the invention.
  • the device 1 has a treatment station 2, an electronic circuit cabinet 3, a heating device 4 for deionized water (DIW), a first chemical supply device 5 for dilute hydrofluoric acid (DHF) and a supply device 6 for deionized water.
  • DIW deionized water
  • DHF dilute hydrofluoric acid
  • the electronic control cabinet 3, the heating device 4, the chemical supply device 5 and the supply device 6 are all arranged outside the actual treatment station 2. Alternatively, however, they could also be accommodated in treatment station 2.
  • An input / output memory 8 is provided within the treatment station 2 and serves to receive a large number of wafer cassettes 10, which are inserted into and removed from the input / output memory via a lock, not shown.
  • Adjacent to the input / Output memory 8 is a first device for compacting the wafers, a so-called pusher 12, is arranged in which the wafers from two wafer cassettes 10 are nested one inside the other in order to form a compact package of wafers for subsequent treatment. If, for example, 26 wafers are contained in a wafer cassette 10, the package pushed into one another contains 52 wafers in the pusher.
  • the first pusher 12 is used in the same way to divide the substrates back into two separate wafer cassettes 10 after treatment.
  • a second pusher 14 can be provided adjacent to the first pusher 12, as shown in FIG. 1.
  • one of the pushers for example the pushers 12
  • the second pusher for example the pushers 14
  • a transport device in the form of a movable hood 20 is provided for transporting the wafer packages between the pushers 12 and 14 and the treatment basins 16 and 18.
  • the treatment basins 16 and 18 are arranged in a row with the pushers 12 and 14. Due to the row arrangement of the pushers 12, 14 and the treatment basin 16, 18, it is sufficient that the hood only in two directions of movement, i. H. horizontally and vertically, is movable.
  • a chemical supply device 22 for example for SC1, ie a mixture of ammonia, hydrogen peroxide and water, is also provided within the treatment station 2.
  • the chemical supply device 22 is discussed in more detail below with reference to FIG. 2.
  • the hood 20 must cross the treatment basin 16 before loading the treatment basin 18 or after unloading the treatment basin 18.
  • the treatment tank 16 may be 18 positioned alternatively on opposite sides of the pusher 12, 14, so that a crossing of the specialistssbek- ken 16 for loading and unloading the treatment basin 18.
  • the chemical supply device 22 includes a heating device 24, a mixing device 26, a pump 28, filter 29, 30, a concentration device 32 and a temperature control device 34.
  • the respective elements are connected to one another via lines in the manner shown in FIG to form a closed cycle.
  • the heating device 24 and / or the mixing device 26 are connected via lines to chemical containers via which the required chemicals are introduced into the circuit.
  • the required chemicals are introduced into the circuit.
  • Lines 36, 38 extend from the closed circuit to inlets 37, 39 of the first and second treatment basins 16, 18.
  • Return lines 40, 42 extend from the treatment basin 16, 18 back to the circuit in the chemical supply device 22.
  • WO 00/49644 PCT / EP00 / 00815 . , ,
  • the first treatment basin 16 has an outlet 44.
  • the outlet 44 has a relatively large opening, which enables the treatment fluid in the treatment basin 16 to be drained quickly.
  • the treatment basin 16 has an overflow 46 which is connected to a drain to drain treatment fluid flowing over the basin.
  • the treatment basin 18 in the same way has an outlet 48 and an overflow 50.
  • the return lines 40, 42 can be connected to the overflows 46, 50 and / or the outlets 44, 48.
  • the heating device 24 and the mixing device 26 form a chemical processing unit in which the chemicals are prepared for the treatment of wafers in the treatment tanks 16, 18.
  • the capacity of the chemical supply device, and in particular the chemical processing unit, is designed for a single treatment basin 16 or 18. After the processing of the chemicals, these are passed via the pump 28 and the filters 29, 30 to the treatment basin 16 or 18, in which it is held for a predetermined period of time in order to carry out a treatment of the wafers contained therein.
  • the chemicals are then returned from the treatment basin 16 or 18 to the chemical supply device 22. There they are concentrated within the concentration device 32 and passed on to the tempering device 34, in which they are tempered. From there, the chemicals go to the heater 24, where they are suitably heated to the treatment temperature.
  • the chemicals are passed from the heating device 24 to the mixing device 26, in which fresh chemicals are added and mixed, if necessary, before they are passed via the pump 28 and the filters 29, 30 to the other of the basins 16, 18.
  • the processing of the chemicals within the chemical supply facility takes a certain amount of time that the process sequences within the basin 16, 18 are controlled in a certain way, as will be described in more detail below with reference to FIG. 4.
  • the chemical supply device 5 for dilute hydrofluoric acid (DHF) will now be described with reference to FIG. 3.
  • the device 5 includes a mixing device 52, a pump 54, filters 55, 56, 57, a temperature control device 58 and a concentration device 60, which are connected to one another via respective lines in order to form a closed circuit.
  • the circuit is connected to the inlets 37, 39 of the treatment pools 16, 18 via suitable lines 61, 62.
  • the capacity of the chemical supply device 5 is designed for a treatment pool 16, 18 and can only supply one pool with DHF.
  • the mixing device 52 is connected to chemical containers via which chemicals can be introduced into the circuit.
  • the chemicals in the circuit are in constant motion and, unless they are passed via lines 61, 62 to the basins 16, 18, they flow into the closed circuit.
  • the chemical supply device 5 is designed for relatively high flow rates, such as 50 liters per minute, and the chemicals can be made available immediately without considerable preparation time.
  • FIG. 4 shows a chronological sequence of the pro- processes in the individual treatment pools, with the time axis running from top to bottom.
  • SC1 treatment of the wafers with the SC1 prepared in the chemical supply device 22
  • OR overflow rinse, i.e. H. the treatment fluid in the respective pool is displaced from the pool by introducing another treatment fluid and made to overflow.
  • QDR Quick Dump Rinse, i. H. the treatment fluid in the basin is drained very quickly through the respective outlet 44 or 48;
  • DHF treatment of the wafers with dilute hydrofluoric acid;
  • FR Final Rinse, i.e. H. the wafers are rinsed with deionized water;
  • the treatment basin 18 (STT2) is loaded with wafers, while at the same time the SC1 is processed in the chemical supply device 22.
  • the wafers are treated with SC1 in the treatment tank 18 for a specific period of time.
  • the inflow of SC1 into the treatment basin 18 is stopped and, at the same time, new SC1 is prepared in the chemical supply device 22 for the next treatment.
  • the SC1 still in the treatment basin 18 is displaced from the basin for rinsing the wafers by introducing di-water and caused to overflow, or the SC1 is drained off via the quick-release outlet 48, and subsequently di-water is introduced into the basin 18.
  • DHF is then introduced into the treatment basin 18 for a certain period of time and held there or continuously passed through to it.
  • the DHF is displaced from the pool and made to overflow by introducing deionized water, and the wafers are deionized. rinsed water.
  • the wafers are then dried according to the Marangoni process when they are removed from the deionized water.
  • the treatment basin 18 is now unloaded and loaded again after a short interval, which is necessary in order to remove the cleaned wafers and to fetch new substrates to be cleaned.
  • the process described above also runs in the treatment basin 16 at different times, the treatment basin 16 being loaded with wafers in the basin 18 during the DHF treatment.
  • the SC1 treatment in the pool 16 is carried out during the overflow rinse / final rinse and the marangoni drying in the pool 18.
  • the discharge of the SC1 chemical and the introduction of the DHF chemical into the treatment pool 16 takes place during the unloading of the Pelvic 18, and DHF treatment in pelvis 16 takes place during the pause between unloading and loading of pelvis 18.
  • the overflow rinse / final rinse in pelvis 16 takes place during pelvic bathing 18. Marangoni drying and unloading of the pelvis 16 take place in the pelvis 18 during the SC1 treatment.
  • the staggered control as described above ensures that there is sufficient time between the end of the SC1 treatment in the basin 18 and the start of the SC1 treatment in the basin 16 for the preparation of the SC1 chemical. Furthermore, the DHF treatment and the overflow rinse / final rinse treatments in the respective pools are staggered in time so that they do not overlap. Due to this time offset between the process sequences in the treatment basin 16 and 18, it is possible to use an SC1 supply device despite the required preparation time for the SC1, the 'capacity of which is essentially designed for the operation of only one treatment basin. The same applies to the DHF supply facility, although this does not involve the problem of a considerable preparation time for the chemical between successive treatment processes.
  • the loading and unloading of the treatment basin 18 takes place between the SC1 treatment steps in the treatment basin 16. This ensures that the transport of the wafers to the basin 18 and away from the basin 18 takes place between the SC1 treatment steps in the basin 16 so that the wafers transported across the basin 16 cannot be affected by the SC1 treatment in the basin 16.
  • a cover in the form of a substantially flat lid could be provided to cover at least one of the basins when the handling device is moved across the basin.
  • the lid could either only cover the tank or seal it tightly in order to prevent contamination of the handling device or the wafers accommodated therein.
  • the chemicals used as well as the process sequences within the treatment basin can also deviate from those specifically shown.

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Abstract

Um die Durchsatzkapazität einer herkömmlichen Substratbehandlungsvorrichtung bei im wesentlichen gleichbleibender Stellfläche zu erhöhen, wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten in wenigstens einem von zwei Becken, die jeweils mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüllbar sind, vorgesehen. Das Verfahren weist die folgenden Verfahrensschritte auf: a) Aufbereiten eines ersten Behandlungsfluids in einer für beide Becken gemeinsamen Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit, b) Beladen des Beckens mit Substraten, c) Einleiten des ersten Behandlungsfluids in das Becken für eine vorbestimmte Zeitperiode, d) Einleiten des wenigstens zweiten Behandlungsfluids in das Becken und e) Entnehmen der Substrate aus dem Becken, wobei die Verfahrensabläufe in den jeweiligen Becken zeitlich versetzt so gesteuert werden, dass zwischen dem Ende des Schrittes c) in einem der Becken und dem Beginn des Schrittes c) im anderen Becken ein für die Aufbereitung des ersten Behandlungsfluids ausreichender Zeitraum vorgesehen ist.

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Becken, das mit wenigsten zwei Behandlungsfluids befüllbar ist.
Eine derartige Vorrichtung wird als Single Tank Tool (STT) bezeichnet, da innerhalb eines Behandlungsbeckens durch Einleiten unterschiedlicher Be- handlungsfluide mehrere Substratbehandlungen erfolgen. Eine derartige Vorrichtung ist beispielsweise in der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden, nicht vorveröffentlichten deutschen Patentanmeldung mit der Nummer 197 38 147 sowie der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden DE-A-196 16 402 beschrieben. Bei derartigen Vorrichtungen sind einem Behandlungsbecken jeweils unterschiedliche Vorrichtungen zugeordnet. Diese umfassen unter anderem eine Wafer-Eingabe-/Ausgabestation, eine Einrichtung zum Verdichten der Wafer, die als Pusher bezeichnet wird, eine Transportvorrichtung, eine elektronische Schaltungsvorrichtung sowie wenigstens zwei Behandlungs- fluid-Versorgungseinrichtungen. Diese zuvor genannten Vorrichtungen besit- zen jeweils eine Kapazität, die für ein einzelnes Becken ausgelegt ist.
Wenigstens eine der Behandlungsfiuid-Versorgungseinrichtungen beinhaltet in der Regel eine Behandlungsfluid-Aufbereitungseinrichtung, in der ein Be- handlungsfluid, wie beispielsweise SC1 bestehend aus einer Mischung aus Ammoniak, Wasserstoffperoxid und Wasser, gemischt und erwärmt wird. Die Behandlungfluid-Aufbereitungseinrichtung sowie die Vor- und Aufbereitung selbst bilden einen erheblichen Kostenfaktor bei der Behandlung von Substraten.
Aus der JP-A-61 -133633 ist eine Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiter- wafern mit drei identischen Behandlungsbecken bekannt, die über eine gemeinsame Versorgungseinrichtung mit Behandlungsfluid versorgt werden. Die Behandlungsbecken werden sequentiell derart zur Behandlung der Wafer ein- gesetzt, daß zu jedem Zeitpunkt jeweils nur ein Becken für die Behandlung von Wafern eingesetzt wird. Die verbleibenden Becken werden in Bereitschaft gehalten, um nach Ablauf einer bestimmten Anzahl von Behandlungszykien in dem gerade verwendeten Becken als Behandlungsbecken eingesetzt zu wer- den. Diese Vorrichtung benötigt Raum für drei Behandlungsbecken, obwohl zu einem Zeitpunkt jeweils nur eines der Becken für die Behandlung von Wafern eingesetzt wird. Dieser hohe Platzbedarf führt zu hohen Kosten für die Anlage, die in der Regel in teuren Reinsträumen aufgestellt sind.
Die JP-A-6-314683 zeigt eine Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterwa- fern mit mehreren Behandlungsbecken, die über eine gemeinsame Versorgungseinrichtung mit Behandlungsfluid versorgt werden. Bei dieser Vorrichtung können mehrere Behandlungsbecken gleichzeitig eingesetzt werden, wobei jeweils ein derzeit nicht eingesetztes Behandlungsbecken in Bereit- schaft gehalten wird, um eine fortlaufende Behandlung zu gewährleisten. Dabei ist die Versorgungseinheit für die gleichzeitige Versorgung alier Becken ausgelegt, obwohl diese zu keinem Zeitpunkt alle im Einsatz sind. Durch das ständige Bereithalten eines Beckens sowie einer für alle Behandlungsbecken ausgelegten Versorgungseinrichtung ergibt sich wiederum ein hoher Platzbe- darf.
Die JP-A-6-204201 zeigt ebenfalls eine Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterwafern mit mehreren Behandlungsbecken, die über eine gemeinsame Versorgungseinrichtung mit Behandlungsfluid versorgt werden. Die Bek- ken werden alle gleichzeitig eingesetzt und die Versorgungseinrichtung ist für die gleichzeitige Versorgung aller Becken ausgelegt.
Ausgehend von der zuvor genannten Vorrichtung liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behan- dein von Substraten vorzusehen, welches eine kostengünstige Behandlung der Substrate ermöglicht. Darüber hinaus soll der Durchsatz der Vorrichtung erhöht werden, ohne einen wesentlich erhöhten Platzbedarf für die Vorrich- tung, da diese in der Regel in Reinsträumen aufgestellt ist, die in ihrer Bereitstellung und im Betrieb sehr kostenintensiv sind.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zum Behandeln von Substraten in wenigstens einem von zwei Bek- ken, die jeweils mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüllbar sind, durch Vorsehen der folgenden Verfahrensschritte gelöst: a) Aufbereiten eines ersten Behandlungsfluids in einer für beide Becken gemeinsamen Behandlungsfluid- Aufbereitungseinheit, deren Kapazität für ein Behandlungsbecken ausgelegt ist, b) Beladen des Beckens mit Substraten, c) Einleiten des ersten Behandlungsfluids in das Becken für eine vorbestimmte Zeitperiode, d) Einleiten des wenigstens zweiten Behandlungsfluids in das Becken und e) Entnehmen der Substrate aus dem Becken, wobei die Verfahrensabläufe in den jeweiligen Becken parallel und zeitlich versetzt so gesteuert werden, daß zwischen dem Ende des Schrittes c) in einem der Becken und dem Beginn des Schrittes c) im anderen Becken ein für die Aufbereitung des ersten Behandlungsfluids ausreichender Zeitraum vorgesehen ist. Durch die Verwendung von zwei Behandlungsbecken und die zeitliche versetzte Steuerung der Verfahrensabläufe in den Becken, ist es möglich, die Durchsatzkapazität eines herkömmlichen Eintankprozessors bzw. eines Single Tank Tools zu verdoppeln. Durch die zeitlich versetzte Steuerung der Verfahrensabläufe in den jeweiligen Becken ist es möglich, die mit den Becken in Zusammenhang stehenden Vorrichtungen und Elemente gemeinschaftlich zu nutzen, ohne daß deren Kapazität für mehrere Becken ausgelegt ist. Dadurch sind keine zwei vollständigen Single Tank Tools erforderlich, so daß die Stellfläche gegenüber der Verwendung von zwei herkömmlichen Single Tank Tools erheblich reduziert werden kann. Dies ist insbesondere im Hinblick darauf vorteilhaft, daß die Vorrichtung in der Regel in Reinsträumen angeordnet sind, deren Herstellung und Unterhaltung sehr kostenintensiv ist.
Vorzugsweise wird das erste Behandlungsfluid vor dem Einleiten des zweiten Behandlungsfluids abgelassen oder durch das Einleiten des zweiten Behandlungsfluids aus dem Becken verdrängt. Vorzugsweise wird das erste Behandlungsfluid bei der Aufbereitung aus unterschiedlichen Chemikalien gemischt und/oder erwärmt, um für die Behandlung frisch aufbereitetes Behandlungsfluid mit den jeweils notwendigen Mischverhältnissen vorsehen zu können. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform wird das erste Behandlungsfluid nach dem Ende des Schrittes c) jeweils wenigstens teilweise zur Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit zurückgeleitet, um das Behandlungsfluid wiederaufzubereiten, was zu erheblichen Kosteneinsparungen bei den verwendeten Chemikalien führt, da diese zumindest teilweise wiederverwendet werden.
Vorzugsweise wird während der Behandlung ein drittes Behandlungsfluid in das Becken eingeleitet, wobei entweder das zweite oder das dritte Fluid ein Spülfluid zur Reinigung der Substrate ist.
Für weitere Platzersparnis werden die zweiten und/oder dritten Behandlungs- fluide über jeweils für beide Becken gemeinsame Behandlungsfluid- Versorgungseinrichtungen bereitgestellt und die Becken werden mit einer gemeinsamen Handhabungsvorrichtung be- und entladen. Bei einer Ausfüh- rungsform der Erfindung werden die Substrate zum Be- und Entladen des einen Beckens über das andere Becken hinweg bewegt, wobei diese Bewegung nur während eines Spülvorgangs in dem anderem Becken erfolgt, um eine Beeinträchtigung der Substrate durch eine chemische Behandlung in dem anderen Becken zu vermeiden. Bei einer alternativen Ausführungsform der Er- findung ist eine Verschlußeinrichtung vorgesehen, die das Behandlungsbek- ken während einer Bewegung der Handhabungsvorrichtung darüber hinweg verschließt. Vorzugsweise ist die Verschlußeinrichtung ein im wesentlichen flacher Deckel. Vorzugsweise greift die Handhabungsvorrichtung auf eine gemeinsame Eingabe-/Ausgabestation zu.
Für eine gute und schnelle Trocknung der Substrate werden diese bei der Entnahme aus dem jeweiligen Becken nach dem Marangoni-Prinzip getrock- net, wobei aber auch alternative Trocknungsverfahren eingesetzt werden können.
Die der Er indung zugrundeliegende Aufgabe wird auch durch eine Vorrich- tung zum Behandeln von Substraten mit zwei mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüllbaren Becken, wenigstens einer ersten für Becken gemeinsamen Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung, die wenigstens eine Be- handlungsfluid-Aufbereitungseinheit aufweist, deren Kapazität für ein Becken ausgelegt ist, wenigstens einer zweiten Behandlungsfluid-Versorgungseinrich- tung und einer Steuervorrichtung zum zeitlich versetzten Steuern von parallelen Prozeßabläufen in den jeweiligen Becken gelöst. Bei einer derartigen Vorrichtung ergeben sich die schon oben ausgeführten Vorteile.
Vorzugsweise weist jedes Becken ein Schnellablaßventil und/oder einen Überlauf auf. Um ein Entmischen oder eine statische Veränderung des Behandlungsfluids in der Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung zu verhindern, weist diese einen Fluid-Kreislauf auf, in dem das Behandlungsfluid ständig in Bewegung gehalten werden kann. Für eine Wiederaufbereitung der bei der Behandlung verwendeten Chemikalien weist die Vorrichtung bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Einrichtung zum Zurückleiten von Behandlungsfluid von den Becken zu der ersten Behandlungs- fluid-Versorgungseinrichtung auf, in der eine Wiederaufbereitungseinheit vorgesehen ist.
Damit die Vorrichtung einen möglichst geringen Raum einnimmt, ist vorzugsweise eine gemeinsame Substrathandhabungsvorrichtung zum Be- und Entladen beider Becken, eine gemeinsame Eingabe-/Ausgabestation für die Bereitstellung von Substraten und/oder eine gemeinsame Einrichtung zum 'Verdichten der Substrate für die Behandlung in den beiden Becken vorgesehen. Damit die Substrathandhabungsvorrichtung einen möglichst einfachen Bewegungsmechanismus besitzen kann, sind die Eingabestation, die Einrichtung zum Verdichten der Substrate und/oder die Becken in einer Reihe angeordnet. Um zu verhindern, daß die Substrathandhabungsvorrichtung zum Be- und Entladen eines Becken das andere überqueren muß, sind die beiαen Becken vorzugsweise auf verschiedenen Seiten der Einrichtung zum Verdichten der Substrate angeordnet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Behandlungsvorrichtung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Behandlungsfluid-
Strömungskreislaufs; Fig. 3 eine schematische Ansicht eines alternativen Behandiungsfluid- Strömungskreislaufs;
Fig. 4 eine Prozeßsequenz für die Behandlung von Substraten in der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Fig. 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine erfindungsgemäß Wafer- behandlungsvorrichtung 1. Die Vorrichtung 1 weist eine Behandiungsstation 2, einen elektronischen Schaltungsschrank 3, eine Heizvorrichtung 4 für deionisiertes Wasser (DIW), eine erste Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 für verdünnte Flußsäure (DHF) sowie eine Versorgungseinrichtung 6 für deionisiertes Wasser auf. Der elektronische Schaltschrank 3, die Heizvorrichtung 4, die Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 sowie die Versorgungseinrichtung 6 sind alle außerhalb der eigentlichen Behandlungsstation 2 angeordnet. Alternativ könnten sie jedoch auch in der Behandlungsstation 2 aufgenommen sein.
Innerhalb der Behandlungsstation 2 ist ein Eingabe-/Ausgabespeicher 8 vorgesehen, der zur Aufnahme einer Vielzahl von Waferkassetten 10 dient, die über eine nicht dargestellte Schleuse in den Eingabe-/Ausgabespeicher eingesetzt und aus diesem entnommen werden. Benachbart zu dem Eingabe- /Ausgabespeicher 8 ist eine erste Vorrichtung zum Verdichten der Wafer, ein sogenannter Pusher 12, angeordnet, in dem die Wafer aus zwei Waferkas- setten 10 ineinander geschachtelt werden, um für eine nachfolgende Behandlung ein kompaktes Paket aus Wafern zu bilden. Wenn in einer Wafer- kassette 10 beispielsweise 26 Wafer enthalten sind, beinhaltet das ineinander geschobene Paket in dem Pusher 52 Wafer.
Der erste Pusher 12 dient in gleicher Weise dazu, die Substrate nach einer Behandlung wieder auf zwei getrennte Waferkassetten 10 aufzuteilen.
Optional kann benachbart zu dem ersten Pusher 12 ein zweiter Pusher 14 vorgesehen sein, wie in Fig. 1 gezeigt ist. Bei der Verwendung von zwei separaten Pushern kann einer der Pusher, beispielsweise der Pusher 12, die Substrate in ein Paket zusammenfügen, während der zweite Pusher, beispiels- weise Pusher 14, die Pakete jeweils aufteilt.
In der Behandiungsstation 2 ist ferner ein mit STT1 bezeichnetes Behandlungsbecken 16 sowie ein mit STT2 bezeichnetes Behandlungsbecken 18 angeordnet. Zum Transport der Waferpakete zwischen den Pushern 12 und 14 und den Behandlungsbecken 16 und 18 ist eine Transportvorrichtung in der Form einer bewegbaren Haube 20 vorgesehen. Die Behandlungsbecken 16 und 18 sind in einer Reihe mit den Pushern 12 und 14 angeordnet. Durch die Reihenanordnung der Pusher 12, 14 und der Behandlungsbecken 16, 18 reicht es aus, daß die Haube nur in zwei Bewegungsrichtungen, d. h. hori- zontal und vertikal, bewegbar ist.
Innerhalb der Behandlungsstation 2 ist ferner eine Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22, beispielsweise für SC1 , d. h. eine Mischung aus Ammohiak, Wasserstoffperoxid und Wasser vorgesehen. Auf die Chemikalien-Versor- gungseinrichtung 22 wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 2 näher eingegangen. Wie aus Fig. 1 zu erkennen ist, muß die Haube 20 vor dem Beladen des Behandlungsbeckens 18 bzw. nach dem Entladen des Behandlungsbeckens 18 jeweils das Behandlungsbecken 16 überqueren. Dabei könnte eine Beeinflussung "der in der Haube 20 befindlichen Wafer durch die in dem Behandlungs- becken 16 ablaufenden Behandlungsvorgänge erfolgen. Daher können die Behandlungsbecken 16, 18 alternativ auf gegenüberliegenden Seiten der Pusher 12, 14 angeordnet sein, damit ein Überqueren des Behandlungsbek- kens 16 zum Be- und Entladen des Behandlungsbeckens 18 entfällt. Darüber hinaus ist es auch möglich, die Behandlungsbecken 16, 18 derart nebenein- ander anzuordnen, daß die Haube 20 auf dem Weg zu einem der Behandlungsbecken nicht das andere überqueren muß. In diesem Fall ist allerdings ein komplizierterer Bewegungsmechanismus für die Haube 20 notwendig, da diese neben einer Linear- und Vertikaibewegung auch eine Bewegung in eine dritte Richtung durchführen niüßte.
Anhand der Fig. 2 wird nun der Aufbau und die Funktion der Chemikalien- Versorgungseinrichtung 22 näher erläutert. Die Chemikalien- Versorgungseinrichtung 22 beinhaltet eine Heizvorrichtung 24, eine Mischvorrichtung 26, eine Pumpe 28, Filter 29, 30, eine Konzentrationsvorrichtung 32 sowie eine Temperiervorrichtung 34. Die jeweiligen Elemente sind über Leitungen in der in Fig. 2 gezeigten Weise miteinander verbunden, um einen geschlossenen Kreislauf zu bilden.
Die Heizvorrichtung 24 und/oder die Mischvorrichtung 26 stehen über Leitun- gen mit Chemikalienbehältern in Verbindung, über die die benötigten Chemikalien in den Kreislauf eingeführt werden. Natürlich ist es auch denkbar, die Chemikalien an einer anderen Steile in den Kreislauf einzuleiten.
Von dem geschlossenen Kreislauf erstrecken sich Leitungen 36, 38 zu Einläs- sen 37, 39 der ersten und zweiten Behandlungsbecken 16, 18. Von dem Behandlungsbecken 16, 18 erstrecken sich Rückführleitungen 40, 42 zurück zu dem Kreislauf in der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22. WO 00/49644 PCT/EP00/00815 . . .
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Wie in Fig. 2 zu erkennen ist, besitzt das erste Behandlungsbecken 16 einen Ablaß 44. Der Ablaß 44 besitzt eine relativ große Öffnung, die ein rasches Ablassen des in dem Behandlungsbecken 16 befindlichen Behandlungsfluids ermöglicht. Darüber hinaus besitzt das Behandlungsbecken 16 einen Überlauf 46, der mit einem Ablaß verbunden ist, um über das Becken hinwegströmendes Behandlungsfluid abzuleiten.
Das Behandlungsbecken 18 besitzt in gleicher Weise einen Ablaß 48 und einen Überlauf 50. Die Rückführleitungen 40, 42 können mit den Überläufen 46, 50 und/oder den Ablässen 44, 48 in Verbindung stehen.
Innerhalb der Chemikalien-Versorgungseinrichtung bilden insbesondere die Heizvorrichtung 24 und die Mischvorrichtung 26 eine Chemikalien- Aufbereitungseinheit, in der die Chemikalien für eine Behandlung von Wafern in den Behandlungsbecken 16, 18 vorbereitet werden. Die Kapazität der Chemikalien-Versorgungseinrichtung, und insbesondere der Chemikalien- Aufbereitungseinheit ist für ein einzelnes Behandlungsbecken 16 oder 18 ausgelegt. Nach der Aufbereitung der Chemikalien werden diese über die Pumpe 28 und die Filter 29, 30 zu dem Behandlungsbecken 16 oder 18 ge- leitet, in denen es für eine vorbestimmte Zeitperiode gehalten wird, um eine Behandlung der darin enthaltenen Wafer durchzuführen. Anschließend werden die Chemikalien von dem Behandlungbecken 16 oder 18 zu der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22 zurückgeleitet. Dort werden sie innerhalb der Konzentrationsvorrichtung 32 konzentriert und zu der Temperiervorrich- tung 34 weitergeleitet, in der sie temperiert werden. Von dort gehen die Chemikalien zu der Heizvorrichtung 24, in der sie in geeigneter Weise auf die Behandlungstemperatur erwärmt werden.
Von der Heizvorrichtung 24 werden die Chemikalien zu der Mischvorrichtung 26 geleitet, in der ggf. frische Chemikalien zugesetzt und vermischt werden, bevor sie über die Pumpe 28 und die Filter 29, 30 zu dem anderem der Bek- ken 16, 18 geleitet werden. Die Aufbereitung der Chemikalien innerhalb der Chemikalien-Versorgungseinrichtung nimmt eine gewisse Zeit in Anspruch, so daß die Prozeßabläufe innerhalb der Becken 16, 18 in bestimmter Weise gesteuert werden, wie nachfolgend anhand der Fig. 4 näher beschrieben wird.
Obwohl oben unter Bezugnahme auf die Fig. 2 beschrieben wurde, daß das gesamte Behandlungsfluid nach einer Behandlung in dem Becken 16, 18 zu der Chemikalien-Versorgungseinrichtung zurückgeleitet wird, ist es auch möglich, daß es entweder nur teilweise oder überhaupt nicht zurückgeleitet wird und entweder über den Überlauf 46, 50 oder den Ablaß 44, 48 abgeleitet wird.
Anhand der Fig. 3 wird nun die Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 für verdünnte Flußsäure (DHF) beschrieben. Die Einrichtung 5 beinhaltet eine Mischvorrichtung 52, eine Pumpe 54, Filter 55, 56, 57, einer Temperiervorrichtung 58 und eine Konzentrationsvorrichtung 60, die über jeweilige Leitun- gen miteinander verbunden sind, um einen geschlossenen Kreislauf zu bilden. Der Kreislauf ist über geeignete Leitungen 61 , 62 mit den Einlassen 37, 39 der Behandlungsbecken 16, 18 verbunden. Die Kapazität der Chemikalien- Versorgungseinrichtung 5 ist für ein Behandlungsbecken 16, 18 ausgelegt und kann immer nur ein Becken mit DHF versorgen. Die Mischvorrichtung 52 steht mit Chemikalienbehältern in Verbindung, über die Chemikalien in den Kreislauf eingeleitet werden können. Die Chemikalien in dem Kreislauf befinden sich in ständiger Bewegung und, sofern sie nicht über die Leitungen 61 , 62 zu den Becken 16, 18 geleitet werden, strömen sie in den geschlossenen Kreislauf.
Die Chemikalien-Versorgungseinrichtung 5 ist für relativ hohe Strömungsgeschwindigkeiten, wie beispielsweise 50 Liter pro Minute, ausgelegt, und die Chemikalien können ohne erhebliche Vorbereitungszeit sofort zur Verfügung gestellt werden.
Anhand der Fig. 4 wird nun die zeitlich versetzte Steuerung der Prozeßabläufe in den Behandlungbecken 16, 18, die über eine nicht dargestellte Steuereinrichtung erfolgt, erläutert. Figur 4 zeigt eine zeitliche Abfolge der Pro- zeßabläufe in den einzelnen Behandlungsbecken, wobei die Zeitachse von oben nach unten verläuft.
Die in der Figur verwendeten Abkürzungen haben folgende Bedeutungen: SC1 = Behandlung der Wafer mit dem in der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22 aufbereiteten SC1 ; OR = Overflow Rinse, d. h. das in dem jeweiligen Becken befindliche Behandlungsfluid wird durch Einleiten eines anderen Behandlungsfluids aus dem Becken verdrängt und zum Überströmen gebracht QDR = Quick Dump Rinse, d. h. das in dem Becken befindliche Behandlungsfluid wird über den jeweiligen Auslaß 44 oder 48 sehr schnell abgelassen; DHF = Behandlung der Wafer mit verdünnter Flußsäure; FR = Final Rinse, d. h. die Wafer werden mit deionisiertem Wasser ge- spült;
MG/Dry = die Substrate werden aus dem Behandlungsfluid herausbewegt und gemäß dem Marangoni-Verfahren getrocknet.
Zunächst wird das Behandiungsbecken 18 (STT2) mit Wafern beladen, wäh- rend gleichzeitig das SC1 in der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22 aufbereitet wird. Nach dem Beladen wird für eine bestimmte Zeitperiode eine Behandlung der Wafer mit SC1 in dem Behandlungsbecken 18 durchgeführt. Nach der Behandlung wird der Zufluß von SC1 in das Behandlungsbecken 18 gestoppt, und gleichzeitig wird in der Chemikalien-Versorgungseinrichtung 22 neues SC1 für die nächste Behandlung aufbereitet. Das noch in dem Behandlungsbecken 18 befindliche SC1 wird zum Spülen der Wafer durch Einleiten von Di-Wasser aus dem Becken verdrängt und zum Überlaufen gebracht oder das SC1 wird über den Schneliablaß 48 abgelassen, und nachfolgend wird Di-Wasser in das Becken 18 eingeleitet. Anschließend wird für eine gewisse Zeitperiode DHF in das Behandlungsbecken 18 eingeleitet und dort gehalten bzw. ständig dorthindurchgeleitet. Nach der DHF-Behandlung der Wafer wird das DHF durch Einleiten von deionisiertem Wasser aus dem Bek- ken verdrängt und zum Überlaufen gebracht, und die Wafer werden mit deio- nisiertem Wasser gespült. Anschließend werden die Wafer beim Entnehmen aus dem deionisiertem Wasser gemäß dem Marangoni-Verfahren getrocknet. Nun wird das Behandiungsbecken 18 entladen und nach einer kurzen Zwischenzeit, die notwendig ist, um die gereinigten Wafer abzutransportieren und neue zu reinigende Substrate zu holen, erneut beladen.
Zeitlich versetzt dazu läuft der oben beschriebene Prozeß auch in dem Behandlungsbecken 16, wobei das Behandlungsbecken 16 während der DHF- Behandlung in dem Becken 18 mit Wafern beladen wird. Die SC1 -Behandlung in dem Becken 16 wird durchgeführt, während dem Overflow Rinse / Final Rinse und der Marangoni-Trocknung in dem Becken 18. Das Ausleiten der SC1 -Chemikalie und das Einleiten der DHF-Chemikalie in das Behandlungsbecken 16 erfolgt während des Entladens des Beckens 18, und die DHF- Behandlung in dem Becken 16 erfolgt während der Pause zwischen dem Entladen und dem Beladen des Beckens 18. Das Overflow Rinse / Final Rinse im Becken 16 erfolgt während des Beiadens des Beckens 18. Die Marangoni- Trocknung und das Entladen des Beckens 16 erfolgen während der SC1 - Behandlung im Becken 18.
Durch die wie oben beschriebene zeitlich versetzte Steuerung wird sichergestellt, daß zwischen dem Ende der SC1 -Behandlung im Becken 18 und dem Beginn der SC1 -Behandlung im Becken 16 ein für die Aufbereitung der SC1 - Chemikalie ausreichender Zeitraum verbleibt. Ferner sind die DHF- Behandlung und die Overflow Rinse / Final Rinse Behandlungen in den jewei- ligen Becken zeitlich so versetzt, daß sie sich nicht überschneiden. Aufgrund dieses zeitlichen Versatzes zwischen den Prozeßabläufen in den Behandlungsbecken 16 und 18 ist es möglich, trotz der erforderlichen Aufbereitungszeit für das SC1 eine SC1 -Versorgungseinrichtung zu verwenden, deren' Kapazität im wesentlichen für die Bedienung nur eines Behandlungsbeckens ausgelegt ist. Dasselbe gilt für die DHF-Versorgungseinrichtung, obwohl bei dieser nicht die Problematik einer erheblichen Aufbereitungszeit für die Che- mikalie zwischen aufeinanderfolgenden Behandlungsvorgängen gegeben ist. Darüber hinaus erfolgt das Be- und Entladen des Behandlungsbeckens 18 jeweils zwischen den SC1 -Behandlungsschritten im Behandluπgsbecken 16. Dadurch wird erreicht, daß der Transport der Wafer zu dem Becken 18 und von dem Becken 18 weg jeweils zwischen den SC1 -Behandiungsschritten im Becken 16 erfolgt, so daß die über das Becken 16 hinweg transportierten Wafer nicht durch die SC1 -Behandlung in dem Becken 16 beeinträchtigt werden können.
Obwohl die Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels be- schrieben wurde, sei bemerkt, daß die Erfindung nicht auf das konkret dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt ist. Beispielsweise könnte eine Abdek- kung in der Form eines im wesentlichen flachen Deckels vorgesehen sein, um wenigstens eines der Becken abzudecken, wenn die Handhabungsvorrichtung über das Becken hinweg bewegt wird. Der Deckel könnte das Becken entwe- der nur abdecken oder dicht verschließen, um eine Verunreinigung der Handhabungsvorrichtung bzw. der darin aufgenommenen Wafer zu verhindern. Insbesondere können auch die verwendeten Chemikalien sowie die Prozeßabläufe innerhalb der Behandlungsbecken von den konkret dargestellten abweichen.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Behandein von Substraten in wenigstens einem von zwei Becken, die jeweils mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüll- bar sind, mit den folgenden Verfahrensschritten: a) Aufbereiten eines ersten Behandlungsfluids in einer für beide Becken gemeinsamen Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit, deren Kapazität für ein Behandlungsbecken ausgelegt ist, b) Beladen des Beckens mit Substraten, c) Einleiten des ersten Behandlungsfluids in das Becken für eine vorbestimmte Zeitperiode, d) Einleiten des wenigstens zweiten Behandlungsfluids in das Becken, und e) Entnehmen der Substrate aus den Becken, wobei die Verfahrensabläufe in den jeweiligen Becken parallel und zeitlich versetzt so gesteuert werden, daß zwischen dem Ende des Schritts c) in einem der Becken und dem Beginn des Schritts c) im anderen der Becken ein für die Aufbereitung des ersten Behandlungsfluids ausrei- chender Zeitraum vorgesehen ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß das erste Behandlungsfluid vor dem Einleiten des zweiten Behandlungsfluid abgelassen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß das erste Behandlungsfluid durch das Einleiten des zweiten Behandlungsfluid aus dem Becken verdrängt wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Behandlungsfluid bei der Aufbereitung aus unterschiedlichen Chemikalien gemischt und/oder erwärmt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Behandlungsfluid nach dem Ende des Schritts c) jeweils wenigstens teilweise zur Behandlungsfluid-Aufberei- tungseinheit zurückgeleitet wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Aufbereitung des ersten Behandlungsfluid und die Beladung des Beckens zumindest teilweise zeitlich Überschneiden.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Einleiten eines dritten Behandlungsfluids.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, daß das zweite und/oder dritte Fluid ein Spülfluid ist.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten und/oder dritten Behandlungsfiuide über jeweils für beide Becken gemeinsame Behandlungsfluid-Versorgungs- einrichtungen bereitgestellt werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Becken mit einer gemeinsamen Handhabungsvorrichtung be- und entladen werden.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate zum Be- und Entladen des einen Bek- kens über das andere Becken hinweg bewegt werden, und daß diese Bewegung nur während eines Spülvorgangs in dem anderen Becken erfolgt.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eines der Becken während einer Bewegung einer Handhabungsvorrichtung darüber hinweg abgedeckt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Becken mittels eines im wesentlichen flachen Deckels abgedeckt wird.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Handhabungsvorrichtung auf eine gemeinsame Eingabe-/Ausgabestation zugreift.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate bei der Entnahme aus dem jeweiligen Becken nach dem Marangoni Prinzip getrocknet werden.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Trocknung nach dem Marangoni-Prinzip erfolgt.
17. Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit - zwei mit wenigstens zwei Behandlungsfluids befüllbaren Becken,
- wenigstens einer ersten, für die Becken gemeinsamen Behandiungs- fluid-Versorgungseinrichtung, die wenigstens eine Behandlungsfluid- Aufbereitungseinheit aufweist, deren Kapazität für ein Becken ausgelegt ist, - wenigstens einer zweiten Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung, und
- einer Steuervorrichtung zum zeitlich versetzten Steuern von parallelen Prozeßabläufen in den jeweiligen Becken.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch ein Schnellab- lassventii am Boden jedes Beckens.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 oder 18, gekennzeichnet durch einen Überlauf an jedem Becken.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekenn- zeichnet, daß die Behandlungsfluid-Aufbereitungseinheit eine Chemika- iien-Mischvorrichtung und/oder eine Heizvorrichtung aufweist.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung einen Fiuid-Kreislauf aufweist.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 21 , gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Zurückleiten von Behandlungsfluid von den Becken zu der ersten Behandlungsfluid-Versorgungseinrichtung.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 22, gekennzeichnet durch eine Wiederaufbereitungseinheit innerhalb der ersten Behand- lungsfluid-Versorgungseinrichtung.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 23, gekennzeichnet durch eine gemeinsame Substrat-Handhabungsvorrichtung zum Be- und Entladen beider Becken.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 24, gekennzeichnet durch eine bewegbare Abdeckung für wenigstens eines der Becken.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung ein im wesentlicher flacher Deckel ist.
27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 26, gekennzeichnet durch eine Eingabe-/Ausgabestation für die Bereitstellung von Substraten für beide Becken.
28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 27, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Verdichten der Substrate für die Behandlung in den beiden Becken.
29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingabestation die Einrichtung zum Verdichten der Substrate und/oder die beiden Becken in einer Reihe angeordnet sind.
30. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 29, dadurch gekenn- zeichnet, daß die beiden Becken auf verschiedenen Seiten der Einrichtung zum Verdichten der Substrate angeordnet sind.
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