KR20010071015A - 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소 방법 및 장치 - Google Patents

기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010071015A
KR20010071015A KR1020017000977A KR20017000977A KR20010071015A KR 20010071015 A KR20010071015 A KR 20010071015A KR 1020017000977 A KR1020017000977 A KR 1020017000977A KR 20017000977 A KR20017000977 A KR 20017000977A KR 20010071015 A KR20010071015 A KR 20010071015A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
substrate support
shadow ring
wafer
Prior art date
Application number
KR1020017000977A
Other languages
English (en)
Inventor
진 셍 구
신-헝 리
로렌스 레이
Original Assignee
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 조셉 제이. 스위니
Publication of KR20010071015A publication Critical patent/KR20010071015A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 장치는 기판 지지체와, 기판 지지체를 에워싸고 있는 가스 안내 시일드와, 기판을 유지하기 위해서 기판 지지체아 가스 안내 시일드 위에 수직으로 배치된 새도우 링을 가진다. 가스 안내 시일드와 기판 지지체는 에지 정화 가스를 제공되어 있는 환형 채널을 형성한다. 에지 정화 가스는 기판 지지체로부터 그리고 새도우 링에 대항해서 기판을 상승시키는 기판 지지체상에 놓여있는 기판의 에지에 힘을 부과한다. 새도우 링은 또한 새도우 링의 상부면으로부터 측면까지 연장하는 다수의 도관을 가지므로, 배면 아래와 기판의 에지 둘레로 프로세스 가스를 배기하고 차단하기 위해서 에지 정화 가스용 통로를 제공한다. 본 방법은 기판을 기판 지지체에 제공하는 단계와, 가스의 제 1흐름을 제 1세트의 포트에 제공하여 상기 기판을 상기 기판 지지체로부터 상승시키는 단계와, 기판 지지체에 기판을 중심맞춤시키는 단계와, 가스의 제 2흐름을 제 2세트의 포트에 제공하여 기판의 열 제어를 확립해서 유지하는 단계를 포함한다.

Description

기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소 방법 및 장치 {METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING CONTAMINATION OF A SUBSTRATE IN A SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
집적회로 제조와 제작의 분야에서는, 화학 기상 증착(CVD)이 반도체 기판(즉, 실리콘 웨이퍼)상에 박막을 증착하기 위해 잘 확립된 기술이다. 전형적으로, 웨이퍼를 프로세스 챔버로 도입하고 웨이퍼를 소망 온도로 가열하여 증착 프로세스를 시작한다. 특히, 웨이퍼는 페데스탈 가열기상에 놓여진다. 페데스탈 가열기는 전원에 연결된 하나 이상의 전극을 포함한다. 전원이 작동하면, 전류는 전극을 통과함으로써 페데스탈을 가열하고 계속해서 웨이퍼를 가열한다.
불활성 캐리어와 반응가스의 조합물은 챔버로 도입된다. 상승된 웨이퍼 온도는 반응가스가 웨이퍼 표면을 타격하여 웨이퍼 표면상에 소망의 필름을 증착한다. 예를 들어, 구리의 화학 기상 증착은 화학식(Cu(hfac)L)을 가진 Cupraselect로서 알려진 선구물질(반응제)에 의해 달성된다. 여기서 L은 트리메틸비닐시란(TMVS)을함유하는 액체 베이스 화합물을 나타낸다. (hfac)는 헥사플루오르아세틸아세토나토를 나타내고, Cu는 구리를 나타낸다. 구리의 CVD 동안, 선구물질은 기화되고 아르곤과 같은 캐리어 가스와 함께 웨이퍼를 포함하는 증착 챔버로 흐른다. 챔버내에서, 선구물질은 웨이퍼의 표면에서의 열에너지를 불어넣게 되어, 다음 반응을 가져온다.
2 Cu(hfac)L → Cu + Cu(hfac)2+2L 식 1
이러한 구리(Cu)는 Cu(hfac)2부산물과 함께 웨이퍼의 상부 표면상에 증착한다. 가스성 Lewis 베이스 부산물(2L)은 챔버로부터 정화된다. 소망의 화학 반응을 유지하기 위해서, 챔버내와 웨이퍼 표면에서의 소망의 온도는 유지되어야 한다. 따라서, 웨이퍼는 통상적으로 항상 페데스탈 가열기와 직접 접촉해 있다.
웨이퍼가 항상 페데스탈 가열기와 접촉함에 있어서, 웨이퍼 프로세싱은 나쁜 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 고온에서, 페데스탈 가열기는 실리콘 웨이퍼의 배면에 대한 높은 마찰 계수를 가진다. 웨이퍼가 페데스탈 가열기상에서 이동하면, 예를 들어, 챔버로의 전달 동안, 웨이퍼의 배면은 스크레치될 수 있다. 화학 기상 증착이 일어나는 상승된 온도에서, 스크레칭은 페데스탈 가열기 표면으로부터 알루미늄을 방출하고 그리고 나서 웨이퍼의 실리콘으로 확산한다. 따라서, 예상치 못한 오염물 입자는 실리콘 웨이퍼로 도입된다. 예를 들어, 도전성 입자는 반도체 장치, 즉 웨이퍼 표면상에 발생된 게이트 구조물을 단락시킬 수 있다. 유사하게, 비도전성 입자는 도전층의 저항성을 증가시킴으로써 장치의 성능을 약화시킨다.
또한, 다른 조건도 웨이퍼 프로세싱 영향을 줄 수 있다. 불활성 및 반응성 가스는 또한 제조 프로세스 동안 프로세스 챔버의 하부 영역으로 누설될 수 있다. 이런 조건이 일어나면, 증착 입자는 바람직하지 않게 페데스탈 가열기 또는 웨이퍼의 배면상에 형성한다. 이를테면, 웨이퍼 뿐만 아니라 챔버 성분은 더 오염된다. 한번 오염되면, 웨이퍼는 오염입자를 다른 챔버로 전달할 수 있고, 또는 CVD 챔버로 들어가는 청결 웨이퍼는 부적절한 코팅 챔버 성분에 의해서 오염될 수 있다. 추가로, 웨이퍼가 페데스탈 가열기상에 적절히 중심맞춤되지 않으면, 웨이퍼 주변 둘레의 에지 배제 죤(edge exclusion zone)은 변할 것이다. 에지 배제 죤은 반도체 웨이퍼 제조 프로세스를 받지 않은 웨이퍼의 에지로서 정의된다. 에지 배제 죤의 변화는 극적으로 웨이퍼의 생산성의 저하를 야기할 것이다.
그러므로, 종래 기술에서는 증착 프로세스 전에 페데스탈 가열기상에 웨이퍼를 반복가능하게 중심맞춤(축선방향으로 정렬)을 할 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼의 배면 스크레칭과 오염 입자의 확산을 방지할 수 있는 CVD를 통한 박막 증착 장치 및 방법이 필요하다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 제조 시스템 분야와 특히 장치상에서 처리되어지는 반도체 기판으로 미립자 오염물의 부착 또는 확산을 감소하기 위한 장치와 방법에 관한 것이다.
본 발명의 내용은 첨부 도면과 연결해서 아래의 상세한 설명을 고려함으로써 보다 이해하기 쉬울 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 프로세스 시스템의 단면도.
도 2는 도 1의 2-2를 따라서 본 프로세스 시스템의 상면도.
도 3은 본 발명에 따른 기판 중심맞춤 및 위치설정의 중간단계를 도시하는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 기판 위치설정의 작동 단계를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 미립자 오염물을 감소하기 위한 방법을 도시하는 도면.
이해를 용이하기 위해서, 가능한 동일한 도면부호는 동일한 요소를 가르킨다.
종래 기술과 관련된 단점은 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소 방법 및 장치의 본 발명에 의해서 극복된다. 본 장치는 기판 지지체와, 상기 기판 지지체를 에워싸고 있는 가스 안내 시일드와, 기판을 유지하기 위해서 상기 기판 지지체와 상기 가스 안내 시일드 위에 수직으로 배치된 새도우 링을 가진다. 기판 지지체는 에지 정화 및 배면 정화 가스를 제공하기 위한 두 세트의 포트를 가진다.상기 가스 안내 시일드와 기판 지지체는 에지 정화 가스를 제공하도록 한 세트의 포트와 일치하는 환형 채널을 형성한다. 에지 정화 가스는 기판 지지체로부터 그리고 새도우 링에 대항해서 기판을 상승시키는 기판 지지체상에 놓여있는 기판의 에지에 힘을 부과한다. 새도우 링은 방사내향으로 연장하는 내부 립과 상기 내부 립 아래에 배치된 다수의 중심맞춤 태브를 가진 상부 표면을 포함한다. 중심맞춤 태브는 기판을 기판 지지체와 새도우 링과 축선방향으로 정렬한 상태로 유지한다. 새도우 링은 또한 새도우 링의 상부면으로부터 측면까지 연장하는 다수의 도관을 가지므로, 배면 아래와 기판의 에지 둘레로 프로세스 가스를 배기하고 차단하기 위해서 에지 정화 가스용 통로를 제공한다.
본 발명에 따라서, 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소하기 위한 방법은 또한 공지되어 있다. 본 발명은 기판을 기판 지지체에 제공하는 단계와, 가스의 제 1흐름을 제 1세트의 포트에 제공하여 상기 기판을 상기 기판 지지체로부터 상승시키는 단계와, 상기 기판 지지체상에 기판을 중심맞춤시키는 단계와, 가스의 제 2흐름을 제 2세트의 포트에 제공하여 기판의 열 제어를 확립해서 유지하는 단계를 포함한다. 가스의 제 1흐름은 새도우 링의 내부 립 아래에 배치된 다수의 중심맞춤 태브에 대항해 기판에 힘을 가하도록 기판 지지체에 의해 둘러싸인 가스 안내 시일드에 의해 형성된 환형 채널을 통해서 에지 정화 가스를 흘려보낸다. 가스의 제 2흐름은 기판 지지체와 기판의 배면사이의 열에너지를 전달하도록 기판 지지체내의 제 2세트의 포트까지 열 전달 가스를 흘려보낸다.
본 발명의 장치와 방법에 따라, 반도체 웨이퍼와 같은 기판은 웨이퍼의 배면을 스크레칭하지 않거나 프로세스 오염물에 표면을 노출시키기 않고 처리될 수 있다. 환형 채널 가스 흐름은 웨이퍼를 기판 지지체로부터 상승함으로써 웨이퍼와 기판 지지체상의 다른 열팽창율에 의한 스크레칭의 가능성을 감소한다. 추가로, 환형 채널 가스 흐름은 웨이퍼상의 에지 배제 죤을 제어하고 챔버 성분상의 바람직하지 않은 증착을 감소하는 방법으로 안내된다. 웨이퍼 바로 아래의 가스의 제 2흐름은 기판의 배면을 따라 반응성 가스의 흐름을 방해함으로써 웨이퍼의 배면에 접촉 및 증착할 수 있는 오염물의 량을 감소할 뿐만 아니라, 중요한 열 전달 매체를 제공하여 적절한 프로세스 온도로 웨이퍼의 배면을 가열한다.
도 1은 본 발명의 장치의 단면도이다. 특히 장치(100)는 CVD 증착 시스템(80)에 포함된 새도우 링(108)과 새로운 기판 지지체(102)이다. 본 발명에 사용될 수 있는 한 특정 CVD 증착 시스템은 미국, 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티어릴스에 의해 제작되어 판매되는 상표명 Endura 클루스터 툴이다. 전형적으로, 이런 시스템(80)에서, 프로세스 챔버(90)는 측벽(92), 상부(94)와 바닥(96)에 의해서 형성된다. 챔버(90)는 상부(94)에 부착된 샤워헤드(98) 또는 분포판을 포함한다. 샤워헤드(98)는 다수의 밸브(86)를 통해서 하나 이상의 액체 또는 가스 소오스(88)에 연결된다. 소오스(88)는 캐리어와 반응제의 필요한 레벨을 챔버(90)로의 분산시키기 위해서 샤워헤드(98)에 제공한다. 시스템(80)은 또한 소오스(88)와 샤워헤드(98)사이의 컴퓨터 작동식 분배 패널(도시 생략)을 포함하므로, 샤워헤드(98)로의 캐리어와 반응제의 혼합과 분배를 돕는다. 추가로, 환형판(84)은 챔버벽(92)을 둘러싸며 새도우 링(108)이 놓여지는 레지(82)를 제공한다.
기판 지지체(102)는 CVD 챔버(90)내의 기판(즉, 실리콘 웨이퍼)(116)을 지지한다. 기판 지지체(102)는 알루미늄과 같은 내구성 금속 재료 또는 질화알루미늄과 같은 세라믹으로 제작된다. 기판 지지체(102)는 제 1세트의 포트(136)와 제 2세트의 포트(106)를 포함하며, 이들에 대해서 상세히 후술하겠다. 기판 지지체(102)는 또한 가열기로서 작용하고 웨이퍼(116)를 가열하기 위한 추가의 부품을 포함한다. 예를 들어, 기판 지지체(102)에는 전원(도시 생략)에 연결되는 하나 이상의 저항가열기 코일(103)이 제공되어 있다. 전원은 웨이퍼(116)에 연결되어 있는 기판 지지체(102)내에 열을 발생하는 코일(103)에 전류를 제공한다. 특히, 페데스탈(118)의 표면은 웨이퍼(120)의 배면에 접촉해서 적당한 열 전도를 얻는다.
가스 안내 시일드(104)는 기판 지지체(102)를 둘러싸고 가스 시일드(104)와 기판 지지체(102)사이 좁은 환형 채널(124)을 형성한다. 환형 채널(124)은 기판 지지체내의 제 1세트의 포트와 일치한다. 가스 시일드(104)는 부드러운 내면(132)을 가진 원통형 바디로서 도시되어 있으며 기판 지지체(102)의 플랜지(138)에 적합하게 용접되어 있다. 새도우 링(108)은 기판 지지체(102)와 가스 시일드(104)를 둘러싼다. 새도우 링(108)은 프로세스(캐리어 및 반응제) 가스가 새도우 링(108) 아래의 챔버(90)의 부분에 흐르지 못하게 방지하고 바람직하지 않은 증착을 방지한다.
웨이퍼(116)의 에지(122)는 기판 지지체(102)를 오버행한다. 새도우 링(108)의 상부면(126)의 내부 립(110)은 웨이퍼(116)의 에지(122)를 오버행하기 위해서 방사내향으로 연장한다. 추가로, 다수의 중심맞춤 태브(112)는 새도우 링(108)의 내부 립(110)아래에 배치되어 있다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 12개의 중심맞춤 태브는 새도우 링(108) 둘레로 동일한 측면거리로 이격되어 있다. 새도우 링(108)에는 또한 상부면(126)으로부터 새도우 링(108)을 통해서 하부면(130)까지 연장하는 다수의 도관(128)이 제공되어 있다.
도 2는 도 1의 2-2선을 따라서 본 장치(100)의 상면도이다. 특히, 새도우 링(108)은 웨이퍼(116)를 둘러싸고 그 위에 배치되어 있다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 후술하게 될 바와 같이, 40개의 포트(128)는 챔버(90)의 일부분으로부터새도우 링(108) 아래로 가스를 배기하기 위해서 새도우 링(108)내에 제공되어 있다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 위치설정의 중간단계를 도시한다. 작동 중에, 웨이퍼(116)는 챔버(90)로 도입되며 기판 지지체(102)상에 놓여진다. 기판 지지체(102)는 새도우 링(108)을 향해 위로 상승된다. 에지 정화 가스의 흐름(304)은 제 1세트의 포트(136)내에 채널(124)까지 제공되어 있다. 에지 정화 가스의 흐름(304)은 웨이퍼(116)를 페데스탈 표면(118)으로부터 들어올리는 힘을 준다. 웨이퍼(116)가 중심맞추어지지 않으면, 에지(122)는 새도우 링(108)상의 측벽(302)과 접촉하게 될 것이다. 기판 지지체(102)와 새도우 링(108)은 챔버(90)의 중심에 대응하는 중앙 축선(134)(도 1참조) 둘레로 정렬되며, 이들 부품들은 수평 방향으로 이동하지 않는다. 그러므로, 기판 지지체(102)가 계속해서 수직상향으로 새도우 링(108)을 향해 이동하면, 기판 지지체(102)위에 약간 떠있는 웨이퍼(116)는 기판 지지체(102)와 새도우 링(108) 각각과 축선 정렬 상태로 밀려질 것이다. 다시 말하면, 웨이퍼(116)가 기판 지지체(102)와 에지 정화 가스의 흐름(304)을 통해서 연속적으로 상향으로 밀리면, 또한, 새도우 링(108)의 측벽(302)과의 접촉을 통해서 수평으로 밀릴 수 있다. 웨이퍼(116)가 기판 지지체(102)와 새도우 링(108)과의 축선정렬 상태로 웨이퍼를 유지하는 중심맞춤 태브(112)와 접촉할 때 최종적으로 중심맞춤되어진다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 위치설정의 작동 단계를 도시한다. 특히, 웨이퍼(116)가 기판 지지체(102)와 새도우 링(108)과 축선방향으로 정렬되면, 제 위치에 수직으로 유지된다. 그리고 나서, 에지 정화 가스의 흐름(304)은 두 통로로 갈라진다. 제 1통로(410)는 도관(128)을 통해 있고 새도우 링(108)의 상부표면(126)을 따라서 방사외향에 있다. 제 2통로(412)는 웨이퍼(116)의 에지(122) 둘레와, 중심맞춤 태브(126)사이와, 웨이퍼(116) 위에 있다. 에지 정화 가스의 흐름(304, 410, 412)에서, CVD 반응은 새도우 링(108)의 상부표면(126)과 웨이퍼(116)의 에지 배제 죤(414)을 포함하는 중요 위치에서 방지되거나 감소된다. 특히 에지 배제 죤(414)은 처리되지 않은 웨이퍼 표면상의 영역으로 정의되며 에지 정화 가스의 흐름(414)에 따라 변한다. 즉, 적은 흐름(414)이 존재하면, 더 많은 반응제가 웨이퍼에 도달하여 표면과 반응하여 표면상에 증착하며, 그러므로 에지 배제 죤은 적다. 흐름(414)이 증가하면, 이웃하는 반응제와 충돌하는 에지 정화 가스의 량은 증가하여 "흐름 커튼(flow curtain)" 효과를 발생하므로, 보다 적은 증착이 에지를 따라 일어나고 에지 배제 죤은 증가한다. 에지 정화 가스는 수소, 질소 및 아르곤과 같은 불활성가스로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, 양호한 실시예에서는 아르곤이다. 사실적으로, 이들 가스는 챔버(90)에 장착된 압력 제어 장치(즉, 터보 펌프, 저온 펌프 등, 도시하지 않음)에 의해서 챔버로부터 제거된다.
가스의 제 2흐름은 기판 지지체(102)와 웨이퍼(116)사이의 배면 정화와 열 전달, 및 새도우 링(108)에 대한 수직 유지를 돕기 위해서 포트(106)내에 제공되어 있다. 특히, 배면 정화 가스 흐름(404)은 또한 웨이퍼(116)를 페데스탈 표면(118)으로부터 들어올리고 중심맞춤 태브(112)에 대항해 힘을 준다. 그럼으로써,갭(406)이 발생되고 기판 지지체(102)로부터 웨이퍼 배면(120)까지 열을 운반하는 배면 정화 가스 흐름(404)에 의해 채워진다. 열 전달은 대개 유도에 의한 것보다 가스 흐름(404)을 통한 대류에 의해 생긴다. 가스 흐름(404)은 통로(410, 412)중 하나 또는 양자에 이어지고 결국 상술한 방법으로 챔버로부터 배기된다.
기판 지지체(102)와 웨이퍼(116)사이의 배면 정화 가스 흐름(404)과 갭(406)은 웨이퍼(120)의 배면의 스크레칭과 도전성 금속(즉, 기판 지지체로부터의 알루미늄 또는 나쁘게 안내된 증착으로부터의 구리)의 확산의 가능성을 감소한다. 배면 정화 가스는 수소, 질소 및 아르곤과 같은 불활성가스로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, 양호한 실시예에서는 수소와 질소의 혼합물이다. 이를테면, 웨이퍼(120)의 배면상의 증착 가능성은 반응 가스가 갭(406)내에 쉽게 흐르지 않을 때 더 감소된다.
웨이퍼(116)는 기판 지지체(102)와 더 이상 접촉하지 않기 때문에, 온도 하강은 웨이퍼(116)에서 실현된다. 그러나, 배면 정화 가스 흐름(404)은 열의 적정 량을 웨이퍼(120)의 배면까지 전달하므로 증착 온도는 여전히 웨이퍼(116)에서 유지된다. 예를 들어 기판 지지체(102)는 정상 CVD 프로세스 동안 약 205 - 210℃에서 유지될 것이다. 이들 조건하에서의 웨이퍼(116)는 약 196℃에서 유지될 것이다.
반도체 웨이퍼상의 미립자 오염물을 감소하는 신규의 방법은 또한 본 발명에 공지되어 있다. 도 5는 본 방법(500)의 플루우 차트를 도시하고 단계(502)에서 시작한다. 단계(502)에서, 웨이퍼는 CVD 프로세스 챔버내의 기판 지지체(102) 등과 같은 서스셉터상에 배치되어 있다. 서스셉터는 먼 가스 소오스로부터 서스셉터의표면까지 가스를 제공하기 위해 두 개 이상의 세트의 포트를 가진다. 제 1세트의 포트는 서스셉터를 둘러싸는 가스 시일드에 의해서 발생된 환형 채널과 일치한다. 이 채널은 웨이퍼의 에지에 에지 정화 가스를 제공하여 서스셉터로부터 상승하여 웨이퍼의 에지와 반응제의 다른 챔버 부품을 정화한다. 제 2세트의 포트는 기판 지지체내에 있으며 입자와 반응제의 웨이퍼 배면을 정화하고 서스셉터와 웨이퍼 사이의 열 에너지를 전달하도록 웨이퍼의 배면까지 가스를 제공한다.
단계(506)에서, 제 1 가스의 흐름(즉, 에지 정화 가스)은 제 1세트의 포트와 환형 채널에 제공되어 서스셉터의 표면으로부터 웨이퍼를 수직으로상승시킨다.
단계(508)에서, 중심맞춤 단계가 수행되어서 서스셉터와 서스셉터 위에 떠있는 웨이퍼는 새도우 링을 향해 상향으로 상승한다. 새도우 링과 서스셉터는 축선방향으로 정렬한다. 웨이퍼가 새도우 링과 서스셉터와 축선방향으로 정렬되지 않으면, 서스셉터의 수직 이동에 의해서 자동적으로 정렬된다. 특히, 오정렬된 웨이퍼는 새도우 링의 측벽에 의해 접촉되어 새도우 링과 서스셉터와 축선 정렬 상태로 수평으로 이동된다. 에지 정화 가스의 힘은 새도우 링의 내부 립 아래에 배치된 다수의 중심맞춤 태브에 대항해 웨이퍼를 유지한다. 이를테면, 웨이퍼의 수평 및 회전 이동은 방지되고 축선 정렬은 유지된다. 에지 정화 가스 흐름은 웨이퍼의 에지를 지나는 두 통로를 설정한다. 제 1통로는 새도우 링내에 제공된 다수의 포트를 통해 있어 웨이퍼의 배면과 새도우 링의 상부 표면상에 바람직하지 않게 반응제가 반응할 가능성을 감소시킨다. 제 2통로는 중심맞춤 태브사이와 웨이퍼 위에 있어 상술한 바와 같은 에지 배제 죤의 크기를 제어한다. 상승 가스는 아르곤, 수소 및질소중 어느 것이나 좋으며, 양호하게는 아르곤이다.
단계(510)에서, 가스의 제 2흐름(즉, 배면 정화 가스)은 제 2세트의 포트에 제공되어 있다. 가스의 제 2흐름은 열 에너지(열)를 대류를 통해서 서스셉터로부터 웨이퍼의 배면까지 전달하여 CVD 반응이 일어나는데 적합한 웨이퍼 온도(즉, 약 200 - 600℃)로 설정하여 유지한다. 또한 가스의 제 2흐름은 크게 웨이퍼의 배면으로의 확산의 가능성을 감소한다. 즉, 웨이퍼는 웨이퍼와 서스셉터 사이의 열 팽창의 그라인딩 작용에 의해서 스크레칭되지 않을 것이다. 단계(508, 510)는 상술한 순서로, 역순으로 또는 동시에 일어날 수 있다. 열적 전달체는 아르곤, 수소 및 질소중 어느 것이나 좋으며, 양호하게는 아르곤이다. 본 발명은 단계(512)에서 종료한다.
따라서, CVD를 통해 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 새로운 방법 및 장치가 공지되어 있다. 본 장치는 서스셉터상의 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 축선방향으로 정렬(중심맞춤)할 수 있다. 더욱이, 서스셉터와, 서스셉터 위의 새도우 링내의 포트의 정략적인 배치에 의해, 기판 아래의 가스 흐름은 프로세스 조건을 개선하도록 제어될 수 있고 개발할 수 있다. 서스셉터와, 이웃하는 가스 시일드에 의해 형성된 채널은 가스를 기판의 에지에 제공하여 프로세싱을 위해 기판을 방위설정하고 수직으로 유지한다. 서스셉터내의 한 세트의 포트는 가스를 기판의 배면에 제공하여 대류를 통해서 기판의 온도 조정을 돕는다. 이들 포트는 또한 바람직하지 않은 프로세스 가스가 웨이퍼의 배면상에 입자를 증착시키지 못하게 방지한다. 이를테면, 서스셉터 재료의 스크레치-유도 확산, 바람직하지 않은 증착 등에 의해서 발생된 미립자 오염물은 크게 감소된다.
본 발명의 기술을 사용하는 다양한 실시예가 여기에 도시되고 기술되어 있을 지라도, 당업자는 여전히 이들 기술을 사용하는 많은 다양한 실시예를 쉽게 고안할 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물을 감소하기 위한 장치에 있어서,
    기판 지지체와,
    상기 기판 지지체일 에워싸고 있는 가스 안내 시일드와,
    상기 기판 지지체와 상기 가스 안내 시일드 위에 수직으로 배치된 새도우 링을 포함하는 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판 지지체는 에지 정화 가스 흐름을 제공하기 위한 제 1세트의 포트를 더 포함하는 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 기판 지지체는 배면 정화 가스 흐름을 제공하기 위한 제 2세트의 포트를 더 포함하는 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 가스 안내 시일드와 상기 기판 지지체는 환형 채널을 형성하는 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 환형 채널은 상기 기판 지지체내의 제 2세트의 포트와 일치하는 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 새도우 링은 방사내향으로 연장하는 내부 립을 가진 상부 표면을 더 포함하는 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 새도우 링의 내부 립 아래에 다수의 중심맞춤 태브가 배치되어 있는 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 다수의 중심맞춤 태브는 12개 인 장치.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 새도우 링은 상기 상부 표면으로부터 상기 새도우 링의 측벽까지 연장하는 다수의 도관을 더 포함하는 장치.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 다수의 도관은 40개 인 장치.
  11. 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소하기 위한 방법으로서, 상기 시스템은 챔버와, 상기 챔버내의 제 1 및 제 2세트의 포트를 가진 기판 지지체와, 상기 기판 지지체를 에워싸서 환형 채널을 형성하는 가스 안내 시일드와, 상기 기판을 유지하기 위해서 상기 기판 지지체와 상기 가스 안내 시일드 위에 수직으로 배치된 새도우 링을 포함하며,
    상기 방법은,
    (a) 기판을 기판 지지체에 제공하는 단계와,
    (b) 가스의 제 1흐름을 제공하여 상기 기판을 상기 기판 지지체로부터 상승시키는 단계와,
    (c) 가스의 제 2흐름을 제공하여 기판의 열 제어를 유지하는 단계를 포함하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 단계(b)후 그러나 단계(c)전에, 상기 기판을 상기 기판 지지체상에 중심맞춤하는 단계를 더 포함하는 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 기판을 상기 기판 지지체상에 중심맞춤하는 단계는 상기 새도우 링에 매우 인접한 상태로 상기 기판 지지체를 상승하는 단계를 포함함으로써, 비방위설정된 기판은 접촉되어 상기 새로우 링의 측벽에 의해 수평으로 이동되어 상기 기판 지지체와 상기 새도우 링과 축선 정렬되는 방법.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 가스의 제 1흐름은 기판의 에지로 이어지는 두 통로를 설정하도록 상기 제 1세트의 포트와 상기 환형 채널을 통해서 흐르는 에지 정화 가스인 방법.
  15. 제 14항에 있어서, 제 1통로는 상기 새도우 링에 제공된 다수의 포트를 통해서 상기 새도우 링의 상부 표면상의 증착을 감소하는 방법.
  16. 제 14항에 있어서, 제 2통로는 새도우 링과 기판사이에 있어 상기 기판상의 에지 배제 죤의 크기를 제어하는 방법.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 가스의 제 2흐름은 상기 기판 지지체와 상기 기판의 배면사이의 열 에너지를 전달하고 오염물의 상기 기판의 배면과의 접촉을 감소하기 위해서 상기 기판 지지체내의 상기 제 2 세트의 포트를 통하는 배면 정화 가스인 방법.
  18. 제 11항에 있어서, 상기 가스의 제 1흐름으로부터의 가스를 아르곤, 수소 및 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택하는 방법.
  19. 제 11항에 있어서, 상기 가스의 제 2흐름으로부터의 가스를 아르곤, 수소 및 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택하는 방법.
KR1020017000977A 1998-07-21 1999-07-20 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소 방법 및 장치 KR20010071015A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/120,005 1998-07-21
US09/120,005 US6096135A (en) 1998-07-21 1998-07-21 Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
PCT/US1999/016397 WO2000005751A1 (en) 1998-07-21 1999-07-20 Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010071015A true KR20010071015A (ko) 2001-07-28

Family

ID=22387691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017000977A KR20010071015A (ko) 1998-07-21 1999-07-20 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소 방법 및 장치

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6096135A (ko)
EP (1) EP1097469A1 (ko)
JP (1) JP2002521815A (ko)
KR (1) KR20010071015A (ko)
CN (1) CN1317147A (ko)
TW (1) TW410381B (ko)
WO (1) WO2000005751A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210019131A (ko) * 2012-12-20 2021-02-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증발기, 증착 배열체, 증착 장치 및 이들의 작동 방법들

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524389B1 (en) * 1999-05-24 2003-02-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US6261407B1 (en) * 1999-06-29 2001-07-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for removal of thin films from wafers
US6206976B1 (en) * 1999-08-27 2001-03-27 Lucent Technologies Inc. Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion
US6291347B1 (en) * 1999-10-08 2001-09-18 Texas Instruments Incorporated Method and system for constructing semiconductor devices
US6350320B1 (en) * 2000-02-22 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Heater for processing chamber
TW517262B (en) * 2000-03-16 2003-01-11 Applied Materials Inc Shadow ring with common guide member
JP4422295B2 (ja) * 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US6221166B1 (en) * 2000-06-07 2001-04-24 Simplus Systems Corporation Multi-thermal zone shielding apparatus
US7018504B1 (en) * 2000-09-11 2006-03-28 Asm America, Inc. Loadlock with integrated pre-clean chamber
US6544340B2 (en) * 2000-12-08 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Heater with detachable ceramic top plate
US7079975B1 (en) 2001-04-30 2006-07-18 Advanced Micro Devices, Inc. Scatterometry and acoustic based active control of thin film deposition process
WO2003034477A1 (en) * 2001-10-18 2003-04-24 Chul Soo Byun Method and apparatus for chemical vapor ddeposition capable of preventing contamination and enhancing film growth rate
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US6921556B2 (en) * 2002-04-12 2005-07-26 Asm Japan K.K. Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
US7070661B2 (en) * 2003-08-22 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. Uniform gas cushion wafer support
JP2006093557A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Sharp Corp 気相成長装置
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
JP5043021B2 (ja) * 2005-10-04 2012-10-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を乾燥するための方法及び装置
KR100689843B1 (ko) * 2006-01-03 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼 안착방법
WO2007082396A1 (de) * 2006-01-18 2007-07-26 Oc Oerlikon Balzers Ag Vorrichtung zur entgasung eines scheibenförmigen substrates
US8097120B2 (en) * 2006-02-21 2012-01-17 Lam Research Corporation Process tuning gas injection from the substrate edge
US20070283884A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
US7877895B2 (en) 2006-06-26 2011-02-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4911583B2 (ja) * 2006-08-28 2012-04-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｃｖｄ装置
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US9383138B2 (en) * 2007-03-30 2016-07-05 Tokyo Electron Limited Methods and heat treatment apparatus for uniformly heating a substrate during a bake process
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
JP2009277720A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法及びエッチング装置
US8440048B2 (en) 2009-01-28 2013-05-14 Asm America, Inc. Load lock having secondary isolation chamber
CN102714146A (zh) 2009-12-31 2012-10-03 应用材料公司 用以修改晶圆边缘与斜面沉积的遮蔽环
US8920564B2 (en) * 2010-07-02 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
CN102357477B (zh) * 2011-09-23 2013-10-02 北京七星华创电子股份有限公司 防污染装置
US10953441B2 (en) 2013-03-15 2021-03-23 Kla Corporation System and method for cleaning optical surfaces of an extreme ultraviolet optical system
ITCO20130073A1 (it) 2013-12-19 2015-06-20 Lpe Spa Camera di reazione di un reattore per crescite epitassiali adatta per l'uso con un dispositivo di carico/scarico e reattore
WO2015116245A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Gas confiner assembly for eliminating shadow frame
CN104862660B (zh) * 2014-02-24 2017-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及等离子体加工设备
CN106471614B (zh) 2014-07-03 2020-08-25 Lpe公司 用于操纵衬底的工具、操纵方法及外延反应器
CN105789008B (zh) * 2014-12-22 2017-12-19 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及等离子体刻蚀方法
KR102506495B1 (ko) * 2015-01-12 2023-03-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 후면 변색 제어를 위한 지지 조립체
US10903055B2 (en) 2015-04-17 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Edge ring for bevel polymer reduction
US9879358B2 (en) * 2015-05-27 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Heat shield ring for high growth rate EPI chamber
CN107546101A (zh) * 2016-06-23 2018-01-05 上海新昇半导体科技有限公司 一种外延生长方法
JP6698001B2 (ja) * 2016-10-24 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びカバー部材
US11802340B2 (en) * 2016-12-12 2023-10-31 Applied Materials, Inc. UHV in-situ cryo-cool chamber
CN110945159B (zh) 2017-07-28 2022-03-01 东京毅力科创株式会社 用于基板的后侧沉积的系统和方法
CN108103473B (zh) * 2017-12-18 2020-04-24 沈阳拓荆科技有限公司 用于半导体处理腔体的遮蔽装置及其使用方法
JP7300527B2 (ja) 2019-06-25 2023-06-29 ピコサン オーワイ 基板の裏面保護
KR20210085655A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 삼성전자주식회사 에지 링 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR20220129045A (ko) * 2020-01-17 2022-09-22 램 리써치 코포레이션 웨이퍼 에지 가스를 배기하기 위한 플로우 경로들을 갖는 배제 링
WO2021162865A1 (en) 2020-02-11 2021-08-19 Lam Research Corporation Carrier ring designs for controlling deposition on wafer bevel/edge
TWI746222B (zh) * 2020-10-21 2021-11-11 財團法人工業技術研究院 鍍膜設備
CN112593208B (zh) * 2020-11-25 2022-01-11 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5213650A (en) * 1989-08-25 1993-05-25 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
JP2728766B2 (ja) * 1990-07-18 1998-03-18 株式会社東芝 半導体の処理方法およびその装置
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
US5855687A (en) * 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
KR100188454B1 (ko) * 1991-05-28 1999-06-01 이노우에 아키라 기판 처리 장치
US5328722A (en) * 1992-11-06 1994-07-12 Applied Materials, Inc. Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring
US5292554A (en) * 1992-11-12 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus using a perforated pumping plate
US5695568A (en) * 1993-04-05 1997-12-09 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
JPH0799162A (ja) * 1993-06-21 1995-04-11 Hitachi Ltd Ｃｖｄリアクタ装置
US5888304A (en) * 1996-04-02 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Heater with shadow ring and purge above wafer surface
US5766365A (en) * 1994-02-23 1998-06-16 Applied Materials, Inc. Removable ring for controlling edge deposition in substrate processing apparatus
US5583736A (en) * 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
FR2733036B1 (fr) * 1995-04-14 1997-07-04 Unir Dispositif de protection anti-contamination rapprochee
US5697427A (en) * 1995-12-22 1997-12-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cooling a substrate
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US5960555A (en) * 1996-07-24 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing
US5810931A (en) * 1996-07-30 1998-09-22 Applied Materials, Inc. High aspect ratio clamp ring
US5886864A (en) * 1996-12-02 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate support member for uniform heating of a substrate
US6073366A (en) * 1997-07-11 2000-06-13 Asm America, Inc. Substrate cooling system and method
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
JP2000165070A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Watanabe Shoko:Kk 板状基体の収納ユニットおよび収納装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210019131A (ko) * 2012-12-20 2021-02-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증발기, 증착 배열체, 증착 장치 및 이들의 작동 방법들
US11713506B2 (en) 2012-12-20 2023-08-01 Applied Materials, Inc. Evaporator, deposition arrangement, deposition apparatus and methods of operation thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000005751A1 (en) 2000-02-03
EP1097469A1 (en) 2001-05-09
US6096135A (en) 2000-08-01
CN1317147A (zh) 2001-10-10
TW410381B (en) 2000-11-01
JP2002521815A (ja) 2002-07-16
US6374512B1 (en) 2002-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010071015A (ko) 기판 프로세싱 시스템내의 기판의 오염물 감소 방법 및 장치
US6663714B2 (en) CVD apparatus
KR101324651B1 (ko) 지지 어셈블리
US6902622B2 (en) Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
US10074555B2 (en) Non-contact substrate processing
US6645884B1 (en) Method of forming a silicon nitride layer on a substrate
US5476548A (en) Reducing backside deposition in a substrate processing apparatus through the use of a shadow ring
US6159299A (en) Wafer pedestal with a purge ring
US7250094B2 (en) Heat treatment apparatus
US20100275848A1 (en) Heat treatment apparatus
US6797068B1 (en) Film forming unit
WO2005083777A1 (en) Methods and apparatuses promoting adhesion of dielectric barrier film to copper
US6733593B1 (en) Film forming device
US11990332B2 (en) Methods and apparatus for deposition of low-k films
US6365495B2 (en) Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature
WO2001004929A2 (en) A method of forming a film in a chamber
US20150368830A1 (en) One-piece injector assembly and one-piece exhaust liner
JP2002009136A (ja) 共通の案内部材を有するシャドウリング
KR100629540B1 (ko) 감소된 온도에서의 티타늄 질화물의 금속 유기 화학 기상 증착 수행 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid