TW425617B - HSG lower electrode structure, capacitor using the same, and the formation of the capacitor - Google Patents
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Description
4 2 ο ο T at B7__ 五、發明説明(f ) 發明背景’ 發明領域 本發明m有闋於一雇半導體元件装置,並旦更待別的 是對於HSG(半球形晶粒化)下罨搔構造,其僳用在例如 DRAH(動態随機記億體),SRAH和諸如此類之元件之健存 元件中電容器之部份,及具有此種下電極的電容器及其 形成方法。 相關事項之描述 在最近幾年來,半球形晶粒化(HSG)矽被用在當作是 下電搔構造被用在DR Α«電容器的下罨棰。半球形晶粒化 (HSG>矽的使用有著在更少時數的工畤下擴張霣棰表面 積的優點》然而,在HSG矽的形成遇程之後沒有不純物 被夾雜在其内,因此必須導入不純物使得它成為電棰。 離子植入被用在此類技藝發展之早期階段,但是後來 預期的表面積增加不能達到,這是由於離子植入的離子 伴随箸殺鍍效應而造成HSGS形狀的改變變得明顯。 後來,形成HSG於摻雑非晶矽之方法被建立,並且藉 箸熱嫌散的方法將下層HSG引進進入HSG主醸内β 在一箱文章中其擦題為He酿ispherical Grained Silicon Formation 0 η I η -S i t u Phosphorous Doped Anorphous-Si Using the Seeding Method, "Solid S t a t e D e v i c e s a n d M a t e r i a 1 s,1 9 9 2 ,第 4 2 2 頁中掲示 出晶粒尺寸大小之控制和密度能夠被形成在夾雜著磷的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2!0X 297公釐) ----------」裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 5 6 1 7 A7 B7 五、發明説明(> ) 非晶質矽中•藉箸熱擴散的過程將磷擴散到晶粒中,它 使得晶粒的功能可變成電棰。 然而,擴散層的區域必須變得微細並且熱履歷必須減 少在元件的撤細加工中,因此結果,一摘理想的不純物 熱擴散過程就變得非常困難。因此,不足之不純物的引 人到HSGs主體,會有一問題商面對,即電容器的電容值 不如預期的增加,瘡是因為電棰的耗盡。特別是,當表 面積藉箸形成圜球狀的晶粒而膨脹時,在與下層接觸表 面瘡遴的晶粒尺寸因此滅少,引起所謂的H頚縮效暱" (necii),不純物的擴散經由如此窄的頸縮匾間就變得更 加困難了。 除此之外,在HS6内有箸如此的窄的頸縮,逭値HSG有 著在清洗等程序間傾向所謂的斷裂,而斷裂的碎Η會引 起電極之間的短輅,而導致産量之減少β 在過去,為了避免産生H S G的耗盡或是被壞,H S G被形 成半球狀的形式且没有緊縮的部份,那也就是説,在這 種情形下,有效的表面積因此被犧牲了。 發明之概述 本發明之目的俱提供一値形成電容器的方法避免HSSs 的破壞與耗盡而不用犧牲,如同傳統的方法中之有效表 面積。 本發明的另一値目的為藉著上述的形成方法提供一傕 HSG下電極的結構和此電棰之組成^ 為了解決這値難題,目前的發明,包含箸一値形成罨 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 56 1 7 4 A7 B7 五、發明説明(* ) 容器的方法,此電容器包含多晶矽之下鼋棰,一層介霣 層,和一値上電極。這電容器的形成方法包含至少形成 矽層之一個步驟,HSG矽主體中和矽那一層接觸面的那 邊有著小直徑的頸縮在,形成下電掻之步驟僳藉著沈積 一層矽薄膜並保持所形成的HSGs為凹凸不平的形狀以鞴 由填充圍繞在矽層間及BSG之頸縮畐的間隙而覆蓋HSG, 一個步驟形成介電薄膜,和形成下電極之步驟。 再者,目前的發明是一個具有HSG下電槿之電容器, 此HSG下電極有一層砂層和圈球狀的晶粒形成在矽層上 ,在那裡矽晶粒有小尺寸的頸縮在和矽那層接觭的那一 邊,及形成一矽膜以便藉由镇充圍繞在頸縮區及晶粒周 圍之矽層間來覆蓋矽晶粒,而同時保留矽晶粒之不平坦 形狀,一値下電棰結構形成,其以矽薄膜覆蓋之顏縮匾 之直徑偽小於由矽膜覆蓋之矽晶粒之最大直徑。一層介 電膜形成在下電極上,和一層導電膜形成在介電膜上。 圓式之簡單説明 本發明中上述和其他的物件,特色及優點將藉著下列 的描述、說明及鼷形所示變得更明顯。 第1圖是根據本發明之實施例之一値放大的H SG部份 剖面圖。 第2圖是根據本發明另一實施例之一個放大的H SG部 份剖而圈。 第3圔是根嫌本發明為了解釋電容器之形成過程圃, 顯示出在形成HSGs前下電棰部份之横截面圖示。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2】0X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 256 1 7 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
五、發明説明(4 ) 第4圖為第3圖中HSGs在下電掻形成後之截面圖。 第5麵為第4圏HS6s中介電層在電容器之形成截面圖β 第6圖為第5圖中上電極之形成截面圖。 第7圖為第6圈中絶緣薄膜層之形成截而圖。 第8圖為電容器中的C-V特性曲線圃。 第9圖為非有效因子及電容比值與HSG頚縮直徑對最 大直徑的bb值關係圖。 較佳實施例之描逑 本發明包含至少一掴步驟形成HSG矽和上述之形狀在 下電極,一個步驟沈積未經摻雜不純物的矽薄膜以覆蓋 形成的HSGs形成凹凸不平面,一傾步驟形成介罨薄膜, 和一步驟形成上電極^ 換言之,藉箸沈積矽薄膜在形成H SG的表面,例如一 種形成HSG矽的方法被詳細的掲示在待開平8-306646號 公報。根據這锢發明《首先,一掴未經摻有雜質且包含 有很細的矽晶粒的非晶塱矽薄膜被形成在下電極根據想 要的形狀且是用所謂的LP-CVD方法,且其電極是由汽化的 矽所構成如包含矽烷或是二矽烷等氣態的化合物,輅由惰 性氣體所稀釋{如果需要的話),在低的壓力之下,例如 歷力1 fflTorr溫度在攝氏550至570 °C之間β當所需要厚 度的非晶質矽薄膜被形成畤,矽烷或是二矽烷的激發終 止並且HSG的成長被誘導藉箸退火試Η在高真空或是在 惰性氣體的保護之下。藉由控制這試Η到退火過程HSG (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 、-° r 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42561 ί五、發明説明($ ) 的成長發生藉由矽原子在很細的矽原子周圃的移動,其 中這些細的矽原子當作是核種》 這些很細的矽晶粒的非晶型矽薄膜除了 LP-CVD方法之 外亦可經由分子數磊晶成長(MBE)來形成。 退火的條件有可能使得溫度或是退火期間被調整到所 要的HSG尺寸,例如,在溫度攝氏55G至BOtTC範圍之間 時間差不多在2到60分之間β 在目前瑄偏發明,下電棰是由雜質摻雜在非晶型矽中 所形成β對於電搔特性而言,雜質摻雜的數量设有特殊 的限制,但是最奸的濃度範圍是介於1.0Ε2 0至5.0Ε2 0梅 原子/立方公分。不純物的摻雜方法可藉由混合一療始 材料可提供想要的不純物到形成非晶質矽薄膜内,或是 韉著不純物的離子佈植在形成的未經摻雑的矽薄膜之後。 在這個發明中,不純物可為任何元素只要它有能力在 矽中可以導霄,但是Ν-型不純物諸如辚(Ρ)砷(As)銻(Sb> 鉍(Bi)等都不錯,尤以磷(P)最合適》 在這痼發明中HS6矽形成的形狀可為圓球狀,或是半 球形或是番菇狀。它有箸所讀的頸縮结構並旦其尺寸小 於它在垂直於生長方向的平面最大直徑,形成一限制。 依賴著HSGs的成長方向,但卽使是此種情形,横截面的 形狀有著自己的晶粒維持頸縮在與下笛棰接觸平面的那 —邊。 HSG的最大直徑最好是介於3 0 0至700埃之間,又以500 至7G0埃為最好。 A7 B7 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装-
、1T .,.r. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^ ' A7 _______B7_五、發明説明(^ ) 第3 _為非觖陷因子輿霄容比值對於頸编直徑相對於 HSG最大直徑的比值的相關情形(假設1為未加HSG製程 的外加窜_為負丨伏特的情形)β電容比值對於頸縮直 徑相對於HSG最大直徑的比值的判定是經由50傕改變不 同厚度的摻雜磷的矽薄_再經過HSG製程後並去量取比 值之HSG試Μ的横截面掃描示電子顯撖鏡(SEM)的照片所 得到的,並且取平均值。在剛開始的瑄期間(在摻雜磷的 矽薄膜形成之前)的晶粒大小與類縮半徑之比值分別被 設定為6 0 0埃與大約〇 _ 2 ,(頸缩半悝被設定為1 2 0埃)。 當頸縮直徑之比值分別小於〇 . 3時,罨容值的增加變 小因為耗盡的影轚,並且在0.4附近逹到最大值。自此 以後慢慢的減少直到比值到逹0.9,並且霄容值快速的 減少當超過〇·9以後因為晶粒的連接與凹洞的埔平。在 頚縮直徑的比值在0 . 4與0 . 9 5的範圍之間非缺陷因子 顯示的值大於95%。非缺陷因子的降低在頸縮直徑之比 值0.4以下時是由於HS6的破裂,在霣捶之間引起短路, 由於耗盡導致電容值的降低。非缺陷因子的降低在頚縮 直徑比«0.95之外時被認為是由於凹洞的填谋迪成表面 積膨脹效應的減少,導致甭容值的降低β根據上述,要 得到大的電容值與高的非缺陷因子頚缩直徑可經由控制 矽薄膜中的頸缩直徑在0.4與0.9之間來得到,最好是介 於0·4和D.9之間,相對於HSS的最大尺寸。 於傳統的科技,當頸缩直徑比值增加時,滅少HSGs的 晶粒尺寸是必須的,阻礙鼋容值的增加β再者,傳統的 -8 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· ,1Τ r 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨Ο X 297公釐) 經濟部智慧財產局®工消費合作社印製 425617 - 五、發明説明(7) 科技有劣勢在假使晶粒尺寸被設定在足夠大的值為了得 到一個大的電容值,頸縮直徑的比值相對的變小,造成 HSGS易於損壊。在此強諏,本發明使得一相當容易控制 頸縮直掙成為可能,卽使對1^138的宣徑大於5(10埃導致 表面積的大景增加❶ 在瘥個發明,HS8S晶粒成長之後,“層矽薄膜沈積上 去最好是利用LP-CVD方法,去調整頸缩的直徑,當維持 HSGs的凹凸不平的形狀。卽使鄰近的HS6s互相接觸或是 互相建接在一起,例如,經由LP-CVD方法所沈積的薄膜 ,薄膜形成氣體能夠進到“68的間隙中*所以類總的直 徑能夠被增大到如上所教述的值。 在這個過程中所形成的砂薄(雜雑》 的矽薄糢或是揍有不純物的砂薄膜》當不純物棒雜到矽 薄膜時,所形成的矽薄膜自己本身可當成是不純物的供 給源,增加不純物的含量到““中,所以可預期的是當 電铴用來做一傾霄容器因為它額外抑制在副鶴壓邊(意 即,下锺棰)的耗盡》 再者,在此發明是可行的是,在未摻雜或摻雜矽薄膜 沈積在HSGs之後,從外邊去導入不純物,_箸控制這試 Μ去熱處理在P〇cl3的氣氛下。一層磷玻璃層的形成藉 箸實行着熱處理製程在p〇Cl3的氣氛下,但是接下來的 過程必須連鑲用氫氟酸去除逭已形成的磷玻璃層以此 方法將雜質自外側引入,是可能的去更進一步去抑制從 負偏颳這邊耗盡》 接著,一層介電薄膜在HSGs上形成增加頚縮的直徑。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 29?公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 4 2 5 6 17 A7 ___B7_ 五、發明説明(^ ) 傅統己知的材料能夠用在介電薄膜上。因此,一介電薄 膜或許可形成經由沈稹一層氮化矽薄膜,例如,經由氣 化表而在一匍氣化的氣氛下。如此的一層介爾薄膜的形 成其厚度範圍介於45至60埃之間,並且更好的是,介於 4 8至50埃之間和二氧化矽薄膜相同。 接著,電容器的上電棰的形成。上電極可能被形成與 下電極相同都是不鈍物摻雜的非晶質矽薄膜。上罨極可 能被形成使用一金屬層例如氮化鈦或是鎢化钛,並且在 逭種情形,銪的氣化物或是類似此種元素可能被用來做 介電膜。 不純物的擴散到HSGS過程發生在如此的熱處理步驟在 整個製造過程中《然而,一分離的熱镄散遇程也許被供 給著。不純物的熱擴散被實行在加熱到6Q(TC的溫度, 最好是7 0 0°C的溫度。一適當的溫度對於熱樓散也許是 需經過選澤的相對於元件的特性。 接下來,特定的例子将被詳細的敘述對於本發明中半 導醱的形成,但是此發明的應用並不限於下列之具體陳 逑<» 實施例1 首先,如第3圔所示,一電晶體有柵極電棰31,兩摘 擴散匾域32, 3 5形成在矽基材上,並且電晶體經由隔絶 的二氣化矽薄膜被絶緣箸(|^(;〇8)34(>—擴散匾域3 5被 建接到位元緙上33並形成在絶緣薄膜層51上,並旦其他 的擴散區域32被連接到電容器上經由接觴孔6並形成在 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閎讀背面之注項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 2 5 β η _ a? _Β7 五、發明説明(今) 绝狳薄膜層51上,一絶緣薄膜·聲52,和绝緣薄膜層53上 。一絶緣層形成在接觸孔Β的邊緣旁邊。接箸一包含有 磷的非晶質矽薄膜當作是不純物被形成在绝綠薄膜5 3上 並與擴散層32接觸》 接箸,一下電極7依照所需的形狀被畲出,經由已知 的曝光顯影技術和蝕刻技術* 接下來,從下電搔表而去除天然的氣化物薄膜,此試 片藉箸矽烷(包含20%的氬氣)的照射而發光,在溫度範 圍550-570之間,旦鼷力在1毫托耳(Torr}下分別的形 成未摻雜非晶質矽薄膜在下電棰表面上包含撤細晶粒且 厚度在100埃至150埃之間。(在此階段,没有晶粒成長 發生已知HSGs在矽烷照射期間並不發生晶粒成長)。 接下來,矽烷的照射停止,並a HSGs 8經由退火過程 晶粒成長到直涅5 0 0至7 0 0埃之間。在形成HSGs之後的截 而槙其是示意圔如第4團所示。如第1及第4圖所示, 所生長之HSGs和下層磷榇雜的非晶質矽薄膜僳經由直徑 約8 β埃的薄頚编3而連接在一起。5 0至80埃的間隙存在 於頸縮與下層的非晶質矽薄膜之間。 接箸,一矽薄膜4在下電棰的表面上被蘧擇性的形成 到約50埃之厚度,並經由矽烷的照射第二次形成HSGse 單層HfiGs的條件如第1圖所示。經由SEM對横截面積的 觀察顯示HSG頸编和下層的非晶質矽薄膜的間隙由矽薄 膜4所填祺,增大頸縮的直徑到大約5〇〇埃如第1圖所 示〇 -1卜 適用中國國家CNS ) A4規格(210X25)7公釐) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 A7 經濟部智慧財度局員工消費合作社印製 五、發明説明(…) 接着,如第5圏所示,一層60埃的氮化矽薄膜9 S由 已知的LP-CVD法於700°C形成笛作是介電質。 接箸,部份的氮化汐薄膜表面锞由80(rC,30分鐘的 氧化遇程轉變成氣化物薄瞑》 接下來,如第δ圏所示,一上霉择由已知的LP-CVD 法形成包含有3Ε20鹤磷原子/每立方公分之矽薄膜。 接著,一層绝銻層薄睽(BPSG)U沈積上去,且不純物 藉餐將它送到800*0,10分鏟的熱處理遇程被活化《第7_ K 第8圔為電容器中的C-V待性曲線矚。除此之外,電 容器的C-V恃性曲線的楢得未絰矽薄膜4的形成,並且 缺乏霉容器的HSGs如第8 _所示當作是比較的範例。 即使本發明霣容器中Cs的最大價在某些稈度上分別輿 其他的例子類似,在實際上使用時偏釅在1.2 V附近,离 於本發明的電容值。 很快的在USGs矽形成之後,在裡面沒有不姹杨的存在 ,所以為了使它具有霣極的功能,引入不純物拜裡面去 是必須的。 在fcb較例當中,不純物的引入必須藉著熱擴散的方法 從下_到HSGS主髑中經遇狹窄的頸缠3其直徑約8 0埃, 並S頸縮3的窄度是問題的瓶頸所在β 在本發明中,藉餐增大蕷缠3的直悝,引進不楗物到 HSGstt]起比較例來説是便利的。再者,在比較例當中, 比較小的頸编3在淸洗過程或是類似的裂程中導致HSGs (請先閎讀背面之注^^項再填寫本頁) .裝·
、1T 丨π · A 7 B7 五、發明说明(u ) 的破墩。導致HS 6 s在電極中的部份短路,減少産率β然 而在本發明中,頸縮被加強所以比較駙機铖破壤。 寅施例2 在賁施例1中,有一缺點在於Cs的最大值是有些比不 上比較例。逭是因為在HSGs上形成薄膜時,迪成部份的 该平而減少了表而積。HSGs的矽薄膜在經過猓擇性的晶 粒成長之後,矽薄膜在61TC以大约毎秒30埃的铀刻速率 鈾刻,蝕刻液為软水以及過氣化氳之水溶液。 因為蝕刻過程為等方向性的,所以矽薄瞑在頸缩3與 下1的砂薄膜埔滿空間,並1發現頸缩的尺寸一旦增加 到大約44 0埃β此情況如第2围所示· 在此之後,霄容器以相同的方法形成,如實施例1所 示,ft電容器的霣醱霣容特性曲線如矚所示。因為缩 直徑的減少相對於小於表面稍的回復,在實施例1中CS 的最大值也改進了》 實施例3 在實施例丨輿2中,未摻雜的矽薄膜在HSGS上形成。 在本資施例中,為了引入不純物,摻雜碟原子的矽薄膜 取代未摻雜磷暸子的矽薄膜形成在HSfisi β摻雜雄原子 的矽薄膜是從包含有磷化氣(ΡΗ3 >和矽烷的氣想条統中 •在釅力為1毫托耳及租度5 30*C至57ITC之下S擇性的 形成《•在薄膜的形成過程中,碎化氫(PH3>最先被引入 ,接箸是矽烷,其濃度為3E20箱原子/毎立方公分,且 薄膜的厚度約為50埃》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 iir 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- A7 B7 五、發明説明(f) 在牝之後電容器以相同的方式形成如同實施例1中所 示。窜容器的C-V(電容-電壓)特性曲線如第8鬭所示 (實施例3-1)。 除此之外,霉容器的電容-電壓的特性形成是由於等 方向性的蝕刻摻雜有磷原子大約埃的矽薄膜,相同的 方法,如實施例2中也如第8圖所示(實施例3-2)0 亦可得知與賨旅例1及2相較之下,負下甭播的耗盡 將可被抑制。 實施例4 藉著形成未摻雜或是摻雜磷原子的矽薄暌於liSGs上, 從外而熱擴散磷原子到HSGsW β接著,把試Η放入在 P0C〗3的氛圍中進行熱處理,詳述如下。 例如,在形成HSGs之後如實施例1中用相同的方法, 未摻雜矽薄膜沈積到HSGs上去厚度約100埃。接署,在 P0C13的氛酮中800*0熱處理五分鏡産生磷玻璃層其厚度 約為〗20埃。接著之後,形成的磷玻璃層用ϋ酸除去, 並且得到電容器藉著形成一介電層和上罨棟用相188 @ # 法如實施例1中所示^ 電容器的C-V特性曲線如此形成如第8圖所示(實施例 0<>亦可得知負下電稱的耗盡將可被抑制。 jj f 罱磷原子擴戢使用傳統的方法無須加大* 油a有些HS6 徑,部份或是金部的HSGs轉變成磷玻璃雇,% _ 域妨雅不造成 剝落磷玻璃靥下電搔的去除過程是用氫氟_ ^ Λ教下甯楝的焯 電容的增加。除此之外,剝落的HS6S易導@ -14- 本紙張尺度適用中國國家橾车(CNS ) Α4说格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 256 1 7 A8 B8881 02 299 cs D8六、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置,包含一半球形晶粒(HS6)之電極, 該半球形晶粒電極具有一矽層及形成於矽層上方之 半球形晶粒,電櫥之特撒在於,該矽晶粒具有一頚编 區,其第一直徑在與該矽層接觸之表面倒變窄,並具 有一矽膜,此矽膜藉由填充在該頸縮區周圍及該矽層 間之間隙而覆蓋該矽晶粒區,同畤倮持矽晶粒之不平 坦,而由矽膜覆蓋之頸缩匾之第二直徑像小於由矽膜 所覆蓋而形成之矽晶粒之最大盲徑。 2. 如申請專利範園第1項之半導體裝置,其中該第二直 徑偽較該第一直徑為大。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該矽層傺 一包含雑質之矽。 4.如申謅專利範圍第1項之半導醱裝置,其中該矽膜偽 一包含雜質之矽β 5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置,更包含形成於 電極上之介電膜,及形成於該介電糢上方之導體膜。 6. —禅形成電容器之方法,包含一多晶矽下電棰,一介 電膜,及一上電極,包含: 在矽層上形成半球形晶粒(HS6)矽,而每一個半球 形晶粒具有一頸縮區,其直徑在與矽層接觸之平面側 要窄; . 藉由澱積一矽膜形成形成一下電稱以便藉由缜充在 該緊縮區之周圍之矽層及HSG之間之間隙,以便覆蓋 該HSGs,同時維持所形成之HSGs之不平坦性, -1 6- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 .r 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C8 D8六、申請專利範圍 在該下電極之上形成一介電膜;及 在該介電膜上形成一上電掻。 7. 如申請專利範圍第6項之形成電容器之方法,其中濉 積在該HSGs上方之矽膜偽藉由一低靨化學蒸氣箱積法 (LP-CVD)而形成。 8. 如申請專利範圍第8項之形成電容器的方法,其中形 成於該HSGs上之矽膜係一非摻雜矽膜β 9. 如申誚專利範圍第6項之形成電容器之方法,其中形 成於該HSGs上砂膜係一摻雑雜質之矽膜。 10. 如申請專利範圍第9項之形成電容器之方法,其中 在該矽膜中之雜質濃度並不小於1Ε20値原子/每一立 方公分β 11. 如申請專利範圍第6項之形成電容器之方法,更包 含等向蝕刻澱積於該HSG之矽膜,而留下一部分之砂 膜。 12. 如申請專利範圍第6項之形成電容器之方法,其中 在下電極上選擇性地形成HSG矽後,澱積覆蓋HSGs之 矽膜,這是在同一掴反鼴爐中發生而不需曝露HS 6於 空氣中。 13. 如申請專利範圍第6項之形成電容器之方法,更進 一步包含,在澱積矽膜於HSG上之後,在一 POC13之氛 圍中加熱。 14. 如申請專利範圍第6項之形成電容器之方法,其中 由該矽膜調整之HSS之頸编區之比例至最大HSG直徑像 在0.4至0 . 95之範圍内。 -1 7 - *t,ir-----)線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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