JP2000151340A - 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波デバイスの製造過程での静電破壊
を防止する従来の方法は、工程数の増加を招き、その結
果製造コストが増加していた。 【解決手段】 ＩＤＴ１２を構成する櫛形電極１４およ
び１６は、基板２０上に形成された導電性の抵抗薄膜１
８により電気的に接続される。櫛形電極１４と１６との
間の抵抗薄膜１８は、ＳＡＷデバイス１０の動作時に影
響を与えず、且つ、櫛形電極１４または１６に蓄積され
た電荷を放電し、静電破壊を防止するのに十分な程度の
抵抗値を有している。抵抗薄膜１８は、ＳＡＷデバイス
１０の動作には影響を与えない程度の抵抗値しか有して
いないため、製造後に取り除く必要がない。よって、工
程数の増加を最小限に抑え、製造コストの増加も最小限
に抑えることが可能である。
を防止する従来の方法は、工程数の増加を招き、その結
果製造コストが増加していた。 【解決手段】 ＩＤＴ１２を構成する櫛形電極１４およ
び１６は、基板２０上に形成された導電性の抵抗薄膜１
８により電気的に接続される。櫛形電極１４と１６との
間の抵抗薄膜１８は、ＳＡＷデバイス１０の動作時に影
響を与えず、且つ、櫛形電極１４または１６に蓄積され
た電荷を放電し、静電破壊を防止するのに十分な程度の
抵抗値を有している。抵抗薄膜１８は、ＳＡＷデバイス
１０の動作には影響を与えない程度の抵抗値しか有して
いないため、製造後に取り除く必要がない。よって、工
程数の増加を最小限に抑え、製造コストの増加も最小限
に抑えることが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（ｓｕ
ｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ：ＳＡＷ）デ
バイスおよびその製造方法に関する。
ｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ：ＳＡＷ）デ
バイスおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷデバイスは、水晶、タンタル酸リ
チウムその他の圧電性を有する基板の表面にＳＡＷを伝
搬させることにより、種々の機能素子、例えばフィル
タ、共振器等を実現するデバイスである。ＳＡＷデバイ
スは、一般的に、アルミニウムや金等でできた一対の櫛
の形をした電極（櫛形電極）を有するトランスデューサ
（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：
ＩＤＴ）を用いて電気信号を弾性表面波に、または、弾
性表面波を電気信号に変換する。このとき、ＩＤＴを構
成する櫛形電極の、櫛の歯に相当する部分の電極の間隔
等を適宜設定することで、ある帯域の周波数を有する電
気信号のみ出力するフィルタや、所定の周波数にて共振
する共振器等を得ることができる。櫛歯部分の間隔は、
１ＧＨｚ程度の周波数で、１μｍ程度であり、加工には
微細加工技術が必要である。
チウムその他の圧電性を有する基板の表面にＳＡＷを伝
搬させることにより、種々の機能素子、例えばフィル
タ、共振器等を実現するデバイスである。ＳＡＷデバイ
スは、一般的に、アルミニウムや金等でできた一対の櫛
の形をした電極（櫛形電極）を有するトランスデューサ
（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：
ＩＤＴ）を用いて電気信号を弾性表面波に、または、弾
性表面波を電気信号に変換する。このとき、ＩＤＴを構
成する櫛形電極の、櫛の歯に相当する部分の電極の間隔
等を適宜設定することで、ある帯域の周波数を有する電
気信号のみ出力するフィルタや、所定の周波数にて共振
する共振器等を得ることができる。櫛歯部分の間隔は、
１ＧＨｚ程度の周波数で、１μｍ程度であり、加工には
微細加工技術が必要である。
【０００３】ＳＡＷデバイスでは、櫛形電極形成後の成
膜工程等の製造時や製造後の製品集荷時に、櫛形電極に
静電荷が印加される場合がある。製造時や製品出荷時
は、櫛形電極は電気的にフローティング状態にある。し
かも、前述したように櫛形電極の櫛歯部分の間隔は１μ
ｍ程度と狭いため、櫛形電極に静電荷が蓄積されると、
二個の櫛形電極間で放電が起こり、櫛形電極の電極パタ
ーンの破壊、すなわち、櫛形電極の静電破壊が起こる。
膜工程等の製造時や製造後の製品集荷時に、櫛形電極に
静電荷が印加される場合がある。製造時や製品出荷時
は、櫛形電極は電気的にフローティング状態にある。し
かも、前述したように櫛形電極の櫛歯部分の間隔は１μ
ｍ程度と狭いため、櫛形電極に静電荷が蓄積されると、
二個の櫛形電極間で放電が起こり、櫛形電極の電極パタ
ーンの破壊、すなわち、櫛形電極の静電破壊が起こる。
【０００４】この静電破壊の発生を抑えるため、従来
は、例えば、図２（ａ）に示すように、基板２０上に、
二個の櫛形電極１４と１６との間を電気的に接続する抵
抗素子２２を形成したり、図２（ｂ）に示すように、基
板２０の外で二個の櫛形電極１４と１６との間を抵抗素
子２４で接続していた。そして、これらの抵抗素子を介
して櫛形電極間に蓄積される静電荷が放電されていた。
このような櫛形電極間に接続された抵抗素子は、ＳＡＷ
デバイスの基板実装時は不必要であるため、基板実装前
に取り除かれる。
は、例えば、図２（ａ）に示すように、基板２０上に、
二個の櫛形電極１４と１６との間を電気的に接続する抵
抗素子２２を形成したり、図２（ｂ）に示すように、基
板２０の外で二個の櫛形電極１４と１６との間を抵抗素
子２４で接続していた。そして、これらの抵抗素子を介
して櫛形電極間に蓄積される静電荷が放電されていた。
このような櫛形電極間に接続された抵抗素子は、ＳＡＷ
デバイスの基板実装時は不必要であるため、基板実装前
に取り除かれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した方法
においては、製造工程数の増加は避けられない。例え
ば、図２（ａ）に示した方法では、抵抗素子２２を形成
するためにフォトリソグラフィ工程が必要であり、図２
（ｂ）に示した方法では、基板の外で二個の櫛形電極１
４と１６との間を抵抗素子２４で接続する工程が必要で
ある。また、この二つの方法は、いずれも、櫛形電極間
に接続した抵抗素子を取り除く工程が必要である。この
ような工程数の増加は、結果として、製造コストの増加
を招いてしまうという問題点があった。
においては、製造工程数の増加は避けられない。例え
ば、図２（ａ）に示した方法では、抵抗素子２２を形成
するためにフォトリソグラフィ工程が必要であり、図２
（ｂ）に示した方法では、基板の外で二個の櫛形電極１
４と１６との間を抵抗素子２４で接続する工程が必要で
ある。また、この二つの方法は、いずれも、櫛形電極間
に接続した抵抗素子を取り除く工程が必要である。この
ような工程数の増加は、結果として、製造コストの増加
を招いてしまうという問題点があった。
【０００６】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、工程数の増加が少ない低コスト
な方法で、櫛形電極の静電破壊の発生を抑えることを目
的とする。
になされたものであり、工程数の増加が少ない低コスト
な方法で、櫛形電極の静電破壊の発生を抑えることを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、弾性表面波デ
バイスであって、圧電性を有する基板と、前記基板上の
ほぼ全面に形成された抵抗薄膜と、前記抵抗薄膜上に、
入力電極、出力電極、接地電極の少なくとも一つを含む
櫛形電極と、を有し、前記抵抗薄膜の抵抗値は、前記入
出力電極の高周波電位変動に対して十分に小さい移動度
を示す抵抗値であり、且つ、前記櫛形電極に蓄積される
静電荷を、前記抵抗薄膜を介して前記櫛形電極間で放電
することに対して十分に大きい移動度を示す抵抗値であ
ることを特徴とする。
バイスであって、圧電性を有する基板と、前記基板上の
ほぼ全面に形成された抵抗薄膜と、前記抵抗薄膜上に、
入力電極、出力電極、接地電極の少なくとも一つを含む
櫛形電極と、を有し、前記抵抗薄膜の抵抗値は、前記入
出力電極の高周波電位変動に対して十分に小さい移動度
を示す抵抗値であり、且つ、前記櫛形電極に蓄積される
静電荷を、前記抵抗薄膜を介して前記櫛形電極間で放電
することに対して十分に大きい移動度を示す抵抗値であ
ることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、弾性表面波デバイスの製
造方法であって、圧電性を有する基板上のほぼ全面に抵
抗薄膜を形成し、前記抵抗薄膜上に、入力電極、出力電
極、接地電極の一つを含む櫛形電極を形成し、前記抵抗
薄膜の抵抗値は、前記入出力電極の高周波電位変動に対
して十分に小さい移動度を示す抵抗値であり、且つ、前
記櫛形電極に蓄積される静電荷を、前記抵抗薄膜を介し
て前記櫛形電極間で放電することに対して十分に大きい
移動度を示す抵抗値であることを特徴とする。
造方法であって、圧電性を有する基板上のほぼ全面に抵
抗薄膜を形成し、前記抵抗薄膜上に、入力電極、出力電
極、接地電極の一つを含む櫛形電極を形成し、前記抵抗
薄膜の抵抗値は、前記入出力電極の高周波電位変動に対
して十分に小さい移動度を示す抵抗値であり、且つ、前
記櫛形電極に蓄積される静電荷を、前記抵抗薄膜を介し
て前記櫛形電極間で放電することに対して十分に大きい
移動度を示す抵抗値であることを特徴とする。
【０００９】このように、本発明では、抵抗薄膜を介し
て基板上に櫛形電極が形成されている。抵抗薄膜は導電
性を有しているため、櫛形電極間は抵抗薄膜を介して電
気的に接続される。このように櫛形電極間が電気的に接
続されているので、製造時又は製品時に櫛形電極に蓄積
された電荷は、抵抗薄膜を介してこの櫛形間で放電され
る。弾性表面波デバイスの動作時には、櫛形電極の一方
に、高周波信号が入力または出力される。抵抗薄膜は、
この一方の電極の高周波電位変動に対して、他方の電極
の電位の変動が無視できる程度に小さい移動度を示す抵
抗値しか有していないので、動作時の弾性表面波デバイ
スの特性にほとんど影響を与えない。一方、製造時や製
品出荷時は、櫛形電極の静電破壊の発生を抑えるため、
櫛形電極に蓄積された静電荷を、抵抗薄膜を介して櫛形
電極間で放電する。抵抗薄膜は、放電をするのに十分に
大きい移動度を示す抵抗値を有しているので、静電破壊
の発生を十分抑えることが可能である。このような抵抗
値を有する抵抗薄膜を形成することで、弾性表面波デバ
イスの動作時においては、弾性表面波デバイスの特性を
損ねることがなく、製造時または製品出荷時の櫛形電極
の静電破壊の発生を抑えることが可能である。
て基板上に櫛形電極が形成されている。抵抗薄膜は導電
性を有しているため、櫛形電極間は抵抗薄膜を介して電
気的に接続される。このように櫛形電極間が電気的に接
続されているので、製造時又は製品時に櫛形電極に蓄積
された電荷は、抵抗薄膜を介してこの櫛形間で放電され
る。弾性表面波デバイスの動作時には、櫛形電極の一方
に、高周波信号が入力または出力される。抵抗薄膜は、
この一方の電極の高周波電位変動に対して、他方の電極
の電位の変動が無視できる程度に小さい移動度を示す抵
抗値しか有していないので、動作時の弾性表面波デバイ
スの特性にほとんど影響を与えない。一方、製造時や製
品出荷時は、櫛形電極の静電破壊の発生を抑えるため、
櫛形電極に蓄積された静電荷を、抵抗薄膜を介して櫛形
電極間で放電する。抵抗薄膜は、放電をするのに十分に
大きい移動度を示す抵抗値を有しているので、静電破壊
の発生を十分抑えることが可能である。このような抵抗
値を有する抵抗薄膜を形成することで、弾性表面波デバ
イスの動作時においては、弾性表面波デバイスの特性を
損ねることがなく、製造時または製品出荷時の櫛形電極
の静電破壊の発生を抑えることが可能である。
【００１０】また、本発明では、静電破壊の発生を抑え
るために、基板上に特別なパターンを有する薄膜を形成
する必要はない。また、抵抗薄膜は、弾性表面波デバイ
スの動作時に、弾性表面波デバイスの特性を損ねること
がないので、製造後に抵抗薄膜を取り除く必要がない。
そのため、基板上にパターンを形成するフォトリソグラ
フィ工程や、製造後に抵抗膜を取り除く工程が必要でな
いため、工程数の増加を最小限に抑え、低コストな方法
で、櫛形電極の静電破壊の発生を抑えることが可能であ
る。
るために、基板上に特別なパターンを有する薄膜を形成
する必要はない。また、抵抗薄膜は、弾性表面波デバイ
スの動作時に、弾性表面波デバイスの特性を損ねること
がないので、製造後に抵抗薄膜を取り除く必要がない。
そのため、基板上にパターンを形成するフォトリソグラ
フィ工程や、製造後に抵抗膜を取り除く工程が必要でな
いため、工程数の増加を最小限に抑え、低コストな方法
で、櫛形電極の静電破壊の発生を抑えることが可能であ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以下
実施形態という）を、図面に従って説明する。
実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００１２】図１に本実施形態のＳＡＷデバイス１０の
構造が示されている。図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は断面図である。この図に示されているように、
本実施形態のＳＡＷデバイス１０においては、ＩＤＴ１
２を構成する櫛形電極１４および１６は、静電破壊の発
生を抑えるための抵抗薄膜１８を介して、基板２０上に
形成されている。基板２０は、水晶、タンタル酸リチウ
ム等の圧電性を有する基板である。櫛形電極１４および
１６は、金やアルミニウム等の導電性のある材料で、基
板２０のほぼ全面に形成された抵抗薄膜１８上に、例え
ば、リソグラフィ技術を使用して形成される。櫛形電極
１４および１６は、外部からの信号を入力する入力電
極、外部へ信号を出力する出力電極または接地用の接地
電極である。このＳＡＷデバイス１０の特性は、櫛形電
極１４および１６の櫛歯部分の間隔ｄ等で決められる。
例えば、数ＧＨｚ程度で共振する共振器を得る場合、櫛
歯部分の間隔ｄは１μｍ程度に形成される。この櫛歯部
分の間隔ｄは、ＳＡＷデバイス１０の特性に応じて適宜
決められる。
構造が示されている。図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は断面図である。この図に示されているように、
本実施形態のＳＡＷデバイス１０においては、ＩＤＴ１
２を構成する櫛形電極１４および１６は、静電破壊の発
生を抑えるための抵抗薄膜１８を介して、基板２０上に
形成されている。基板２０は、水晶、タンタル酸リチウ
ム等の圧電性を有する基板である。櫛形電極１４および
１６は、金やアルミニウム等の導電性のある材料で、基
板２０のほぼ全面に形成された抵抗薄膜１８上に、例え
ば、リソグラフィ技術を使用して形成される。櫛形電極
１４および１６は、外部からの信号を入力する入力電
極、外部へ信号を出力する出力電極または接地用の接地
電極である。このＳＡＷデバイス１０の特性は、櫛形電
極１４および１６の櫛歯部分の間隔ｄ等で決められる。
例えば、数ＧＨｚ程度で共振する共振器を得る場合、櫛
歯部分の間隔ｄは１μｍ程度に形成される。この櫛歯部
分の間隔ｄは、ＳＡＷデバイス１０の特性に応じて適宜
決められる。
【００１３】本実施形態のＳＡＷデバイス１０の特徴
は、この櫛形電極１４と１６との間を、基板２０上のほ
ぼ全面に形成された導電性の抵抗薄膜１８で電気的に接
続したことにある。抵抗薄膜１８は二酸化チタン、ニッ
ケルクロム等の導電性材料である。本実施形態では二酸
化チタンが使用され、蒸着法、スパッタリング、化学蒸
着法（ＣＶＤ）等により、基板２０のほぼ全面に、数１
０Å程度の厚さに成膜される。抵抗薄膜１８の材料およ
び膜厚は、本実施形態の材料および膜厚に限定されてお
らず、後述する条件を満たすものが適宜選択される。櫛
形電極１４および１６は、この抵抗薄膜１８上に形成さ
れ、櫛形電極１４と１６との間の領域に存在する抵抗薄
膜１８によって比較的大きな抵抗値をもって電気的に接
続される。従って、製造時に櫛形電極１４または１６に
電荷が蓄積されても、抵抗薄膜１８を介して、櫛形電極
１４と１６との間で蓄積電荷が静電破壊に至らない移動
度で放電され、櫛形電極１４および１６の静電破壊の発
生を抑えることが可能である。
は、この櫛形電極１４と１６との間を、基板２０上のほ
ぼ全面に形成された導電性の抵抗薄膜１８で電気的に接
続したことにある。抵抗薄膜１８は二酸化チタン、ニッ
ケルクロム等の導電性材料である。本実施形態では二酸
化チタンが使用され、蒸着法、スパッタリング、化学蒸
着法（ＣＶＤ）等により、基板２０のほぼ全面に、数１
０Å程度の厚さに成膜される。抵抗薄膜１８の材料およ
び膜厚は、本実施形態の材料および膜厚に限定されてお
らず、後述する条件を満たすものが適宜選択される。櫛
形電極１４および１６は、この抵抗薄膜１８上に形成さ
れ、櫛形電極１４と１６との間の領域に存在する抵抗薄
膜１８によって比較的大きな抵抗値をもって電気的に接
続される。従って、製造時に櫛形電極１４または１６に
電荷が蓄積されても、抵抗薄膜１８を介して、櫛形電極
１４と１６との間で蓄積電荷が静電破壊に至らない移動
度で放電され、櫛形電極１４および１６の静電破壊の発
生を抑えることが可能である。
【００１４】次に、本実施形態の抵抗薄膜１８の材料お
よび膜厚の条件について説明する。
よび膜厚の条件について説明する。
【００１５】ＳＡＷデバイス１０の動作時においては、
一方の櫛形電極、例えば、櫛形電極１４に高周波信号が
印加される。本発明においては、櫛形電極１４と１６間
には抵抗薄膜１８が存在するので、櫛形電極１６の電位
は櫛形電極１４、抵抗薄膜１８、櫛形電極１６の経路で
生じるリークにより変動する。しかし、本発明において
は、抵抗薄膜１８の抵抗値を数ｋΩ程度に設定してある
ので、この電位変動はほとんど無視できる。すなわち、
櫛形電極１４と１６との間の抵抗薄膜１８の抵抗値が、
櫛形電極１４の高周波電位変動に対して十分小さい移動
度を示す抵抗値であれば、櫛形電極１６の電位変動はほ
ぼ無視することができる。従って、本実施形態の抵抗薄
膜１８は、櫛形電極１６の電位が変動しない程度に小さ
い移動度を示す、即ち、抵抗薄膜１８がある一定値以上
の抵抗値を有するように材料および膜厚が適宜選択され
る。例えば、印加する高周波信号の入力インピーダンス
が５０Ωである場合、櫛形電極１４と１６との間の抵抗
薄膜１８が示す抵抗値は数ｋΩ以上となるように、抵抗
薄膜１８の材料および膜厚が選択される。
一方の櫛形電極、例えば、櫛形電極１４に高周波信号が
印加される。本発明においては、櫛形電極１４と１６間
には抵抗薄膜１８が存在するので、櫛形電極１６の電位
は櫛形電極１４、抵抗薄膜１８、櫛形電極１６の経路で
生じるリークにより変動する。しかし、本発明において
は、抵抗薄膜１８の抵抗値を数ｋΩ程度に設定してある
ので、この電位変動はほとんど無視できる。すなわち、
櫛形電極１４と１６との間の抵抗薄膜１８の抵抗値が、
櫛形電極１４の高周波電位変動に対して十分小さい移動
度を示す抵抗値であれば、櫛形電極１６の電位変動はほ
ぼ無視することができる。従って、本実施形態の抵抗薄
膜１８は、櫛形電極１６の電位が変動しない程度に小さ
い移動度を示す、即ち、抵抗薄膜１８がある一定値以上
の抵抗値を有するように材料および膜厚が適宜選択され
る。例えば、印加する高周波信号の入力インピーダンス
が５０Ωである場合、櫛形電極１４と１６との間の抵抗
薄膜１８が示す抵抗値は数ｋΩ以上となるように、抵抗
薄膜１８の材料および膜厚が選択される。
【００１６】一方、抵抗薄膜１８が示す移動度が小さす
ぎると、櫛形電極１４と１６との間で十分に電荷を放電
することができず、櫛形電極１４または１６の静電破壊
の発生を抑えることができない。従って、櫛形電極１４
と１６との間の抵抗薄膜１８は、櫛形電極１４または１
６に蓄積される電荷を放電するのに十分な程度に大きい
移動度を示す、即ち、抵抗薄膜１８の有する抵抗値が十
分小さい必要がある。よって、抵抗薄膜１８は、櫛形電
極１４または１６に蓄積される電荷を放電するのに十分
に小さい抵抗値を有する材質および膜厚が適宜選択され
る。抵抗薄膜１８は櫛形電極間で電荷を放電できる程度
の抵抗値を有していればよく、例えば、数１００ｋΩ程
度より小さい抵抗値を有していればよい。
ぎると、櫛形電極１４と１６との間で十分に電荷を放電
することができず、櫛形電極１４または１６の静電破壊
の発生を抑えることができない。従って、櫛形電極１４
と１６との間の抵抗薄膜１８は、櫛形電極１４または１
６に蓄積される電荷を放電するのに十分な程度に大きい
移動度を示す、即ち、抵抗薄膜１８の有する抵抗値が十
分小さい必要がある。よって、抵抗薄膜１８は、櫛形電
極１４または１６に蓄積される電荷を放電するのに十分
に小さい抵抗値を有する材質および膜厚が適宜選択され
る。抵抗薄膜１８は櫛形電極間で電荷を放電できる程度
の抵抗値を有していればよく、例えば、数１００ｋΩ程
度より小さい抵抗値を有していればよい。
【００１７】本実施形態では、前述した条件を満たすた
めに、二酸化チタンを数１０Åの膜厚で基板２０上に形
成し、櫛形電極１４と１６との間の抵抗薄膜が数ｋΩ程
度の抵抗値を有するようにした。
めに、二酸化チタンを数１０Åの膜厚で基板２０上に形
成し、櫛形電極１４と１６との間の抵抗薄膜が数ｋΩ程
度の抵抗値を有するようにした。
【００１８】このように本実施形態のＳＡＷデバイス１
０においては、櫛形電極１４と１６とが抵抗薄膜１８を
介して電気的に接続されているので、櫛形電極１４また
は１６に蓄積される電荷を、この櫛形電極間で放電する
ことができる。従って、櫛形電極１４または１６の静電
破壊の発生を抑えることが可能である。
０においては、櫛形電極１４と１６とが抵抗薄膜１８を
介して電気的に接続されているので、櫛形電極１４また
は１６に蓄積される電荷を、この櫛形電極間で放電する
ことができる。従って、櫛形電極１４または１６の静電
破壊の発生を抑えることが可能である。
【００１９】また、抵抗薄膜１８は櫛形電極１４と１６
との間を電気的に接続できればよいので、特別なパター
ンを有する必要はない。そのため、従来必要であったパ
ターンを形成するためのフォトリゾグラフィ工程は必要
ではない。一方、ＳＡＷデバイス１０の動作時には、抵
抗薄膜１８はＳＡＷデバイス１０の特性にほとんど影響
を与えないため、製造後に抵抗膜を取り除く工程は必要
ない。よって、従来必要であった基板２０上に抵抗パタ
ーンを形成するフォトリソグラフィ工程や、製造後に抵
抗膜を取り除く工程が必要でないため、工程数の増加を
最小限に抑えることが可能である。
との間を電気的に接続できればよいので、特別なパター
ンを有する必要はない。そのため、従来必要であったパ
ターンを形成するためのフォトリゾグラフィ工程は必要
ではない。一方、ＳＡＷデバイス１０の動作時には、抵
抗薄膜１８はＳＡＷデバイス１０の特性にほとんど影響
を与えないため、製造後に抵抗膜を取り除く工程は必要
ない。よって、従来必要であった基板２０上に抵抗パタ
ーンを形成するフォトリソグラフィ工程や、製造後に抵
抗膜を取り除く工程が必要でないため、工程数の増加を
最小限に抑えることが可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＳＡＷデ
バイスでは、基板のほぼ全面に形成された抵抗薄膜で櫛
形電極が電気的に接続されるので、櫛形電極の静電破壊
の発生を抑えることが可能である。また、この抵抗薄膜
は特別なパターンを有する必要はなく、ＳＡＷデバイス
の製造後に取り除く必要も無いため、工程数の増加を最
小限に抑えることができ、製造コストの増加も最小限に
抑えることができる。
バイスでは、基板のほぼ全面に形成された抵抗薄膜で櫛
形電極が電気的に接続されるので、櫛形電極の静電破壊
の発生を抑えることが可能である。また、この抵抗薄膜
は特別なパターンを有する必要はなく、ＳＡＷデバイス
の製造後に取り除く必要も無いため、工程数の増加を最
小限に抑えることができ、製造コストの増加も最小限に
抑えることができる。
【図１】 本実施形態のＳＡＷデバイスの概略図であ
る。
る。
【図２】 従来実施されていたＳＡＷデバイスの静電破
壊防止方法の概略図である。
壊防止方法の概略図である。
１０ ＳＡＷデバイス、１２ ＩＤＴ、１４，１６ 櫛
形電極、１８ 抵抗薄膜、２０ 基板、２２，２４ 抵
抗素子。
形電極、１８ 抵抗薄膜、２０ 基板、２２，２４ 抵
抗素子。
フロントページの続き (72)発明者 峰島 信浩 東京都三鷹市下連雀五丁目１番１号 日本 無線株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA26 AA32 FF05 HA03 HA07 KK09
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電性を有する基板と、 前記基板上のほぼ全面に形成された抵抗薄膜と、 前記抵抗薄膜上に、入力電極、出力電極、接地電極の少
なくとも一つを含む櫛形電極と、を有し、 前記抵抗薄膜の抵抗値は、前記入出力電極の高周波電位
変動に対して十分に小さい移動度を示す抵抗値であり、
且つ、前記櫛形電極に蓄積される静電荷を、前記抵抗薄
膜を介して前記櫛形電極間で放電することに対して十分
に大きい移動度を示す抵抗値であることを特徴とする弾
性表面波デバイス。 - 【請求項２】 圧電性を有する基板上のほぼ全面に抵抗
薄膜を形成し、 前記抵抗薄膜上に、入力電極、出力電極、接地電極の少
なくとも一つを含む櫛形電極を形成し、 前記抵抗薄膜の抵抗値は、前記入出力電極の高周波電位
変動に対して十分に小さい移動度を示す抵抗値であり、
且つ、前記櫛形電極に蓄積される静電荷を、前記抵抗薄
膜を介して前記櫛形電極間で放電することに対して十分
に大きい移動度を示す抵抗値であることを特徴とする弾
性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324873A JP2000151340A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324873A JP2000151340A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151340A true JP2000151340A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18170600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10324873A Pending JP2000151340A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000151340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100631838B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 무정전기 표면탄성파 필터 |
| JPWO2015151706A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP10324873A patent/JP2000151340A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100631838B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 무정전기 표면탄성파 필터 |
| JPWO2015151706A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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