TW411504B - Cleaning method and cleaning solution for substrate - Google Patents

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Description

411504 ----H 87119766___年 3 日 铬,τ 五、發明說明⑴ '' ~ ' --- 發明背景： 本發明是有關於一種清潔表面具有金屬圖案層形成於 其上的基板的方法，且特別是有關於一種可將附著於表面 已經利用精密和高密度定義法形成一金屬圖案之基板上的 金屬污染物的清潔方法和清潔溶液。 習知技藝之描述： 最近幾年’元件的密度逐漸密集’表面形成有多重薄 膜之基底’例如可供電子元件形成於上的半導體基底，液 曰a基底、印刷基底以及具有磁性材料的基底可利用精密加 工法定義出多層狀的薄膜。 特別地是’半導體元件密集時，其閘極板將變得微小 因此低電阻的5夕化金屬材料（例如带化鶴或石夕化鈦）或 者金屬材料’例如鎢等，或在鎢或矽化鎢薄臈或矽化鈦薄 膜間具有氮化鈦或氮化鎢的三明治狀多層結構均可作為閘 電極的材料。 弟1圖顯示的是一薄膜電晶體的示意結構圖。在一閘 極氧化膜（Si〇2) 2形成於一矽基板1上後，接著再沉積一 士屬膜於閘極氧化臈2丨。然後，再利用乾蝕刻法精密地 疋義此金屬膜，以形成一閘電極3。然後，利用離子佈植 法再基板内形成一源極區4和一汲極區5。 步驟中，金屬污染物6例如鐵或鋁等是由乾蝕 ' °子佈植機所產生，其會附著於閘極氧化膜2表 面 气-5 4 W 膜2表面上的金屬污染物6 ，將會在
第4頁 2000. 07. 06. 004 411504 871197RR 年月日_ 五、發明說明（2) 後續的熱處理步驟中，經由閘極氧化膜2而擴散到矽基板 1内。此將在閘電極3下的通道區中極易產生漏電流，或 者降低源極區和汲極區間可允許的最大電壓，導致 可信度惡化。 因此’在乾餘刻位在閘極氧化膜2表面之金屬膜後和 離子佈植後，必須使用一種含酸的清潔液將金屬污染物6 由閘極氧化臈2表面去除。 一般而言，半導體製程中所用的基板為矽基板，而 SPM(硫酸-過氧化氫混合物）或者HpM(氫氯酸-過氧化氫—水 混合物）是主要用來清潔金屬污染物的清潔溶液。 液晶或印刷基板則罕以含酸的清潔液清潔，而是以有 機溶液清理，例如IP A (異丙醇）。 然而’習知用來清除金屬污染物的酸清潔液（spM， HPM)所面臨的問題是有可能會蝕刻構成閘電極3之材料。 特別地是，在構成低阻值閘極之金屬導線材料中’氮 化欽和嫣會輕易地被這些酸溶液蝕刻，故該些酸溶液無法 被用於清潔處理步驟。 … 如第2A圖所示’閘電極3是一個DRAM的閘電極，其是 由多層狀的膜所構成，例如複晶矽層7是形成於閘極氧= 膜2上，而金屬矽化物（矽化鈦）層8和氮化物（氮化鈦） 9則依序沉積於複晶矽層7上。假使spm或HPM清潔液被用 來去除乾蝕刻或離子佈植後所產生的金屬污染物，則氮化 物（氣化鈦）層之邊牆將會被蝕刻成如第⑽圖所示之結構， 故將無法保持多層狀的結構，且閘電極和導線也許也會被
第5頁 411504 修正 β號 87119766 五、發明說明（3) 去除。 此外，當M F (氟酸-水溶液έ ^ ^ ^ + ^ 戍系統-水混合物）有效地被‘ 當作清潔液用以清除金屬時，坊 „ Λ. 丄丄L .木μ , 0 & 石夕化金屬（矽化鈦）層9將會. 大大地被蝕刻，且閘極氧化層（备 & 士 .木m*知 增C氣化石夕）也會被姓刻，故 DHF無法被用來當作清潔液。 如前所述，隨著半導體亓彼^ ^ ώ L β > , 疋件之積集度增加，閘電極之 寬度也更精細，在利用習知的酴、、主〜w +t LJL I I β ^ t- '变凊潔液處理時被银刻掉的 材料罝將無法被忽略，因此必笮 _ _ , ^ , 〜乂頌發展—種可在不會蝕刻低 阻值金屬材料的情況下清略A M + 4 阻丈穷π ττ則明况C有除金屬污染物的清潔溶液。 發明概要： 本發明疋有鑒於習知清洗液的缺點而提出，且本發明 之目的是提供一種可將金屬污染物從基底表面去除而不會 在清潔過程中#刻任何金屬材料圖案之方法’以及此方法 中所使用的清洗液。 根據本發明，一種對鐵、鋁等金屬具有螯合功能的水 溶液’可被用來去除金屬污染物。特別地是，一種含有螯 合功能得羧酸可被當作清潔溶液，也就是說此清潔溶液可 由一種含可溶性叛酸，例如醋酸、甲酸、檸檬醆、草酸等 •，或者羧酸銨，或者含胺官能基的羧酸。此外’一種螯合 劑也可被加入此具有螯合功能的羧酸中，以促進其對金屬 的螯合功能。 根據本發明之清潔方法，其少驊包括利用此清潔溶液 將金屬污染物由基板表面清除掉。
第6頁 411504 — 者號 87119766 年 五、發明說明（4) 金屬圖案層的材料可由钬 或者含有矽、氮或氧之上述的 金屬污染物可在不蝕刻到金屬 例如，假使閘極氧化層形 成一閘電極於其上，螯合溶液 使其對金屬（例如鐵或鋁等）的 合物’故可將附著於閘極氧化 在此例中的金屬污染物通 地以金屬氧化物或者金屬原子 據本發明，吸附的金屬污染物 捕捉並且去除。 相反地，閘電極之金屬材 成’故此鍵結幾乎不可能被清 去除。因此，即使在利用本發 時’閘電極之部位幾乎不會被 月 a 修正 、鶴、 過渡金 圖案層 成於半 内的羧 螯合功 層上的 常都是 形式吸 可輕易 料是由 潔溶液 明之清 敍刻。 姑、鎳或组 屬化合物所 的情況下被 導體基板上 酸和胺官能 能，並與金 金屬污染物 化學性地或 附於氧化臈 地藉由螯合 等金屬， 構成，故 清除掉。 後’再形 基將會行 屬形成複 去除。 者物理性 表面。根 功能而被 強烈的金屬内鍵結形 的螯合功能切除或者 潔溶液進行清潔處理 圖式之簡單說明： 第1圖顯示的是一薄膜場效應電晶體。 第2A圖顯示的是另一閘極氧化膜表面形成有一多層狀 閘電極之薄膜場效應電晶體，在利用習知的清潔溶液處理 前的圖式； 第2B圖顯示的是利用習知的清潔溶液處理第2A圖所示 之薄膜場效應電晶體後的圖式； 第3圖顯示的是比較氮化鈦薄膜在使用SPJf、ηρμ和根
第7頁 411||4 87119766____车月 S 修正 五 '發明說明（5) 據本發明之實施例所揭示的清潔溶液中的蝕刻率； 第4圖顯示的是比較本發明之實施例所揭示的清潔溶 液、SPM和HPM去除鐵污染物的效果； 第5 A圖顯示的是一經過本發明之實施例所揭示的清潔 溶液處理前的閘氧化層表面形成有一多層狀閘極之薄膜場 效應電晶體；以及 第5 B圖顯示的是在第& a圖所示之薄膜場效應電晶體經 根據本發明之實施例所揭示的清潔溶液處理後的圖式。 較佳實施例的詳細說明： 為使本發明之優點和特徵更清楚可見，茲將於以下詳 細描述根據本發明之較佳實施例所揭示的清潔溶液以及利 用此清潔溶液的清潔方法。 本發明之發明人發現一種含有螯合劑添加於其中的草 酸水溶液（1%)(在此以1¾水性草酸表示），其適合用來去除 基板表面的金屬污染物，而不會將基板上的金屬圖案蝕刻 掉。 具體地說，下列螯合劑的其中之一可被添加到1 %草酸 水溶液内：胺基聚羧酸’例如乙二胺四乙酸（EDTA)或反式 -1,2 -二胺環己烷四乙酸（CyDTA); 酸，例如乙二胺四（ 甲酯KEDTPO)，乙二胺二（甲酯）（EDDPO)，氮三（曱 酯）（NTPO) ’以及1 -氫氧基亞己基_二 酸（HEDPO); 縮填酯’例如三碟酸和己偏磷酸；二酮，例如乙醯丙酮和 六氟乙酿丙酮；氨類’例如乙烯二氨以及三乙醇氨；以及
_411^^ 87119766 年月曰 修正 __ 五、發明說明（6) 鹵離子（氟離子、氣離子、漠離子、蛾離子）、氰離子、硫 氰酸離子、硫代硫酸離子和銨離子；以及其銨離子鹽。其 中’較佳的是使用 EDTA、CyDTA、EDTPO、EDDPO、NTPO 和 HEDPO 。 此清潔溶液可由具有螯合功能的草酸溶液構成。在此 實施例中，為了促進其螯合的功能，可在1 %的草酸溶液内 添加一種選自如上所述的螯合劑，且更特別的是可使用 RDTA作為螯合劑，並且在丨％草酸溶液内添加約3 〇〇ppm的 EDTA ’以製造清潔溶液（1%草酸水溶液）。 如第3圖所示，分別測量清潔溶液（1 %草酸水溶液）和 習知SPM和HPM清潔溶液對氮化鈦的蝕刻速率，其結果並且 顯示於第3圖。此氮化欽層是dram内的多層狀閘極内的一 次層。 如第3圖所顯示的結果，習知清潔製程所用的spM和 Η Ρ Μ β潔ί谷液對氮化欽膜之钱刻速率分別如標號3 1和3 〇 2 所示’為6nm/分鐘或者更高。 相反地’本發明所揭示之清潔溶液，其是由添加有一 種螯合劑的1 %草酸水溶液構成，如標號303所示，此清潔 水溶液對氮化鈦之蝕刻速率為〇. lnm/分鐘或者更低，顯示 此溶液幾乎不會造成氮化鈦膜被蝕刻。 接著，將檢查此清潔溶液（丨％草酸水溶液）和習知的 SPM和ΗPM清潔溶液去除鐵污染物的效果。 如第4圖所示，表面附著有金屬污染物（鐵污染物）的 石夕基底（碎晶圓）以上述的三種清潔液處理後，再測量處理
7119766 _η 曰 修正 五、發明說明（7) 後之基底表面的鐵濃度，其結果是顯示於第4圖。 請參照第4圖，清潔處理前鐵離子濃度為如標號4 〇 1 所示之5xl〇!2 atoms/cm2，而以含有螯合劑之1%草酸水 溶液處理後，將可使原來濃度5 X 10i2 atoms/cm2的鐵離子 被降低到濃度為1 a toms/cm2或者更低，如標號4〇2所示 。類似的效果也可在使用習知的SPΜ和HPM處理例子令看到 ，其結果分別如標號4 0 3和4 0 4所示。 根據如第3圖和第4圖所顯示的測量結果，便可清楚 地看出利用含有螯合劑之1%草酸水溶液所構成之清潔溶液 來處理基板，其不僅可將殘留於基板表面之金屬污染物 鐵污染物）去除，且不會蝕刻氮化鈦膜。 个 以下’蔣描述利用此含有螯合劑的1%草醆溶液之产 溶液來清理半導體基板之方法。 $ “ 請參照第5Α圖，碎基底1表面依序沉積有_厚度 5 nm的閘極氧化層2以及一閘電極3或者一厶思也2〜 ^ m喝圖案層。 特別地是，一厚度lOOnm的複晶矽層7、一 M由彳n 厚度10nm的氨 化鈦膜8以及一厚度20 0nm的矽化鈦骐是佑皮f上 〜取斤形成於閘極 膜，並且形成 乳化膜2上。然後，利用乾蝕刻法定義該些 一多層狀的閘電極3 。 如前所述’在乾姓刻多層狀膜後，鐵汚逃 崎染物6會碜@ 於閘極氧化膜2表面。 之策 乾蝕刻後’為了將閘極氧化膜表面的+遥^ J主屬ίτ染物去蜂 ，乃利用清潔溶液（1 %草酸水溶液）進行渣枣* w Ν β /系處理，為時5 分鐘。因為氮化鈦膜之侧邊被蝕刻的數量可 * J & 制在 〇, 5 n m
第10頁 411504 _案號 871197ig_年月 a ___ 五、發明說明（8) 或者更低’故在清潔處理後’閘電極3之形狀相較於處理 前幾乎沒有改變，如第5B圖所示。 相反地’假使利用習知的HPM清潔液來進行清潔處理 ，為時5分鐘’其對氮化鈦膜8之蝕刻速率將是快速的， 故將在氮化鈦膜8之侧面產生如第2B圖所示的側邊30ηπι之 姓刻’且此多層閘電極3的結構將無法保持。此外，有一 些例子之矽化鈦膜9也會被去除。 經過清潔處理後，殘留於閘極氧化膜2上的鐵污染物
的濃度將會由敍刻後的3 X 1 011 a toms/cm2而被降低到1 X 1 〇1() atoms/cm2或者更低’且此清潔的程度與利用習知清 潔液進行清潔處理所得到的結果相當。 根據如上所述之實施例，具有閘電極3形成於其表面 的半導體基底利用本發明之清潔液（1 %草酸溶液）清洗 時’可抑制閘電極材料被蝕刻。此外，閘電極3之形狀在 金屬污染物被清除後仍可被保持，故不會降低此元件之可 信度。 . 另外’金屬污染物可由整個半導體基板（矽晶圓）表面 f去除’故將可抑制在後續製作半導體元件之製程中產生 父又污染’並可製造出高可信度的元件。 六雖然在本發明上述的實施例中所使用的清潔液是草酸 水+液’其也可為一種水溶性的羧酸水溶液，例如醋酸、 甲，檸檬酸或其他類似物。另外，也可使用含有一種該 些幾酸之錢鹽或者含有胺官能基之羧酸的水溶液。 雖然’本發明之實施例是使用具有多層結構（在此為
—---案號8711Q7RR___年 月 日 修正 五、發明說明（9) ' '' 梦化欽/氮化鈦）的閘電極3作為有待清潔的閘電極然暴 露於基板表面的金屬並非僅限定用來作電極或導線。根據 本發明的清潔處理方法也可有效地用於清潔表面形成有— 金屬圖案層的基板。 、金屬層之材料可為一種過渡金屬，例如鈦、鎮、鈷、 鎳或钽或者一種含有矽、氮或氧的過渡金屬化合物。此 外，此金屬層之材料可為矽化鈦、氮化鈦、氧化鈦、氮化 鎢、氧化鎢、矽化鈷、氮化鈷、矽化鎳、氮化鎳、氧化鎳 夕化氮化麵或者氧化组。如上所述之任何一種村料 或化合物均可用來當作構成閘電極3之材料，故附著於基 板表面的金屬污染物可被本發明之清潔液去 刻閘電極。 f触 因此，將不會出現電晶體内具開關特性的閘電極被蝕 j的負面效應，且任何殘留閘極氧化膜表面的金屬污染物 :可被：除可防止電晶體之界面交接處產生漏電流。 =據本發明’制含有—種水溶性羧酸、幾酸錢或含 屬：ΠΐΪ液作為清潔液，便可使殘留於基板表面的金 β在不蝕刻形成於基板上的金屬層之情況下被清 14 7 符號說明 矽基板 源極區 複晶碎層 閘極氧化膜 2 :及極區 5 氮化鈦膜 8
閘電極 G 金屬污染物 6 石夕化欽膜 9
第12頁

Claims (1)

  1. 岧食gg 19766 六、申請專利範圍 1. 種清 其特徵 板清除 如申請 液是一種包含 方法， 物由基2. 3. 更包括4. 法，其 具有胺5. 羧酸是6 · 其中該 氧其中7. 屬是選8. 中該金 公 洗表面具有 是使用具有 之步驟。 專利範圍第 具有螯合功 如申請專利範圍第 一種螯合劑。 如申請專利範圍第 中該水溶液含有一 官能機的羧酸。 如申請專利範圍第 一種醋酸、甲酸、 如申請專利範圍第 金屬圖案層是由一
    金屬層圖案形成於其上之基板的 螯合功能的清洗溶液將金屬污染 1項所述之方法，其中該清洗溶 能之叛酸水溶液。 2項所述之方法，其中該水溶液 2項或第3項其中之一所述之方 種水溶性的羧酸、羧酸銨、以及 4項所述之方法，其中該水溶性 擰檬酸或草酸。 1〜3項其中之一所述之方法， 種過渡金屬以及一種含石夕或氣或 成。 6項所述之方法，其中該過渡金 和钽所構成之族群其中之一。 〜3項其中之一所述之方法，其 複數金屬次層的多層結構。 8項所述之方法，其中每一個金 一帶有矽、氮和氧其中之一的過 的 過渡金屬構 專利範圍第 鶴、結、錄 鏈範圍第1 層具有包含 9.如申請專利範圍第 屬次層均由一過渡金屬和 之 如申請 自敛' 如申請 屬圖案 渡金屬所構成。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該過渡 金屬是選自鈦、鎢、鈷、鎳和钽所構成之族群其中之一。
    I
    第13頁 岧食gg 19766 六、申請專利範圍 1. 種清 其特徵 板清除 如申請 液是一種包含 方法， 物由基2. 3. 更包括4. 法，其 具有胺5. 羧酸是6 · 其中該 氧其中7. 屬是選8. 中該金 公 洗表面具有 是使用具有 之步驟。 專利範圍第 具有螯合功 如申請專利範圍第 一種螯合劑。 如申請專利範圍第 中該水溶液含有一 官能機的羧酸。 如申請專利範圍第 一種醋酸、甲酸、 如申請專利範圍第 金屬圖案層是由一
    金屬層圖案形成於其上之基板的 螯合功能的清洗溶液將金屬污染 1項所述之方法，其中該清洗溶 能之叛酸水溶液。 2項所述之方法，其中該水溶液 2項或第3項其中之一所述之方 種水溶性的羧酸、羧酸銨、以及 4項所述之方法，其中該水溶性 擰檬酸或草酸。 1〜3項其中之一所述之方法， 種過渡金屬以及一種含石夕或氣或 成。 6項所述之方法，其中該過渡金 和钽所構成之族群其中之一。 〜3項其中之一所述之方法，其 複數金屬次層的多層結構。 8項所述之方法，其中每一個金 一帶有矽、氮和氧其中之一的過 的 過渡金屬構 專利範圍第 鶴、結、錄 鏈範圍第1 層具有包含 9.如申請專利範圍第 屬次層均由一過渡金屬和 之 如申請 自敛' 如申請 屬圖案 渡金屬所構成。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該過渡 金屬是選自鈦、鎢、鈷、鎳和钽所構成之族群其中之一。
    I
    第13頁 411504 __案號8_7119766 年月 日佟正 六、申請專利範園 11.如申請專利範圍第1〜3項其中之一所述之方 法’其中該金屬污染物去除之步驟是在利用乾蝕刻步騍定 義基底上之金屬層以形成金屬圖案層後進行。 12·如申請專利範圍第1〜3項其中之一所述之方法 ’其中該金屬污染物之去除步驟是在離子佈植步驟後進行 0 13. —種可用於清洗具有金屬圖案層形成於其上之基 板的清潔溶液，其特徵是包含_種具有螯合功能的水溶液 〇 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所述之清潔溶液’其中該 水 >谷液含有具螯合功能的叛酸。 1 5 .如申請專利範圍第丨4項所述之清潔溶液’其中$亥 水溶液更包括一種螯合劑。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項或第1 5項所述之清潔溶液 ’其中該水溶液包含有水溶性的羧酸、羧醆銨或真有胺官 能基的緩酸其_之一。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之清潔溶液，其中該 水溶性幾酸是醋酸、甲酸、檸檬酸成草酸其中之一。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3〜1 5頊其中之一所述之清潔 溶液，其中該金屬圖案層是由一種過渡金屬以及一·種含石夕 或氮或氧其中之一的過渡金屬。 1 9.如申請專利範圍第1 3〜1 5頊其中之一所述之清潔 溶液，其中其中該金屬圖案層具有包含複數金屬次層的多 層結構。
    第14頁 411504
    第15頁
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100695047B1 (ko) * 1999-06-23 2007-03-14 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP3515041B2 (ja) * 2000-03-13 2004-04-05 沖電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
WO2002007200A1 (fr) * 2000-07-14 2002-01-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compositions de gravure
KR100366623B1 (ko) * 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
JP4661005B2 (ja) * 2000-09-05 2011-03-30 和光純薬工業株式会社 Ｔｉ系膜用エッチング剤及びエッチング方法
JP4754080B2 (ja) * 2001-03-14 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置
US6867148B2 (en) * 2001-05-16 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Removal of organic material in integrated circuit fabrication using ozonated organic acid solutions
TWI260735B (en) * 2002-01-18 2006-08-21 Nanya Technology Corp Method preventing short circuit between tungsten metal wires
AU2003225178A1 (en) * 2002-04-24 2003-11-10 Ekc Technology, Inc. Oxalic acid as a cleaning product for aluminium, copper and dielectric surfaces
JP2004101849A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 洗浄剤組成物
US8316866B2 (en) 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US7737097B2 (en) 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US8522801B2 (en) 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US7799141B2 (en) 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7568490B2 (en) 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8522799B2 (en) 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7862662B2 (en) 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US7416370B2 (en) 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
JP4390616B2 (ja) 2004-04-27 2009-12-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄液及び半導体装置の製造方法
KR100626382B1 (ko) * 2004-08-03 2006-09-20 삼성전자주식회사 식각 용액 및 이를 이용한 자기 기억 소자의 형성 방법
CN1900363B (zh) * 2005-07-21 2016-01-13 安集微电子（上海）有限公司 清洗液及其用途
SG154438A1 (en) * 2005-12-30 2009-08-28 Lam Res Corp Cleaning compound and method and system for using the cleaning compound
KR100875156B1 (ko) * 2006-12-29 2008-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US7897213B2 (en) 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
US8226775B2 (en) 2007-12-14 2012-07-24 Lam Research Corporation Methods for particle removal by single-phase and two-phase media
US20150104952A1 (en) 2013-10-11 2015-04-16 Ekc Technology, Inc. Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-k dielectric material and copper
RU2647841C2 (ru) * 2016-08-11 2018-03-21 Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва (ПАО "РКК "Энергия") Электролизёр воды и способ его эксплуатации
CN108022827B (zh) * 2016-11-02 2020-05-05 株洲中车时代电气股份有限公司 一种碳化硅金属污染处理方法
EP4098771A4 (en) 2020-01-30 2023-06-14 Resonac Corporation METAL COMPOUND REMOVAL PROCESS

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JP3435698B2 (ja) * 1992-03-11 2003-08-11 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板の洗浄液
JPH0737846A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Texas Instr Japan Ltd レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
DE19525521B4 (de) * 1994-07-15 2007-04-26 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Verfahren zum Reinigen von Substraten
EP0789071B1 (en) * 1995-07-27 2006-10-11 Mitsubishi Chemical Corporation Method for treating surface of substrate and surface treatment composition therefor
JPH09157692A (ja) * 1995-10-04 1997-06-17 Mitsubishi Chem Corp 表面処理組成物及び基体表面処理方法
KR100360394B1 (ko) * 1995-12-20 2003-01-24 삼성전자 주식회사 반도체기판의세정방법및이에사용되는세정액
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
JPH09246222A (ja) * 1996-03-07 1997-09-19 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の洗浄剤および半導体装置の製造方法
US5858813A (en) * 1996-05-10 1999-01-12 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films
TW416987B (en) * 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness

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Publication number Publication date
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US6319801B1 (en) 2001-11-20

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