TW419695B - Electron emission device and production method of the same - Google Patents

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^ t9fi9g - 五、發明說明Cl) 明背景 發明領域 本發明係關於一個具有一 子發射器之電子發射裝置及 一個經由一個絕緣層而具有 置及其製造方法D 先前技藝説 個用於發射電場電子發射的電 其製4方法。特別地，係關於 一個四分層架構的電子發射裝 年來，顯示裝置的發展及研究已經導向減少該顯示 ^置的厚度。大家特別專注於使用稱為電子發射裝置之電 場發射式顯示裝置（以下簡稱為FED)。 在該FED中，藉由一個混合與該電子發射襞置對立的— 個正極電極和一個螢光本體之電子發射裝置而構成各個像 素。複數個該等像素形成矩陣而構成一個顯示裝置。在該 FED中’藉由在該電子發射裝置和該正極電極間的電場而 加速來自該電子發射裝置所發射之電子並使之衝擊該榮光 本體。因而，該螢光本體受激勵而發光，以便顯示一個影 像。 ， ’ 〜 通常’此電子發射裝置可是一種旋轉型式或一種平面型 式。旋轉型式的電子發射裝置包括一個接近圓錐狀的發射 器電極，而且其施加一個預定電場，因此發射電子。t進 而，當製造此旋轉型式的電子發射裝置時，形成—個直徑 約1微米之洞孔且在該洞孔内措由寄託方式或形勢而形成 該發射器電極。 無論如何’在此旋轉形式的電子發射裝置中，難於形成

L:\55\55634.PTD 第6頁 419695 _ 五、發明說明（2) 前述具有所需架構的圓錐發射器電極，而且不能夠得到穩 定的電子發射特徵。特別地，當製造大螢幕FED時，必須 在大基底上固定形成該發射器電極。換言之，除非固定形 成該發射器電極’否則該場電子發射特徵的變動取決於在 該螢幕的位置，而不能夠顯示一個較佳影像。 另一方面’該平面型式的電子發射裝置包括一個藉由一 對間電極並經由一個絕緣層而在一個平板型式的三明治所 形成之發射器電極’而使得一個在該對閘電極和該發射器 電極間所產生的電場導致該發射器電極發射電子。 在此平面型式的電子發射裝置中，能將該用於發射電子 之發射器電極以接近平皮形狀形成。因此，此型式的電子 發射裝置能比前述的旋轉型式的電子發射裝置更容易製 造。 在具有β述架構之平面型式電子發射裝置中，將來自該 發射器電極所發射的電子加速而以如在旋轉型式電子發射 裝置之τ目同方式衝擊該營光本體。因而，在使用此平面型 式電子發射裝置之FED中，將該螢光本體刺激而發亮，而 能夠顯示影像。 前述平面型式電子發射裝置是揭示於美國專利號碼 5, 308, 439、美國專利號碼 5, 604, 399、美5, 192 ,240、日 本專利公開（未審查）號碼2- 1 333 97、與日本專利公開（未 審查）號碼7-254354。在此等文件所揭示之電子發射穿置 中’未在FED中使用該裝置’將很難使來自該發射器^極 之電子偏移到所要的方向。

419695 五、發明說明（3) 為了解決此問題，美國專利號碼5，1 24，347揭示一個 視為平面型式電子發射裝置之四分層電子發射裝置。在此 四分層電子發射裝置中，穿過該經由一個絕緣層包夾該發 射器電極之電機對而形成一個貫穿洞孔而且在該洞孔底部 配置一個輔助電極。 在具有前述架構之四分層電子發射裝置中，該輔助電極 製造一個偏向該發射器電極所發射電子之電場，而使其到 該正極電極之方向。因而，該四分層電子發射裝置能有效 使得該發射器電極所發射電子衝擊在該正極電極上的螢光 本體，而能夠顯示一個比較佳之影像。 在前述四分層電子發射裝置中，該辅助電極所製造之該 等由該電場所偏向的電子也可影響該發射器電極。即是， 在此電子發射裝置中，該輔助電極所製造之電場影響該發 射器電極之尖端附近。 此外，該發射器電極受到電場影響而用於從該閘電極發 射電子。無論如何，如上所述，習用四分層電子發射裝置 中，該輔助電極所製造之電場施加於該發射器電極，且因

419695 五，發明說明（4) 因此，本發明的一個目 子到預定方向且能以小心；個能夠偏向所發射電 發射裝置，及其製造方法。電i即能較佳發射電子之電子 根據本發明的電子發射 層之輔助電極、一個在該輔一個在—個基底上分 層之第一閘電極、一個在 二極上經由第一絕緣層而分 而分層且用於當受到電場；：：：電極上經由第二絕緣層 與一個在該發射器電極上發射電子之發射器電極、 電極，其中穿過第1緣層由^絕緣層頁分層之第二開 發射器電極、第三絕緣層、盥_閘電極、第二絕緣層、 孔，所以該輔助電極暴露^ ς第二閘電極而形成一個洞 道而使得比該發射器電極孔底部，而且形成第一閘 在具有前述架構之電子Iy孔十心線。 加到第—閘電極和第二閘 、置中，將一個預定電壓施 發射器電極。因而，該 =將一個預定電場施加到該 進而’在此電子發射裝置中，^射電子3 輔助電極而使得該輔助4極產峰f 一個預定電壓施加到該 於偏向該發射器電極所發射的個預定電場，該電場用 又’在此電子發射裝置中，第一 射器電極更突向該洞孔中心 :：-個開端比該發 中，第—f#雷 口此，在此電子發射裝置 對該發射器電極之影響。 座玍之電場，且抑制 電極和第一 PU因而，在此電子裝置中，第-閘 電極。 ¥努疋有效地施加到該發射器

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五、發明說明（5) 另—方面，根據本發明的電子發射裝置製造方法包括步 驟：依第一絕緣層、第〆閘電極、第二絕緣層、發射器電 極、第三絕緣層、與第二閘電極之順序而在—個基底上形 成分層本體，並對該分層本體實施各向異性蝕刻而形成一 個第一洞孔以暴露第一閘電極’而且形成—個犧牲層而覆 蓋該分層本體表面和第一洞孔的内壁及在第一閘電極的外 圍上的預定區域；並且對外露的第一閉電極和第一絕緣層 實施蝕刻而形成第二洞孔，其中所形成的第二洞孔具有比 第一洞孔較小的開口直徑。 在具有前述架構的電手發射製造方法中’在形成第一洞 孔後’形成該犧牲層。形成此犧牲層將能覆蓋第一洞孔的 内壁及外露到第一洞孔底部的第一閘電極之外圍。在此狀 況下’對該外露的第一閘電極實施餘刻，而能形成具有比 第一洞孔較小的開α直徑之第二洞孔s 圖式簡要說明 圖1顯示一個使用根據本發明的電子發射裝置的FED之架 構透視圖； # 圖2係解釋整個架構和該電子發射裝置之,驅動電路的叫 面圖； 圖3顯示該電子發射裝置開口基本部位之平面圖· 圖4顯示在L2/L1值和該施力0於發射器電極尖 由夕雜总. 电呀強 圖5顯示一個根據本發明而處於已在該絕緣基 分層本體和抗光蝕的階段之電子發射裝置製造方法；y成

4196 95 五、發明說明（6) 開口的階段 圖6顯示一個根據本發明而處於已形成第 之電子發射裝置製造方法； 圖7顯不一個根據本發明而處於已形成犧牲層的階段之 電子發射裝置製造方法； < 圖8顯示一個根據本發明而處於已形成一部份犧牲層的 階段之電子發射裝置製造方法； 圖9顯示一個根據本發明而處於已形成第二開口的階段 之電子發射裝置製造方法； 圖10顯示一個根據本發明而處於已移除該犧牲層的階段 之電子發射裝置製造方法； 圖11顯不一個根據本發明而處於已實施各向同性蝕 階段之電子發射裝置製造方法。 毯A具體實施例娣沭 以下，將參考所附圖示說明本發明的較佳具體實施例。 如圖1的結構顯示，根據本發明具體實施例之電子發射 ，置應用到一個稱為場發射顯示（FED)。此FED包括一x個在 2、Λ為Λ實Λ場電子Λ射而形成該電子發射褒置1之底板 =一個在其上以條帀形式而形成一個正極電極3之面板 。在此FED中，在該底板2和該面板 在此FED中’於該面板4上，* 一個預定正：電；狀:形 成一個為了發射紅光之紅螢光 电不J上办 s F .加石& ώ 变尤本體5R，在該相鄰正極電極 相： 為了發射綠光之綠螢光本體5。，盘在-個遠 相鄰正極3上形成一個為了發射 /、 i 是，在此面板上，以條帶狀交替:先二榮光本體5B。即 又孑配置複數個紅螢光本體

第11頁 4196S5 五、發明說明（7) 5R、複數個綠螢光本體5G、與複數個藍螢光本體5B (此 後，視為螢光本體5 )。 進而’在此F E D中，如圖1和圊2所示，在該絕緣基底上 以矩陣方式形成複數個電子發射裝置1。各個將於後面詳 述之電子發射裝置1具有一個預定分層架構和一個為了發 射電子而依分層方向形成之洞孔7。 該即是各個電子發射裝置1的門口之洞孔7配置在面向該 紅螢光本體5R、s亥綠螢光本體5G、與該藍營光本體5B之位 ί。 在此FED中’一個像素由直接面向該電子發射裝置1之該 紅營光本體5R、該綠螢光本體、與該藍螢光本體5B的一 個預定地區所構成。應注意的是，在此FEI)中，可能將複 數個電子發射裝置配置成面對—個構成一個像素之螢光本 體5。 更進而’在此FED中’提供一個在該底板2和該面板4間 配置之複數個桿柱9 °此等桿柱9在處於真空的該底板2和 該面板4間維持一個預定距離。 圖2所示的電子發射裝置ί包括：一個由玻璃或相似物 贺 i生 j it. <絕緣基底6、一個在該絕緣基底上形成之輔助電極 11、〜個在該輔助電極1丨上經由第一絕緣層丨2而分層之第 —=電極1 3、一個在該第一閘電極丨3上經由第二絕緣層u 而:層之發射器電極15、與一個在該發射器電極15上經由 第二絕緣層而分層之第二閘電極丨7。 進而，在此電子發射裝置1中，穿過第一絕緣層〗2、第

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五、發明說明（8) 一閘電極1 3、第二絕緣層1 4、發射器電極、第三頌 1C 、匕琢滑 1 0、與第二閘電極1 7而形成一個洞孔7，並使得輔助 U暴路在該洞孔底部。更進而，在此電子發射裝置j中 形成第一閘電極1 3而比發射器電極的開口端更突 ：’ 札°在此電子發射裝置1中，形成該洞孔7而具有—彻、_ 卡 . 卿逼；斤 万形之開口。無論如何，此洞孔之架構不侷限於方形，〜 可以是圓形、橢圓形、或除了包含銳角之多邊形。 而 更進而’如圖2所示，在此電子發射裝置1中，將垃k j. T快地電 证知加到發射器電極〗5，將一個0至1 Ο Ο V的信號電位經 - —個脈衝振盪器1 8而施加到第一及第二閘電極1 7，愈t由 ,、if寻 卿〜5 0至5 Ο V之常數值電位施加到輔助電極11。 在此電子發射裝置1中，輔助電極11、第一閘電極13、 發射器電極1 5、與第二閘電極皆以約〇. 1微米厚膜而由如 Ti、Cr、Mo、W、與其相似物之導電物質所形成。進而， 第一絕緣層1 2、第二絕緣層1 4、與第三絕緣層1 6皆由如 S 1 之絕緣物質所形成。 在此電子發射裝置1中，形成第一絕緣層1 2·、第二絕緣 層1 4、與第三絕緣層1 6而從第一閘電極1 3、發射器電極 1 5、與第二閘電極丨7所定義之開口内陷。即是，在此電子 發射裝置1中，形成第一閘電極1 3、發射器電極1 5、與第 二閘電極1 7而從第一絕緣層1 2、第二絕緣層1 4、與第三絕 緣層1 6突出。 進而，在此電子發射裝置1中，如圖2所示，如果假設[1 是第二絕緣層1 4的厚膜厚度，而L2是第一閘電極相關於發

第13頁 .87121793 4 ^96 9^ —1 五、發明說明（9) 射15電極之突出量，則 。.咖L….◦則最(好算足下列關係。 複=i 57述架，之電子發射^裝置1有以矩陣方式配置之 而今:^且此等洞孔7將連續驅動而連續發射電子。因 4上顯示影像。 咬M便該專螢先本體5發亮而在面板 侗在此電子發射裝置1中，將一個預定電壓根據- -^ 一個影像信號之脈衝信號而施加到第一閘電極1 3和 第二閘電極1 7。此將驅動在以矩陣方式配置之複數個洞孔 間的預定洞孔。 進而，藉由將一個預定電壓施加到第一閘電極1 3和第二 閘電極17，在第一閘電極13、第二閘電極17、與發射器& 極1 5間產生一個電場。該電場施加到發射器電極i 5而使得 s玄發射器電極15藉由場電子發射而從其尖端發射電子。 此時，在該電子發射裝置1令，一個預定負電壓施加到 輔助電極11，其從該輔助電極11產生一個預定電場。此電 場幾乎依垂直該輔助電極平面之方向產生，即，順著該正 極電極5之方向。 因此，在該如上所述之電子發射裝置1中，將從發射器 電極15所發射之電子偏向到正極電極3之方向，即，垂直 絕緣基底6之方向。特別在此電子發射裝置1中，縱使幾乎 平行絕緣基底6所發射之電子也將偏向到垂直絕緣基底6之 方向。 結果是，在此電子發射裝置中’可能使來自發射器電極

4 196 95 案號 87121793 年/月 s 五、發明說明（10) 15之電子有效衝擊該在正極電極3上形成之螢光本體5。因 而，此電子發射裝置1能有效使該螢光本體5發亮，而能夠 顯然地增加該FED之亮度= 進而，在此電子發射裝置中，所形成之第一閘電極1 3較 發射器電極1 5突出而因此第一閘電極1 3遮蔽一部份輔助電 極1 1所產生之電場。結果是，該對閘電極1 3及i 7所產生之 電場能有效地施加到發射器電極1 5。換言之，在此電子發 射裝置1中，該辅助電極11所產生之電場將不會減弱該施 加到發射器電極1 5之電場。因此，在此電子發射裝置1 中，為了得到所需的電子發射量，並不需要考慮來自輔助 電極1 1所產生電場之影響。藉由施加小驅動電壓到第一閘 電極1 3和第二閘電極1 7而可能得到所需的電子發射量。 在此如上所述的電子發射裝置1中，在輔助電極11和正 極電極3間形成一個預定電場。此電場將電子向正極電極3 方向加速。此時，在該電子發射裝置1中，將該等集中偏 移在洞孔7中心線附近之電子加速而衝擊在正極電極3上形 成之螢光本體5。因此，在此電子發射裝置1中，能將該等 已射電子集中衝擊該螢光本體5之窄小範圍。換言之，在 此電子發射裝置1中，能將電子定焦到一個預定方向而因 此可能使螢光本體5的寬度變小。因此，此電子發射裝置1 能較佳地應用到一個具有良好螢光本體5之F ED。 更特別地，在此如圖3所示的電子發射裝置1中，洞孔7 較佳地具有一個其第一閘電極1 3從發射器電極1 5縱向形成 之開口。

O:\55\55634.ptc 第15頁 2000.09.18.015 419695 五、發明說明（11) 因而’在此電子發射裝置1中，可能得到焦點是處於與 洞孔7開口的縱向垂直之方向。因此，在此電子發射裝置i 中’可能確定電子衝擊該開口螢光本體5而不衝擊一個相 鄰該相反營光本體5之螢光本體5。結果是，在使用此電子 發射裝置1之FED中，可能得到精確的色彩顯示而不會導致 色彩失序。 進而言之’圓4顯示於此電子發射裝置1中在該施加到發 射|§電極1 5之電場強度和該第二絕緣層丨4厚膜厚度L丨對第 -閘電極1 3的突出量L2的比率間之關係、。應注意到在此圖 4中’垂直車由呈現該施加到發射器電極15之電場強度而水 平軸呈現L1對L2之關係，即L2/u ^ ! 圖4月白』示¥ L 2 / L 1值為正時’可能增加該施加到發 射器電極1 5之電場強度。因此，在此電子發射裝置】中， 藉由第一，電極1 3之突出’可能增加從發射器電極1 5所發 射之電子量L此時，藉由將L2/L1值設定在前述算式之範 圍，可能再增加從發射器電極丨5所發射之電子量。此時， 如果L2/L1值小於〇 · 5，則可能增加丨.25倍或以上的施加到 發射Is電極1 5之電場強度。進而，縱使如果L2/L1值增加 為2. 0或以上，則施加到發射器電極15之電場強度如同當 L2/L1值約是2.0時之保持不變。 當製造前述電子發射裝置時應用根據本發明之電子發射 裝置製造方法° 首先如圖5所不’在此由玻璃或相似物所組成絕緣基底 20上的方法中’莾後分層連續形成：依序是一個第一導電

第16頁 4 19695 五、發明說明（12) 層21 ' —個第一絕緣層22、一個第二導電層23、一個第二 絕緣層24、一個第三導電層25、一個第三絕緣層26、一個 第四導電層2了 >因而形成分層本體28。在此分層本體28 上，形成一個具有預定架構之抗光蝕。 更特別地，第一絕緣層22、第二絕緣層24、與第三絕緣 層26藉由使用SiH4及1〇氣體之濺射沈積或電漿CVD而由如 S i 〇2的絕緣物質所製成。此時，第一絕緣層2 2以約0 . 5微 米的厚膜厚度而形成，第二絕緣層2 4以約〇. 2微米的厚膜 厚度’與第三絕緣層26以約0.2微米的厚膜厚度。更進而 言之，第一導電層21、第二導電層23、第三導電層25、與 第四導電層27藉由濺射沈積或電子束（EB)而由如Tl 、c：f、 Mo、W或相似物的導電物質所形成。此時，各個第—導電 層21、第二導電層23、第三導電層25、與第四導電層27以 約0. 1微米的厚膜厚度而形成。 進而，該抗光姓29有一個具有以矩陣方式分配的開口 之架構。此抗光蝕29藉由在第四導電層27上應用抗光#物 質而形成，其並藉由光刻、蝕刻等等而已經如上所述的型 樣化。 再來，如圖6所示’將各向異性餘刻實施到該形成該抗 光蝕之表面，直到突出第二導電層。因而，該飯刻幾乎依 該抗光钱29的開口30之垂直方向而實施，因此形成—個第 一開口 31。舉第四導電層27和第三導電層25為例，此各向 異性蝕刻可是一個使用S 之反應型離子蝕刻。第三絕緣 層26和第二絕緣層24可是一個使用CHFS氣體或相似物之反

而後，如圖7所示而移除該抗光蝕29，在該突出第二導 電層23之平面上形成一個犧牲層32。例如，此犧牲層32藉 由電衆CVD而由非晶矽或Si〇2所形成。此時，該犧牲層32 形成於第四導電層27、該前述第一開口 31之邊牆、與該突 出到第一開口 31底部之第二導電層2 3。應注意的是，該形 成於第二導電層23的犧牲層32之厚度小於該形成於第四導 電層27的犧牲層32者。 而後’如圖8所示’實施蝕刻而移除一部份該形成於第 二導電層23的犧牲層32。此時，如果該犧牲層32是由非晶 石夕所製成’則該姓刻可能是如使用sf6氣體或相似物的反 應型離子姓刻之各向異性姓刻。因而，在此處理步驟中， 當保留在該開口 31之邊牆所形成之犧牲層32時，該各向異 性餘刻導致移除一部份該形成於第二導電層23的犧牲層 32。結果是’當該犧牲層32覆蓋該第一開口31之邊牆時， 在該第一開口 31之底部中央突出第二導電層。 而後，如圖9所示，使用該犧牲層32為遮罩而實施各向 異性蝕刻以移除該突出的第二導電層。在此各向異性蝕刻 中’將剛述反應型離子蝕刻實施到該突出的第二導電層而 形成了個第二開口 33。因而，當保留該第一開口 3丨之邊牆 所覆蓋部份牯，移除該構成第一開口 3丨底部之導電層2 3突 出部份》 而後’如圖1 0所示，藉由使用一個κ〇Η水溶性等等之濕 蝕刻而移除該犧牲層32。此蝕刻保留該如一個穿過第二

O:\55\55634.ptc 第18頁 2000.09.18.018 419631 五、發明說明（14) 絕緣層24 '第三導電層25 '第三絕緣層26、與第四導電層 的洞孔而突出之第一開口 3 1 ，和一個如一個穿過第二導電 層2 3的洞孔之第二開口 3 3。藉由此方法，第二開口 3 3比第 一開口 3 1具有較小的門口大小。 而後’如圖1 1所示’實施各向同性蝕刻直到突出第一導 電層。例如’此各向同性蝕刻可是使用緩衝氟化物之濕蝕 刻。此各向同性蝕刻等方地蝕刻第一絕緣層2 2和第二絕緣 層2 4及第三絕緣層2 6。此時，蝕刻第一絕緣層2 2而具有一 個從導電層2 3的開口端内陷之開口端。同樣地，蝕刻第二 絕緣層2 4和第三絕緣層2 6而使得具有各別從第三導電層2 5 和第四導電層2 7的開口端内陷之開口端。 因而’在此方法中’第一導電層21當成如同輔助電極11 之服務，第二導電層2 3和第四導電層各別當成如同第一閘 電極13和第二閘電極17之服務，與第三導電層25當成如同 發射器電極1 5之服務。根據此方法’可能形成第二閘電極 1 7而突向洞孔7的中心線勝過發射器電極1 5。 進而，在此方法中，該構成第一開口 3 1底部並由該在第 —開口31的邊牆上形成的犧牲層32所覆蓋之第二導電層23 變成第一閘電極1 3之突出量。因此，在此方法中，藉由調 整在第一開口 3 1的邊牆上形成的犧牲層32之厚度，則可控 制相關於發射器電極1 5之第一閘電極1 3的突出量。結果 是’此方法益於控制第—閘電極丨3的突出量。 如上所述’在根據本發明的電子發射裝置中，形成第一 開電極而在該洞孔人突出勝過發射器電極。因此，第一閘

第19頁 4196 05 五、發明說明（15) 道遮蔽該輔助電極所產生的電場而且不施加到發射器電 極。因而，在此電子發射裝置中，第一閘電極和第二閘電 極所產生之電場有效地施加到發射器電極。結果是，在此 電子發射裝置中，可能使用該輔助電極所產生的電場而偏 移電子到所要方向並且施加大電場到發射器電極而不施加 大電壓到第一及第二閘電極，因而能夠改善該電子發射特 徵。 進而，在根據本發明的電子發射裝置製造方法中，使用 一個犧牲層而使得第二洞孔具有比第一洞孔小之開〇。因 此，在此方法中，可能很容易製造一個電子發射裝置，其 中一個輔助電極所產生之電場用於偏移電子到所要方向並 且施加大電場到發射器電極而不施加大電麼到第一及第二 閘電極，因而能夠改善該電子發射特徵。

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Claims (1)

1. 4 1S6 95 六、申請專利範圍 1. 一種電子發射裝置，其包括： 一在一個基底上分層之輔助電極； 一在該輔助電極上經由一第一絕緣層而分層之第一閘 電極； 一在該第一閘電極上經由一第二絕緣層而分層之發射 器電極，以於施加電場時發射電子；及 一在該發射器電極上經由一個第三絕緣層而分層之第 二閘電極； 其中穿過該第一絕緣層、該第一閘電極、該第二絕緣 層、該發射器電極、該第三絕緣層、與該第二閘電極而形 成一個洞孔，而使得在該洞孔底部突出該輔助電極；以及 形成該第一閘道，以使較之該發射器電極更突出朝向 該洞孔之中心線。 2. 如申請專利範圍第1項之電子發射裝置，其中 該第一絕緣層具有一個比該第一閘電極開口端更内縮 之開口端；以及 該第二絕緣層和該第三絕緣層具有比該發射器電極和 該第二閘電極開口端更内縮之開口端。 3. 如申請專利範圍第1項之電子發射裝置，其中如果L1 是該第二絕緣層的厚膜厚度以及L 2是該第一閘電極的突出 量，則L1及L2滿足下列關係： 0.5 ^ L2/L1 ^2.0= 4. 一種電子發射裝置之製造方法，其步驟包括： 依序在一個基底上形成一第一絕緣層、一第一閘電

   第21頁 419695 六、申請專利範圍 極、一第二絕緣層、一發射器電極、一第三絕緣層、與一 第二閘電極而形成一個分層本體， 對該分層本體實施各向異性蝕刻而形成一個暴露該第 一閘電極之第一洞孔， 形成一個犧牲層而覆蓋該分層本體的表面及該第一洞 孔的内牆以及在該第一閘電極外部周圍的預定區域，及 對該外露的第一閘電極及該第一絕緣層進行蝕刻而形 成一個第二洞孔， 其中所形成的洞孔比該第一洞孔具有較小的開口。 5.如申請專利範圍第4項之電子發射裝置之製造方法， 其中在形成該第二洞孔後，該第一絕緣層、第二絕緣層、 與第三絕緣層受到各向同性蝕刻之影響，因此該第一絕緣 層比該第一閘電極更外縮，並且該第二絕緣層及第三絕緣 層比該發射器電極和該第二閘電極更外縮。

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