TW420846B - Substrate drying method and device - Google Patents
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Description
- '! %*. 經濟部智惡財產局员工消費合作社印製 A7 __B7____五、發明説明(1 ) (技術領域) 本發明有關於基板乾燥方法及其裝置。再詳細的說, 將使用洗淨液所洗淨之基板迅速的乾燥之方法及其裝置。 * · (背景技術) 從來使用洗淨液而洗淨基板(例如半導體晶片)之後 ,將洗淨液.之液面對於基板而相對的一面下降、一面供給 乾燥用流體蒸氣(例如異丙醇(下面稱I P A )蒸氣)以 供乾燥基板之裝置有例如曰本專利公報特公平6 - 103686號公報所揭示者。 採用此裝置時,以洗淨液而將收容於處理槽內之複數 片之基板予以洗淨後,一面使洗淨液之液面下降,一面對 於處理槽內導入乾燥用流體蒸氣,由而在洗淨液之液面上 製作很薄之乾燥用流體之液層,利用馬蘭戈尼效能( marangonil effect )(即利用界面張力引起之界面運動)由 而迅速的可以使基板之表面乾燥也。 採用特公平6 - 1 0 3 6 8 6號公報所揭示之構成之 裝置時,爲了在處理槽內形成乾燥用蒸氣之流動起見,不 但需設置用於導入乾燥用蒸氣之導.入流路’也需要設備用 _» 於排出乾燥用蒸氣之放逸閥(排氣口)’因此不但構成會 趨向複雜化,同時具有乾燥用蒸氣之漏出於工場內之危險 性。 再者適用於半導體晶片之乾燥時’近年來半導體晶片 有大型化之趨勢’同時爲了使问時處理之半導體晶片之數 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210Χ297公釐^ (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) ο二 _B7_ 五、發明説明(2 ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 目而被要求縮小晶片間之間隙|惟這種情形時,乾燥用蒸 氣不容易侵入於半導體晶片間之間隙,嚴重時會在半導體 晶片上發生乾燥之不均勻之不合宜之情形。 本發明乃鑑於上述各問題所開發,提供一種可以省略 排氣設備,或將排氣設備予以簡化,並且很順暢的可以實 施乾燥用流體之供給之基板乾燥方法,以及基板乾燥裝置 爲目的。. (發明之揭示) 申請專利範圍第1項之基板乾燥方法乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對處理槽內供給乾燥甩流體,以資 使基板之表面乾燥時, 以液之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽內,使用噴 咀噴霧於洗淨液面上之方法者。 申請專利範圍第2項之基板乾燥方法乃爲了使乾燥用 流體霧化起見•實施惰性氣體之吹噴之方法。 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 申請專利範圍第3項所述之基板乾燥方法乃以間歇的 實施該乾燥用流體之導入於處理槽之方法者。 •. 申請專利範圍第4項之基板乾燥裝置乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對處理槽內供給乾燥用流體,以資 使基板之表面乾燥者。含有:以液之狀態的將乾燥用流體 導入於處理槽內,使用噴咀噴霧於洗淨液面上之乾燥用流 -5- 本紙浪尺度通用中國國家樣準(CNS > A4規格(210X297公釐) A7 _B7_ 五、發明説明(3 ) 體供給機構者。 申請專利範圍第5項之基板乾燥裝置乃再含有:接近 (請先閧讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上述乾燥用流體供給機構,爲了使乾燥用流體霧化而實 施惰性氣體之噴吹之噴吹機構者。 * * 申請專利範圍第6項之基板乾燥裝置乃再含有,用於 控制間歇的實施乾燥用流體之導入於處理槽之乾燥用流體 供給機構之.控制機構者》 申請專利範圍第7項之基板乾燥方法乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體,以 資使基板(1)之表面乾燥時, 使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀之噴 出孔 '而從噴嘴之噴出孔朝向洗淨液面上面,同時的噴出 乾燥用流體及載體氣體之方法者。 申請專利範圍第8項之基板乾燥裝置乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體,以 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 資使基板之表面乾燥者,含有:使用載體氣體而將液狀之 乾燥用流體運送至噴咀之噴出孔,而從噴咀之噴出孔朝向 •» 洗淨液面上面,同時的噴出乾燥用流體及載體流體之乾燥 用流體供給機構者。 申請專利範圍第9項之基板乾燥裝置乃在於爲了將載 體氣體供給於噴咀之第1供給管路之中途部,連通了液狀 之乾燥用流體用之第2供給管路者。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 如申請專利範圍第1〇項之基板乾燥裝置乃該將載體 氣體供給於噴嘴用之第1供給管路,及將液狀之乾燥用流 體供給於噴嘴用之第2供給管路係互相獨立的予以設置者 0 ♦ · 依申請專利範圍第1項之基板乾燥方法時係在處理槽 內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基板 而相對的下.降,一面對處理槽內供給乾燥用流體,以資使 .基板之表面乾燥時以液之狀態的將乾燥用流體導入於處理 槽內,使用噴咀噴霧於洗淨液面上者。所以受液狀之乾燥 用流體之自重之影響,很順暢的可以將乾燥用流體導入於 基板與基板間之間隙,與以蒸氣的供給時相比較時可以供 給高濃度之乾燥用流體,因此馬蘭戈尼效應更大,在洗淨 液面上製作了乾燥用流體之液層,於是可達成利用了馬蘭 戈尼效應之迅速且斑紋(不均勻)之顯著的少之乾燥。同 時以液相之狀態的供給了乾燥用流體,所以乾燥用流體之 全部或幾乎全部均能與洗淨液一齊排出,幾乎可消除乾燥 用流體之漏出之虞。可省略排氣設備,或可以簡化排氣設 備,引而可以達成降低成本。 依申請專利範圍第2項之基板乾燥方法時,由於爲了 吏乾燥用流體霧化而實施了惰性氣體之吹噴,所以可防止 所噴霧之液狀之乾燥用流體之液滴之過於變大之不合宜之 情形之外,也可達成申請專利範圍第1項同樣之作用。 依申請專利範圍第3項之基板乾燥方法時,由於以間 歇的實施該乾燥用流體之導入於處理槽,所以除了可抑制 本紙張尺度速用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(2丨0X297公釐) ---------------1T------岣.1 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本瓦) ε Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消免合作社印製 五、發明説明(5 ) 以液狀的導入乾燥用流體所隨伴之消費量之增加,而且也 可以達成申請專利範圍第1項或第2項之同樣之作用》 依申請專利範圍第4項之基板乾燥裝置時•係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 * # 板而相對的下降,一面對處理槽(3 )內供給乾燥用流體 ,以資使基板之表面乾燥時|藉由乾燥用流體給機構,以 液之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽內,使用噴咀噴霧 於洗淨液面者。 所以受液狀之乾燥用流體之自重之影響,很順暢的可 以將乾燥用流體導入於基板與基板之間,所以與以蒸氣的 供給時相比較時,可以供給高濃度之乾燥用流體,因此馬 蘭戈尼效應更大|在洗淨液面上製作了乾燥用流體之液層 ,可以達成利用了馬蘭戈尼效應之迅速且斑紋(不均勻) 之顯著的少之乾燥。同時以液相之狀態的供給乾燥用流體 ,因此可以使乾燥用流體之幾乎全部或全部均能與洗淨液 一齊排出,幾乎可消除乾燥用流體之漏出之虞。可省略排 氣設備 > 或可以簡化排氣設備,進而可以達成降低成本。 依申請專利範圍第5項之基板乾燥裝置時再含有:接 近於上述乾燥用流體供給機構,爲了使乾燥用流體霧化而 • * 實施惰性氣體之噴吹之噴吹機構者。所以可以防止所噴霧 之液狀之乾燥用流體之液滴之過份的變大之不合宜之情形 ,可達成基板之良好之基板,又可以達成如申請專利範圍 第4項之同樣之效果。 依申請專利範圍第6項之基板乾燥裝置時再含有,用 (請先聞讀背面之注意^項再填寫本頁) -訂 本紙張尺度逋用中囷S家標準(CNS ) Α4現格(210X297公釐) -8 -
(V 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n p z? . 6 1 ^ A7 __B7______五、發明説明(6 ) 於控制間歇的實施乾燥用流體之導入於處理槽之乾燥用流 體供給機構之控制機構者。所以除了可以抑制以液之狀態 地導入乾燥用流體時所隨伴之消費量之增加之外,同時可 達成與申請專利範圍第4項或第5項之同樣之作用。 * * 依申請專利範圍第7項之基板乾燥方法時係在處理槽 內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面_面對於基板 而相對的下.降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體,以資 使基板之表面乾燥時使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體 運送至噴咀之噴出孔,而從噴嘴之噴出孔朝向洗淨液面上 面,同時的噴出乾燥用流體及載體氣體者。所以受液狀之 乾燥用流體之自重之影響,將乾燥用流體順暢的導人於基 板與基板間之間隙。與以蒸氣的供給時相比較時,可以供 給高濃度之乾燥用流體,因此馬蘭戈尼效應更大,在洗淨 液面上製作了乾燥用流體之液層,於是可達成利用了馬蘭 戈尼效應之迅速且斑紋(不均勻)之顯著的少之乾燥》再 者以液相之狀態的供給乾燥用流體,所以乾燥用流體之全 部或幾乎全部均能與洗淨液一齊排出,幾乎可消除乾燥用 流體之漏出之虞,可省略排氣設備,或可以簡化排氣設備 ,引而可以達成降低成本。再者,可抑制從噴咀之噴出孔 之乾燥用流體之噴出量,可以將適當量之乾燥用流體供給 於基板之浸漬界面,於是可以減少乾燥用流體之使用量, 於是可以降低運轉成本也· ' 依申請專利範圍第8項之基板乾燥裝置時係在處理槽 (3 )內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對 ---------------訂------Ms (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 -
P 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 ^ A7 B7五、發明説明7() 於基板而相對的下降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體 ,以資使基板(1 )之表面乾燥時,藉由乾燥用流體供給 機構,使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀之 噴出孔,而從噴咀之噴出孔朝向洗淨液面上面,同時的可 * * 以使乾燥用流體及載體流體噴出者。 所以受.液狀之乾燥用流體之自重的影響,使乾燥用流 體順暢的導入於基板與基板之間,可以供給較以蒸氣之供 給做比較時更能供給高濃度之乾燥用流體,因此馬蘭戈尼 效應更大,在洗淨液面上製作乾燥用流體之液層,利用馬 蘭戈尼效應,而可達成迅速且斑紋之顯著的少之乾燥。又 以液相之狀態來供給乾燥用流體,所以乾燥用流體之全部 或幾乎全部得與洗淨液一齊排出。所以幾乎可以消失乾燥 用流體之漏出之虞,而可以將排出設備簡化,引而降低成 本。 再者也可以抑制從噴咀噴出孔之乾燥用流體之噴出量 ,對於基扳之浸漬界面可以供給適宜量之乾燥用流體,引 而可減少乾燥用流體之使用量、減低運轉成本也。 依申請專利範圍第9項之基板乾燥裝置時在於爲了將 載體氣體供給於噴咀之第1供給管路之中途部,連薄了液 狀之乾燥用流體用之第2供給管路者。所以可以使由各噴 出孔噴出之乾燥用流體之噴出量適宜化減低消費量而達成 降低成本,同時也可達成申請專利範圍第8項同樣之作用 〇 依申請專利範圍第10項之基板乾燥裝置時該將載體 111 - 11 n I n It n I ^ I n *1 n n n . (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐> -10- 經 濟 4ft. 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 最佳之形態) 圖,說明本發明之基板乾燥方法及其裝置 示本發明之基板乾燥裝置之一實施態樣之 裝置乃具有, 板1之洗淨液 狀之乾燥用流 有用於噴霧乾 配設於較基板 基板乾燥裝置 板1之處理槽 之基板1,同時 )2之處理槽3 P A )之供給管 噴霧噴咀5。當 收容複數片 (例如純水 體(例如I 燥用流體之 1之上方。 之作用如下 3內收容洗 面使洗淨液 用流體,以 用流體之液 片之基板1 尼效應而迅 淨液2、洗淨基 2之液面下降, 噴霧噴咀5實施 •. 層會形成於洗淨 中之由洗淨液2 速且均勻的使之 Α7 ______Β7_ 五、發明说明8() 氣體供給於噴嘴用之第1供給管路,及將液狀之乾燥用流 體供給於噴嘴用之第2供給管路係互相獨立的予以設置。 所以在噴咀內得以載體氣體而將液狀之乾燥用流體引導至 導出孔之外也可達成申請專利範圍第8項同樣之作用也。 (爲實施發明之 下面參照附 之實施之態樣。 第1圖係表 槪略斜視圖 此基板乾燥 排出洗淨這些基 。並且在供給液 路4之終端部備 然噴霧噴咀5係 上述構成之 在收容了基 板1之後,排出洗淨液2而一 一面經過供給管路4供給乾燥 噴霧。由此結果所噴霧之乾燥 液2之表面,所以可以令複數 之液面露出之部份藉由馬蘭戈 乾燥 又複數片之基板1之某一程度之部份之據位於洗淨液 ---------^------ΐτ------ {请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) .-J | , A7 B7 五、發明説明9() (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2之液面之上方之位置之情形時,由噴霧噴咀5所噴霧之 霧狀之乾燥用流體乃,藉其自重之作用順暢的侵入於基板 1與基板1之間隙,在這些部份也有被噴霧之乾燥用流體 之液層形成於洗淨液2之表面,在這些部份上’也是將所 噴霧之乾燥用流體之液層形成於洗淨液2之表面,以資繼 續實施由馬蘭戈尼效應所致之迅速且均勻之乾燥也。 在實施上述之一連串之乾燥處理之間,以液相狀態所 供給之乾燥用流體之大部份乃與洗淨液一齊排出於處理槽 3之外部,所以幾乎沒有乾燥用流體之漏出於處理槽3之 周緣部之虞,因此可以省略爲了排出乾燥用流體用之排氣 設備,或可以簡化排氣設備,由而可達成降低成本。 第2圖係表示噴霧噴咀之構成之其他例之槪略縱斷面 圖。 本噴霧噴咀5乃由吐出惰性氣體(例如氮氣)之情性 氣體吐出噴咀6所包圍者。 經濟部智慧財產局員工消骨合作社印製 採用此構成之噴霧噴咀5時,對於被噴霧之洗淨用流 體而實性惰性氣體之噴吹(氮氣之噴吹),而可以防止所 噴霧之乾燥用流體之尺寸之變大,而可達成基板1之良好 的乾燥。 本例中,氮氣乃例如可採用常溫者,惟使用昇溫至 1 00 t程度者時更能提高效果。 第3圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖。 ‘ 此噴霧噴咀5係包圍了吐出惰性氣體之惰性氣體吐出 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) _ 12 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明均 ) 噴咀6者。採用此種構成之噴霧咀5也可以達成採用第2 圖之噴霧噴咀5同樣之作用》 第4圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖〜 啤 此噴霧噴咀5.乃將乾燥用流體吐出於水平方向,同時 對於所吐出之乾燥用流體而設置由上方吐出做爲惰性氣體 的常溫或高溫氮氣之惰性氣體吐出噴嘴6。 採用此構成之噴霧噴咀也可以達成第2圖之噴霧噴咀 時同樣之作用。 第5圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 此基板乾燥裝置之與第1圖之實施態樣所不同之點爲 ,採用第2圖乃至第4圖中之其中之一之構成之噴霧噴咀 5,同時在處理槽3之蓋體3 a之規定之位置設置有排氣 用細縫孔之處而已。 採用此構成之基板處理裝置時,可以經由排氣用細縫 孔3 b排氣出1經由惰性氣體吹噴而導入於處理槽3內之 惰性氣體,由而形成惰性氣體之經常流動,由而可防止所 噴霧之乾燥用流體之尺寸之過份的變大之情形,該結果可 以達成基板1之迅速且均勻之乾燥。 再者採用此構成時,雖有乾燥用流體之經由此排氣用 細縫孔3 b之可能,惟實際上由於乾燥用流體之大部份係 朝向洗淨液2之液面所噴霧,而在洗淨液2之液面而形成 液層,所以乾燥用流體之經由排氣用細縫孔3 b之量可以 ---------^------_、玎------Ψ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) -13- 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 〇Μ. S 1 ' A7 __B7五、發明説明4 ) 說非常非常的少,不致於構成不合宜之情形。· 第6圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖= 此基板乾燥裝置之與第5圖之實施態樣不同之點係, 在處理槽3之側壁之上部設置了排氣用細縫孔3 b之點而 已。所以採用此構成時亦可達成與第5圖之基板乾燥裝置 之同樣之作用。 第7圖係本發明之基板乾燥裝置之又一其他實施態樣 之槪略斜視圖。 此基板乾燥裝置之與第5圖之實施態樣不同之點係, 在處理槽3之蓋體3 a之規定位置設置了排氣用配管3 c 之點而已。所以採用此構成時,除了可以完全阻止乾燥用 流體之漏出之外,亦可以達成與第5圖之基板乾燥裝置之 同樣之作用。 第8圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一其他實施 態樣之槪略斜視圖。 本基板乾燥裝置與第5圖之實施態樣所不同之點係, 對於噴霧噴咀5之供給管路4之規定位置設置開閉閥4 a 之點及對於氮氣吐出噴咀6之供給管路4之規定位置設置 •. 了開閉閥4 a之點,及對於氮氣氣體吐出噴咀6之供給管 路7之規定位置設置開閉閥7 a之點•以及設置了用於控 制兩開閉閥4 a ,7 a之閥控制部8之點》 採用此構成之基板乾燥裝置時乃藉由週期的開閉開閉 閥4a ,由而將乾燥用流體間歇的導入於處理槽3內,與 {請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ 14 - /s 2 0 3^· 6 A7 B7 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 五、發明説明沧 ) 連續的將乾燥用流體導入時做比較時可以減少乾燥用流體 之消費量也。 具體的說明之,即例如第9圖所示,只做0 . 5秒實 施乾燥用流體之噴霧之後,只實施2秒之高溫氮氣之吹噴 ,以後只做乾燥用流體之噴霧及高溫氮氣之吹噴地,以閥 控制部8而控制兩開閉閥4 a ,7 a,由而與連續的導入 乾燥用流體.,而爲了霧化而連續的責施高溫氮氣之吹噴時 做比較時,可以減低乾燥用流體之消費量及高溫氮氣之消 費量。 乾燥用流體之消費量之減低之程度乃爲約8 0 %,高 溫氮氣之消費量之減低之程度即約2 0 %。 本具體例係以2 . 5秒只導入一次0 . 5秒間乾燥用 流體爲例。惟乾燥用流體之導入間隔,一次中之乾燥用流 體之導入量係配合於洗淨液2之液面之下降速度而能夠達 成以馬蘭戈尼效應來乾燥地設定就可以。 再者上述之實施態樣乃,藉由排出洗淨液2而使洗淨 液之液面下降,惟替代於排出洗淨液2而令複數片之基板 1 一面上昇一面實施乾燥也可以。 第1 0圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一其他實 *, 施態樣之要部之槪略圖。再者,不圖示之部份之構成乃與 上述之實施態樣同樣者,因此省略其詳細的說明。 本基板乾燥裝置係具有對於噴霧噴咀5而供給載體氣 體(例如氮氣)之第1供給管路5 a ,同時,具有連通於 第1供給管路5 a之中途部之液狀之乾燥用流體用之第2 {請先閲T#背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度通用中國國家樣率(CNS > A4規格(210X297公釐) · 15 - 4.2〇以.6 ^ Α7 Β7 經濟部智慧財產局貞工消費合作社印製 五、發明説明ife ) 供給管路5 b。再者噴霧噴咀5之噴出孔5 c乃以對應於 基板1與基板1之間隙地設定這些之位置。 所以採用此實施態樣之基板乾燥裝置時,藉由經過第 1供給管路5 a而將載體氣體供給於噴霧噴咀5,由而在 對應於第2供給管路5 b之開口部之位置發生負壓,而將 液狀之乾燥用流體吸入於第1供給管5 a ,與載體氣體一 齊地可供給於噴霧噴咀5|並且從噴霧噴咀5之噴出孔 5 c噴出乾燥用流體之霧,藉由此霧而與上述實施態樣同 樣的可以達成基板1之乾燥也。 再者,採用此實施態樣時,可以抑制從噴霧噴咀5之 乾燥用流體之噴出量,可以將適宜量之乾燥用流體供給於 基板1之浸漬界面,該結果,可以減少乾燥用流體之使用 量、減低運轉成本。 第11圖係本發明之基板乾燥裝置之又一其他實施態 樣之要部之槪略圖。又沒有圖示之部份之構成乃與上述之 各實施態樣同樣者,省略其說明。 本基板乾燥裝置係具有,藉由連通於噴霧噴咀5之長 軸方向之一方之端面由而供給載體氣體之第1供給管路 5 a,同時具有連通於與此端面之.相鄰之面之液狀之乾燥 • · 用流體用之第2供給管路5 b。又噴霧噴咀5之噴出孔 5 c乃能對應於基板1與基板1之間隙地分別設定有其位 置。 所以採用此實施態樣之基板乾燥裝置時,可以經過第 1供給管路5 a而將載體氣體供給於噴霧噴咀5,由於噴 本紙伕尺度通用中國國家揲準(CNS ) A4规格(210X297公釐) _彳6 - ---------^------^------味 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明坤 ) 出孔小所以內部成爲高壓*而經過第2供給管路5 b,而 以上述(內部之高壓)以上之高壓供給乾燥用流體,由而 可以將液狀之乾燥用流體供給於噴霧噴咀5內也。於是從 噴霧噴咀5之噴出孔5 c噴出乾燥用流體之霧,藉由此霧 ,而與上述實施態樣同樣地可達成基板1之乾燥。 再者,採用此實施態樣時可抑制從噴霧噴咀5之乾燥 用流體之噴出量,可以將適宜量之乾燥用流體供給於基板 1之浸漬界面,該結果可以減少乾燥用流體之使用量,可 減低運轉成本也。 第1 2圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一其他實 施態樣之要部之槪略圖。又沒有圖示之部份之構成係與上 面所述之實施態樣者相同,省略其詳細說明。 本基板乾燥裝置之與第11圖之基板乾燥裝置不同之 點爲,設置了由連通於噴霧噴咀5之長軸方向之另一方之 端面,以資排出載體氣體用之排出管路5 d之點。在排出 管路5 d之規定位置介置了閥5 e之點。將第2供給管路 5 b只在於噴霧噴咀5之最上游側而與噴霧噴咀5相連通 之點而已。 採用此實施態樣時,藉由控制閥5 e之開度由而可以 •. 控制由噴出孔5 c所噴出之載體氣體與通過排出管路5 d 所排出之載體氣體之比例。並且由第2供給管路5 b而供 給於噴霧噴咀5內之液狀之乾燥用流體乃由載體氣體所加 速,供給於從最上游側之噴出孔5 c到最下游側之噴出孔 5 c爲止之全範圍,所以得從全部之噴出孔5 c噴出乾燥 I 1 I I I I---- 1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本莧) 訂 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(2丨OX297公釐) _ 17 _ η ρ. Α7 Β7 經濟部智慧財產局MK工消费合作社印製 五、發明説明诈) 用流體之霧也。當然所噴出之乾燥用流體係由載體氣體而 被微細霧粒化,所以可以達成良好之乾燥。 (產業上之利用可能性) * « 本發明乃可以適用於半導體晶片等之基板之乾燥,而 可達成基板之良好的乾燥。 圖面之簡單說明 第1圖係表示本發明之基板乾燥裝置之一實施態樣之 槪略斜視圖 第2圖係表示噴霧噴咀之構成之其他例之槪略縱斷面 圖。 第3圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖。 第4圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖。 第5圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 第6圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 •. 之槪略斜視圖。 第7圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 第8圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 ---------装-- {諳先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 訂 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公羡) _ ΐβ- A7 B7 42 0 84 6 五、發明説明1(6 ) 第9圖係說明乾燥用流體之間歇導入高溫氮氣之間歇 噴吹之定序表。 第1 0圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一實施態 樣之要部之槪略圖。 * * 第1 1圖係表.示本發明之基板乾燥裝置之又一實施態 樣之要部之槪略圖。 第1 2.圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一實施態 樣之要部之槪略圖。 主要元件對照表 1 基板 2 洗淨液_ 3 處理槽 3 a 蓋體 3 b 排氣用細縫孔 3 c 排氣用配管 4 供給管路 4 a 開閉閥 5 噴霧噴咀 •. 5 a 第1供給管路 5 b 第2供給管路 5 c 噴出孔 _ 5 d 排出管路 6 惰性氣體吐出噴咀 ---------^------1T------埭. (請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家樑準(CNS ) A姑L格(210X297公釐) -19 -
2034 S A7 B7 五、發明説明你 7 供給管路 7 a 開閉閥 8 閥控制部 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙伕尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) -20 -
Claims (1)
- M:.· •1.― S d a c A8B8C8S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 .—種基板乾燥方法,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於基板而相對的下降,一面對處理槽(3 )內供 給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之方法,其 特徵爲, 以被之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽(3)內, 使用噴咀噴.霧於洗淨液(2 )面上者。 2 .如申請專利範圍第1項所述之基扳乾燥方法,其 中爲了使乾燥用流體霧化起見,實施情性氣體之吹噴者。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板乾燥 方法,其中以間歇的實施該乾燥用流體之導入於處理槽( 3 )者。 4 ·—種基板乾燥裝置,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於基板而相對的下降,一面對處理槽(3 )內供 給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之裝置,其 特徵爲含有: 以液之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽(3 )內, 使用噴咀噴霧於洗淨液(2 )面上之乾燥用流體供給機構 ·» (4 ) (4a) ( 5 )者。 5 .如申請專利範圍第4項所述之基板乾燥裝置,其 中再含有:接近於上述乾燥用流體供給機構(5),爲了 使乾燥用流體霧化而實施惰性氣體之噴吹之噴吹機構(6 )者。 C請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2J0*297公龙) Ά--------^---------------------------------- I I 震08 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 6 ·如申請專利範圍第4項或第5項所述之基板乾燥 裝置,其中再含有,用於控制間歇的實施乾燥用流體之導 入於處理槽(3 )之乾燥用流體供給機構(4 a )之控制 機構(8 )者。 * · 7 ·—種基板乾燥方法,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於.基板而相對的下降,一面對於處理槽(3 )內 供給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之方法, 其特徵爲: 使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀(5 )之噴出孔(5c),而從噴嘴(5)之噴出孔(5c) 朝向洗淨液面上面,同時的噴出乾燥用流體及載體氣體者 〇 8 . —種基板乾燥裝置,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於基板而相對的下降,一面對於處理槽(3 )內 供給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之裝置, 其特徵爲,含有: 使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀(5 •. )之噴出孔(5c),而從噴咀(5)之噴出孔(5c) 朝向洗淨液面上面,同時的噴出乾燥用流體及載體流體之 乾燥用流體供給機構(5 )( 5 a ) ( 5 b ) ( 5 c )者 〇 9 .如申請專利範圍第8項所述之基板乾燥裝置,其 本紙張又度適用中國國家楳準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .^2- ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 机!1訂.! 線 6 " 觔明0808 六、申請專利範圍 中 在於爲了將載體氣體供給於噴咀(5 )之第1供給管 路(5 a )之中途部,連通了液狀之乾燥用流體用之第2 供給管路(5 b )者。 1 〇 .如申請專利範圍第8項所述之基板乾燥裝R , 其中 該將載.體氣體供給於噴嘴(5 )用之第1供給管路( 5a),及將液狀之乾燥用流體供給於噴嘴(5)用 2供給管路(5 b )係互相獨立的予以設置者。 — — — — — — — —--- 訂·! !線 (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t) -23-
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6328814B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
US7513062B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
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US7228645B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-06-12 | Xuyen Ngoc Pham | Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate |
KR100753959B1 (ko) * | 2006-01-12 | 2007-08-31 | 에이펫(주) | 기판 건조장치를 이용한 기판 건조방법 |
US20070246079A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Xuyen Pham | Multi zone shower head for cleaning and drying wafer and method of cleaning and drying wafer |
US7775219B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Process chamber lid and controlled exhaust |
JP5261077B2 (ja) | 2008-08-29 | 2013-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP5522028B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4984597B1 (en) | 1984-05-21 | 1999-10-26 | Cfmt Inc | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
JPS63301528A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-08 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 基板乾燥装置 |
JPH06103686A (ja) | 1992-09-17 | 1994-04-15 | Csk Corp | リーダーライタ装置 |
JPH06181198A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Hitachi Ltd | ベーパー乾燥装置 |
JP3347814B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2002-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
US5634978A (en) | 1994-11-14 | 1997-06-03 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor method |
US5571337A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
US5653045A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-05 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist |
US5685086A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-11 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for drying objects using aerosols |
EP0784336A3 (en) * | 1995-12-15 | 1998-05-13 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to the fabrication and processing of semiconductor devices |
JPH09213672A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-15 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体ウェハ処理装置および処理方法 |
WO1997033702A1 (en) * | 1996-03-14 | 1997-09-18 | All In One Microservice, Inc. | Method and apparatus for drying and cleaning objects using aerosols |
JPH10308378A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Kaijo Corp | 基板表面の乾燥方法 |
JPH10335299A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-18 | Sony Corp | ウェーハ乾燥装置 |
JPH11176796A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Sony Corp | ウェーハ処理方法及び装置 |
US5913981A (en) * | 1998-03-05 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall |
JP3364620B2 (ja) * | 1998-12-11 | 2003-01-08 | 東邦化成株式会社 | 基板処理装置 |
US6328814B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
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