TW446815B - Particle monitoring instrument - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 1
- BQPIGGFYSBELGY-UHFFFAOYSA-N mercury(2+) Chemical compound [Hg+2] BQPIGGFYSBELGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229940095676 wafer product Drugs 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
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Description
446815 經濟部智慧財產局霣工消t合作社印製 A7 B7 五、發明說明(1 ) 發明背景: 1. 發明領域: 本發明乃有關一運用光散射可即時即地測量自一運 轉中之反應器剝離之顆粒及運轉間出現、發光及衰退之顆 粒監視裝置。 2. 相關技術描述: 在大型積艘電路(以下稱為LSI,large scale.integrated circuit)製造階段出現於製造儀器中之顆粒是導致降低該 LSI產量及製造儀器工作壽命之主要原因。為了改善產量 及工作時間就產生的監視產生顆粒的儀器。 這儀器是由雷射光源及光偵測器組成。有兩類儀器: 其一是裝在反應器排氣管上》另一個是自反應器吸出氣 體。兩種均將樣本流體流過一有雷射光之空間,然後測量 散射光之強度。這種儀器的傳統例子,如曰本發明專利公 開公報 4-297852/1992,3-116944/1991,63-11838/1988, 5-206235/1993,5-206236/1993,7-12707/1995 及 5-288669/1"3還有日本新型專利公報(Utility Model
Publication)第 62-37160/1987。
測量樣本流體内的顆粒意味著偵測到的顆粒數與LSI 產量間,還有偵測到的顆粒與製造儀器工作時間間的關係 並不存在。為了解決這個問題,就試著即時即地的測量反 應器中的懸浮顆粒P 這種測量是以下面的方式進行。在反應器上安裝可使 雷射光通過及測量散射光之窗戶,顆粒散射之雷射光則以 4 本纸張尺度適用中國B家棵準(CNS)A4現格(210 X 297公釐) — —— — — — — lull — · I 1 I Γ I 1— ^ ·1111111 I <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 446815 B7_ 五、發明說明(2 > CCD相機記錄在錄影帶上。再放出來看散射光發生的時間 及強度變化,最後就可以測量顆粒的蹤跡。 有一些文獻上有這種傳統方法的例子:Gary S. Selwyn,Journal of Vacuum Science and Technology,Vol· B9, 1991,ρρ· 3487-3492 及 Vol. A14,1996,pp. 649-654。還 有,也有文獻 Watanabe et al.,Applied Physics Letters, Vol.61,1992,pp. 1510-1512 及 Shiratani et al.,Journal of Vacuum Science and Technology * Vol. A14,1996 * pp. 603-607。 前述之傳統技術有下述之問題: 日本發明專利公開公報 4-297852/1992,3-116944/1991 , 63-11838/1988 » 5-206235/1993 ^ 5- 206236/1993,7-12707/1995 及 5-288669/1993 還有日本新 型專利公報(Utility Model Publication)第 62-37160/1987 中 所提及的技術為傳統技術測量樣品流體中之顆粒的方法。 由於這些方法測量樣品流體散射之光線,要想因此得知顆 粒的位置相當困難。因此要得到儀器工作時間與產生的顆 粒,還有生產量與產生的顆粒間之關係是相當困難。 在 Gary S. Selwyn » Journal of Vacuum Science and Technology,Vol. B9, 1991,pp. 3487-3492 及 Vol. A14, 1996’ pp. 649-654。還有’也有文獻 Watanabe et al·’ Applied Physics Letters,Vol.61,1992’ ρρ· 1510-1512 及 Shiratani et al. * Journal of Vacuum Science and Technology 5 Vol. A14, 1996,pp. 603-607中在反應器中懸浮的顆粒,還有他的空 本紙張尺度適用中國Η家標準(CNS>A4规格(210 297公釐) - ---------裝 i — r ---訂! !!·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 經濟部智慧財產局wΗ消费合作社印製 4 4 6 8 ί 5 ° Α7 ----Β7_____ 五、發明說明(3 > 間分布及隨時間的變化,是用雷射光散射法偵測。但是要 知道觀測到的顆粒是否造成晶圓缺陷,顆粒來源及顆粒經 由什麼途徑達到晶圓卻很困難。因此,晶圓產品上之缺陷 到底是來自何顆粒就無法確定β因此就不知道是反應器的 哪一部份需要修改’還有不知道設備是否乾淨。尤其,沒 有方法可以阻止顆粒出現,因此無法因反應器及準備過程 乾淨而改進操作時間。 當偵測顆粒改採雷射光空間掃描或者雷射光空間擴 張法來測量顆粒空間分布時,偵測器對不同散射光處的距 離就不一樣’偵測器上散射光的強度反比於散射點與偵測 器間的距離的平方。尤其當用散射光強度來估計顆粒大小 時’必須根據距離來修正散射光的強度》但是前面這些方 法都沒有做這個修正。 尤有甚者,要藉由散射光強度來估計顆粒大小必須假 設顆粒形狀為完美的球形。但是人們早就知道LSI製造過 程中出現的許多顆粒是燒瓶或者針形的。這種形狀的顆粒 散射光的強度與入射光束與顆粒間之方向極有關係。因此 若用球形來估計顆粒的大小,大小誤差 '大小分布及顆粒 的數值密度都變大了。 目前光散設法中乃以下法測量顆粒的空間分布。反應 器中射入往某方向偏極化的光,然後測量散射光偏極化方 向受浮游顆粒的改變。只用光源中的某一波長的光。當觀 測到的顆粒大小比照射光波長小時*散射光強度以萊禮散 射公式(Rayleigh scattering formula)估計。當觀測到的顆粒 本紙張尺度適用中Β Β家標準(CNS>A4親格(210297公* > n n n n 1 I « It I 一石,« ϋ I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί 4 4β8 ί 5 Α7 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 ___Β7__ 五、發明說明(4 ) 大小比照射光波長大時,散射光強度以瞇散射公式(Mie scattering formula)估計。雖然瞇散射公式給出的是嚴格 解,其方程式複雜,因此數值計算所需的時間較長。因此 由散射光強度測量仍然無法即時得知顆粒大小及密度的有 力資訊。 發明概要 本發明之目的在提供一可輕易估計原點、目標點、顆 粒質量、修正散射光強度因散射點與偵測器之距離改變而 改變量、擴大可適用萊禮散射公式範圍之顆粒大小以做簡 單之數值計算及藉由估計顆粒形狀以精確估計顆粒大小之 顆粒監視裝置。 首先,本發明之顆粒監視裝置包括:讓雷射光進入反 應器之裝置及測量顆粒散射光的裝置;還有藉由提高雷射 光重複發生率或者當某一光偵測散射光之偵測器所得到的 訊號強度超過某一預定值時,增加雷射光脈衝寬度,使偵 測器長時間曝光以散射光軌跡顯示顆粒運動;還有顯示一 連接轨跡之始點與終點連接線及將之疊加於軌跡之上並延 伸致始點以外以估計顆粒出現點、延伸至終點以外以估計 顆粒之目標點、將直線於垂直方向之投影長度除以散射光 曝光時間以估計顆粒質量的裝置。 其次,本發明之顆粒監視裝置包括:讓雷射光進入反 應器之裝置及測量顆粒散射光的裝置;本顆粒監視裝置更 有一可在一雷射光源前預設之旋轉角度範圍内旋轉交換一 鏡子使雷射光做水平或者垂直扇形掃招一晶囷表面,在鏡 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4规格(210 * 297公* ) ------------•裝---- ---訂---------線 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(5 ) 子旋轉控制器之旋轉角度到資料處理器之鏡子旋轉角度及 光偵測器之散射光訊號間之一對一對映裝置;將所有散射 光強度藉由一鏡子旋轉角度、資料線到光偵測器間之距 離、散射點到偵測器間之連線以直角交資料線間之距離、 及鏡子反射點到資料線上之散射點與資料線間之距離間之 相關公式轉換為雷射光之中線且垂直於光偵測器之資料線 強度之裝置。 第三,本發明之顆粒監視裝置包括:讓雷射光進入反 應器之裝置及測量顆粒散射光的裝置;本顆粒監視裝置更 有一可在雷射光前平行移動鏡子組以將雷射光以窄頻掃描 於水平或垂直之晶圓表面;在鏡子旋轉控制器之旋轉角度 到資料處理器之鏡子位置及光偵測器之散射光訊號間之一 對一對映裝置;將所有散射光強度藉由一鏡子速度、由雷 射光在資料線時起經過的時間、資料線到光偵測器間的距 離、散射點到偵測器間之連線以直角交資料線間之距離間 之相關公式轉換為資料線強度之裝置。 第四’本發明之顆粒監視裝置包括:讓雷射光進入反 應器之裝置及測量顆粒散射光的裝置: 本顆粒監視裝置更有估計顆粒大小,或者顆粒之數值 密度或者散射光之折射係數,視顆粒大小及雷射光波長計 鼻參數,及 當顆粒大小超過某預定值時,藉由增長雷射光波長擴 大可適用萊禮散射公式範圍之顆粒大小的裝置。 第五,本發明之顆粒監視裝置包括:讓雷射光進入反 本紙張尺度適用中B國家標準(CNS>A4規格<210 X 297公;* > -------------裝i!i! —訂----線 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 --------B7____ 五、發明說明(6 ) 應器之裝置及測量顆粒散射光的裝置: 本顆粒監視裝置更有藉由一串脈衝方式雷射照射一 下落顆粒轨跡及以測量偵測器所受散射光束或數十脈衝顯 示散射光之裝置及藉由在預定時間内追蹤散射光軌跡估計 顆粒形狀之裝置;還有視時間或散射光最大最小值之比分 析散射光強度之改變。 更完整的描述,當散射光強度改變或散射光最大最小 值之比小於某預定值時假設球形顆粒形狀之裝置,及當顆 粒形狀估計為盤形時當散射光強度改變或散射光最大最小 值之比大於某預定值時假設盤狀顆粒形狀之裝置,及由散 射光最大強度估計盤形面積還有最小強度估計盤厚。 總和如下’本發明之顆粒監視裝置可輕易估計顆粒的 出現及目的還有其質量,為了估計顆粒大小視距離修正散 射光強度,擴大萊禮公式適用之顆粒大小範圍及藉由估計 顆粒形狀精確估計顆粒大小。 附圖描述’· 為了更瞭解本發明及其長處請參考下列敘述及附 圖,其中; 第1圖是本發明第一實施例獲取散射光之儀器之概 团 · 園, 第2圖是修正散射光強度的儀器概圖,為本發明之第 二實施例; 第3圖是修正散射光強度的儀器概圖,為本發明之第 三實施例; 本紙張尺度適用中B a家櫟準(CNS>A4規格<2Ϊ9 X 297公# ) -----------裝 illtil 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4/4468 1 5 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製 五、發明說明(7) 第4圖是在某一顆粒大小範圍内測量散射光強度的 儀器概圖,為本發明之第四實施例:以及 第5圖是在來禮散射公式適用範圍内以數值方法修 正資料處理方法之流程圖,為本發明之第五實施例。 實施例細述: 其次參照附圖描述本發明之實施例β 第一實施例 為了估計飆落的顆粒及顆粒到晶圓的目的地,只是暫 時測量顆粒散射光還不夠,還必須追蹤特定時間的散射 光。因此’當一個顆粒的散射光強度超過預定值時散射光 偵測器的曝光時間將延長,且增加脈衝雷射的反復頻率或 者CW雷射(連續波雷射)的截斷頻率變得低一點以得到一 個散射光的二維影像》 用這些方法,可以顯示下落顆粒散射光之軌跡,還有 原點及目的可由軌跡之始點及終點估計。顆粒質量可由軌 跡長度除以測量時間估計。 下面,參考第1囷,描述估計顆粒原點及晶圓上的目 的點的方法β 一雷射光源11由YAG雷射及一個二次谐頻光波產生 器。雷射震盪器的頻率為ΙΟΗζ»雷射光13的波長為532nm 還有雷射光束的形狀弄成垂直面上的片狀。然後,雷射光 被引入處理反應器19。雷射光13由在處理反應器19中懸 浮或者掉落的顆粒20散射。散射光21經過過濾介面22 還有每5秒鐘用一個以二維光偵測器14偵測閘打開時間為 10 本纸張尺度適用中國a家標準<CNS>A4遣格(210 X 297公釐) ί—i* 裝---If! — 訂• — 丨 II I -線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4“8 1 5 Α7 Β7 五、發明說明(8 ) 100ns的閘測量一次。散射光的空間分布顯示在資料處理 器15上。 資料處理器15判斷二維光偵測器14收到的光強度是 否超過預定值。如果光偵測器收到的散射光筆預定值 強,則二維光偵測器14的曝光時間藉增長閘開放的時間增 長致200ns,還有顆粒的運動以散射光軌跡23取得。同樣 的效應可以一秒長的時間測量而不延長打開閘的時間。 同樣的目的,可以藉由震動控制器24增加雷射頻率 由10Hz到丨OKHz增加雷射散射光頻率,而不藉由增加閘 打開的時間或者測量時間來增加散射光之曝光時間^ CW 雷射時,則改用一個雷射脈衝頻率截斷器13 »藉由增寬脈 衝寬度及截斷器之慢旋轉速度可達到同樣的效應》 用這個方法,可顯示散射光的轨跡23於資料處理器 15的顯示器上》還有一個連接執跡23的始點與終點的叠 加直線。還有,經由自始點延長該直線,可估計顆粒的始 點。還有,字终點延長該直線可估計顆粒的終點。由直線 在垂直方向的投影大小除以直線的曝光時間可以估計顆粒 的質量。 如上面描述,測量散射光線的轨跡可估計顆粒的原點 及終點還有質量也可以估計因此可用來指導選取反應器材 料還有設計反應器的形狀,以減低顆粒出現。 .第一實施例 一個與顆粒大小相關的散射光強度6另方面,散射光 的強度與散射點及測量點間的距離平方成反比。由其,相 η 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4洗格(210 X 297公釐) I I I I--!-裝·--If —--訂!!線 (請先閲讀背面之a.意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製 31、發明說明(9 ) 同大小的顆粒的散射光強度相同。雖然測量點與散射點間 的距離不同,量得的相同大小的顆粒散射光的強度不同。 因此為了要由散射光強度的二維影像估計顆粒大小,散射 光強度必須在相同距離下蒐集。達成這個目標的方法之一 的描述參見附第1圖。 一雷射光源>11包括一 Y AG及一個二次譜頻光波產生 器。震盪頻率為10Hz。雷射光束13的波長為5.32ηηι。雷 射光束13由鏡子12反射引入處理反應器19内部。鏡子 12在中線之左右做轉動反轉》最大轉角為1〇度。還有雷 射光13由活動鏡子12在晶圓之水平及垂直面方向扇型掃 描。當顆粒存在於二維光偵測器14的視覺範圍内時,可得 到顆粒散射光的空間分布。當顆粒散射光之空間分布顯示 於資料處理器15上時,以下面的方法修正散射光之強度。 旋轉角度&由鏡子轉動控制器16傳入資料處理器15。每個 散射光均由二維光偵測器14在對映於光散射的位置偵 測β 光偵測器元件14偵測到的散射光的強度視距離而 定。散射光強度I在萊禮散射或者瞇散射時成下面公式的 形式。 I = F/r2 其中F是顆粒大小的函數’是顆粒與折射係數的數值 密度。中線17應該是雷射光束13的一個資料點。r為距 離中線17的距離作為到二維光偵測器14的資料位置,還 有r作為中線丨7上的散射位置18到二維光偵測器14的垂 12 本紙張尺度適用t國困家楳準(CNS)A4婕格<210 X 297公釐> ----------裝 illj---訂 - - ----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^468 1 5 五 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7 發明說明(1()) 直距離eL是作為鏡子12散射點及由散射點18到中線η 的垂直線的父點間的距離。在距離與角度間有如下 係。 r=r〇+L tan Θ 無論是萊禮或者喊公式’如果用1*0做為公式中的距離來計 算散射光強度’所有的散射光強度都轉換為中線π上的強 度。結果’顆粒大小及顆粒的數值密度可藉由比較散射光 強度與其他比較。 第三實施例 本實施例中另一個修正散射光強度的方法描述請參 見附第3圖。鏡子12平行移動,以掃描雷射光13成帶狀 水平面。雷射光源之波長及震動頻率與第二實施例相同。 當散射光的空間分布顯示在資料處理器15上時,散 射光強度以下面的方法修正。鏡子12的位置資料由鏡子直 線運動控制器25傳入資料處理器15。每個散射光都以二 維光偵測器14元件在對映於光散射的位置上偵測。每個元 件偵測到的散射光的強度視距離而定。散射光強度在萊禮 或者瞇散射中以下列公式表示, I = F/r2 其中F為顆粒大小的函數’一個顆粒還有折射係數的 數值密度。為了修正雷射光束散射點18與二維光偵測器 14間的距離,顆粒與偵測器間的距離用r=r〇± vt,其中v 為鏡子12的運動速度還有t為銳子由中線17運動起所經 過的時間。藉由以r計算,散射光的強度轉換成中線17的 13 本紙張尺度ϋ用中困目家標準(CNS>A4规格(210* 297公嫠) ----I----- 裝---------訂--------線 (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製 Α7 Β7 五、發明說明(n) 值。結果,可以比較顆粒大小及顆粒的數值密度。 在第二及第三實施例中,描述了雷射光以水平平面掃 描的例子。但是也可以改成雷射光以垂直面掃描。 第四實施例 其次,當顆粒半徑及顆粒之數值密度由散射光強度估 計時,數值計算在萊禮公式適用範圍内可以套用。但是在 必須使用瞇理論的較大顆粒大小範圍,必須使用大量時間 來作數值計算。為了解決這樣一個問題,當顆粒散射光的 強度大於預定值時,就把雷射光束的波長弄長到顆粒大小 的範圍使得萊禮散射公式可以使用。當顆粒大小參數(x=2 Tia/λ,其中a是半徑,λ是光波長)大約是0.7以上,用萊禮 公式算出的強度會變得比用瞇理論估計的實際值大出約 5°/〇。當參數X在資料處理來計算顆粒大小的過程中變成大 於某一預定值或等於0.7時,雷射光波長改為較長的波長 以使參數X變得小一點,這樣就可以一直使用萊禮公式。 當顆粒大小,顆粒的數值密度還有折射係數用散射光 的二維影像來估計,儀器可用相對說來較簡單的萊禮散射 公式來計算。儀器的組成可以參看第4圖。 一個由YAG雷射震盪器26來的1 ·064μιη的雷射照入 光學元件27以產生二次諧振然後產生一個532nm的光。 波長轉換器28附屬於光學元件28的輸出方以產生二次譜 振。波長轉換器28可轉至基頻光1.064μηι或者532nm由 YAG雷射震盪器26訊號來自資料處理器15。波長轉換器 28引導雷射入處理反應器19。起初,532nm光引入反應器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4规格(210 X 297公* > -----------I i I t -----訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局貝工消費合作社印M 4 4 6 8;: A7 ___ B7 五、發明說明(12) 19。顆粒21散射的光經過一些光學元件,然後達到二維光 價測器14。偵測器14來的訊號經過資料處理器1 5數值計 算,然後就可以得到顆粒大小的資料還有顆粒的數值密 度。 關於資料處理器15處理資料的方法,插入一個比較 參數X及預設值f之步驟(S1)如第5圖所示》如果滿足X ^芒’波長轉換器28截斷二次諧振光532nm而用基頻光 1.064pm(S2)。另方面,如果滿足X < f,則保持用532nm 二次諧波測量(S3)。確立f為0.7,可用萊禮公式進行數值 計算精度達到10%以下。 引入這些步驟,可在實驗條件下達到總是用萊禮公式 使得資料處理不要加太多負荷於資料處理器15上。 在本實施例,描述了一個交換光的基頻與二次諧波的 例子。另一個例子,用汞離子雷射,可發出數個波長的光, 每當發現xgf時就用光柵改用較長的波長。還有另一個 例子’用數個可發出不同波長的雷射光源,每當發現X2 f則雷射光源以較長的波長振盪。還有,不必將f固定於 0.7 ’可依所要求的精度改變。 第五實施例 當顆粒為盤狀或者針狀時,散射光強度與顆粒軸與入 射光方向間的角度有關。藉由追蹤起始期間散射光執跡, 然後分析強度隨時間的變化,可以估計顆粒的形狀。還有, 顆粒的大小可以更精確的由散射光強度的最大最小值估 計。 15 本紙張尺度適用中國國家標攀(CNSJA4规格(210 X 297公* ) ------------裝 i!rl —丨訂---I II ---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^4β8 t 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 五、發明說明(13) 在本實施例,描述了可估計顆粒形狀以修正顆粒大小 的儀器的組成’顆粒的數值密度,還有基於散射光的二維 影像的折射係數。 和第1圖所示的第一實施例相似,一包括YAG雷射 的雷射光源11還有雷射振盪控制器24。雷射震盪器的頻 率為10Hz。雷射光13的波長為532nm還有雷射光束的形 狀弄成垂直面上的片狀,然後’雷射光被引入處理反應器 19。雷射光束13由在處理反應器19中懸浮或者掉落的顆 粒20散射。散射光21經過干涉過濾介面22,用一個以二 維光偵測器14偵測閘打開時間為1〇〇ns的閘測量一次。散 射光的空間分布顯示在資料處理器15上。用上面描述的方 法,得到散射光顆粒運動的執跡23,軌跡23有連續亮點。 如果垂直掉落的顆粒為球形,散射光的強度〖,無論 顆粒與入射雷射光間採取何種角度,從不改變。另方面, 如果顆粒為盤狀散射光的強度j就會因顆粒與入射光間的 角度而有極大的改變。因此,當轨跡亮點的強度改變比值 Γ小於50%,就認為顆粒為球形,用萊禮散射公式或者瞇 理論估計顆粒大小。另方面,當軌跡亮點的強度改變比值 Γ大於或4於50%,就認為顆粒為盤狀,顆粒的盤面積由 散射光的最大強度估計還有厚度由散射光的最小強度估 計。 判斷顆粒形狀的標準不只是基於連續亮點執跡23的 強度變化比Γ,也可由最大強度與最小強度比δ決定。還 有’強度變化比Γ不一定要固定為50%,可一索要求的精 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格<210 X 297公釐) --------!!裝-------訂---------線 (靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Ss I 5 A7 B7 五、發明說明(14) 度改變。 如上所描述,本發明使用光散射的顆粒監測儀器,顆 粒的出現及目標點還有質量都可以輕易估計,散射光因距 離改變導致之強度改變可以修正來估計顆粒大小,可適用 莱禮公式之顆粒大小的範圍以簡易數值方法擴張,還有顆 粒大小可以估計顆粒形狀來精確估計。 因此本發明可指導改進選擇反應器材料還有反應器 形狀以減低顆粒出現。 雖然本發明之實施例已詳細描述,須知一些改變,取 代及替用都可以無須離開本發明於下面申請專利範圍之精 神與範圍。 * — — — I — —- — !| - I — I · I — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· .線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 4 4 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種顆粒監視裝置,包括: 引導雷射進入處理反應器的裝置; 測量顆粒散射光的裝置; 在一預定之旋轉角度範圍内反轉旋轉鏡子的裝置,該 鏡子位於雷射光原前,以及在晶圓面的水平或者垂直方向 扇形掃瞄該雷射;以及 由鏡子旋轉控制器到資料處理器轉換該鏡子旋轉角 度的裝置,以及對應每一個偵測散射光之光偵測器之位置 到旋轉角度;以及由該鏡子旋轉角度間的關係公式轉換所 有該散射光之強度成在中心線上的強度的裝置,一自該中 心線到該光偵測器的距離,雷射光束散射點到該光偵測 器,以及從該鏡子之反射點到中心線及散射點到中心線之 垂直線的交點。 2. —種顆粒監視裝置,包括: 引導雷射進入處理反應器的裝置; 測量顆粒散射光的裝置; 平行移動鏡子的裝置,該鏡子位於雷射光原前,以及 在晶圓面的水平或者垂直方向帶狀掃瞄該雷射; 由鏡子直線運動控制器到資料處理器轉換該鏡子位 置的裝置,以及對應每一個偵測散射光之光偵測器之位置 到鏡子位置;以及 由該鏡子在中心線時算起的時間間的關係公式轉換 所有該散射光之強度成在中心線上的強度的裝置,一自該 中心線到該光偵測器的距離,雷射光束散射點到該光偵測 器,以及該鏡子之運動速度。 18 本紙張尺度適用中® S家標準(CNS>A4规格(210 X 297公釐) — — — — —I! — ·— —· * I ! I 丨 I 訂—丨 I! — — * (靖先W讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33596296 | 1996-12-16 | ||
JP9130985A JP2956653B2 (ja) | 1996-12-16 | 1997-05-21 | パーティクルモニター装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW446815B true TW446815B (en) | 2001-07-21 |
Family
ID=26465950
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089127738A TW446815B (en) | 1996-12-16 | 1997-12-15 | Particle monitoring instrument |
TW089127739A TW446816B (en) | 1996-12-16 | 1997-12-15 | Particle monitoring instrument |
TW086118927A TW446818B (en) | 1996-12-16 | 1997-12-15 | Particle monitoring instrument |
TW089127740A TW446817B (en) | 1996-12-16 | 1997-12-15 | Particle monitoring instrument |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089127739A TW446816B (en) | 1996-12-16 | 1997-12-15 | Particle monitoring instrument |
TW086118927A TW446818B (en) | 1996-12-16 | 1997-12-15 | Particle monitoring instrument |
TW089127740A TW446817B (en) | 1996-12-16 | 1997-12-15 | Particle monitoring instrument |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5861951A (zh) |
JP (1) | JP2956653B2 (zh) |
KR (1) | KR100227769B1 (zh) |
TW (4) | TW446815B (zh) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499164B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2005-10-07 | 삼성전자주식회사 | 다중빔의 형성을 위한 미러유닛과 이를 이용한 다중빔 파티클카운터 및 파티클 측정방법 |
JP3689278B2 (ja) * | 1999-05-19 | 2005-08-31 | 株式会社堀場製作所 | 粒子径分布測定装置および粒子径分布測定方法 |
US6480276B1 (en) | 1999-07-13 | 2002-11-12 | Clemson University | Enhanced photon-migration methods for particle sizing in concentrated suspensions |
US7006682B1 (en) * | 1999-09-09 | 2006-02-28 | Nec Corporation | Apparatus for monitoring particles and method of doing the same |
JP3535785B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2004-06-07 | Necエレクトロニクス株式会社 | クリーニング終点検出装置およびクリーニング終点検出方法 |
JP2001250779A (ja) | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Nec Corp | 基板処理装置のプロセスマージン決定方法、およびかかるプロセスマージン決定方法を使った基板処理方法 |
US20040211242A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Ekhson Holmuhamedov | Multi-purpose monitoring system |
AU2003902319A0 (en) * | 2003-05-14 | 2003-05-29 | Garrett Thermal Systems Limited | Laser video detector |
JP4754196B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
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EP2595131A3 (en) | 2004-11-12 | 2013-06-12 | VFS Technologies Limited | Particle detector, system and method related applications |
JP4701892B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-06-15 | 株式会社島津製作所 | 粒度分布測定装置 |
KR100866393B1 (ko) | 2006-12-15 | 2008-11-03 | 경상대학교산학협력단 | 평면 스캔 입자화상속도계 기법 |
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KR101705220B1 (ko) | 2007-11-15 | 2017-02-09 | 엑스트랄리스 테크놀로지 리미티드 | 입자 검출 |
KR100968352B1 (ko) * | 2008-01-31 | 2010-07-08 | 정철우 | 수중 조명등 제어장치 |
JP5257126B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-08-07 | 株式会社島津製作所 | パーティクル検出装置 |
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JP5648399B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-01-07 | 凸版印刷株式会社 | 塵埃モニター用キット、およびそれを用いた評価方法 |
JP5772425B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2015-09-02 | ソニー株式会社 | 微小粒子測定装置 |
JP2015099116A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 成分分析装置 |
JP6596987B2 (ja) * | 2015-07-02 | 2019-10-30 | 富士電機株式会社 | 粒子計測装置 |
JP6549747B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2019-07-24 | リオン株式会社 | 粒子測定装置および粒子測定方法 |
CN112594887B (zh) * | 2020-12-15 | 2021-12-03 | 珠海格力电器股份有限公司 | 空调控制方法及装置、空调器设备 |
CN114441418A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-05-06 | 天津凌视科技有限公司 | 用于高速流动微粒的成像系统、成像方法及可读存储介质 |
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JPH05340866A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Anelva Corp | 塵粒子検出器 |
JP3318397B2 (ja) * | 1992-08-27 | 2002-08-26 | 興和株式会社 | 微粒子計測装置 |
JPH0712707A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Ushio Inc | パーティクルモニター用センサ |
-
1997
- 1997-05-21 JP JP9130985A patent/JP2956653B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-12 US US08/989,630 patent/US5861951A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-15 TW TW089127738A patent/TW446815B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-15 TW TW089127739A patent/TW446816B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-15 TW TW086118927A patent/TW446818B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-15 TW TW089127740A patent/TW446817B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-16 KR KR1019970069151A patent/KR100227769B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10232196A (ja) | 1998-09-02 |
JP2956653B2 (ja) | 1999-10-04 |
TW446818B (en) | 2001-07-21 |
US5861951A (en) | 1999-01-19 |
TW446817B (en) | 2001-07-21 |
KR100227769B1 (ko) | 1999-11-01 |
KR19980064171A (ko) | 1998-10-07 |
TW446816B (en) | 2001-07-21 |
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