TW419422B - Lithography apparatus - Google Patents

Description

1 419422 本發明係關於一種照明系統，特別是供一其中可改變照 明模式之縮微微影曝光裝置。本發明尤指此種裝置之應用 於一種微影投影裝置，包含： 一輻射系統，供給一輻射投影光束； 一第一載物台，設有一掩模座，供固持一掩模，並連接 至第一定位裝置； 一第二載物台，設有一基片座，供固持一基片，並連接 至第一定位裝置； 一投影系統，供使掩模之一照射部份成像至基片之一目 標部份。 為簡單起見，投影系統可在下文稱作”透鏡”，然而此用 語應該予以廣義解釋為包含各種不同類型之投影系統，例 如包括折射光學裝置，反射光學裝置，及折反射系統。輻 射系統也可包括根據任何此等原理操作之元件，供導引， 整形或控制輻射投影光束，並且此等元件在下文也可集體 或單獨稱作”透鏡M。福射或照明系統中之任何折射，反射 或折反射元件’可以玻璃或其他適當材料之基片為基礎， 並可依希望設有單層或多層塗層。另外，第一及第二載物 台可分別稱作”掩模台”及”基片台”。而且，微影裝置可為 一種有二或更多掩模台及/或二或更多基片台之類型。在 此等”多級”裝置，另外之諸台可予以並行使用，或可在一 級或多級實施預備步驟，同時使用一級或其他諸級供曝 光。雙級微景> 裝置說明於國際專利申請案wo98/28665號及 W098/40791 號。 O:\57\57803-911202.DOC -4 · 2 419422

微影投影裝置可例如使用於製造積體電路（ICs)。在此種 情形，掩模（光柵）可含一電路圖樣，對應於一個別層之 I C，並且此圖樣然後可予以成像至一在基片（矽晶圓）之目 標區（晶粒），其已塗布一層光敏材料（抗蝕劑）。通常，一 單一晶圓將會含一整個網絡之相鄰晶粒，其予以通過光柵 連續照射，一次一個。在一種類型之微影投影裝置，使整 個光柵圖樣在一次曝光至晶粒，藉以照射每一晶粒；此種 裝置通稱為一晶圓步進器。在一種替代性裝置（其通稱為 步進及掃描裝置），在投影光束下，在一既定參考方向（" 掃描”方向），漸進掃描光柵圖樣，同時平行或非平行於此 方向同步掃描晶圓台，藉以照射每一晶粒，由於投影系統 通常將會有一放大因數Μ(通常S1)，掃描晶圓台之速度v 將為掃描光柵台者之因素Μ倍。自國際專利申請案 WO97/33205號，可發現關於如此處所說明微影裝置之更多 資訊。

在一種形式之縮微微影，一界定特徵之掩模，以來自一 有效源之輻射予以照明’其在光瞳平面有一強度分布對應 於特定照明模式。照明掩模之影像予以投影至一塗布抗独 劑之半導體晶圓。 一種在光學微影減低特徵大小’亦即增加解析度之方 法，為離軸照明。利用此技術’掩模成非垂直角度予以照 明，其可改進解析度’但特別是增加焦深及/或對比’藉 以改進過程寬容度。一種己知之照明模式為環形，其中在 光袖之習知零階點予以改變至一種環形強度分布。另一模

O:\57\57803-9112〇2.D〇C -5- 3 419422 式為多極照明，其中產生不在光軸之若干點或射束。在光 瞳平面之空間強度分布，予以在掩模平面轉換為斜向分 布。 先前技藝之問題，包括照明系統之缺少適應性，諸如僅 具有固定照明模式，或有限範圍之模式，或難以選擇或混 口希望之模式。若干先前系統阻斷部份之照明輻射，而也 有南能量損失。

s尽發明之一項目的，為至少部份減輕至少若干以上問 根據本發明’此等及其他諸多目的，為在一種如姉 &說明之微影投影裝置所達成，其t輕射“包各一昭曰 系統，其包含： …… 一可調整軸錐鏡；以及 一可變化變焦元件； 式其含一可調整元件，供產生-種多極照明 而可連續改變多極照明模式之至少 根據本發明之照明系統 二 數。

包括習知之環形及四極照？模式之範圍 許連續改變照明模式之空間=分；焦=極產生元件」

光栅之角度或斜向照明，並改 強度分布導J 度。 ，、改進微影曝光裝置之過程寬3 雖然在本文，在1C之製造可 裝置，但請明確瞭解，此種裝置/:使用裉據本發明之 如其可用於製造整合光學系統 很夕其他可能應用。例 板，薄膜磁頭等之等引及檢測圖：磁域?己憶體，液晶顯示 察知，在此等替代性應用之範 。精於此項技藝者將會 〜 ’ π光柵，，，”晶圓，，或,,晶

O:\57\57803-9I I202.DOC -6 - 4 419422 粒”諸詞之任何使用，在 Μ ” ”甘α 仕本又應視為分別 梃，"基片"及"目標區"所替代。 明本發明之實施 僅意在作為實例，顼脱在 Θ只1 J見將參照附圖，說 例，在附圖中： 圖1及2例示先前照明系統； 圖3例示藉先前系統所可獲得之若干照明強度分布； 圖=-種供使用於本發明之照明系統； 圖d a π圖4 d统〈_種多極模式產生元件之實施例； 圖）b tit耠圖5 a之實施例所獲得之一種照明強度分布； 圖6及7示圖5a者之另一替代性實施例； 圖8以剖面示一供使用於本發明之照明系統，及所產生 之照明強度分布之另一實施例； 圖9例示一在光錐之楔形光學元件之效應； 圖1 〇示一根據本發明之另一實施例，在一石英棒入口窗 平面之角錐體形塊； 圖1 1例示一根據本發明之另一實施例，位於一石英棒之 入口窗之雙楔形元件； 圖1 2示一供習知或環形照明輪廓之Fresnei透鏡之陣列； 圖1 3例示一根據本發明之另一實施例，供四極照明之 Fresnel透鏡分段之陣列； 圖14，15及1 6例示另一供本發明另一實施例之透鏡分段 之陣列； 圖1 7例示一種四極照明模式強度分布之實例； 圖1 8例示在透射通過一石英棒後之一種照明強度分布；

O:\57\57803-91I202.DOC 5 419422 圖19例示一相對於石英棒之取向旋轉之四極模式產生元 件； 圖20示在一種根據本發明另一實施例之照明系統，在透 射通過石英棒前之照明強度分布； 圖21不在透射通過圖20中所示入射分布之石英棒後， 所產生之之照明強度分布；以及 圖2 2為焦深對不同照明模式解析度之曲線圖； 圖23(a)及（b)示同軸及離軸照明模式之衍射射束； 圖2 4示同軸照明之較大特徵之衍射射束； 圖25(a)及（b)分別示相對小及較大特徵之混合照明模式強 度分布； 圖2 6示一供使掩模成像在基片之裝置，本發明可在該裝 置予以具體實施。 在圖1及2中略示二先前照明系統。請參照圖1及2，此 等系統具有：光收集/準直光學裝置1 〇 ; —軸錐鏡/變焦模 組1 2 ;以及光整合及投影光學裝置1 4。該等系統界定^ 光軸16，一光瞳平面18，及光柵平面20。軸錐鏡/變焦模 組12包含一對軸錐鏡22，一凹面及一凸面，其分隔矸子 以改變。模組1 2也包含一變焦透鏡2 4。 在錐形軸錐鏡之情形，圖3中示在光瞳平面1 8所可達成 之照明強度分布之若干實例。改變變焦透鏡位置，可藉以 使點大小在狀態A與B之間改變。同樣，改變軸錐鏡開口 (軸錐鏡間之分隔），可藉以改變狀態A與C之間環形度。 要改進照明均勻度，使用一光學整合器。在圖1中，此 O:\57\57803.91I202.DOC -8 - 6 419422 為取一光管26之形式，諸如玻璃，氟化鈣或石英棒。一轉 合器28將在光瞳平面18之照明搞合至棒26，並且也提供 棒退出成像光學裝置3 〇。在圖2中，一蠅眼元件3 2作用如 整合器。蠅眼元件3 2為一複合透鏡，包含一小透鏡之陣列 或蜂窩。另外之物鏡34，36完成投影光學裝置。 此等照明系統之另外詳情，揭示於EP-A-687-956號。本 發明可在如以上所說明之照明系統予以具體實施，並且在 下列說明，相同品項賦予相同參考圖號。 以下所說明之本發明實施例’係關於作為多極照明特定 實例之四極照明模式。本發明當然可能有其他模式，諸如 二極。 圖4中示本發明之第一實施例。照明系統有：光收集/準 直光學裝置1 0 ; —軸錐鏡/變焦模組12 ;多極模式產生元件 3 8 ;以及光整合及投影光學裝置1 4。諸組件位於沿光轴 16 ’並用以照明一位於光柵平面2 0之光柵（未示），其然後 在蝕刻抗蝕劑在晶圓（未示），經由一投影系統（也未示）， 產生一曝光圖樣。圖4中所例示之系統包括一石英棒光整 合器2 6 ’雖然本發明可在其他系統，諸如在圖2中所例示 者予以具體貫施。圖4示多極模式產生元件38，在軸錐鏡/ 變焦模組1 2與整合/投影光學裝置丨4之間，位於系統之光 瞳平面1 8。較後將說明若干實施例，其中該元件在系統中 位於別處，例如在轴錐鏡/變焦模組1 2前，可插置在抽錐 鏡/變焦模組1 2内，及在棒2 6之入口窗。如在下列實施例· 所說明’位置係與所使用之特定多極模式產生元件3 8相 O:\57\57803-911202 DOC -9- 419422 關。圖4中所示之光軸1 6當然可予以摺疊，以產生一種更 輕巧之照明系統。 圖5a中示多極模式產生元件38之一種實施例。元件38 有四三角形葉片41，42, 43, 44，可插入在光瞳平面之射 束路徑，並且其形成一十字輪40，其在本文也稱作馬氏孔 徑葉片（Maltese aperture blade，簡稱MAB)。每一葉片有一 頂點角度冷。圖5 b示自軸錐鏡/變焦模組及MAB產生之一 種環形照明模式之組合，所產生之照明強度分布。該分布 有四光束或極4 5。此實施例能產生連續可變化四極照明模 式。調整軸錐鏡光學裝置，可藉以改變每一極之徑向位 置，調整變焦透鏡，可藉以改變每一極之徑向寬度，以及 插入另一組有不同頂點角度，之葉片，諸如圖6中所示之 十字輪4 0，可藉以改變切向極寬度。完全除去葉片，可藉 以使用照明系統供習知及/或環形模式，而再次有連續變 化。 插置不同角度/3之葉片，允許在個別步驟改變切向極寬 度。根據本發明之另一實施例，切向極寬度可藉包含一疊 可繞渦旋體所位於之系統之光軸彼此相對旋轉之η葉片之 十字輪之每一臂予以連績改變。如果每一單獨葉片之角度 為冷，總體分段角度可連續自/3改變至77 /3，因此每一極 之切向寬度可在角度7Γ /2-泠與7Γ /2- ;? /3之間予以改變。改 變十字輪之每一臂有效寬度之葉片之旋轉，可予以自動 化。圖7中示一種簡單實施例，其中每一疊係由二葉片所 組成。圖7示每一疊之葉片展開。在葉片予以對準時，十 O:\57\57803-911202.DOC -10- 8 419422 字輪40將會看來與圖6中所示者相同。另一變化為有葉片 可繞徑向軸線旋轉，以允許改變其有效寬度，例如二葉片 鉸接成蝶形之形式。 根據另一實施例，僅在一光學系統使用二葉片作為多極 模式產生元件3 8，其包括一光管，諸如一矩形石英棒 26，如在圖4之照明系統所示。葉片之一予以定向為平行 於光管矩形剖面之短邊，及另一葉片平行於長邊。由於在 嘗之多重反射，所產生之照明模式為環形及四極之一種混 · 合。二葉片系統可產生一種照明模式，包括一因為有較少 葉片阻礙光束而能量損失低於十字輪配置之四重組件。在 種貝例，葉片為二用形’並且如同一十字輪之二垂直 臂’例如圖5 a中所示之葉片4 1及4 2。一或二葉片在此實 施例可為一複合葉片’包含一疊如以上所說明之較小可旋 轉葉片。 一般為’葉片位於沿對應於在光柵之正交線之方向，致 使光極位於在每一象限，而中心距正交線四十五度。此取 向可產生線之最佳投影，特別是供濃密結構，諸如供似 鲁 dram結構。正交線通稱為水平及垂直。 在以上實施例使用葉片之另一變化，為使所有葉片可繞 照明系統之光軸旋轉，致使可旋轉諸極之位置β 本發明之次一實施例有一軸錐鏡/變焦模組，有一角錐 體形棱鏡作為多極模式產生元件。這也使能以連續模式之 麦化產生蓄知之環形及四極照明。圖8示一軸錐鏡/變焦模 - 組 < 光學組件。圖8中之右方一行示在光曈平面18，供軸

O:\57\57803-911202.DOC -11 - 9 419422 錐鏡對22a，22b及變焦透鏡24之各不同位置之照明強度分 布。軸錐鏡對2 2包含一對元件，有錐形表面，一凹面 22a ’ 一凸面22b，以產生圓形及環形照明圖樣。第四列示 使一角錐體形稜鏡5 0與元件22b分開之效應。面向角錐體 5 0之元件22b之側面，為供容納角錐體5 〇之凹面角錐體 形。元件22b及角錐體5 〇包含一也稱作一角錐體形軸錐鏡 或角錐體之第一軸錐鏡。角錐體形棱鏡5 0有一有四邊之基 座’其因此產生四極模式照明圖樣，諸如在圖8中之右方 一行在底部所例示之四點。 圖8之照明系統極具多方面用途，因為照明模式可自習 知者連績改變至環形或四極。變焦透鏡2 4設定點大小或部 份相干因素，軸錐鏡2 2確定環形度，及一角錐體5 0確定 四極性。另外，由於光通量被重新分布而非阻斷，故實際 上無光損失，致使可保持高通過量。 請參照圖1之系統，如較早所討論，在光瞳平面1 8之空 間強度分布，對應於在石英棒26之入口及退出平面之斜向 分布。在光柵之斜向或離軸照明，可改進過程宽容度。圖 9示一種使用楔形光學元件改變照明之斜向分布之方式。 有軸線平行於光軸之一對入射光錐5 2，自模形5 1呈現如 對光學轴線傾斜成一角度之光錐。 圖10示一採用此原理之本發明之實施例"一角錐體形元 件5 4位於棒2 6之入口平面。傾斜角錐體之諸面作用如楔 形折射元件。入射在角錐體之光被在四方向折射，因而造 成似四極照明。圖1 1示一種實施例，包含一對楔形元件 O:\57\57803-911202.DOC -12- 10 419422 5 6，串聯置於棒2 6之入口窗之前。使楔塊5 6彼此相對旋 轉90 以使一在一方向之一入射之光錐傾斜，其在棒2 6 之多重反射後造成似四極照明。因此使光錐僅在二正交方 向傾斜’仍可產生四極照明。而且，由於光通量被重新分 布而非阻斷，實際上無光損失，因而可保持高通過量。 在以上角錐體及楔形塊實施例之一種變化，為以一陣列 之很多小角錐體或楔形塊替代單一大角錐體或楔形塊。可 藉衍射及折射效應獲得小元件之光偏差。在一陣列楔形塊 足情形’可使楔形塊諸面在陣列内之取向交替，而非將諸 對楔形塊彼此上下疊置。 圖1 2及1 3中示產生希望照明模式之二另外方式。供習 知及環开> ’可使用如圖1 2中所示之微型透鏡陣列。六角形 陣列5 9义母一元件包含一 Fresnel透鏡或折射透鏡。供撓性 四極照明，可使用圖1 3中所示之實施例。微型透鏡之正方 开）陣列6 1之母一元件包含一 Fresnel透鏡60之一分段或象 限。圖13中示配置透鏡6〇之四象限之一種方式。四透鏡 象限在光瞳平面造成四照明極。再一次，由於光通量被重 新分布而非阻斷，故實際上無光損失，因而可保持高通過 量。 參照圖14，15及1 6例示多極照明模式產生元件之另一目 前較佳實施例。元件為一陣列之透鏡分段。此為特別具有 效率，因為產生多極模式，而不阻斷射束之任何部份，因 而無強度損失，並保持通過量。圖14示在標示N,S，E及 W之四透鏡分段，各有效來自在一完全透鏡之情形。透鏡 O:\57\57803-91I202.DOC -13- 11 419422 分段及半透鏡分段可予以鑲嵌，以形成如圖1 5中所示之矩 形。一完全表面可藉透鏡分段予以覆蓋，其較佳為予以形 成為矩形，並鋪蓋成一如圖1 6中所示之交錯圖樣。 實際上，透鏡陣列可予以形成在一石英基片之表面。透 鏡分段係以蝕刻在表面之凹槽形成，以提供Fresnel透鏡之 諸分段。凹槽之深度及寬度一般約為數微米，每一透鏡分 段約為數毫米大小，並且陣列尺寸為數厘米。

Fresnel透鏡僅只使用作為實例。可使用其他類型之透鏡 或衍射光學元件。在陣列使用習知之折射透鏡或透鏡分 #又’可達成相同或較佳性能。然而，自製造觀點，Fresnej 透鏡可能為較佳。 透鏡分段形狀確定極形狀。圖丨7示在透鏡光瞳之極圖樣 貝例。在此種情況，每一極為一環形空間之一分段。每 一極之角度α係由透鏡分段角度所確定。半徑σ丨及σ。可 藉軸錐鏡/變焦模組調整之較佳值為3〇。。提供若干 不同可互換透鏡陣列或衍射光學元件，可藉以達成不同之 α值及極圖樣，諸如二極。一自動改變器可用以在照明系 統，在此等不同多極模式產生元件之間交換。 以上所討論之光學元件可位於棒入口，例如如圖丨〇及 1 1中所’但可有利將其置於在棒之若干中間剖面。在進 入光學折射或衍射元件時，巾間定位產生進人光錐之更均 勾斜向分布。Fresnel透鏡陣列特別適合激元雷射昭明系 並可置於準直雷射射束，例如在光進人軸錐鏡/變焦

O:\57\57803-911202.DOC -14 - 12 419422 供產生四極知、明之以上系統，導致實際無光繞X及y轴線 之強度分布圖樣。四極位於距正交坐標系統之正χ轴線成 ±45及± 1 35 。ζ軸線位於沿系統之光軸，以及χ及y軸 線為在垂直於光軸之平面。在一種包括整合石英棒之系統 (例如圖1 )，χ-軸線習知為垂直於石英棒之矩形剖面之長 邊，及y -軸線垂直於短邊。在透射通過石英棒後，因為沿 石英棒之個別數之内部反射，四極各包含若干小點。圖18 略示每一極包含一個別數之光點。 根據本發明之另一實施例，可產生一種新照明模式，其 為四極與環形間之一種混合。此為使四極模式產生元件定 向，致使無光強度之部位不再定中在x&y軸線所達成。例 如使一十罕輪孔徑之葉片繞z _軸線旋轉一如圖1 9中所示之 適當角度。圖2 0示在軸錐鏡/變焦模組後及在至石英棒之 入口可’在光瞳平面所所產生之照明強度分布之實例。在 石英棒足多重内部反射，在相對於χ及y軸線在強度分布強 加對稱’在透射通過石英棒後，導致圖2 1中所示之強度分 布圖樣。如在圖2 1可看出，結果為沿45。對角方向之四高 光點邊度部位，在每一象限各一。在其之間為繞义及丫軸線 〜低光點舍度之部位。點密度依四入射點之位置，亦即四 極元fr之取向’以及照明系統之其他參數，諸如四極元件 <類型，軸錐鏡及變焦位置而定。 _研九顯7F ’為使水平或垂直特徵曝光，四極照明導致焦 :八於％形照明。對於濃密週期性特徵特別是如此。然 1177對於相對於x及y軸線定向繞成45。之同等特徵，四極 O:\57\57803-91I202.doc 13 419422 照明之成像能力將會次於環形照明。圖2 2中例示此情形， 其中概略標繪以微米計之焦深…。巧對（a)習知圓形照明， (b)環形照明，（c)供水平/垂直特徵之四極照明，及（d)供特 徵/成45。線之四極照明之解析度（又/NA) ^為自改進之焦 深獲得裨益，當然必須根據予以成像之圖樣之週期性選擇 四極參數。 對照如圖1 7中所示，在X及y軸線之附近無照明之，’硬四 極”’圖2 1中所示類別之強度分布將稱為”軟四極”。研究 指示。軟四極照明提供一種折衷，其改進供垂直及水平特 徵（環形照明，以及改進對角特徵之硬四極照明。在模擬 中’軟四極照明在環形區段，在χ及y軸線有〇 5之相對強 度’及在對角有1 · 0之相對強度。 四極知明可增&細微間開之週期性陣列之影像明析度及 焦深。其先前未視為很適合配合週期性及寬廣間開（孤立） 之結構使用。在配合濃密週期性陣列（諸如邊緣線，通至 接觸墊之導體，混合邏輯及記憶體電路等）使用此等結構 <情形’在使用四極或習知照明狀況之間，必須找到一種 折衷。這一般意為使用軟邊緣照明極，將極加大，或在背 景增加照明，藉以使四極"軟化”。 本發明之另一實施例，為將二種照明在一次曝光合併-供孤立結構之習知照明及供濃密週期性結構之四極。由於 四極通常予以調諧，以增強在或靠近透鏡之折射極限之結 構，習知照明無法解析此等特徵，因為如圖23⑷中供習知 同轴照明所示，對照圖23(b)供例如四極離軸照明，折射級 O:\57\57803-9I I202.DOC -16- 14 419422 (+ 1 ’ -1等）為在光瞳（70)外面。 然而，供孤立之特徵，增加光強度以輔助離軸照明，將 會有助印出此等特徵。一般背景照明將會掩沒離軸照明， 因而需要控制離軸及習知照明之比例。例如藉多極衍射光 學元件，可達成將明確界定之窄同軸光束與離軸照明以固 疋比混合。 再者，如圖2 4中所示，藉第一級折射組份不在光瞳外面 之習知照明組件之光，可使在影像場之較大特徵完全良好 成像。由於單獨之照明源不相干，影像不彼此干涉，並且 僅只彼此相加。圖25(a)及（b)中分別例示供小及大特徵之極 圖樣之實例。 〜一 相移掩模可用以增強孤立之特徵。要使用此等掩模，照 明予以設定至低sigma(高相干，接近正常入射角）。根據 本發明之另一實施例，供增強濃密陣列之四極照明之纟且合 (其不增強孤立之特徵），及一供增強孤立特徵之強低 sigma中央極，配合一相移掩模，可產生一供 夕 總體焦深改進部份。 紅 本發明之裝置特別具有適應性，並且有最少光損失。以 · 上所說明之本發明實施例，適合使用於配合紫外線照明操 作之微影系統，例如使用水銀弧光燈或激元雷射作為源\ 一般而T，水銀弧光燈用以以波長3 6 5毫微米產'生 ”i-線”輻射，而激元雷射用以在波長248亳微米，193&微 米及1 57毫微米產生深紫外線照照輻射。 ‘ 雖然在例示之實例，照明輻射通過在變焦透鏡前之軸錐 鏡，此等元件之順序可予以改變。此為一種設計選擇，並 可依所使用之輕射源而定。 O:\57\57803-9II202.DOC -17- 15 419422 請參照圖2 6，現將說明一種微影裝置，其中可使用一如 以上所說明之照明系統具體實施本發明，供一掩模M (例 如光柵）在基片W (例如塗布抗蝕劑晶圓）之重複成像。此 處所示之特定裝置為透射；然而，其也可例如為反射或折 反射。

該裝置包含一照明外殼L Η，含一輻射源及一根據本發 明之照明系統，以供給一照明射束I Β。此射束通過一隔膜 D R ’並且隨後入射在配置在可調整位置之掩模台Μ τ之掩 模Μ。掩模台μ Τ形成一也包括有一投影透鏡系統p l之投 影柱P C之部份，其包含許多透鏡元件，圖2 6中僅示其二 L I及L 2。投影透鏡系統使掩模Μ成像至設有一光敏抗蝕 劑層（未示）之基片W。基片提供在基片支座\v C，其形成 一例如在空氣軸承上之基片台W Τ之一部份。投影透鏡系 統例如具有放大率M=l/5，數值孔徑ΝΑ>0·48，及折射有 限影像場有一直徑例如2 2毫米。基片台W Τ例如由一花崗 石基座板Β Ρ予以支承，其在其下側接近投影柱p C。

基片可藉助於基片台在X，y及ζ方向移位，及例如繞2細 線旋轉。此等調整藉各種不同伺服系統諸如焦點伺服系 統’例如一種X，y，φζ干涉儀系統與基片支座合作，及一 有其掩模標記可相對於基片標記對準之對準系統予以控 制。此等伺服系統在圖2 6中未示。圖中僅示對準系統之對 準射束（及其主要射線ΑΒ!，ΑΒ2)。 掩模必須根據予以形成在基片之I c之數，予以成像若干 次，每次在基片之不同目標區。 O:\57\57803-911202.DOC -18- 16 419422 所示之裝置可使用於二不同模式： 在步進模式，掩模級MT予以基本上保持靜止，並且整 個掩模影像予以在一次投影（亦即一單一 ”閃光，，）至目標 區。基片級W T然後予以在X及/或y方向偏移，致使一不 同目標區可被射束IB照射。 在掃描模式，除了一既定目標區不在一單一 ”閃光”曝光 外’基本上適用相同情況。代之為，掩模級Μ T可在一既 定方向（所謂之”掃描方向"，例如X方向），以速度ν移動， 而致導使投影光束Ε 3在一掩模影像掃描；同時，基片級 W Τ在相同或相對方向，以速度V=Mv同時移動，其中Μ為 透鏡PL之放大率（例如Μ= 1/5)。在此方式，可使一相對大 目標區曝光，而不必在解析度之折衷。 此等過程予以重複。直到基片之所有區域已予以照明。 雖然以上業巳說明本發明之特定實施例，但請予察知’ 本發明可以所說明者以外其他方式予以實施。 O:\57\57803-911202.DOC -19-

Claims (1)

1. 419422 ι· 一種微影裝置包含： 二射系、统’供給一輕射投影光束； 至；一,物台’設有-掩模座，供固持-掩模，並連接 心t裝置； ::二載物台，設有-基片座’供固持-基片，並連接 至弟一疋位裝置； 文 =系統，供將掩模之一照射部份成像至基片之一目 p刀’其中孩輻射系統包含一照明系統，其包含： 一可碉整軸錐鏡，以及 一可變變焦元件； =特徵為另包含-可調整元件，供產生-多極照明模 式’從而可連續變化多極照明模式之至少一空間參數。 2· ^申請專利範圍^項之裝置’另外其特徵為，該照明 孝吴式為四極。 3·如申請專利範圍第…項之裝！，另外其特徵為，該可 調整元件包含一衍射光學元件。 4·如申請專利範圍第1或2項之裝s ,另外其特徵為，該可 調整元件包含一陣列之Fresnel透鏡分段。 ：).如申請專利範圍第丨或2項之裝置，另外其特徵為，包含 許多可調整元件，可互換式可定位在輻射路徑。 6·如申請專利範圍第1或2項之裝置，另外其特徵為，該可 調整元件可繞一平行於系統之主光軸之軸線旋轉。 7.如申請專利範圍第丨項之裝置，另外其特徵為，另包含 一有一四邊形剖面之光管。 P:\JTL\57803-9210141 DOC 419422 8. 如申請專利範圍第7項之裝置，另外其特徵為該可調 整元件予以配置靠近光管入口。 9. 如申請專利範圍第7項之裝置，另外其特徵為，該可調 整元件予以配置在一沿光管之中間位置。 10·如申請專利範圍第7、8或9項之裝置，另外其特徵為， 光管包含一破璃，石英或氟化鈣棒。 11·如申請專利範圍第7、8或9項之裝置，另外其特徵為， 孩可調整元件之主橫向軸線位於沿相對於光管之主橫向 軸線斜向移位之方向。 12.如申請專利範圍第項之裝置，其中該輻射系統另包 含一激元雷射源，並且其中該可調整元件可位於在源之 準直射束路徑。 13·如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中多極照明模式包 含一同軸極及至少一離軸極。 14· 一種裝置製造方法，包含下列步騾： 提供一基片，其至少部份被/層能量敏感材料所覆蓋； 提供一含一圖樣之掩模； 使用一輻射之射束，以將掩模圖樣之至少一部份投影至 能量敏感材料層之一目標區， 其特徵為，在投影前，使用一可調整軸錐鏡，可變變焦 元件及另外之可調整元件，自該輻射產生多極照明模 式，從而可連續改變多極照明 < 至少一空間參數。 15. 如申請專利範圍第1 4第項之方法，除了多極照明模式之 離轴極外，另包含產生一同神照明極。 16. —種如申請專利範圍第1 4或1 5項所製造之裝置。 P:\JTL\57803-9210141.DOC -2-