TW423047B - Method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents
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Description
修舻23047 正誇 Ά 修- 案號 88107110 書貪五、發明說明（1) |||【發明之領域】 1¾ 找物’ ^ 本發明是關於一種半導體裝置之製造方法，特別是一 翼年種利用化學放大光阻來圖形製程的半導體裝置製造方法。 | J [發明背景] 半導體裝置如大型積體電路裝置（LSI)和高集積類似 必須於此等LSI裝置中形成更細的内導線、電極和類 P似物。舉例來說’在動態隨機記憶體（DRAM)，64MB DRAM 使用0.35仁m的線寬’而下世代的256MB DRAM使用0,25 的線寬。為了達到微小化的需求，在形成LS I圖形時光蝕 刻必須使用波長更短的曝光源。因此，近來》逐漸以 KrF(248nni)、ArF(19 3nm)和其他波長的準分子雷射來取代 傳統g-line(436nm)、i-iine(365nm)和其他具有高能量發 光頻譜的水銀燈。 當使用準分子雷射時，由於低穿透率的緣故無法使用 傳統i - 1 i ne的曝光光阻。因此，必須開發新材料如 Polyhyroxystyrene(PHS)(聚烴基苯乙烯）。而且，由於準 分子雷射的低亮度，因此必須開發具有高敏感度的化學放 大光阻。在化學放大光阻中’當唪光時，會由光阻中的光 酸產生劑中產生質子酸（H+)。如果是正型化學放大光阻 時，，在光阻曝光後的加熱過程中會使得酸擴散進光阻而使 得曝光部份會溶解在顯影液中，因此可以形成圖形。如果 是負型化學放大光阻時，酸會作為交連反應的催化劑而使 得曝光部份不溶於顯影液中而形成圖形。 另一方面，作為導線和電極的材料主要是使用具有高
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Αΐ 年 月 Ε423〇41μ 83107110 五、發明說明（2) 反射率的金屬材料如鋁（Α1)和其他類似物。然而，當直接 塗布光阻於此等材料上時，由於光由此等金屬材料反射會 造成圖形變形的問題。园此，通常，會在金屬材料上形成 一層氮化鈦薄膜和類似物的抗反射層。而且，當進行梦局 部氧化（L 0 C 0 S)以形成元件間的絕緣區域時，必須只在不 被氧化的區域沈積氮化矽薄膜或是氧氮化矽薄膜。為了此 一目的，形成氮化矽薄膜或是氧氮化矽薄膜於整個基板表 面’而且，直接塗布光阻於此一氮化矽、薄膜或氧氮化矽薄 膜上並且曝光。然而，由於存在於含氮原子材料中的孤立 電子對0因此當塗布化學放大光阻於此等材料上並使用 KrF準分子雷射或是類似光源曝光時，所產生的質子酸會 被孤立電子對所捕捉而造成酸失活化，而無法適當地形成 所要的圖形。也就是說，當使用正光阻時，會形成開口底 部寬度比上部窄的'·裙邊現象”，或是形成開口區域沒有完 全打通而光阻圖形沒有完全分開的現象β相反地，如果使 用負光阻時，會產生開口底部與底面界面的部份比開口其 他《I5伤大的侵姓（encroaching)或是内生（ingrowjng)現 象。 為了解決使用化學放大光阻的此等問題，在1994年9 月12曰所申請的曰本申請專利案第6_217555號（曰本專利 公開公報第8-83786號，公告於1996年3月26日）揭露一種 圖形形成方法，在氮化矽層上形成氧化矽層或是氧氮化矽 層之後’塗布化學放大光阻，然後曝光和顯影。在本公報 中揭露一種藉由氧電漿來氧化氮化矽層表面的方法，而且 & ^ $在氮化矽層表面形成氧化矽層或氧氮化矽層的方
Fv
銮號 88107110 麇 423047 曰 五、發明說明（3) 法。而且包含一種已知利用酸溶液來塗布在氮化矽層上的 濕式製程。然而’於此等方法中，由於必須利用另一製程 或是利用另一設備來疊一層新層，或是需要濕式製程或是 其他設借，而使得製程變得複雜並降低產出率。 另一方面，1996年3月21日所申請的日本申請專利案 第8-64360號（日本專利公開公報第9-260246號公告於1997 年10月3日）揭露一種技術其藉由薄膜形成室和灰化室相鄰 的薄膜形成裝置，在形成氮化物薄膜及形成化學放大光阻 薄膜於氮化物薄膜上之後連續進行灰化而可以改善表面的 性質。於此公開公報中，其揭露藉由此一技術可以減少或 疋避免在氮化物薄膜表面上的孤立電子對，因此可以避免 嗓光時所產生的質子酸被孤立電子對捕捉的現象。 ,在一般製程中，不一定會在形成氮化物薄膜後立刻進 行塗布光阻的製程和曝光，而是經常在形成數天後才進行 以便批量處理半導體晶圓。如果晶圓在曝光前儲存或放置 很久’即使氮化物薄臈表面如前述日本專利公開公報 No. 9-2 6 0 246或是類似技術所述經過改善，表面改善的效 應也會降低°而且’一旦所形成的光阻圖形不符合所允許 的準確圖形尺寸限制或是圖形位置，便必須進行重構以去 除光阻並重新塗布光阻到晶圓上，並進行曝光和顯影。然 而’當去除光阻’利用電漿改善所造成的改善效應便會減 少’而且前述長時間的儲存更會降低此種效應。 因此’本發明的目的是提供一種製造半導體裝置的方 法，當使用化學放大光阻形成光阻圖形於一層被蝕刻且含
鼴4 23CU 7 2 -—案號88107110 约年1月Η曰 修正 五、發明說明（4) 有氮原子的層上時，光阻圖形可以具有良好橫剖面的方 法0 ^發明的另一目的是提供一種製造半導體裝置的方 法 使用化學放大光阻形成光阻圖形於一層被姓刻且含 有氣原子的層上時’可以避免化學放大光阻在光蝕刻製程 時的裙邊效應或是侵蝕效應。 、^發明的另一目的是提供一種製造半導體裝置的方. 法▲使用化學放大光阻形成光阻圖形於一層被餘刻且含 ϋ原!的層上時，可以避免化學放大光阻在光蝕刻製程 ' j效應或是侵姓效應而不需要複雜的製程並避免降 本發明的 法，當使用化 有氮原子的層 子酸的失活化 率。 本發明的 法’當使用化 有氮原子的層 必須進行晶圓 質子酸的失活 程時的裙邊效 【發明概要】 仔細檢討 成被蝕刻薄膜 另一目的是 學放大光阻 上時，可以 現象而不需 另一目的是 學放大光阻 上時，即使 的重構也可 化現象而可 應或是侵蝕 提供一種製造半導體裝置的方 形成光阻圖形於一層被蝕刻且含 抑制化學放大光阻曝光所產生質 要複雜的製程並避免降低產出 提供一種製造半導體裝置的方 形成光阻圖形於一層被蝕刻且含 光阻製程前的儲存時間很長或是 以抑制化學放大光阻曝光所產生 以避免化學放大光阻在光蝕刻製 效應。 前述問題的 例如氮化鈦 ，果，本案之發明人發現，在形 薄膜或是氮化矽薄膜之際，藉由
第8頁 五、發明說明（5) 在薄膜的最後形成 不包含氮原子的方 根據本發明， 有 個底部基板 部基板上 比遠小氮 放大光阻 化學放大 薄膜；並 罩來餘刻 【圖示的 本發 明而彳寻以 對應的部 圖1Α 並含有氮 面圖。 的複合薄 原子在該 於該複合 光阻薄膜 至少藉由 該複合薄 簡單說明 明的特徵 更清楚， 份。 到1C是表 原子複合 階段或當 式形成薄 其提供一 ，形成一 膜，其中 複合薄膜 薄膜上； ;顯影和 該圖形化 膜。 ] 和優點將 於附圖中 示一種形 薄膜方法 形成薄膜的 膜即可解決 種半導體裝 層被蝕刻並 該複合薄膜 其他部份的 依據預定圖 圖形化該曝 的化學放大 表面部 前述問 置的製 含有氮 表面的 組成比 形選擇 光的化 光阻薄 份時實質上 題。 造方法，具 原子在該底 氮原子組成 ;形成化學 性地曝光該 學放大光阻 膜作為保護 由後面配合附圖所作之詳細說 使用相同數字表示相同或是相 成根據本發明實施例的被蝕刻 的半導體裝置基板的部份橫剖 —圖2是表不在薄膜形成製程中由TiN薄膜到Ti薄膜的複 合薄膜中氮組成比逐漸降低或是階梯式降低的特徵範例。 圖3是表示本發明第二實施例的半導體裝置基板的示 意部份橫剖面圖。 圖4是表不本發明第三實施例的半導體裝置基板的示 意部份橫剖面圖。 圖5是表示本發明第四實施例的半導體裝置基板的示
霾 42304 7 修 曰 --崖號 88107110 五、發明說明（6) 意部份撟剖面圖。 圖6是表示本發明第五實施例的半導體裝置基板的示 意部份橫剖面圖。 【符號之說明】 1〜矽基板 2〜層間薄膜 3〜鋁薄膜 4〜TiN薄膜 5〜過渡區域 8〜Ti02薄膜 9〜SiN薄膜 10 * SiN_Si過渡區域 11 ~ S i薄膜 12〜SiON薄膜 13 ~ Si0N~Si02過渡區域 1 4〜S i 02薄膜 【較佳實施例的說明】 在本發明中’當形成被蝕刻並含有氮原子的複合薄膜 時’其後的飯刻製程中形成化學放大光阻在實質上不含氮 原子的薄膜表面。因此可以抑制化學放大光阻曝光產生的 質子酸被二原+的孤立電+對所捕捉的情形。 特別疋纟本發明的一實施例，一個含有氮原子的區
4 2 3 Ο ^ 7 ’ _ 五、發明說明（7) 域和一個不含氮原子的區域是藉由例如一個逐漸降低薄膜 中的氮原子組成比的過渡區域來接合在一起，而使得兩者 之間的接合增強。因此’特別是’此一薄臈可以具有優良 的重構特性 此等含有氮原子的區域和不含氮原子的區域 及之間的過渡區域可以在形成氮化物薄膜時逐漸減少通入 反應室作為氮氣源的氮化物的量如ΝΗ3或％,並藉由例如電 漿CVD和類似技術來形成。因此，可以在同—反應室中形 成此等區域並且避免減少產出。 在本發明令’係將被蝕刻的複合薄臈中的氮含量控制 成使得在必須塗布化學放大光阻的表面上實質上不含氣原 子。此一不含氮原子區域的厚度必須等於或大於5nm以避' 免因為孤立電子對捕捉質子酸所產生的酸失活化並獲得 發明的良好效應。厚度上限並沒有特別限制而可以 ，當值H被㈣的複合薄膜必須是具有 = 溥膜時例如抗反射薄膜時，不含氮的區域可以形 ^， 害其抗反射效應的厚度。當複合薄膜中 ^不損 低時，氮組成比可以連續；：或= =漸降 : 開始形成薄媒時不通入I氣源 逐漸增加通入氮氣的量，而之後減少通入氮氣的量，、後 :且’根據本發明，亦可將光阻塗布 含氮原子的區域，在氧化環境中進行熱氧 2上不 5氧化薄膜。而且’當減少氮原子組成比時，可以將：f 氣體通入於薄膜形成環境中，俾於薄膜 將氧化 表面形成氧化膜。 ’乳原子而在
第11頁
4 230 47 〔範例〕 本發明將參照範例來具體地解釋。然而，必須注意的 是本發明並不限於此等範例。 範例1 參照圖1 A到1C的部份橫剖面，將描述根據本範例的製 程。以一個例如矽基板1的半導體基板^在矽基板1上，依 序形成一層層間薄膜2，如二氧化矽和類似物，和鋁層3， 整個形成一個底部基板。必須注意的是底部基板並不限於 此一組成’任何具有被蝕刻和至少部份含有氮原子的複合 薄膜都可以作為底部基板。在鋁層3上，一層含有TiN薄膜 4 (圖1A )的被蝕刻複合薄膜以DC磁控濺鍍方法利用T i靶以 下列條件形成。 RF功率：5KW 真空度：4ra Torr 氬氣流率· 20 seem 氣氣流率：20-0 seem 形成薄膜厚度：30ηπι 在本製程中，複合薄膜以逐漸減少氮氣流量的方式來 形成，而且在最後階段不通入氮氣。也就是，如圖1Β所 示，氮氣流量被調整成在開始時形成薄膜厚度1 Omn的T iN 薄膜4，一層由TiN到Ti過渡區域5被另外形成於10run的TiN 薄膜4上’而剩下的10 nm厚Ti薄膜6被形成於過渡區域5之 上。因此複合薄膜可以藉由調整在薄膜形成過程中的氣體 流量而在一個製程中連續形成。因此，複合薄膜的製程不
第12頁 /12 3 0 4 7^ 五、發明說明（9) 會變得複雜。 然後’塗布正型化學放大光阻薄膜於複合薄膜上並如 上述钱刻和形成圖形’而圖形曝光藉由選擇性地利用 準刀子雷射曝光。之後，熱處理和顯影過程以習知技術來 去除曝光部伤的光阻。必須注意的是塗布光阻可以例如在 複合薄膜形成後放置或儲存半導體基板4到5天之後。 ^當光阻圊形7的橫剖面形狀如上述形成之後以顯微鏡 觀察’幾乎觀察不到會形成開口底部的寬度比上部窄的" 裙邊現象"，而形成如圖“令人滿意的圖形。 之後’去除如上述所形成的光阻圖形，並重新塗布光 阻，曝光和顯影。然而，裙邊效應不再出現。而且，重複 幾次如此的重構但是仍能產生同樣令人滿意的光阻圖形。 利用具有如此優異剖面的光阻圖形來蝕刻複合薄膜（T丨Ν薄 膜4、過渡區域5和Ti薄臈6)和鋁薄膜3，可以準確地在預 定位置和以預定尺寸來形成導線圖形和電極圖形。 在上面的解釋中，雖然描述TiN薄膜和Ti薄膜之間由 T i N到T i過渡區域中的組成》然而’也可能直接沒有形成 該過渡區域或直接由TiN薄膜變成Ti薄膜而獲得相同的效 果。例如，在形成厚度20 nm的TiN薄膜之後，停止供應氮 氣且將反應室抽真空。之後，形成厚度10 nm的Ti薄膜於 T i N薄膜上以獲得相同的效應。 於此製程中，也可以在停止供應氮氣進入反應室之前 減少施加的R F功率並且在抽真空之後回復到預定功率，因 此可以由T i N薄膜變成T i薄膜而不須在之間形成過渡區
第13頁 + ^ 〇 u £J. f 索號 88107110
五、發明說明（1〇) 域。而且’於此一情形中，也可能不須實行上述抽真空的 步驟’而在消耗殘留在反應室中的氮氣之後連續形成薄 膜。此一製程的結果是，僅稍微形成由TiN到Ti的過渡匾 域’但是於此一情形也可以獲得相同的效應s 如上述的範例，當形成複合薄膜在鋁導體上作為抗反 射薄膜時，複合薄膜的厚度約為25到50nm。舉例來說，當 形成厚度5 0nm的複合薄膜時，如圖2所示，TiN薄膜4由TiN 薄膜開始形成長到約20- 30nra的厚度，之後連續降低氮原 子的組成比。最後，可以形成在接近上表面不含氮原子的 Ti薄膜6(在圖中約5nm厚）。 當不形成TiN-Ti過渡區域時例如當形成TiN薄膜之 後’停止供應氮原子且將反應室再次抽真空以便在氬氣環 境中形成Ti薄膜，因此可以如圖2中虛線所示連續地形成 厚度約40nra的TiN薄膜和約l〇nm厚的Ti薄膜。 範例2 、 範例1中，在形成複合薄膜之後，薄膜表面利用電熱 爐作熱處理以進行熱氧化。於此一情形中，熱處理是在大 氣中進行熱處理溫度為攝氏500度五分鐘的熱處理。因 此，如圖3，在TiN薄膜6表面形成厚度5nm的埶氧化 後 形成Til薄膜8。如此一技術所知，當^在濂鍍之後由薄 膜形成室取出在室溫和暴露在空氣中時會形成幾個奈米的 氧化層’而且形成TiOx。所形成wiGx其氧成份小於整數 比2而且容易脫離。然而’如以上述熱氧化方式形成的 T1〇2薄膜，會形成牢固的薄膜，胃薄膜具有優異的光阻重 第14頁 P423〇4 7 上 % 案號881(17110 q车1月M曰 修 五、發明説明（π) 構特性。，之後，以相同方式實行化學放大光阻的鍍膜、曝 光、顯影相同地實行，並且形成如範例1令人滿意的光阻 圖形。而且’光阻的重構如範例1重複很多次’但是幾乎 觀察不到光阻圖形變差。 範例3 如範例1的製程中，在複合薄膜的最後形成階段’在 形成複合薄膜時通入氧氣到反應室而不通入氮氣。結果’ 形成厚度l〇nm的Ti02薄膜8在TiN薄膜4和過渡區域5上，如 圖4。於此一情形中，以2〇sccm流量通入氧氣》之後，以 相同方式實行化學放大光阻的鍍膜、曝光、顯影，並且形 成如範例1令人滿意的光阻圖形。而且，光阻的重構如範 例1重複很多次’但是幾乎觀察不到光阻圖形變差。 範例4 參照圖5，為了形成LOCOS絕緣的氧化薄膜，將以含有 被触刻S i N薄膜的複合薄膜的矽基板作為底部基板為範例 來解釋。在本範例中，複合薄膜以電漿CVD方法來形成。 其令所用的條件如下。
微波功率：1KW 真空度：5 Torr 基板溫度：攝氏400度 矽甲烷（SiH4)氣餿流量：350 sccm 氨氣（NH3)流率：150sccm 亂氣流率（N2) :5000sccm 形成薄膜厚度：200nm
第15頁 42304 a
案號88107110 g了皋3日β 五、發明說明（12) — 當形成複合薄膜時，逐漸降低通入作為氮氣源的氨氣 和氮氣的量，而且在最後階段’不再通入氮氣源。結果， 形成厚度160nm的SiN薄膜9、由SiN到Si厚度30nm的過渡區 域10、和形成l〇nm厚的si薄膜11。也可以在形成預定厚度 的SiN薄膜之後停止通入氮氣源，而且之後將反應室抽真 空並通入矽甲烷氣體到反應室，而在形成SiN薄膜（19〇nm) 之後形成Si.薄膜（1 Onm)。之後，化學放大光阻的鍍膜、曝 光、顯影相同地實行’並且形成如範例1令人滿意的光阻 圖形。而且，光阻的重構如範例I重複很多次，但是幾乎 觀察不到光阻圖形變差β 藉由具有如此優異橫剖面的光阻圖形來蝕刻複合薄膜 (SiN薄膜9、過渡區域i〇*Si薄膜丨丨），可以準確地在預定 位置和以預定尺寸來圖形複合薄膜。藉由灰化或是類似技 術去除光阻圖形之後，利用複合薄膜圖形作為保護罩來選 擇性地氧化矽基板1，而可以在矽基板1上準確地在預定位 置和以預定尺寸形成氧化薄膜以作為L〇c〇s絕緣3 .為了L0C0S絕緣而形成SiN薄膜以便形成氧化薄膜時， 薄膜的厚度通常為100到3 00 nm。 範例5 本範例參照圖6來解釋。當複合薄膜以類似範例4的方 式來形成時’矽甲烷（Si H4)氣體的流量改成2 00sccin。而 除了氨氣和氮氣之外，也通入lOOsccm的一氧化二氮（N20) 氣體以形成氧氮化矽薄膜。如範例4，當形成複合薄臈 時’逐漸降低通入作為氮氣源的氨氣和氮氣的量，而且
第16頁
a 423047 t _ 索號.88107_ljj 五、發明說明（13) 在最後階段，不再通入此等氣體。 結果如圖6所示，形成160nm厚的SiON薄膜12、由5丨训 到SiO2 30nm厚的過渡區域13，和lOrnn厚的Si〇2薄膜i4。也 可以在形成預定厚度的Si〇N薄膜之後停止通入氨氣和氮 氣，而且之後將反應室抽真空並通入矽甲烷氣體到反應 室，而在形成SiON(190nm)薄膜之後形成Si02薄膜 (10nm)。之後，化學放大光阻的鍍膜、曝光、顯影相同地 實行，並且形成如範例1令人滿意的光阻圖形。而且，光 阻的重構如範例1重複很多次，但是幾乎觀察不到光阻圖 形變差。 在上述的範例中’複合薄膜的形成是藉由例如磁控藏 鑛方法和CVD方法。然而，本發明並不限於使用此等方 法’而包含其他可以獨立控制通入氮氣源的薄膜形成方法 例如熱CVD方法，真空蒸鍍、分子束磊晶（MBE)方法和其他 類似技術β 而且，在上述解釋中，描述的是使用正光阻的範例。 然而本發明使用負光阻時也可以獲得良好的效應。 如上述，根據本發明，當使用化學放大光阻形成於被 蝕刻和含有氮原子的複合薄膜上時，可以避免降低產出 率，而且即使由形成複合薄膜到光阻製程之間儲存的時間 报長或必須重構時也可以抑制光阻曝光時所產生 的失活化現象。 f上述的舉例中，本發明雖然透過特定實施例來描 通。然而任何熟於此技術的人都π * 杈術旳人都可以在不偏離本發明的範 上述
圍或疋申明專利範圍的情形下進行變更。舉例來說
423047 五、發明說明（14) 的複合薄膜可以只由氮組成比由底部到複合薄膜上表面逐 漸增加的過渡區域來構成。因此，舉例和圖只是作為解釋 說明而非限定使用範圍，而所有如此的變更都視為包含在 本發明的範圍之内。因此本發明包含所有本申請專利範圍 之内的改變和變更。
第18頁
Claims (1)
- 4 230 A 7 六、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置的製造方法，包含： 提供一個底部基板； ^ 形成一受到姓刻且於其底部基板上含有氮原子的複合 薄膜，其氮原子的組成比在接近該複合薄膜的上表面遠小 於在複合薄膜其他部份的氮原子組成比； 形成化學放大光阻薄膜於該複合薄膜上； 依據特定圖形選擇性地曝光該化學放大光阻薄膜； 顯影該曝光的化學放大光阻薄膜； 以該化學放大光阻薄膜圖形化作為保護罩蝕刻至少該 複合薄膜。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中該複合薄膜在一個製程中連續形成。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中在該複合薄膜的形成過程中’該複合薄膜是在該複合 薄膜的最後形成階段不通入氮原子到該複合薄膜的情形下 形成。 4_如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中在該複合薄膜的形成過程中，是在該複合薄臈的最後 形成階段於薄膜形成環境中不含氮氣源的情形下形成該複 合薄膜β 5.如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中在該複合薄膜的形成過程中，係由形成該複合薄膜的 開始階段到形成該複合薄膜的最後階段以逐漸降低通入氮 原子到該複合薄膜的量之方式來形成該複合薄膜。第19頁% 案號 88107110 23〇Λ7 六、申請專利範圍 6.如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法 其中在該複合薄膜的形成過程中，在形成該複合薄膜的開 始階段到該複合薄膜的最後形成階段是以逐漸降低通入氮 氣源到薄膜形成環境中的量之方式來形成該複合薄膜。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中在該複合薄膜的形成過程中’係以通入預定量的氮原 子到該複合薄臈並在該複合.薄膜的最後形成階段停止通入 該氮原子到該複合薄膜的方式來形成該複合薄膜。 8. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中在該複合薄膜的形成過程中，係以通入預定量之氮原 子到一薄膜形成環境並在該複合薄膜的最後形成階段停止 通入該氮原子到薄膜形成環境中的方式來形成該複合薄 膜。 9_如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法， 其中該底部基板具有一層金屬材料的薄膜區域，該複合薄 膜被形成在該金屬材料薄膜區域上。 1〇·如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方 法’其中該複合薄膜具有一層氮化鈦薄膜區域。 η.如申請專利範圍第10項之半導體裝置的製造方 法二其中接近該複合薄膜上表面的區域具有一層實質上不 含氮原子的鈦薄膜區域。 12_如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方 法’/、十該複合薄膜具有一層氮化矽薄膜區域。 13'如申請專利範圍第12項之半導體裝置的製造方第20頁16. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方 法，其中該方法更包含在形成該複合薄膜之後於氧化環境 中熱處理該複合薄膜的步驟，該化學放大光阻被薄膜形成 在以該熱處理方式熱處理過的該複合薄膜。 17. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方 法，其中，在該複合薄膜的形成過程中’於形成複合薄膜 的最後階段通入氧氣源到薄膜形成環境中。
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