TW451585B - Process-scalable high spatial resolution and low bit resolution CMOS area image sensor - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 34
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 12
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 2
- 239000012771 household material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 101100434459 Arabidopsis thaliana ADS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100388296 Arabidopsis thaliana DTX51 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RDYMFSUJUZBWLH-UHFFFAOYSA-N endosulfan Chemical compound C12COS(=O)OCC2C2(Cl)C(Cl)=C(Cl)C1(Cl)C2(Cl)Cl RDYMFSUJUZBWLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/195—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a two-dimensional array or a combination of two-dimensional arrays
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00127—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture
- H04N1/00281—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture with a telecommunication apparatus, e.g. a switched network of teleprinters for the distribution of text-based information, a selective call terminal
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- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00127—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture
- H04N1/00281—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture with a telecommunication apparatus, e.g. a switched network of teleprinters for the distribution of text-based information, a selective call terminal
- H04N1/00307—Connection or combination of a still picture apparatus with another apparatus, e.g. for storage, processing or transmission of still picture signals or of information associated with a still picture with a telecommunication apparatus, e.g. a switched network of teleprinters for the distribution of text-based information, a selective call terminal with a mobile telephone apparatus
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- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
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- H04N1/10—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using flat picture-bearing surfaces
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451585 A7 B7 五、發明說明() 發明领珑:_ -----— — — — — — 裝 i I 鬱 Μ 請先明讀背面之注意事項寫本頁> 本發明關係於影像感應器.更明白地說,係關係於 CMOS型面影像感應器,及攝影讀取,傳送及/或再生設 備’例如傳真機裝置,影印機及光學條碼讀取機。 發明背熹: .線、 現在很多攝影系統使用固態電荷耦合裝置(CCD)作為 影像感應器,其感應輸入光,轉換光強度成為電信號作為 讀出用。因為CCD係由設計以作攝影目的之高度特定製 程所完成,CCD叙程’ 一般均不相容於一互補型金屬氧化 物半導體(CMOS)裝置製程。今日多數之微處理機,特殊 應用積體電路(ASIC),及記憶體產品均為CMOS型裝置。 結果’一 CCD影像感應器需要另一分開支援電子設備, 通常是CMOS装置’以提供時序,時鐘及信號處理功能。 CCD之另一缺點是其消耗大量功率(例如瓦數)。另外,高 空間.解析面CCD感應器係昂贵的。 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 CMOS作為矽技術已經用以執行影像感應^ CMOS影 像感應器之主張優點為整合影像感應,讀出,類比至數位 轉換(ADC),信號處理,控制及記憶體於單一晶片上之可 能性》這導致較小型及較低成本之攝影系統,及其消耗較 CCD攝影系統為小的功率。 然而,早先幾代之CMOS具有大的最小電晶體閘極長 度(例如大於2微米)。此大電晶《大小將使得CMOS影像 感應器像素,對於典型影像感應應用中之所需空間解析度 第3頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公;* ) 451585 A7 B7 五、發明說明() 而言太大。一影像感應器之空間解析度表示一影像陣列之 乎面大小(例如640 X 480為一vga空間解析度)。 (請先閱讀背面之注$項t寫本頁) 隨著近來CMOS技術之進步,每一代CMOS裝置之電 晶體大小快速地隨著一般被稱為莫耳定律之指數傾向縮 小。於約1.2微米特性大小中,CMOS技術已經可以於製 造影像感應器中獲得競爭力,至少對於低空間解析度消费 者廣次應用而言是如此。 然而,CMOS技術之持續進步,代表了對於CMOS影 像感應器之新挑戰。因為當CMOS之最小特性大小收縮(例 如 0.5 微米至 0.35,0.25,0.18,0.13 微米),用於 CMOS 裝置之電壓源降低,接面深度降低,以及摻雜位準增加· 這一般造成較小信號擺動,降低光檢測器敏感度及增加洩 電流。結果,信號雜訊比(SNR)及CMOS影像感應器之動 態範園似乎變得更差,造成影像品質之降低。結果,因為 CMOS製程之最小特性大小持續收縮,其將很難提供一高 位年解析度CMOS面影像感應器。高位元解析度於此表示 亮度解析度及基本上為信號雜訊比所限制》 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 已經提出這些種類之標準CMOS處理之修改(即改變 設計以完成數位及/或類比電路用之CMOS製程,以完成 製造影像感應器之特殊目的)可以被完成,以完成於CMOS 影像感應器中之適當攝影效能。這些修改例如可以包含另 一離子体植之步驊,該步驛係用以改良於CMOS感應器中 之光檢測器之影像感應。
修改標準CMOS製程之缺點是其由使用相同CMOS 第41Γ 本紙張尺度適用令國國家標準<CNS)A4規格(210 X 297公 4515 85 A7 B7 五、發明說明() 製程以製造類比或數位電路以完成CMOS影像感應器之 製作影像感應器之基本優點上減損,即於標準CM0S生展 線上製造它們的效應上減去。 福蘇E於1995年IEDM95第17至25頁中之"CMOS 影像感應器:於一晶片上之電子相機"中描述一使用〇·9 微米CMOS技術’來完成一 256 X 256CMOS影像感應器’ 以及,使用0.5微米CMOS技術來完成1024 XI024影像感 應器,而不必單石整合時序及控制電路β此類型之沒有整 合時序及控制電路之CMOS影像感應器並不是想要的’因 為沒有整合性。該文章同時揭示一 256 X 256CMOS影像感 應器,具有整合時岸及控制邏輯,以1·2微米製程完成· 然而,此晶片之空間解析度對於例如傳真機之高空間解析 度應用係太低。再者,若被缩小至深次微米範困,則由此 影像感應器所取得之影像品質將被降低,由於信號位準降 低之故。 經濟郃智慧財產局員工消费合作社印製 t請先Μ續背面之注意事項1寫本頁) .美國專利第5,666,159號案描述一 CCD影像相機,整 合於一蜂巢式電話手機中"然而,由於相關CCD之缺點, 此整合CCD相機/蜂巢電話將消耗很大量之功率,並不適 用於蜂巢式電話應用中。 因此,本發明之一目的係提供一具有最小特性大小之 高空問解析度CMOS影像感應器,該大可以於CMOS技 街進步之同時被持績收縮。 本發明之另一目的係提供一 CMOS面影像感應器,其 可以被用於文件攝影及視訊攝影。 第5貰 本紙張尺度適用中國0家搮準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4515 85 A7 B7 五、發明說明() 本發明之另一目的係提供一 CMOS面影像感應器,用 於文件攝影,例如傳真機攝影· 本發明之另一目的係施加本發明之CMOS面影像感 應器於影像感應應用中。 本發明之另一目的係提供一 CMOS面影像感應器,用 於可搞式文件相關影像應用中。 發明目的及板谏: 本發明這些及其係目的係被完成於本發明中,其中提 供一具有位元解析度低於6位元及高空間解析度之CMOS 面影像感應器。該CMOS感應器係依據一 CMOS製程加以 製造,其特徵在於具有0.35微米或更小之閘極長度。CMOS 影像感應器包含具有至少1000X 900像素之像素感應器陣 列’以及一時序及控制產生電路,用於產生用於該影像感 應器之時序及控制信號。一列選擇電路係提供用以選擇一 或多.數列像素作讀出用β —行處理機係被提供,用以選擇 一或多數行像素作讀出用。一輸入/輸出電路係提供作為用 於CMOS面影像感應器之資料界面。時序及控制產生電 路’列選擇電路’行處理機及輸入/輪出電路係單石整合於 像素感應器陣列上。 較佳地’ CMOS面影像感應器更包含一單石整合數位 信號處理機’用以執行數位信號處理.更明白地說,對於 傳真機應用’數位信號處理機包含處理機構,用以傳真機 應用’用以文件再生或拷貝,數位信號處理機包含信號處 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210x297公爱) (諝先《婧背面之沒意事項再填R本頁) ' · I I I 111— ---------· . 經濟部智慧財產局霣工消f合作杜印製 4 515 8 5 A7 B7 五、發明說明() 理機構’用以文件再生或拷貝,用於條碼讀取及解碼,數 位信號處理機包含信號處理機構,用於條碼感應及解碼。 (請先《讀背面之注意事項&寫本頁) 一單石整合記憶體裝置可以包含於CMOS面影像感應器 中, 依據本發明之另一方面,提供一具有類比高頻振動之 CM0S面影像感應器。該CMOS面影像感應器包含類比高 頻振動機構,用以於此類比信號被轉換為數位影像信號前 或之時’但不在此信號被數位化後,於類比影像信號上執 行高頻振動= 依據本發明之另一方面,一可變位元及空間解析度 CMOS面影像感應器係被提供。CMOS感應器包含機構, 用以執行合適空間過取樣,以完成想要位元解析度。這 CMOS感應器可以被使用於文件攝影,例如傳真攝影及拷 貝,其中低位元解析度係足夠的,以及视訊攝影或照相, 其中需要高位元解析度者。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 ,.依據本發明之另一方面1提供有一攝影設備*該設備 包含一光學系統,用以投射一影像至一本發明之CM〇S面 影像感應器。該CMOS影像感應器具有一低於6位元之位 元解析度及一高空間解析度’並’且係依據一 CM0S製程 加以製造,其特徵在於具有035微米或更少之最小閉極長 度。CMOS影像感應器包含具有至少⑽x 900像素之像 紊陣列,一時序及控制產生電路,用以產生時序产控制信 號,用於該影像感應器,一列選擇電路,用以選擇一或多 數列像素作讀出用,一行處理機’用以選擇一或多數行像
第7X 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4 ¢210 X 297> 經濟部智慈財產局員工消费合作社印製 A7 ______B7_____ 五、發明說明() 素作讀出用,及一輸入/輸出電路,用於提供一資料界面* 依據本發明之另一方面,提供有一通訊裝置’用於蜂 巢式語音通訊及影像傳輸。該裝置包含蜂巢式通訊機構, 用以提供蜂巢式通訊,本發明之CMOS面影像感應器用於 傳送機操作,及機構用以傳送代表由CMOS影像感應器所 捕捉之影像之傳送影像資料至一遠端位置· 本發明之這些及其他特性,目的及優點將由以下詳細 說明’配合上附圖而更清楚,附圖中: ffl式簡單說明: 第1圖為本發明之1位元解析度及高空間解析度CMOS面 影像感應器之方塊圓。 第2圖示出第1圖之CMOS影像感應器之一部份之電路 圖· 第3圖示出第1圖之CMOS影像感應器之信號波形。 第圖為本發明之低位元解析度但高空間解析度之CMOS 面影像感應器之方塊圈β 第5圖為第4圈之CMOS影像感應器之一部份之電路圖。 第6圖例示出本發明之另一低位元解析度但高空間解析度 CMOS面影像感應器》 第7-8(B)圈分別例示本發明之其他實施例之低位元解析 度但高空間解析度CMOS面影像感應器: 第9圖例示本發明之攝影設備。 第10-14圖分別表示本發明之通訊装置。 第8貰 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格(210 X 297公t ) ----1111 ---- - -----— — 訂·!1·線▲ (請先閲讀背面之注f項寫本頁) 451585 A7 B7 五、發明說明() 匾號掛照說明: 100 CMOS面影像感應器 105 二維感應器陣列 110 列選擇電路 115 行處理機 120 時序及控制產生電路 125 於晶片上之記憶髖 130 數位信號處理機 135 I/O界面 140 像素感應器 145 信號感應電路 200 攝影系統 210 CMOS面影像感應器 215 文件 220 透鏡 225 閃光燈管 230 透鏡 300 蜂巢式手機 305 外殼 3 10 天線 315 快門按鈕 320 喇口八 325 阐示器 330 按鍵备 335 麥克風 340 攝影透鏡 345 閃光 400 RF接收機發射機樓組4〇5 功率及頻率模組 410. 基頻帶處理機 415 輸出模組 420 輪入模组 425 攝影控制模组 430 記憶體模组 ----i! -------II I 訂·!· ' - - /1-(锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 絰濟部智慧財產局員工消费合作社印製 發明詳Μ辑明: 依據本發明,具有位元解析度低於6位元及至少1000 請0空W解析度之影像感應器係被提供。該CM〇s影像 感應器係特別適用於低位元(即少於6位元)解析度及言, 間解析度應用,例如傳真機攝影或文件攝影。例如,2 = 第9貰 5 4 15 8 5 A7 B7 五、發明說明( ί諝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以傳真機送出一美國信件大小文件,一面影像感應器之所 需空間解析度需要至少1728X1078,但位元解析度可以只 有1位元(即黑與白)。 第1圈例示於一較佳實施例中,本發明之CMOS面影 像感應器100之架構具有1位元解析度及1728X1078之 空間解析度作為傳真應用。影像感應器100包含一二維感 應器陣列105之感應器陣列,具有1278 X 1078像素,用 以感應一影像並產生相關電氣信號。 一列選擇電路11 〇(例如列解碼器)係連接至每一列感 應器像素中’並執行兩項主要功能:(1)經由字元線及電晶 體M2選擇一或多數列感應器像素,用於讀出儲存於光檢 測器PD之節點N1上之影像信號;及(2)經由重置線及電 晶體Ml選擇一或多數列感應器像素,用以重置於每一感 應器NI之信號位準(經由位元線 -線· 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 來自每一行感應器像素之影像信號係經由一行處理 機.115加以讀出’行處理機包含本發明之_感應電路 145。如以下所詳述,信號感應電路145同時轉換類比影 像信號成為數位信號並送出此數位信號至一數比信號處 理機130,該處理機於送出處理數位信號至1/〇界面i35 前’對數位信號執行想要數位信號處理β 一於晶片上之記 憶體1 25係用以儲存资料或軟體指令。 於較佳實施例中’該像素陣列,列選擇電路,行處理 機’數位信號處理機’及"〇界面均單石整合於單晶片上。 然而’明頰地’記憶體及數位信號處理機可以是電路而與 第10頁 木紙張尺度適用中國困家標翠(CNS)A4規格(210 X 297公爱 451585 A7 B7 五、發明說明( 感應器陣列未單石形成在相同晶片上β 於第1圖中,插圖〖40為本發明之感應器像素之電路 圖’其包含一光檢測器PD,三個電晶體从卜^及⑷。 用於感應電路之電路圖,於行處理機,用以感應一行像素 者係如第1圖之插圖丨45所示。於感應器像素及行處理機 之感.應電路間之連接係更詳細示於第2圈中, 參考第1及2圖’於每一像素感慮器中,電晶體 Ml之閉極係連接至列選擇電路11〇,作重置用。電晶雅 M2之閘極係經由字元線連接至列解碼器n 5 β電晶體M2 之汲極端係經由一位元線連接至行處理機115。讀出電路 145包含一 p通道電晶體M4,及一感應放大器。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印髮 此CMOS感應器用於1位元之傳真操作係如下。參考 第3圖,其例示所有相關信號之波形,光二極髏之節 點N1係首先被重置至一電壓Vreset於一位元線上,藉由 加脈衝給重置線’以導通電晶體Ml。然後,光二極鳢PD 開蛑收集由光信號所產生之電荷,及當愈來愈多電荷被收 集時’於節點N1上之電壓V〖下降》於某數量曝光時間 Texp後(於其間,電荷被收集),電壓▽1=¥「„^-1。[(/(:)1係 經由一反向電壓放大器所讀出,該放大器包含電晶體M3 及M4,其申I表示光感應電流,及Cd表示於節點N1上 之寄生電容。 反向電壓放大器包含形成為數位反相器之電晶體M3 及M4。於經過反相電壓放大器後,該影像信號係被送至 感應放大器,其將該信號轉換為一二進制值並將其提供給
第 117T 本紙張尺度適用中國a家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 45 1 5 85 五、發明說明( 數位信處理機130。 依據本發明,數位信號處理機130包含一傳真編碼單 元,以壓縮並格式化接收自感應放大器之信號成為準備傳 送之資料。於一實施例中’該格式係為CCITT傳送群ΙΠ。 所輸出之準備傳真资料係最後送至一系統主記憶鱧(未示 出)或主儲存器(未示出),並儲存作為防讀取,傳送發送, 列印或重閲用* 本發明之此1位元1728X1078CMOS面影像感應器之 主要優點係其簡單性---不必其他分離之類比至數位轉換 器(ADC),或被用以感應影像信號。反相電壓放大器(同時 為一數位反相器)及感應放大器一起操作,以提供二進制 影像資料給數位信號處理機。 依據本發明’類比半色調(即類比高頻振動)係由例示 於第1圖之CMOS影像感應器所執行,於數位化前,藉由 改變光二極鱧之重置值,或於數位化期間,藉由改變反相 放冬器之臨限值。這將如以下所詳述。 對於低位元解析應用,經常想要執行一高頻振動,以 補強較差品質之低位元影像。例如,灰隋傳送影像係真為 1位元黑白圖案。為了產生此一影像,傳送方法必須首先 取得一更高品質(例如4-5位元或更多)影像,然後,施加 一高姨振動矩陣至半色調化該灰階影像成為1位元黑白照 片。 於描述類比高頻振動前,數位高頻振動係被簡要說 明。假設於一傳真影像中,一特定像素具有一類比輪入 第12頁 私紙張尺度剌t國國家標準(CNS)A4規格χ 2抑公^ )
<锖先閲讀貲面之注意事項再填寫本頁J *--I I — I —訂.!--_ 451585 A7 五、發明說明( 其將被轉換為1位元信號x“"b"表示該像素之位置或座 標)假設X被正規化為(〇,1)β若高頻振動未被執行,則 於數位化後,若XU/2,則Xb簡單地是為,,〇",若ι/2<=χ<ι, 則為1τ。換句話說,χ被相比較於1/2之臨限值。若高頻 振動被執行’則X將比較(例如7/⑷之臨限值該臨限值 取決於像素之位置。 像素疋位置表示像素之相對位置,其係相關於一特定 臨限值,其係相較於另一像素。例如,一 4Χ4高頻振動 革係被重復地施加至一影像(即舖4X4罩於整個影像 上),則高頻單之每-像素表示—臨限值,其例如以下: 0/16 1/16 2/16 3/1 6 4/16 5/16 6/1 6 7/16 8/16 9/16 10/16 11/16 12/16 13/16 14/16 ι5/16 則左上方角落像素(1,υ具有〇/16之臨限值像素(1, 2)辱有1 /16之臨限值,像素(2,4)(即於第二列上之第四像 素)具有7/16之臨限值。同時,像素(15)具有6之值, 相同於像素(1 ’ 1) ’像素(2,5)具有川6之值相同於像 素(2 , 1)。 為了進行數位高頻振動,χ被首先數位化至一 4位元 數位號xb’及然後輿數位領域中之“Μ相比以取得。 注意,相比於不同臨限(即7/16)可以以一具有7/16臨限之 比較器或藉由加入1/16之值至心然後比較"2之固定臨 限加以完成。
第13T ---!il * (請先《續背面之;i惠事JJiwis寫本頁 訂---------線. 經濟部智ft財產局員工消费合作杜印* 451585 A7 B7 五、發明說明( 依據本發明,高頻振動係被施加至類比領域中之輸入 信號’然後’取得具有簡單反相器之1位元數位竭。 首先,反轉放大器之臨限值係依以下關係加以改變: 反相器臨限 其中重置電壓Vres為提供於電晶體M4之源極之電 整,VTP為PMOS電晶體M4之臨限電壓;及ντΝ為Nm〇S 電晶體M3之臨限電壓。 被表示為單元k3=j[inc0XW3/L3,其中以„為電子遷 移率’ Cox為閘氧化層之單元電容,及W3及L3分別為電 晶體M3之閘宽及閘長。k4被表示為k4=jtz PC0XW4/L4.其 中ίί P為電洞遷移率,Cox為閘氧化極之電容,W4及L4 分別為電晶體M4之閘寬度及閘長度。 由以上等式,可以看出,反相器臨限可以藉由改變 Vfef,Vinv之一(即施加至電晶體M4閘極之電壓)及/或 K4/K3加以改變》K4/K3可以藉由改變電晶體M3及/或 M4之大小加以改變。 再者,光檢測器重置值係被以兩方式之一加以設定或 改變:1)於重置時,列存取電晶體M2係被導通(經由字元 線),使得重置值係被來自電晶禮M4之電流源所設定,該 電晶鳢M4係被施加至電晶體M4之閘極之Vinv所控制。 於此例子中,Vreset係等於反相臨限值。2)於重置時,列存 取電晶體M2係保持關閉(經由字元線);於此例子中’ Vreset 第林頁 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公Si ) 請先明婧背面之注意事項本頁) '.袭 ----訂---------線- 經濟部智慧財產局MKX消费合作社印製 4515 85 a? __________Β7五、發明說明() 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 等於vres。 類比高頻振動之優點是在於其避免了數位高頻振 動。再者’對於一位元應用,其甚至不需要一類比至數位 轉換器。 應注意的是,上述本發明之類比高頻振動(即半色調) 方法之應用並不限定於較佳實施例之特定CMOS面影像 感應器。其也可以應用至其他類型之CMOS感應器,包 含’但並不限定於具有傳統被動像素感應器(PPS),傳統 主動像素感應器(APS)或像素位準ADC感應器陣列β 依據本發明,如上所述,類比高頻振動係藉由改變重 置值加以完成,該重置值係藉由於感應前加入一信號至像 素或改變比較器臨限值加以完成。 類比加法可以藉由改變於每一像素中之光檢測器之 重置值加以完成,可變臨限比較器可以為電路設計者所知 之各種方式加以實施。明頰地,若想要的話,數位高頻表 動可以於類比高頻後加以執行* 於本發明之另一較佳實施例中,如於第4圖所示,一 低位元解析度及高空間解析度CMOS面影像感應器200係 被提供,用以操作大於1位元但少於6位元》—於像棄及 行處理機間連接之更詳細例示圖係示於第5圈中β此實施 例不同於第1圈中所示之實施例在於連接至第1圈中之位 元線之感應放大器係被一低位元(即少於6位元)ADC所替 換,該ADC轉換類比影像信號成為數位影像信號。較佳 地’類比高頻振動係藉由如說明書之前所述之改變像素重 ________ 第 15T 铁播尺舟油期办 BQ BB 古 · //"«ΧΤΓΆ Ail /Α1Λ.. fUim & V I 於 IT IT } ! * ^ / X υ J V w ^ 請先閱讀背面之注項再填寫本頁: V 4 515 8 5 A7
五、發明說明() 置值並藉由修改低位元AD C之ADC量化位準加以執行· 例如,對於低位元單斜率ADC,具有ADC之類比高頻徑 動可以藉由引入一偏置於上升電壓之開始電壓或於計數 器之開始時間’而加以執行•類比高頻振動可以同時以例 如快速ADC’連續比較ADC,連續近似ADC及演緙法ADC 之其他低位元ADC架構,加以執行。 參考第6圈’依據本發明之另一較佳實施例,提供有 一低位元解析度及高空間解析度CMOS面影像感應器。此 影像感應器係適用以包含一感應放大器於其行處理機 中,用於1位元操作,以及一低位元ADC於行處理機中, 用於大於1位元低於6位元操作。對於1位元操作,該 ADC未被使用及此CMOS影像感應器之操作係相同於第1 圖之操作。對於大於1位元少於6位元操作,低位元adC 係被使用,但未用於感應放大器中,該CMOS影像感應器 操作於第4圖中方式操作。較佳地,類比高頻振動係藉由 改變像素之重置值,而同時被取得於CMOS影像感應器。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 反相放大器(電晶體M3,M4及M5)為共源極架構. 可以看到其包含兩放大器,共用於像素中相同之互導電晶 體M3。更明白地說,電晶體M3及負載電晶體M4形成一 數位反相器,而電晶體M3及負載電晶鱧M5形成類比反 相放大器》 對於黑及白(1位元)應用,例如傳真攝影,數位反相 器(包含電晶體M3及M4)被使用’而類比反相故大器(包 含電晶體M3及M5)則未使用。於經過數位反相器後’影
第16T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 451 5 85 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 像信號係被送至感應放大器,該反應放大器將其轉換為一 二進制值,並將其提供至數位信號處理機。 相對地,對於1位元解析度以上之操作,類比反相器 (包含電晶體M3及M5)係被使用,而數位反相放大器(包 含電晶ttM3及M4)未被使用。於經類比反相器放大器後, 影像信號係被送至低位元ADC,該ADC將其轉換為一二 進制值並將其提供給數位信號處理機。 於上述較佳實施例中,每一像素感應器包含一光檢測 器及一反相電壓放大器。光檢測器可以是一光二極髏,一 光閘型檢測器,或光電晶體。然而,明顦的是,本發明之 低位元解析度及高空間解析度CMOS面影像感應器並不 限定於較佳實施例中所述之特定像紊結構。其他已知像素 結構可以用以替代於此所述之較佳像素結構。例如,第7 圖例示一低位元解析度及高空間解析度CMOS面影像感 應器,具有一傳統已知APS結構之像素結構;一低位元 ADf被使用以轉換類比影像信號成為數位影像信號。較佳 地,此CMOS影像感應器同時執行前述之類比高頻振動。 第8(A)及8(B)圈例示1位元解析度及高空間解析度 CMOS面影像感應器,具有傳統已知PPS結構之像素結 構。一反相器(於第8(A)圖)或一反相放大器(第8(B)圈)係 與行處理機中之1位元比較器一起使用,用以轉換類比影 像信號成為數位影像信號。較佳地,於此感應並未再使用 ADC ·若想要的話,電子快門可以提供於APS及像素位準 ADC感應放大器中· 第17頁 本紙張尺度適用令圉國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------II — J1 - ----I •' /«V (靖先Μ讀背面之注意事項4填«本頁) 訂---------線、 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 4515 85 A7 B7 五、發明說明() 依據本發明之另一方面,一可變空門及位元解析度 CMOS面影像感應器係被提供。此CMOS影像感應器具有 可程式空間解析度及位元解析度'高位元解析度係藉由使 用空間過取樣,以空間解析度為代價加以取得。 依據本發明,類比高頻振動及數位處理被使用以取得 空間過取樣,以更彈性及有效地完成位元解析度*於較佳 實施例中,一可變空間及位元解析度CMOS影像感應器具 有相同於前述高空間解析度及低位元解析度CMOS面影 像感應器之相同結構"另外,CMOS感應器包含機構以依 據本發明之以下演繹法,執行空間過取樣。 於像素陣列中,一 NXM像素塊係被群集在一起以形 成一超像紊。假設最大電磬擺動被正規化為1及每一像素 已經被量化至位元m’而沒有類比高頻振動(例如對於黑及 白,m=l)。這些像素值係被χ(ι ι) ’ χ(1 2),…X(N M)所標 示。其同時也假設一般雜訊位準(即熱雜訊,結構雜訊, 接埤彈跳’饋入雜訊)係少於但接近等於2-η(η之值可以由 測試加以決定)》吾人依據11及m之相對值加以分成兩情 況〇 若n<=m ,這表示一般雜訊位準超出量化雜訊β於此 例子中’雖然竿一像素係被量化為m位元,有效位元解析 度只有η位元《於此例子中,超像素值係藉由計算χ(ι I), X(1’2),…,XfN.vuIxu山+x",2)+x(1,3)+...+x(n,m)/(N><M)t 平均值加以取得。合理地假設於每—像素之系統雜訊係彼 此無關,因此叉㈠⑴+兀⑴^+…+⑽⑷之總雜訊為⑽⑷。 策18頁 本紙張尺度適用中因國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) · I I I 1 I I I « — — 111 — — — . 4 5 15 8 5 A7 經濟邨智慧財產局興工消費合作社印製 ___B7__ 五、發明說明() 倍’而该信號成長NXM倍。這造成信號雜訊比增加(NX Μ)0·5倍或增加有效位元解析度〇 5i〇g2(NXM)位元。一般 而言,此方法增加1位元之解析度,四倍之空間過取樣。 例如,1位元解析度係藉由將4像素集合在一起取得,兩 位元解析度係藉由集合16像素一起取得,及3位元解析 度藉由集合64像素在一起。 當n>m時,上述之數位總和方法不能使用。相反地, 類比高頻振動係首先被應用至m位元量化上。於此,若 2n_m + M> = NxM,則設定 L=NXM,否則 L=2n,m + 1-1。於此 例子中,L像素係首先集合在一起,以形成η位元超像素· 但若L<N ΧΜ,則使用前段所述之技術,以形成一超-超像 素’以完成更高位元解析度。為了說明容易起見,若X(1>1) 重新標示為Χ〖,χ(1 2>標示為χ2,…,及X(n m)標示為XL, 則加至XI’ X2, ...XL之高頻振動值係分別為ί/ρΐ'α+Ι)), 對於 i = -(L-l)/2,-(L-l),2+l,…,(L-l)/2。 為了取得超像素值,使用以下兩方法之一。 方法1涉及以下程序: 1) 若L為奇數,設定 S = X(L+l)/2;若L為偶數,則設定 S=XL/2 2) 設定 s_v=max(0,s-l): 3) 設定 = + 其中若 (x>y)為真,則被定義為1,若為否,則定義為〇;及 4) 最終超像素值為dx/pd'L+l))。 方法2涉及以下程序· 第19貰 本紙張尺度適用中國固家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) 請先Μ讀背面之>i意事項Ϊ5寫本頁: 裝 * ^1 »1 --——訂---------線一 451585 A7 B7 五、發明說明() 1) 設定兩可變上限UB=1及下限LB = 0 ; (锖先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 2) 對於每一 i=i,2,...L,NLB=floor(Xi*2m), NUB = fl〇〇r(Xi-i*2/(L-l)*2m),若 NLB>LB,貝_】LB=NLB, 若 NUB<UB,則 UB=NUB ; 於循環經過Xl,x2,...xl後,最终像素值係於LB及 UB 之間(例如(LB + UB)/2)。 較佳地,任一方法或兩方法均被執行於CMOS感應器 之行處理機塊中,該感應器可以用以視訊攝影及照相。因 此’一可變空間及位元解析度CMOS面影像感應器被提 供,其可以用於需要高位元解析度但低空間解析度之視訊 攝影或照相術中,以及例如拷貝及傳真之文件攝影中。明 類地’本發明並未限定於特定空間過取樣技術或前述之演 繹法;任一空間過取樣技術或演繹法均可以被使用β 依據本發明,本發明之高空間解析度及低位元解析度 CMOS面感應器係用以提供各種裝置攝影能力,例如_具 有傳真能力’條碼讀取機,影印機或機器版攝影系統之整 合锋巢電話· 經濟部智慧財產局貴工消费合作杜印製 參考第9圈’依據本發明之另一實施例,一於較佳實 施例中之攝影系統200包含本發明之低位元解析度及高空 間解析度CMOS面影像感應_器210,用以感應文件215之 影像,以及’包含用以照明文件21 5之閃光燈225,用以 經由透鏡230照明文件215 ’以及一透鏡22〇,用以投射 文件之影像至CMOS面影像感應器上,本發明之CM〇s 面影像感應器210具有低於6位元之位元解析度,及—高
第20T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 在 51585 經濟部智慧财產局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 空間解析度’並被依據具有0 35微米或更少之最小閘極長 度之CMOS製程加以製造CMOS影像感應器包含具有至 少1000 X 900像素之像素感應器陣列,一時序及控制產生 電路,用以產生用於該影像感應器之時序及控制信號,一 列選擇電路’用以選擇一或多列像素作為讀出用,一行處 理譏’用以選擇一或多行像素作為讀出用,及一输入/輸出 電路’用以提供一資料界面β較佳地,CMOS2感應器更 包含一數位信號處理機’用以執行數位信號處理及一於晶 片上記憶禮裝置。更明白地說,CMOS影像感應器包含一 電子快門。 另外,攝影系統200更包含一記憶鳢裝置於CMOS感 應器外,用以餘存由CMOS感應器所捕捉之影像。較佳 地’攝影系統200更包含電氣及/或機制開關機構,用以使 閃光绝導通及於此同時打開於CMOS感應器中之電子快 門。 ,.於一較佳實施例中’攝影系統係為一影印機,用以重 製影像成為一可讀媒禮,例如一張紙。該系統更包含機 構,用以使用代表此印刷影像之资料,使得由CM〇S感應 器所提供之列印影像重現此影像於可讀媒體上β 於另_較佳實施例中,攝影系统為一條碑讀取裝置。 該系統更包含解碼機構’用以接收相當於由本發明之 CMOS面影像感應器所感應到之條碼影像之影像資料並 解瑪此條碼影像,以產生相關瑪· 依據本發明之另一實施例,一通訊裝置係被提供,其 第 211Γ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (諳先《讀背面之注意事項再填寫本I> 裝 訂---------線. 451585 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 费 合 作 社 印 製 五、發明說明( 傳送語音信號以及由高空間解析度及低位元解析度面影 像感應器所提供之影像信號。參考第1〇圈,於一較佳實 施例中’通訊裝置為一蜂巢式手機300,其包含一外殼 3 05,一天線310,一快門按鈕315,一喇叭320,一箱示 器325’按鍵鈕330,及一麥克風335。於手機内(未示出) 有一本發明之低位元解析度及高空間解析度CMOS面影 像感應器。手機之按鈕外露出一攝影透鏡34〇,用以投影 予以傳送或储存之影像至CM0S面影像感應器上。一閃光 燈345係提供於手機之底部’用以提供攝影用之照明。手 機之前’側’俺及底視圖係示於第u圖中。 參考第12圖,其例示出手機之功能方塊闽,該手機 包含一 RF接收器及發射器模组4〇〇,用以經由天線接收 及發射信號。一電源及頻率模組405係提供至手機之電源 及頻率之控制。手機更包含一傳真及基頻帶處理機41〇, 一輸出模組415,用以輸出至喇叭,顯示器及/或資料埠, 一輸入模组420連接至麥克風,鍵盤,及/或資料埠一攝 影控制模組425’用以控制電子快門(於CM〇s面影像感應 器),及一記憶髖模組430 1用以儲存影像資料或其他類赉 之資料。一 CMOS面影像感應器係提供用以經由影像透 鏡’感應-影像,例如-文件。較佳地,CM〇s影像感應 器包含晶片±電子,決Γ1,數位信號處理機,用以執行信號 壓縮及傳真編碼《 於較佳實施例中,手機除了蜂巢語音通訊,係特別適 用於傳真操作。第13 出一較佳實施例巾,用於類比
第22T 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4规格(210 * 297公爱) -I I*— H I I i I —>I in — — —— ^-11 — — — — — ί^Λίί <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 彳 451585 j A7 j _ B7 五、發明說明() 蜂巢式手機之程式流程圖。第13圈例示出於一較佳實施 例中,用於一數位蜂巢式手機之程式流程圈β 於較佳實施例中,CMOS影像感應器具有低於6位元 之位元解析度及一高空間解析度並依據具有0,35微米或 更少之最小閘柽長度之CMOS製程加以製造。CMOS影像 感應器包含一具有至少1000X900像素之像素感應陣列, 一時序及控制產生電路,用以產生用於該影像感應器之時 序及控制信號,一列選擇電路,用以選擇一或多列像素作 讀出用,一行處理機,用以選擇一或多數行像素作讀出 用,一用以執行該數位信號處理之數位信號處理機,以及 一輸入/輸出電路,用以提供一資料界面。較佳地,數位信 號處理機執行傳真通訊用之編碼及/或I縮影像資料》 依據本發明之另一較佳實施例,一具有語音及傳真功 能之蜂巢電話係被提供"蜂巢電話包含先前所述之本發明 之一可變空間及位元解析度CMOS面影像感應器,用以文 件攝影及語音攝影* 依據本發明之另一方面,提供有電腦用及網際網路通 訊用之一可程式視訊/照片/文件攝影輪入裝置。該輸入裝 置包含本發明之上述可變空間及位元解析度CMOS面影 像感應器,作為視訊,照相及文件攝影用。 « 依據本發明之另一較佳實施例,提供有用於視訊電話 及電話視訊會議之一可程式視訊/照片/文件攝影輸入装 置。該輸入裝置包含本發明之上述可變空間及位元解析度 CMOS面影像感應器,作為視訊,照相及文件攝影用。該 第23頁 本紙張尺度適用中固國家標準(CNS>A4規格(210 χ 297公芨) (請先閲讀背面之項再填寫本I > 裝 訂----- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 五、發明說明( 裝置可以經由例如網際網路,ADSl通道,有線連接,衛 星’光纖網路’及寬頻網路例如ATM之各種媒體加以通 訊。 於本發明之另一貧旄例中,提供有用於電視數位接收 器或網路電視之可程式攝影輸入裝置。該輪入裝置包含本 發明之上述可變空間及位元解析度CM〇s面影像感應 器· 明顧地,熟習於本姑获土 、本技藝者可以在本發明之範圍内完 各種修改*本發明乏Μ 範圍係由以下之申請專利範圍所定 義· -------^----1 裝i —4 n ( n i n I (請先閲讀背面<注f urii寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 X 24 第 本紙張尺度適用中囲國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公笼)
Claims (1)
- 451585 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 一種可縮小處理及解析度可變之影像感應器至.t、 含: 』% 複數個感應器電路,架構呈二維陣列,在一 母一惑應器 電路包含一感應器像素及一調整電路;當外露至入射光 時,該感應器像素產生一類比信號;該調整電路依據預 定參數加以調整類比信號;其中該預定參數係選擇性地 可架構與相鄰於該感應器陣列之感應器像素之調整電 路之參數不同;及 處理機’包含多數讀出電路;每—讀出電路連 接至感應器電路之一行,以接收來自該處理之調整類比 信號,並將該已調整類比信號轉換為—數位信 — 2.如申請專利範困第i項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,其中上述之每一讀出電路係為具有一預 定臨限值之比較器;及 ,其中上述之比較器輸出於單一位元格式之數位信 號’該數位信號代表高於或低於該預定臨限值之該 麵比信號。 3.如申請專利範困第2項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,其中上述之于處理機組合於該位元格式 之一群數位信號’並成為單一組合數位信號,該組合數 ^信號係依據一组相關於該預定參數之原則,'而被以較 高位元解析度及降低空間解析度格式代表。 第2ST 本紙張尺度逋用中家揉準(CNS )八4規<格(2丨0X297公釐) ---Γ——:---^-'裝 I- /Mt. (請先聞讀背面之注$項再镇寫本頁:> 訂 I ύ 經濟部智慧財產局*工消費合作社印製 451585 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 4·如申請專利範固第3項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,其中於上述之群中有N乘以Μ數位信 號,該較高位元解析度係至少[1+0.5IogHN X Μ)]位元精 確度’以及,該下降空間解析度格式係不大於丨/(N X M)。 5. 如申請專利範团第1項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,更包含: —記憶體,用以儲存4指令;及 一數位信號處理機,連接至該記億體;執行該碼指 一令’以依據預定需求來處理來自行處理器之數位信號· 6. 如申請專利範圔第5項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,其中上述之預定需求係相關於傳真通訊 標準,使得該被處理之數位信號可以被傳送至傳真機作 列印用。 ' 7. 如申請專利範圍第6項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,其中上述之數位信號處理機係與感應器 電路作單石整合。 8·如申請專利範圍第1項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,其令上述之每一讀出電路係為一類比至 數位轉換器,用以數位化已調整類比信號成為數位信 第26貰 本紙張尺度適用中國國家接準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I - I ^^1 I- - i m I ^^1 一 ! I /(· (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 0_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 i T5 85 Α8 Β8 CS D8 六、申請專利範囷 號 經濟部智慧財產局員工消贫合作社印製 9. 如申請專利範圍第8項所述之可縮小處理及解析度可變 之影像感應器,更包含: 一記憶體,用以储存碼指令:及 一數位信號處理機,連接至該記憶ft,執行該碼指 令,以组合若干來自一感應器電路塊之數位信號,以形 成一單一數位信號,該數位信號係被依據一组有關於該 預定參數之規則,以較高位元解析度及降低空間解析度 格式代表· 10. 如申請專利範圍第9項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之單一位元格式為一二進制 格式;及 其中於該群中有N乘以Μ數位信號,該較高位元解 析度係至少0.51og2(N X Μ)位元精確度及該降低空間解 析度格式係不大於1/(NXM)。 1 1 ·如申請專利範圍第8項所述之可缩小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之行處理機組合來自一塊感 應器電路之數位信號,以依據相關於該預定參數之一组 規則,來形成一代表較高位元及降低空問解析度格式之 單一數位信號。 第27頁 本紙張尺度逋用中困國家橾率(CNS ) A4規格(210X297公釐) : -II,""!~i 裝-- f讀先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 订 L 451585 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範囷 12‘如申請專利範圍第1項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之預定參數為施加至每一感 應器電路上之菜患,使得類比信號係據此加以放大。 13. 如申靖專利範圍第1項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之調整電路藉由加入一預定 電壓至其中,而調整該類比信號,使得該颤比信號被據 此升高" 14. 一種可培小處理及解析度可變之影像感應器,至少包 含: 複數個感應器像素,排列呈二維陣列,當感應器像 素外露至入射光時,每一感應器像素產生一類比信號; 及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —行處理機,包含多數讀出電路:每一讀出電路連 接至感應器像素之一行,包含一調整電路以於轉換每一 類比信號成為一數位信號前或之時,依據指定給每一讀 出電路之預定參數,而調整每一類比信號;其中該預定 參數係不同於相鄰該讀出電路之相關參數。 15·如申請專利範圍第14項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之每一讀出電路更包含有一 預定臨限值之比較器;該比較器接收來自調整電路之已 調整類比信號:及 第23Τ 本紙張尺度逋用t國a家梯率(CNS }八4規格(210Χ297公釐) 451585 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 六、申請專利範團 其中該比較器輸出來自已調整類比信號之呈單一位 元格式之數位信號:該數位信號代表高於或低於該預定 臨限值之該調整類比信號。 16_如申請專利範園第15項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器’更包含: 一記憶體,用以儲存碼.指令;及 一數位信號處理機,連接至該記憶體:執行該碼指 令,以依據預定應用,來處理來自行處理器之於單一位 元格式之數位信號, 17‘如申請專利範圍第16項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之預定應用係相關於傳其通 訊標準,使得該被處理之數位信號可以與傳真機通訊’ 作列印用。 18. 如申請專利範圍第項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之預定應用組合導源自一塊 感應器電路之若干數位·信號,以形成單一數位信號,該 數位信號係依據一組相關於該預定參數之規則,而被以 較高位元解析度及降低空間解析度格式代表。 19. 如申請專利範固第18項所述之可缩小處理及解析度可 變之影像感應器’其中於上述之群中有N乘以Μ數位 第29貰 用+ 邮家料(CNS > Α4ΐΜβ· 21GX297公釐) ' (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁)經濟部智慧財產忌貝工消費合.作社印製 ;451585 ί Α8 Β8 C8 ------ D8 六、申請專利範圍 信號;該較高位元解析度係至少[l+0.51〇g2(N χΜ)]位元 精確度,以及,該下降空間解析度格式係不大於1/(Νχ Μ)。 20.如申請專利範園第19項所述之可垴小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之數位信號處理機係輿感應 器電路作單石整合。 21·如申請專利範圍第14項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,其中上述之每一讀出電路更包含一類 比至數位轉換器,接收來自調整電路之已調整類比信 號’並隨後轉換該已調整類比信號成為數位信號。 22‘如申請專利範圍第21項所述之可縮小處理及解析度可 變之影像感應器,更包含: —記憶體,用以儲存碥指t ;及 一數位信號處理機,連接至該記憶雅’執行該碼指 令,以組合若干來自一感應器電路塊之若干數位信號, 以形成一單一數位信號,該數位信號係被依據一組有關 於該預定參數之規則,以較高位元解析度及降低空間解 析度格式代表。 2 3.如申請專利範圍第22項所述之可維小處理及解析度可 變之影像感應器,其中於該,中有N乘以Μ數位信號, 第30肓 ' 本紙張尺度速用中國國家標率(CNS ) Α4洗格(2丨0X297公釐) (婧先»讀背面之注$項再填寫本頁)45 15 85 A8 B8 CS D8 六、申請專利範園 該較高位元解析度係至少〇.51og2(NxM)位元精確度及 -·~~ — -- 該降低空間解析度格式係不大於1 /(N X M)。 J、處理及解析度可變之 法包含步期:: 由一陣列之感應器電路產生影像信號,諸感I轉器電 : \ 路被安排呈二維陣列’每一感應器電路包含一感應器像 素’其於外露至入射光時,產生影像信號之一: 依據一陣列之參數,調整該影像信號,至少一參數 係不同其至少兩相鄰參數;及 將該已調整影像信號轉換為數位信號》25.如申請專利範面第24項所述之方法,其中上述之每一 感應器電路更包含一調整電路,其使得影像信號之一被 依據參數之一加以調整。 (請先閱讀背面之注意^項再填寫本頁) 订 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 26.如申請專利範圍第25項所述之方法,其中上述之調整 電路將一相當於參數之一之電壓信號加至該影像信號 之使得影像信號之一據此加以計算。 27·如申請專利範圍第25項所述之方法,其中於上述之調 整電路為一放大器,有一電壓依據參數之一施加至其 上’使得影像信號之一被據此加以放大》 第31貰 本紙ft尺度逋用辛國國家#率(CMS ) A4规格(210XW7公釐) 451585六、申請專利範圍 28,如申請專利範圍第24項所述之方法,其中上述之轉、換 該調整影像信號包含: 比較該碑整影像信號與一預定臨限值;及 產生該數位信號。 2 9.如申請專利範固第24項所述之方法,其中上述之轉換 已調整影像信號包含: 接收諸行之已調整影像信號; 分別平行比較諸行之已調整影像信號與一預定臨限 值;及 產生諸行之數位影像。 3 0.如申請專利範圔第24項所述之方法,其中上述之轉換 已調整影像信號包含: 接收諸行之已調整影像信號;及 分別平行數位化諸行之已調整影像信號成為諸行之 數位影像。 31.如申請專利範®第30項所述之方法,更包含步騍: 组合相對於該陣列參數之數位影像方塊,成為一陣 列之新數位信號;每一新數位信號相當於數位信號之方 塊之一並依據相關於該赛定參數之一组規則,以較高位 元解析度及降低空間解析度格式代表。 第32頁 本纸法尺度遑用t國两家椹率(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先《讀背*之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -· Α84 5Ϊ5 88 ‘ cS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 32. 如申請專利範困第31項所述之方法,其中於上述之群 *' Hr. 中有N乘以Μ數位信號;該較高位元解析度係至少 [l+0.51〇g2(NxM)]位元精確度’以及,該下降空間解析 度梦式係不大於1/(NXM)。 33. 如申請專利範圍第24項所述之方法,其中上述之陣列 參數係依據數字矩陣,以高頻振動該影像信號。 3 4.—種由一影像感應器,提供可縮小處理及解析度可變之 數位影像信號之方法,該方法至少包含步驟: 由一陣列之感應器電路產生感應器信號,諸感應器 電路係安排呈二維陣列,每一感應器電路包含一感應器 像素•一調整電路及一比較器;該感應器外露至入射光 時’產生一感應器信號; 依據一陣列參數來調整該感應器信號,至少一參數 係不同於其至少兩相鄰參數;及 藉由使用該比較器,將每一已調整感應器信號轉換 為代表該己調整感應器信號高於或低於一預定臨限值 之—影像信號。 3 5.如申請專利範圍第34項所述之方法,其中上述之陣列 參數使得該感應器信號依據一傳真機標準加以高頻振 動。 (請先《讀背面之注f項再填寫本頁) 第33Τ 本紙張Xjtii用中明家料(CNS) (21()χ297公羡) 451585 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 36.如申請專利範圍第35項所述之方法,其中上述之影像 信號可以被輸出至一傳真機。 3 7.如申請專利範圍第34項所述之方法,其上述之每一參 數均藉由施加至一像素電路之一之相關調整電路之電 壓而加以提供。 3 8.如申請專利範圍第34項所述之方法,其中上述之毕列 參數係被架構為一二維矩陣並被重覆铺設於整個影像 感應器上。 (請先《讀背面之注^h項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第34T 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(2〖0X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/158,664 US6665012B1 (en) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | Process-scalable high spatial resolution and low bit resolution CMOS area image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW451585B true TW451585B (en) | 2001-08-21 |
Family
ID=22569140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088116136A TW451585B (en) | 1998-09-22 | 1999-09-17 | Process-scalable high spatial resolution and low bit resolution CMOS area image sensor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6665012B1 (zh) |
EP (1) | EP0989741A3 (zh) |
JP (1) | JP2000138863A (zh) |
KR (1) | KR20000023440A (zh) |
CN (1) | CN1154348C (zh) |
TW (1) | TW451585B (zh) |
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CN1270471A (zh) | 2000-10-18 |
EP0989741A2 (en) | 2000-03-29 |
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