TW410381B - Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system - Google Patents

Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system Download PDF

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Description

Λ7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ——--^ 10 ^ 1 五、發明說明（） 發明領涵.： 本發明係關於半導體晶圓製造系統，特別是關於降低 微粒污染物’使其不再黏著甚或擴散進入在設備處理中的 半導體基材内之設備及方法。 發翅背景： 在積體電路的製造領域裡，在將薄膜沉積於半導體基 材（即矽晶圓）之上時，化學氣相沉積法（CVD)是一個發展 良好的技術。一般說來，先將晶圓導入製程反應室，並將 晶圓加熱到想要的溫度，以便於初始化此製程步驟。更進 一步說來’晶圓是被放置在一加熱座臺上，而加熱座臺包 含了數個連接到電源的電極，一旦啟動電源，電流就會流 經電極’進而對該座臺加熱，晶圓亦因此而被加熱。 惰性載氣和參與反應的氣體共同被導入反應室，而晶 圓上增高的溫度可以讓反應氣體在晶圓表面上分解，因而 在晶圓表面上沉積想要的薄膜。例如銅可利用一種具有分 子式為Cu(hfac)L的前導（反應物）Cupraselect來達成化學 氣相沉積a L代表包含有三甲基乙烯矽烷（tm V S)的一種液 相化合物，（hfac)代表六氟乙醯丙酮（hexaflu〇r〇 acetylacetonato)，Cu代表銅。在鋼的CVD製稈裡’此前 導反應物被氣化後和惰性載氣（如氬）一起流'進晶圓所在 的沉積反應室。在此反應室中’前導反應授；在晶圓表面上 注入熱能量，下面的反應於是產生.：. 2Cu(hfac)L — Cu + Cu(hfac)2 + 2L (方程式 l) 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 x 297公釐） F1^·": I n I * tl I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線· U7 _41QHR% 五、發明說明（） 所產生的銅便沉積在晶圓的上.表.面處’並有副產物 Cu(hfac)2伴隨產生，這種氣態Lewis的副產物（2L)會從反 應室裡被清洗出來。為了讓該反應繼續發生，必須要維持 住反應室及晶圓表面的溫度’所以晶圓總是隨時直接地和 加熱座臺接觸在一起。 但晶圓和加熱座臺的隨時接觸卻會帶來負面的影 響。例如在高溫時’加熱座臺（通常是鋁材質）相對於發晶 圓的背部有一高係數的磨擦力’一旦在晶圓移動時（例如 晶圓由一反應室移動至另一反應室），晶圓的背部將會被 刮損。化學氣相沉積發生在此高溫下，這種刮損會使得銘 從加熱座臺上跑出來，然後擴散進入矽晶圓裡，不受歡迎 的污染微粒便因此跑進矽晶圓裡。其所造成的問題如：具 導電性微粒會讓半導體元件（即晶圓表面的閘極結構）短 路。而同樣地，非導電性微粒會增加導電層的阻抗，進而 使元件的性能變差。 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其它的狀泥也▲會影響到晶圓製程，如惰性及反應氣體 在製造過程中也會流至製程反應室的下層區域，如果這種 狀況發生’沉積物質就會如不速之客般形成在加熱晶座及 晶圓的背部之上。如此晶圓就會如反應室内之零件一樣進 一步受到污染'一旦受到污染，該晶圓會將污舉彳鼓粒帶進 其它的反應室，且（或）進入CVD反應室的乾淨'晶圓也會因 不恰當鍍膜之反應室零件的影響而遭受.污泰。此外，如果 晶圓不被置於加熱座臺的正中央，那麼固繞晶圓周圍部份 的邊緣非元件區會改變其位置’上述之^緣非元件區是指 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 410381 Λ7 Β7 ，五、發明說明（） 在晶圓周圍而不經半導體晶'圓製造過程的部份，這邊緣非 元件區的變化會降低產出良率。 所以，在製造過程中亟需有CVD薄膜沉積的設備及 方法，使其在沉積製程之前能夠重覆地將基材對位（軸對 位）於中央，同時能避免晶圓的背面括損、及污染微粒造 成的擴散。 發明目的及概述： 以往基材處理系統的缺點在本發明提出降低基材污 染的方法與設備之後已可得到改進。此設備具有一個基材 支撐器’包圍基材支撐器的氣體導引屏蔽，及一垂直置於 基材支撐器和氣體導引屏蔽之上的遮蔭環，此環被用來維 持基材的位置。基材支撐器具有兩組進出埠，以供邊緣清 洗及背部清洗氣流用。氣體導引屏蔽和基材支撐器界定了 一環狀通道的範圍’此通道正是提供邊緣清洗氣流通的一 組進出埠的所在位:置。邊緣清洗氣流可對置於基材支撐器 上的基材邊緣施加力量’使其可向上舉起離開基材支撐器 並靠住遮蔭環。遮蔭環的上表面具有—幅射狀往内延伸之 内部唇，另還有複數個對中調整片置於此唇之下方，此對 中調整片的功能是讓基材能經由基材支撐器岑裨蔭環而 進行軸對位的動作。遮蔭環並包括複數個導管'，此導管自 遮蔭環的上表面延伸至其邊侧牆，邊緣清^氣流就利用此 導管提供之路徑來驅走在基材背部及基&材邊緣附近的製 程氣流。 二· ; 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4.規格（2】〇 χ 297公楚了 --------I ----I - ---------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 410381 Λ 7 Β7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 ，五、發明說明（） ‘ 本發明中亦揭露了在基，材製埠系統裡降低基材污染 的方法》此方法包括以下的步驟：將基材安置於基材支撐 器之上；使第一氣流流經第一組進出埠，讓基材得以向上 舉起離開基材支撐器，並將基材置於基材祇撐器的中央； 及使第二氣流流經第二組進出埠，以建立及維持其對基材 的熱控制。其中第一氣流是邊緣清洗氣流，它流經由基材 支撐器所包圍之氣體導引屏蔽所界定的環狀通道内，以對 基材施加力量，使其能夠靠住置於遮蔭環内部唇下方的複 數個對中調整片。弟一氣流則是指熱轉移氣滅，它流經基 材支撐器的第二組進出埠，以在基材支撐器及基材背部之 間轉移熱能量。 利用本發明所述之設備及方法，諸如半導體晶圓之類 基材的處理得以進行，而不無謂地刮損基材背部或污染基 材表面。利用環狀通道氣流將基材自基材支撐器上方舉 起，可以降低因基材和基材支撐器不同的熱膨脹率所產生 刮損的可能性。i^外，以此方法導入的環狀通道氣流能夠 控制0曰圓上的邊緣非元件區，並進而降低反應室零件上不 品要的/几積。第二氣流直接流至基材背部不僅驅走了基材 考部的反應物氣流，進而降低接觸及沉積在晶圓背部的污 染物量，另本身還是一重要的熱轉移介質，可將晶圓背部 加熱至適當的製程溫度。 '、； 圖簡覃說明：_ 在參考下列的詳細描述及所，的圖f片之後，本發明所 (猜先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) {y -裝 訂· .線· 410381 B7 ----—.飞广— ~ ―― 五、發明說明（） 1 闡述的意旨可以輕易地被了解，其中： 第1圖為描述包含本發明的基材處理系統的切面圖。 第2圖為描述本處理系統沿第1圖之線2-2的俯·瞰圖。 第3圖為描述本發明中的一基材定位及中心對位之中介 級結構圖。 第4圖為描述本發明中的一基材定位之操作級結構圖。 第5圖為描述本發明中降低微粒污染物的一個方法。 為便於讀者的了解，在可能的地方，文章中以相同的 參考數字代表在圖片中具相同數字的元件。- 圖號對照銳明’： ί請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 80 化學氣相沉積系統 82 突出狹長部份 84 環狀板 88 液態或氣態物質源 90 製程反應室 94 頂部 96 底板 98 蓮蓬頭（分佈板） 100 本發明設備 102 基材支撐器 103 ·. 生熱阻抗線圈 104 導氣屏蔽 108 遮蔭環 112 對中調整片 1 1 6 晶圓 132 内側面 136 進出辞· 138 凸緣部份 發明詳細說明： , - 〇 第1圖描述本發明設備之切面圖’就特定的設備1 〇〇 來說，此設備是在CVD沉積系統-80裡射穎的基材支撐器 第9頁 本紙張尺度適用中國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 410381 Λ7 B7 五、發明說明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 1 02及遮蔭％ 1 08。一個可為、本發明主題的特定CVD浣積 系統為EndUr，之成套工具，該工具由加州聖塔科拉羅應 用材科公司所產銷。一般說來，在這樣一個系統8〇裡， 製程反應室90由邊牆92、頂部94、及底板96界定其範 圍。反應A 90包括有一個分佈板（distributi〇n piate)或蓮 蓬頭98，蓮蓬頭98經由複數個閥門86連接到一個或數 個液態或氣態物質源88，此液態或氣態物質源88提供了 所需位準的載氣及反應物至蓮蓬頭98，以便將其傳播至 反應室90。本系統80也可在液態或氣態物質·源88及蓮 蓬頭98間放置一電腦致動之分佈板（未顯示），以輔助進 入蓮蓬頭98的載氣及反應物之混合及其分佈。此外，— 環狀板84包圍住反應室牆92，且讓遮蔭環ι〇8置於一突 出狹長部份82之上。 在CVD反應室90裡，基材支撐器支撐住基材（即矽 晶圓）116。基材支撐器1〇2由耐用的金屬材料（如鋁或氮 化紹之陶瓷）製成，基材支撐器1〇2包含第一組進出埠136 及第一组進出埠1〇6，以下將有詳細的介紹β基材支擇器 102也可以當作一個加熱器，且也可包含其它零件來對晶 圓116加熱。例如，基材支撐器i 02可以具有—個或數個 被連接至電源（未顯示）的生熱阻抗線圈1〇3，電源在線圏 103上產生電流，因之又在基材支撐器102上盖^生熱，基 材支撐器1 02又會將熱傳導至晶圓丨〗6，零特定地說來， 將加熱座臺Η 8的表面和晶圓的背面相接觸，以便做好適 當得宜的熱傳導。 ， f ' 第10货 (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 裝 •lSTI. --線 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^10381 彡、發明說明（） ^ 導氣屏蔽104包圍住基幹支撐器102，且界定了在導 氣屏蔽104及墓材支撐器間的一個窄環狀通道124。此通 道1立4即為基材支搏器上第一组進出埠136所在的位置。 導氣屏蔽1 04依圖例所述為具有一平滑内側面〗3 2的圓柱 狀物，且最好焊接至基材支撐器丨02的凸緣部份丨3 8。遮 蔭環108包圍住基材支撐器ι〇2及導氣屏蔽1〇4,此遮陰 環108阻止製程氣流（載氣及反應物）流進反應室9〇在遮 蔭環1 0 8下方的部份’更能防止其沉積在該部份。 晶圓U 6的邊緣122被懸在基材支撐器r〇2上，遮陰 環108上表面的内侧唇no幅射狀地向内延伸以將晶 圓1 16的邊綠丨22懸於其上。此外’複數個對中調整片 1 1 2置於遮蔭環丨〇 8之.内侧唇丨丨〇的下部。在本發明較佳 的實施例中’十二個對中調整片以等邊形分開圍繞置於遮 蔭環108。遮蔭環1〇8還具有複數個導管ι28，這些導管 自上表面126延伸經過遮蔭環1〇8至下表面13〇。 第2圖為本發明設備沿著第丨圖中線2_2表的俯瞰 圖’進一步說來，_遮蔭環108包園並位於晶圓116之上 在本發明較佳的實施例中，在遮蔭環1〇8中提供了 4〇個 進出埠128，以疏通自遮蔭環1〇8下方的反應室9〇部份 流過來的氣體’以下將有更完整的介紹。 第3圖描述本發明晶圓定位的中介級結構、菌。在實際 操作中’晶圓1 1 6被導入反應室90中，#放置於基村支 撐器102之上，基材支撐器i 02往遮蔭環1〇8方向提高其 位置。一邊緣清洗氣體3〇4提供自第—奴進出埠1S0並流 第11頁 本.½尺度適財國@家標準（CNS)A4規格⑵Q x 297公楚一) ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 137 410381 ，五、發明說明（ 進通道124。邊緣清洗氣體304迫使晶圓11 6離開加熱座 臺的表面118。若晶圓116因此離開其中心位置，其邊緣 1 22 _份將會碰觸到遮蔭環1 〇8之侧邊牆302。基材支撐 器1 02及遮蔭環1 〇8對中心軸1 34(如第1圖）對位，此中 心軸相對於反應室9 0的中心，這些零件在水平方向並不 會移動。所以當基材支撐器102垂直地往上移至遮蔭環 1 時，晶圓1 1 6便微微地懸浮在基村支撐器1 02之上* 並使其對基材支撐器1 02及遮蔭環1 08做對位動作。換句 話說’當晶圓1 1 6繼續地因基材支撐器1 02及-邊緣清洗氣 流3 0 4而往上移動時，它同時也因和遮蔭r環1 〇 8之側邊牆 302的接觸而在水平向移動。最後當晶圓丨丨6接觸到對中 調整片Π 2時，晶圓將被移置於其中心位置，此時晶圓仍 保留了其和基材支撐器102及遮蔭環丨08的軸對位。 第4圖圖例說明本發明中晶圓對位之操作級的設計。 進一步說來’一旦基材116完成對基材支撐器1〇2及遮蔭 環1 0 8的轴對位工作，它在垂直方向就維持固.定。邊緣清 洗氣流304因此而分作兩路徑。第一路徑410通過導.管 128’並沿著遮陰環log的上表面126往外輕射的方向流 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 去。第二路徑4 1 2則在晶圓1 1 6的邊緣1 2 2附近，即在對 中調整片1 1 2及晶圓1 1 6上方之間。有了邊緣清洗氣流 3〇4,410，及412的存在，CVD反應在某些重’姜·’地方就可 以被避免或降低，這些地方包括遮蔭環/ ；! 〇 8的上表面 126’及晶圓Π6的邊緣非元件區414。進一步說來，邊 緣非元件區41 4定義作基材表面不經製f程處理的區域，‘ 第12頁
41 ο 3 8 1 Λ7 ----_Β7_______ 五、發明說明（） 1 , 區域會隨邊緣清洗氣流4 1 2而改變。.也就是說，當一個小 氣流412存在時，有更多的反應物會接觸晶圓並反應生成 ! , >儿積物於其表面，邊緣非元件區因此而變小了。當氣流 412增加時’邊緣清洗氣流和鄰近反應物的碰撞也因此增 多 這造成了「氣流罩幕（flowcurtain)效應」’也因此較 少的沈積發生在邊緣處，邊緣非元件區也於是變大了。此 邊緣清洗氣流選擇自一组氣流，該组氣流包含惰性氣體 (如氣）、氫、及氮，且在較佳的實施例中選出的為氩。最 後’這些氣體經由支撐在反應室90之上的氣壓控制元件 (即竭輪幫浦，冷凍幫浦等等，未顯示）移開反應室之外。 第二氣流404流經進出埠1 06，此氣體用來清洗基材 背部及負貴基材支撙器1〇2和基材1〇6之間的熱轉移，且 能使基材垂向緊靠住遮蔭環1〇8。進一步說來，背部清洗 氣流404也對基材施加力量使其離開座臺表面118而緊靠 住對中調整片112。於是造成一個間.隙406，此間隙充滿 了背部清洗氣流404，此氣.流自基材支撐器102挾帶熱氣 .； 至晶圓背部《熱轉移的發生多數是經由氣流404的對流而 非傳導》404流過路徑410及412之一或兩者，最後如上 述之方法抽離反應宣。 背部清洗氣流404及基材支撐器1 〇2和晶圓1 1 6之間 的間隙406降低了晶圓1 20背部刮損及導體#屬（即基材 % 支撐器裡的鋁或錯誤直接沉積的銅）擴散遂·入基材的可能 性。背部清洗氣流4〇4選擇自一組..氣..流，該組氣流包食惰- i ' 性氣體（如氬）、氫、及氮，且在較.佳,的會施例中選出的為
第13X 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -----!.、---------裝 i I (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 應 --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^10381 a, -----—______B7 _______ .五、發明說明（） ^ 氣和氮的混合物》如此一來厂因為反應物氣體並不能輕易 流進間隙406，晶圓1 200背部的沉積就可進一步降低。 既然晶圓116不再和基材支撐器1〇2相接觸，基材的 溫度便可下降。但是背部清洗氣流404會轉移適當量的熱 氣到晶圓120的背部，使得沉積溫度在晶圓〗16上仍然得 以維持。例如在一般的CVD製程裡，基材支撐器102 .的 溫度可被維持在約2 〇 5 -2 1 0°C，而在這些條件下，基材維 持在大約1 96 °C。 此外’ 一個降低半導體晶圓上微粒污染的-新穎方法也 於本發明中揭露。第5圖圖例說明本發明方法5 〇 〇的流程 圖’此方法起始於步驟5〇2。步驟504中，晶圓被置於CVD 製程反應室内的晶座之上，如基材支撐器等等。此晶座最 少具有兩組進出埠’以供遠端的氣體源流進晶座的表面。 其中第一组進出埠即位於由包圍晶座之氣體導引屏蔽構 成的環狀通道處’此通道在晶圓邊緣處提供邊緣清洗氣 流’以將晶圓提高離開晶座，並清洗晶圓邊緣及其它反應 - 物相關的反應宣零件。第二組進出埠亦位於基材支撐.器 内’它提供氣體到晶圓背部，用來清洗晶圓背部的微粒與 反應物’並可在晶座和晶圓之間轉移熱能量。 步騾506中，第一氣流（即邊緣清洗氣體）流經第一組 進出埠及環狀通道’用來將晶圓提高並離開晶―羞表面。 步驟5 0 8中進行中心對位，晶座及浮真於其上之晶圓 被往遮蔭環的方向向上舉起，遮蔭環及晶座具軸向的對 位。如果晶圓在軸向沒能和遮塔環..及晶‘座對準位，此時可 第14頁 本紙張又度通用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） ^r:hn 一 产 _ 一' >11 I I-----------I--裝· —----- 訂---------綠 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印？衣 A7 ' ---~~~·一.即 _ ，五、發明說明（） t 以因為卵座的垂直往上移動、而自動對位。進一步來說，當 未對準位的时齒接觸到冑落環的邊♦時，晶_ * t水平〇 動而和遮陰環及晶座對位。邊緣清洗氣流讓晶圓靠住遮隆 ‘衰内部唇下侧的的對中調整片。如此一來，晶圓的水平及 旋轉移動就可以避免，而其軸對位仍然可以維持。此邊緣 清;先氣流在通過晶圓邊緣後被分作兩個路徑。第一個路徑 是經過遮騰環的複數個進出崞，以降低反應物在基材背部 及遮蔭上表面發生反應的可能性；第二個路徑在對中調 整片及晶圓上方之間，它可如以上所述之方法··來控制邊緣 非元件區的大小°這種往上舉起基材的氣體可以是下面之 任何一種氣體：氬，氫及氮’最好是用氬。 在步驟510中’第二氣流（背部清洗氣流）流經第二組 c出淳’ &將熱能量（熱氣）經由晶座對流至晶圓的背部， 用來建立並維持晶圓在適合CVD反應的溫度（即約2〇〇_ 60 0 C)。此第二氣流同時也大大降低金屬擴散進入晶圓背 部的可能性’也就是說晶圓不會因晶圓和晶座間熱膨脹產 生的磨擦而被刮損。步驟508及510可以如上述之次序.發 生、逆向次序發生、或同時發生。此熱轉移氣體可以是以 下的任何氣體：氬、氳及氮，最好是用氬。本方法結束於 步騾5 12。 所以本文階露了 一個用在半導體晶圓CV& :製程的方 法及設備，此設備能夠進行如晶座上之半，體晶圓的軸對 位（中心對位），甚且利用對進出埠在晶座及晶座上方之遮 陰環内策略性的設計其位置所在、，基材氣下的氣流就可以 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2J0 X 297公釐） Γ 一 - I ! 1--I-------裝·!---1 I 訂·----- I I I (請先閲讀背面之生意事項再填寫本頁)
Λ7 410381 五、發明說明（） . 被控制用來改進製程條件。由.晶座及附近的氣體導引展蔽 所界定的一通道可供氣體流經基材的邊緣，並在製造過程 中垂直地維持基材的位置.。位於晶座内的_組進出埠可以 讓氣體流過基材的背部，以便利用對流方式對基材進行熱 調節。這些進出埠同時也避免製程氣體沉積一些不必要的 微粒在基材的背部。如此-來，因刮傷所等致的晶座材料 擴散之污染物、不必要的沉積等等都大大地被降低了。 雖然能闡明本發明意旨的各個實施例已在本文中有 詳細的描述，但是熟悉該項技術者仍然可以輕―易設計出許 多其它能涵概本文意旨的不同實施例。 ______-------4i (請先閲讀背面+/沍意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財産局員工消費合作社印製 頁 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 410381 8 8 8 8 ABC0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 r - Ϊ 1 . 一赛在一基材處理系統中減少一基材之污染物的設 備，該設備至#包.含： 一基材A撐器； 一氣引屏蔽，該屏蔽界定該基材支撐器之範 圍；及 一遮蔭環，該環被垂直置放於該基材支撐器及該氣 體導引屏蔽之上方。 2 .如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之該基材 支撐器更至少包含第一組進出埠，該進出埠用以提供邊 緣清洗氣流。 3. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中上述之基材支 撐器更至少包含第二组進出埠，該進出埠用以提供背部 清洗氣流。 4. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中上述之氣體導 引屏蔽及基材支撐器界定一環狀通道之範圍。 5 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中上述之環狀通 道即是該基材支撐器中該第一组進出埠所在的位置。 6 _如申請專利範圍第項所述之設備，其中上述之遮蔭環 更至少包含一上表面，該表面具有一内部唇，該内部唇 第17頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝_ I 訂 線 ρ C8 D8 一. — ~~ '申請專利範圍 卷射狀地往内延伸、.- 7·如申請專利，圍第6項所述之設備，其中上述之複數個 對中調整片、放置於該遮蔭環之該内部唇之下方。 8 如申請專利範圍第7項所述之設備’其中上述之對中調 整片數目是12個。 9‘如申請爹利範圍第6項所述之設備，其中以上所述之遮 蔭環更至少包含複數個導管’該導管自該遮蔭環的該上 表面延伸至邊側牆。 1 〇如申請專利範圍第9項所述之設備，以上所述之複數 個導管之數目是40個。 11.—種在一 i材處理系統中減少一基材之污染物的方 法’該基材處理系統至少包含一反應室；一基材支輝 器，該夫撐器在反應室裡具有第一组進出埠及第二組進 出峰’一氣體導引展蔽.，該屏蔽包園及界定環狀通道的 範圍’及一遮陰環’該環垂直地放置於基材支撐器及氣 體導引屏蔽之上，用以維持基材之位置，該方法至少包 含以下之步驟： (a) 將基材置於該.基材支撑器之上； — (b) 加一第一氣流，以提高該基材離開該基材支撐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 線 經濟部知曰慧財產局員工消費合作祍印製 ^l〇8Qt 8 8 8 8 ABCD 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 f - ' 器；' 及 ？— (C)加一第，氣涑，以維持對該基材的熱控制。 \ 12. 如申請專利範圍第u項所述之方法，該方法在步騾㈨ 之後，在步驟（〇之前，更至少包含將該基材對位於該基 材支撐器中央之步驟。 13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中前述之將該 基材對位於該基材支撐器中央之步驟更至少包含舉起 該基材非緊該遮蔭環，藉此將未定向的該基材接觸該遮 蔭環的邊牆，並且水平地位移，以便對該基材支撐器和 該遮蔭環進行軸向對位。 1 4.如申睛專利範圍.第1 2項所述之方法，其中前述之第一 氣流是流經該第一组進出埠及該環狀通道的邊緣清洗 就體’在通過該基材之邊緣後分成兩個路徑。 15.如申請專利範園第14項所述之方法，其中前述之第一 _ 路徑經過該遮蔭環中的複數個進出埠，用以降低在該遮 蔭環上表面的沉積。 1 6.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中前述之第二 路徑位於該遮蔭環及該基材之間，用以控制該基材上邊 緣非元件區的大小。 ΐ 笕19頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. JV.J -訂 線 ^10381 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 _ I - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 3:7-.如申請專利範圍第1.1 -項所述之方法，其中前述之第二 氣流是流經該鼻材，支撐器的該第二組進出埠的背部清 洗氣體，用以Λ移該基.材支撐器及基材背部的熱能量， 及降低污:槩物接觸該基材的該背部。 1 8.如申請專利範園第1 1項所述之方法，其中前述之該第 一氣流氣體係選擇自包含氬、氫及氮的氣體群。 1 9 ·如申請-專利範圍第1 1項所述之方法，其中前述之該第 二氣流氣體係選擇自包含氬、氫及氮的氣體群。 3ίί2〇ΊΨ
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