TW432584B - Extended trench for preventing interaction between components of stacked capacitors - Google Patents

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A7 r 14325 8 4 _B7_ 五、發明說明（f ) 發明頜城 本發係有關一種半導體製程，且更待別的是有關一種 用於減小一個勢疊與一掴半導體記億體之堆叠電容器製 程中所甩高介電常數材料之間相互作用的擴增式溝渠。 相BI枝術說明 半導體記億體單元包含一些由電晶體取用以儲存資料 的電容器。吾人是取決於電容器的狀態而將資料儲存成 高或低位元^在取用此電容器以讀取資料時其帶電或缺 電現象會標示出其高或低位元的屬性，且令電容器充電 或放電以便將資料書寫於其上。 堆叠電容器是半導體記億體内用到的各種電容器型式 中的一種。與埋藏於裝置基板内之溝渠電容器的情形相 反地，堆叠電容器通常是位於用來取用電容器之儲存結 點的電晶體頂部0 於像動態隨機存取記億體（DRAM)之類的半導體記億體 内，高介電常數電容器的形成方法包含高介電常數材料 的澱積程序。於某一種高介電常數電容器中，於一锢進 行氧化作用之情況下澱積一如鋇锶鈦氣化物（BSTO)之類 的高介電常數材料層β 參照第1圖，其中顯示的是一個具有堆叠電容器的結. 構2 。堆疊電容器3包含兩痼電極，亦卽一値通常其紐 成為鉑的頂部電極或是儲存結點4 ,以及一個由介電層 18加以分隔開的底部電極12。取用電晶體5包含一個閘 極，會在受到電氣啓動時透過一痼位元線接點8使位元 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------訂--------- f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ϋ4 3 2 5 8 4 α7 _Β7_ 五、發明說明（-) 線耦合於栓塞14上。栓塞14會透過一値令電荷儲存於電 t 極1 2内擴散勢壘1 6而連接到電極1 2上。 電極12是籍由擴散勢壘16而與栓塞14分開。栓塞14最 好是一種多晶矽（polysilicon或poly) 〇於處理期間， 將介電層18澱積於電極12上。介電層18通常是一種具有 高介電常數的材料。例如BS TO。使用擴散勢壘16以防在 電槿12與擴散勢矗16之間形成一個氣化層。 若値別各層的材料間發生相互作用，則介電層1 8與擴 散勢疊1 6之間的材料性質會變差。此外，若令介電層1 8 (BST0)和擴散勢壘16中每一層的組成接觸在一起則介電 層18便會與擴散勢壘16發生相互作用。於如第1圖所示 之習知設計中，給定互為接近的令兩種材料，則增加了 發生這種相互作用的可能性並且會使堆ft電容器3的性 質變差。 所以，存在著對改良堆疊電容器之電容的餺求，亦即 藉由隔絶勢壘而因處理及擴散的結果以防高介電常數層 及勢壘層變差。另存在一種藉由增加底部電極的表面積 之方法增加堆叠電容器電容的需求β 發明總沭 根據本發明的一種堆蠱電容器包含一個配置於溝渠内 以便連接到取用裝置上的導電栓塞。有一値勢壘是形成 於栓塞上且是配置於溝渠内。有一値介電層是形成於溝 渠上，並穿透此介電層而形成一値孔洞而曝露出至少一 部分的勢壘。有一橱第一電極是形成於此孔洞之内且會 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - t [ - - - - - - - - - I — — — — — — —--— — — — ——--- - - - - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明說明（今） 從孔洞伸展出來。有一個電容介電層是形成於此第一電 極上且令第一電極與第二電極分開，而此介電層和第一 電極實質上會在以構成勢壘的材料形成此電容介電層時 預防所用氧化瑗境的化學相互作用。 根據本發明的另一種用於半導體記億體的堆曩電容器 包含一個配置於溝渠内以便連接到取用裝置上的導電检 塞。有一個勢壘是形成於此栓塞上且是配置於此溝渠之 内。有一個介電層是形成於溝渠上，並穿透此介電層而 形成一値孔洞而曝露出至少一部分的勢蠱。有一個第一 電極是形成於此孔洞之内且會從孔洞伸展出來，此第一 電極是由一種導電材料形成的使得在澱積此導電材料時 會在此導電層的上表面内形成一個輪廓，其中此輪廊為 第一電極之頂部表面提供的表面積會超過第一電極上呈 實質平坦之頂部表面的表面積。有一個電容介電層是構 成了此第一電極的輪廓且令第一電極與第二電極分開， 而此介電層和第一電極實質上會在以構成勢壘的材料形 成此電容介電層化環境的化學互作用。 於替代實施例中，此介電層可能包含了一種氤化物。 此電容介電層可能包含了一種鋇锶鈦氧化物。吾人會有 意或無意地使介電層内的孔洞與溝渠是不對齊的，使得 有一部分的介電層會伸展到勢壘上而有一部分的勢壘會 伸展到溝渠侧壁底下。此第一電極最好包含了鉑。此介 電層的厚度最好是落在大約20毫撤米與大約25G毫撤米 之間。此勢壘最好包含氮化钽、矽化鈷、氮化鈦、矽化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — ι!Ί!··ίι ^^ ! ! II 訂-I ! - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 「疆 43258 4 A7 _B7五、發明說明（4 ) 頂有 極具 電個 一 一 第比 此容 。電 種的 1 器 少容 至電 的疊 中堆 料此 材使 等會 矽好 鉅最 化廓 氮輪 及的 以面 、表 鑛部 % 5 2 約 大 到 % 5 2 約 大 了 加 增 極 電1 第 的 面 表 部 頂 坦 平 供此 提中 :其 有 -驟上 步塞 的栓 含之 包内 法渠 方溝 的於 器成 容形 HS 叠勢 堆個 造一 製將 於並 用塞 種栓 一 個 在出 位作 於製 成内 形層 層電 介二 二第 第此 將於 内上 層之 電層 T S 一 介 第一 於第 成的 形上 是 層 渠壘 溝勢 層成 電作 導製 個層 1 電 將導 ;將 壘 .， 勢内 的洞 分孔 部此 一 及 少以 至上 出層 露電 曝介 以二 案第 圖此 的於 洞積 孔澱 此 〇 於上 成層 形電 層介 電容 介電 容此 電於 個成 一 形 將極 ; 電 極二 as-- App 一 個 第一 個將 一 並 成上 彤極 以電 案一 圖第 與到 出展 作伸 製會 含層 包電 可介 驟的 步分 的部 案一 _ 有 洞得 孔使 作案 製圔 ，洞 中孔 法的 方齊 他對 其不 於渠 溝 驟的 步内 的洞 下孔 底此 壁及 側以 渠上 溝層 到電 展介 伸二 會第 壘此 勢於 的積 分澱 部層 一 電 有導 而値 上一 壘將 勢 0 表電 部一 頂第 層個 電一 導成 的形 置以 位案 洞圖 孔成 此作 到製 應層 對電 個導 一 將 成 〇 形驟 含步 包的 可廓 驟輪 步面 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 叙--------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第此 的使 廊會 輪好 面最 表廓 部輪 頂的 此面 有表 含部 fi頂 1 極 成電 形一 含第 包此 可 。 驟驟 步步 的的 極極 極 Ι^ΒΓ1 第 的 面 表 部 頂 坦 平 有 具 値1 比 容 的 器 容 電«加 1 堆增 形之 含米 包微 驟毫 步 ο J 5 的 2 極約 電大 二與 第米 成撤 形毫 ο 〇 2 %約 25大 約在 大落 到是 % 度 5 厚 2 其 約値 大一 了成 附 對 由 可 將 點 優 及 、 激 持 ' 的 目 他 。其 驟及 步些 的這 層的 BE CCH 介發 的本 間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 43258 4 A7 _B7_五、發明說明（^ ) 圖所示的實施例的詳細說明而變得更明顯。 圖忒夕簡罝說明 本發明的較佳實施例將參照所附圖示作詳盡的説明。 第1 _傜一種包含一個堆叠電容器以及一値取用電晶 體之習知記億體單元的截面圖。 第2圖係一種含有一姻形成於介電層内之溝渠以及一 個形成於 第3圖 第4圖 第5臞 平面處理 第6圖 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

塞之介電層的截 在使栓塞下凹之 在澱積了勢壘層 在使勢壘雇和介 第1 2圖傲 面圖。 後的截面圖β 之後的截面圖。 電層作了下凹及 在根據本發明於其上澱積了另一 在根據本發明將 側壁重合之後的 在根據本發明將一個導電層澱積 圖β 在根據本發明將 廊表面的第一或 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一個介電層製 截面圖。 此導電層製作成 底部電極之後的 偽第10圖結構的截面圖，其顯 極上澱積一個具有高介電常數 將之製作成圔案 示根據本發明於 的電容介電層並 圖結構的截面圖，其顯示根據本發明將 t紙張尺度適用中_家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公瘴）

--I---1 I 訂· I ί I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 鏐4 3 2 5 8 4 A7 ___B7___ 五、發明說明（k ) 一個第二或頂部電極形成於此具有高介電常數的電容介 電層上。 龄住奩油；例的說明 本發明傺有關一種半導體裝置用堆叠電容器，且更待 別的是有關一種用於減小一個勢壘層與一個用於半導體 記億體之堆疊電容器製程中用以形成高介電常數材料的 氣化環境之間，相互作用的擴增式溝渠。此擴增式溝渠 也預防了該勢矗層與該高介電常數材料本身之間的相互 作用。本發明包含了 一値介電層僳用於擴增一値含有一 個栓塞以及一個勢S材料層的溝渠。此介轚層有利地使 勢S材料層與澱積於堆叠霣容器上頂部與底部電極之間 的高介電材料隔絶^ _由此勢a與高介電常數材料隔絶 ，而防止了逭些材料之間的相互作用以及因為相互作用 而造成使品質變/差-的^思象。由於此介霣層像用來擴增溝 渠，故當澱積底部霣棰時會使底部霄極包含一悃輪廊。 此輪廓會增加堆疊霣容器的表面積因而增加了堆疊電容 器的霣容。以下將會更詳盡地說明此輪廊。 現在特別詳盡地參照所附圈示，其中相同樣碼於幾個 附函中代表類似或完全相同的元件；第2圖顯示的是一 個根據本發明中某一概念的堆疊電容器100 。藉由使溝 渠105形成於介霣層108内並於其内澱稹一種導電材料而 將栓塞106形成於介霣層108内部β在此是藉由例如一種 化學機械磨光（CMP)法而使其頂部表面平坦化。栓塞106 最好包含一種多晶矽材料，例如一種已攙雜的多晶矽。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1 訂--- 線-----------I------------ *43258 4 A7 _B7_ 五、發明說明（7 ) 介電層10 8可能包含像氣化矽之類的砂化物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參照第3圖，最好藉由蝕刻方法使栓塞106下凹。此 蝕刻方法可能包含對介電層108之材料具有選擇性的一 種乾蝕刻6使栓塞106下凹一個預定的深度以便於此方 法的下一個步驟中提供一個用於勢壘靥之空乏作用的區 域。 參照第4圖，在使栓塞106下凹之後，將一掴擴散勢 壘110或110形成於栓塞106的頂上部分以及介電層108的 頂部表面111上。此擴散勢壘110可能包含氮化鉅、矽化 鈷、氮化鈦、矽化鎢、以及氮化钽矽等或其等效材料。 擴散勢壘110是藉由一種或許多種為熟悉習知設計的人 所熟知的方法澱積而作的。擴散勢壘110有肋於防止原 子在底部電極1〇4(第10匾）與栓赛10 6之間的擴散。 參照第5圖，從頂部表面111上去除用來形成擴散勢 壘1 1 G的材料。於某一較佳實施例中，是利用一種化學 機械磨光（CMP)法而使頂部表面111平坦化。擴散勢壘 li〇會保持在溝渠1D5以内使得擴散勢壘110的頂部表面 109實質上是與介電層108的頂部表面111共面的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參照第6 _，根據本發明澱積了另一個介電層112 ^ 此介電層U2可能包含一種像氧化矽之類的氧化物、一 種像氮化矽之類的氮化物、或是一種像硼矽磷玻璃 (BSPG)之類的玻璃。此介電層U2最好包含能夠藉由化 學氣相澱積法（CVD )或是以電漿強化的化學氣相澱積法 (PECO)澱積而成的二氣化矽β此介電層112最好包含落 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Α7 Γ 顯4 325 8 4 Β7_ 五、發明說明（/ ) 在大約20毫徹米與大約250毫徹米之間的厚度。 參照第7和8圖，將介電層112製作成圖案以擴增溝 渠105«^介電層112的圖案製作是藉由為熟悉習知設計的 人所熟知的方法而執行的，例如藉由將一種光阻材料澱 積於介電層112上，而於適當面積上覆蓋以光阻層並使 光阻材料曝露在紫外線下以令此光阻層顯影。然後以此 光阻層當作一個蝕刻覆罩而於介電層112内形成一些孔 洞114。這些孔洞114可與如第7圖所示與溝渠105的渠 壁對齊，也就是説孔洞114之尺寸與溝渠105之尺寸是相 同的。不過，於一個較佳實施例中，如第8圖所示，孔 洞114會與溝渠1G5呈歪斜而不是重合的β介電112上孔 洞114的歪斜現象會提供一値上叠和下叠以增加對不對 齊的容忍度。介電層112内的孔洞114會根據本發明而有 效地擴增溝渠105。 參照第9圖，藉由將一種導電材料12D澱積於孔洞114 内以及介電層112的頂部表面118上而將一値底部電極 1〇4(第10圖）形成於擴散勢壘110上。導電材料120最好 是由鉑形成的，雖然也可以使用像銥（Ir)、釕（Ru)、或 二氣化釕（RU0 )之類的其他導電材料。導電材料120最 好是藉由一種像噴濺或是蒸發澱積法之類的物理氣相澱 積法（PVD)澱積而成的。導電材料120會覆蓋住介電層 11 2並填充到孔洞1 1 4内。結果，在孔洞1 1 4上方形成了 由導電材料120構成的輪廊122 β 參照第10圖，將導電材料120製作成圖案以形成電極 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) in----訂--------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .t ϋ I n n n n _ A7 B7 -Γ鱺4325 8 4 五、發明說明（9 ) 104 β此圖案製作程序是藉由為熟悉習知設計的人所熟 知的方法例如藉由撤影成像接著蝕刻而執行的β電極 104最好是與孔洞114同軸或對齊的β在製作成電棰104 的蹰案之後，輪廊1 2 2會保持在電棰1 0 4的頂部表面上。 參照第11豳，於電極104上澱積一値高介轚常數層102 並製作成圖案。高介電常數層102最好是由銪鋰鈦氧化 物（B S Τ 0 )形成的。此B S Τ 0最好是在高溫下澱稹而成的。 不過，由於高溫會增強擴散作用，故必須限制BST0的濺 積溫度以降低像氣氣之類材料的擴散作用。然而本發明 中，由於已藉由電極104使勢a層11〇自高介霣常數層 102隔絶開，故能在不致使性能變差的情形下有利地增 高層102的澱槙溫度。於處理及作莱期間，各元件從高 介電常數層102及/或從氧化的釀積琛境擴散到勢蠹® 110，或是反向的攘散作用，是受到介霣層112和霣欏 104的阻礙。介電層112最好包含氮化矽而電極1Q4最好 包含鉑，這兩種材料都具有優良的擴散阻抗性且因此降 低了擴散作用。此外，由於落在第一面積124與第二面 稹126之間的界面是歪斜的，故較之習知設計從高介電 常數® 102及/或從氣化的澱積環境到勢壘層no的擴散 路徑是明顯地長多了。 參照第12圖，頂部電極128是形成於离介電常數層1〇2 上。頂部霄搔12 8和底部電極104會形成一傾根據本發明 的堆《電容器100。堆壘罨容器100會有利地使用輪廓 122以增加電搔1ϋ4和128的表面積。這麼做會增加記憶 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) I----J I 訂·! I ! I — 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 -n n t- 「靨4325 8 d A7 _B7_ 五、發明說明（…） 體裝置的電容。例如，電容會增加了大約2.5 %到大約 25%^進一步處理以完成堆叠電容器100的結構，從這 點之後的方法是熟悉習知設計的人所熟知的。 已經說明了用於防止堆叠電容器之組件間相互作用之 擴增式溝渠的較佳實施例（其用意在於顯示而不是設定 極限），故熟悉習用技術的人應該能在不偏離上逑課程 下作各種修正及變化。所以吾人應該了解的是能在不偏 離本發明所附申請專利範圍之精神及架構下對本發明的 特殊實施例進行改變。已依申請專利的待殊要求詳盡地 說明了本發明，以下所附本發明的申請專利範圍將會受 到專利法的保障。 參考符號説明 2.....具有堆疊電容器之結構 3,100.....堆疊電容器 4 .....頂部電極（儲存結點） 5 .....取用電晶體 6 .....閘極 7 .....位元線 8 .....位元線接點 12,104.....底部電極 14,106.....栓塞 16,110.....擴散勢壘 18,108,112.....介電層 102.....高介電常數層 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝— II訂-------線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 *4 325 8 4 A7 B7 五、發明說明（） 105.....溝渠 109.....擴散勢壘的頂部表面 111.....介電層的頂部表面 Π4.....孔洞 118.....介電層的表面 120.....導電材料 122.....輪廓 124.....第一面積 126.....第二面積 128.....頂部電搔 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) K !1訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I I— n I 1 n t ϋ 1 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. ^ 325 8 4 控 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 i 1 1 一 種 堆 β 電 容 器 9 其 包 括 ; 1 1 I 一 値 澱 積 於 溝 渠 内 以 便 連 接 到 取 用 裝 置 上 的 導 電 栓 1 1 塞 » S 請 l· I 先 1 一 個 勢 壘 是 形 成 於 栓 塞 上 且 是 澱 積 於 溝 渠 内 9 閲 f ϊ —- 餹 介 電 層 是 形 成 於 溝 渠 上 t 並 穿 透 此 介 電 層 而 形 背 I 1 之 1 成 一 個 孔 洞 而 曝 HR 雜 出 至 少 一 部 分 的 勢 曼 > 注 | 1 I —" 個 第 一 電 極 是 形 成 於 此 孔 洞 之 内 且 從 孔 洞 伸 展 事 項 再 % 寫 1 出 來 9 1 本 Λ. 1 一 個 電 容 介 電 層 是 形 成 於 此 第 一 電 極 上 且 使 第 電 頁 •w* 1 I 極 與 第 二 電 極 分 開 以 及 1 1 此 介 電 屬 和 第 一 電 搔 實 質 上 可 預 防 與 勢 愚 材 料 的 相 1 1 互 化 學 作 用 0 1 訂 2 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 堆 疊 電 容 器 1 其 中 該 介 電 層 1 包 含 一 種 氮 化 物 [ I 3 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 堆 璺 電 容 器 » 其 中 該 電 容 介 1 I 電 層 包 含 一 種 m m 鈦 氣 化 物 0 1 1 4 .如 甲 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 堆 β 電 容 器 其 中 該 介 電 層 線 内 的 孔 洞 與 該 溝 渠 是 不 對 齊 的 » 使 得 有 一 部 份 的 該 介 1 1 電 層 伸 展 到 該 勢 <sk 上 而 有 一 部 分 的 該 勢 壘 曰 伸 展 到 該 1 1 溝 渠 側 壁 底 下 0 ! 1 5 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 堆 疊 電 容 器 ί 其 中 該 第 « 電 1 極 包 含 鉑 0 1 f 6 .如 甲 of 專 利 範 圍 第 1 項 之 堆 疊 電 容 器 ， 其 中 該 介 電 層 1 I 的厚度落在大約20毫微米與大約 2 5 0 毫 撤 米 之 間 Q 1 1 -1 4 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公釐） ,432584 H CS D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 I I 7 .如 串 諳 專 利 範 圍 第 1 項 之 堆 叠 電 容 器 t 其 中 該 勢 壘 最 I I I 好 包 含 氮 化 m 、 矽 化 鈷 、 氮 化 鈦 Λ 矽 化 ϋ 以 及 氮 化 [ I 鉅 矽 等 材 料 中 的 至 少 —» 種 6 請 I 先 I 8 . — 種 用 於 半 導 體 記 億 體 的 堆 « 電 容 器 包 括 閲 讀 I —- 痼 澱 積 於 溝 渠 内 以 便 連 接 到 取 用 裝 置 上 的 導 電 栓 背 I I 之 I 塞 ， 注 意 I | 事 I —- 個 勢 壘 是 形 成 於 此 栓 塞 上 且 是 澱 積 於 此 溝 渠 之 内； 項 再 I 一 個 介 電 層 是 形 成 於 溝 渠 上 1 並 穿 透 此 介 電 層 而 形 % 窝 太 I 成 1 锢 孔 洞 而 曝 露 出 至 少 一 部 分 的 勢 壘 个 % I | 一 锢 第 — 電 極 是 形 成 於 此 孔 洞 之 内 且 會 從 孔 洞 伸 展 I I 出 來 此 第 一 電 棰 是 由 一 種 導 電 材 料 形 成 的 使 得 在 澱 I I 積 此 導 電 材 料 時 會 在 此 導 電 層 的 上 表 面 内 形 成 一 値 輪 ( 訂 m f 其 中 此 輪 廓 為 第 一 電 棰 之 頂 部 表 面 提 供 的 表 面 積 I 會 超 過 第 一 電 槿 上 呈 實 質 平 坦 之 頂 部 表 面 的 表 面 積 ； I I 一 個 電 容 介 電 層 是 構 成 了 此 第 電 棰 的 輪 廓 且 使 第 I I 電 極 與 第 二 電 極 分 開 ； 以 及 I I 此 介 電 層 和 第 一 電 極 實 質 上 可 預 防 與 勢 壘 材 料 的 相 線 互 化 學 作 用 0 ί I 9 ·如 申 請 專 利 範 圍 第 8 項 之 堆 叠 電 容 器 J 其 中 該 介 電 層 I I 包 含 種 氮 化 物 I I 10.如申讅專利範圍第8 項之堆叠電容器， 其中該電容 介 電 層 包 含 —* 種 m 鈦 氣 化 物 〇 I [ 1 1 .如申請專利範圍第8 項之堆叠電容器， 其中該介電 I I 層 内 的 孔 洞 與 該 溝 渠 是 不 對 齊 的 > 使 得 有 一 部 份 的 該 I I -1 5- I I I I 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X2SI7公釐） 14325 8 4 ABCD 申請專利範圍 介電層伸展到該勢壘上而有一部分的該勢壘會伸展到 該溝渠側壁底下。 12. 如申請專利範圍第8項之堆β電容器，其中該第一 電極包含鉑β 13. 如申請專利範圍第8項之堆叠電容器，其中該介電 層的厚度最好是落在大約20毫徹米與大約250毫撤米 之間。 14. 如申請專利範圍第8項之堆β電容器，其中該勢壘 最好包含氮化鉋、矽化鈷、氮化鈦、矽化鎢、以及氮 化鉅矽等材料中的至少一種。 15. 如申請專利範圍第8項之堆曼電容器，其中該第一 電極頂部表面的輪廓使此堆璺電容器的電容比一個具 有平坦頂部表面的第一電極增加了大約24^ %到$ 25%。

   (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16.—種用於製造堆叠電容器之方法 提供一個栓塞及一個勢壘形成： 該溝渠是形成於第一介電層内； 將第二介電層形成於第一介電層及該勢壘層上； 於該第二介電層内製作出孔洞的圖案以曝露出至少 —部分的該勢壘； 將一個導電層澱積於該第二介電層上以及該孔洞内 將該導電層製作成圖案以形成一値笫一電極； 將一個電容介電層形成於該第一電搔上；以及 將一個第二電極形成於該電容介電層上β 包嘗： 渠内之塞上， 線丨 -16- 本紙涑尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A8 P43258 4 ll D8 六、申請專利範圍 17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中製作孔洞圖案 的步驟，包括製作孔洞圖案與溝渠不對齊使得有一部 分的介電層會伸展到勢壘上而有一部分的勢壘會伸展 到溝渠側壁底下的步驟。 18. 如申請專利範圍第16項之方法，其中將一個導電層 澱積於此第二介電層上以及此孔洞内的步驟，包括在 導電層頂部表面形成一個對應到此孔洞位置之輪廓的 步驟。 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中將導電層製作 成圖案以形成一値第一電極的步驟包括形成一橱含有 在此頂部表面上之輪廓的第一電棰的步驟。 20. 如申請專利範圍第13項之方法，其中第一電極頂部 表面的輪廓使此堆叠電容器的電容比一値具有平坦頂 部表面的第一電極增加了大約2.5%到大約25%。 21. 如申請專利範圍第16項之方法，其中形成第二電棰 的步驟包括形成一個厚度是落在大約20毫微米與大約 250毫徹米之間的介電層的步驟。 22. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該電容介電層 包含銪緦鈦氣化物。 23. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該第一電極包 含鉑。 24. 如申請專利範圍第1Β項之方法，其中該勢壘包含氪 化靼、矽化鈷、氮化鈦、矽化鶴、以及氮化鉬矽等材 料中的至少一種β -1 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -3. 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製