TW437165B - Surface acoustic wave device - Google Patents

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TW437165B
TW437165B TW087110149A TW87110149A TW437165B TW 437165 B TW437165 B TW 437165B TW 087110149 A TW087110149 A TW 087110149A TW 87110149 A TW87110149 A TW 87110149A TW 437165 B TW437165 B TW 437165B
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acoustic wave
surface acoustic
electrode fingers
substrate
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TW087110149A
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Michio Kadota
Hideya Horiuchi
Mamoru Ikeura
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Murata Manufacturing Co
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Description

Α7 ψ 4371 6 5 Β7__ 五、發明說明(ί ) 〔發明背景〕 〔發明領域〕 本發明係有關一種表面聲波裝置,使用一截面水平型 (S Η型)表面聲波,並且包括多數之表面聲波元件,以 如此方式形成例如一梯形濾波器。 〔習知技術〕 有許多傳統型之表面聲波(SAW : Surface Acoustic Wave)裝置包括多數之S AW元件。例如,習知技術中, 一 S AW濾波器中之多數之S AW諧振器被設置以形成一 梯形電路,並推導出一梯形濾波器,如圖1 A表示揭示於 曰本專利第5-183380號公報之傳統的梯形濾波器,而圖1 B爲其相等電路。該梯形濾波器包括:一壓電基片2 0 2 、及安裝於壓電基片2 0 1上之串聯之單埠S AW諧振器 2 0 3、2 0 4與並聯之單埠S AW諧振器2 0 5、2 0 6、2 0 7。串聯之單埠S AW諧振器2 0 3、2 0 4係 串聯於一輸入端I N與一輸出端0 U T之間,以形成一串 聯臂,而並聯之單璋S A W諧振器2 0 5 ‘2 0 7則分別 並聯於該串聯臂與一潛在接地之間,以形成一並聯臂。 如圖1 A所示,S AW諧振器2 0 3〜2 0 了,每一 均各包括一對內部數位轉換器(IDT : Interdigital Transducers) 2 0 3 a〜2 0 7 a及設置於其相對側之一 對光柵反射器203b〜207b。在SA W諧振器2 0 3〜2Q7中,被IDT203a〜207a所激發之表 面聲波設置於光柵反射器2 0 3 b〜2 0 7 b之間,以形 3 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) r ----訂---------级 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用尹國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4371 6 5 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(,) 面其中之一表面齊平,而該反射器係安裝於另一對最外部 之電極指之一側,因此,一被I D T所激發之S Η型表面 聲波形成於該反射器與第一和第二末端表面其中之一表面 之間。 表面聲波裝置可包括一個或多個上述之表面聲波元件 。若其包括多數之表面聲波元件,該多數之表面聲波元件 較佳係連接於一梯形電路或一格子狀電路。 爲了說明本發明之較佳實施例,可由圖式中之各型式 而加以瞭解,但,本發明並不僅限於該簡要之設置與構造 〇 〔圖面之簡要說明] 圖1Α係表示一傳統的梯形濾波器之立體圖。 圖1B係表示圖1A中所示之梯形濾波器之相等電路 〇 圖2係表示使用於本發明之較佳實施例之S AW裝置 中之S AW元件之立體圖。 圖3 A係表示本發明之較佳實施例之S AW裝置所形 成之梯形電路之立體圖。 圖3 B係表示圖3 A中所示之S AW裝置之相等電路 〇 圖4 A係表示本發明之第二較佳實施例之S AW裝置 所形成之格子狀電路之立體圖。 圖4 B係表示圖4 A中所示之S AW裝置之相等電路 ---------^------π------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) Α7 Γ 4371 6 5 五、發明説明(4) 圖5係表示本發明之另一較佳實施例之S AW裝置之 槪要圖。 圖6係表示本發明之另一較佳實施例之S AW裝置之 槪要圖。 圖7係表示本發明之另一較佳實施例之S A W裝置之 槪要圖。 圖8係表示本發明之另一較佳實施例之S A W裝置之 槪要圖》 圖9係表示本發明之另一較佳實施例之S AW裝置之 槪要圖。 〔較佳實施例之詳細說明] 本發明者已作過揭示於例如美國專利第5,184,042號及 在I E E E事項之微波理論與技術(IEEE Transactions on Mircrowave Theory and Technique,V〇l. 44,N〇. 12,1996)上 之邊緣反射型S AW諧振器之硏究,並且發現到邊緣反射 型S AW諧振器可被應用到梯形濾波器或包括多數之S A W元件之s AW裝置。 本發明者發現到傳統的梯形濾波器會遇到S AW諧振 器之光柵反射器有關之問題,特別是,相較於I D T之大 小’光柵反射器相對地大許多,因而妨礙梯形濾波器之小 型化。 相反地,邊緣反射型S AW諧振器並不需要任何光栅 反射器。因此,藉由使用邊緣反射型S AW諧振器可將梯 形濾波器小型化·,邊緣反射型S AW諧振器使用壓電基片 本紙仏尺度1¾川十托枝呤((,NS ) ,\.1叹格(210>^297公筇) '~~ _ If—-„-I- ΐ I —I» ·'' r'n i I Lyz ^^^1 Id .n n^i —f^i In ϋϋ V* 、-* {請先閱讀背而之注意事項再填艿本頁) v 43716 5 ” P年峰If 五、發明説明(f) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之末端表面以反射表面聲波,而基片末端係"fe 定在一特定値,其由該邊緣反射型S AW諧振器之頻率特 性而決定。此意謂著僅一邊緣反射型S AW諧振器可形成 於基片上,並且基片之大小因該邊緣反射型S AW諧振器 之頻率特性而異。該需求並不允許整合多數之邊緣反射型 S AW諧振器,本發明者業已成功地解決此問題,並詳細 說明如下。 以下本發明之較佳實施例將配合參考圖面而詳細加以 說明。 圖2係表示在本發明之較佳實施例之S AW裝置中之 一表面聲波(S AW)元件1 0 1之一例之立體圖,用以 作爲一單埠諧振器。S AW元件1 〇 1被安裝以利用截面 水平(SH : Shear horizontal)表面波。在本說明書中,一 S Η表面聲波被定義爲:一表面聲波,其取代一方向實質 上垂直於該表面聲波之傳送方向,並且實質上平行於一基 片之表面,在該表面上,S Η表面聲波被激發。例如,這 種S Η表面波包括S Η漏波、洛夫波(Love waves)及Β G S ( Bleustein-Gulyaev-Shimizu)波。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S AW元件1 〇 1包括一壓電基片1 〇 2、一內部數 位轉換器(I D T) 1 0 3及一反射器1 0 5。該壓電基 片1 0 2具有一對末端表面102a、l〇2b,並且較 佳係由壓電材料製成,諸如鈦酸锆鉛壓電陶瓷、L i Nb〇3壓 電單晶體、L i Ta 〇3壓電單晶體或石英單晶體。在基片 1 0 2係由壓電陶瓷所製成之情形,該基片1 0 2較佳係 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 4371 6 5 * 五、發明说明(L) ‘ 依圖2所示之箭頭P方向而極性化。 I D T 1 〇 3具有一對梳狀電極1 0 6、1 0 7設置 於基片1 0 ‘2之上表面,並且該梳狀電極1 〇 6、1 〇 7 被設置成彼此交叉梳狀之構造。每一梳狀電極1 〇 6、1 0 7包括多數之電極指,其中該I D T具有一對最外部之 電極指1 0 8、1 0 9。該一對最外部之電極指之一,即 最外部之電極指1 0 8被設置成與末端表面其中之一表面 齊平,即,例如與未端表面1 0 2 a齊平。 反射器1 0 5較佳爲一光柵反器,包括多數之電極指 ,該電極指之雨末端被短電路化。反射器1 0 5安裝於另 一對最外部之電極指之一側,即,最外部之電極指1 〇 9 〇 在各電極指之間的空間及電極指之寬度,除了最外部 之電極指1 0 8之外,較佳係設定在約λ/4,其中λ爲 一 S Η型波之波長,在基片2上被激發。最外部之電極指 1 0 8之寬度較佳係設定在約;I /8。 在來自梳狀電極1 0 6 1 1 0 7之變換電流電懕之應 用上,S Η波於S AW元件1 0 1中被激發,並且以實質 上垂直於末端表面1 0 2 a之方向傳送。S Η波被反射於 未端表面1 0 2 a與反射1 〇 5之間,因此該S Η波被限 制於前述兩者之間。 由於S AW元件1 0 1僅需要一個反射器,因此該S AW元件可製成比具有一對反射器之S AW元件更小,此 外,S AW元件1 0 1之基片1 0 2之未端表面並不需被 ___________________§________________ 本紙政珅川 tNRSU.?.彳((,NS ) Λ心us ( 2丨0X297公# ) ---------Λ---^----訂------涑 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) .¾-r'riJrr屮央ιί卑太匁工泊於At竹w Ay
經#·部中次枒;i,"u-T·""合 社印 V '4371 6 5 A7 B7 _ 五、發明说明(.丨) 安裝於最外部之電極指之側面,其中設有反射器。依此, 其可允許基片之延伸超過反射器1 0 5,並且可提供一空 間以形成其它S AW元件,連接S AW元件1 0 1與其它 S AW元件之電極或其它元件。因此,其可形成多數之S AW元件1 0 1並安裝於單一基片上,以形成一並聯及/ 或串聯電路,因而可增加安裝多數之S AW元件1 0 1於 單一基片之彈性空間。 以下將詳細說明圖2中所示之包括多數之s AW元件 之表面聲波裝置。 圖3 A係表示本發明第一較佳實施例之表面聲波裝置 之立體圖。 在圖3 A所示表面聲波裝置1中,多數之表面聲波元 件係使用B G S波作爲S Η型表面聲波而操作,並且被連 接以形成一梯形濾波器。 表面聲波裝置1包括一實質上爲長方形之表面聲波基 片2。該表面聲波基片2較佳係由壓電單晶體或壓電陶瓷 如L i Ta〇3、L i NbOs或石英製成。I D T 3〜5被安 裝於表面聲波基片2之上表面,如此,I D Τ 3〜5被定 位於沿著表面聲波基片2之一末端表面2 a。此外,I D T6和7被安裝於表面聲波基片2之上表面,如此,ID T 6和7可被定位於沿著表面聲波基片2之一末端表面2 b => 每一 I D T 3〜5均有梳狀電極,具有多數之電極指 ,其中一對最外部之電極指係與末端表面2 a齊平。反射 _____________________Q___ 本紙ίίί尺度珅川屮内円孓彳+ί;々((·Νίί ) 見格(' 210X297公筇) .^1 n I I n I t— I I 丁 I "-5 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) .丨 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 β 437 i 6 5 Λ7 I-----------_ _ 五、發明説明(& ) 器8〜1 〇係形成於側面,其與在每一I D Τ 3〜5之表 面聲波之傳送方向中之末端表面2 a之方向相反。即,其 係位於每一I D T 3〜5之另一對最外部之電極指之側面 3每一反射器8〜1 〇較佳爲光柵反射器,具有在兩端爲 短電路之多數之電極指-- I DT3與反射器8形成一串聯臂諧振器S 1,相對 應於圖2中之SAW元件1〇1。在此串聯臂諧振器S1 中’表面聲波係藉由i D T 3所產生,並且由末端表面2 a與反射器8所反射,因此,表面聲波可形成於末端表2 a與反射器8之間。相對於末端反射型表面聲波諧振器 ’其中該表面聲波係形成於兩末端表面之間,在串聯臂反 射器S 1之表面聲波由位於I D T 3之一側之末端表面2 曰所反射’其亦被與I D 了 3相反方向之反射器8所反射 ’因此,表面聲波可形成於末端表面2 a與反射器8之間 〇
同樣地,IDT4與反射器9形成一串聯臂諧振器S 2,並且i D T 5與反射器1 0形成一串聯臂諧振器S 3 〇 每一 ί D Τ' 6和7均有梳狀電極,具有多數之電極指 ,其中一對最外部之電極指係與未端表面2 b齊平=反射 器1 1和1 2丨杀形成於側面,其與在一 I D T 6和7之表 面聲波之傳送方向中之未端表面2 b之方向相反,即其係 位於每一 I D T 6和7之另一對最外部之電極指之側面。 每一反射器1 1和1 2較佳爲光柵反射器,具有在兩端爲 ___10 ___ 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNSJ A4規格(210x297公釐Γ —— 裝------訂------旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^371 65 ,t-"ir十次^準",,只1:'-;,-价含作"印" A7 B7 五、發明説明(1 )
L 短電路之多數之電極指。 I D T 6與反射器1 1形成一平行臂諧振器P 1,藉 由I D T 6所產生之表面聲波形成於反射器1 1與末端表 面2b之間。依同樣方式,IDT7與反射器12形成一 平行臂諧振器P 2,藉由I D T 7所產生之表面聲波形成 於反射器1 2與末端表面2 b之間。 串聯臂諧振器S 1連接至輸入端I N,較佳係經由接 合線1 3 -串聯臂諧振器S 3連接至輸出端0 U T,較佳 係經由接合線1 4。此外,串聯臂諧振器S 1與S 2經由 安裝於基片2上之連接電極1 5 a而互相電連接。同樣地 ,串聯臂諧振器S 2與S 3經由安裝於基片2上之連接電 極1 5 b而互相電連接。 .又,一連接電極1 6 a,其一端連接至連接電極1 5 a,而另一端連接至並聯臂諧振器P 1。並聯臂諧振器P 1與Ρ 2經由連接電極1 6 b而互相連接。連接電極1 6 b連接至接合1 7之一端,而接合線1 7之另一端則接地 =連接電極1 6 a與1 6 b形成於基片2上。 平行臂諧振器P 2經由安裝於基片2之連接電極1 6 c而連接至連接電極1 5 b。 因此,串聯臂諧振器S 1〜S 3及平行臂諧振器P 1 與P 2連接形成如圖3 b所示之梯形電路。即,梯形濾波 器係藉由將I D T 3〜7、反射器8〜1 2及連接電極1 5 a、1 5 b、1 6 a〜1 6 c安裝於單一之表面聲波基 片2上所形成。 __________________———u_ -__ 本紙张尺度垅州屮Κΐϋ摞々()別規梢(+ 2丨〇·〆297公势.) I !| - --- - 1 : I I I 1 -4^ _ _ 1:1. 1^1 ^1. - 丁 V 、v.a (誚先閒讀背而之注意事項再填寫本頁) Α7 437Ί 6 5 五、發明説明(p) I D 丁 3〜7、反射器8〜1 2及連接電極1 5 a、 15b、16a〜16c由導電材料’如鋁、銀' 銅或合 金等金屬所形成。這些元件可藉由蒸發、'電鍍、濺射、塗 布與烘乾電漿方式,或其它適當之技術而形成。 依SAW裝置1,由於每一諧振器S 1〜S3、P 1 與P 2僅有一反射器,因此’其可相當地減少S AW裝置 1之空間,相較於一 S AW裝置’其中每一諧振器均包括 一傳統的S AW元件,具有一對反射器β 又*作爲反射器表面聲波之未端表面可藉由以切割方 式製造暴露的末端表面2 a與2 b而輕易地獲得,即’由 於其僅需進行兩次切割以形成末端表面之高度簡化之過程 ,因此,可相當地簡化製造過程。 .又,在表面聲波諧振器S 1〜S 3及P 1、P 2之間 係以導電型式而連接,即,連接電極1 5 a、1 5 b、1 6 a〜1 6 c係安裝於表面聲波基片2上。亦即,在本案 較佳實施例中,在表面聲波諧振器之聞的連接並不需使用 任何接合線’因此,其可減少接合線之數量,並且以接合 線所作的連接過程可相當地簡化。更特別的是,在表面聲 波裝置1中,接合線1 3、1 4、1 7僅用於將表面聲波 裝置1連接至輸入端-輸出端及接地,而不需任何接合線 以作爲內部梯形網路之連接。 圖4 A係表示本發明第二較佳實施例之S AW裝置之 立體圖’而圖4 B係表示如圖4 A中之S A W裝匿中之相 等電路。在本較佳實施例中,S AW裝置2 1較佳係包括 _______________________ 本紙尺度珅川屮阀内家你彳規格(210X2^公《 ) ----------Λ---„----訂------線 (錆先閱讀背而之;i意事項再填艿本頁)
ri-vv;:部中次ίί卑A爻-T消贫合仍ίι印V 4371 6 5 五、發明説明(11 ) 4個表面聲波諧振器,被連接成可作爲一格子狀濾波器, 使用B G S波而操作。 表面聲波裝置2 1較佳係包括一表面'聲波基片2 2, 表面聲波基片2 2可使用類似於第1較佳實施例之材料製 成以形成表面聲波基片。I D T 2 3和2 4定位於沿著表 面聲波片2 2之一側表面2 2 a之一側。I D T 2 5則定 位於相反側,沿著表面聲波基片2 2之一側表面2 2 b。 每一I DT2 3〜2 6具有梳狀電極,包括多數之內 部數位電極指,其中一對最外部之電極指係舆末端表面2 2 a或2 2 b齊平。 反射器2 7和2 8係分別安裝於I D 丁 2 3和2 4側 ’其在表面聲波之傳送分向中係與未端表面2 2 a相反。 由I.D T 2 3所產生之表面聲波藉由末端表面2 2 a與反 射器2 7所反射’因此,表面聲波可形成於兩者之間。因 此’表面聲波諧振器係與第1較佳實施例中之表面聲波諧 振器s 1類似。即’ i D T 2 3和反射器2 7係形成於一 表面聲波諧振器R 1。同樣地,I D Τ 2 4和反射器2 8 形成於另一表面聲渡諧振器R 2 = 另一方面’反射器2 9和3 0分別定位於I D Τ 2 5 和2 6之一側,其中之側面與在表面聲波之傳送方向之末 端表面2 2 b方向相反。即,ιπ>Τ2 5與反射器2 9形 成一表面聲波諧振器R 3,而I D T 2 6與反射器3 0形 成一表面聲波諧振器R 4。在表面聲波諧振器R 3與R 4 中’表面聲波係由末端表2 2 b與反射器2 9或3 0所反 (尺政Ϊΐ 川屮闽《 (忧今(A~^i,L* ( 210 y -- - I----- I 士 κ I------ T 1^1 n ----- - -__ΛΚ. '.V 、v'° (誚先閱讀背而之注意事項再填巧本頁) jV 437 丨 6 5 A7 B7 五、發明説明(丨
I 射,因此,表面聲波形成於末端表面2 2 b與反射器2 9 或3 0之間β (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 表面聲波諧振器R 1與R 3經由安裝於表面聲波基片 2 2之連接電極3 1 a以導電方式而互相連接。接合線3 2連接至連接電極3 1 a。 表面聲波諧振器R 1與R 2經由連接電極3 1 b而互 相電連接。表面聲波諧振器R 3與R 4經由連接電極3 1 c而互相電連接。接合線3 3與3 4分別連接至連接電極 3 1 b與3 i c。此外,表面聲波諧振器R 2與R 4經由 連接電極3 1 d而互相連接。接合線3 5連接至連接電極 3 1 d = 因此,在表面聲波裝置2 1中,一格子狀濾波器係由 表面聲波諧振器R 1〜R 4所形成,其以格子狀網路之形 式而連接,如圖4 B之電路圖所示,在各節點之間連接至 接合線3 2〜3 5。 又,在本較佳實施例中,由於每一諧振器R 1〜R 4 僅具有一反射器,.故相較於一 S AW裝置中之諧振器包括 一傳統的S AW元件,具有一對反射器,S AW裝置2 1 之全部區域可相當地減少3 又,用於製造表面聲波基片之反射未端表面之切割僅 需用來製造末端表面2 2 a與2 2 b,即,表面聲波基片 2 2僅需進行雨次切割過程即可獲得。 此外,在表面聲波諧振器R 1〜R 4之間的連接以形 成格子狀濾波器係藉由在表面聲波基片上,以導電的方式 B7 五、發明説明(I、) 將連接電極3 1 a〜3 1 d予以連接。即,在諧振器之間 的電連接並不需要使用任何接合線。因此,其可減少接合 線之數目,並且所減少之接合線可以簡單的工程而連接。 在上述第一與第二較佳實施例中,表面聲波裝置被安 裝以形成一梯形濾波器或格子狀濾波器=但,本發明之表 面聲波裝置並不僅限於上述電路形式。即,在本發明之表 面聲波裝置中,多數之表面聲波諧振器可以任何方式連接 以形成所欲之電路。圖5〜9表示本發明之其它較佳實施 例之S AW諧振濾波器4 1、42、43、44、45之 例子。在圖5〜9中,4 6爲IDT,47爲反射器,4 9爲基片。値得注意的是,在圖5〜9中所示之虛線部分 爲反射器6 8,其在傳統的SAW諧振濾波器係必需的, 以對應於S AW諧振濾波器41、42、43、44、4 5,但在S AW諧振濾波器4 1,42、43、44、4 ‘ 5中並不需要。 在S A W諧振濾波器4 1〜4 5中,用於傳統的濾波 器之各反射器6 8係分別由基片4 9之末端表面所取代, 並且I D T 4 6之一對最外部之電極指係與末端表面齊平 。S AW諧搌濾波器4 1〜4 5比傳統的相對應之S AW 譜振濾波器小大約四分之一至一半的區域 如上所述,本發明之較佳實施例可用以形成各種不同 型式之表面聲波裝置,其中使用一S Η型表面聲波而操作 之多數之表面聲波元件被適當地連接在一起。 當本發明之較佳實施例已被揭示的同時,在此所揭示 讀先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 哝 ____________15------- 、4371 6 5 A7 B7 五、發明説明(|f ) 之實現原理之不同模式係由申請專利範圍所界定。因此, 應可理解到本發明之領域除申請專利範圔之外,並不受到 限制。 , _______________________Lo- 本紙张尺度诚川屮1¾¾客標彳((’NS ) /UAL梠(2ΙΟ〆297公荩) ---------A------訂------味 {ΐί先閲讀背面之注意事¾再填寫本頁)

Claims (1)

  1. iV 4371 6 5 A8 B8 C8 D8 sa 117 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 1 · 一種表面聲波裝置,包括: 一表面聲波基片,具有第一和第二末端表面;及 一表面聲波元件,安裝於表面表面聲波基片上,並使 用一截面水平型表面聲波而操作,該表面聲波元件包括; 一內部數位轉換器,具有多數之電極指;及一反射器,具 有多數之電極指,其中一對最外部之電極指係表面聲波基 片之第一和第二末端表面其中之一表面齊平,而反射器係 安裝於另一對最外部之電極指之一側,因此,一被I D T 末端表面其中之一表面之間。 2 +如申請專利範圍第1項所述之表面聲波裝置,其 更包括多數之表面聲波元件,每一表面聲波元件包括:一 內部數位轉換器,具有多數之電極指;及一反射器,具有 多數之電極指,其中一對最外部之電極指係與表面聲波基 片之第一和第二末端表面其中之一表面齊平,而該反射器 係安裝於另一對最外部之電極指之一側,因此,一被I D T所激發之截面水平型表面聲波形成於該反射器與第一和 第二末端表面其中之一表面之間。 3·如申請專利範圍第2項所述之表面聲波裝置,其 中該多數之表面聲波元件連接於一梯形電路。 4 *如申請專利範圍第3項所述之表面聲波裝置,其 中第一組之多數之表面聲波元件構成梯形電路之並聯諧振 器,並安裝以使其中一對外部之電極指與表面表面聲波基 片之第一末端表面齊平,而第二組之多數之表面聲波元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -------- -------------訂"lilt---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,4371 6 5 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 構成梯形電路之串聯諧振器,並安裝以使其中一對最外部 之電極指與該表面聲波基片之第二末端表面齊平。 5·如申請專利範圍第4項所述之表面聲波裝置,其 更包括多數之連接電極,安裝於表面聲波基片上,其中第 一組與第二組之表面聲波元件係藉由多數之連接電極而被 電連接。 6 ·如申請專利範圍第2項所述之表面聲波裝置,其 中該多數之表面聲波元件連接於一格子狀電路。 7 _如申請專利範圍第6項所述之表面聲波裝置,其 中第一組之多數之表面聲波元件被安裝,以使其中之一對 最外部之電極指與該表面聲波基片之第一末端表面齊平, 而第二組之多數之表面聲波元件被安裝,以使其中之一對 最外部之電極指與該表面聲波基片之第二末端表面齊平。 8 _如申請專利範圍第7項所述之表面聲波裝置,其 更包括多數之連接電極,安裝於表面聲波基片上,其中第 一組與第二組之表面聲波元件係藉由多數之連接電極而被 電連接。 9 _如申請專利範圍第1項所述之表面聲波裝置,其 中該反射器爲一光柵反射器。 1 0 · —種表面聲波裝置,包括: 一表面聲波基片,具有第一和第二末端表面;及 至少一表面聲波元件,安裝於表面聲波基片上,並使 用一截面水平型表面聲波而操作,該至少一表面聲波元件 包括:一內部數位轉換器,具有多數之電極指;及一單反 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) ---------------------訂·------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i.r 4371 6 5 A8 B8 C8 DS 六、申請專利範圍 射器,具有多數之電極指。 11·如申請專利範圍第10項所述之表面聲波裝置 ,其中至少一表面表面聲波元件被安裝於表面聲波基片上 ,如此,該內部數位轉換器之第一末端與表面聲波基片上 之第一末端表面齊平,及該內部數位轉換器之第二末端位 於靠近表面聲波基片之第二未端表面,並且該單反射器位 於該內部數位轉換器之第二末端與該表面聲波表面基片之 第二末端表面之間。 1 2 ·如申請專利範圍第1 0項所述之表面聲波裝置 ,其中一對最外部之電極指係與表面聲波基之第一和第二 末端表面其中之一表面齊平.,而該單反射器係安裝於另一 對最外部之電極指之一側,因此,一被I D T所激發之截 面水平型表面聲波形成於該單反射器與第一和第二末端表 面其中之一表面之間。 1 3 +如申請專利範圍第1 0項所述之表面聲波裝置 ,其更包括多數之表面聲波元件,每一表面聲波元件包括 ;一內部數位轉換器,具有多數之電極指;及一單反射器 ,具有多數之電極指。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之表面聲波裝置 ,其中該多數之表面聲波元件連接於一梯彤電路。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之表面聲波裝置 ,其中第一組之多數之表面聲波元件構成梯形電路之並聯 諧振器,並安裝以使其中一對最外部之電極指與表面聲波 基片之第一末端表面齊平,而第二組之多數之表面聲波元 -------------裝.-------訂·--------絲 <請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4371 6 5 儲 C8 D8 六、申請專利範圍 件構成梯形電路之串聯諧振器,並安裝以使其中一對最外 部之電極指與該表面聲波基片之第二末端表面齊平。 16·如申請專利範圍第15項所述之表面聲波裝置 ,其更包括多數之連接電極,安裝於表面聲波基片上,其 中第一組與第二組之表面聲波元件係藉由多數之連接電極 而被電連接。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項所述之表面聲波裝置 ,其中該多數之表面聲波元件連接於一格子狀電路。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之表面聲波裝置 ,其中第一組之多數之表面聲波元件被安裝,以使其中一 對最外部之電極指與該表面聲波基片之第一末端表面齊平 ,而第二組之多數之表面聲波元件被安裝,以使其中之一 對最外部之電極指與該表面聲波基片之第二末端表面齊平 〇 19·如申請專利範圍第17項所述之表面聲波裝置 ,其更包括多數之連接電極,安裝於表面聲波基片上,其 中第一組與第二組之表面聲波元件係藉由多數之連接電極 而被電連接。 2 0 ·如申請專利範圍第1 0項所述之表面聲波裝置 ,其中該單反射器爲一光柵反射器。 4 -------------裝--------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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