TW420846B - Substrate drying method and device - Google Patents

Substrate drying method and device Download PDF

Info

Publication number
TW420846B
TW420846B TW088116644A TW88116644A TW420846B TW 420846 B TW420846 B TW 420846B TW 088116644 A TW088116644 A TW 088116644A TW 88116644 A TW88116644 A TW 88116644A TW 420846 B TW420846 B TW 420846B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
drying
substrate
processing tank
fluid
drying fluid
Prior art date
Application number
TW088116644A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Maeda
Koji Sumi
Hiroshi Aihara
Masao Ono
Naoaki Izutani
Original Assignee
Toho Kasei Kk
Daikin Ind Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toho Kasei Kk, Daikin Ind Ltd filed Critical Toho Kasei Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW420846B publication Critical patent/TW420846B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Nozzles (AREA)

Description

- '! %*. 經濟部智惡財產局员工消費合作社印製 A7 __B7____五、發明説明(1 ) (技術領域) 本發明有關於基板乾燥方法及其裝置。再詳細的說, 將使用洗淨液所洗淨之基板迅速的乾燥之方法及其裝置。 * · (背景技術) 從來使用洗淨液而洗淨基板(例如半導體晶片)之後 ,將洗淨液.之液面對於基板而相對的一面下降、一面供給 乾燥用流體蒸氣(例如異丙醇(下面稱I P A )蒸氣)以 供乾燥基板之裝置有例如曰本專利公報特公平6 - 103686號公報所揭示者。 採用此裝置時,以洗淨液而將收容於處理槽內之複數 片之基板予以洗淨後,一面使洗淨液之液面下降,一面對 於處理槽內導入乾燥用流體蒸氣,由而在洗淨液之液面上 製作很薄之乾燥用流體之液層,利用馬蘭戈尼效能( marangonil effect )(即利用界面張力引起之界面運動)由 而迅速的可以使基板之表面乾燥也。 採用特公平6 - 1 0 3 6 8 6號公報所揭示之構成之 裝置時,爲了在處理槽內形成乾燥用蒸氣之流動起見,不 但需設置用於導入乾燥用蒸氣之導.入流路’也需要設備用 _» 於排出乾燥用蒸氣之放逸閥(排氣口)’因此不但構成會 趨向複雜化,同時具有乾燥用蒸氣之漏出於工場內之危險 性。 再者適用於半導體晶片之乾燥時’近年來半導體晶片 有大型化之趨勢’同時爲了使问時處理之半導體晶片之數 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210Χ297公釐^ (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) ο二 _B7_ 五、發明説明(2 ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 目而被要求縮小晶片間之間隙|惟這種情形時,乾燥用蒸 氣不容易侵入於半導體晶片間之間隙,嚴重時會在半導體 晶片上發生乾燥之不均勻之不合宜之情形。 本發明乃鑑於上述各問題所開發,提供一種可以省略 排氣設備,或將排氣設備予以簡化,並且很順暢的可以實 施乾燥用流體之供給之基板乾燥方法,以及基板乾燥裝置 爲目的。. (發明之揭示) 申請專利範圍第1項之基板乾燥方法乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對處理槽內供給乾燥甩流體,以資 使基板之表面乾燥時, 以液之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽內,使用噴 咀噴霧於洗淨液面上之方法者。 申請專利範圍第2項之基板乾燥方法乃爲了使乾燥用 流體霧化起見•實施惰性氣體之吹噴之方法。 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 申請專利範圍第3項所述之基板乾燥方法乃以間歇的 實施該乾燥用流體之導入於處理槽之方法者。 •. 申請專利範圍第4項之基板乾燥裝置乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對處理槽內供給乾燥用流體,以資 使基板之表面乾燥者。含有:以液之狀態的將乾燥用流體 導入於處理槽內,使用噴咀噴霧於洗淨液面上之乾燥用流 -5- 本紙浪尺度通用中國國家樣準(CNS > A4規格(210X297公釐) A7 _B7_ 五、發明説明(3 ) 體供給機構者。 申請專利範圍第5項之基板乾燥裝置乃再含有:接近 (請先閧讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上述乾燥用流體供給機構,爲了使乾燥用流體霧化而實 施惰性氣體之噴吹之噴吹機構者。 * * 申請專利範圍第6項之基板乾燥裝置乃再含有,用於 控制間歇的實施乾燥用流體之導入於處理槽之乾燥用流體 供給機構之.控制機構者》 申請專利範圍第7項之基板乾燥方法乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體,以 資使基板(1)之表面乾燥時, 使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀之噴 出孔 '而從噴嘴之噴出孔朝向洗淨液面上面,同時的噴出 乾燥用流體及載體氣體之方法者。 申請專利範圍第8項之基板乾燥裝置乃主要係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 板而相對的下降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體,以 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 資使基板之表面乾燥者,含有:使用載體氣體而將液狀之 乾燥用流體運送至噴咀之噴出孔,而從噴咀之噴出孔朝向 •» 洗淨液面上面,同時的噴出乾燥用流體及載體流體之乾燥 用流體供給機構者。 申請專利範圍第9項之基板乾燥裝置乃在於爲了將載 體氣體供給於噴咀之第1供給管路之中途部,連通了液狀 之乾燥用流體用之第2供給管路者。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 如申請專利範圍第1〇項之基板乾燥裝置乃該將載體 氣體供給於噴嘴用之第1供給管路,及將液狀之乾燥用流 體供給於噴嘴用之第2供給管路係互相獨立的予以設置者 0 ♦ · 依申請專利範圍第1項之基板乾燥方法時係在處理槽 內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基板 而相對的下.降,一面對處理槽內供給乾燥用流體,以資使 .基板之表面乾燥時以液之狀態的將乾燥用流體導入於處理 槽內,使用噴咀噴霧於洗淨液面上者。所以受液狀之乾燥 用流體之自重之影響,很順暢的可以將乾燥用流體導入於 基板與基板間之間隙,與以蒸氣的供給時相比較時可以供 給高濃度之乾燥用流體,因此馬蘭戈尼效應更大,在洗淨 液面上製作了乾燥用流體之液層,於是可達成利用了馬蘭 戈尼效應之迅速且斑紋(不均勻)之顯著的少之乾燥。同 時以液相之狀態的供給了乾燥用流體,所以乾燥用流體之 全部或幾乎全部均能與洗淨液一齊排出,幾乎可消除乾燥 用流體之漏出之虞。可省略排氣設備,或可以簡化排氣設 備,引而可以達成降低成本。 依申請專利範圍第2項之基板乾燥方法時,由於爲了 吏乾燥用流體霧化而實施了惰性氣體之吹噴,所以可防止 所噴霧之液狀之乾燥用流體之液滴之過於變大之不合宜之 情形之外,也可達成申請專利範圍第1項同樣之作用。 依申請專利範圍第3項之基板乾燥方法時,由於以間 歇的實施該乾燥用流體之導入於處理槽,所以除了可抑制 本紙張尺度速用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(2丨0X297公釐) ---------------1T------岣.1 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本瓦) ε Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消免合作社印製 五、發明説明(5 ) 以液狀的導入乾燥用流體所隨伴之消費量之增加,而且也 可以達成申請專利範圍第1項或第2項之同樣之作用》 依申請專利範圍第4項之基板乾燥裝置時•係在處理 槽內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對於基 * # 板而相對的下降,一面對處理槽(3 )內供給乾燥用流體 ,以資使基板之表面乾燥時|藉由乾燥用流體給機構,以 液之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽內,使用噴咀噴霧 於洗淨液面者。 所以受液狀之乾燥用流體之自重之影響,很順暢的可 以將乾燥用流體導入於基板與基板之間,所以與以蒸氣的 供給時相比較時,可以供給高濃度之乾燥用流體,因此馬 蘭戈尼效應更大|在洗淨液面上製作了乾燥用流體之液層 ,可以達成利用了馬蘭戈尼效應之迅速且斑紋(不均勻) 之顯著的少之乾燥。同時以液相之狀態的供給乾燥用流體 ,因此可以使乾燥用流體之幾乎全部或全部均能與洗淨液 一齊排出,幾乎可消除乾燥用流體之漏出之虞。可省略排 氣設備 > 或可以簡化排氣設備,進而可以達成降低成本。 依申請專利範圍第5項之基板乾燥裝置時再含有:接 近於上述乾燥用流體供給機構,爲了使乾燥用流體霧化而 • * 實施惰性氣體之噴吹之噴吹機構者。所以可以防止所噴霧 之液狀之乾燥用流體之液滴之過份的變大之不合宜之情形 ,可達成基板之良好之基板,又可以達成如申請專利範圍 第4項之同樣之效果。 依申請專利範圍第6項之基板乾燥裝置時再含有,用 (請先聞讀背面之注意^項再填寫本頁) -訂 本紙張尺度逋用中囷S家標準(CNS ) Α4現格(210X297公釐) -8 -
(V 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n p z? . 6 1 ^ A7 __B7______五、發明説明(6 ) 於控制間歇的實施乾燥用流體之導入於處理槽之乾燥用流 體供給機構之控制機構者。所以除了可以抑制以液之狀態 地導入乾燥用流體時所隨伴之消費量之增加之外,同時可 達成與申請專利範圍第4項或第5項之同樣之作用。 * * 依申請專利範圍第7項之基板乾燥方法時係在處理槽 內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面_面對於基板 而相對的下.降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體,以資 使基板之表面乾燥時使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體 運送至噴咀之噴出孔,而從噴嘴之噴出孔朝向洗淨液面上 面,同時的噴出乾燥用流體及載體氣體者。所以受液狀之 乾燥用流體之自重之影響,將乾燥用流體順暢的導人於基 板與基板間之間隙。與以蒸氣的供給時相比較時,可以供 給高濃度之乾燥用流體,因此馬蘭戈尼效應更大,在洗淨 液面上製作了乾燥用流體之液層,於是可達成利用了馬蘭 戈尼效應之迅速且斑紋(不均勻)之顯著的少之乾燥》再 者以液相之狀態的供給乾燥用流體,所以乾燥用流體之全 部或幾乎全部均能與洗淨液一齊排出,幾乎可消除乾燥用 流體之漏出之虞,可省略排氣設備,或可以簡化排氣設備 ,引而可以達成降低成本。再者,可抑制從噴咀之噴出孔 之乾燥用流體之噴出量,可以將適當量之乾燥用流體供給 於基板之浸漬界面,於是可以減少乾燥用流體之使用量, 於是可以降低運轉成本也· ' 依申請專利範圍第8項之基板乾燥裝置時係在處理槽 (3 )內收容基板,且使處理槽內之洗淨液之液面一面對 ---------------訂------Ms (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 -
P 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 ^ A7 B7五、發明説明7() 於基板而相對的下降,一面對於處理槽內供給乾燥用流體 ,以資使基板(1 )之表面乾燥時,藉由乾燥用流體供給 機構,使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀之 噴出孔,而從噴咀之噴出孔朝向洗淨液面上面,同時的可 * * 以使乾燥用流體及載體流體噴出者。 所以受.液狀之乾燥用流體之自重的影響,使乾燥用流 體順暢的導入於基板與基板之間,可以供給較以蒸氣之供 給做比較時更能供給高濃度之乾燥用流體,因此馬蘭戈尼 效應更大,在洗淨液面上製作乾燥用流體之液層,利用馬 蘭戈尼效應,而可達成迅速且斑紋之顯著的少之乾燥。又 以液相之狀態來供給乾燥用流體,所以乾燥用流體之全部 或幾乎全部得與洗淨液一齊排出。所以幾乎可以消失乾燥 用流體之漏出之虞,而可以將排出設備簡化,引而降低成 本。 再者也可以抑制從噴咀噴出孔之乾燥用流體之噴出量 ,對於基扳之浸漬界面可以供給適宜量之乾燥用流體,引 而可減少乾燥用流體之使用量、減低運轉成本也。 依申請專利範圍第9項之基板乾燥裝置時在於爲了將 載體氣體供給於噴咀之第1供給管路之中途部,連薄了液 狀之乾燥用流體用之第2供給管路者。所以可以使由各噴 出孔噴出之乾燥用流體之噴出量適宜化減低消費量而達成 降低成本,同時也可達成申請專利範圍第8項同樣之作用 〇 依申請專利範圍第10項之基板乾燥裝置時該將載體 111 - 11 n I n It n I ^ I n *1 n n n . (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐> -10- 經 濟 4ft. 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 最佳之形態) 圖,說明本發明之基板乾燥方法及其裝置 示本發明之基板乾燥裝置之一實施態樣之 裝置乃具有, 板1之洗淨液 狀之乾燥用流 有用於噴霧乾 配設於較基板 基板乾燥裝置 板1之處理槽 之基板1,同時 )2之處理槽3 P A )之供給管 噴霧噴咀5。當 收容複數片 (例如純水 體(例如I 燥用流體之 1之上方。 之作用如下 3內收容洗 面使洗淨液 用流體,以 用流體之液 片之基板1 尼效應而迅 淨液2、洗淨基 2之液面下降, 噴霧噴咀5實施 •. 層會形成於洗淨 中之由洗淨液2 速且均勻的使之 Α7 ______Β7_ 五、發明说明8() 氣體供給於噴嘴用之第1供給管路,及將液狀之乾燥用流 體供給於噴嘴用之第2供給管路係互相獨立的予以設置。 所以在噴咀內得以載體氣體而將液狀之乾燥用流體引導至 導出孔之外也可達成申請專利範圍第8項同樣之作用也。 (爲實施發明之 下面參照附 之實施之態樣。 第1圖係表 槪略斜視圖 此基板乾燥 排出洗淨這些基 。並且在供給液 路4之終端部備 然噴霧噴咀5係 上述構成之 在收容了基 板1之後,排出洗淨液2而一 一面經過供給管路4供給乾燥 噴霧。由此結果所噴霧之乾燥 液2之表面,所以可以令複數 之液面露出之部份藉由馬蘭戈 乾燥 又複數片之基板1之某一程度之部份之據位於洗淨液 ---------^------ΐτ------ {请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) .-J | , A7 B7 五、發明説明9() (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2之液面之上方之位置之情形時,由噴霧噴咀5所噴霧之 霧狀之乾燥用流體乃,藉其自重之作用順暢的侵入於基板 1與基板1之間隙,在這些部份也有被噴霧之乾燥用流體 之液層形成於洗淨液2之表面,在這些部份上’也是將所 噴霧之乾燥用流體之液層形成於洗淨液2之表面,以資繼 續實施由馬蘭戈尼效應所致之迅速且均勻之乾燥也。 在實施上述之一連串之乾燥處理之間,以液相狀態所 供給之乾燥用流體之大部份乃與洗淨液一齊排出於處理槽 3之外部,所以幾乎沒有乾燥用流體之漏出於處理槽3之 周緣部之虞,因此可以省略爲了排出乾燥用流體用之排氣 設備,或可以簡化排氣設備,由而可達成降低成本。 第2圖係表示噴霧噴咀之構成之其他例之槪略縱斷面 圖。 本噴霧噴咀5乃由吐出惰性氣體(例如氮氣)之情性 氣體吐出噴咀6所包圍者。 經濟部智慧財產局員工消骨合作社印製 採用此構成之噴霧噴咀5時,對於被噴霧之洗淨用流 體而實性惰性氣體之噴吹(氮氣之噴吹),而可以防止所 噴霧之乾燥用流體之尺寸之變大,而可達成基板1之良好 的乾燥。 本例中,氮氣乃例如可採用常溫者,惟使用昇溫至 1 00 t程度者時更能提高效果。 第3圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖。 ‘ 此噴霧噴咀5係包圍了吐出惰性氣體之惰性氣體吐出 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) _ 12 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明均 ) 噴咀6者。採用此種構成之噴霧咀5也可以達成採用第2 圖之噴霧噴咀5同樣之作用》 第4圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖〜 啤 此噴霧噴咀5.乃將乾燥用流體吐出於水平方向,同時 對於所吐出之乾燥用流體而設置由上方吐出做爲惰性氣體 的常溫或高溫氮氣之惰性氣體吐出噴嘴6。 採用此構成之噴霧噴咀也可以達成第2圖之噴霧噴咀 時同樣之作用。 第5圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 此基板乾燥裝置之與第1圖之實施態樣所不同之點爲 ,採用第2圖乃至第4圖中之其中之一之構成之噴霧噴咀 5,同時在處理槽3之蓋體3 a之規定之位置設置有排氣 用細縫孔之處而已。 採用此構成之基板處理裝置時,可以經由排氣用細縫 孔3 b排氣出1經由惰性氣體吹噴而導入於處理槽3內之 惰性氣體,由而形成惰性氣體之經常流動,由而可防止所 噴霧之乾燥用流體之尺寸之過份的變大之情形,該結果可 以達成基板1之迅速且均勻之乾燥。 再者採用此構成時,雖有乾燥用流體之經由此排氣用 細縫孔3 b之可能,惟實際上由於乾燥用流體之大部份係 朝向洗淨液2之液面所噴霧,而在洗淨液2之液面而形成 液層,所以乾燥用流體之經由排氣用細縫孔3 b之量可以 ---------^------_、玎------Ψ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) -13- 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 〇Μ. S 1 ' A7 __B7五、發明説明4 ) 說非常非常的少,不致於構成不合宜之情形。· 第6圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖= 此基板乾燥裝置之與第5圖之實施態樣不同之點係, 在處理槽3之側壁之上部設置了排氣用細縫孔3 b之點而 已。所以採用此構成時亦可達成與第5圖之基板乾燥裝置 之同樣之作用。 第7圖係本發明之基板乾燥裝置之又一其他實施態樣 之槪略斜視圖。 此基板乾燥裝置之與第5圖之實施態樣不同之點係, 在處理槽3之蓋體3 a之規定位置設置了排氣用配管3 c 之點而已。所以採用此構成時,除了可以完全阻止乾燥用 流體之漏出之外,亦可以達成與第5圖之基板乾燥裝置之 同樣之作用。 第8圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一其他實施 態樣之槪略斜視圖。 本基板乾燥裝置與第5圖之實施態樣所不同之點係, 對於噴霧噴咀5之供給管路4之規定位置設置開閉閥4 a 之點及對於氮氣吐出噴咀6之供給管路4之規定位置設置 •. 了開閉閥4 a之點,及對於氮氣氣體吐出噴咀6之供給管 路7之規定位置設置開閉閥7 a之點•以及設置了用於控 制兩開閉閥4 a ,7 a之閥控制部8之點》 採用此構成之基板乾燥裝置時乃藉由週期的開閉開閉 閥4a ,由而將乾燥用流體間歇的導入於處理槽3內,與 {請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ 14 - /s 2 0 3^· 6 A7 B7 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 五、發明説明沧 ) 連續的將乾燥用流體導入時做比較時可以減少乾燥用流體 之消費量也。 具體的說明之,即例如第9圖所示,只做0 . 5秒實 施乾燥用流體之噴霧之後,只實施2秒之高溫氮氣之吹噴 ,以後只做乾燥用流體之噴霧及高溫氮氣之吹噴地,以閥 控制部8而控制兩開閉閥4 a ,7 a,由而與連續的導入 乾燥用流體.,而爲了霧化而連續的責施高溫氮氣之吹噴時 做比較時,可以減低乾燥用流體之消費量及高溫氮氣之消 費量。 乾燥用流體之消費量之減低之程度乃爲約8 0 %,高 溫氮氣之消費量之減低之程度即約2 0 %。 本具體例係以2 . 5秒只導入一次0 . 5秒間乾燥用 流體爲例。惟乾燥用流體之導入間隔,一次中之乾燥用流 體之導入量係配合於洗淨液2之液面之下降速度而能夠達 成以馬蘭戈尼效應來乾燥地設定就可以。 再者上述之實施態樣乃,藉由排出洗淨液2而使洗淨 液之液面下降,惟替代於排出洗淨液2而令複數片之基板 1 一面上昇一面實施乾燥也可以。 第1 0圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一其他實 *, 施態樣之要部之槪略圖。再者,不圖示之部份之構成乃與 上述之實施態樣同樣者,因此省略其詳細的說明。 本基板乾燥裝置係具有對於噴霧噴咀5而供給載體氣 體(例如氮氣)之第1供給管路5 a ,同時,具有連通於 第1供給管路5 a之中途部之液狀之乾燥用流體用之第2 {請先閲T#背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度通用中國國家樣率(CNS > A4規格(210X297公釐) · 15 - 4.2〇以.6 ^ Α7 Β7 經濟部智慧財產局貞工消費合作社印製 五、發明説明ife ) 供給管路5 b。再者噴霧噴咀5之噴出孔5 c乃以對應於 基板1與基板1之間隙地設定這些之位置。 所以採用此實施態樣之基板乾燥裝置時,藉由經過第 1供給管路5 a而將載體氣體供給於噴霧噴咀5,由而在 對應於第2供給管路5 b之開口部之位置發生負壓,而將 液狀之乾燥用流體吸入於第1供給管5 a ,與載體氣體一 齊地可供給於噴霧噴咀5|並且從噴霧噴咀5之噴出孔 5 c噴出乾燥用流體之霧,藉由此霧而與上述實施態樣同 樣的可以達成基板1之乾燥也。 再者,採用此實施態樣時,可以抑制從噴霧噴咀5之 乾燥用流體之噴出量,可以將適宜量之乾燥用流體供給於 基板1之浸漬界面,該結果,可以減少乾燥用流體之使用 量、減低運轉成本。 第11圖係本發明之基板乾燥裝置之又一其他實施態 樣之要部之槪略圖。又沒有圖示之部份之構成乃與上述之 各實施態樣同樣者,省略其說明。 本基板乾燥裝置係具有,藉由連通於噴霧噴咀5之長 軸方向之一方之端面由而供給載體氣體之第1供給管路 5 a,同時具有連通於與此端面之.相鄰之面之液狀之乾燥 • · 用流體用之第2供給管路5 b。又噴霧噴咀5之噴出孔 5 c乃能對應於基板1與基板1之間隙地分別設定有其位 置。 所以採用此實施態樣之基板乾燥裝置時,可以經過第 1供給管路5 a而將載體氣體供給於噴霧噴咀5,由於噴 本紙伕尺度通用中國國家揲準(CNS ) A4规格(210X297公釐) _彳6 - ---------^------^------味 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明坤 ) 出孔小所以內部成爲高壓*而經過第2供給管路5 b,而 以上述(內部之高壓)以上之高壓供給乾燥用流體,由而 可以將液狀之乾燥用流體供給於噴霧噴咀5內也。於是從 噴霧噴咀5之噴出孔5 c噴出乾燥用流體之霧,藉由此霧 ,而與上述實施態樣同樣地可達成基板1之乾燥。 再者,採用此實施態樣時可抑制從噴霧噴咀5之乾燥 用流體之噴出量,可以將適宜量之乾燥用流體供給於基板 1之浸漬界面,該結果可以減少乾燥用流體之使用量,可 減低運轉成本也。 第1 2圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一其他實 施態樣之要部之槪略圖。又沒有圖示之部份之構成係與上 面所述之實施態樣者相同,省略其詳細說明。 本基板乾燥裝置之與第11圖之基板乾燥裝置不同之 點爲,設置了由連通於噴霧噴咀5之長軸方向之另一方之 端面,以資排出載體氣體用之排出管路5 d之點。在排出 管路5 d之規定位置介置了閥5 e之點。將第2供給管路 5 b只在於噴霧噴咀5之最上游側而與噴霧噴咀5相連通 之點而已。 採用此實施態樣時,藉由控制閥5 e之開度由而可以 •. 控制由噴出孔5 c所噴出之載體氣體與通過排出管路5 d 所排出之載體氣體之比例。並且由第2供給管路5 b而供 給於噴霧噴咀5內之液狀之乾燥用流體乃由載體氣體所加 速,供給於從最上游側之噴出孔5 c到最下游側之噴出孔 5 c爲止之全範圍,所以得從全部之噴出孔5 c噴出乾燥 I 1 I I I I---- 1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本莧) 訂 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(2丨OX297公釐) _ 17 _ η ρ. Α7 Β7 經濟部智慧財產局MK工消费合作社印製 五、發明説明诈) 用流體之霧也。當然所噴出之乾燥用流體係由載體氣體而 被微細霧粒化,所以可以達成良好之乾燥。 (產業上之利用可能性) * « 本發明乃可以適用於半導體晶片等之基板之乾燥,而 可達成基板之良好的乾燥。 圖面之簡單說明 第1圖係表示本發明之基板乾燥裝置之一實施態樣之 槪略斜視圖 第2圖係表示噴霧噴咀之構成之其他例之槪略縱斷面 圖。 第3圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖。 第4圖係表示噴霧噴咀之構成之又一其他例之槪略縱 斷面圖。 第5圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 第6圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 •. 之槪略斜視圖。 第7圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 第8圖係表示本發明之基板乾燥裝置之其他實施態樣 之槪略斜視圖。 ---------装-- {諳先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 訂 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公羡) _ ΐβ- A7 B7 42 0 84 6 五、發明説明1(6 ) 第9圖係說明乾燥用流體之間歇導入高溫氮氣之間歇 噴吹之定序表。 第1 0圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一實施態 樣之要部之槪略圖。 * * 第1 1圖係表.示本發明之基板乾燥裝置之又一實施態 樣之要部之槪略圖。 第1 2.圖係表示本發明之基板乾燥裝置之又一實施態 樣之要部之槪略圖。 主要元件對照表 1 基板 2 洗淨液_ 3 處理槽 3 a 蓋體 3 b 排氣用細縫孔 3 c 排氣用配管 4 供給管路 4 a 開閉閥 5 噴霧噴咀 •. 5 a 第1供給管路 5 b 第2供給管路 5 c 噴出孔 _ 5 d 排出管路 6 惰性氣體吐出噴咀 ---------^------1T------埭. (請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家樑準(CNS ) A姑L格(210X297公釐) -19 -
2034 S A7 B7 五、發明説明你 7 供給管路 7 a 開閉閥 8 閥控制部 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙伕尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) -20 -

Claims (1)

  1. M:.· •1.― S d a c A8B8C8S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 .—種基板乾燥方法,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於基板而相對的下降,一面對處理槽(3 )內供 給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之方法,其 特徵爲, 以被之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽(3)內, 使用噴咀噴.霧於洗淨液(2 )面上者。 2 .如申請專利範圍第1項所述之基扳乾燥方法,其 中爲了使乾燥用流體霧化起見,實施情性氣體之吹噴者。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板乾燥 方法,其中以間歇的實施該乾燥用流體之導入於處理槽( 3 )者。 4 ·—種基板乾燥裝置,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於基板而相對的下降,一面對處理槽(3 )內供 給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之裝置,其 特徵爲含有: 以液之狀態的將乾燥用流體導入於處理槽(3 )內, 使用噴咀噴霧於洗淨液(2 )面上之乾燥用流體供給機構 ·» (4 ) (4a) ( 5 )者。 5 .如申請專利範圍第4項所述之基板乾燥裝置,其 中再含有:接近於上述乾燥用流體供給機構(5),爲了 使乾燥用流體霧化而實施惰性氣體之噴吹之噴吹機構(6 )者。 C請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2J0*297公龙) Ά--------^---------------------------------- I I 震08 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 6 ·如申請專利範圍第4項或第5項所述之基板乾燥 裝置,其中再含有,用於控制間歇的實施乾燥用流體之導 入於處理槽(3 )之乾燥用流體供給機構(4 a )之控制 機構(8 )者。 * · 7 ·—種基板乾燥方法,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於.基板而相對的下降,一面對於處理槽(3 )內 供給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之方法, 其特徵爲: 使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀(5 )之噴出孔(5c),而從噴嘴(5)之噴出孔(5c) 朝向洗淨液面上面,同時的噴出乾燥用流體及載體氣體者 〇 8 . —種基板乾燥裝置,主要係在處理槽(3 )內收 容基板(1),且使處理槽(3)內之洗淨液(2)之液 面一面對於基板而相對的下降,一面對於處理槽(3 )內 供給乾燥用流體,以資使基板(1 )之表面乾燥之裝置, 其特徵爲,含有: 使用載體氣體而將液狀之乾燥用流體運送至噴咀(5 •. )之噴出孔(5c),而從噴咀(5)之噴出孔(5c) 朝向洗淨液面上面,同時的噴出乾燥用流體及載體流體之 乾燥用流體供給機構(5 )( 5 a ) ( 5 b ) ( 5 c )者 〇 9 .如申請專利範圍第8項所述之基板乾燥裝置,其 本紙張又度適用中國國家楳準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .^2- ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 机!1訂.! 線 6 " 觔明0808 六、申請專利範圍 中 在於爲了將載體氣體供給於噴咀(5 )之第1供給管 路(5 a )之中途部,連通了液狀之乾燥用流體用之第2 供給管路(5 b )者。 1 〇 .如申請專利範圍第8項所述之基板乾燥裝R , 其中 該將載.體氣體供給於噴嘴(5 )用之第1供給管路( 5a),及將液狀之乾燥用流體供給於噴嘴(5)用 2供給管路(5 b )係互相獨立的予以設置者。 — — — — — — — —--- 訂·! !線 (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t) -23-
TW088116644A 1999-01-18 1999-09-28 Substrate drying method and device TW420846B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP933899 1999-01-18
JP12269699A JP3174038B2 (ja) 1999-01-18 1999-04-28 基板乾燥方法およびその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW420846B true TW420846B (en) 2001-02-01

Family

ID=26344042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088116644A TW420846B (en) 1999-01-18 1999-09-28 Substrate drying method and device

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6962007B1 (zh)
EP (1) EP1158257B1 (zh)
JP (1) JP3174038B2 (zh)
KR (1) KR100626881B1 (zh)
AT (1) ATE280935T1 (zh)
DE (1) DE69921510T2 (zh)
TW (1) TW420846B (zh)
WO (1) WO2000042373A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6328814B1 (en) * 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
CN101499413B (zh) * 2001-11-02 2011-05-04 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
FR2833753B1 (fr) * 2001-12-18 2004-02-20 Vaco Microtechnologies Dispositif de gravure, de rincage, et de sechage de substrats en atmosphere ultra-propre
DE102005000645B4 (de) * 2004-01-12 2010-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten
JP4769440B2 (ja) * 2004-08-18 2011-09-07 Sumco Techxiv株式会社 処理装置
US7228645B2 (en) * 2005-01-11 2007-06-12 Xuyen Ngoc Pham Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate
KR100753959B1 (ko) * 2006-01-12 2007-08-31 에이펫(주) 기판 건조장치를 이용한 기판 건조방법
US20070246079A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Xuyen Pham Multi zone shower head for cleaning and drying wafer and method of cleaning and drying wafer
US7775219B2 (en) * 2006-12-29 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Process chamber lid and controlled exhaust
JP5261077B2 (ja) 2008-08-29 2013-08-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP5522028B2 (ja) * 2010-03-09 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984597B1 (en) 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
JPS63301528A (ja) * 1987-05-30 1988-12-08 Sigma Gijutsu Kogyo Kk 基板乾燥装置
JPH06103686A (ja) 1992-09-17 1994-04-15 Csk Corp リーダーライタ装置
JPH06181198A (ja) * 1992-12-11 1994-06-28 Hitachi Ltd ベーパー乾燥装置
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
US5634978A (en) 1994-11-14 1997-06-03 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor method
US5571337A (en) * 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
US5653045A (en) * 1995-06-07 1997-08-05 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist
US5685086A (en) * 1995-06-07 1997-11-11 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying objects using aerosols
EP0784336A3 (en) * 1995-12-15 1998-05-13 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to the fabrication and processing of semiconductor devices
JPH09213672A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Nec Yamaguchi Ltd 半導体ウェハ処理装置および処理方法
WO1997033702A1 (en) * 1996-03-14 1997-09-18 All In One Microservice, Inc. Method and apparatus for drying and cleaning objects using aerosols
JPH10308378A (ja) * 1997-05-07 1998-11-17 Kaijo Corp 基板表面の乾燥方法
JPH10335299A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Sony Corp ウェーハ乾燥装置
JPH11176796A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Sony Corp ウェーハ処理方法及び装置
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
JP3364620B2 (ja) * 1998-12-11 2003-01-08 東邦化成株式会社 基板処理装置
US6328814B1 (en) * 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates

Also Published As

Publication number Publication date
EP1158257B1 (en) 2004-10-27
KR20010101575A (ko) 2001-11-14
EP1158257A4 (en) 2002-10-23
KR100626881B1 (ko) 2006-09-22
US6962007B1 (en) 2005-11-08
ATE280935T1 (de) 2004-11-15
DE69921510T2 (de) 2006-02-02
DE69921510D1 (de) 2004-12-02
EP1158257A1 (en) 2001-11-28
JP2000277481A (ja) 2000-10-06
JP3174038B2 (ja) 2001-06-11
WO2000042373A1 (fr) 2000-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW420846B (en) Substrate drying method and device
EP2915588B1 (en) Film-forming apparatus
KR101055465B1 (ko) 기판 처리법 및 기판 처리 장치
US20200171514A1 (en) Coating head of mist coating film formation apparatus and maintenance method of same
KR101531437B1 (ko) 기판 처리 장치
TW445539B (en) Method and device for washing by fluid spraying
JP4448458B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP4007766B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JPWO2003071594A1 (ja) 搬送式基板処理装置
JP3247673B2 (ja) ウェハ乾燥装置及び方法
KR100648455B1 (ko) 기판 건조 방법 및 그 장치
JP2002110619A (ja) 基板処理装置
JP2006310682A (ja) 基板処理装置
TW201311360A (zh) 基板收容裝置
JP7429216B2 (ja) 基板処理装置
TW472287B (en) Drying method for substrate and the device thereof
US20220016651A1 (en) Substrate cleaning devices, substrate processing apparatus, substrate cleaning method, and nozzle
KR20040000933A (ko) 포토레지스트 현상공정에 사용되는 초순수를 이용한초음파 가습식 프리웨팅 장치
JP5460789B2 (ja) 基板処理装置
TW202228852A (zh) 基板處理裝置
JP2024106251A (ja) 膜形成装置、積層体の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
TW535201B (en) Method of cutting out leakage of container gas and container with internal gas leakage cutout structure
JPH1197407A (ja) 基板乾燥装置
JPH02249850A (ja) ウエブ搬送装置
KR20100068511A (ko) 기판 식각장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees