JP2001307619A - 電界放出素子及びこれを用いた平面ディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エミッション電流の放出効率が高い電界放出
素子を提供する。 【構成】 導電成膜１７よりもエミッタ電極２１が突出
しているマイクロエミッタアレイ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、真空素子の一
種であるマイクロエミッタ（電界放出素子）及びこれを
用いた平面ディスプレイ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、真空を電荷輸送媒体とする真空素
子が研究されており、この真空素子の一つとしてマイク
ロエミッタ（電界放出素子）が在る。そして、このマイ
クロエミッタの作製方法には、エッチングプロセスを利
用して微細加工を行う方法や、成膜材料をスパッタして
斜入射堆積する方法が知られている。

【０００３】代表的なマイクロエミッタに、スピント型
と楔型とが在る。スピント型の場合は、エミッタ電極が
四角錐や円錐の形状を呈している。スピント型のマイク
ロエミッタの作製のために、正方形や円形のレジストマ
スクが用いられ、Ｓｉ基板が異方性エッチング或いは等
方性エッチングされる。そして、この作製技術は、例え
ば、以下の参考文献１に示されている。

【０００４】参考文献１：電学誌、 １１２巻４号、平
成４年、ｐｐ２５７−２６２ また、楔型の場合、面内が三角形の飛び込み板状を呈し
ており、作製のためにエッチングプロセスが実行され
る。この楔型のマイクロエミッタの作製技術は、例え
ば、以下の参考文献２に記載されている。 参考文献２：ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ， １９９１， Ｎ
ｏ．１， ｐｐ１９３−１９８

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、スピント型
のマイクロエミッタにおいては、個々のエミッタ電極の
先端は楔型に比べて尖鋭であるが、複数個のエミッタ電
極をばらつきなく尖鋭化することは容易ではない。ま
た、エミッション電流は、エミッタ電極の頂角が小さい
ほど効率良く放出できるが、異方性エッチングにて作製
する場合には、面方位で頂角が決定されるため、エミッ
タ電極を自由に尖鋭化することはできない。さらに、等
方性エッチングにて作製する場合には、頂角を制御する
ことは更に困難である。

【０００６】一方、楔型のマイクロエミッタにおいて
は、頂角の尖鋭化は、エッチングマスク（レジストマス
クなど）のパタ−ニング精度に依存するため、パタ−ニ
ング装置の解像度によって制限される。

【０００７】各発明は上述のような課題を解決するため
になされたものである。

【０００８】この発明の目的とするところは、エミッシ
ョン電流の放出効率が高い電界放出素子を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段および作用】請求項１の発
明は、基板と、前記基板上に順次積層される絶縁膜およ
び導電性膜と、前記導電性膜表面に開口している複数の
凹部と、前記各凹部の底面をなす前記基板から成長して
おり、先端が前記導電成膜よりも突出しているエミッタ
電極とを備えることを特徴とするマイクロエミッタアレ
イである。

【００１０】また、請求項２の発明は、エミッタ電極を
複数備えるマイクロエミッタアレイにおいて、前記エミ
ッタ電極はゲート電極よりも突出していることを特徴と
するマイクロエミッタアレイである。

【００１１】この発明によれば、エミッション電流の放
出効率が高い電界放出素子が提供される。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１〜図８は本発明の一実施例を示している。
さらに、図１中の符号１は、マイクロエミッタのエミッ
タ電極（針状物質）を作製するための装置である。この
エミッタ電極作製装置１には、光源２、第１の光学系
３、マスク基板４、第２の光学系５、及び、チャンバ６
が備えられている。

【００１３】これらのうち光源２は、励起ビ−ムとして
光ビ−ム７を出力する。光ビ−ム７は充分に大きい口径
の円形ビ−ムであるとともに、充分に高いエネルギを有
している。さらに、光ビ−ム７のエネルギ分布（光強度
分布）形状は、図中右側のグラフ８に示すようにガウス
分布形状を呈している。また、第１の光学系３は、下段
のグラフ９に示すように光ビ−ム７のエネルギ分布を一
様にする。この第１の光学系として、例えば一般的なガ
ウス補償板やカライドスコ−プ等を利用することが可能
である。

【００１４】マスク基板４においては、図２中に一部を
示すように、ガラス板１０の上に、複数の丸孔１１…を
残して遮光膜１２がパタ−ニングされている。ガラス板
１０は光透過性を有しており、丸孔１１…は、作製され
るエミッタ電極の配置に合わせて、規則的に配設されて
いる。第１の光学系３を通過してマスク基板４に達した
光ビ−ム７の一部は、遮光膜１２によって遮断される。
丸孔１１…を介してガラス板１０に達した光ビ−ムは、
複数の光ビ−ム（マルチビ−ム）７ｂ…に細分化され、
第２の光学系５に平行に入射する。その際、各光ビ−ム
７ｂは丸孔１１…のエッジの働きによりガウシアン強度
分布を有することとなる。

【００１５】第２の光学系５はレンズ等を組合わせてな
るもので、光ビ−ム７ｂ…のビ−ム径と間隔を所定の比
率で縮小する。そして、縮小された光ビ−ム７ｃ…はチ
ャンバ６に導かれ、チャンバ６に収容されたマイクロエ
ミッタアレイ用の基板１３（後述する）に照射される。
チャンバ６内には、所定の導電性物質の分子を含むガス
（例えばＷＦ６ など）が導入されており、図３中に示
すように雰囲気中の導電性物質を含む分子１４…は光ビ
−ム７ｃによって励起・分解される。

【００１６】前記マイクロエミッタアレイ用の基板（以
下、アレイ基板と称する）１３は、図５（ａ）及び
（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１５に絶縁膜１６と導電
性膜１７とを積層してなるものである。本実施例では、
絶縁膜１６の材質としてＳｉＯ２が採用されており、導
電性膜１７の材質としてＷＳｉが採用されている。

【００１７】Ｓｉ基板１５の形状は真円状であり、Ｓｉ
基板１５の板面は高精度な平坦に加工されている。アレ
イ基板１３にはエミッタ電極作製用の凹部１８…が複数
形成されており、これら凹部１８…は規則的に配設され
ている。凹部１８…は導電性膜１７に真円状に開口して
いる。さらに、凹部１８…は、導電性膜１７と絶縁性膜
１６とを貫通しており、凹部１８…の底にはＳｉ基板１
５の板面が露出している。

【００１８】このアレイ基板１３は以下のようにして作
製されている。先ず、アレイ基板１３の作製のために、
略真円形のレジストパタ−ンを有するマスクが使用され
る。レジストパタ−ンは、作製されるエミッタ電極の数
に応じて多数形成されており、凹部１８…の配置に対応
した間隔で配設されている。図６（ａ）に示すように、
先ず、レジスト１９を利用して異方性エッチング（ＲＩ
Ｅなど）が行われ、（ｂ）に示すように絶縁膜１６が加
工される。

【００１９】さらに、（ｃ）に示すように導電性膜１７
が成膜（スパッタ、ＣＶＤなど）され、（ｄ）に示すよ
うに、レジスト２０がパタ−ニング（重ね合わせ）され
る。そして、異方性エッチング及び等方性エッチング
（ＣＤＥなど）が行われ、（ｅ）に示すように、絶縁膜
１６と導電性膜１７とが加工される。

【００２０】つぎに、上述のエミッタ電極作製装置１及
びアレイ基板１３を利用したエミッタ電極の作製方法を
説明する。まず、光源２から出力された光ビ−ム７が第
１の光学系３を通過し、光ビ−ム７のエネルギ分布形状
が、ガウス分布形状（上段のグラフ８）から均一分布形
状（下段のグラフ９）に変換される。この変換は、次に
なされる光ビ−ム７ａの細分化の際に光ビ−ム７ｂ…の
各々を略均一なガウシアン分布形状とするために行われ
る。つぎに、第１の光学系３から出射した光ビ−ム７ａ
がマスク基板４によって細分化され、ガウシアン強度分
布をもつようになり、第２の光学系５が細分化された光
ビ−ム７ｂ…をそのままの強度分布で縮小する。そし
て、縮小された光ビ−ム７ｃ…はチャンバ６内に導か
れ、アレイ基板１３に達する。光ビ−ム７ｃ…は、アレ
イ基板１３の凹部１８…の中央に入射し、Ｓｉ基板１５
に垂直に照射される。

【００２１】光ビ−ム７ｃ…の配置はアレイ基板１３の
凹部１８…の配置と一致しており、各光ビ−ム７ｃのビ
−ム径Ｄ１ は、各凹部１８の直径よりも小さく設定さ
れている。

【００２２】チャンバ６内には導電性物質の分子を含む
ガスが導入されているので、図３中に示すように、雰囲
気中の導電性物質を含む分子１４…（この場合はＷ）が
光ビ−ム７ｃによって励起・分解される。分解された導
電性分子１４…は光ビ−ム７ｃに沿ってＳｉ基板１４の
上に堆積する。光ビ−ム７ｂをＳｉ基板１５に照射し続
けることによって、堆積物は徐々に成長する。さらに、
ガス分子１４…が堆積する範囲は、光ビ−ム７ｂの照射
範囲に略一致する。この結果、Ｓｉ基板１５上に、導電
性の材料からなる針状物質及び針状電極としてのエミッ
タ電極２１が形成される。多数の光ビ−ム７ｃ…が各凹
部１７…に収束するので、同時に多数のエミッタ電極２
１…が作製される。この際に、光ビ−ム７ｃのガウシア
ン強度分布が、その積分値が同一であるもので比較する
と、半値幅が小さな値である程、鋭利なエミッタ電極２
１が形成されることとなる。

【００２３】各エミッタ電極２１の断面形状は、光ビ−
ム７ｃのスポット形状と等しく真円形である。また、エ
ミッタ電極２１の直径Ｄ２ は、光ビ−ム７ｃのビ−ム
径Ｄ１に略一致している。各エミッタ電極２１の長さ
（Ｓｉ基板１５からの突出量）は、光ビ−ム７ｃの照射
時間に比例して増大する。

【００２４】さらに、各エミッタ電極２１の先端２２の
形状は光ビ−ム７ｂのエネルギ密度分布の形状と相関を
有しており、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、先端
２２の曲率半径はエネルギ密度分布曲線２３の曲率と略
相似の関係にある。そして、先端２２の曲率半径は、光
ビ−ム７ｂのビ−ム径Ｄ１ の１／１０になる。本実施
例においては、先端２２の曲率半径を、例えば１０００
オングストロ−ムよりも小さく設定することが可能であ
る。

【００２５】このようにして、アレイ基板１３の各凹部
１８にエミッタ電極２１が一つずつ形成される。そし
て、図７に示すように、各エミッタ電極２１はそれぞれ
マイクロエミッタ２４を構成しており、図８に示すよう
に、複数のマイクロエミッタ２４…が一つのマイクロエ
ミッタアレイ２５を構成している。一つのマイクロエミ
ッタアレイ２５に形成されるマイクロエミッタ２４…の
数は、マスク基板４の丸孔１１…の数や、光ビ−ム７の
口径によって決まる。

【００２６】また、マイクロエミッタ２４…の形成間隔
の密度を高くするには、丸孔１１の形成間隔の密度を高
めるか、第２の光学系５の絞り角を大きくして光ビ−ム
７Ｃの存在密度を高くすることで達成される。更に、マ
スク基板４に代えて光ファイバやレンズを用い、ここで
光ビ−ム７ｂをマルチモ−ドの強度分布としたり、第２
の光学系７で光ビ−ム７ｃをマルチモ−ドの強度分布に
することでも達成される。その際、各エミッタ電極２１
の大きさが小さくなってしまうのは、光源の出力を上げ
ることで防ぐことができる。

【００２７】上述のようなエミッタ電極の作製方法によ
れば、従来のエミッタ電極の作製方法に比べて以下の
（１）〜（４） のような利点がある。 （１） 多数個のエミッタ電極の先端形状の類似性 従
来のエミッタ電極の作製方法においては、エミッタ電極
の形状精度がマスクパタ−ニングの精度に依存してい
る。このため、形状の均一なエミッタ電極を作製するこ
とが難しい。そして、各エミッタ電極の形状が不均一な
場合には、多数のエミッタ電極に同じ電界を与えても、
各エミッション電流の値が異なる。

【００２８】これに対して本実施例のエミッタ電極作製
方法によれば、エミッタ電極２１の先端２２の形状が光
ビ−ム７ｃ…のエネルギ密度分布に依存するため、マス
ク基板４のパタ−ニング精度に影響されることなく、尖
鋭な先端２２を有するエミッタ電極２１が他数個同時に
作製される。さらに、光ビ−ム７は第１の光学系３とマ
スク基板４とにより均等に細分化されてアレイ基板１３
に照射される。したがって、形状精度のばらつきが少な
く、均一な形状のエミッタ電極２１…が得られる。そし
て、多数のエミッタ電極の先端形状の類似性が高い。 （２） 電界放出特性 一般に、エミッション電流を高めるのに必要な要素は、
エミッタ電極の頂角が小さいこと、エミッタ電極の先端
が引出し電極（ゲ−ト電極＝本実施例では二層目の導電
性膜１７）よりも適度に突き出ていること、及び、先端
の曲率半径が小さいことである。従来のスピント型のマ
イクロエミッタにおいては、エミッタ電極の頂角が大き
いとともに、エミッタ電極の先端を引出し電極よりも突
き出させることができない。また、従来の楔型のマイク
ロエミッタにおいては、電子を真上に放出することは難
しい。

【００２９】これに対して本実施例のエミッタ電極作製
方法によれば、光ビ−ム７ｃ…のエネルギ密度分布によ
ってエミッタ電極２１の先端２２の曲率を調節できるの
で、先端２２を尖鋭に加工することが容易である。ま
た、エミッタ電極２１の長さは、光ビ−ム７ｃの照射時
間によって決まるので、エミッタ電極２１を容易に導電
性膜１７よりも突出させることができる。したがって、
エミッション電流の放出効率が高く、高い値のエミッシ
ョン電流を容易に得ることができる。 （３） エミッション電流密度 一般に、エミッション電流密度は、所定の範囲内でエミ
ッタ電極の数が多い程高い。従来のマイクロエミッタに
おいては、エミッタ電極の頂角の微小化に限界があるた
め、エミッタ電極同士を接近させにくく、エミッション
電流が、隣接するエミッタ電極の距離に制約される。特
に、スピント型のマイクロエミッタの場合、基板と引出
し電極との距離が大きい程エミッション電流が高くなる
ため、エミッタの底辺も大きく設定される。この結果、
エミッタ電極の先端の距離は大きくなる。

【００３０】これに対して本実施例のエミッタ電極作製
方法によれば、エミッタ電極２１の形状が針状であると
ともに、先端２２の曲率半径を１０００オングストロ−
ムよりも小さく設定できる。このため、エミッタ電極２
１…同士を従来よりも（導電性膜１７のパタ−ニング限
界まで）接近させることが可能であり、高いエミッショ
ン電流を得ることができる。 （４） プロセスの容易性 本実施例のエミッタ電極作製方法によれば、エミッタ電
極作製後のエッチバックが必要ないので、作製プロセス
の工程数が少ない。また、光ビ−ム７ｃ…がアレイ基板
１３の凹部１８…に導かれるので、凹部１８の深さに関
係なく、エミッタ電極２１を作製できる。したがって、
アスペクト比の高い部分にエミッタ電極２１を形成でき
る。

【００３１】なお、本発明は、要旨を逸脱しない範囲で
種々に変形することが可能である。上記の実施例におい
ては、マスク基板４を用いて光ビ−ム７ａを光ビ−ム７
ｂに細分化しているが、マスク基板４に代えて、丸孔１
１に対応する数のレンズや光ファイバを用いても効果は
同じである。その際にも光ビ−ム７ｂはガウシアン強度
分布を持つこととなる。

【００３２】本実施例では、導電性分子としてＷが用い
られているが、励起ビ−ムによる励起・分解が可能であ
れば、種々の導電性物質を含む分子を適用できる。例え
ば、Ｒｅの酸化物を採用すれば、チャンバ６への付着を
防止できる。

【００３３】また、本実施例では励起ビ−ムとして光ビ
−ム７が用いられているが、例えば図９の作製装置３１
のように、イオンビ−ム３２を用いてもよい。すなわ
ち、この作製装置３１には、イオンビ−ム源３３と導電
性基板３４とが備えられている。イオンビ−ム３２の口
径は充分に大きく設定されており、且つ、そのエネルギ
も充分に高く設定されている。また、図中の右側のグラ
フ３５に示すように、イオンビ−ム３２のエネルギ分布
（イオンエネルギ分布）は略均一である。導電性基板３
４には、図１０に一部を示すように複数の丸孔３６…が
形成されており、これらの丸孔３６…は、作製されるエ
ミッタ電極の配置に合わせて、規則的に配設されてい
る。

【００３４】イオンビ−ム３２は導電性基板３４を通さ
れて、複数に細分化される。細分化されたイオンビ−ム
３２はガウシアン強度分布をもつ。導電性基板３４には
電源３７が接続されており、印加電圧の値に応じてイオ
ンビ−ム３２が加速・減速される。細分化されたイオン
ビ−ム３２ａ…はチャンバ６に導かれ、アレイ基板１３
に達する。そして、イオンビ−ム３２ａ…はＳｉ基板１
４に照射され、Ｓｉ基板１４に多数個のエミッタ電極２
１…が同時に作製される。

【００３５】なお、イオンビ−ム源３３として、例えば
カウフマン型イオンソ−スを用いることが可能である。
また、導電性基板３４を複数枚使用し、イオンビ−ム源
３３とチャンバ６との間に適当な間隔をおいて並べても
よい。導電性基板３４を複数枚使用することで、イオン
ビ−ム３２ａ…の収束や偏光が可能になる。

【００３６】また、図１１の作製装置４１のように、励
起ビ−ムとして電子ビ−ム４２…を用いてもよい。すな
わち、この作製装置４１には、複数の電子ビ−ム４２を
発する電子ビ−ム源４３と導電性基板３４とが備えられ
ており、電子ビ−ム源４３から出力された電子ビ−ム４
２…は導電性基板３４によって細分化される。電子ビ−
ム源４３として、例えば従来の技術の項で説明したスピ
ント型の極微細二極真空管（参考文献１）を利用でき
る。また、一つの電子ビ−ムを発する電子ビ−ム源を集
めて電子ビ−ム源４３としてもよい。

【００３７】各電子ビ−ム４２…のエネルギ分布（電流
密度分布）形状は図中右側のグラフ４４に示すようにガ
ウス分布形状であり、電子ビ−ム４２…が導電性基板３
４を通過することによって、下段のグラフ４５に示すよ
うにエネルギ分布は均一な複数のガウシアン分布をもつ
ようになる。

【００３８】そして、細分化された電子ビ−ム４２ａ…
はチャンバ６に導かれ、Ｓｉ基板１５に多数のエミッタ
電極２１…を同時に作製する。なお、導電性基板３４を
複数枚使用して、電子ビ−ム４２ａ…を収束・偏光させ
てもよい。また、電子ビ−ム源４３と導電性基板３４と
の間隔を、下段のグラフ４５のようにガウシアン強度分
布間の間隔を狭めるようなエネルギ分布が得られよう設
定すれば、電子ビ−ム源のカソ−ド群よりも密にエミッ
タ電極を作製できる。

【００３９】また、一つの電子ビ−ムしか発しない電子
ビ−ム源を使用しても、電子ビ−ムを静電レンズ（図示
せず）で一様なエネルギ分布にしてから導電性基板３４
を通過させても同様な効果が得られる。

【００４０】さらに、電子ビ−ム４２…を導電性基板３
４で減速すれば、高エネルギ電子線を原因とする悪影響
（例えば電子線のはねかえり等）を防止できる。また、
図１２（ａ）〜（ｄ）は、アレイ基板１３の作製方法の
変形例を示している。この方法においては、先ず、
（ａ）のようにＳｉ基板１５に絶縁膜１６と導電性膜１
７とが積層された後、（ｂ）のようにレジストパタ−ン
５１が重ね合せられて、異方性エッチング（ｃ）、及
び、等方性エッチング（ｄ）が行われる。

【００４１】異方性エッチングの際に、レジストパタ−
ン５１がエッチングの途中で消去してしまうことが考え
られるが、導電性膜１７を予め厚めに形成すれば、導電
性膜１７をマスクとして利用することができる。

【００４２】また、図９、及び、図１１のいずれの場合
にも、図１３に示すように導電性膜１７に電圧を印加す
れば、導電性基板３４を用いなくても、アレイ基板１３
の凹部１８に励起ビ−ムを収束させることができる。こ
の場合はアレイ基板１３の位置合せが容易になり、プロ
セスの容易性が高まる。

【００４３】さらに、図１４に示すように、複数の絶縁
膜１６…と同じく複数の導電性膜１７…とを交互に積層
して針状のエミッタ電極を作製すれば、多極真空管６１
及び多極真空管アレイ６２を得ることができる。

【００４４】また、図８のマイクロエミッタアレイ２５
を、二極真空管アレイとして多数組合せ、平面ディスプ
レイ装置の電子源として利用することが可能である。そ
して、この場合には、平面ディスプレイの各小領域毎に
二極真空管アレイを対応させ、各小領域毎に電子線を走
査して、蛍光面を発光させることが考えられる。

【００４５】また、図１４の多極真空管６１を、電子線
直描装置（パタ−ニング装置）の電子源として利用する
ことが可能である。さらに、図１４の多極真空管６１
を、走査型電子顕微鏡の電子源として利用することも可
能である。

【００４６】

【発明の効果】この発明によれば、エミッション電流の
放出効率が高い電界放出素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のエミッタ電極作製装置を示
す構成図。

【図２】マスク基板の作用を示す説明図。

【図３】エミッタ電極の作製原理を示す説明図。

【図４】エミッタ電極の先端の形状と光ビ−ムのエネル
ギ密度分布との関係を示す説明図。

【図５】（ａ）はマイクロエミッタアレイ用の基板を示
す斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＩＶ−ＩＶ線に沿った断
面図。

【図６】マイクロエミッタアレイ用の基板の作製方法を
示す説明図。

【図７】マイクロエミッタアレイ用の基板にエミッタ電
極が作製される様子を示す説明図。

【図８】マイクロエミッタアレイを示す斜視図。

【図９】エミッタ電極作製方法の変形例を示す構成図。

【図１０】導電性基板の作用を示す説明図。

【図１１】エミッタ電極作製方法の他の変形例を示す構
成図。

【図１２】マイクロエミッタアレイ用の基板の作製方法
の変形例を示す説明図。

【図１３】エミッタ電極作製方法の変形例を示す説明
図。

【図１４】多極真空管の作製方法を示す説明図。

【符号の説明】

１…エミッタ電極作製装置、４…マスク基板、６…チャ
ンバ、７、７ａ〜７ｃ…光ビ−ム（励起ビ−ム）、１３
…マイクロエミッタアレイ用の基板、１４…導電性分
子、１５…Ｓｉ基板（基板）、２１…エミッタ電極（針
状物質）、２４…マイクロエミッタ（電界放出素子）、
２５…マイクロエミッタアレイ、３２、３２ａ…イオン
ビ−ム（励起ビ−ム）、４２、４２ａ…電子ビ−ム（励
起ビ−ム）。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、前記基板上に順次積層される絶縁
   膜および導電性膜と、前記導電性膜表面に開口している
   複数の凹部と、前記各凹部の底面をなす前記基板から成
   長しており、先端が前記導電膜よりも突出しているエミ
   ッタ電極とを備えることを特徴とするマイクロエミッタ
   アレイ。
2. 【請求項２】エミッタ電極を複数備えるマイクロエミッ
   タアレイにおいて、前記エミッタ電極はゲート電極より
   も突出していることを特徴とするマイクロエミッタアレ
   イ。
3. 【請求項３】エミッタ電極を複数備えるマイクロエミッ
   タアレイにおいて、前記エミッタ電極はゲート電極より
   も突出しており、かつ、前記エミッタ電極は針状である
   ことを特徴とするマイクロエミッタアレイ。
4. 【請求項４】マイクロエミッタアレイを備える平面ディ
   スプレイ装置において、前記マイクロエミッタアレイ
   は、基板と、前記基板上に順次積層される絶縁膜および
   導電性膜と、前記導電性膜表面に開口している複数の凹
   部と、前記各凹部の底面をなす前記基板から成長してお
   り、先端が前記導電成膜よりも突出しているエミッタ電
   極とを備えることを特徴とする平面ディスプレイ装置。