JPH05206236A - 真空装置内のパーティクルの測定方法 - Google Patents
真空装置内のパーティクルの測定方法Info
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- JPH05206236A JPH05206236A JP1041492A JP1041492A JPH05206236A JP H05206236 A JPH05206236 A JP H05206236A JP 1041492 A JP1041492 A JP 1041492A JP 1041492 A JP1041492 A JP 1041492A JP H05206236 A JPH05206236 A JP H05206236A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルがレーザービームを横切り始め
た時から完全にレーザービーム領域から出てしまうまで
の散乱光の強度差を測定して、その強度の変化によって
パーティクルの速度を推定し、それによって、パーティ
クルの大きさを求める。 【構成】 レーザービームをパーティクル１１に照射し
てその時に発生する散乱光を測定してパーティクルを検
知する真空装置内のパーティクルの測定方法において、
散乱光を面分解能を有するＣＣＤ受光素子１２で受光
し、その受光した散乱光を面分解して散乱光強度分布を
得て、その散乱光強度分布に基づいて、パーティクル１
１の速度とパーティクルの大きさを検知する。
た時から完全にレーザービーム領域から出てしまうまで
の散乱光の強度差を測定して、その強度の変化によって
パーティクルの速度を推定し、それによって、パーティ
クルの大きさを求める。 【構成】 レーザービームをパーティクル１１に照射し
てその時に発生する散乱光を測定してパーティクルを検
知する真空装置内のパーティクルの測定方法において、
散乱光を面分解能を有するＣＣＤ受光素子１２で受光
し、その受光した散乱光を面分解して散乱光強度分布を
得て、その散乱光強度分布に基づいて、パーティクル１
１の速度とパーティクルの大きさを検知する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空チャンバーの排気
系の配管に設置し、レーザーでパーティクルを検知する
真空装置内のパーティクルの測定方法に関する。
系の配管に設置し、レーザーでパーティクルを検知する
真空装置内のパーティクルの測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置としては、例えば、
以下に示すようなものがあった。図５はかかる従来の真
空装置内のパーティクル（パーティクルが大きい場合）
の測定方法を示す図、図６は従来の真空装置内のパーテ
ィクル（パーティクルが小さい場合）の測定方法を示す
図である。
以下に示すようなものがあった。図５はかかる従来の真
空装置内のパーティクル（パーティクルが大きい場合）
の測定方法を示す図、図６は従来の真空装置内のパーテ
ィクル（パーティクルが小さい場合）の測定方法を示す
図である。
【０００３】これらの図に示すように、レーザーダイオ
ード１から発せられるレーザービーム３はレンズ２を通
して測定すべきパーティクル４に照射される。すると、
パーティクル４の粒子の大きさは、レーザービーム３が
パーティクル４にあたって発生する散乱光をホトダイオ
ード６により受光し、パーティクル４の大きさによって
受光される散乱光強度が異なることによって大きさを評
価していた。
ード１から発せられるレーザービーム３はレンズ２を通
して測定すべきパーティクル４に照射される。すると、
パーティクル４の粒子の大きさは、レーザービーム３が
パーティクル４にあたって発生する散乱光をホトダイオ
ード６により受光し、パーティクル４の大きさによって
受光される散乱光強度が異なることによって大きさを評
価していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べたパーティクルの測定方法では、レーザービーム自体
が強度分布を持っているため、レーザービーム３の中心
から遠く離れた部分を通って検知されたパーティクル４
の散乱光強度は、レーザービーム中心部分を通って検知
されたパーティクル４の散乱光強度と比べると、同じ粒
径であっても弱いために、散乱強度差のみで見ると小さ
いものとして評価してしまうという問題があった。
べたパーティクルの測定方法では、レーザービーム自体
が強度分布を持っているため、レーザービーム３の中心
から遠く離れた部分を通って検知されたパーティクル４
の散乱光強度は、レーザービーム中心部分を通って検知
されたパーティクル４の散乱光強度と比べると、同じ粒
径であっても弱いために、散乱強度差のみで見ると小さ
いものとして評価してしまうという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、以上述べたレーザービー
ム自体の強度分布によって、パーティクルが発する散乱
光強度が異なり、パーティクルの大きさを正確に測定で
きないという問題点を除去するため、パーティクルがレ
ーザービームを横切り始めた時から、完全にレーザービ
ーム領域から出てしまうまでの散乱光の強度差を測定し
て、その強度の変化によってパーティクルの速度を推定
し（小さいパーティクルの速度は速く、大きいパーティ
クルの速度は遅い）、それによって、パーティクルの大
きさを求める真空装置内のパーティクルの測定方法を提
供することにある。
ム自体の強度分布によって、パーティクルが発する散乱
光強度が異なり、パーティクルの大きさを正確に測定で
きないという問題点を除去するため、パーティクルがレ
ーザービームを横切り始めた時から、完全にレーザービ
ーム領域から出てしまうまでの散乱光の強度差を測定し
て、その強度の変化によってパーティクルの速度を推定
し（小さいパーティクルの速度は速く、大きいパーティ
クルの速度は遅い）、それによって、パーティクルの大
きさを求める真空装置内のパーティクルの測定方法を提
供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、複数個のパーティク
ルを個別のものとしてパーティクルの速度を推定し、そ
れによって、パーティクルの大きさを求める真空装置内
のパーティクルの測定方法を提供することにある。
ルを個別のものとしてパーティクルの速度を推定し、そ
れによって、パーティクルの大きさを求める真空装置内
のパーティクルの測定方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、レーザービームをパーティクルに照射し
て、その時に発生する散乱光を測定してパーティクルを
検知する真空装置内のパーティクルの測定方法におい
て、前記散乱光を面分解能を有するＣＣＤ受光素子で受
光し、該受光した散乱光を面分解して散乱光強度分布を
得て、該散乱光強度分布に基づいてパーティクルの速度
とパーティクルの大きさを検知するようにしたものであ
る。
成するために、レーザービームをパーティクルに照射し
て、その時に発生する散乱光を測定してパーティクルを
検知する真空装置内のパーティクルの測定方法におい
て、前記散乱光を面分解能を有するＣＣＤ受光素子で受
光し、該受光した散乱光を面分解して散乱光強度分布を
得て、該散乱光強度分布に基づいてパーティクルの速度
とパーティクルの大きさを検知するようにしたものであ
る。
【０００８】また、前記パーティクルが複数個存在する
場合に、個別のパーティクルとしてそれらの速度とパー
ティクルの大きさを検知するようにしたものである。
場合に、個別のパーティクルとしてそれらの速度とパー
ティクルの大きさを検知するようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、上記したように、真空装置の
排気系ガスによって押し流されてくるパーティクルにレ
ーザービームを当てて、面分解能を有する受光素子に散
乱光を受光し、強度分布を持つレーザービームスポット
（検出領域）内をパーティクルが通過していく時に発す
る散乱光分布を面分解して受光する。
排気系ガスによって押し流されてくるパーティクルにレ
ーザービームを当てて、面分解能を有する受光素子に散
乱光を受光し、強度分布を持つレーザービームスポット
（検出領域）内をパーティクルが通過していく時に発す
る散乱光分布を面分解して受光する。
【００１０】その時にパーティクルの大きさによって通
過速度が異なり、散乱光の強度分布も異なるので、散乱
光強度差を測定することによって、パーティクルの大き
さを測定するようにしたものである。また、パーティク
ルが複数個存在する場合にも、個別のパーティクルとし
てそれらの速度とパーティクルの大きさを検知すること
ができる。
過速度が異なり、散乱光の強度分布も異なるので、散乱
光強度差を測定することによって、パーティクルの大き
さを測定するようにしたものである。また、パーティク
ルが複数個存在する場合にも、個別のパーティクルとし
てそれらの速度とパーティクルの大きさを検知すること
ができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示すパーティクルの測定部の概略構成図、図２はそのＣ
ＣＤ受光素子によって受光されたパーティクルの速度が
速い場合の散乱光強度分布を示す図、図３はそのＣＣＤ
受光素子によって受光されたパーティクルの速度が遅い
場合の散乱光強度分布を示す図である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例を
示すパーティクルの測定部の概略構成図、図２はそのＣ
ＣＤ受光素子によって受光されたパーティクルの速度が
速い場合の散乱光強度分布を示す図、図３はそのＣＣＤ
受光素子によって受光されたパーティクルの速度が遅い
場合の散乱光強度分布を示す図である。
【００１２】これらの図に示すように、パーティクル１
１の進行方向と平行にＣＣＤ受光素子１２の受光面が配
置されている。そのＣＣＤ受光素子１２の右手にはレー
ザービームスポット（検出領域）１０の断面が示されて
いる。該レーザービームスポット１０は、例えば、三段
階の強レーザービーム領域１０ｃ、中レーザービーム領
域１０ｂ、弱レーザービーム領域１０ａの強度分布が存
在している。
１の進行方向と平行にＣＣＤ受光素子１２の受光面が配
置されている。そのＣＣＤ受光素子１２の右手にはレー
ザービームスポット（検出領域）１０の断面が示されて
いる。該レーザービームスポット１０は、例えば、三段
階の強レーザービーム領域１０ｃ、中レーザービーム領
域１０ｂ、弱レーザービーム領域１０ａの強度分布が存
在している。
【００１３】図２はパーティクル１１が速くレーザービ
ームスポットを通り抜ける時に発する散乱光の位置に対
する強度分布を示している。図３はパーティクル１１が
遅くレーザービームスポットを通り抜ける時に発する散
乱光の位置に対する強度分布を示している。図２に示す
ように、パーティクル１１の速度が速い場合は、強度分
布は緩やかかとなり、図３に示すように、パーティクル
１１の速度が遅い場合は強度分布は立ってくる。このよ
うに差が生じることによって、パーティクル１１の速度
を検知し、その速度からパーティクルの大きさを検知す
る。
ームスポットを通り抜ける時に発する散乱光の位置に対
する強度分布を示している。図３はパーティクル１１が
遅くレーザービームスポットを通り抜ける時に発する散
乱光の位置に対する強度分布を示している。図２に示す
ように、パーティクル１１の速度が速い場合は、強度分
布は緩やかかとなり、図３に示すように、パーティクル
１１の速度が遅い場合は強度分布は立ってくる。このよ
うに差が生じることによって、パーティクル１１の速度
を検知し、その速度からパーティクルの大きさを検知す
る。
【００１４】この点を図４を用いて詳細に説明する。ま
ず、レーザービームスポットにおけるレーザービーム強
度は、図４（ａ）に示すように、中央部は強く、周辺部
は弱くなっている。そこで、図４（ｂ）に示すように、
レーザービームスポット１０内にパーティクル１１が１
個入ってそれが出ていくまで散乱光は、位置がＡ，Ｂ…
Ｅと変わると、図４（ｃ）に示すように、Ａ1 ，Ｂ1 …
Ｅ1 としてＣＣＤ受光素子で測定される。これを積分す
ると、レーザービームのパルスの数（幅）にもよるが、
パーティクル１１が速ければ反射する確率も低くなる
（あたる回数が少なくなる）。速い場合はａに示すよう
に積分された強度分布は低くなり、遅い場合はｂに示す
ように強度分布が立ってくる。この強度差によって速度
を測定する。
ず、レーザービームスポットにおけるレーザービーム強
度は、図４（ａ）に示すように、中央部は強く、周辺部
は弱くなっている。そこで、図４（ｂ）に示すように、
レーザービームスポット１０内にパーティクル１１が１
個入ってそれが出ていくまで散乱光は、位置がＡ，Ｂ…
Ｅと変わると、図４（ｃ）に示すように、Ａ1 ，Ｂ1 …
Ｅ1 としてＣＣＤ受光素子で測定される。これを積分す
ると、レーザービームのパルスの数（幅）にもよるが、
パーティクル１１が速ければ反射する確率も低くなる
（あたる回数が少なくなる）。速い場合はａに示すよう
に積分された強度分布は低くなり、遅い場合はｂに示す
ように強度分布が立ってくる。この強度差によって速度
を測定する。
【００１５】図７は本発明の第２の実施例を示すパーテ
ィクルの測定部の概略構成図、図８はそのＣＣＤ受光素
子によって受光されたパーティクルの速度が速い場合の
散乱光強度分布を示す図、図９はそのＣＣＤ受光素子に
よって受光されたパーティクルの速度が遅い場合の散乱
光強度分布を示す図である。図７に示すように、パーテ
ィクル２１がレーザービームスポット２０を通り抜ける
時に発する散乱光強度分布をＣＣＤ受光素子２３によっ
て受光するが、そのＣＣＤ受光素子２３で受光する機構
にシャッター（図示なし）を設けてＣＣＤ受光素子２３
でパーティクル２１を検知してから一定時間経過後に一
定時間間隔だけ受光するようにすると、パーティクル２
１の速度が速ければ、図８に示すように、強度分布の最
大の値はガス流れの下流側に対応するＣＣＤ受光素子２
３の位置に現れる。一方、図９に示すように、遅ければ
強度分布の最大値はガス流れの上流側に対応するＣＣＤ
受光素子２３の位置に現れる。
ィクルの測定部の概略構成図、図８はそのＣＣＤ受光素
子によって受光されたパーティクルの速度が速い場合の
散乱光強度分布を示す図、図９はそのＣＣＤ受光素子に
よって受光されたパーティクルの速度が遅い場合の散乱
光強度分布を示す図である。図７に示すように、パーテ
ィクル２１がレーザービームスポット２０を通り抜ける
時に発する散乱光強度分布をＣＣＤ受光素子２３によっ
て受光するが、そのＣＣＤ受光素子２３で受光する機構
にシャッター（図示なし）を設けてＣＣＤ受光素子２３
でパーティクル２１を検知してから一定時間経過後に一
定時間間隔だけ受光するようにすると、パーティクル２
１の速度が速ければ、図８に示すように、強度分布の最
大の値はガス流れの下流側に対応するＣＣＤ受光素子２
３の位置に現れる。一方、図９に示すように、遅ければ
強度分布の最大値はガス流れの上流側に対応するＣＣＤ
受光素子２３の位置に現れる。
【００１６】したがって、そのことによって、パーティ
クル２１の速度を検知し、大きさを求めるようにする。
この点について、より詳細に説明すると、図１ではＣＣ
Ｄ受光素子１２は常時ＯＮした状態であるが、この実施
例の場合はＣＣＤ受光素子２３で一定時間測定したらＯ
ＦＦするようにする。レーザービームのパルス幅にもよ
るが、パーティクル２１が速い場合には、パーティクル
２１にレーザービームがあたって、ＣＣＤ受光素子２３
に受光される散乱光の数も少なくなり、それによって積
分された散乱光強度も低くなるので、パーティクル２１
の速度を推定することができる。トリガーをかければ、
パーティクルが速くて、トリガーのパルス幅が短いと、
上流の方に強度分布の最大値がくるので、トリガーパル
ス幅と強度分布によってパーティクルの速度を推定する
ことができる。
クル２１の速度を検知し、大きさを求めるようにする。
この点について、より詳細に説明すると、図１ではＣＣ
Ｄ受光素子１２は常時ＯＮした状態であるが、この実施
例の場合はＣＣＤ受光素子２３で一定時間測定したらＯ
ＦＦするようにする。レーザービームのパルス幅にもよ
るが、パーティクル２１が速い場合には、パーティクル
２１にレーザービームがあたって、ＣＣＤ受光素子２３
に受光される散乱光の数も少なくなり、それによって積
分された散乱光強度も低くなるので、パーティクル２１
の速度を推定することができる。トリガーをかければ、
パーティクルが速くて、トリガーのパルス幅が短いと、
上流の方に強度分布の最大値がくるので、トリガーパル
ス幅と強度分布によってパーティクルの速度を推定する
ことができる。
【００１７】すなわち、図１０（ｂ）に示すように、パ
ーティクル２１がレーザービームスポット２０を通り抜
ける時に、オン（シャッターが開いて）から一定時間後
の積分値αは、図１０（ａ）のようになり、オン後ある
瞬時の値βは、図１０（ｃ）のようになる。次いで、図
１１は本発明の第３の実施例を示すパーティクルの測定
部の概略構成図、図１２はそのＣＣＤ受光素子による測
定を行う方法を示す図である。
ーティクル２１がレーザービームスポット２０を通り抜
ける時に、オン（シャッターが開いて）から一定時間後
の積分値αは、図１０（ａ）のようになり、オン後ある
瞬時の値βは、図１０（ｃ）のようになる。次いで、図
１１は本発明の第３の実施例を示すパーティクルの測定
部の概略構成図、図１２はそのＣＣＤ受光素子による測
定を行う方法を示す図である。
【００１８】この実施例では、従来のホトダイオードに
代えて、面分解能を有するＣＣＤ受光素子３５を用いて
受光するようにしている。レーザーダイオード３１から
発光されるレーザービーム３３は、レンズ３２を介し
て、複数個のパーティクル３３ａ，３３ｂに照射され
る。すると、それらの複数個のパーティクル３３ａ，３
３ｂからそれぞれ散乱光３４ａ，３４ｂが生じて、それ
らの散乱光３４ａ，３４ｂは面分解能を有するＣＣＤ受
光素子３５で受光される。
代えて、面分解能を有するＣＣＤ受光素子３５を用いて
受光するようにしている。レーザーダイオード３１から
発光されるレーザービーム３３は、レンズ３２を介し
て、複数個のパーティクル３３ａ，３３ｂに照射され
る。すると、それらの複数個のパーティクル３３ａ，３
３ｂからそれぞれ散乱光３４ａ，３４ｂが生じて、それ
らの散乱光３４ａ，３４ｂは面分解能を有するＣＣＤ受
光素子３５で受光される。
【００１９】これにより、図１１に示すように、レーザ
ビームスポット中に複数個のパーティクル３３ａ，３３
ｂが存在する場合でも、ＣＣＤ受光素子３５が面分解能
を有するので、散乱光３４ａ，３４ｂの分離が可能とな
る。また、図１２（ａ）に示すように、複数個のパーテ
ィクル３６ａ，３６ｂが互いに接近して、図１２（ｂ）
に示すように、複数個のパーティクル３６ａ，３６ｂの
散乱光３７ａ，３７ｂの裾部が重なり合う場合でも、図
１２（ｃ）に示すように、ＣＣＤ受光素子３５で検出さ
れる散乱光の山の数を求めて、ＣＣＤ受光素子３５で検
出される散乱光をスペクトルに分解することにより、複
数個のパーティクルを個別に正確に測定することができ
る。
ビームスポット中に複数個のパーティクル３３ａ，３３
ｂが存在する場合でも、ＣＣＤ受光素子３５が面分解能
を有するので、散乱光３４ａ，３４ｂの分離が可能とな
る。また、図１２（ａ）に示すように、複数個のパーテ
ィクル３６ａ，３６ｂが互いに接近して、図１２（ｂ）
に示すように、複数個のパーティクル３６ａ，３６ｂの
散乱光３７ａ，３７ｂの裾部が重なり合う場合でも、図
１２（ｃ）に示すように、ＣＣＤ受光素子３５で検出さ
れる散乱光の山の数を求めて、ＣＣＤ受光素子３５で検
出される散乱光をスペクトルに分解することにより、複
数個のパーティクルを個別に正確に測定することができ
る。
【００２０】図１３は上記した面分解能を有するＣＣＤ
受光素子によって検出された出力信号に基づいてパーテ
ィクルの速さ及び大きさの測定システムの概略ブロック
図である。この図に示すように、面分解能を有するＣＣ
Ｄ受光素子４１からの出力信号はインターフェース４４
を介して、ＣＰＵ４２、メモリ４５に取り込まれる。Ｃ
ＰＵ４２はクロック４３を内蔵している。処理されたデ
ータはインターフェース４６を介して、出力装置４７に
出力される。
受光素子によって検出された出力信号に基づいてパーテ
ィクルの速さ及び大きさの測定システムの概略ブロック
図である。この図に示すように、面分解能を有するＣＣ
Ｄ受光素子４１からの出力信号はインターフェース４４
を介して、ＣＰＵ４２、メモリ４５に取り込まれる。Ｃ
ＰＵ４２はクロック４３を内蔵している。処理されたデ
ータはインターフェース４６を介して、出力装置４７に
出力される。
【００２１】以下、パーティクルの速度及び大きさの具
体的測定について、図１３を用いて説明する。ＣＣＤ受
光素子４１からの上記図２及び図３、又は図８及び図９
に示される各種の情報を、例えばＣＰＵ４２により、メ
モリ４５内の参照情報と比較したり、演算したりして、
パーティクルの速度を求める。
体的測定について、図１３を用いて説明する。ＣＣＤ受
光素子４１からの上記図２及び図３、又は図８及び図９
に示される各種の情報を、例えばＣＰＵ４２により、メ
モリ４５内の参照情報と比較したり、演算したりして、
パーティクルの速度を求める。
【００２２】そして、パーティクルの速さｖは、 ｖ＝１／ｍ …（１） ここで、ｍは質量であり、パーティクルの大きさは、略
球形状であると仮定すると、 ｍ＝ｋ（４／３）πｒ3 ＝ｋ（１／６）πＤ3 …（２） （１）式及び（２）式より、 Ｄ＝〔６／（Ｋπｖ）〕1/3 …（３） ここで、ｋは定数、ｒはパーティクルの半径、Ｄはパー
ティクルの直径である。
球形状であると仮定すると、 ｍ＝ｋ（４／３）πｒ3 ＝ｋ（１／６）πＤ3 …（２） （１）式及び（２）式より、 Ｄ＝〔６／（Ｋπｖ）〕1/3 …（３） ここで、ｋは定数、ｒはパーティクルの半径、Ｄはパー
ティクルの直径である。
【００２３】したがって、パーティクルの速さｖが求め
られると、上記式（２）及び上記式（３）をＣＰＵ４２
より、パーティクルの直径Ｄ、つまり、パーティクルの
大きさを求めることができる。また、ＣＣＤ受光素子４
１からの各種の情報を、例えばＣＰＵ４２により、メモ
リ４５内の参照情報と比較したり、演算したりして、パ
ーティクルの速度及び大きさを検知することができる。
られると、上記式（２）及び上記式（３）をＣＰＵ４２
より、パーティクルの直径Ｄ、つまり、パーティクルの
大きさを求めることができる。また、ＣＣＤ受光素子４
１からの各種の情報を、例えばＣＰＵ４２により、メモ
リ４５内の参照情報と比較したり、演算したりして、パ
ーティクルの速度及び大きさを検知することができる。
【００２４】このように、パーティクルによる散乱光の
強度分布の変化を、面分解能を有するＣＣＤ受光素子に
よって受光するようにしたので、複数個のパーティクル
が検出領域に入った場合でも、それぞれのパーティクル
を個別のパーティクルとして測定することができる。パ
ーティクル数の測定能力を向上させることができる。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを
本発明の範囲から排除するものではない。
強度分布の変化を、面分解能を有するＣＣＤ受光素子に
よって受光するようにしたので、複数個のパーティクル
が検出領域に入った場合でも、それぞれのパーティクル
を個別のパーティクルとして測定することができる。パ
ーティクル数の測定能力を向上させることができる。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを
本発明の範囲から排除するものではない。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、パーティクルによる散乱光の強度分布の変化を
面分解能を有するＣＣＤ受光素子で受光するようにした
ので、散乱光の強度分布を測定することによって、パー
ティクルの速度を検知することができる。
よれば、パーティクルによる散乱光の強度分布の変化を
面分解能を有するＣＣＤ受光素子で受光するようにした
ので、散乱光の強度分布を測定することによって、パー
ティクルの速度を検知することができる。
【００２６】また、この速度からパーティクルの大きさ
も測定することができる。更に、面分解能を有するＣＣ
Ｄ受光素子によって、複数個のパーティクルが検出領域
に入った場合でも、それぞれのパーティクルを個別のパ
ーティクルとして確実に測定することができる。
も測定することができる。更に、面分解能を有するＣＣ
Ｄ受光素子によって、複数個のパーティクルが検出領域
に入った場合でも、それぞれのパーティクルを個別のパ
ーティクルとして確実に測定することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示すパーティクルの測
定部の概略構成図である。
定部の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例を示すＣＣＤ受光素子に
よって受光されたパーティクルの速度が速い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
よって受光されたパーティクルの速度が速い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施例を示すＣＣＤ受光素子に
よって受光されたパーティクルの速度が遅い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
よって受光されたパーティクルの速度が遅い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施例を示す散乱光強度分布の
発生の説明図である。
発生の説明図である。
【図５】従来の真空装置内のパーティクル（パーティク
ルが大きい場合）の測定方法を示す図である。
ルが大きい場合）の測定方法を示す図である。
【図６】従来の真空装置内のパーティクル（パーティク
ルが小さい場合）の測定方法を示す図である。
ルが小さい場合）の測定方法を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施例を示すパーティクルの測
定部の概略構成図である。
定部の概略構成図である。
【図８】本発明の第２の実施例を示すＣＣＤ受光素子に
よって受光されたパーティクルの速度が速い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
よって受光されたパーティクルの速度が速い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施例を示すＣＣＤ受光素子に
よって受光されたパーティクルの速度が遅い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
よって受光されたパーティクルの速度が遅い場合の散乱
光強度分布を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施例を示す散乱光強度分布
の発生の説明図である。
の発生の説明図である。
【図１１】本発明の第３の実施例を示すパーティクルの
測定部の概略構成図である。
測定部の概略構成図である。
【図１２】本発明の第３の実施例を示すそのＣＣＤ受光
素子による測定を行う方法を示す図である。
素子による測定を行う方法を示す図である。
【図１３】本発明の実施例を示す面分解能を有するＣＣ
Ｄ受光素子によって検出された出力信号に基づいてパー
ティクルの速さ及び大きさの測定を行うシステムの概略
ブロック図である。
Ｄ受光素子によって検出された出力信号に基づいてパー
ティクルの速さ及び大きさの測定を行うシステムの概略
ブロック図である。
１０，２０ レーザービームスポット １０ａ 弱レーザービーム領域 １０ｂ 中レーザービーム領域 １０ｃ 強レーザービーム領域 １１，２１ パーティクル １２，２３，３５，４１ 面分解能を有するＣＣＤ受
光素子 ３１ レーザーダイオード ３２ レンズ ３３ａ，３３ｂ，３６ａ，３６ｂ 複数個のパーティ
クル ３４ａ，３４ｂ，３７ａ，３７ｂ 散乱光 ４４，４６ インターフェース ４２ ＣＰＵ ４３ クロック ４５ メモリ ４７ 出力装置
光素子 ３１ レーザーダイオード ３２ レンズ ３３ａ，３３ｂ，３６ａ，３６ｂ 複数個のパーティ
クル ３４ａ，３４ｂ，３７ａ，３７ｂ 散乱光 ４４，４６ インターフェース ４２ ＣＰＵ ４３ クロック ４５ メモリ ４７ 出力装置
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザービームをパーティクルに照射し
てその時に発生する散乱光を測定してパーティクルを検
知する真空装置内のパーティクルの測定方法において、
（ａ）前記散乱光を面分解能を有するＣＣＤ受光素子で
受光し、（ｂ）該受光した散乱光を面分解して散乱光強
度分布を得て、（ｃ）該散乱光強度分布に基づいてパー
ティクルの速度とパーティクルの大きさを検知するよう
にしたことを特徴とする真空装置内のパーティクルの測
定方法。 - 【請求項２】 前記パーティクルが複数個存在する場合
に、個別のパーティクルとしてそれらの速度とパーティ
クルの大きさを検知するようにしたことを特徴とする請
求項１記載の真空装置内のパーティクルの測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041492A JPH05206236A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 真空装置内のパーティクルの測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041492A JPH05206236A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 真空装置内のパーティクルの測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206236A true JPH05206236A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11749492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041492A Withdrawn JPH05206236A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 真空装置内のパーティクルの測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861951A (en) * | 1996-12-16 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Particle monitoring instrument |
| WO2016199916A1 (ja) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | 住友重機械工業株式会社 | イオン注入装置 |
-
1992
- 1992-01-24 JP JP1041492A patent/JPH05206236A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861951A (en) * | 1996-12-16 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Particle monitoring instrument |
| WO2016199916A1 (ja) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | 住友重機械工業株式会社 | イオン注入装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |