JPS59160741A - 粒径測定装置 - Google Patents
粒径測定装置Info
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- JPS59160741A JPS59160741A JP58033791A JP3379183A JPS59160741A JP S59160741 A JPS59160741 A JP S59160741A JP 58033791 A JP58033791 A JP 58033791A JP 3379183 A JP3379183 A JP 3379183A JP S59160741 A JPS59160741 A JP S59160741A
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 12
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、微小な粒子の径を測定する粒径測定装置に
関する。
関する。
従来より光の散乱を利用した粒径測定装置の一つに、第
1図および第2図に示すような装置がある。この装置に
よる粒径を求める方法は、次の2つのステップから成る
。まず、被測定粒子群13に、レーザーの平行ビームを
照射し、被測定粒子群13による散乱光強度分布I(り
を測定する。
1図および第2図に示すような装置がある。この装置に
よる粒径を求める方法は、次の2つのステップから成る
。まず、被測定粒子群13に、レーザーの平行ビームを
照射し、被測定粒子群13による散乱光強度分布I(り
を測定する。
ここで散乱光強度分布とは、散乱角θにおける散乱光強
度のことである。次に、測定した散乱光強度分布I(θ
)が、1粒子による散乱光強度、、 (D。
度のことである。次に、測定した散乱光強度分布I(θ
)が、1粒子による散乱光強度、、 (D。
θ)(D二粒径、θ:散乱角)、粒径分布r+(D)を
用いて(1)式のように表わせることを利用して粒径分
布n (D)を求める。
用いて(1)式のように表わせることを利用して粒径分
布n (D)を求める。
I(θ)=、l”(D、θ) ・n (D) dD
”・(1)(1)式を用いて粒径分布を計算す・る際
、粒径分布の分布型を仮定しない方法として、(1)式
の積分方程式を解く方法がある。
”・(1)(1)式を用いて粒径分布を計算す・る際
、粒径分布の分布型を仮定しない方法として、(1)式
の積分方程式を解く方法がある。
積分方程式を解く方法を以下に述べる。
まず、(1)式の右辺の積分の積分区間、すなわち粒径
範囲をN分割して台形近似すると となる。散乱光強度分布の測定点をθl、θ2・・・θ
Mとすると ■(θJ>=Σ、、(Dk、θρn(]%)ΔD ・
(3)k=t (7=1.2,3.・・・2M) なるM個の方程式が成立する。
範囲をN分割して台形近似すると となる。散乱光強度分布の測定点をθl、θ2・・・θ
Mとすると ■(θJ>=Σ、、(Dk、θρn(]%)ΔD ・
(3)k=t (7=1.2,3.・・・2M) なるM個の方程式が成立する。
と置いて(3)式をベクトル表示するとn=e−め
・・・ (7)となる。
・・・ (7)となる。
粒径範囲の分割数Nと散乱光強度分布の測定点* −1
* ・・・ (8)と解が求まる。以上が
積分方程式の解法である。
* ・・・ (8)と解が求まる。以上が
積分方程式の解法である。
この方法を用いる場合は、(1)式右辺の積分の近似を
良くするために、粒径範囲(積分区間)を出来るだけ分
割したほうがよい。粒径範囲の分割数Nを大きくすると
、N≦Mでなければならないので、散乱光強度分布の測
定点数Mを多くしなければならない。又、(8)式の解
は(7)式の最小二乗解であるために、測定点数Mが多
ければ多い程、(8)式により求めた解が、良い推定値
となる。
良くするために、粒径範囲(積分区間)を出来るだけ分
割したほうがよい。粒径範囲の分割数Nを大きくすると
、N≦Mでなければならないので、散乱光強度分布の測
定点数Mを多くしなければならない。又、(8)式の解
は(7)式の最小二乗解であるために、測定点数Mが多
ければ多い程、(8)式により求めた解が、良い推定値
となる。
しかし、従来の粒径測定装置では、高々30点程度であ
υ、測定点数として十分であるとは言えない。測定点数
を制限しなければならない理由は、測定点数を多くすれ
ば、増巾器等の信号処理系がその数だけ必要となp1装
置が高価なものになるためである。
υ、測定点数として十分であるとは言えない。測定点数
を制限しなければならない理由は、測定点数を多くすれ
ば、増巾器等の信号処理系がその数だけ必要となp1装
置が高価なものになるためである。
この発明の目的は、精度のよい粒径の測定が出来る粒径
測定装置を提供することにある。
測定装置を提供することにある。
本発明は、測定点数″f:実質上多くするために波長の
異なる2つ以上のレーザーを用いて散乱光強度分布を測
定して粒径を測定する粒径測定装置である。
異なる2つ以上のレーザーを用いて散乱光強度分布を測
定して粒径を測定する粒径測定装置である。
散乱光強度分布の測定点数が実質上、多くなるので、粒
径分布を高分解能で求めることが出来る。
径分布を高分解能で求めることが出来る。
又、求めた値は、信頼性が高いと見なすことが出来る。
本発明の詳細を第3図に示す一実施例に基づいてDc、
明する。レーザー光として、第1のレーザー光としてH
e −Neレーザーを、第2のレーザー光としてArイ
オンレーザ−を用いた場合について絖明する。
明する。レーザー光として、第1のレーザー光としてH
e −Neレーザーを、第2のレーザー光としてArイ
オンレーザ−を用いた場合について絖明する。
まず、第1.のレーサー光1 ’(He −Neレーザ
ー)のビームをコリメータレンズ系3により平行ビーム
にして被測定粒子#13に照射する。被測定粒子$13
による散乱光を受光レンズ5によりフォトディテクタ・
アレイ6に集光する。フォトディテクタ・アレイ6を受
光レンズ5の焦点面に置くことにより散乱角0で散乱さ
れた光は粒子の位置に無関係に光軸から距離γ(=Of
)の位置に集光することが出来る。これらの散乱光をフ
ォトディテクタドアレイ6により電気信舟に変換し、増
巾器10で信号を増巾したのち、散乱光強度分布から粒
径分布への変換装置11に入力する。このキうにして測
定した散乱光強度分布を■1とすると、散乱光強度分布
から粒径分布への変換式、゛すなわち(7)式に対応す
る IF > = @1 ・真 ・・・
(9)が得られる。
ー)のビームをコリメータレンズ系3により平行ビーム
にして被測定粒子#13に照射する。被測定粒子$13
による散乱光を受光レンズ5によりフォトディテクタ・
アレイ6に集光する。フォトディテクタ・アレイ6を受
光レンズ5の焦点面に置くことにより散乱角0で散乱さ
れた光は粒子の位置に無関係に光軸から距離γ(=Of
)の位置に集光することが出来る。これらの散乱光をフ
ォトディテクタドアレイ6により電気信舟に変換し、増
巾器10で信号を増巾したのち、散乱光強度分布から粒
径分布への変換装置11に入力する。このキうにして測
定した散乱光強度分布を■1とすると、散乱光強度分布
から粒径分布への変換式、゛すなわち(7)式に対応す
る IF > = @1 ・真 ・・・
(9)が得られる。
次にプリズム12を回軸し第2のレーザー光2(Arイ
オンレーザ−)のビームを被測定粒子に照射するように
して、同様に散乱光強度分布■2を測定すると I[2= @2 ・真 ・・・ 00
が得られる。
オンレーザ−)のビームを被測定粒子に照射するように
して、同様に散乱光強度分布■2を測定すると I[2= @2 ・真 ・・・ 00
が得られる。
ここで
と置くと
I[s = にx3 ・m ・・
・ αつが得られる。(1ツ式はN≦2Mの場について
解を得ることが出来、(13)式の解は(8)式に対応
して貞= 【@3* @s )−1@s*IIs
・・・ α◇と求めることが出来る。したがって、粒
径範囲を2M分割まで細分することが出来るので、高い
分解能で粒径分布を求めることが出来る。
・ αつが得られる。(1ツ式はN≦2Mの場について
解を得ることが出来、(13)式の解は(8)式に対応
して貞= 【@3* @s )−1@s*IIs
・・・ α◇と求めることが出来る。したがって、粒
径範囲を2M分割まで細分することが出来るので、高い
分解能で粒径分布を求めることが出来る。
〔発明の他の実施例〕
外部からの光、(例えば、太陽光、セい光灯からの光等
)をしゃ断するためには、フォトディテクタ・アレイ6
の前にHe’ −Neレーザー及びArイオンレーザ−
の波長の光のみを通過させるバンドパス・フィルり’c
随(rjハヨイ。
)をしゃ断するためには、フォトディテクタ・アレイ6
の前にHe’ −Neレーザー及びArイオンレーザ−
の波長の光のみを通過させるバンドパス・フィルり’c
随(rjハヨイ。
又ミいろいろな波長を出す半導体レーザーを用いれば、
より一層、測定点を多くすることが出来る。
より一層、測定点を多くすることが出来る。
第1図および第2図は、従来の粒径測定装置を示すブロ
ック図、第3図は本発明の実施例を示すブロック図であ
る。 1・・・第1のレーザー光、2・・・第1のレーザー光
の波長の異なる第2のレーザー光、3・・・コ1ノメー
タレンズ系、4・−・平行ビーム、5・・・受光レンズ
、6・・・フォトディテクタ・プレイ、7・・・マイク
ロ・レンズ、8・・・光ファイノく、9・・・フォトダ
イオード10・・・増巾器、11・・・散乱光強度分布
から粒径分布への変換装置、12・・・プリズム、13
・・・被測定粒子、14・・・ビー、ムの吸収板。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1名)第
1 図 第2図 第8図
ック図、第3図は本発明の実施例を示すブロック図であ
る。 1・・・第1のレーザー光、2・・・第1のレーザー光
の波長の異なる第2のレーザー光、3・・・コ1ノメー
タレンズ系、4・−・平行ビーム、5・・・受光レンズ
、6・・・フォトディテクタ・プレイ、7・・・マイク
ロ・レンズ、8・・・光ファイノく、9・・・フォトダ
イオード10・・・増巾器、11・・・散乱光強度分布
から粒径分布への変換装置、12・・・プリズム、13
・・・被測定粒子、14・・・ビー、ムの吸収板。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1名)第
1 図 第2図 第8図
Claims (1)
- 被測定粒子群にレーザー光の平行ビームを照射して散乱
光強度分布を測定して粒径を測定する粒径測定装置にお
いて、前記レーザ光を波長の異なる2つ以上としたこと
を特徴とする粒径測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58033791A JPS59160741A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 粒径測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58033791A JPS59160741A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 粒径測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59160741A true JPS59160741A (ja) | 1984-09-11 |
Family
ID=12396291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58033791A Pending JPS59160741A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 粒径測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59160741A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0198670A2 (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | Nippon Steel Corporation | Measurement of sizes of particles in falling state |
JPS6311838A (ja) * | 1986-04-14 | 1988-01-19 | パ−テイクル、メジユアリング、システムズインコ−ポレ−テツド | 粒子寸法検出装置 |
JPS6465434A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Hitachi Ltd | Measuring instrument for particulate in fluid |
JPH0266425A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Shimadzu Corp | 粒度分布測定装置 |
FR2688308A1 (fr) * | 1992-03-04 | 1993-09-10 | Cilas | Granulometre a laser. |
US5461476A (en) * | 1992-11-30 | 1995-10-24 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence | Optical apparatus for receiving scattered light |
JPH10232196A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-09-02 | Nec Corp | パーティクルモニター装置 |
JP2000097841A (ja) * | 1998-08-22 | 2000-04-07 | Malvern Instruments Ltd | 粒子サイズの分布を測定するための装置及び方法 |
JP2002243623A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Horiba Ltd | 粒径分布測定装置 |
US7869038B2 (en) | 2007-08-15 | 2011-01-11 | Malvern Instruments, Ltd. | Broad-range spectrometer |
JP2017072436A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 結晶化分析装置及び結晶化分析方法 |
-
1983
- 1983-03-03 JP JP58033791A patent/JPS59160741A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2017072436A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 結晶化分析装置及び結晶化分析方法 |
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