TW436730B - Information processor - Google Patents
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Description
d36730
五、發明說明(l) [發明之領域] 。。本發明與—種適用微電腦之控制裝置有關,尤與娛樂機 器.、景f像處理裝置、攜帶資訊機器等之控制裝置及微電腦 或邏輯LSI等半導體控制裝置之實際安裝及引腳(Pin)配置 有關。 [發明之背景] 由於半導體記憶體之高功能化、高速化,先前以數十 MJiz工作^之印刷基片上之外部匯流排時鐘將達數百MHz。先 所因外部匯流排時鐘慢,故即使印刷基片上之配線較長惟 對外部S流排之系統設計並未造成大問題…准因例如1〇〇 MHz之1匯流排周期為丨〇毫微秒,故需考慮到印刷基片上之 配線,延(例如1毫微秒/17 cm)加以設計.β因此設計微電 腦之晶片時印刷基片上之晶片配置和配線之牽引逐漸成為 承速„計上t —大課題* 又Λ現高速外部匯流排上問題之一有輸出缓衝器之同時 轉換雜訊之問題。以下說明同時轉換雜訊之問題。 半導體控制裝置之輸出缓衝器之輸出電壓從高位準轉換 為低位準(或從低位準轉換至高位準)時,必須從晶片外部 電源供給輸出緩衝器之電流。此時從外部供給之電流因通 過電感大之封裝引腳(鍵合線、引線框架)故晶片内之電源 接位準上下’ 一時在晶片内之電源/接地與印刷基片上 ^電源/接地間產生雜訊電麼。此即為輸出緩衝器之轉換 雖訊。因此恰似信號未變化之輸出引腳及時鐘信號起變 化’而成為電路錯誤工作之原因。
.J Η 7 3 89.讥 年 21 η ------------------ , ir—丄丨 日J 孢无| 五、發明說明(2) 為減 少此 種 轉 換 雜訊' 考 慮: (1) 減少 同 時 轉 換之 輸 出缓衝器數9 (2) 延遲 輸 出 緩 衝器 數 之轉換速度。 (3 )增加電源/接地引腳支數。 (4) 縮短電源/接地引腳長度。 (5) 實地在印刷基片上多裝電感少之去耦電容器。 (6 )減少輸出引腳之負荷容量。 等對策》 先前因外部匯流排時鐘慢至約3 Ο ΜΗz,故例如延遲微電 腦等半導體控制裝置之輸出緩衝器轉換速度至約15毫微 秒,每8支輸出引腳準備約1支電源/接地引腳,實地在印 刷基片上多裝電感少之去耦電容器,予以對處。 先前之微電腦裝置,因不考慮外部實地安裝之半導體記 憶體及周邊晶片以決定微電腦及周邊晶片之引腳配置’故 設計印刷基片時信號線之牽引頗費苦心β有時信號線過長 致無法達成高速之外部匯流排之資料傳送。 本發明之目的在提供:考慮印刷基片上LSI及記憶體之 S己置以決定微電腦及周邊晶片邏輯LS I之引腳配置,使印 刷基片上之配線牽51容易,可傳送高速外部匯流排之資訊 之微電腦控制系統, ^最近之多媒體用系統,因需處理大量影像資料故要求 $部^流排之資料傳送能力例如1 Ο ΟΜΗζ之高速匯流排為匯 流排寬度64位元 '即8〇〇μΗζ/位元等之高速傳送。 因此上述(1)無法減少同時轉換之輪出緩衝器數,反而
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436730 五、發明說明(3) 從原來之3 2位元匯流排增至6 4位元。 上述(2)無法延遲輸出缓衝器之轉換速度,ioomHz之高 速匯流排因1匯流排周期為1 〇毫微秒,故需將輸出缓衝器 之轉換速度從5毫微秒增高至6毫微秒之高速。 關於(3)將電源/接地引腳數從每8支輸出引腳1支改善為 每4支約1支之比例。 關於(4)則縮短印刷基片上電源/接地引腳長度。 關於(5)即照先前在印刷基片上實地多裝電感少之去耦 電容器。 關於(6)即考量印刷基片之實地安裝,採取減少印刷基 片上輸出引腳之負荷容量、配線容量等對策。 然而先前關於上述(4),雖採取縮短印刷棊片上電源/接 地引腳長度之對策,惟並未採取縮短封裝内部之電源/接 地引腳、降低電感之對策。 本發明之第2目的在提供:縮短半導體控制裝置之封裝 内電源/接地配線長度、降低電感而能減低匯流排時鐘為 1 00 MHz以上之高速外部匯流排之輸出缓衝器轉換雜饥之 微電腦或邏輯LSI等半導趙控制裝置》 發明之概述 [解決之方法] 為解決上述課題,本發明提出由微電腦、和周邊控制半 導體裝置、和多數半導體記憶體構成之微電腦控制裝置’ 其中在微電腦與周邊半導體裝置間配置多數半導體記憶 體,微電腦之引腳配置為:從前述微電腦之與前述半導體
D:\55636.ptd 第7頁 436730 五、發明說明(4) 記憶體之位置最近邊中央輪出時鐘信號,從其時鐘輸出之. 左右輸出位址信號,從其位址輸出之更外側輸出控制信 號,從前述微電腦與前述半導體記憶體之位置次近邊輸出 資料匯流排,以縮短微電腦與記憶體間之時鐘、位址匯流 排、控制信號之配線長度。 又配置在前述微電腦與周邊半導體裝置間之半導體記憶 體係以位址引腳為内側(靠近連接微電腦中心與周邊半導 體裝置中心線之方向),資料引腳為外側橫置配置而成以 縮短位址匯流排之配線長度為宜。 並使微電腦與周邊控制半導體裝置之引腳以線對稱配 置,將周邊控制半導體裝置實地裝在微電腦背面,以縮短 微電腦與周邊控制半導體裝置間信號線之配線長度亦宜。 更可將微電腦、和周邊控制半導體裝置、和半導體記憶體 成為單片(One chip)。 如上述依本發明之適用微電腦之控制系統,因實現外部 匯流排之控制所需信號線之引腳配置,即可使微電腦與記 憶體間配線最短並能以高速外部匯流排傳送資料。 本發明之另一種形態,包含:具有演算功能之第1半導 體裝置、和具有記憶功能之第2及第3之半導體裝置,假設 通過第1半導體裝置之軸為Y軸時,將第2及第3之半導體裝 置配置為對Y轴成線對稱,在第1半導體裝置之靠近第2及 第3半導體裝置之邊具有輸出時鐘信號之時鐘信號接頭, 從該時鐘信號接頭將時鐘信號供給第2及第3半導體裝置。 又假設正交於前述Y軸之X轴時,前述第2及第3半導體裝
D:\55636. ptd 第8頁 436730 五,發明說明(5) 置沿上述X軸方向排列為宜。又在Y轴上設有具備演算功能 之第4半導體裝置,在該第4半導體裝置與前述第1半導體 裝置之間配置第2及第3半導體裝置,將由第1半導體裝置 供給之時鐘信號輸入配置在第4半導體裝置之靠近上述第2 及第3半導體裝置邊之時鐘信號輸入接頭為宜。而傳輸時 鐘信號之配線穿過第2及第3半導體裝置之間為宜。因構成 如上述配置即可使時鐘信號通過最短距離供給各裝置而能 高速穩定工作。 關於位址信號,可構成:第1半導體裝置之時鐘接頭左 右具有位址信號接頭,從該位址信號接頭將位址信號供給 第2及第3半導體裝置。 關於資料信號,將第1半導體裝置之時鐘信號接頭之邊 為苐1邊,將該第I邊兩側之邊為第2及第3邊時,將對配置 在各邊接頭數之資料信號輸出入接頭數之比例設定為第2 或第3邊之比例大於第1邊之比例為宜。即盡可能將資料信 號連接在第2及第3邊。 第2及第3半導體裝置在平行於X轴方向具有長邊,在該 長邊位址信號輸入之接頭配置於比資料信號輸出入接頭靠 近Y軸位置,即可縮短配線長度。 第4半導體裝置之時鐘信號輸入接頭之同邊具有位址信 號輸入接頭,將前述第1半導體裝置之位址信號輸入該位 址信號輸入接頭為宜。又將第4半導體裝置之時鐘信號輸 入接頭之邊為第1邊,將該第1邊兩側之邊為第2及第3邊 時,將對配置在各邊接頭數之資料信號輸出入接頭數之比
D:\55636.ptd 第9頁 4367 3 Ο 五、發明說明(6) 例設定為第2或第3邊之比例大於第1邊之比例為宜。即與 第1半導體裝置相同之旨意。 如此' 本發明提案之適合系統之第1半導體裝置(例如微 電腦)、及第4半導體裝置(例如與微電腦共同工作之演算 裝置)之構造,例如具有矩形狀外形時,一邊配置時鐘及 位址信號有關之接頭,其兩側之2邊設置資料信號之輸出 入接頭。資料信號之輸出入接頭多時,將其一部分配置在 時鐘及位址信號有關接頭之邊亦可。 由於將具有此種接頭配置之第1及第4半導體裝置,以時 鐘及位址信號有關接頭之邊之間相向配置,連接時鐘、位 址、資料線,即可縮短對高速工作影響大之時鐘及位址信 號之配線長度,有利於系統性能之提高。與時鐘及位址信 號有關接頭之邊相反之邊,可連接不甚影響高速性能之信 號接頭、例如低速記憶體、或外部介面電路。 欲增加高速記憶裝置之容量時,更設置與前述第2及第3 半導體裝置同樣構造之第5及第6半導體裝置,將該第5及 第6半導體裝置對Υ軸以線對稱配置,且第5及第6半導體裝 置在平行於前述X軸方向具有長邊,在該長邊之位址信號 輸入接頭配置於比資料信號輸出入接頭靠近Υ軸位置亦 "σ]- 〇 例如將第5及第ΰ半導體裝置配置在與裝配第2及第3半導 體裝置之基片面之同一基片面,且配置在第1與第4半導體 裝置間。即此等記憶體裝置位於第1與第4半導體裝置間, 配置成矩陣狀。
D:\55636. ptd 第10頁 4367 3 Ο 五、發明說明(7) 其他例係將苐5及第6半導體裝置配置在與裝配第2及第3 丰導體裝置之基片面相反之基片面,且對該基片與第2及 第3半導體裝置以面對稱配置而成。本例雖能比前例縮短 配線長度,惟裝置厚度加厚。 典型例之第2、第3、第5及第6半導體裝置為具有16位元 資料匯流排之半導體記憶體、例如同步DRAM。 又具備模仿器、時鐘振盪電路、輸出入埠、串列介面' 及介入電路中之至少一種做為周邊模塊,連接配置在第1 半導體裝置之第1至第3邊以外邊之接頭與上述周邊模塊。 因為此等裝置並不要求太高之高速性。又亦可具有與第2 及第3半導體裝置不同種類之半導體記憶體,連接配置在 前述第1半導體裝置之第1至第3邊以外邊之接頭與上述半 導體記憶體。 第4半導體裝置為影像資料處理用之半導體裝置,並可 考慮其他協處理器(Coprocessor)。 又其他發明形態,即將微電腦和2個半導體記憶體配置 在基片上構成之資訊處理裝置,在平行於微電腦第1邊方 向排列配置2個半導體記憶體,以時鐘匯流排、位址匯流 排、資料匯流排連接微電腦與半導體記憶體間,將時鐘匯 流排連接在配置於微電腦第1邊之接頭。 配置在夾微電腦第1邊之第2邊和第3邊之接頭中連接在 上述資料匯流排之接頭比例大於配置在苐1邊之接頭中連 接在資料匯流排之接頭比例為宜。又將位址匯流排連接在 配置於微電腦第1邊之接頭亦宜。
D:\55636.ptd 第11頁 五'發明說明(8) 此時2個半導體記憶體長邊平行於微電腦第1邊,將位址 匯流排和資料匯流排連接在配置於該長邊之接頭,將位址 匯流排連接在靠近2個半導體記憶體相對邊之接頭為宜。 更在2個半導體記憶體長邊之連接位址匯流排之接頭與 連接資料匯流排接頭間之接頭,連接時鐘匯流排亦宜。 又其他形態,即包含:矩形之第1資料處理裝置、第2資 料處理裝置 '多數記憶裝置、及裝載上述各裝置之基片之 資訊處理裝置,其中基片面上假設互相正交之X軸和Y軸 時,Y軸上配置第1及第2資料處理裝置,並對Y軸以線對稱 配置多數記憶裝置,且對X軸以線對稱配置多數記憶裝 置,又夾多數記憶裝置配置第1及第2資料處理裝置。 典型之做法、以供給時鐘信號之配線連接第1資料處理 裝置與第2資料處理裝置相對面之間,將多數記憶裝置分 開配置在該配線兩側。 更佳以資料匯流排連接第1或第2資料處理裝置之Y軸右 側面之接頭與記憶裝置中Y軸右側之記憶裝置,並以資料 匯流排連接第1或第2資料處理裝置之Y轴左側面之接頭與 記憶裝置中Y軸左側之記憶裝置為其特徵。 又其他形態,即包含:矩形之第1資料處理裝置、第2資 料處理裝置 '多數記憶裝置、及裝載上述各裝置之基片之 資訊處理裝置,其中夾基片面配置第1及第2資料處理裝 置,將第1資料處理裝置之輸入或輸出接頭配置在與第2資 料處理裝置之輸入或輸出接頭相向位置為其特徵。更夾基 片面配置前述多數記憶裝置,將該記憶裝置之時鐘輸入接
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頭、位址輸入接頭、 亦對縮短配線長度有4时调入接頭配置在分別相向位置, 如上述、本發明可 相結合、高速工作之 暴片上配置多數晶片及模塊,互 為解決第2課題,實% 具有配置於2次元陣T、女裝在半導體控制裝置封裝背面 控制裝置,其中在内上之引腳(焊錫球)之封裝之半導體 片鍵合PAD至封裝背而側引腳配設電源和接地,使封裝内晶 源和接地之電感'以/丨腳之距離為最短,減少封裝内電 絲抽故如„ 、 減低半導體控制裝置之輸出緩衝器之 更實際安裝在半導雜扣& 元陣列上之引腳(焊導二控制裝置封"面具有配置於2:欠 最内側配置接地而在球j封裝之半導體控制裝置’其中在 壯μ s u “ A 阳在從内側第2行配置電源引腳,使封 裝内晶片鍵合PAD 5 4+杜* .^ ^ x 封裝背面引腳之距離為最短,特別減 少封裝内接地之雪咸 设吧之電感’以減低半導體控制裝置之輸出緩衝 25之轉換雜訊。 又1〇(輪出入電路)用電源電壓和内部邏輯用電源電壓以 個別之電壓工作之半導體控制裝置,使内部邏輯用電源及 接地引腳多於10用電源及接地引腳,以減低輸出轉換雜 訊0 如上述依本發明因微電腦及邏輯LSI等半導體控制裝置 貫現減低半導體控制裝置之輸出缓衝器轉換雜訴之引腳配 置’即可減低高速外部匯流排之輸出緩衝器轉換雜訊,而 可1¾速輸出入資料。
D:\55636.ptd 第13頁 Λ3Β730 五、發明說明(ίο) 又在陣列上配置引腳之封裝,因如此在封裝内側引腳配 置電源/接地引腳,故可將封裝外側引腳配置在信號線, 將信號線拉出封裝外時只要引腳與引腳間能穿過1支信號 線之實地安裝孔,即可不使用印刷基片上之穿孔拉出信號 線,故實現高速匯流排時可去除穿孔之阻力,並使配線之 電感調整及牽引簡單,使高速外部匯流排之實地安裝容 易。 本發明之典型例,即包含半導體晶片、和内藏半導體晶 片之封裝 '和配置在封裝表面之多數接頭之半導體裝置, 其中多數接頭包括對半導體晶片供給電源或接地之第1種 多數接頭、和將信號輸入半導體晶片或從半導體晶片輸出 信號之第2種多數接頭, 將半導體晶片外緣與第1種接頭各外緣之最短距離之集 合A為A1〜ΛΝ(但N為第1種接頭數), 將半導體晶片外緣與第2種接頭各外緣之最短距離之集 合B為B1〜BM(但Μ為第2種接頭數)時, 集合Β中最小者與集合Α中最大者相同或前者大於後者為 特徵。如此優先縮短電源及接地電位之配線長度以配置引 腳。 此時接頭以矩陣狀配置在形成封裝外形之平面中最大面 積之平面,而該最大面積平面為矩形、通常為正方形。將 該矩形形狀平面外緣與第1種接頭各外緣之最短距離之集 合AX為AX1〜AXN(但N為第1種接頭數),將上述矩形形狀平 面外緣與上述第2種接頭各外緣之最短距離之集合Β X為
D:\55636.ptd 第14頁 436730 五、發明說明(π) ' ~~-------- (但Μ為第2種接頭動)0主 U中最小者相同或前者=時者Α:合"最大者與集合 配置面外緣配置信號弓丨腳:古4。主要在靠近接頭 或包含半導體晶片、和内方配置電源引腳。 等間隔矩陣配置在封裝声 夕導體晶片之封裝、和互以 中將矩陣配置之接頭;最=數接頭之半導體裝置,其 最短距離之接頭為第2 '頭為第1群,與第1群接頭 未屬於第1群之接頭為與第2群接頭最短距離之接頭而 以外之接頭比例比^ 群㈠’第3群之信號輸出入接頭 更佳者、第0之=:為其特徵。 群者大。又將第3、, 現輸出入接頭以外之接頭比例比第2 接頭為第4群時,=接頭最短距離之接頭而未屬於第2群之 比第1群者大良w 4群之信號輪出入接頭以外之接頭比例 即如容後:第8特徵:, 列均可)以矩陣配圖等詳細說明’沿4周(圓排列或矩形排 外側2周配置作=置之内側2周優先配置電源或接地引腳, 在内惻2周嗖定,1弓丨腳。有時需多數信號引腳惟此時適宜 又作轳& i “號引腳亦可。 唬輸出入接 半導體晶片内之^頌以外之接頭當然包含供給驅動形成在 等)用第1及第2電4輯電路(例如以M〇s形成之各種閘、閂鎖 驅動形成在半導位a之接頭。設置多種電源時更包含供給 頭亦可。例如有3晶片内之邏輯電路用第3及第4電位之接 用個別之電源7吩内部邏輯電路、和周邊輸出入電路部使 電源弓丨腳之配、 ’以將供給驅動形成在半導體晶片内之
D:\55636. ptd 第15頁 |89. 10. 214 3 67 3 0 i ; 五、發明說明(12) 特定邏輯閘用第1及第2電位之成對接頭分為屬於第3及第4 群之接頭配置為宜。又將供給驅動形成在半導體晶片内之 特定邏輯閘用第2及第3電位之接頭分為屬於第3及第4群之 接頭配置亦宜。 尤將此等1對電源與接地電位以做為鄰接配置於第3及第 4群之接頭為宜。 將封裝配置在印刷基片上,從屬.於第1及第2群之接頭沿 基片表面拉出配線,從屬於第3及第4群之接頭穿過貫穿基 片之穿孔拉出配線,即可減低對電源之雜訊·之影響而甚 佳。 輸出入接頭可傳輸由形成在半導體晶片内之邏輯電路應 處理之輸入信號,或由形成在半導體晶片内之邏‘輯電路處 理之輸出信號。 又本發明之另一形態,即包含半導體晶片、和内藏半導 體晶片之封裝、和配置在封裝表面之多數導體引腳、和以 電連接半導體晶片之焊接點與上述導體引腳之引線框架之 半導體裝置*其中多數引腳包含供給驅動形成在半導體晶 片之有源元件用之至少2個電位之第1種多數引腳、和輸入 半導體晶片之有源元件調變之信號或輸出半導體晶片之有 源元件調變之信號之第2種多數引腳,第1種引腳與焊接點 間配線長度最大者不超過第2種引腳與焊接點間配線長度 最小者為其特徵。關於引腳配置,可將第1種多數引腳包 圍半導體晶片外緣予以配置,而將第2種多數引腳包圍第1 種多數引腳予以配置。
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43673 0 —--- 五、發明說明(13) 將封裝配置在印刷基片i 基片表面拉出配線’從大部八從大部分第2種多數引腳沿 片之穿孔拉出配線為宜。第1種多數引腳穿過貫穿基 短配線長度以使用穿孔為宜想上全部第1種多數引腳為縮 可得致果。 ’惟大部分(約80%)用穿孔亦 (致果) 如以上說明、依本發明因m 適合外部匯流排之微電腦之2微電腦之控制系統可提供 ⑶與外部記憶體及周邊晶片引之腳二置,使微 '腦等邏輯 最短,並可傳送高速外部匯所需信號線之配線為 k排所需娛樂裝置、資訊機器時其效果大。 ^ 又、依本發明因晶片間之配線縮短、配線之電感減少, 故對削減電磁波妨礙雜瓿亦有效。 又、依本發明因提供對輸出緩衝器轉換雜訊有強效之 電腦及邏輯LSI等半導體控制裝置之引腳配置,減低因高 速外部匯流排之雜訊,故在實現高速匯流排所需娛樂裝 置、影像處理裝_置、資訊機器時其效杲大。 較佳實施例之詳細說明 以第1圖表示本發明之第1實施例 … Η —…* Λ "Ο - 71^卞守姐Ί思騷2 〇 、 ' 22、23置於微電腦10與周邊晶片3〇之間9第1圖 設向微電腦1 〇鱼固a μ 0 n A x j 1yT' 腦10二":邊晶片之配置方向延伸、且通過微雷 8曰片30中央之轴為Y轴時,將半導體記悴體“ 對Y轴成線對稱配置在該γ轴兩側。 隐趙 各個丰·導· t ΙΛ 5己憶體,將位址引腳(AI)R-A ' ADR_B)為内
4 3 67 3 Ο 五'發明說明(u) 侧、將資料引腳(D [ Ο - 1 5 ])為外側橫置予以配置。即各半 導體記憶體,將正交於Y轴之軸為X軸方向時,使長邊與X 軸方向一致予以配置,將各半導體記憶體之位址引腳配置 在比資料引腳靠近Y轴之位置。 此處、半導體記憶體以能實現同步型高速資料傳送之 SDRAM (Synchronous Dynamic RAM 即同步動態 RAM))說明, 惟其他種記憶體、例如同步SRAM或通常之SRAM、DRAM亦 cij" ο 微電腦1 0與周邊晶片3 0為6 4位元資料匯流排。將半導體 記憶體2 0、2 1 ' 2 2 ' 2 3為1 6位元資料匯流排,以4晶片之 半導體記憶體實現6 4位元之匯流排。 從微電腦1 0輸出時鐘1 0 4 '位址匯流排1 0 5、10 6、控制 信號 10 7、10 8、1 0 9、資料匯流排 1 0 0、101、10 2、10 3, 控制半導體記憶體2 0、2 1、2 2、2 3及周邊晶片3 0。 時鐘10 4,從配置在微電腦1 0下面(靠近記憶體之一邊) 之引腳中心輪出,做為半導體記憶體2 0、2 1 、2 2、2 3及周 邊晶片3 0之工作時鐘使用。即第1圖例中時鐘係從微電腦 10沿Υ軸向周邊晶片配線,中途分為左右供給記憶體 20-23 = 位址匯流排10 5、10 6以微電腦10之時鐘輸出為中心左右 配置輸出。將1 0 5為半導體記憶體之位址之下位位元(例如 A 0至A 6 ),將10 6為半導體記憶體之位址之上位位元(例如 Λ 7至A 1 7 ),輸入半導體記憶體2 0、2 1 、2 2 ' 2 3及周邊晶片 3 0。第1圖僅將位址1 0 5輸入周邊晶片3 0,惟映射在周邊晶
D:\55636.ptd 第18頁 43 67 3 0 五、發明說明α5) 片3 0内之位址空間大時’並將位址i 〇 6輸入周邊晶片3 〇亦 "5j™ 〇 控制信號1Q 7 (對右側記憶體之寫入選通)、丨〇 8 (對左側 記憶體之寫入選通)、10 9 (組件選擇 '讀出/寫入轉換信 號、RAS選通' CAS選通)從微電腦丨〇之位址更外側輸出’ 與左右半導體記憶體共同之控制信號丨〇 9輸出於半導體記 憶體2 0 ' 2 1、2 2、2 3及周邊晶片3 〇。控制信號1 〇 7輸出於 右側半導體記憶體21、2 3及周邊晶片3 0,控制信號1 0 8輪 出於左側半導體記憶體2 0 ' 2 2及周邊晶片3 0。 資料匯流排1 0 0、1 0 1、1 〇 2、1 〇 3為1 6位元單位之資料匯 流排’例如1 00係從DO至D15、101從D16至D31、102從D32 至D 4 7、1 0 3從D 4 8至D 6 3。各個分別從微電腦1 〇左右側輸 出,連接於半導體記憶體20、21、22、23及周邊晶片30。 如此、連接微電腦1Q與半導體記憶體2 〇、2 1、2 2、2 3及 周邊晶片3 0時,將輸出負荷容量重(連接於4個記憶體與1 個周邊晶片時,因每晶片從5 PF至7 pF,故負荷容量為25 pF至35 pF)之時鐘、位址、控制信號引腳集中在微電腦1 〇 下面’使半導體記憶體2 〇、2 1、2 2、2 3之位址匯流排成為 内側(靠近連接微電腦1 〇中心與周邊晶片3 〇中心之線(Y軸) 方向)橫置配置’以便將此等信號線以最短距離通過半導 體記憶體2 0 ' 2 1、2 2、2 3與周邊晶片3 0之間予以配線。 尤因時鐘信號丨〇 4比其他信號線之工作頻率高(通常為2 倍以上)’而需採取配線電感之匹配及延遲有關之對策, 故置於下邊之中心。又關於控制信號丨〇 7和控制信號1 0 8,
D:\55636. ptd 第19頁 4367 3 Ο 五、發明說明(ί6) 將連接在右惻半導體記憶體2 1、2 3之控制信號1 Ο 7配置於 右側,而將連接在左側半導體記憶體之控制信號10 8配置 於左側,以縮短各配線長度。 資料匯流排因負荷容量輕(連接於1個記憶體與1個周邊 晶片時,因每晶片從5 pF至7 pF,故負荷容量為10 pF至 1 4 pF ),而即使配線多少比上述位址等信號線長,惟延遲 時間不大,故配置在微電腦1 0左右,連接於半導體記憶體 2 0、2 1、2 2、2 3後使其達周邊晶片3 0予以配置。資料匯流 排因匯流排寬度寬達64位元,故分成各32位元配置在左右 邊。 無需高速工作之信號配置於微電腦上邊(遠離記憶體之 一邊),連接於各種介面及連接器。因此可實現高速之外 部匯流排11 第2圖係本發明之第2實施例。本發明即將半導體記憶體 2 0、2 1配置在印刷基片背面。以點線表示實地裝在背面之 記憶體。又亦以點線表示背面之記憶體配線。由於將半導 體記憶體20 ' 21配置在半導體記憶體22、23背面,故更可 縮短微電腦10 '和半導體記憶體2 0 、2 1、2 2 ' 2 3與周邊晶 片3 0之配線。背面之配線由於貫穿印基片之配線更容易達 成。 第3圖係本發明之第3實施例。本發明之半導體記憶體 4 0、4 i分別為3 2位元匯流排之記憶體。由於使用3 2位元匯 流排之記憶體,可使時鐘、位址、控制信號之負荷容量為 最大3以下(連接於2個記憶體和1個周邊晶片時,因每晶片
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4367 3 0 五、發明說明(18) ---- MHz),故印刷基片上配線較長亦可,而微電腦1〇 衝器以低速緩衝器亦可。 %出緩 又因位址111 (ADR-C)為位址匯流排上位之位元 (A丨8 - A 2 3 ),僅用於比較低速之存取時間為丨〇 〇毫微 之SRAM或ROM之連接,而印刷基片上配線較長亦無問/以上 故可配置在微電腦1 0上邊。 …題’ 第8圖係BGA (Ball grid array即球柵陣列,以下Μ Λ , 「間牙冉 B G A)封裝之微電腦引腳配置之實施例。 第11圖、第12圖係QFP (Flat package即扁平封歡組 件’以下簡稱QFP)之引腳配置圖。第η圖為左半部,第12 圖為右半部。該QFP係裝載於引線框架,並由BGA封裝内藏 之。以引線框架連接QFP與BGA封裝之引腳。 第9圖 '第10圖係第11圖、第12圖之微電腦之弓丨腳說明 圖。BGA與QFP之下邊均為縮短與半導體記憶體間配線長度 之信號線,其左右成為資料匯流排。 第5圖係BGA封裝之微電腦1 〇與半導體記憶體之連接例。 此圖係第1圖之微電腦1 0與記憶體2 0連接部分之擴大圖s 記憶體使用SDRAM。 第6圖係說明第5圖所示SDRAM之引腳圖(即表)。SDRAM20 將位址引腳為内側橫置予以實地安裝。以下說明有關微電 腦ί 0與記憶體2 0間之配線。首先、將時鐘1 〇 4 (C K I 0)優先 配線。其次、連接位址匯流排105( A3-Α6)、106(Λ7-Λ14) 。A 1 3與A 1 4通過記憶體2 0背面連接。因控制信號1 〇 8為依 連接之記憶體功能不同之信號,故SDRAM時選擇
D:\55636.ptd 第22頁 Λ367 3 Ο 五'發明說明(19) WEH/CASH/DQMl、WEO#/CASO#/DQMO 信號之DQMO、DQM1 之 功能,連接於記憶體20之UDQM、LDQM » LDCJM之配線通過記 憶體20背面。又關於控制信號109、CS2#連接於記憶體20 之CS#(Chip select即組件選擇),RAS#與記憶體20之RAS# 連接。因RD#/CASS#/FRAME#係依連接之記憶體功能不同之 信號’故SDRAM時選擇CASS#信號,與記憶體20之CAS#連 接。RD/WR#與記憶體20之WE#連接。 資料匯流排1 0 0,將1 6位元之資料匯流排在微電腦1 〇與 記憶體2 0間分別以一對一連接。此處、D 8 - D1 5與記憶體2 〇 以表面配線層連接’ D 0 - D 7通過記憶體2 0背面與記憶體之 資料引腳連接。 由於如此連接,可使微電腦1 〇與記憶體2 〇間之配線最 短。因僅以表面配線層即能同時替代幾乎所有配線,故穿 孔數亦減少,容易調整配線之電感,並可強化電源接地 層。 同樣、其他記憶體2 1、2 2、2 3亦可同樣以最短連接。本 實施例僅說明SDRAM,惟對其他高速記憶體亦可適用。 若將來LSI之集成度更提高時,可將微電腦與半導體 記憶體20、21、22、23和周邊晶片30之各模塊成為單片" 惟此時若用此說明之實施例之配置,亦可實現可古 J 1¾迷工仲 之模塊間之配線。 本發明並不特定於娛樂裝置、影像處理裝置、推册次 1¾ 0„ ^ 碼f -貝訊 〜态,亦可適用於家庭用電氣製品、資訊通信槐 裝置。 %态、控制
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第23頁 436730 五、發明說明(20) 第13圖說明本發明之半導體控制装置之封裝之一實施 例。第13圖係從背面看封裝之圖。封裝舉25 6引腳之_gGA封 裝為例說明。在封裝31 〇之晶片背面配置2 5 6個引腳(球) 32 0。引腳32 0以縱2〇個、橫20個配置,實地全部安裝即具 有400個引腳,惟茲所示256引腳之封裝310,實際上未裝 内側之1 4 4個,而實地在外側4行裝引腳。最外周為縱2 〇、 橫2 0個’其内側為縱1 8、橫1 8個,其更内側為縱1 6、橫1 6 個,實際安裝之最内周為縱14、橫14個。本實施例之封裝 外形為約2 7 m m四方。 第1 4圖係第1 3圊A之封裝3 1 0之斷面圖,即說明封裝3 1 〇 内部之構造。在封裝3 1 0内部實地安裝邏輯LSI晶片7 0、引 線框架90 ’製作在邏輯LSI晶片7〇上之鍵合pA])7:l與引線框 架9 0各引腳以鍵合線8 〇連接。 引線框架90和引腳32 0以穿孔連接各引腳。因最内側引 腳34 0配置在鍵合線8〇與引線框架9〇之接點之臨近位置, 故幾乎黑引線框架90之電感,而僅看出鍵合線之電感。 一方面由於外側引腳321距鍵合線80與引線框架90之接點 更至引腳21尚有一段距離,故出現引線框架9〇之電感之影 響。因此、最内側引腳34 0比其他引腳之電感小,適於做 為電源/接地引腳使用。 第1 〇圖係封裝内部之示意圖,更詳細加以說明。茲為簡 化附圖、設邏輯LSI晶片70上之鍵合口八!)71數為40個(各邊 1 〇個),引腳3 2 0總數為4 〇個,以外侧與内側2行構成,又 外側為各邊5個、内側為各邊&個。
D:\55636. ptd 4367 3 Ο 五•發明說明(21) 邏輯L S I晶片7 0,以10用電源5 1和内部邏輯用電源5 0之2 電源工作。此處、内部邏輯用電源5 〇為降低晶片之消耗電 力’通常用低於10用電源51之電壓。又設4支10用電源51 之引腳、8支1〇用接地61之引腳、4支内部邏輯用電源50之 引腳、4支内部邏輯用接地60之引腳。 首先、簡單說明邏輯LSI晶片70内部之構造。邏輯LSI晶 片7 0由以I 0電源5 1工作之區7 3和由内部邏輯用電源5 0工作 之區74構成》ί〇電源工作區73主要由鍵合PAD71、自輸出 入電路及内部電源之電壓位準變換為I 〇電源之電壓位準之 位準轉換電路7 2構成,控制與外部電路之輸出入。但、I 〇 用電源電壓與内部邏輯用電源電壓相同時無需位準轉換電 路。内部電源工作區74實地裝有微電腦及邏輯LSI之主要 功能。 其次、說明封裝3 1 0上之引腳32 0和引線框架9 0之構造。 為了降低電源和接地引腳之電感,將電源和接地引腳分攤 於内側引腳、而將信號線分攤於外側引腳。連接邏輯LSI 晶片7 0上之鍵合ΡΛD 7 1與引線框架9 0之鍵合線8 0之長度, 與信號線與電源/接地引腳均略相同。電源/接地引腳之引 線框架之配線長度短至外側信號線之引線框架之配線長度 之約1 / 2至1 / 3,電源/接地引腳之引線框架電感變小。 以第16圖說明由10用電源51與内部邏輯用電源5〇之2電 源構造工作之2 5 6引腳之引腳配置構造。茲設I 〇電源為 3. 3 V、内部電源為1 · 8 V。將内部邏輯用電源5 〇 (圖中以黑 引腳表示)與内部邏輯用接地6 0 (圖中以黑引腳表示)、I 〇
D:\55636.ptd 第25頁 436730 五、發明說明(22) 用電源31與1〇用接地61分攤於最内側、與從内側第2行之 弓1。因内部邏輯用電源5〇和内部邏輯用接地6〇與輸出緩 ,器之雜訊無關,故其引腳數由内部邏輯之消耗電力決 定三一般能實地裝在塑膠封裝之LS [晶片之消耗電力約為i 瓦特至1. 5瓦特,故内部邏輯用電源5 〇和内部邏輯用接地 6 0之引腳比I 〇用電源/接地引腳少即可。在此 '内部電源 3〇與接地60各邊分攤各2支。將其餘分攤於1〇用電源51與 Ϊ0用接地61即可。 第17圖係印刷基片11〇上之電源/接地、及去辑電容器 4 0 0之實際安裝之實施例。茲將接地引腳分攤於最内側引 腳3 4 0,將電源引腳分攤於從内側第2行之引腳3 30 »印刷 基片為4層基片,第1層為配線層、第2層為接地層、第3層 為電源層、第4層為配線層。 將封裝3 1 0背面未安裝引腳之第1層4 0 1在印刷基片11 〇上 做為接地層4 0 1,使該接地層4 0 1與接地引腳之配線長度為 最短。因此、在印刷基片110上亦可減少接地配線之電感 成分。 又實地裝在電源引腳與接地引腳間之去耦電容器400 ’ 可從電源引腳與接地引腳附近經穿孔配線於第4層’以最 短配線實地安裝。因此、可使印刷基片11 〇上之電源/接地 配線長度為最短,更可將去耦電容器40〇配置在最短位 置β因此、可抑制輸出缓衝器之轉換雜訊° 其次、說明信號線之印刷基片上之配線° 第1 8圖係擴大第1 3圖3Β部分之引腳配置構成圖。引腳3 2 0
D;\556364 ptd 第26頁 436730 丑 '發明説明(23) 之尺寸為0. 75 mm、引腳32 0之間隔為1, 27 mm。 第1 9圊係實際安裝本封裝之印刷基片構造圖。設與引腳 3 2 0錫俘用印刷基片上引腳圖形4 0 2之尺寸為0, 95 mm時, 引聊圖形4 0 2之間隔為〇,3 m m,以此間隔可拉出之信號線 55為配線寬度mm、引腳圖形間之間隔〇·ι龍之1支信 號線。因將信號線分攤於外側2行之引腳,故最外側和外 側第2 -ί亍L號線均可拉出晶片外。因此、由於不使用穿孔 可將信號線拉出封裝外惻,故封裝背面之印刷基片無需信 號線之穿孔’可抑制因穿孔之内層電源層/接地層面積之。 削減’而可強化電源層/接地層。結果、從封裝3丨〇之信號 線容易與外部晶片及連接器連接。 b 第8圖係微電腦之引腳配置實施例。又第9圖 '第丨〇圖係 s兒明上述微電腦之k號引腳用途表。本封裝以g G a為例。μ 即在最内側配置接地,從最内側第2行配置電源之引腳分 攤。10用電源數為30支、10用接地數為32支、内部邏輯用 電源數為8支、内部邏輯用接地數為8支。又I 〇用電源/接 地數為輸出信號線4支1對之構造。與高速記憶體之介面所 需資料匯流排(D 0 -. D 6 3 )、位址匯流排(a 2 - A1 7) '控制信號 (CKIO、CS2# 'CS3#、RAS#、R])#/CASS#/FRAME#、 WEn?/CASn#/DQMn(n = 0-7))等必分攤於外側2行。外惻2行 之信號線支數不足時’亦可將部分信號線分攤於内惻2 行。 如以上說明、微電腦及邏輯LS I等半導體控制裝置之封 裝引腳配置時,内側配置電源/接地即可提供對輪出緩衝
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第27頁 4367 3 Ο 五1發明說明(24) _ 器轉換噪聲之防止有強效之半、曾 本發明不僅對BGA封裝V體控制裝置。 丨〇J樣料 >
(Pin grid ariay即引腳柵陣 ' 片背面^己置球之PGA
Package即片尺寸封裝)亦可;封裝、CSP(Chip size 裝在以陣列上2次元配置在用\ 半導體控制裝置,即在内側/敦背面之引腳配置封裝之 側引腳配置信號線為特徵之聊配置電源和接地,而在外 在最内側引腳配置接地,…導體控制裝置β 腳為特徵之半導體控制裝置=内側第2行引腳配置電源引 以I 0用電源和内部邏輯用 及接地引腳多於内部邏輯用之2電源工作,10用電源 體控制裝置== _源及接地引腳為特徵之半導 —種包含半導體晶片' 置在封裝表面之多數接頭令丄臧半導體晶片之封裝 '和配 括對半導體晶片供給電源導體裝置,其中多數接頭包 信號輸入半導體晶片或從半種多數接頭、和將 數接頭,將半導體晶片外綠00片輸出信號之第2種多 離之集合A為AHN (但N為第u ^ =頭各外緣之最短距 緣與第2種接頭各外緣種接頭數),將半導體晶片外 第2種接頭數)時,集合=距離之集合B為Μ〜BM(但Μ為 前者大於後者為特;:取小者與集合Λ中最大者相同或 少數接頭以矩陣狀配 積之乎面,而該最大面積:::封裝外形之平面中最大面 外緣與苐1種接頭各外缘之為矩形’將該矩形形狀平面 Γ孑之攻短距離之集合ΑΧ為
第28頁 4367 3 Ο 五,發明說明(25) Λ X卜Λ X Ν (但Ν為第1種接頭數)’將上述矩形形狀平 與上述第2種接頭各外緣之最短距離之集合β X為 緣 ΒΧ卜ΒΧΜ(但Μ為第2種接頭數)時,集合Βχ中最大 ΛΧ中最小者相同或前者大於後者為特徵。 /、市合 或包含半導體晶片、和内藏半導 等間隔矩陣配置在封裝表面之多數“之=和互以 中將矩陣配置之接頭中最外緣接頭裝置,其 最短距離之接頭為第2群,與第2接 〃、弟1群接頭 未屬於第1群之接頭為第 群接頭最紐距離之接頭而 以外之接頭比例比=群:V其=?信㈣^ 其以It t ^^裝出置入接頭以外之接頭比例比第2群者大為 又將第3群接頭最短距離之唑 第4群時,第4群之信號於·4頭而未屬於第2群之接頭為 群者大為其特徵之半導^裝^,頭以外之接頭比例比第! 又仏號輸出入接頭以外 導體晶片内之邏輯雷 、,匕a供給驅動形成在半 半導體裝置。 一路用弟1及第2電位之接頭為其特徵之 包含供給驅動形成在半導 電位之接頭為其特徵之半 内之特定邏輯閘用第1及 及第4群之接頭配置為其 信號輸出接頭以外之接頭, 體晶片内之邏輯電路用第3 導體裝置。 將供給驅動形成在半導體 第2電位之成對接頭分為屬^ 特徵之半導體裝置。
D:\55636,ptd 第29頁 五、發明說明(26) 又將供給驅動形成在半導體晶片内之特定邏輯閘用第2 及第3電位之接頭分為屬於第3及第4群之接頭配置為其特 徵之半導體裝置。 分為屬於第3及第4群之接頭配置之接頭,為配置於最近 位置之接頭為其特徵之半導體裝置。 將封裝配置在印刷基片上,從屬於苐1及第2群之接頭沿 基片表面拉出配線,從屬於第3及第4群之接頭穿過貫穿基 片之穿孔拉出配線為其特徵之半導體裝置。 輸出入接頭可傳輸由形成在半導體晶片内之邏輯電路應 處理之輸入信號,或由形成在半導體晶片内之邏輯電路處 理之輪出信號為其特徵之半導體裝置。 又本發明之另一形態,即包含半導體晶片、和内藏半導 體晶片之封裝 '和配置在封裝表面之多數導體引腳、和以 電連接半導體晶片之焊接點與上述導體引腳之引線框架之 半導體裝置,其中多數引腳包含供給驅動形成在半導體晶 片之有源元件用之至少2個電位之第1種多數引腳、和輸入 半導體晶片之有源元件調變之信號或輸出半導體晶片之有 源元件調變之信號之第2種多數引腳,第1種引腳與焊接點 間配線長度最大者不超過第2種引腳與焊接點間配線長度 最小者為其特徵。 將第1種多數引腳包圍半導體晶片外緣予以配置,而將 第2種多數引腳包圍第1種多數引腳予以配置為其特徵之半 導體裝置。 將封裝配置在印刷基片上,從大部分第2種多數引腳沿
D:\55636.ptd 第30頁 d367 3 Ο 五、發明說明(27) 基片表面拉出配線,從大部分第1種多數引腳穿過貫穿基 片之穿孔拉出配線為其特徵之半導體裝置。 圖式之簡單說明 第1圖係依照本發明之第1實施例之微電腦控制裝置構造 之平面圖。 第2圖係本發明之第2實施例之微電腦控制裝置構造之平 面圖。 第3圖係本發明之第3實施例之微電腦控制裝置構造之平 面圖。 第4圖係本發明之第4實施例之微電腦控制裝置構造之平 面圖。 第5圖係說明本發明之微電腦與記憶體之連接平面圖。 第6圖係說明記憶體信號名表。 第7圖係本發明之微電腦與周邊晶片之實際安裝斷面 圖。 第8圖係說明本發明之BGA封裝之引腳配置圖。 第9圖係說明本發明之BGΑ與QFP之封裝引腳表。 第10圖係說明本發明之BGA與QFP之封裝引腳表。 第1丨圖係本發明之實施例之QFP之封裝引腳配置圖之左 半部平面圖。 第1 2圖係本發明之實施例之QFP之封裝引腳配置圖之右 半部平面圖。 第1 3圖係本發明之半導體控制裝置封裝之引腳配置構造 平面圖。
D:\55636.ptd 第31頁 4367 3 Ο 五'發明說明(28) 苐14圖係本發明之第1圖之封裝之Α斷面圖。 第1 5圖係本發明之半導體控制裝置封裝内部實際安裝一 例之模式圖。 第1 6圖係本發明之半導體控制裝置封裝之引腳配置構造 圖之其他實施例平面圖。 第1 7圖係本發明之封裝對印刷基片之實際安裝斷面圖。 第1 8圖係本發明之第1 3圖B部分之擴大平面圖。 第19圖係實際安裝本發明封裝之引腳圖形構造平面圖。 圖號說明 1 0 · . ·微電腦 2 0〜2 3 ··.半導體記憶體 30 • •周 邊 晶 片 40 、41 * * * 記 憶體 50 •内 部 邏 輯用電源 51 •10 用 電 源 5 5 •信 號 線 60 •内 部 邏 輯用接地 61 • 10 用 接 地 70 .周 邊 模 塊(圖4 )、 邏 輯LSI晶片(圖 14) 71 .模 仿 器 (圖4)、鍵 合P/\D(原文P. 23 、圖 14) 72 .時 鐘 振 盪電路(圖 4) > 位準轉換電 路(圖1 5 73 • 10 埠(圖4 )、I 0電 源 工 作區(圖1 5 ) 74 .串 列 介 面(圖4 ) ' 内 部 電源工作區 (圖 15) 75 •介 入 電 路
D:\55636.ptd 第32頁 五、發明說明(29) 8 0 · * ,鍵合線 10 (L· 10 3 ·· ‘ 匯流排 104 · 時鐘(信號) 1 0 5、 1 0 6 * ·位址匯流排1 0 7〜1 0 9 ···控制信號 110 ···控制信號(原文P, 20、圖4)、印刷基片(圖17) 111 · · ·位址 2.0 0 · · •印刷基片 201 · · ·信號引腳 2 0 2 · · 電源引腳 2 0 3 _ ..接地引腳 310 _ . ·封裝 320 ' 330 、 340 · · •引腳 4 0 0 · · ·去耦電容器 4 01 ...接地層 40 2 ...引腳圖形
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Claims (1)
- 89. l〇. 2 i 436730 _ 案號8Π18357_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 . 一種微電腦控制裝置,由微電腦、周邊控制半導體裝 置、及多數半導體記憶體構成,其特徵為在微電腦與周邊 半導體裝置間配置多數半導體記體,且從前述微電腦之與 前述半導體記憶體之位置最近邊中央輸出時鐘信號,從其 時鐘輸出之左右輸出位址信號,從其位址輸出之更外側輸 出控制信號,從前述微電腦與前述半導體記憶體之位置次 近邊輸出資料匯流排。 2 .如申請專利範圍第1項之微電腦控制裝置,其中配置 在前述微電腦與周邊控制半導體裝置間之半導體記憶體係 以位址引腳為内側,資料引腳為外側橫置配置而成。 3 .如申請專利範圍第1項之微電腦控制裝置,其中前述 微電腦與周邊控制半導體裝置之引腳係以線對稱配置而 成。 4.如申請專利範圍第2項之微電腦控制裝置,其中前述 微電腦與周邊控制半導體裝置之引腳係以線對稱配置而 成。 5 .如申請專利範圍第1項之微電腦控制裝置,其中前述 微電腦具有背面配置成陣列狀2次元之引腳配置封裝,該 引腳配置係在内側配設電源引腳和接地引腳而在外側配設 信號線引腳。 6 .如申請專利範圍第5項之微電腦控制裝置,其中前述 微電腦封裝在最内側配置接地引腳,而在從内側第2行配 置電源引腳。 7.如申請專利範圍第1項之微電腦控制裝置,其中將前P:\Pub.p\PATENT\556\55636.ptc 第1頁 2000.10.21.007 '年月日 通 /) -¾ G 87118357 υ 年 月 修正 六'申請專利範圍 述微電腦、和前述周邊控制半導體裝置、和前述多數半導 體記憶體成為單片(One chip)。 8 . —種資訊處理裝置,包含具有演算功能之第1半導體 裝置、和具有記憶功能之第2及第3之半導體裝置,假設通 過上述第1半導體裝置之軸為Y軸時,將上述第2及第3之半 導體裝置配置為對Y軸成線對稱,在上述第1半導體裝置之 靠近上述第2及第3半導體裝置之邊具有輸出時鐘信號之時 鐘信號接頭,從該時鐘信號接頭將時鐘信號供給上述第2 及第3半導體裝置。 9.如申請專利範圍第8項之資訊處理裝置,其中假設正 交於前述Y軸之X軸時,前述苐2及第3半導體裝置沿上述X 軸方向排列。 1 0.如申請專利範圍第9項之資訊處理裝置,其中在前述 Y軸上設有具備演算功能之第4半導體裝置,在該第4半導 體裝置與前述第1半導體裝置之間配置前述第2及第3半導 體裝置,將由前述第1半導體裝置供給之時鐘信號輸入配 置在上述第4半導體裝置之靠近上述第2及第3半導體裝邊 之時鐘信號輸入接頭。 1 1.如申請專利範圍第1 0項之資訊處理裝置,其中傳輸 前述時鐘信號之配線穿過前述第2及第3半導體裝置之間。 1 2.如申請專利範圍第11項之資訊處理裝置,其中前述 第1半導體裝置之時鐘接頭左右具有位址信號接頭,從該 位址信號接頭將位址信號供給上述第2及第3半導裝置。 1 3.如申請專利範圍第8至1 2項中任一項之資訊處理裝P:\Pub.p\PATENT\556\55636.ptc 第2頁 2000.10.21.008 89.10. t號.丨87118357 436730 年 月 修正 六、申請專利範圍 置,其中前述第1半導體裝置具有背面配置成陣列狀2次元 之引腳配置封裝,該引腳配置係在内側配設電源引腳和接 地引腳而在外側配設信號線引腳。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之資訊處理裝置,其中前述 第1半導體裝置封裝,最内側配置接地引腳,而在内側第2 行配置電源引腳。 1 5.如申請專利範圍第1 2項之資訊處理裝置,其中將前 述第1半導體裝置封裝之時鐘信號接頭之邊為第1邊,將該 第1邊兩側之邊為第2及第3邊時,將對配置在各邊接頭數 之資料信號輸出入接頭數之比例設定為第2或第3邊之比例 大於第1邊之比例。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之資訊處理裝置,其中前述 第2及第3半導體裝置在平行於前述X軸方向具有長邊,在 該長邊上述位址信號輸入之接頭配置於比資料信號輸出入 接頭靠近Y軸位置。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之資訊處理裝置,其中前述 第4半導體裝置之時鐘信號輸入接頭之同邊具有位址信號 輸入接頭,將前述第1半導體裝置之位址信號輸入該位址 信號輪入接頭。 1 8.如申請專利範圍第1 7項之資訊處理裝置,其中將前 述第4半體裝置之時鐘信號輸.入接頭之邊為第1邊,將該第 1邊兩侧之邊為第2及3邊時,將對配置在各邊接頭數之資 料信號輸出入接頭數之比例設定為第2或第3邊之比例大於 第1邊之比例。P:\Pub,p\PATENT\556\55636.ptc 第3頁 2000.10.21.009 ;" 4 3 67 3 Ο ;___________ '' ΦΜ 87118357_年月曰_^_ 六、申請專利範圍 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之資訊處理裝置,其t具有 與前述第2及第3半導體裝置同樣構造之第5及第6半導體裝 置,將該第5及第6半導體裝置對Y轴以線對稱配置,且上 述第5及第6半導體裝置在平行於前述X軸方向具有長邊, 在該長邊之位址信號輸入接碩配置於比資料信號輸出入接 頭靠近前述第1半導體裝置之時鐘信號接頭位置。 2 0.如申請專利範圍第1 9項之資訊處理裝置,其中前述 第5及第6半導體裝置配置在與裝配前述第2及第3半導體裝 置之基面之同一基片面,且配置在前述第1與第4半導體 裝置間。 2 1.如申請專利範圍第1 9項之資訊處理裝置,其令前述 第5及第6半導體裝置配置在與裝配前述第2及第3半導體裝 置以面對稱配置而成。 2 2.如申請專利範圍第2 1項之資訊處理裝置,其中前述 第2、第3、第5及第6半導體裝置為具有1 6位元資料匯流排 之半導體記憶體。 2 3.如申請專利範圍第1 3項之資訊處理裝置,其中具備 模仿器、時鐘振盪電路、輸出入埠、串列介面、及介入電 路中之至少一種做為周邊模塊,連接配置在前述第1半導 體裝置之第1至第3邊以外邊之接頭與上述周邊模塊。 2 4.如申請專利範圍第1 3項之資訊處理裝置,其中具有 與前述第2及第3半導體裝置不同種類之半導體記憶體,連 接配置在前述第1半導體裝置之第1至第3邊以外邊之接頭 與上述半導體記憶體。P:\Pub.ρ\ΡΛΤΕΝΤ\556\55636.ptc 第4頁 2000.10.21.010 89. ί〇.: 年月 補I 436730 87118357 _月 修正 六、申請專利範圍 2 5 .如申請專利範圍第1 〇項之資訊處理裝置,其中前述 第4半導體裝置為影像資料處理用之半導體裝置。 2 6.如申請專利範圍第1 〇項之資訊處理裝置,其中前述 第4半導體裝置具有背面配置成陣列狀2次元之引腳配置封 裝,該引腳配置係在内側配設電源引腳和接地引腳而在外 側配設信號線引腳。 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項之資訊處理裝置,其中前述 第4半導體裝置封裝,最内側配置接地引腳,而在從内側 第2行配置電源引腳。 2 8.—種資訊處理裝置,將微電腦和2個半導體記憶體配 置在基片上而構成,在平行於上述微電腦第1邊方向排列 配置上述2個半導體記憶體,以時鐘匯流排、位址匯流 排、資料匯流排連接上述微電腦與半導體記憶體間,將上 述時鐘匯流排連接在配置於上述微電腦第1邊之接頭。 2 9.如申請專利範圍第2 8項之資訊處理裝置,其中前述 微電腦具有背面配置成陣列狀2次元之引腳配置封裝*該 引腳配置係在内側配設電源引腳和接地引腳在外側配設信 號線引腳。 3 0.如申請專利範圍第2 9項之資訊處理裝置,其中前述 微電腦封裝,最内側配置接地引腳,而在從内側第2行配 置電源引腳。 3 1.如申請專利範圍第2 8項之資訊處理裝置,其中配置 在夾前述微電腦第1邊之第2邊和第3邊之接頭中連接在上 述資料匯流排之接頭比例大於配置在上述第1邊之接頭中P:\Pub.p\PATENT\556\55636.ptc 第5頁 2000,10.21.011 :¾號, .1 \ ' 87liS3'57i;, ο 曰 修正 六'申請專利挺圍 連接在上述資料匯流排之接頭比例。 3 2 .如申請專利範圍第2 8或3 1項之資訊處理裝,其中將 上述位址匯流排連接在配置於上述微電腦第1邊之接頭。 3 3.如申請專利範圍第2 8項之資訊處理裝,其中前述2個 半導體記憶體長邊平行於前述微電腦第1邊,將上述位址 匯流排和資料匯流排連接在配置於該長邊之接頭,將上述 位址匯流排連接在靠近上述2個半導體記憶體相對邊之接 頭。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之資訊處理裝,其中在前述2 個半導體記憶體長邊之連接前述位址匯流排之接頭與連接 資料匯流排接頭間之接頭,連接前述時鐘匯流排。 3 5. —種資訊處理裝置,包含:矩形之第1資料處理裝 置、第2資料處理裝置、多數記憶裝置、及裝載上述各裝 置之基片之資訊處理裝置,其特徵為上述基片面上假設互 相正交之X軸和Υ軸時,Υ軸上配置上述第1及第2資料處理 裝置,並對上述Υ軸以線對稱配置上述多數記憶裝置,且 對X軸以線對稱配置上述多數記憶裝置,又夾上述多數記 憶裝置配置上述第1及第2資料處理裝置。 3 6.如申請專利範圍第3 5項之資訊處理裝,其中以供給 時鐘信號之配線連接前述第1資料處理裝置與第2資料處理 裝置相對面之間,將前述多數記憶裝置分開配置在該配線 兩側。 3 7.如申請專利範圍第3 6項之資訊處理裝置,其中以資 料匯流排連接前述第1或第2資料處理裝置之Υ軸右側面之P:\Pub.p\PATENT\556\55636.ptc 第6頁 2000.10. 21.012 ί *<· -··- 年月曰 43 67 3 0 Μ 87118357 年 月 修正 六、申請專利範圍 接頭與前述記憶裝置令Υ轴右側之記憶裝置,並以資料匯 流排連接前述第1或第2資料處理裝置之Υ軸左側面之接頭 與前述記憶裝置中Υ軸左側之記憶裝置。 3 8. —種資訊處理裝置,包含:矩形之第1資料處理裝 置、第2資料處理裝置、多數記憶裝置、及裝載上述各裝 置之基片,其特徵為夾上述基片面配置上述第1及第2資料 處理裝置,將上述第1資料處理裝置之輸入或輸出接頭配 置在第2資料處理裝置之輸入或輸出接頭相向位置。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項之資訊處理裝置,其中夾前 述基片面配置前述多數記憶裝置,將該記憶裝置之時鐘輸 入接頭、位址輸入接頭、資料輸入接頭配置在分別相向位 置。Ρ:\Pub.p\PATENT\556\55636.ptc 第7頁 2000.10.21.013
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30391297 | 1997-11-06 | ||
JP30391397 | 1997-11-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW436730B true TW436730B (en) | 2001-05-28 |
Family
ID=26563687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087118357A TW436730B (en) | 1997-11-06 | 1998-11-04 | Information processor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3896250B2 (zh) |
TW (1) | TW436730B (zh) |
WO (1) | WO1999024896A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4387403B2 (ja) | 2004-03-19 | 2009-12-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電子回路 |
JP4979097B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-07-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マルチチップモジュール |
JP7238481B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-03-14 | 株式会社アイシン | 半導体モジュール及び半導体装置 |
US20200349984A1 (en) * | 2019-05-01 | 2020-11-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Semiconductor package configuration for reduced via and routing layer requirements |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6193694A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | 松下電器産業株式会社 | 集積回路装置 |
JPH07107956B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1995-11-15 | 沖電気工業株式会社 | プロセッサ塔載回路 |
JP2960560B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1999-10-06 | 株式会社日立製作所 | 超小型電子機器 |
-
1998
- 1998-10-30 WO PCT/JP1998/004928 patent/WO1999024896A1/ja active Application Filing
- 1998-10-30 JP JP2000519828A patent/JP3896250B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-04 TW TW087118357A patent/TW436730B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3896250B2 (ja) | 2007-03-22 |
WO1999024896A1 (fr) | 1999-05-20 |
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