TW451279B - Method of crystallizing a semiconductor thin film and producing a thin film semiconductor device - Google Patents
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明背景 1. 發明領域 ’ 本發明係關於一種半導體薄膜之結晶化方法及使用於該 方法中的雷射照射裝置。又’關於„種利用該等方法及裝 置所製作的薄膜電晶體或例如L c D或有機E L顯示器等的 顯示裝置。 2. 相關技術之説明 以往係已開發一種使用雷射光之結晶化退火技術，以作 爲將薄膜電晶體之製蓮步驟低溫處理化的方法之一環。此 係在對成膜於絕緣基板上之非晶質矽或粒徑比較小的多晶 珍等非單晶性之丰導體薄膜照射雷射光且予以局部加熱之 後’在其冷卻過程中將半導體薄膜轉換（結晶化）成粒徑比 較大的多結晶者。將該已結晶化的半導體薄膜當作活性層 (通道區域）以集積形成薄膜電晶體。藉由採用此種的結晶 化退火，即可使薄膜半導體裝置予以低溫處痤化，且無須 使用耐熱性優的高價石英基板，而可使用廉價的玻璃基 板0 在結晶化退火中’ 一般係沿奢掃描方線邊局邵重覆線 (line)狀之雷射光而邊間歇性地進行脈衝照射。藉由使雷 射光重疊（over-lap)即可進行比較均勻的半導體薄膜之結 晶化。將使用線狀雷射光（線束：line beam)的結晶化退火 以模型圖顯示於圖11中。自半導體薄膜被預先成膜的絕 緣基板1之表面側開始照射，並沿著由玻璃等所構成之絕 緣基板1之Y方向而整形成線狀的雷射光5 0。此時係使絕 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閣讀背面£注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------線( 451 2 79 A7 B7 五、發明說明（2 ) 緣基板1相對於照射區域而移動於x方向（掃描方向）上。 在此’邊間歇性地JL局部地重疊自準分子雷射光源所放射 出來的線束5 0而邊照射線束5 〇。亦即，絕緣基板丨係相對 於線束50而介以載置台（stage )掃描於X方向上。每單觸 發一次就以小於線束5 〇之寬尺寸的間距移動載置台，即 可對基板1全體照射線束5 〇並進行結晶化退火。 雷射光係逐次從雷射光源輸出以作爲脈衝β各個脈衝之 強度（每一單位面積之能量密度）不一定要固定，即使是最 新的雷射光源亦會高過±15%作變動。因此，在反覆重叠 脈衝而照射時，就會在依各個脈衝強度之不均勻而結晶化 的半導體薄膜之粒徑中發生局部的不均等。此係表示集積 形成於絕緣基板上的薄膜電晶體之特性會變成不均等。當 使用此種絕緣基板以製作液晶面板等的顯示裝置時，就會 出現畫質不均或晝素缺陷的問題。 經濟部智慧財產局員K消費合作社印製 (請先開讀背面，之注意事項再填寫本頁) 圖1 2係以模型圖顯示線束之照射區域之一例的俯視 圖。照射區域，例如係長邊爲2〇〇 mm而短邊爲4〇〇 "瓜的 長方形，且沿著短邊方向掃描。互爲相鄰的照射區域例如 有95%之部分被重疊。因而，具有圖示之照射區域的線束 係以20 " m之間隔而步進移動。當著眼於基板上之—點 時’就會以20 之步進方式通過2〇次線束，而該地點合 計接受2 0次雷射光的照射。 圖13係以模型圖顯示沿著圖12之又_乂線之線束截面強 度分佈的圖表。一般而言，沿著短軸方向之線束的截面強 度分佈係呈矩形狀。當以20 之步進方式對之掃描時， -5-
45ί2 79 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（3 ) 在絕緣基板上的某一地點上，雷射光會以間歇方武照射 2 0次。藉此’該地點之半導體薄膜會重覆2 〇次雷射照射 之熔融與冷卻之固化，在此期間結晶粒會持續擴大。但 是，實際上如前述般，各個雷射束之強度中會發生不均 等，當著眼於一點時，並非經常以同位準的能量重覆照射 20次，而是照射具有約± 15%之不均等的能量。—般而 ϋ运射光強度變雨的結晶粒雖會持續擴大，但是當超過 臨界強度時反而會微結晶化。因而，當在重覆脈衝照射中 發生突發性的能量朝上方變動時，結晶粒反而會有微結晶 化之虞。尤其是，著眼於一個地方時，在2 〇次之重覆照 射之中’當在最後一次發生突發性的能量朝上方變動時， 孩地點的結晶狀態就會以微結晶的狀態結束。反之，在 2 0次之重覆照射中之最初的一次突發性地照射能量較大 的線束之情況，當在成膜階段含多量氫之非晶質的砂半導 體薄膜像融時，氫就有突沸（abrasi〇11 _·磨耗）之虞。當發 生磨耗時’半導體薄膜本身會變質，之後即使重覆照射線 束，亦無法獲得正常的結晶粒。 發明'之摘述 爲了解決上述習知之技術問題而採用了以下之手段。亦 即’本發明之半導體薄膜之結晶化方法，其係包含有，整 形步骤，用以將雷射光源所發出的雷射光予以整形，俾在 所預定的照射區域上形成具有預定強度分佈的雷射光；以 及照射步驟’以照射區域局部重疊在預先成膜於基板上的 半導體薄膜之方式’邊掃描而邊重覆照射雷射光，其特徵 -6- 本紙浪人汉迥阳中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公 -------Κ----I--裂·！--— I 訂----- ----線 I (請先閱讀背面V注意事項再填寫本頁} 45127 沒
發明說明（4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲：前述整形步驟，其沿著照射區域之掃描方向的事射光 ^截面強度分佈係呈凸型，且該峰値係與掃描方向有關以 在射區域之前端與後端之間位於比中央還靠前端侧的方 式，將雷射光予以整形。較佳者爲，前述整形步驟，其照 射區域如‘之強度係以比净値之強度還低於30%以内的範 圍而將雷射光予以整形。又，前述整形步驟，其照射區域 後端t強度係以比峰値之強度還低於5 %以上的範園而將 雷射光予以整形。又，前述整形步驟，其峰値之強度係以 比無法結晶化之臨界強度還低於i 0%以上的範園而將雷射 光予以整形前述整形步驟，例如係將雷射光整形成其截 面強度分佈變成三角形。或者，前述整形步驟，係將雷射 光整形成其截面強度分佈變成抛物狀。在其一態樣中，前 述整形步驟，係將雷射光整形成其照射區域變成長方形 狀，前述照射步驟，係以長方形狀之長邊部局部重疊的方 式，在與長邊正交的方向上相對於基板掃描煦射區域。 本發明更包含有利用上述半導體薄膜之結晶化方法的薄 膜半導體裝置之製造方法。亦即，該薄膜半導體裝置之製 造方法，其係包含有，成膜步驟，用以在基板上形成半導 體薄膜；整形步驟，用以將雷射光源所發出的雷射光予以 整形，俾在所預定的照射區域上形成具有預定強度分佈的 雷射光；照射步驟，以照射區域局部重疊在預先成膜於基 板上的半導體薄膜之方式，邊掃描而邊重覆照射雷射光以 使薄膜電晶體結晶化；以及加工步驟，將已結晶化的半導 體薄膜當作元件區域以形成薄膜電晶體，其特徵爲：前述 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --1---L(裝---------訂---------線 π (請先閲讀背面"之注意事項再填寫本頁) 4512 79 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5 整形步驟，其沿著照射區域之掃插方向的雷射光之舉面強 度分佈保呈凸型，且該學値係與择描方向有關以在照射區 域之前端與後端之間位於比中央還靠前端側的方式，將雷 射光予以整形。 又，本發明# &含有使用於上述半導體薄膜之結晶化方 法的雷射照射裝置。亦即，該雷射照射裝置，其係包含 有，雷射光源，爲了對預先成膜於基板上的半導體薄膜照 射雷射光以進行半導體薄膜之結晶化，而使雷射光發光 者；整形機構，用以將該雷射光予以整形俾在所預定的照 射區域上形成具有預定強度分佈的雷射光；以及照射機 構，以照射區域局部重疊在預先成膜於基板上的半導體薄 膜之方式，邊掃描而邊重覆照射雷射光，其特徵爲：前述 整形機構，其沿著照射區域之掃描方向的雷射光之截面強 度为佈係王凸型’且該岭値係與掃描方向有關以在照射區 域I前端與後端之間位於比中央還靠前端側的方式，將雷 射光予以整形。 除此之外，本發明包含有利用上述之半導體薄膜結晶化 万法及雷射照射裝置所製作的薄膜電晶體。亦即，該薄膜 咕00體’其係具有包含半導體薄膜、重疊於半導體薄膜之 一面上的閘極絕緣膜、及介以閘極絕緣膜而重疊在半導體 薄膜上的閘極之層合構成，其特徵爲：前述半導體薄膜， 係用以將雷射光源所發出的雷射光予以整形，俾在所預定 的照射區域上形成具有預定強度分佈的雷射光，且以照射 區域局部重疊的方式，邊掃描而邊重覆照射該被整形的雷 -8- 本紙張尺度適用令國國家標準GNS)A4 〇 χ 297公楚-- [t ll — 1.-----ο裝--------訂---------線 J- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 279 A7 B7 五、發明說明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 射光並丁以結晶化者，尤其是’其沿著照射區域之释描方 向的雷射光〈截㈣度分佈係m且料値係與掃描 方向有關以在照射區域之前端與後端《間位於比中央還靠 前端側的#式，㈣被整料雷射光之整形丨以結晶化。 更且，本發明包含有含上述薄膜電晶體之主動矩陣型之 顯示裝置。亦即’該顯示裝置，其係包含有，冑以預定間 ，而互相接合的—對基板、及保持於該間隙内的光電物 質，在一万之基板上形成相對電極，在另一方基板上形成 畫素電極及用以驅動畫素電椏的薄膜電晶體，㈣膜電晶 體，係由半導體薄膜與在該半導體薄膜之一面上藉以闊極 絕緣膜而重疊的閘極所形成，其特徵爲：前述半導體薄 膜，係用以將雷射光源所發出的雷射光予以整形，俾在所 預定的照純域上形成具有敎強度分佈的雷射光，且以 照射區域局部重叠的方式，邊掃描而邊重覆照射該被整形 的雷射光並予以結晶化者’尤其是，其沿著照射區域之掃 描方向的雷射光之截面強度分佈係呈㈣，且該峰値係與 掃描方向有關以在照射區域之前端與後端之間位衿比中央 還靠前端側的方式，利用被整形的雷射光之整形予以結晶 化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依據本發明，則沿著照射區域掃描方向的雷射光之截 面強度分佈係整形成凸型。尤其是，凸型之截面強度分佈 的峰値係與掃描方向有關以在照射區域之前端與後端之間 位於比中央還靠前端侧的方式，將雷射光予以整形。因 而，即使強度剛好在峰値位置突發性地朝上方變動，並超 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 4512 79 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 I、發明說明（7 〉 過臨界強度而一旦微結晶化，由於之後有接受雷射光之，照 射的餘裕度，所以可回復結晶狀態。亦即，藉由在比中央 還靠前端侧具有峰値，則即使因突發性的不均等而__旦微 結晶化，亦可利用之後的照射而再次回復到多結晶狀，賤。 另外’由於前端部之強度可抑制得很低，所以在此即使強 度發生突發性的朝上方變動，溫度亦不會極端上升，而可 防止磨耗（abrasion )發生。又，後端侧之能量強度亦可抑 制得比峰値還若干低。因而，在此即使發生突發性的能量 朝上方變動’亦無輕易超過臨界強度之虞，且無發生.微結 H3化典法回復之虞。除此之外，即使在辛値之部分上發生 微結晶化，亦可利用之後在後端侧降低強度的雷射光之照 射而使之回復。 較佳具體例之説明 以下係參照圖式詳細説明本發明之實施形態。圖1係顯 示本發明之雷射照射裝置及半導體薄膜結晶化方法的模型 圖。如（A)所示’本雷射照射装置’係使用衰減器 (attenuator) 52以將雷射振盪器（雷射光源）51所振盪的雷 射光5 0調節成適當的能量強度，更且，利用含均質器 (homogemzer )等的光學系5 3，雷射光5 〇可被整形成例如 長方形狀。然後，對載置於處理室（chamber) 5 4中之載置 台5 5上之例如由玻璃基板所構成的絕緣基板1照射雷射光 5 0。另外，在絕緣基板〗上預先形成作爲處理對象的半導 體薄膜2。處理室54内，係成爲氮環境、太氣環境、其他 的氣體環境、或是由乾式幫浦等所製作的眞空環境。依情 -10 - 本紙張尺度朝巾關雜準（CNS)A4祕（ x 297¾ --l·--1---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4512 79 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（8 ) 況，若不使用處理室5 4而只使用載置台5 5則亦可在大氣 環境下進行結晶化退火。當在絕緣基板】上以適當的方法 預先形成例如由非晶質矽所構成的半導體薄膜2時，非晶 質矽就會因雷射光5 0之照射而轉換成多晶矽。從以上之 説明可明白，衰減器52及均質器等光學系53係構成整形 機構，用以將雷射光5 〇予以整形且在預定的照射區域上 形成具有預定強度分佈的雷射光5〇。又，載置台55係構 成照射機構之一部分，係以照射區域局部重疊在預先成膜 於基板1上的半導體薄膜2上之方式邊掃描而邊重覆照射 雷射光。在此，雷射雖可使用短波長的XeC1、KrF準分子 雷射，但是當然不被限定於該等。 (B )係以模型圖顯示依上述整形機構所整形的雷射光之 截面強度分佈。在此，沿著照射區域之掃描方向的雷射光 之截面強度分佈係呈凸型，而該峰値P係與掃描方向有關 JL在照射區域之前端與後端之間以位於比中央還靠前端側 的方式將雷射光予以整形。如此的整形，可藉由調整均質 器與分級遽波器來實現。如前述般，藉由使+値p位於比 中央還靠前端侧之位置;p p，則即使在重覆照射之前—階 段發生微結晶化，亦可能在後一階段修復之。較佳者爲， 峰値P之強度位準P L，比起成爲不可結晶化的臨界強度 C L，係以低於1 〇 %以上之範圍的方式而將雷射光予以整 形。如前述般，雷射光之強度就會在± 15%的範園内變 動。因而，若使峰値位準P L比臨界強度C L降低15%以上 的話’則不會因突發的變動而發生微結晶化等。但是，此 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --1.----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面'之注意事項再填寫本頁) 4512 79 A7 B7 五、發明說明（9 係因整體的雷射光強度太弱，而無法謀求雷射光之能量的 有效利用。因此，在本實施形態中係使峰値位準相堂 於臨界強度CL具有10%左右的餘裕度。因而，峰值位^ PL依情況會超過CL，而也有發生微結晶化之虞。但^， 在該情況下由於雷射光可以設定若干低的後端側之位準 TL·來重覆照射，所以可回復至多結晶狀態。又，在本實 施形態中’照射區域前端之強度r L比起峰値ρ之強度位 準P L，係以低於3〇%以内之範圍的方式將雷射光予以整 形。藉此，即使在前端有突發的能量朝上方變動，亦可防 止磨耗。另外，當使前端之強度位準^^以超過3〇0/。之範 園設得比峰値位準PL還低時，因雷射光強度太弱，而對 結晶化變成無效。更且，照射區域後端之強度TL比起峰 値強度P L係以低於5 %以上之範園的方式將雷射光予以整 形。因而’比起臨界強度位準CL時在後端之強度位準TL 就會變低1 5 %左右。由於即使發生突發性的朝上方變動 亦不會超過1 5 %，所以後端側之位準T L不會超過臨界強 度C L。因而，在後端侧没有發生微結晶化之虞。另外， 藉由將後端側之強度位準T L設定得比峰値位準p L若干低 即可獲得其他的效果。一般而言，在雷射退火中，依結晶 化前的半導體薄膜之膜厚其最佳的能量密度係不同的。通 常係配合膜厚之不均等的最大値而決定能量密度a如此， 較薄的膜部分因能量太強，超過臨界強度就容易微結晶 化。此點，若使用（B )所示之輪廓（profile )的話，則依峰 値P後之設定成稍微弱的能量，就可調整膜厚較薄部分的 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -_先閱讀背*-之注意事項再填寫本頁} 裝--------訂----------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4512 7 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（10) 結晶狀態。亦即，對膜厚較薄部分，輪廓之後端側巧位準 TL可最佳化。另一方面，輪廓之峰値位準PL對膜厚較厚 的部分可最佳化。藉此，整體就不會受到膜厚之不均等影 響而可獲得均勻的結晶粒。另外，（B )所示的輪廓係爲其 一例，且一般而言輪廓只要爲峰値朝前端側移位的凸型即 可。例如，亦可爲三角形的輪廓，或是抛物狀的輪鄭。在 三角形的輪廓時，頂點係位於比中央還靠前端側，且從頂 點朝向前端側的傾斜較爲陡峭形狀，而從頂點朝向後端侧 的傾斜則爲較缓和的形狀。 圖2係顯示半導體薄膜之膜厚與雷射光之能量密度（強度） 之關係的圖表。從圖表中可明白，當膜厚超過5 0 nm時， 很難依雷射退火取得良好的結晶狀態。當著眼於膜厚50 rnn的半導體薄膜上時，若能量密度爲150 mJ/cm2以下，則 因雷射光強度太弱半導體薄膜畢竟還不會熔融。亦即，能 量密度在150 mJ/cm2以下係爲非熔融區域。能壹密度在200 mJ/cm2以下只有局部會結晶化，雷射光強部還是很弱。能 量密度在200 mJ/cm2至300 mJ/cm2之範圍係爲平坦結晶化 區域，可獲得良好的多結晶。當膜厚超過50 nm時，即使 在此能量密度之範圍内亦可變成凹凸結晶化區域，且在半 導體薄膜之表面上可出現凹凸。當能量密度超過300 mJ/cm2時，反而因雷射光強度太高而發生微結晶化，而變 成非結晶（amorphous )化區域。亦即，能量密度300 mJ/cm2 係爲臨界強度。但是，此能量密度之値係爲例示，實際上 會比雷射光之脈寬等還作較大的變動。圖2之例係雷射光 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X： 297公釐） --—！---Ί----1 裝--------訂---------線- {請先閬讀背面'之注意事項再填寫本頁) 279
五、發明說明（I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之脈寬爲2Q ns的情況。 圖係顯不能量禮度與結晶粒徑之關係的圖表。橫軸係 :相對値取能量密度，而縱軸以相對値取結晶粒徑。另 知重覆照射次數取爲參數，在此係取照射丨次、照射 二與…、射1 0次之情況爲例而予以圖表化。如圖示般，照 :次數越増加結晶粒徑就變越大，而可獲得良好的結晶狀 亦即，重覆照射方式對於取得良好的結晶狀態很有 但是’若著眼於照射10次之圖表即可明白，當能量 讀太高時，反而所獲得的結晶粒徑就變小。從此結果中 可明白，有必要使雷射光之能量密度最佳化。 圖4係顯Τ照射次數與結晶粒徑之關係的圖表。此圖表 係顯:藉由對處於微結晶狀態的半導體薄膜重覆進行雷射 光j ·、、射，以使之回復結晶狀態。例如，在初期的微結晶 f毖中結晶粒徑爲50 nm以下。相對於此當照射χ次時結 w粒；L會回復至15〇 nm左右。更卫，若反覆照射$次，則 A晶t徑會回復至35〇 nra爲止。如此，即使以超過臨界強 度之能量密度進行雷射光之照射而一旦變成微結晶狀態， 之後藉由重覆舨射臨界強度以下之雷射光，亦可使之回復 結晶狀態。 圖5係顯示依超過臨界強度之雷射光之照射而微結晶化 的矽半導體薄膜之表面的顯微鏡相片圖。圖6係顯乐對圖 5所不足微結晶化狀態的半導體薄膜照射丨次雷射光使之 再結叫化之狀％的顯微鏡相片圓。再者，圖7係顯示重覆 5次雷射光照射使之再結晶化之狀態的顯微鏡相片圖。若 -14- 本紙張尺度適用巾國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 x 297公 --L--^---------------訂---------線- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451279 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12) 比較圖5至圖7即可明白，已微結晶化的半導體薄蟬係可 依重覆照射而回復到多結晶狀態。 圖8係顯示本發明之薄膜電晶體之製造方法之一例的步 驟圖。此係顯示底部閘極構造之薄膜電晶體的製造方法。 首先，如（a)所示，在玻璃等所構成的絕緣基板1上以1〇〇 至200nm之厚度形成鋁（A1)、组（Ta)、鉬（Mo)、鎢（W) 、鉻（Cr)、銅（Cu)或該等的合金，且進行濺鍍作業以在 閘極5上加工。 其次如（b )所示，在閘極5上形成閘極絕緣膜。在本例 中，閘極絕緣膜係採用閘極氮化膜3 (矽氮化物（SiNx))/閉 極氧化膜4 (二氧化矽（Si〇2))之雙層構造《閘極氮化膜3係 採用SiH4氣體與NH3氣體之混合物以作爲原料氣體，且利 用電漿CVD法（PCVD法）予以成膜。另外’亦可採用常壓 CVD法、減壓CVD法以取代電漿CVD法。在本實施例 中，係以50 mn之厚度堆積閘極氮化膜3。接在閘椏氮化 膜3之成膜作業之後以約2〇〇 nm之厚度形成閘極氧化膜 4。更在閘極氧化膜4上連續以約40 nm之厚度形成由非晶 質矽所構成的半導體薄膜2。雙層構造之閘極絕緣膜與非 βθ员半導體薄膜2係不破壞成膜室之眞空系統而連續成膜 者。當以上之成膜作業係採用電漿c VD法時，係在4⑻至 45〇°C之溫度下氮環境中進行}小時左右的加熱處理，以釋 放出含於非晶質半導體薄膜2中的氫。進行所謂的脱氫退 火。其次，照射雷射光5 〇，以使非晶質半導體薄膜2結晶 化。雷射光50係可採用準分子雷射束。所謂的雷射：： -15 - 本紙張尺度顧+關家辟(CNS>A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------
4b127S A7 B7 濟 部 智 慧 財 J. 局 員 玉、發明說明（13 ) 係以60(TC以下的處理溫度使半導體薄膜結晶化用吟有利 手段°在本實施形態中，係將以脈衝狀所激發出的雷射光 5 0照射在非晶質半導體薄膜2以進行結晶化◎具體而女， 係進行整形步驟與照射步驟，而整形步驟，係用以將雷射 光源所發出的雷射光50予以整形，俾在所預定的照^區 域上形成具有預定強度分佈的雷射光，照射步驟，係以照 射區域局部重疊在預先成膜於基板1上的半導體薄膜2之 方式，邊掃描而邊重覆照射雷射光5 0者。在此，整形步 驟，其沿著照射區域掃描方向的照射區域的雷射光5 0之 截面強度分佈係呈凸型，且該峰値係與掃描方向有關以在 照射區域心前端與後端之間位於比中央還靠前端側的方 式，將雷射光50予以整形。當然，雷射光之照射區域本 身亦可爲線狀（長R型），或面狀。 如（c)所示，在前一步驟所結晶化的多結晶半導體薄膜2 上例如利用電漿CVD法以約100nmi3〇〇nm之厚度形成 二氧化矽。將此二氧化矽濺鍍成預定形狀以在阻擋膜】6 上加工。此情況，係以使用背面曝光技術與閘極5匹配的 方式濺鍍阻擋膜1 6。位於阻擋膜〗6之正下方的多結晶半 導體薄膜2之部分可當作通道區域(：11來保護。接著，將阻 擋膜1 6當作光罩並利用離子摻雜術將雜質（例如p+離子） 植入半導體薄膜2中，以形成1^1)1)區域。此時之劑量例如 爲6 X 1〇12至5 X l〇]3/cm2。更以被覆阻擋膜丨6及其兩侧之 LDD區域的方式在濺鍍形成光阻之後，以此爲光罩而植 入高濃度的雜質（例如P+離子），以形成源極區域3及汲極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) jo^--------訂---------線
451 2 79 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 Α7 Β7 五、發明說明（14 ) 區域D。在雜質植入中，例如可使用離子摻雜術。此爲不 需施加質量分離而以電場加速植入雜質者，在本實施例中 係以1 X 1 〇 /cm左右之劑量植入雜質，以形成源極區域s 及汲極區域D。另外，雖未圖示，但是在形成p通道之薄 膜電晶體時，再以光阻被覆N通道型薄膜電晶體之區域之 後，只要將雜質從p+離子切換成B+離子並以工χ i〇i5/cm2左 右之劑量進行離子掺雜即可。 之後’將植入於多結晶半導體薄膜2中的雜質予以活性 化。例如，可進行使用準分子雷射光源的雷射活性化退 火β亦即’邊掃描準分子之脈衝而邊照射在玻璃基板1 上，以使植入於多結晶半導體薄膜2中的雜質活性化。 最後如（d)所示，以約200 之厚度形成二氧化矽膜， 以形成層間絕緣膜6。在形成層間絕緣膜6之後，利用電 漿CVD法以約200至400 nm之厚度形成矽氮化物膜 (SiNx) ’以形成鈍化（passivati〇n )膜（覆罩（cap )膜）8。此 階段係在氮氣或是成形氣體（f〇rming gas )中或是眞空中環 境下進行1小時之350°C左右的加熱處理’以使含於層間絕 緣膜ό中的氫原子擴散至半導體薄膜2中。之後，將接觸 孔予以開口，且再以2〇〇至400 nm之厚度濺艘细、艇等之 後’濺鍍成預定形狀以在配線電極7上加工。更且，在以 1 左右之厚度塗佈由丙歸酸樹脂所構成的平坦化層 之後，將接觸孔予以開口。在平坦化層1 〇上濺鍍由〗τ 〇 (氧化銦錫）或IX 〇等所構成的透明導電膜之後，濺鍍成預 足形狀以在畫素電極11上加工。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------—訂--- I ------f I ‘ 45/2 79 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（仿） 參照圖9 ’説明本發明之薄膜電晶體之另一例。亨先如 (a)所示’在絕緣基板1上利用電漿c v d法連續形成成爲 缓衝層之雙層的底層膜16a、16b。第一層之底層膜l6a #由SiNx所構成，其膜厚爲1〇〇至2〇()11111。又，第二層之 1 6 b係由二氧化矽所構成，其膜厚—樣爲j 〇 〇至2〇〇 。 在由此二氧化矽所構成的底層膜1 6 b上係利用減壓化學氣 相沉積法（LP-C VD法）例如以40 nm之厚度形成由多晶矽所 構成的半導體薄膜2 β接著，使Si+離子在離子植入裝置等 中利用電場加速而植入於半導體薄膜2中，以使多晶矽非 晶質化。另外，亦可一從開始即利用減壓化學氣相沉積法 (LP-CVD法）或電漿CVD法或者濺鍍法等方法，來取代— 旦形成多晶矽膜以使之非晶質化的方法，以在絕緣基板^ 上堆積由非晶質梦所構成的半導體薄膜2。 之後，使用圖1所示的雷射照射裝置，對半導體薄膜2 照射雷射光5 0以進行結晶化。具體而言，係.進行整形步 驟與照射步驟，而整形步驟，係用以將雷射光源所發出的 雷射光5 0予以整形，俾在所預定的照射區域上形成具有 預疋強度分佈的雷射光，而照射步驟，係以照射區域局部 重疊在預先成膜於基板1上的半導體薄膜2之方式，邊掃 描而邊重覆照射雷射光5〇者。在此，整形步驟，其沿著 照射區域掃描方向的雷射光5 〇之截面強度分佈係呈凸 型，且該峰値係與掃描方向有關以在照射區域之前端與後 端之間位於比中央還靠前端侧的方式，將雷射光5〇予以 整形。 -18- 本紙張尺度週財_家標準（CN^—規格咖x 297 . - 〇裝--------訂---------線 7 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 79 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16) 接著如（b)所示，將由結晶粒已被大粒徑化之多晶矽所 構成的半導體薄膜2濺鍍成島狀。在此半導體薄膜2上， 利用電聚CVD法、常壓CVD法、減壓CVD法、ECR-CVD法、濺鍍法等沉積5 〇至4〇〇 ηιη之膜厚的二氧化矽， 以形成閘極氧化膜4。在此若有必要的話，則進行v t h離 子植入’將B離子以劑量〇5xi012至4xi012/cm2左右植入 於半導體薄膜2中。此情況之加速電壓，係爲8〇 KeV左 右。另外，此Vth離子植入亦可在閘極氧化膜4之成膜之 封就進行。其次，在閘極氧化膜4上以200至8〇〇 nm之厚 度形成鋁、鈦、鉬、鎢、叙、摻雜多晶矽等，或是該等之 合金’賤鑛成預定的形狀以在閘極5上加工。其次將p+離 子以使用質量分離的離子植入法植入於半導體薄膜2中， 以設置L D D區域。此離子植入係以閘極5當作光罩而對絕 緣基板1之全面進行。其劑量爲6χ1〇ΐ2至5x1〇i3/em2。另 外’位於閘極5之正下方的通道區域Cil係受到保護，以 Vtli離子植入法預先被植入的B+離子會保持原狀。在對 LDD區域進行離子植入之後，形成光阻圖案以被覆閘極5 與其周圍，且以質量非分離型的離子淋浴摻雜法植入高濃 度的P+離子，以形成源極區域s及汲極區域D。此情況的 劑量例如爲1 X l〇15/cm2左右。另外，源極區域S及汲極區 域D之形成亦可使用質量分離型之離子植入裝置。之後， 進行植入於半導體薄膜2中之摻質（d〇pant)的活性化處 理。此活性化處理可以雷射退火來進行。 最後如（c)所示，形成由磷矽玻璃（pSG)等所構成的層 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） Ί„ ^ 0^--------訂---------線J ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * 451 2 79 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（17) 間絕緣膜6用以被覆閘極5。在此層間絕緣膜6上將择觸孔 予以開口之後，利用濺鍍法形成鋁-矽膜等，且濺鍍成預 定的形狀以在配線電極7上加工。以被覆此配線電極7的 方式，利用電漿C VD法堆積約200至400 ηηι之膜厚的 SiNx。以形成純化膜（覆罩膜）8。此階段係在氮氣中35〇。〇 之溫度下進行1小時左右的退火，以使含於層間絕緣膜6 令的氫擴散至半導體薄膜2中。進行所謂氫化處理以改善 螓膜電晶體之特性。在鈍化膜8上以約j A m之厚度塗佈由 丙晞酸樹脂等所構成的平坦化層丨〇之後，在此將接觸孔 丁以間口。在平坦化層i 〇上濺鍍由ΙΤ〇 4ΐχ〇等所構成 的透明導電膜之後，濺鍍成預定形狀以在畫素電極"上 加工。 最後，參照圖1 〇説明使用依本發明製造之薄膜電晶體 的主動矩陣型顯示裝置之一例。如圖所示，本顯示裝置係 /、有包含一對絕緣基板J 0 iJ 0 2與保持於兩者間之光電 物貝1 0 3的面板構造。光電物質丨〇 3，例如係使用液晶材 料。在下側之絕緣基板i 〇 i上集積形成有畫素陣列部丨〇 4 ，驅=電路部。驅動電路部係分成垂直掃描器ι〇5與水平 知指I益1 0 6。又，在絕緣基板丨〇 i之周邊部上端形成有外 部連接用的端子部1 0 7。端子部1 〇 7係藉以配線丨〇 8而連 接在垂直掃描器105及水平掃描器1〇6上。在畫素陣列部 1 〇 4上形成有呈列狀的閘極配線丨〇 9與呈行狀的信號配線 no。在兩配線之交又部上形成有畫素電極與用以驅 動畫素電極1U的薄膜電晶體112。薄膜電晶體ιΐ2之閘 -20- 私紙張尺度適时图liT様準（CNS)A4規格（210 x 297公楚·· Ί . t--------訂----------線..J· (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 451279 A7 B7 五、發明說明（18) 極係連接在所對應的閘極配線109上，汲極區域係連接在 所對應的畫素電極ni上，源極區域係連接在所對應的信 號配線uo。閘極配線109係連接在垂直掃描器1Q5上， 另一方面，信號配線1 ίο係連接在水平掃描器1〇6上。用 以交換驅動畫素電極i i i的薄膜電晶體丨Γ2及垂直擴描器 1 0 5與水平掃描器丨〇 6中所包含的薄膜電晶體，係依本發 明所製作者。當然，若採用有機EL顯示裝置作爲光電物 質，則本發明仍可應用於有機EL顯示裝置中。 如以上説明’若依據本發明，則沿著照射區域之掃描方 向的雷射光之截面強度分佈係呈凸型，且該峰値係與掃描 方向有關以在照射區域之前端與後端之間位於比中央還靠 前端側的方式，將雷射光予以整形之後，進行半導體薄膜 之結晶化。如此，藉由使雷射光強度分佈成爲最佳化，即 可穩定獲得具有結晶粒均勻之大面積的多結晶半導體薄 膜。又，即使係雷射光之強度分佈有很大不均等的雷射光 源亦可使用於半導體薄膜結晶化方法中。除此之外，即使 在半導體薄膜中有膜厚不均等的情形亦可獲得均等的結晶 狀態。 圖式之簡單説明 圖1(A)、1 (B)係顯示本發明之雷射照射裝置及半導體薄 膜結晶化方法的模型圖。 圖2係顯示半導體薄膜之膜厚與雷射光之能量密度之關 係的圖表。 圖3係顯示能量密度與結晶粒徑之關係的圖表。 -21 - 本紙張尺度用中國國家標準（C^S)A4規格（210 X 297公髮） ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·-------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451279 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
2 4 5 11 5 0 5 1 5 2 53 5 5 P A7 五、發明說明（19 圖4係顯示照射次數與結晶粒徑之關係的圖表。 圖5係顯示半導體薄膜之結晶化狀態的顯微鏡相片^。 圖6係顯示半導體薄膜之結晶化狀態的顯微鏡相片圖。 圖7係顯7JT半導體薄膜之結晶化狀態的顯微鏡相片圖。 圖8(a) ' 8(b)、8(C)、8(d)係顯示本發明之薄膜電晶 製造步驟圖》 氧的 圖9(a)、9 (b)、9 (c)係顯示本發明之薄膜電晶體的 步驟圖。 & 圖1 0係顯示本發明之顯示裝置的模型立體圖。 圖1 1係顯示習知半導體薄膜之結晶化方法的説明圖。 圖12係長方形狀雷射束的截面形狀。 圖13係長方形狀雷射束之短軸方向截面的能量分佈。 主要元件符號説明 1 絕緣基板 半導體薄膜 閘極氧化膜 閘極 畫素電極 雷射光 雷射振盪器 衰減器 均質器等光學系 載置台 峰値 22 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公楚） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本
4512 73 A7 B7 五、發明說明（2G ) PL 峰値強度位準 CL 臨界強度位準 RL 前端強度位準 TL 後端側強度位準 --:|厂！-----、裝-------訂--- ----線 > (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^12 73 、申請專利範圍 1‘ 一種半導體薄膜之結晶化方法，其係包含有， 整形步驟’用以將雷射光源所發出的雷射光予以整 形，俾在所預定的照射區域上形成具有預定強度分佈的 雷射光；以及 照射步驟’以照射區域局部重疊在預先成膜於基板上 的半導體薄膜之方式’邊掃描而邊重覆照射雷射光，其 特徵爲： 前述整形步驟，其沿著照射區域之掃描方向的雷射光 之截面強度分佈係呈凸型，且該峰値係與掃描方向有關 以在照射區域之前端與後端之間位於比中央還靠前端侧 的方式，將雷射光予以整形。 2‘如申請專利範園第1項之半導體薄膜之結晶化方法，其 中前述整形步驟，其照射區域前端之強度係以比峰値之 強度還低於30%以内的範圍而將雷射光予以整形。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體薄膜之結晶化方法，其 中前述整形步驟，其照射區域後端之強度係以比峰値之 強度還低於5 %以上的範圍而將雷射光予以整形。 4. 如申請專利範園第1項之半導體薄膜之結晶化方法，其 中前述整形步驟，其峰値之強度係以比無法結晶化之臨 界強度還低於10%以上的範圍而將雷射光予以整形。 5. 如申請專利範圍第i項之半導體薄膜之結晶化方法，其 中前述整形步驟，係將雷射光整形成其截面強度分佈變 成三角形。 6，如申請專利範圍第1項之半導體薄膜之結晶化方法，其 -24- 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規柊（210 X 297公釐） (請先W'讀背面之注意寧項再填寫本頁) -—^lw^-----—訂---------線- A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 中前述整形步驟，係將雷射光整形成其截面強度尹佈變 成拋物狀。 J 7. 如申請專利範圍第1項之半導體薄膜之結晶化方法，其 中前述整形步驟，係將雷射光整形成其照射區域變成長 方形狀， 前述照射步驟，係以長方形狀之長邊部局部重疊的方 式，在與長邊正交的方向上相對於基板掃描照射區域。 8. —種薄膜半導體裝置之製造方法，其係包含有， 成膜步驟，用以在基板上形成半導體薄膜； 整形步驟’用以將雷射光源所發出的雷射光予以整 形’俾在所預定的照射區域上形成具有預定強度分佈的 雷射光； 照射步驟，以照射區域局部重疊在預先成膜於基板上 的半導體薄膜之方式，邊掃描而邊重覆照射雷:射光以使 薄膜電晶體結晶化；以及 加工步驟，將已結晶化的半導體薄膜當作元件區域以 形成薄膜電晶體，其特徵爲： 則述整形步驟，其沿著照射區域之掃描方向的雷射光 (截面強度分佈係呈凸型，且該峰値係與掃描方向有關 以在照射區域之前端與後端之間位A比中央還靠前端侧 的方式’將雷射光予以整形。 9·如申請專利範固第§項之薄膜半導體裝置之製造方法， 其中前述整形步驟，其照射區域前端之強度係以比峰値 之強度還低於30%以内的範圍而將雷射光予以整形。 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . . -----r---訂 ---------線 r- (請先閱讀背兩之注意事項再填寫本頁) 2 79 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 10. 如申=專利範園第8項之薄膜半導體裝置之製造声法， 其中則述整形步驟，其照射區域後端之強度係以比峰偯 之強度還低於5 %以上的範園而將雷射光予以整形a 11. 如申请專利範圍第8項之薄膜半導體裝置之製造方法， 其中則述整形步驟，其峰値之強度係以比無法結晶化之 臨界強度還低於10%以上的範圍而將雷射光予以整形。 12. 如申请專利範園第8項之薄膜半導體裝置之製造方法， 其中則述整形步驟’係將雷射光整形成其截面強度分佈 變成三角形。 13. 如申請專利範圍第8項之薄膜半導體裝置之製造方法， 其中則述整形步驟，係將雷射光整形成其截面強度分佈 變成抛物狀。 K如申請專利範園第8項之薄膜半導體裝置之製造方法， 其中則述整形步驟，係將雷射光整形成其照射區域變成 長方形狀， 前述照射步驟，係以長方形狀之長邊部局部重疊的方 式’在與長邊正交的方向上相對於基板掃描照射區域。 15. —種雷射照射裝置，其係包含有， 运射光源’爲了對預先成膜於基板上的半導體薄膜照 射雷射光以進行半導體薄膜之結晶化，而使雷射光發光 者； 整形機構，用以將該雷射光予以整形俾在所預定的照 射區域上形成具有預定強度分佈的雷射光；以及 照射機構’以照射區域局部重疊在預先成膜於基板上 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） π婧先於讀背务之注意事項與填寫本頁) -----^----訂---------線 Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 勺半導體薄膜之方式，邊掃描而邊重覆照射雷射光，其 特徵爲： ’ 、則述整形機構，其沿著照射區域之掃描方向的雷射光 之截面強度分佈係呈凸型，且該峰値係與掃描方向有關 以在照射區域之前端與後端之間位於比中央還靠前端側 的方式，將雷射光予以整形。 16·如申請專利範圍第1 5項之雷射照射裝置，其中前述整 形機構’其射區域前端之強度係以比峰値之強度還低 於30%以内的範園而將雷射光予以整形。 17·如申請專利範園第1 5項之雷射照射裝置，其中前述整 形機構，其照射區域後端之強度係以比峰値之強度還低 於5 %以上的範圍而將雷射光予以整形^ 18·如申請專利範圍第1 5項之雷射照射裝置，其中前述整 形機構，其峰値之強度係以比無法結晶化之臨界強度還 低於10%以上的範園而將雷射光予以整形。 19. 如申請專利範圍第15項之雷射照射裝置，其中前述整 形機構，係將雷射光整形成其截面強度分佈變成三角 形。 20. 如申請專利範圍第i 5項之雷射照射裝置，其中前述整 形機構，係將雷射光整形成其截面強度分佈變成拋物 狀。 21. 如申請專利範圍第！ 5項之雷射照射裝置，其中前述整 形機構，係將雷射光整形成其照射區域變成長方形狀， 前述照射機構’係以長方形狀之長邊部局部重疊的方 -27- 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公爱)-------- (請先閱讀背&之注意事項再填寫本頁) 、裝----l·---訂---------線r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 *Γ 4512 7 9 Α8 Β8 C8 -------- D8 六、申請專利範圍 式’在與長邊正交的方向上相對於基板掃描照射區域。 22. -種薄膜電晶體，其係具有包含半導體薄膜、重叠於半 導體薄膜之-面上的閉極絕緣膜、及藉以閉極絕緣膜而 重©在半導體薄膜上的閘極之層合構成，其特徵爲： 前述半導體薄膜，係用以將雷射光源所發出的雷射光 予以整形，俾在所預定的照射區域上形成具有預定強度 分佈的雷射光，且以照射區域局部重疊的方式，邊掃描 而邊重覆照射該被整形的雷射光並予以結晶化者， 尤其是，其沿著照射區域之掃描方向的雷射光之截面 強度分佈係呈凸型，且該峰値係與择描方向有關以在照 射區域之前端與後端之間位於比中央還靠前端侧的方 式’利用被整形的雷射光之整形予以結晶化。 23_如申請專利範圍第2 2項之薄膜電晶體，其中前述半導 薄艇，其照射區域前端之強度係以比導値之強度還低 於30%以内的範園而利用被整形的雷射光之照射予以結 晶化ΰ 24‘如申請專利範圍第2 2項之薄膜電晶體，其中前述半導 體薄膜’其照射區域後端之強度係以比學値之強度還低 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製 於5 %以上的範圍而利用被整形一的雷射光之照射予以、结 晶化。 25.如申請專利範圍第2 2項之,薄膜電晶體，其中前述半導 體薄膜’其+値之強度係以比無法結晶化之臨界強度還 低於10 %以上的範園而利用被整形的雷射光之照射予以 結晶化。 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Λ 4t>1279 六、申請專利範圍 26. 如申請專利範圍第22項之薄膜電晶體，其中前述半導 體薄膜’係利用被整形的雷射光之照射予以結晶化以使 其截面強度分佈變成三角形。 27. 如申請專利範園第2 2項之薄膜電晶體，其中前述半導 體薄膜，係利用被整形的雷射光之照射予以結晶化以使 其截面強度分佈變成拋物狀。 28. 如申請專利範園第2 2項之薄膜電晶體，其中前述半導 體薄膜，係將雷射光整形成其照射區域變成長方形狀， 且以長方形狀之長邊部局部重疊的方式，在與長邊正交 的方向上相對於基板掃描照射區域予以結晶畫者。 29‘ 一種顯示裝置，其係包含有，藉以預定間隙而互相接合 的對基板、及保持於該間隙内的光電物質，在一方之 基板上形成相對電極，在另一方基板上形成畫素電極及 用以驅動畫素電極的薄膜電晶體，該薄膜電晶體，係由 半導體薄膜與在該半導體薄膜之—面上藉以閘極絕緣膜 而重疊的閘極所形成，其特徵爲： 經 濟 部 智 慧 財 k. 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 讀 背 面- 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 刖述半導體薄膜，係用以將雷射光源所 予以整形，俾在所就的照射區域上形成具有預 分佈的雷射光，丑以照射區域局部重疊的方式，邊掃描 而邊重覆照射該被整形的雷射光並予以結晶化者， 尤其是’其沿著照射區域之掃描方向的雷射光之截面 強度分佈係呈凸型，且該峰値係與掃描方向有關以在昭 f區域之前端與後端之間位於比中央還靠前端侧的方 式’利用被整形的雷射光之整形予以結晶化。 29- 本紙張尺度_巾_ ®T(CNS)A4規格（210 X 297公益· 4512 79 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 30. 如申請專利範圍第2 9項之顯示裝置，其中前述+導體 薄膜，其照射區域前端之強度係以比峰値之強度還低於 3 0%以内的範園而利用被整形的雷射光之照射予以結晶 化。 31. 如申請專利範圍第2 9項之顯示裝置，其中前述半導體 薄膜，其照射區域後端之強度係以比峰値之強度還低於 5 %以上的範圍而利用被整形的雷射光之照射予以結晶 化。 32. 如申请專利範園第2 9項之顯示裝置，其中前述半導體 薄膜’其峰値之強度係以比無法結晶化之臨界強度還低 於10 %以上的範圍而利用被整形的雷射光之照射予以結 晶化。 33_如申請專利範圍第2 9項之顯示裝置，其中前述半導體 薄膜，係利用被整形的雷射光之照射予以結晶化以使其 截面強度分佈變成三角形。 34.如申請專利範園第2 9項之顯示裝置，其中前述半導體 薄膜’係利用被整形的雷射光之照射予以結晶化以使其 截面強度分佈變成抛物狀。 35‘如申請專利範園第2 9項之顯示裝置，其中前述半導體 薄膜’係將雷射光整形成其照射區域變成長方形狀，且 以長方形狀之長邊部局部重疊的方式，在與長邊正交的 方命上相對於基板掃描照射區域予以結晶化者。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _°裝-----^---訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
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