JPH09258454A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH09258454A JPH09258454A JP8093405A JP9340596A JPH09258454A JP H09258454 A JPH09258454 A JP H09258454A JP 8093405 A JP8093405 A JP 8093405A JP 9340596 A JP9340596 A JP 9340596A JP H09258454 A JPH09258454 A JP H09258454A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学増幅型レジストにおけるパターンの裾引
きを抑制して、下地を所望の線幅で制御性良くパターニ
ングする。 【解決手段】 ＡｌＳｉ膜３５上のＴｉＮ膜３６上に非
晶質Ｓｉ膜３７と化学増幅型レジスト３２とを順次に形
成した状態で露光を行う。このため、化学増幅型レジス
ト３２の露光領域で発生させた酸とＴｉＮ膜３６中の窒
素との反応を非晶質Ｓｉ膜３７で抑制することができ、
露光領域の表面近傍部に比べて底面近傍部で酸の量が少
なくなることを抑制することができて、その後の現像処
理で化学増幅型レジスト３２におけるパターンの裾引き
を抑制することができる。
きを抑制して、下地を所望の線幅で制御性良くパターニ
ングする。 【解決手段】 ＡｌＳｉ膜３５上のＴｉＮ膜３６上に非
晶質Ｓｉ膜３７と化学増幅型レジスト３２とを順次に形
成した状態で露光を行う。このため、化学増幅型レジス
ト３２の露光領域で発生させた酸とＴｉＮ膜３６中の窒
素との反応を非晶質Ｓｉ膜３７で抑制することができ、
露光領域の表面近傍部に比べて底面近傍部で酸の量が少
なくなることを抑制することができて、その後の現像処
理で化学増幅型レジスト３２におけるパターンの裾引き
を抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、半導体装置を
製造するためのエキシマレーザリソグラフィで用いられ
ている化学増幅型レジストにパターンを形成するレジス
トパターンの形成方法に関するものである。
製造するためのエキシマレーザリソグラフィで用いられ
ている化学増幅型レジストにパターンを形成するレジス
トパターンの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積度の高い半導体装置を製造するため
には、リソグラフィにおける解像度を向上させて微細な
パターンをレジストに形成する必要があるが、光学系の
解像度は光の波長に比例し開口数に反比例するのに対し
て、焦点深度は光の波長に比例し開口数の２乗に反比例
する。
には、リソグラフィにおける解像度を向上させて微細な
パターンをレジストに形成する必要があるが、光学系の
解像度は光の波長に比例し開口数に反比例するのに対し
て、焦点深度は光の波長に比例し開口数の２乗に反比例
する。
【０００３】従って、焦点深度の劣化を相対的に抑制し
つつ解像度を向上させるために、光学系の開口数を大き
くすることよりも、光の波長が短くすることが主に採用
されている。このため、従来から用いられている波長４
３６ｎｍのｇ線や波長３６５ｎｍのｉ線よりも更に波長
の短いエキシマレーザ光、特に波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ光がリソグラフィで用いられる様になっ
てきている。
つつ解像度を向上させるために、光学系の開口数を大き
くすることよりも、光の波長が短くすることが主に採用
されている。このため、従来から用いられている波長４
３６ｎｍのｇ線や波長３６５ｎｍのｉ線よりも更に波長
の短いエキシマレーザ光、特に波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ光がリソグラフィで用いられる様になっ
てきている。
【０００４】しかし、ｇ線やｉ線に対しては、ノボラッ
ク樹脂であるベース樹脂に感光剤を組み合わせたレジス
トが用いられてきて、ノボラック樹脂に含まれているベ
ンゼン環が耐ドライエッチング性に寄与しているが、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ光に対してはこのベンゼン環が強い
吸収性を示す。
ク樹脂であるベース樹脂に感光剤を組み合わせたレジス
トが用いられてきて、ノボラック樹脂に含まれているベ
ンゼン環が耐ドライエッチング性に寄与しているが、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ光に対してはこのベンゼン環が強い
吸収性を示す。
【０００５】このため、光が照射された場合に酸を発生
する感光剤を含んでおり、酸が発生している状態で露光
後ベークを加えると露光領域に化学反応が生じて、その
後の現像処理でパターンが形成される化学増幅型レジス
トが、ＫｒＦエキシマレーザ光に対して一般に用いられ
ている。
する感光剤を含んでおり、酸が発生している状態で露光
後ベークを加えると露光領域に化学反応が生じて、その
後の現像処理でパターンが形成される化学増幅型レジス
トが、ＫｒＦエキシマレーザ光に対して一般に用いられ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方、低抵抗の金属配
線用として最も一般的に用いられているＡｌ膜は光の反
射率が高いので、図４に示す様に、Ａｌ膜１１上に反射
防止膜としてのＴｉＮ膜１２やＴｉＯＮ膜等を形成し、
このＴｉＮ膜１２等の上に塗布した化学増幅型レジスト
１３をリソグラフィでパターニングしている。
線用として最も一般的に用いられているＡｌ膜は光の反
射率が高いので、図４に示す様に、Ａｌ膜１１上に反射
防止膜としてのＴｉＮ膜１２やＴｉＯＮ膜等を形成し、
このＴｉＮ膜１２等の上に塗布した化学増幅型レジスト
１３をリソグラフィでパターニングしている。
【０００７】ところが、化学増幅型レジスト１３をＫｒ
Ｆエキシマレーザ光に露光させて発生させた酸はＴｉＮ
膜１２中の窒素と反応する。この結果、化学増幅型レジ
スト１３の露光領域の表面近傍部に比べて底面近傍部で
酸の量が少なくなり、その後の現像処理において化学増
幅型レジスト１３におけるパターンに所謂裾引き１３ａ
が発生する。
Ｆエキシマレーザ光に露光させて発生させた酸はＴｉＮ
膜１２中の窒素と反応する。この結果、化学増幅型レジ
スト１３の露光領域の表面近傍部に比べて底面近傍部で
酸の量が少なくなり、その後の現像処理において化学増
幅型レジスト１３におけるパターンに所謂裾引き１３ａ
が発生する。
【０００８】従って、この現像した化学増幅型レジスト
１３をマスクにしてＴｉＮ膜１２及びＡｌ膜１１をエッ
チングしても、これらのＴｉＮ膜１２及びＡｌ膜１１を
所望の線幅で制御性良くパターニングすることが困難で
あった。
１３をマスクにしてＴｉＮ膜１２及びＡｌ膜１１をエッ
チングしても、これらのＴｉＮ膜１２及びＡｌ膜１１を
所望の線幅で制御性良くパターニングすることが困難で
あった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１のレジストパタ
ーンの形成方法は、窒素を含む第１の膜上に、前記窒素
と酸との反応を抑制する第２の膜と、化学増幅型レジス
トとを順次に形成する工程と、前記第１及び第２の膜に
形成すべきパターンで前記化学増幅型レジストを露光さ
せる工程とを具備することを特徴としている。
ーンの形成方法は、窒素を含む第１の膜上に、前記窒素
と酸との反応を抑制する第２の膜と、化学増幅型レジス
トとを順次に形成する工程と、前記第１及び第２の膜に
形成すべきパターンで前記化学増幅型レジストを露光さ
せる工程とを具備することを特徴としている。
【００１０】請求項２のレジストパターンの形成方法
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
前記第１の膜としてＴｉＮ膜、ＴｉＯＮ膜またはＳｉＮ
膜のうちの何れかを用いることを特徴としている。
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
前記第１の膜としてＴｉＮ膜、ＴｉＯＮ膜またはＳｉＮ
膜のうちの何れかを用いることを特徴としている。
【００１１】請求項３のレジストパターンの形成方法
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
前記第２の膜として非晶質Ｓｉ膜を用いることを特徴と
している。
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
前記第２の膜として非晶質Ｓｉ膜を用いることを特徴と
している。
【００１２】請求項４のレジストパターンの形成方法
は、請求項３のレジストパターンの形成方法において、
前記非晶質Ｓｉ膜の膜厚を７ｎｍ以下にすることを特徴
としている。
は、請求項３のレジストパターンの形成方法において、
前記非晶質Ｓｉ膜の膜厚を７ｎｍ以下にすることを特徴
としている。
【００１３】請求項５のレジストパターンの形成方法
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
前記第２の膜として多結晶Ｓｉ膜を用いることを特徴と
している。
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
前記第２の膜として多結晶Ｓｉ膜を用いることを特徴と
している。
【００１４】請求項６のレジストパターンの形成方法
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
Ａｌ膜とこのＡｌ膜上に積層されて窒素及びチタンを含
む膜とを前記第１の膜として用い、膜厚が７ｎｍ以下の
非晶質Ｓｉ膜を前記第２の膜として用いることを特徴と
している。
は、請求項１のレジストパターンの形成方法において、
Ａｌ膜とこのＡｌ膜上に積層されて窒素及びチタンを含
む膜とを前記第１の膜として用い、膜厚が７ｎｍ以下の
非晶質Ｓｉ膜を前記第２の膜として用いることを特徴と
している。
【００１５】本願の発明によるレジストパターンの形成
方法では、窒素を含む第１の膜と化学増幅型レジストと
の間に、窒素と酸との反応を抑制する第２の膜を介在さ
せているので、化学増幅型レジストを露光させることに
よって露光領域で発生させた酸と第１の膜中の窒素との
反応を第２の膜で抑制することができる。このため、化
学増幅型レジストの露光領域の表面近傍部に比べて底面
近傍部で酸の量が少なくなることを抑制することができ
る。
方法では、窒素を含む第１の膜と化学増幅型レジストと
の間に、窒素と酸との反応を抑制する第２の膜を介在さ
せているので、化学増幅型レジストを露光させることに
よって露光領域で発生させた酸と第１の膜中の窒素との
反応を第２の膜で抑制することができる。このため、化
学増幅型レジストの露光領域の表面近傍部に比べて底面
近傍部で酸の量が少なくなることを抑制することができ
る。
【００１６】また、膜厚が７ｎｍ以下の非晶質Ｓｉ膜を
化学増幅型レジストの直下の膜として用いれば、化学増
幅型レジストの露光時に下地の反射率を低減させること
ができる。
化学増幅型レジストの直下の膜として用いれば、化学増
幅型レジストの露光時に下地の反射率を低減させること
ができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、Ａｌ配線を有するＭＯＳト
ランジスタの製造に適用した本願の発明の一実施形態
を、図１〜３を参照しながら説明する。本実施形態で
は、図３に示す様に、Ｓｉ基板２１の表面にＳｉＯ2 膜
２２を選択的に形成して素子分離領域を決定し、ＳｉＯ
2 膜２２に囲まれている素子活性領域の表面にゲート酸
化膜としてＳｉＯ2 膜２３を形成する。
ランジスタの製造に適用した本願の発明の一実施形態
を、図１〜３を参照しながら説明する。本実施形態で
は、図３に示す様に、Ｓｉ基板２１の表面にＳｉＯ2 膜
２２を選択的に形成して素子分離領域を決定し、ＳｉＯ
2 膜２２に囲まれている素子活性領域の表面にゲート酸
化膜としてＳｉＯ2 膜２３を形成する。
【００１８】その後、ポリサイド層２４等をゲート電極
のパターンに加工し、ポリサイド層２４及びＳｉＯ2 膜
２２をマスクにした不純物のイオン注入でソース／ドレ
イン拡散層２５をＳｉ基板２１に形成する。そして、層
間絶縁膜２６でポリサイド層２４等を覆い、ソース／ド
レイン拡散層２５に達するコンタクト孔２７を層間絶縁
膜２６等に開孔する。
のパターンに加工し、ポリサイド層２４及びＳｉＯ2 膜
２２をマスクにした不純物のイオン注入でソース／ドレ
イン拡散層２５をＳｉ基板２１に形成する。そして、層
間絶縁膜２６でポリサイド層２４等を覆い、ソース／ド
レイン拡散層２５に達するコンタクト孔２７を層間絶縁
膜２６等に開孔する。
【００１９】その後、配線層３１を全面に形成し、この
配線層３１上に塗布した化学増幅型レジスト３２をリソ
グラフィでパターニングする。図１に示す様に、配線層
３１は、Ｓｉ基板２１の表面の自然酸化膜を還元して安
定な低抵抗コンタクトを形成するためのＴｉ膜３３と、
バリアメタルとしてのＴｉＮ膜３４と、配線層３１の主
要部であるＡｌＳｉ膜３５と、反射防止膜としてのＴｉ
Ｎ膜３６と、非晶質Ｓｉ膜３７とを順次に積層させたも
のである。
配線層３１上に塗布した化学増幅型レジスト３２をリソ
グラフィでパターニングする。図１に示す様に、配線層
３１は、Ｓｉ基板２１の表面の自然酸化膜を還元して安
定な低抵抗コンタクトを形成するためのＴｉ膜３３と、
バリアメタルとしてのＴｉＮ膜３４と、配線層３１の主
要部であるＡｌＳｉ膜３５と、反射防止膜としてのＴｉ
Ｎ膜３６と、非晶質Ｓｉ膜３７とを順次に積層させたも
のである。
【００２０】この様に、本実施形態では、ＴｉＮ膜３６
と化学増幅型レジスト３２との間に非晶質Ｓｉ膜３７を
介在させているので、リソグラフィにおいて化学増幅型
レジスト３２を露光させることによって露光領域で発生
させた酸とＴｉＮ膜３６中の窒素との反応を非晶質Ｓｉ
膜３７で抑制することができて、化学増幅型レジスト３
２の露光領域の表面近傍部に比べて底面近傍部で酸の量
が少なくなることを抑制することができる。
と化学増幅型レジスト３２との間に非晶質Ｓｉ膜３７を
介在させているので、リソグラフィにおいて化学増幅型
レジスト３２を露光させることによって露光領域で発生
させた酸とＴｉＮ膜３６中の窒素との反応を非晶質Ｓｉ
膜３７で抑制することができて、化学増幅型レジスト３
２の露光領域の表面近傍部に比べて底面近傍部で酸の量
が少なくなることを抑制することができる。
【００２１】このため、図１、３に示した様に、その後
の現像処理において化学増幅型レジスト３２におけるパ
ターンの裾引きを抑制することができ、この現像した化
学増幅型レジスト３２をマスクにしたエッチングによっ
て配線層３１を所望の線幅で制御性良くパターニングす
ることができる。
の現像処理において化学増幅型レジスト３２におけるパ
ターンの裾引きを抑制することができ、この現像した化
学増幅型レジスト３２をマスクにしたエッチングによっ
て配線層３１を所望の線幅で制御性良くパターニングす
ることができる。
【００２２】一方、図２は、ＡｌＳｉ膜３５、ＴｉＮ膜
３６及び非晶質Ｓｉ膜３７の夫々の屈折率ｎ、消衰係数
ｋ及び膜厚をグラフ中の値にした場合における露光時の
反射率を示している。この図２から明らかな様に、非晶
質Ｓｉ膜３７の膜厚が７ｎｍ以下であれば、反射防止膜
としてのＴｉＮ膜３６上に非晶質Ｓｉ膜３７が形成され
ていても、反射率が０．３程度以下であり、ハレーショ
ンを抑制することができて、化学増幅型レジスト３２に
微細なパターンを形成することができる。
３６及び非晶質Ｓｉ膜３７の夫々の屈折率ｎ、消衰係数
ｋ及び膜厚をグラフ中の値にした場合における露光時の
反射率を示している。この図２から明らかな様に、非晶
質Ｓｉ膜３７の膜厚が７ｎｍ以下であれば、反射防止膜
としてのＴｉＮ膜３６上に非晶質Ｓｉ膜３７が形成され
ていても、反射率が０．３程度以下であり、ハレーショ
ンを抑制することができて、化学増幅型レジスト３２に
微細なパターンを形成することができる。
【００２３】なお、以上の実施形態では、ＴｉＮ膜３６
上に非晶質Ｓｉ膜３７を形成したが、ＴｉＮ膜３６の代
わりにＴｉＯＮ膜やＳｉＮ膜等を用いてもよく、非晶質
Ｓｉ膜３７の代わりに多結晶Ｓｉ膜等を用いてもよい。
また、以上の実施形態は、Ａｌ配線を有するＭＯＳトラ
ンジスタの製造に本願の発明を適用したものであるが、
Ａｌ配線以外の金属配線等を有するＭＯＳトランジスタ
やＭＯＳトランジスタ以外の半導体装置の製造にも本願
の発明を適用することができる。
上に非晶質Ｓｉ膜３７を形成したが、ＴｉＮ膜３６の代
わりにＴｉＯＮ膜やＳｉＮ膜等を用いてもよく、非晶質
Ｓｉ膜３７の代わりに多結晶Ｓｉ膜等を用いてもよい。
また、以上の実施形態は、Ａｌ配線を有するＭＯＳトラ
ンジスタの製造に本願の発明を適用したものであるが、
Ａｌ配線以外の金属配線等を有するＭＯＳトランジスタ
やＭＯＳトランジスタ以外の半導体装置の製造にも本願
の発明を適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】本願の発明によるレジストパターンの形
成方法では、化学増幅型レジストの露光領域の表面近傍
部に比べて底面近傍部で酸の量が少なくなることを抑制
することができるので、その後の現像処理において化学
増幅型レジストにおけるパターンの裾引きを抑制するこ
とができ、この現像した化学増幅型レジストをマスクに
したエッチングによって下地を所望の線幅で制御性良く
パターニングすることができる。
成方法では、化学増幅型レジストの露光領域の表面近傍
部に比べて底面近傍部で酸の量が少なくなることを抑制
することができるので、その後の現像処理において化学
増幅型レジストにおけるパターンの裾引きを抑制するこ
とができ、この現像した化学増幅型レジストをマスクに
したエッチングによって下地を所望の線幅で制御性良く
パターニングすることができる。
【００２５】また、膜厚が７ｎｍ以下の非晶質Ｓｉ膜を
化学増幅型レジストの直下の膜として用いれば、化学増
幅型レジストの露光時に下地の反射率を低減させること
ができるので、ハレーションを抑制することができて、
化学増幅型レジストに微細なパターンを形成することが
できる。
化学増幅型レジストの直下の膜として用いれば、化学増
幅型レジストの露光時に下地の反射率を低減させること
ができるので、ハレーションを抑制することができて、
化学増幅型レジストに微細なパターンを形成することが
できる。
【図１】本願の発明の一実施形態における要部を示す側
断面図である。
断面図である。
【図２】非晶質Ｓｉ膜の膜厚と反射率との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】本願の発明の一実施形態を示す側断面図であ
る。
る。
【図４】本願の発明の一従来例における要部を示す側断
面図である。
面図である。
３２ 化学増幅型レジスト ３５ ＡｌＳｉ膜 ３６ ＴｉＮ膜 ３７ 非晶質Ｓｉ膜
Claims (6)
- 【請求項１】 窒素を含む第１の膜上に、前記窒素と酸
との反応を抑制する第２の膜と、化学増幅型レジストと
を順次に形成する工程と、 前記第１及び第２の膜に形成すべきパターンで前記化学
増幅型レジストを露光させる工程とを具備することを特
徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記第１の膜としてＴｉＮ膜、ＴｉＯＮ
膜またはＳｉＮ膜のうちの何れかを用いることを特徴と
する請求項１記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記第２の膜として非晶質Ｓｉ膜を用い
ることを特徴とする請求項１記載のレジストパターンの
形成方法。 - 【請求項４】 前記非晶質Ｓｉ膜の膜厚を７ｎｍ以下に
することを特徴とする請求項３記載のレジストパターン
の形成方法。 - 【請求項５】 前記第２の膜として多結晶Ｓｉ膜を用い
ることを特徴とする請求項１記載のレジストパターンの
形成方法。 - 【請求項６】 Ａｌ膜とこのＡｌ膜上に積層されて窒素
及びチタンを含む膜とを前記第１の膜として用い、 膜厚が７ｎｍ以下の非晶質Ｓｉ膜を前記第２の膜として
用いることを特徴とする請求項１記載のレジストパター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8093405A JPH09258454A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8093405A JPH09258454A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09258454A true JPH09258454A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14081399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8093405A Pending JPH09258454A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09258454A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6248669B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP8093405A patent/JPH09258454A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6248669B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
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