TW434586B - Resistor - Google Patents

Resistor Download PDF

Info

Publication number
TW434586B
TW434586B TW088100789A TW88100789A TW434586B TW 434586 B TW434586 B TW 434586B TW 088100789 A TW088100789 A TW 088100789A TW 88100789 A TW88100789 A TW 88100789A TW 434586 B TW434586 B TW 434586B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode layer
upper electrode
substrate
layer
resistor
Prior art date
Application number
TW088100789A
Other languages
English (en)
Inventor
Shogo Nakayama
Seiji Tsuda
Akio Fukuoka
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Ind Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Ind Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW434586B publication Critical patent/TW434586B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/142Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

434BII 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(!) 本發明所屬之技術領域 本發明係有關於一種使用在高密度配線電路之電阻器 〇 習知技藝 習知所知的電阻器之一例,有在特開平342901號所 公開之晶片電阻器。現參照在第8圖所示之斷面圖而以工 程順序說明該習知之電阻器。 首先’在絕緣性陶究之晶片基板2上的兩端部,依眾 所知的光蝕刻法或玻璃板屏幕印刷法等,將含有金而作為 金屬有機物材料之金合金糊狀物作圖案印刷,再以約85〇 C之溫度燒成而形成1對基極電極3。於此,由於使用有機 物成份較金屬成份為多之金属有機物材料,是故,基極電 極3可成為膜厚較薄之膜。因此’使用該糊狀物(糊劑)之 •場合,能抑制金消耗量,乃有能以廉價製造之魅力。 其次,使1對基極電極3與兩端部會重疊,而以所眾知 之玻璃板屏幕印刷法將Ru系列之糊劑作圖案印刷,再以 约850°C之溫度燒成,以形成電阻膜4。此時,由於在基極 電極3有使用金系列材料之故,乃不像銀系列電極之場合 ’從電極至電阻層4會發生銀擴散。因此,於電阻膜4之形 成上,電阻膜4之電氣特性不會發生劣化。 其次’為緩和對於在後工程所進行之修整的電阻膜4 之影響,乃在電阻膜4上施予玻璃蒸鍍,以形成下層(墊底 )蒸鍍膜5。而電阻膜4由蒸鍍法等所形成之Ni-Cr系列、 Ni-Cr-AI系列、Ni-Cr-Fe系列等之薄膜電阻亦可以。但是 本紙張尺度適用巾關家網t ( CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ ' _ 4 (請先聞讀背面之注意事項寫本頁)
434ΪΙΙ A7 B7 五、發明説明(2 ) ,該場合,即不予形成下層蒸鍍膜5。 接著,準備與無機材料有強密著力而其硬化溫度均為 150〜250°C之導_電性樹脂材料的Ag樹脂糊劑6,而將該糊 劑6被覆在基極電極3上之整面並予燒著》於該工程上,若 在基極電極3上,依約850°C之高溫燒成法形成Ag或Ag/Pd 之導體膜的場合’即在該等之境界面會使其電氣上諸特性 產生變化》因此,乃使用以如是低溫燒著為可行之導電性 樹脂材料。又,由於基極電極3為約數ι〇〇Α之極薄之膜, 乃以Ag樹脂糊劑6作被覆’如是就可改善進行修整之際的 測定用探針與基極電極3之間的電氣性接觸,同時,能補 強含有金之基極電極3的磨耗性較弱之缺點。 然後’以所知之方法進行修整之後,調節為所望之電 阻值。接著’在後工程之電鍍處理上為保護電阻膜4,以 .及得耐於種種之使用環境,而形成覆蓋蒸鍍膜8。又,在 晶片基板2之兩端面形成端面電極7,且在端面電極7上施 予電般處理’以形成電锻膜9。以如是而完成為電阻器 (讀先閲讀背面之注意事項界#寫本頁} 麥- 但是,於習知之電阻 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 % 狀κ冤氣特性 的劣化,而使用金屬合金糊劑作為基極電極3,是故,燒 成後之臈厚極薄且與基板2之密著性低β因此,有長期之 熱性振幅外加在電阻器之場合,即在基極電極3本身上就 發生裂紋而使電阻器之電阻值有大變化,嚴重之場人, 會斷線之課題存在。 又,從端面電極7至電阻膜4之導電經路,由於介著 即 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4祝格(2丨0'〆297公釐) ' 5 - 434111 經濟部中央標準為貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(3 ) 樹脂糊劑6之故,若使用在硫化環境,鹽(氣)化環境等腐 蝕性強之環境時,Ag樹脂糊劑會被腐蝕。因此,至電阻 膜4之導電經路被阻斷,乃有電阻值大變化之課題。又, A g樹脂糊劑6係以電鍵膜9覆蓋.,而原、來A g樹脂糊劑6應不 會露出於表面,但在實用上,由於鲜錫時之熱覆歷所生的 應力,而使電鍍膜9與覆蓋蒸鍍膜8之間產生間隙,乃使Ag 樹脂糊劑6之一部份露出於表面β由於此,如上述,Ag樹 脂糊劑6就被腐蝕。 本發明之目的 本發明係欲k供長期處在有熱性振幅作用的環境以及 腐蝕環境等之嚴酷的使用環境中,亦能保持在優秀之電氣 特性狀態下的高信賴性(可靠度)之電阻器,為目的。 解決課題之本發明電阻器 為達成上述目的之本發明電阻器,係具備基板、設置 在從該基板之上面的侧部至侧緣,而由混入玻璃原料的混 合物之金系列材料所成的上面電極層。形成在上面電極層 間而其一部份重疊於該上面電極層之電阻層。以及最少亦 可覆蓋電阻層而所設置之保護層。 依據此構成,由於在上面電極層使用有混入玻璃原料 的混合物之金系列材料,是故,其與基板之密著力強,並 且,可獲得十分厚之膜厚〇因此,雖有熱性振幅加在電阻 器,但’其電阻值幾乎不會變動。 在本發明之電阻器’以再設置可覆蓋上面電極層之一 部份或整面的再上面電極層為宜。由於此,可使在上面電 本紙張尺度適用中國國家榇準i CNS ) A4说格(210X297公釐) I---,--^----^-- (請先聞讀背面之注意事項—填寫本頁) 訂- -6 - A7 _____B7 五、發明説明(4 ) 層之側面電極層與障礙層之間的電氣性信賴度更為提升 ’並更能改善在腐蝕環境中之信賴度。 而在本發明之電阻器,以滿足下列之要件而更予改善 信賴度為佳。即,混入在金系列材料之玻璃原料的混合物 量為在10〜30體積%之範圍、上面電極層之層厚在於5〜15 仁m之範圍、上面電極層之形狀為τ字狀、l字狀或Η字狀 、再上面電極層在除基板侧緣之外的側部,應設置為覆蓋 上面電極層之一部份。保護層由樹脂系列材料所成、再上 面電極層由導電性樹脂材料所成、以及設置侧面電極層使 基板側面整面或基板侧之上部與上面電極潛作電氣性連 接等。 本發明之實施態樣 現參照圖面說明本發明之適宜的實施例。 <第1實施例> 經濟部中央標準局員工消費合作社印m 在第1圖所示之本發明第1實施例的電阻器,從由氧化 鋁等所成之陶瓷基板11上面的侧部至側緣,設有由混入玻 璃原料之金系列材料所成的1對上面電極層12。在基板11 下面之側部,因應需要而設置由銀與玻璃之混合材料所成 的1對下面電極層13。在基板11之上面,設有由氧化釕與 玻璃之混合材料(或銀-纪與玻璃之混合材料)所成的電阻 層14,並使其與上面電極層之一部份重疊以作電氣性連接 °設置最少亦應覆蓋電阻層14之硼矽酸鉛玻璃材料的預先 鍍膜層15。修整溝16為修正電阻值為所定之電阻值,乃對 預先鍍膜層15及電阻層14,使用雷射等施予切削加工予以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4祝格(210 X 297公釐) 434ί ϋ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(5 ) 形成。並且,設有最少亦應覆蓋電阻層14而由硼矽酸鉛玻 璃材料所成之保護層17 » 在基板11之侧面,因應需要而沒有由銀與玻璃之混合 材料所成的側面電極層18,而使上面電極層12及下面電極 廣13作電乳性連接。又’因應必要而設有由鎳電鍵所成之 第1電鐘層19,以覆蓋上面電極層12及下面電極層π之露 出部份’而再以第2電鍍層20覆蓋第1電鍍層19。 其次’參照第2圖(a)〜第2圖(f)說明該電阻器之製造 方法。 首先’如在第2圖(a)所示,將混入玻璃原料的混合物 之金系列糊劑材料,以玻璃板屏幕印刷在由氧化鋁等所成 之基板3 1的上面之兩側部而達到側緣,並以約850°C之溫 度作燒成’以形成1對上面電極層32»此時,若玻璃原料 -的混合物之量未滿10體積%,即,其與基板31之密著力就 降低,而若超過30體積%時,上面電極層32之電阻值就增 大’是故,含在金系列糊劑之玻璃量應以10〜30體積百分 比%為宜》又,上面電極層32之層厚為5# m未滿之時, 即,電極層32之電阻值就變大,而若超過l5ym,即,在 後續欲設置電阻層33之時,由於基板31與上面電極層32之 段差,使上面電極層32與電阻層33之連接成為不穩定,並 且,由於高價之金的使用量增加而使製造成本增加。因此 ,上面電極層32之膜厚以5〜15#m為佳。 此時,因應必要而在基板31之下面的兩侧部,將銀與 玻璃之混合糊劑材料作玻璃板屏幕印刷,並以約850°C之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4祝格(2丨OX297公釐) ----------^ ! - ί (請先聞讀背面之注意事項^-4寫本頁) -訂- 434111 A7 B7 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 五、發明説明(6 ) 溫度作燒成’以形成1對下面電極層(未圖示)亦可以。 其次,如在第2圖(b)所示,將氧化釕與玻璃之混合糊 劑在基板31之上面作屏幕印刷’而應重疊於上面電極層32 之一部份,以使上面電極層32間作電氣性連接,並以約850 C之溫度作燒成,以形成電阻層33。此時,由於上面電極 層32乃由金系列材料所成之故,其比上面電極材料使用銀 之場合’其對於電阻層33之上面電極材料的擴散較少,而 電阻層33之電氣特性的劣化較少。 其次,如在第2圖(c)所示,將硼矽酸玻璃糊劑材料作 屏幕印刷而最少亦應覆蓋電阻層33,並約以600°C之溫度 作燒成,以形成預先鍍膜層34。 其次’如在第2圖(d)所示,為修正電阻層33之電阻值 ’乃以雷射等切削預先鍍膜層34及電阻層33,以形成修整 .溝 35。 其次,如在第2圖(e)所示,以覆蓋電阻層33而將领石夕 酸玻璃糊劑材料作屏幕印刷,並以約6〇〇。(:之溫度作燒成 ’以形成保護層36。 其次’如在第2圖(f)所示,若設有下面電極層之場合 ’就將銀與玻璃的混合糊劑材料以滾輪轉移(攝)印刷在基 板31之長邊方向的側面,使上面電極層32之一部份亦應重 疊於下面電極層之一部份,並以約6〇〇°C之溫度作燒成, 以因應必要而形成侧面電極層3 7 » 最後,形成由鎳電鍍等所成之障礙層(未圖示),以覆 蓋上面電極層32之露出部及側面電極層37,同時,因應必 I---------裝-- - - (請先聞讀背面之注意事項f寫本頁) I. 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 4a4i|| 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 i、發明説明(7 ) 要而形成由錫與鉛之合金電鍍等所成的銲錫層(未圖示), 以覆蓋該障礙層》 於本第1實施例所示之電阻器,由於在上面電極層32 使用由混入玻璃原料的混合物所成之金系列材料之故,與 基板31之密著力強且膜厚十分厚。因此,雖有熱性振幅加 在電阻器’其電阻值亦幾乎不變動,而在腐蝕環境中使用 亦可耐於腐蚀。 以下’將實際之特性與習知之電阻器作比較說明。 將本發明第1實施例之電阻器及習知之電阻器,以在 •55C之溫度下為30分鐘,而在125 °C之溫度下為30分鐘的 條件,作為I循環’並於該條件下反覆1000循環實施熱衝 擊試驗’而測定此時之電阻值變化率。 又’將第1實施例之電阻器及習知之電阻器,放置在 含有硫黃成份3%、氣成份5%之油及有存在蒸餾水之溫度 96%的環境内1〇〇〇小時,以實施腐蝕環境放置試驗,並予 測定此時之電阻值變化率。 在表1表示熱衝擊試驗結果,而在表2表示腐蝕環境放 置試驗結果。由該等結果可知,在任一試驗上,本第1實 施例之電阻值變化率比習知例均較小,乃在嚴酷之環境下 亦可獲得高信賴性(可靠度)之電阻器。而對於其他電氣特 性’由於雙方’其與電阻層相連接之電極,均使用金系列 材料,因此,雙方均獲得同樣之特性。 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(2!0X297公釐) ----------^ II (請先聞讀背面之注意事項I填寫本頁) I.
-、tT -10- 434βϋ Α7 Β7 五、發明説明(8 ) 表1 (試料數:20個) 電阻值變化率% 最大值 最小值 平均值 第1實施例 0.07 -0.03 0.03 習知例 斷線(5個) 1.7 - 表2 (試料數:20個) 電阻值變化率% 最大值 最小值 平均值 第1實施例 0.03 -0.01 0.02 習知例 斷線(8個) 3.1 - (請先閱讀背面之注意事項界續寫本頁) 在上述實施例,其保護層36係使用硼矽酸鋁玻璃材料 予以形成,惟,使用環氧化系列或苯酚系列樹脂材料並以 約200°C之溫度予以硬化形成亦可以。 又,侧面電極層37乃使用銀與玻璃之混合糊劑材料形 成,但,將鎳系列導電樹脂材料作滾輪轉攝印刷,並以約 180°C之溫度硬化形成亦可,或者,將鎳鉻系列材料依濺 射工法形成之亦可以。 經濟部中夬標準局—工消費合作社印製 於使用上述樹脂材料作保護層之形成,以及使用樹脂 材料或鎳鉻作側面電極層之形成上,由於在修整工程以後 之電阻層上不如約400°C以上之熱,是故,對於修整以後 之電阻器的電阻值無變化。由於此,乃能提升電阻器之電 阻值精度,而能提升其良率。 於設置上述之下面電極層、側面電極層、障礙層以及 銲錫層之場合,於電阻器封裝時能予增加電阻器與板面之 連接面積。因此,更能提升封裝時之信賴性(可靠度)。 在本第1實施例,乃將側面電極層37設在基板31之側 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -11 - 434586 A7 ___B7 _ 五、發明説明(9 ) 面整面,惟,若由於將侧面電極層僅設在基板31之側面的 上部,即,於將保護層36為下方而封裝電阻器之時,平緣 就可較小》由於此,能將其封裝面積為較小,乃能提升封 裝密度。 <第2實施例> 在第3圖所示之本發明第2實施例上,從由氧化鋁等所 成之基板41上面的侧部至側緣,設有由混入玻璃原料之混 合物的金系列材料所成之1對上面電極層42。在基板41下 面之側部,因應必要而設有由銀與玻璃之混合材料所成的 1對下面電極層43 »於基板41之上面設有由氧化釕與玻璃 的混合材料(或者,銀-鈀與玻璃之混合材料)所成之電阻 層44,並與上面電極層42之一部份重疊而作電氣性連接》 又’設有最少亦可覆蓋電阻層44之硼矽酸鋁玻璃材料的預 .先鍍膜層45» % 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在基板41之兩側部,形成1對再上面電極層46,以覆 蓋上面電極層42之一部份或整面並與上面電極層42作電氣 性連接。修整溝47為修正電阻值為所定之電阻值,乃使用 雷射等而對預先鍵膜層45及電阻層44施予切削加工予以形 成。又’設有最少亦可覆蓋電阻層44而由蝴;e夕酸銘玻璃材 料所成之保護層48。 在基板41之侧面,乃因應必要而沒有由銀與玻璃之混 合材料所成的側面電極層49,使上面電極層42與下面電極 層43作電氣性連接。又,因應必要而設有由錄電鍵所成之 第1電锻50,以覆蓋侧面電極層49、上面電極芦42及下面 本紙張尺度適用中國國家楯準(CNS ) Α4祝格(210X297公釐) -12- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 434^18 A7 __B7 五、發明説明(1〇 ) 電極層43之露出部份,並再設第2電鍍層51覆蓋第1電鍍層 50。 其次,參照第4圖(a)〜第4圖(g)說明該電阻器之製造 方法。 首先,如在第4圖(a)所示,將混入玻璃原料的混合物 之金系列糊劑材料作屏幕印刷在從由氡化鋁等所成之基板 61的上面之兩側部至側緣,並以约85(TC之温度作燒成, 以形成1對上面電極層62。此時,由於將上面電極層62之 圖案作成T字狀,以削減高價之金系列材料的使用量,乃 能以廉價製造電阻器。又,玻璃原料的混合物之量若為1〇 體積百分比%之時,即與基板61之密著力就降低,而超過 30體積百分比%之時’即上面電極層62之電阻值就增大, 是故’含在金系糊劑之玻璃量應以10〜30體積百分比%為 宜。當上面電極層62之層厚為未滿5仁m時,即電極層62 之電阻值就增大,而超過15# m之時,於後續欲設置電阻 層63之際,由於基板61與上面電極層62之段差,使上面電 極層62與電阻層63之連接成為不穩定,且由於高價之金的 使用量增加而使製造成本增加。因此,上面電極層62之膜 厚以5〜15 為佳》 而此時,因應必要而將銀與玻璃之混合糊劑材料作屏 幕印刷在基板61之下面的兩侧部,並以約850°C之溫度作 燒成,以形成1對下面電極層(未圖示)亦可以。 其次’如在第4圖(b)表示,將氧化釕與玻璃之混合糊 劑以與上面電極層62之一部份重疊作屏幕印刷在基板61之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(2丨0 X 297公釐) (諳先閱讀背面之注^^項再本頁)
-13 - 434ίΙ| A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明(11 ) 上面,並使上面電極層62間作電氣性連接,且以約850eC 之溫度作燒成,以形成電阻層63»此時,由於上面電極廣 62係由金系列印刷所成,因此,比上面電極材料使用銀之 場合,因上面電極材料擴散至電阻層63為較少,是故,電 阻層63之電氣特性的劣化較少。 其次’如在第4圖(c)所示,將硼矽酸玻璃糊劑材料以 最少亦可覆蓋電阻層63而作屏幕印_刷,並以約600°C之溫 度作燒成,以形成預先鍍膜層64。 其次’如在第4圖(d)所示,將導電性銀樹脂糊劑材料 在基材61之兩側部’以覆蓋上面電極層62之一部份或整面 而作屏幕印刷,並與上述電極層62作電氣性連接,且以约 200°C之溫度作燒成,以形成1對再上面電極層65。由於該 再上面電極層65’乃能確保於修整時之電阻測定用探針的 接觸面積°於此’再上面電極廣65乃設置至側緣,惟,使 側緣部之上面電極層62露出而設置再上面電極層65亦可以 。此場合’使上面電極層62與於後續欲設置之侧面電極層 68或障礙層之電氣性連接的信賴性更為增高。 其次’如在第4圖(e)所示,為修正電阻層63之電阻值 ,乃依雷射等切削預先鍍膜層64及電阻層63,以形成修整 溝66。 其次,如在第4圖(f)所示,將硼矽酸玻璃糊劑材料作 屏幕印刷,以覆蓋電阻層63並以約600°C之溫度作燒成, 以形成保護層67。 其次,如在第4圖(g)所示,若設有下面電極層之場合 :---—------^— _ - (請先閲讀背面之注意事項t寫本頁>
I 訂 -腺 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14 - 434g|| A7 12 五、發明説明( ’乃將銀與玻璃的混合糊劑材料,在基板61之長邊方向的 側面’作滾輪轉攝印刷而使上面電極層62之一部份亦重疊 於下面電極層之—部份,並以約600T:之溫度作燒成,以 因應必要而形成侧面電極層68。 最後’形成由鎳電鍍等所成之障礙層(未圖示),以覆 蓋上面電極層(62)之露出部及側面電極層68,同時,因應
必要而形成由錫與鉛之合金銲錫等.所成之銲錫層(未圖示) 以覆蓋該障礙層D 本第2實施例所示之電阻器,由於上面電極層62使用 混入玻璃原料的混合物Μ成之金系列材料之故,與基板61 之密著力強且膜厚十分厚。因此,雖有熱性振幅加在電阻 器’電阻值亦幾乎不變動,是故,於腐蝕環境中之使用上 亦可耐於腐钮β 而在腐蝕環境中之使用上,由於使用混入玻璃原料的 混合物之金系列材料的上面電極層62乃設置至側緣部之故 ’雖再上面電極層65被腐蝕而不介著再上面電極層65亦可 以穩定作電氣性連接》因此,電阻值幾乎不變動。 經濟部中央操準局員工消費合作社印製 以下’以比較實際與習知之電阻器的特性作說明。 將本發明第2實施例之電阻器及習知之電阻器,以在 -55 C之溫度為30分鐘,而在125°C之溫度為30分鐘的條件 作為1循環,並以該條件反覆作1000循環以實施熱衝擊試 驗,且測定此時之電阻值變化率。 又將本第2實施例之電阻器及習知之電阻器,放置在 含有硫黃成份3%、氯成份5%之油及有蒸餾水存在而溫度 本紙張尺度適用中國國家擦準(CNS > A4祝格(2丨0X297公釐) -15- A7 B7 五、發明説明(13 ) 為96°C之環境内1000小時,以實施腐蝕環境放置試驗,並 測定此時之電阻值變化率。 分別在表3及表4表示熱衝擊試驗結果與腐蝕環境放置 試驗結果。由該等結果可知,於任一試驗本第2實施例之 電阻值變化率均比習知例為少,乃在嚴酷之環境下亦可獲 得高信賴性之電阻器。而對於其他之電氣特性,由於與電 阻層相連接之電極,雙方均使用金系列材料,因此,雙方 均獲得同樣之特性。 ^-- -------- (讀先閱讀背面之注意事項再镇寫本頁) 表4 (試料數:20個) 電阻值變化率% 最大值 最小值 平均值 第2實施例 0.04 0.01 0.02 習知例 斷線(8個) 3.1 - -鬍- ' '/ 表3 (試料數:20個) 電阻值變化率% 最大值 最小值 平均值 第2實施例 0.10 -0.03 0.05 習知例 斷線(5個) 1.7 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 在本第2實施例乃時上面電極層62之形狀作成T字狀 ,但,如在第5圖所示,作成L字形亦可以。此場合,亦 能減少使用高價之金系列材料,乃得以廉價獲得電阻器》 如在第6圖所示,將上面電極層62之形狀作成Η字狀 亦可以。此場合,由於侧緣部之上面電極層62的面積會增 加,因此,不介著再上面電極層65而可使直接與上面電極 層62作電氣性連接之部份的面積增加。由於此,其連接之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) 規格(210Χ 297公釐) -16- 434§
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 信賴性亦可提升,並在腐蝕環境中之使用上,可獲得有更 高信賴性之電阻器。 如在第7圖所示’將再上面電極層65設置為基板61之侧 緣部的上面電極層62露出之場合,即,由於不介著再上面 電極層65而能使直接與上面電極層62作電氣性連接之部份 的面積增加’是故,可提升其連接之信賴性。因此,在腐 触環境中之使用上,能獲得有更高信賴性之電阻值。 保護層67與在第1實施例所敘述同樣,使用環氧化系列 或苯酚系列樹脂材料亦可以。又’使用鎳系列導電樹脂材 料並以滾輪轉攝印刷法,形成側面電極層亦可以,或者, 將韓鉻系列材料而以滅射法形成之亦可以。又,依上述之 樹脂材料形成保護層,以不依樹脂材料或鎳鉻形成側面電 極層之%合,即與在第1實施例所敘述同樣,能提升電阻器 之電阻值精度’並能提升電阻值良率。又,由於設置下面 電極層、侧面電極層、障礙層以及銲錫層,乃能提升封裝 時之信賴性.。由於將侧面電極層僅設在基板之侧面的上 部,而將保護層67為下方作電阻器封袭之時,可使其平緣 較小◊因此,能使其封裝面積較小,乃能提升封裝密度。 本發明並不限定於上述實施例,而可作種種之變形例 乃不必多言〇例如,在上述實施例,係以氧化鋁基板作為 基板’惟’使用其他之陶瓷基板亦可以。由於此,於本發 明之真精神及範圍内所存在之變形例,完全包含在申請專 利之範圍。 17 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 幻--------線 434§Si Α7 _Β7_ 五、發明説明(15 ) 圖式之簡單說明 第1圖係表示本發明第1實施例之電阻器的截面圖; 第2圖(a)〜第2圖(f)係說明本發明第1實施例之電阻器 的製造工程之上面圖; 第3圖係表示本發明第2實施例之電阻器的截面圖; 第4圖(a)〜第4圖(g)係說明本發明第2實施例之電阻器 的製造工程之上面圖; 第5圖及第6圖係表示本發明之電阻器的上面電極層之 變形例的上面圖; 第7圖係表示本發明第2實施例之變形例上的電阻器之 上面圖; 第8圖為習知電阻器之截面圖。 (請先聞讀背面之注意事項再^寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4祝格(210X 297公釐) -18 - 434iSi A7 B7 經濟部中央標準局舅工消費合作社印— 五、發明説明(16 ) 元件標號對照 2.. .晶片基板 3.. .基極電極 4.. .電阻膜 5…墊底蒸鍍膜 6…糊劑 7.. .端面電極 8…覆蓋蒸鍍膜 9.. .電鍍膜 11.. .陶瓷基板 12,32,42,62···上面電極層 13,43…下面電極層 14,33,44,63…電阻層 15,34,45,64…預置蒸鍍膜 16,35,47,66·.·修整溝 17,36,48,67.··保護層 18,37,49,68…側面電極層 19,50…第1電鍍層. 20,51…第2電鍍層 3卜4卜61…氧化鋁基板 / 一 46,65..#4 面震; (請先閱讀背面之注意事項再说寫本頁) 裝. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨Ο X 297公釐) -19-

Claims (1)

  1. Α8 Β8 CS D8 434䧧 、申請專利範圍 第88100789號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期:89年12月 + L 一種電阻器,其構成特徵在於包含有: 基板; 一對上面電極層’係由混入玻璃原料的混合物之金 系列材料所成’而從前述基板之上面的側部設置至其側 '緣; 電阻層,係形成在前述上面電極層間,而作成於該 上面電極層有一部份重疊;及 保護層’係設置為最少亦可覆蓋前述電阻層。 2· 一種電阻器,其構成特徵在於包含有: 基板; 一對上面電極層’係由混入玻璃原料的混合物之金 系列材料所成,而從前述基板之上面的側部設置至其側 緣; 電阻層’係形成在前述上面電極層間,,而作成於該 上面電極層有一部份重疊; 再上面電極層,係設在前述基板之兩側部,而覆蓋 剛述上面電極層之一部份或整面,並與前述上面電極層 作電氣性連接;及 保護層,係設置為最少亦可覆蓋前述電阻層, 其中前述再上面電極層係由導電性樹脂材料所構 成。 3·如申β青專利範圍第1或2項所記載之電阻器,其中, 請 先. 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 ί, 頁 I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- Λ8 3S C8 D8 六、申請專利範圍 前述金系列材料’係前述玻璃原料的混合物混入1 〇 〜30體積百分比之糊劑β ,如申清專利fe圍第1或2項所記载之電.阻器,其中., 前述上面電極層之層厚為5〜15 .如申請專利範園第1或2項所記载之電阻器,其中, 前述上面電極層之形狀,乃對前述基板之寬度方向 以垂直具有橫棒部,且在該橫棒部之前端具有縱棒部的 T干狀’而則述縱棒部最少亦連接於前述電阻層 > 且使 前述橫棒部跨設於前述基板之侧緣d 6. 如申請專利範圍第I或2項所記載之電阻器,其中, 前述上面電極層之形狀,乃對前述基板之寬度方向 以垂直具有橫棒部’且在該橫棒部之前端具有縱棒部的 L字狀,而前述縱棒部最少亦與前述電阻層相連接,且 使前述橫棒部跨設在前述基板之侧緣。 7. 如申請專利範圍第1或2項所記载之電阻器,其中’ 前述上面電極層之形狀,乃對前述基板之寬度方向 乂垂直具有橫棒部,且在該橫棒部之兩端具有1對縱棒 部之Η字狀,而前述一對縱棒部之一方最少亦與前述電 阻層相連接,其他方即設在前述基板之侧緣部β 8‘如申請專利範圍第2項所記載之電阻器,其中, 前述再上面電極係設置為,在除去前述基板之側緣 的侧部,覆蓋前述上面電極層之一部份並且與前述上面 電極層作電氣性連接。 9.如申請專利範圍第1項所記載之電阻器,其中, 本Ά張&中國IS家標準(CNSU4規格(210 先 閱 讀 背 S} 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 .頁 I 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 x 297公釐) 21 434B^§ g DS 六、申請專利範圍 前述保護層乃以樹脂系列材料所構成。 10, 如申請專利範圍第2項所記載之電阻器,其中, 前述保護層乃由樹脂系列材料所構成。 11. 如申請專利範圍第1或2項所記載之電阻器,其中, 側面電極層係設置於前述基板之侧面整面或前述 基板之側面的上部,而與前述上面電極層作電氣性連接 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I----丨一訂 ---------Λ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 本紙張尺度適用中國固家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW088100789A 1998-01-20 1999-01-19 Resistor TW434586B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10008314A JPH11204301A (ja) 1998-01-20 1998-01-20 抵抗器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW434586B true TW434586B (en) 2001-05-16

Family

ID=11689706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088100789A TW434586B (en) 1998-01-20 1999-01-19 Resistor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6242999B1 (zh)
JP (1) JPH11204301A (zh)
MY (1) MY120172A (zh)
TW (1) TW434586B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957756B2 (en) 2007-03-01 2015-02-17 Vishay Intertechnology, Inc. Sulfuration resistant chip resistor and method for making same
TWI508109B (zh) * 2013-12-25 2015-11-11 Yageo Corp Chip resistors
US9336931B2 (en) 2014-06-06 2016-05-10 Yageo Corporation Chip resistor

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025802A (ja) * 2000-07-10 2002-01-25 Rohm Co Ltd チップ抵抗器
JP2002260901A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器
JP3967553B2 (ja) * 2001-03-09 2007-08-29 ローム株式会社 チップ型抵抗器の製造方法、およびチップ型抵抗器
JP4078042B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ローム株式会社 複数の素子を有するチップ型電子部品の製造方法
JP2003124010A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Rohm Co Ltd チップ型電子部品の製造方法、およびチップ型電子部品
JP3846312B2 (ja) * 2002-01-15 2006-11-15 松下電器産業株式会社 多連チップ抵抗器の製造方法
TW540829U (en) * 2002-07-02 2003-07-01 Inpaq Technology Co Ltd Improved chip-type thick film resistor structure
US6727798B2 (en) * 2002-09-03 2004-04-27 Vishay Intertechnology, Inc. Flip chip resistor and its manufacturing method
KR100908345B1 (ko) * 2005-03-02 2009-07-20 로무 가부시키가이샤 칩 저항기와 그 제조 방법
JP4512004B2 (ja) * 2005-07-19 2010-07-28 立山科学工業株式会社 チップ抵抗器
JP3983264B2 (ja) * 2005-09-27 2007-09-26 北陸電気工業株式会社 チップ状電気部品の端子構造
US9818512B2 (en) 2014-12-08 2017-11-14 Vishay Dale Electronics, Llc Thermally sprayed thin film resistor and method of making
US9552908B2 (en) * 2015-06-16 2017-01-24 National Cheng Kung University Chip resistor device having terminal electrodes
JP6695122B2 (ja) 2015-10-15 2020-05-20 サンコール株式会社 シャント抵抗器の製造方法
KR101883040B1 (ko) * 2016-01-08 2018-07-27 삼성전기주식회사 칩 저항 소자
JP2017168817A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 ローム株式会社 チップ抵抗器およびその製造方法
US10290403B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-14 National Cheng Kung University Methods of fabricating chip resistors using aluminum terminal electrodes
WO2018147014A1 (ja) * 2017-02-08 2018-08-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 チップ抵抗器の製造方法およびチップ抵抗器
US10340330B2 (en) 2017-10-13 2019-07-02 International Business Machines Corporation Precision BEOL resistors

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4659435A (en) * 1983-02-18 1987-04-21 Corning Glass Works Integrally heated electrochemical cell method and apparatus
JPS6147859A (ja) * 1984-08-09 1986-03-08 日本板硝子株式会社 導電性ガラス繊維マツト
JPS61210601A (ja) * 1985-03-14 1986-09-18 進工業株式会社 チツプ抵抗器
US4613844A (en) * 1985-08-26 1986-09-23 Rca Corporation High power RF thick film resistor and method for the manufacture thereof
US4910643A (en) * 1988-06-06 1990-03-20 General Electric Company Thick film, multi-layer, ceramic interconnected circuit board
JPH07111921B2 (ja) * 1989-08-01 1995-11-29 釜屋電機株式会社 チップ抵抗器
JPH02110903A (ja) * 1989-08-31 1990-04-24 Murata Mfg Co Ltd 抵抗体の製造方法
JP3223199B2 (ja) * 1991-10-25 2001-10-29 ティーディーケイ株式会社 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品
US5287083A (en) * 1992-03-30 1994-02-15 Dale Electronics, Inc. Bulk metal chip resistor
JPH07176402A (ja) 1993-12-20 1995-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 角形チップ固定抵抗器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957756B2 (en) 2007-03-01 2015-02-17 Vishay Intertechnology, Inc. Sulfuration resistant chip resistor and method for making same
TWI479514B (zh) * 2007-03-01 2015-04-01 Vishay Intertechnology Inc 抗硫化的晶片電阻及其製法
TWI508109B (zh) * 2013-12-25 2015-11-11 Yageo Corp Chip resistors
US9336931B2 (en) 2014-06-06 2016-05-10 Yageo Corporation Chip resistor

Also Published As

Publication number Publication date
MY120172A (en) 2005-09-30
JPH11204301A (ja) 1999-07-30
US6242999B1 (en) 2001-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW434586B (en) Resistor
TW314593B (zh)
EP0265834B1 (en) Sensor and method of producing same
RU2284595C2 (ru) СИСТЕМА СТАБИЛЬНОГО ДАТЧИКА ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ/НАГРЕВАТЕЛЯ С ВОЛЬФРАМОМ НА AlN И СПОСОБ
TW424245B (en) Resistor and its manufacturing method
US6233817B1 (en) Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board
KR910006223B1 (ko) 가스센서 및 그 제조방법
JPH03500349A (ja) Ptc温度センサならびにptc温度センサ用ptc温度センサ素子の製造方法
EP2680278B1 (en) Mounting structure for electronic components
US4016525A (en) Glass containing resistor having a sub-micron metal film termination
EP0235749B1 (en) Positive ceramic semiconductor device
EP0751383B1 (en) Sensor with output correcting function
TW577091B (en) Resistor
JP2968111B2 (ja) マイグレーション防止パターンを備えた抵抗体物理量センサ
JP7549984B2 (ja) 積層電極、電極付き歪抵抗膜および圧力センサ
US5156903A (en) Multilayer ceramic substrate and manufacture thereof
US5928568A (en) Thick film circuit having conductor composition with coated metallic particles
CN207993600U (zh) 一种片式电阻器及包含所述片式电阻器的电阻元件
KR101494015B1 (ko) 코팅 와이어 및 피막 저항기
JP3665545B2 (ja) チップ抵抗器及びその製造方法
JPH07111921B2 (ja) チップ抵抗器
JP2641530B2 (ja) チップ状電子部品の製造方法
JP2003529759A (ja) センサ素子、特に温度センサ
CN217789917U (zh) 厚膜加热元件
WO2003003384A2 (en) Fuel level sensing system

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees