TW388791B - Particle sampling apparatus, its diriving method, and semiconductor device manufacturing system thereby - Google Patents
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Description
i i 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（丨） 本發明有關於一種粒子取樣裝置、其之驅動方法及半 導醴元件製造条統，更持別地*傜有關於一種用以從真空 法之處理室於原位取樣粒子以供分析和估計之粒子取樣装 置、其之驅動方法及半導體元件製造条统。 半導體元件製造過程霈要非常清潔的處理環境而且 LPCVD (低壓化學氣相沉積法）、PECVD (電漿增強化學 氣相沉積法）、乾式蝕刻、濺散、離子注入處理等等皆需 要其處理所需的真空狀態。根據處理設備及其之對應之處 理氣體之類型之不同的處理故障，在以上的處理期間亦會 出現。在每舾處理空間中所産生的粒子大大地影響半導體 元件和後面之處理的故障。因此，為了限制在該處理空間 中所産生的粒子，必須分析/估計在該處理空間中所産生 的粒子，及必須驅趕/控制該等粒子的産生起因。 習知地，為了分析在處理期間所産生或者存在於該處 理空間的粒子*在晶圓上的缺陷和粒子在完成處理之後偽 利用KLA設備、SEM或者SURFSCAN等等來分析。然而*因 為在該處理期間所産生的粒子在該處理期間無法見到，因 此粒子産生的實際原因無法偵測得到。 因此，傷需要能夠直接取樣存在於該處理空間中之粒 子並且分析它的設備。如在第1圖中簡略地顯示般* 一衝 擊機是為一種類型的設備而且僳在高壓下取樣該等粒子。 現在請參閲第1圖所示，一粒子取樣器10,被稱為一 衝擊機，藉著如在第1圖中之箭嘴所示般從左邊入口至右 邊出口將氣髏通過該處理室内部，並且將晶圓置放於與氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） ---------0^-- -·-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 A7 __._B7_ 五、發明説明（2) 體流動方向樓交的台14, 15上來收集粒子。該粒子取樣器 10具有兩舾台，邸* 一第一台14和一第二台15。在該兩値 艏別的台上，一第一噴嘴12和一第二噴嘴13被形成具有彼 此不同的直徑。 當真空被施加於該取樣器10的右邊出口時，含有粒子 的取樣空氣逋過該第一噴嘴12,並且與該第一台14碰撞， 因此該等粒子藉著由於碰撞所引起之根據該等粒子之速度 和質量的慣量而被收集於該台上。然後，與該第一台14碰 撞的該取樣空氣通過具有比該第一噴嘴12之直徑小之直徑 的第二噴嘴13·因此它被加速並且與該第二与15碰撞。如 果該取樣空氣的速度僳快的話，小粒子碰撞該台並且被收 集於該台上。 習知地，該粒子取樣器被使用於在高壓下之氣管的分 析，但它不能夠被使用於有毒氣體，所以該粒子取樣傜使 用氮氣代替習慣上的氣體來實行。 同時，該粒子取樣能夠以使用該處理室和該泵送管之 壓差的真空法來實行。該粒子取樣係在一取樣埠被安裝於 該處理室中；一斷流閥、一粒子取樣器、和一斷流閥自 該取樣埠開始依序被安裝；及該取樣空氣係靠該真空泵藉 著一排放管的連接來被排放的形式下實行。在這階段中， 雖然該真空法偽在該處理室内實行，然而•該斷流閥係開 啓若干時間以供取樣•而且該等粒子被收集於該粒子取樣 器内俾可分隔該粒子取樣器，並且分析所收集的粒子。 然而，在一取樣埠被安裝於一處理室中且該取樣傺藉 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 y1. 經濟部中央標準局負工消費合作社印掣 A7 __B7_ 五、發明説明（3 ) 由開啓該閥若干時間來實行的習知方式中，如果高真空法 僳特地在該處理室内實行，且在該取樣中的取樣空氣傺相 反地導向的話，被收集於該取樣器内的該等粒子傜被引入 至該處理室内，引致處理故障。 此外，容納所收集.之粒子的該粒子取樣器，在分析和 重新安裝於該粒子取樣設備上之後被重新使用來收集粒子 之前，偽應該被完全清淨。然而，儘管該粒子取樣器偽在 清淨之後披安裝於該取樣設備，它會被再污染，無法提供 對於該等粒子的完美分析。 本發明偽指向於提供一種粒子取樣裝置@其之驅動方 法俾可藉著安裝一清淨条統於其之内來提升粒子分析的可 靠度。 本發明之另一目的是為提供一種粒子取樣裝置及其之 驅動方法俥可在安裝一泵於其之本身内之後適當地保持與 該處理室的整差。 本發明之又一目的是為提供一種用於防止取樣氣髏至 該處理室之的粒子取樣裝置及其之驅動方法。 本發明之又再一目的是為提供一種用於以手動方式或 者自動地取樣粒子的粒子取樣裝置及其之驅動方法。 本發明之仍再一目的是為提供一種具有本發明之粒子 取樣裝置的半導體元件製造条統。 在半導臁元件製造過程中之粒子的取漾裝置包含：一 取樣管線*在該取樣管線上，一前氣閥、一粒子取樣器、 一隔離閥、一泵、和一排放埠偽依序從一取樣埠開始連接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 Ox·297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消费合作杜印掣 A7 B7 五、發明説明（u) ;清淨管線•其偽經由一第二氣閥來從一清淨氣體供應源 分割出來•該等清淨管線中的一傾通過一第三氣閥並且被 連接於該前氣閥與該粒子取樣器之間，而該等清淨管線中 的另一痼通過一第一氣閥並且被連接於該隔離閥與該泵之 間；及來自該隔離閥之前端和後端的旁通管線，該旁通管 線包括一第五氣閥；用於分別控刺該等氣閥、該隔離閥、 及該泵之蓮作的控制單元。 該取樣埠被連接至一真空室，像LPCVD 、PECVD 、離 子注入、乾式蝕刻、濺散等等的半導艟元件製造過程僳在 該真空室内實行。 —第一電容計被安裝於該隔離閥與該泵之間；一第二 電容計被安裝於該旁通管線的第五氣閥與該隔離閥的前端 之間；而一第三電容計被安裝於該第三氣閥與該取樣器之 前端之清淨管線的接點之間。它們僳標準地使用於控制每 儲閥和泵。 一手動閥進一步被連接於該前氣閥與該清淨管線之間 。此外，一調節器被進一步連接於該清淨氣體供應源與該 第二氣閥之間。一第一針閥和一第二針閥進一步分別被安 裝於該清淨管線的接點，與該第一氣閥和該第三氣閥之間 *以藉此容許控制在該粒子取樣器之前/後的清淨氣釀量 0 該取樣管線的泵是為一種旋轉泵，而且一渦輪泵傜進 一步串聯地安裝於該旋轉泵的前端，以藉此能夠有效率地 在高真空法下取樣該等粒子。此外，數個粒子取樣器被並 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ 2l〇k 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ____B7 _ 五、發明説明（f) 聯地安裝，其偽希望藉著在該真空法的某些時間點期間取 樣粒子來提供粒子産生的實際原因。 此外，一第一壓力開騎偽安裝於該隔離閥與該泵之間 ;一第二壓力開關傣安裝於該第三氣閥與該取樣器之前端 的接點之問；而一第三壓力開關係安裝於該清淨氣體供應 源與該第二氣閥之間。該第一壓力開關檢査該泵的蓮作， 該第二擊力開關判定清淨是否完成，而該第三壓力開關確 定清淨氣體的供應。 該取樣管線、該清淨管線、旁通管線、和一控制單元 係共同地安裝在一可移動的滑車上。 一種驅動粒子取樣裝置的方法，該粒子取樣裝置包含 一取樣管線，該取樣管線具有從在一處理室前之取樣埠開 始依序成行地建接的一前氣閥、一粒子取樣器、一隔離閥 、和一第一電容計；清淨管線，其傜經由一第二氣閥來從 一清淨氣髏供應源分割出來，該等清淨管線中的一艟通過 一第三氣閥、一壓力開闢、和一第三電容計，並且被連接 於該前氣閥與該粒子取樣器之間，而該清淨管線中的另一 橱通過一第一氣閥並且被連接於該隔離閥與該泵之間；及 來自該隔離閥之前端的旁通管線，該旁通管線通過一第二 電容計和一第五氣閥，並且被連接至該隔離閥的後端，該 方法包含如下之步驟：a)藉著驅動該泵來保持該取樣管線 的壓力低於該處理室的壓力；b)預先清淨在該取樣管線内 部的清淨氣膣；c)停止該清淨氣體供應並且泵送它以致於 在該取樣管線内部的壓力被降低到低於標準壓力；d)取樣 本紙張尺度適用中國國家標本（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（G ) 粒子若干時間以致於該前氣閥被開啓而且在一處理室内部 的處理氣體通過該取樣器；及e)在關閉該前氣閥之後二次 清淨淸淨氣體並且将該清淨氣體通過該取樣管線内部。 在驅勤該粒子取樣裝置的方法中，該方法的a)步驟包 含如下之步驟：a)藉著在該隔離閥、第一氣閥、第二氣閥 、和第五氣體關閉之下作動一泵來保持該第一電容計的壓 力下降到比一値例如為500mT〇r>r^預定壓力低；及b)藉著 開啓該第五氣閥來保持該第二電容計的壓力下降到比一個 例如為500mT〇rr·的預定壓力低。因此，整値粒子取樣管線 被準備好而且每個管線的洩漏被檢査。 如果該第一和第二電容計的壓力不在某時間内降低到 低於一預定壓力的話，該第一和第二氣閥被開啓，而且該 粒子取樣過程停止以求得到正確的取樣。 該b)步驟傜在該第五氣閥關閉、該隔離閥開啓、及該 第二和第三氣閥開啓之後實行若干時間。該c)步驟最好偽 在該第二和第三氣閥關閥之後，且直到該第二電容計的壓 力到達標準壓力為止才實行。 如果該第二電容計的壓力在該若干時間内不到達該標 準壓力的話，該c)步騮在該隔離閥關閉，且該第一和第二 氣閥開啓之後停止俥可停止該泵送處理，以藉此提升測量 的可靠度。 該d)步驟進一步包含檢査在該處理室内部之回流的步 驟，而且在該處理室内部的回流最好僳由該第三電容計的 壓力決定。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 ______B7__ 五、發明説明（巧） 該e>步驟僳在該第二和第三氣閥於該前氣閥闋閉之後 開啓一若干時間的同時實行一若干時間，而且在實行該6) 步驟和關閉該隔離閥之後，及如果經過一若干時間且該第 二壓力開關傜開啓的話，該第三氣閥傜關閉且該第一氣閥 偽開啓俥完成該處理。 該泵、該隔離閥、和所有的氣蹄傺在包括有LCD之觸 模螢幕的控制單元處以手動或者自動模式控制。 此外*該泵、該隔離閥、和所有的氣瞄係被形成成彼 此擬鎖。即，該泵在該隔離閥、或者該前和第五氣閥傷開 啓之下不會成闋閉狀態。該隔離閥在該前氣-傷開啓或者 該第二和第三氣閥偽開啓時不被關閉，而且在該泵偽闢閉 時不會成開啓狀態。該第一氣閥在該隔離閥、或者該第五 氣閥、或者該第三氣閥傜開啓之下不會成開啓狀態。該第 二氣閥在該前氣閥傜開啓之下不會成開啓。該第三氣閥在 該第一氣閥傜開啓之下不會成開啓狀態。該前氣閥在該第 一、第二、和第三氣閥傜開啓、該隔離閥傜關閉、或者該 泵係開啓、該第二電容計之壓力傈比某標準壓力高、且該 第二壓力開關傜開啓時不會成開啓狀態。該第五氣閥在該 第二和第三氣閥傜開啓、且該泵偽開啓時不會成開啓狀態 0 一種半導髏元件製造条統，包含：一處理室*半導醱 元件製造過程偽在該處理室内實行；一真空管線，該真空 管線包括一被連接至該處理室並且保持該處理室真空的真 空泵；及一粒子取樣器，該粒子取樣器的取樣埠被連接至 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS·) A4_規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 ___B7_.__ 五、發明説明（R) 該處理室而其之排放埠被連接至該真空管線之真空泵的後 端，該粒子取樣器包含：一取樣管線•在該取樣管線中， 一前氣閥、一粒子取樣器、一隔離閥、一泵和該排放埠傷 從該取樣埠開始依序連接；一清淨管線，該清淨管線傜從 一清淨氣體源開始，並且在通過一第二氣閥之後分道，它 們中的一個通過一第三氣閥並且連接於該前氣閥與該粒子 取樣器之間，而它們中的另一個通過該第一氣閥並且建接 於該隔離閥與該泵之間；一旁通管線，該旁通管線連接該 隔離閥的前端和後端並且包括一第五氣閥在其内；及一用 於控制該等氣閥、該隔離閥、以及該泵之蓮作的控制單元 0 要了解的是，前面的大致描述和後面的詳細描述皆是 作為例證和說明，而且傜傾向於提供如所請求之本發明的 進一步説明而已。 在該等附圖中： 第1圖僳一衝擊機，一種普通粒子取樣器*的剖面圖 第2圖涤本發明一實施例之粒子取樣裝置的示意構形 經濟部中央標準局貝工消費合作社印架 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖倦本發明一實施例之粒子取樣裝置以滑車方式 的詳細描述； 第4圖係顯示本發明一實施例之粒子取樣裝置被施加 於半導髏元件製造条統上的示意描述； 第5圖係在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） A 7 __B7___ 五、發明説明（气） 法中從準備步驟到預先清淨步驟的流程圖； 第6圖係在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從預先清淨步驟到泵送步费[的流程圏； 第7圖偽在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從泵送步驟到取樣步驟的流程圖； 第8圖傜在本發明一食施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從取樣步驟到二次淸淨步驟的流程圖；及 第9圖係在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從二次清淨步驟到處理完成步驟的流程圖。 現在請詳細參閲本發明的該等較佳實施0，其之例子 像被描繪於該等附圖中。 第2圖僳本發明一實施例之粒子取樣裝置的示意構形 。該粒子取樣裝置概略地包含一取樣管線、一淸淨管線、 一旁通管線、和一控制單元。 經濟部中央標準局真工消费合作社印製 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 該取樣管線是為一個在粒子取樣期間氣髏的流動路徑 ，其僳被形成從該取樣埠24到一排放埠23,中間通過一罗 子取樣器10、一隔離閥22和一旋轉泵20。該取樣埠24被連 接至像LPCVD 、PECVD 、乾式蝕刻、離子注入、或者醆散 處理等等般之真空處理用的處理室。 該取樣埠24像被形成來組装於該處理室的一待定位置 上，而且一前氣閥34d和一手動閥39像被依序安裝在該取 樣埠24與該粒子取樣器10之間。 一粒子取樣器10，稱為一_衝擊機，藉著如第1圖中之 箭嘴所顯示一樣從左邊入口至右邊出口將該辟律埠24之取 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 A7 ___B7_ 五、發明説明（\〇 ) 樣氣體通過該處理室内部，及置放例如尺寸為1 cm X 1 cm 之晶圓在與氣體流動方向橫交之台14,15上來收集粒子。 該粒子取樣器10,如在第1圖所顯示般，具有由一第一台 14和一第二台構成的兩個階段。沿著被安裝於對應之台之 前例的一第一噴嘴12和一第二噴嘴13,該粒子取樣器10可 以具有包括一第三台（圖中未示）的三痼階段，該第三台 具有不同直徑。該粒子取樣器10在取樣完成之後偽移動至 該分析設備内而且它係被解開。所收集的粒子係藉由SEM 、AES 、和ΕΡΜΑ等等來分析它們的成份、尺寸、和分佈狀 況。在完成該分析之後，該粒子取樣器再次f組合並且傺 準備好新的取樣處理。除了以上類型的粒子取樣器10之外 ，即，具有三階段的衝擊機，它能夠以該粒子取樣處理即 使在衝擊機被解開時可以接缠地執行或者藉著該等閥及它 們之並聯裝置之適當組合來分別在每艏若干時間執行某些 其他分析的形式來逹成。最好的是，該粒子取樣器10被水 平地安裝俥可保持固定的氣流，而且該取樣氣體的洩漏傜 藉著安裝一支持環（圖中未示）在每艏台上來預防。該隔 離閥22是為一個僅執行開啓/關閉功能的斷流閥。取代該 隔離閥22, 一痼控制該氣體流動量的閥也可以被使用。 一第一電容計（CM1) 30a和一第一壓力開關32a係安 裝於該隔離闕22與該旋轉泵20之間。該CM1 30a测量從0 到1 Torr*的壓力值*而該第一壓力開關僳蓮作直到一持定 壓力值，例如75 Torr 。 在該清淨管線中•包括該粒子取樣器10的該取樣管線 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局β：工消費合作社印製 A7 _____B7__ 五、發明説明（\、） 在粒子取樣之前/後傺利用清淨氣體清潔，例如，氮氣。 該清淨管線從一清淨氣體源26b開始並且在該中間分道點 分道，它們中的一値僳連接在該取樣管線的粒子取樣器10 與一手動閥39之間，而它們中的另一値傜連接於該取樣管 線的隔離閥22與該旋轉泵20之間，即，在該隔離閥22與該 第一電容計30a之間。 一集三壓力開關（PS3) 32c、一第一調節器38a 、和 一第二氣閥（AV2) 34b僳依序安裝於該淸淨管線的分道點 之前，而在該粒子取樣器之前連接的該清淨管線中，一第 二針閥36b 、一第三氣閥（AV3) 34c 、一第二壓力開關 (PS2) 32b 、和一第三電容計傜依序從以上的分道點開始 安裝。一過濾器（圖中未示）傜安裝於該第二壓力開關 32b與該第三電容計30c之間。從該清淨管線的分道點開 始，一第一針閥36a和一第一氣閥（AVI) 34a僳依序安裝 於該清淨管線的分道點與該取樣管線之在該旋轉泵20之前 的接點之間。與該清淨管線連接的其他管線僳使用於控制 氣閥，而且僳與來自該空氣供應源26a之通過一第二調節 器38b的清淨管線會聚。 該旁通管線從在該隔離閥之前的取樣管線開始，繞過 該隔離閥22,而該第二電容計（CM2) 30b和該第五氣閥 (AV5) 34e傣依序安裝於該旁通管線内。 該粒子取樣裝置的毎艢氣閥、隔離閥、和泵等等係以 一控制單元自動控制，但該控制單元並没有在第2_中顯 示。 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) 格（21〇χ^7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 __B7_ 五、發明説明（U ) 第3圖係本發明一實施例之粒子取樣裝置以滑車方式 的詳細描述。 請參閲第3圖所示，顯示該粒子取樣裝置之基本結構 之第2圖之粒子取樣裝置的元件部件係裝設在一機架50内 部，該機架50具有一傾六面體形狀，被固定於該機架50下 面的滾輪52使得該機架50的移動較容易。此外*該粒子取 樣装置傜由一支持座54固定。一旋班58被形成在該機架50 的上侧*該粒子取樣器10被安裝於該機架50的頂側，而 LED-觸模螢幕56僳形成在與該旋鈕58之相同的一侧上。在 該觸模螢幕56中，如閥般之所有的作動器係手動或者自動 地控制。清淨氣體傷從該機架50的側邊供應。第4圖傜顯 示本發明一實施例之粒子取樣裝置被施加於一半導體元件 製造条統上的示意描述。請參閲第4圖所示，第2圖的取 樣埠24傜與該處理室40的一端連接一起，取樣氣體偽透過 一取樣器10、一旋轉泵20、和一排放管線28來排放。清淨 氣體僳從一清淨氣體供應源供應至該取樣裝置。 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印袈 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面* 一節流閥42、一渦輪泵44、和一旋轉泵46 偽依序從該處理室40的下端起安裝俥可保持該處理室40在 一真空狀態。此外，一渦輪泵（圖中未示）傜進一步安裝 在該取樣裝置的旋轉泵20之前以供該真空糸統之真空壓力 的平衡用。 另一方面，如在第2圖中所顯示之該旋轉泵、該隔離 閥、和各式各樣之氣閥的作動器傑如下述般聯鎖俾可預防 處理的不穩定性。如果該隔離閥22，或者該前，或者第五 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297分釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _ B7_- 五、發明説明（β ) 氣閥34d,34c僳開啓的話，誃旋轉泵20傷聯鎖成不被關閉 。如果該前氣閥34d係開啓，或者該第二和第三氣閥34d, 34c僳開啓的話，該隔離閥22不被關閉，而且如果該泵20 僳關閉的話，該隔離閥22被聯鎖成不被開啓。如果該隔離 閥22或者該第五氣閥34e或者該第三氣閥34c傷開啓的話 ，該第一氣閥34a被聯鎖成不被開啓。如果該前氣閥34d 傜開啓的話，該第二氣閥34b被聯.鎖成不被開啓。如果該 第一氣閥34a傜開啓的話，該第三氣閥34c被聯鎖成不被 開啓。如果該第一、第二、第三氣閥34a,34b,34c僳開L啓 或者該隔離閥22偽關閉，或者該泵20傜開啓的話*該前氣 閥34d被聯鎖成不被開啓。如果該第二氣閥34b 、和該第 三氣閥34c係開啓的話，該第五氣閥34e被聯鎖成不被開 啓。 請參閲第5至9圖所示*本發明之粒子取樣裝置的驅 動方法偽被詳細描繪。本發明之取樣裝置的驅勤概略地包 含準備、清淨、泵送、取樣、二次清淨、及處理完成的步 驟。 第5圖係在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從準備步驟到預先清淨步驟的流程圖。 請參閲第5圖所示，該第一氣閥（AVI) 34a和該第二 氣閥（AV2) 34b傜關閉，而且一旋轉泵20傜開啓。如果該 第一電容計（CM1) 30a的壓力偽低於500 mTorr的話，該 第五氣閥34e傺開啓。如果該第一電容計30a的壓力在60 秒之後不低於500 mTorr的話，洩漏傜被斷定出現在該取 -16 - 本紙張逍用中國國家梯準（CNS ) A4规格（2〖0X 297公釐）· (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁)
A 7 ____B7 _ 五、發明説明（νφ) 樣管線的泵送管線上因此該第一氣閥（AVI) 34a和該第二 氣閥（M2) 34b傜開啓而且取樣處理停止。 在該第五氣閥34e傜開啓之後，且當該第二電容計 (CM2) 30b的壓力倦低於500 mTorr時，該預先清淨步驟 接著進行。在這階段中，如果該第二電容計30b的壓力不 低於500 mTorr的話，洩漏係被斷定出現於該泵-管線上 因此該第五氣閥34e傜鼷閉而且該第一氣閥（ΑΠ) 34a和 該第二氣閥（AV2) 34b傜開啓且該取樣處理停止。 · 第6圖像在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從預先清淨步驟到泵送步驟的流程圖。 該預先清淨步驟傜藉由關閉該第五氣閥34e 、開啓該 隔離閥(IV) 22 、而然後開啓該第二氣閥（AV2) 34b和該 第三氣閥（AV3) 34c來實行。該預先清淨僳利用氮氣保持 進行直到時間到達設定的預先清淨時間，而當它超過該預 先清淨時間時*該泵送處理接著進行。 第7_僳在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從泵送步驟到取樣步驟的流程圖。 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第6圖中》在完成該預先清淨而然後泵送之後•該 取樣係藉著開啓該第三氣閥（AV3) 34c和該第二氣閥（AV2) 34b並且僳當該第二電容計的壓力低於在處理方法中設定 的某標準壓力時開始。然而，即使當壓力在超過180秒的 時間之下不下跌到低於標準壓力，洩漏傜被斷定出現於該 泵送管線，該隔離閥（IV) 22僳關閉，而且該第一和第二 氣閥34a,34b像開啓，俾完成取樣處理。 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 __B7___ 五、發明説明（丨S ) 第8圖係在本發明一實施例之粒子取樣装置之驅動方 法中從取樣步驟到二次清淨步驟的流程圖。 請參閲第8圖所示，當該接近該處理室的前氣閥（AV4) 34d像開啓，且該時間超過在該處理方法中設定的取樣時 間時，該二次清淨步驟跟隨在該取樣离理後面。如果該時 間不超過該取樣時間，而且氣體到該處理室的任何回流僳 被檢査的話，該第三電容計（CM3) 30c的壓力偽與在該處 理方法中設定的特定回流速率做比較。該回流速率偽來自 與標準壓力的闋偽（標準壓力-標準壓力/速率）而且該 標準壓力和該速率是為在處理方法中設定的g。 在該處理方法中，如果該回流不被檢査的話，該二次 清淨係在時間到逹所設定的取樣時間之後開始。此外，當 該回流被檢査時，且如果該第三電容計（CM3> 30c的壓力 不是比在該處理方法中設定的持定回流速率小的話，該取 樣像按照該取樣時間執行，而然後二次清淨跟隨在後面。 如果該電容計（CM3) 30c的壓力傺小於在該處理方法中設 定的持定回流速率的話，該回流被斷定發生俥可停止該取 樣並且在該管線上實行二次清淨。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第9圖傜在本發明一實施例之粒子取樣裝置之驅動方 法中從二次清淨步驟到處理完成步驟的流程画。 請參閲第9鼷所示，在取樣及在關閉該前氣閥（AIM) 34d —秒鐘之後，一第二氣閥34b和一第三氣閥34c傜開 啓。如以上之若干時間的待命傜完成俾可防止氣體的回流 0 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印掣 A7 ___B7____
五 '發明説明UD 如果該時間超過在該處理方法中設定的該二次清淨的 話，該隔離閥22僳關閉。該第二壓力開關32b或者該第二 針閥36b在關閉該隔離閥22十秒鐘之後僳關閉。然後，該 第一氣閥34a像開啓且該處理僳完成。如果該時間不超過 10秒鐘且該第二壓力開關（PS2) 32b不是開啓的話，僳有 10秒鐘的暫停。反之，如果該第二壓力開闢（PS2) 32b傷 開啓的話，該第三氣閥34c偽關閉，且該第一氣閥34a像 開啓·俥藉此完成該處理。 因此，完成該粒子取樣，該粒子取樣器10被解開而然 後粒子分析係實行。 據此*本發明藉箸安裝清淨条統在該取樣設備本身之 内來提供進步的粒子分析。 此外，根據本發明，藉著安裝一泵在該取樣設備本身 之内，該粒子取樣係在與該處理室之處理條件柑同的處理 條件下實行•俥藉此提供粒子的準確分析。 再者，由於取漾氣體至該處理室内的回流在該取樣期 間被預防，粒子取樣係在没有提供故障來源到該處理室中 的半導體元件之下來實行。 雖然本發明的較佳實施例業已被描述，熟知此項技術 之人仕可以了解的是在沒有離開本發明之真正範圍之下， 各種改變和變化傜可以達成，而且等效的元件偽可以被替 換。因此，本發明像傾向於不受到所掲露之特定實施例的 限制，而係傾向於包括落在後附之申請專利範圍之範圍内 的所有實施例。 ~19~ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -, -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) ,ιτ 經濟部中央標準局員工消費合作社印犁 A7 B7 五、發明説明（丨〇 ) 元件標號對照表 10 粒子取樣器 14 台 15 台 12 第一噴嘴 13 第二噴嘴 24 取樣埠 22 隔離閥 20 旋轉泵 28 排放埠 34d 前氣閥 39 手動閥 30a 第一電容計 32a 第一壓力開關 26b 清淨氣體源 32c 第三壓力開關 38a 第一調節器 34b 第二氣閥 36b 第二針閥 34c 第三氣閥 32b 第二壓力開關 30c 第三電容計 36a 第一針閥 34a 第一氣閥 26a 空氣供應源 38b 第二調節器 30b 第二電容計 34e 第五氣閥 50 機架 52 滾輪 54 支持座 58 旋鈕 56 LED-觸模螢幕 40 處理室 42 節流閥 46 旋轉泵 44 渦輪泵 -20 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
Claims (1)
- 經濟部中央橾率局負工消费合作社印装 A8 B8 C8 D8 '申請專利範圍 1·—種在半導鱧元件製造過程中的粒子取樣裝置，包含 —取樣管線，在該取樣管線上，一前氣閥、一粒 子取樣器、一隔離閥、一泵、和一JP放埠傜依序從一 取樣埠開始逢接； 漬淨管键，其像從一清淨氣髁源開始，並且在通 適一第二氣閥.之後分道出來，它們中的一傾通過一第 三氣閥並且被連接於該前氣閥與該粒子取樣器之間， 而它們中的另一艟通過一第一氣閥並且被連接於該隔 離閥與該泵之間； 一旁通管線，該旁通管線連接該隔離閥的前端和 後端並且包括一第五氣閥在其内；及 一用於控制該等氣閥、該隔離閥、及該泵之蓮作 的控制單元。 2. 如申請專利範圍第1項所述之粒子取樣裝.置，其中， 該取樣埠被連接至一真空室，半導體元件製造過程傜 在該真空室內實行。 3. 如申請專利範圍第1項所述之粒子取樣裝置，其中， 一第一電容計傜安裝於該隔離閥與該泵之間；一第二 電容計係安裝於該旁通管線的第五氣閥與該隔離閥的 前端之間；而一第^三電容計僳安裝於該第三氣閥與該 取樣器之前端之清淨管線的接點之間。 4. 如申諳專利範圍第1項所述之粒子取樣裝置，其中， 一手動閥進一步被連接於該前氣閥與該清淨管線之間 ·- 21 - 本纸張A度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） !:|--II (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 訂 申請專利範囷 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉率局員工消費合作社印蕈 5. 如申請專利範圍第1項所述之粒子取樣裝置，其中， —諏節器傺進一步連接於該清淨氣體供應源與該第二 氣閥之間。 6. 如申請專利範圍第1項所述之粒子取樣裝置，其中， —第一針閥和一第二針閥僳進一步分別安裝於該清淨 管線的接點，與該第一氣閥和該第三氣閥之間。 7·如申請專利範圍第丄項所述之粒子取樣裝置，·其中， 該取樣管線的泵是為一種旋轉泵，而且一渦輪泵僳進 一步安裝於該旋轉泵的前端。 8. 如申請專利範圃第1項所述之粒子取樣裝置，其中， 數値粒子取樣器侮並聯地安裝。 9. 如申請專利範圍第丨項所述之粒子取樣裝置，其中， 該粒子取樣器傜以垂直方式形成測量氣體的通路，並 且具有三階段結構俥可收集粒子。 10. 如申請專利範圍第9項所述之粒子取樣裝置，其中， 一過濾器偽進一步安裝於被連接至該取樣器之前端的 該清淨管線内部。 11. 如申請專利範圍第1項所述之粒子取樣裝置，其中， —第一壓力開關像安裝於該隔離閥與該泵之間；一第 二壓力開關僳安裝於該第三氣閥與該取樣器之前端的 接點之間；而一第三壓力開關俗安裝於該清淨氣醴供 應源與該第二氣閥之間。 12. 如申請專利範圍第1項所述之粒子取樣裝置，其中* -22 - 本紙張尺度逋用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐） --------— * > -. (請先聞讀背面之注意事項再填寫本筲) 訂 經濟部中央揉率局貝工.消费合作社印製 A8 B8 C8 ---- —_D8^_ 、申請專利範圍 該取樣管線、該清淨管線、旁通管線、和一控制單元 像共同地安裝在一可移動的滑車上。 13. —種驅動粒子取樣裝置的方法，該粒子取樣裝置包含 一取樣管線，該取樣管線具有從在一處理室前之取樣 埠開始依序成行地連接的一前氣閥、一粒子取樣器、 一隔離閥、和一第一電容計；清淨管線，其係經由一 第二氣閥來從一淸淨氣體供應源分割出來，該等清淨 管線中的一艏通過一第三氣閥、一壓力開鼸、和一第 三電容計，並且被連接於該前氣閥與該粒子取樣器之 間，而該清淨管線中的另一値通過一第一.氣閥並且被 連接於該隔離閥與該泵之間；及來自該隔離閥之前端 的旁通管線*該旁通管線通過一第二電容計和一第五 氣閥，並且被連接至該隔離閥的後端，該方法包含如 下之步驟： a) 藉著驅動該泵來保持該取樣管線的壓力低於該 處理室的壓力； b) 預先清淨在該取樣管線内部的清淨氣體； c) 停止該清淨氣體供應並且泵送它以致於在該取 樣管線内部的壓力被降低到低於標準壓力； d) 取樣粒子若干時間以致於該前氣閥被開啓而且 在一處理室内部的處理氣體通過該取樣器；及 e) 在關閉該前氣閥之後二次清淨清淨氣遷並且將 該清淨氣體通過該取樣管線内部。 14. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 -23 - 本紙張尺度逋用中國《家標準（CNS ) A4规格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注f項再填寫本筲) 訂 :,\ -W· A8'申請專利範圍 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印裝 方法，其中*該方法的a)步驟包含如下之步驟： a)藉著在該隔離閥、第一氣閥、第二氣閥、和第 五氣體傺關閉之下作動一泵來保持該第一電容計的壓 力下降到低於一預定壓力低；及 b>藉著開啓該第五氣閥來保持該第二電容計的壓 力下降到低於一預定壓力低。 15. 如电請專利範圍第丨4項所述之驅勤粒子取樣裝置的 方法，其中，在該a)和1>>步驟中，該第一和第二電容 計的預定壓力傜設定如500 BTorr 。 16. 如申請專利範圍第1 4項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，如：果該第一和第二電容計的壓力在若干 時間内不降低到低於一預定壓力的話，該第一和第二 氣閥被開啓，而且該粒子取樣過程停止。 17. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法•其中，該b)步驟像在該第五氣閥關閉、該隔離 閥開啓、及該第二和第三氣閥開啓之後實行。 18·如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該c)步驟傜在該第二和第三氣闕關睇， 且該第二電容計的壓力像設定低於標準壓力之後實行 0 19.如申請專利範圍第1 8項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法•其中*如果該第二電容計的壓力在該若干時間 内不到逹該檫準壓力的話，該c)步驟在該隔離閥藺閉 ，且該第一和第二氣閥開啓之後停止。 本紙張尺度逋用中困國家梯準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂'申請專利範圍 趣濟部中央揉率局員工消費合作杜印褽 20. 如申請專利範圍第i 3項所述之驅動粒子取樣装置的 方法*其中•該d)步驟進一步包含檢查在該處理室内 部之回流的步驟。 21. 如申請專利範圍第20項所述之顆動粒子取樣裝置的 方法，其中，在該處理室内部的回流最好係由該第三 電容計的壓力決定。 22. 如申請專利範圍第2 1項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，如果在該d)步驟中該回流傜出現的話， 該d)步驟傜停止。 23. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該e)步驟僳在該第二和第三氣閥於該前 氣閥關閉之後開啓一若干時間的同時實行一若干時間 0 24·如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，在實行該e)步驟和關閉該隔離閥之後，. 及如果經過一若干時間且該第二®力開鼸傜開啓的話 *該第三氣閥傜闋閉且該第一氣閥傜開啓俾完成該處 理0 25. 如申請專利範圍第2 4項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，在完成該處理之後，分割該粒子取樣器 及分析粒子的步驟僳進一步被加入。 26. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該泵、該隔離閥、和所有的氣閥僳手鼢 地作動。 -25 - 本纸張尺度逋用中國國家樑準（CNS ) A4规格（210x297公着） (.請先K讀背面之注f項再填寫本寊) 訂 ，A8 B8 C8'申請專利範圍 經濟部中夫揉率局負工消費合作社印*. 27 ·如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該泵、該隔離閥、和所有的氣閥傜自動 地作動。 28. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該泵係在該隔離閥、或者該前和第五氣 閥係開啓之下被聯鎖成不是蘭閉。 29. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該隔離閥在該前氣閥傷開啓或者該第二 和第三氣閥傜開啓時不被關閉，而且在該泵偽關閉時 被聯鎖成不被開啓。 30. 如申請專利範圍第i 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法*其中，該第一氣閥係在該隔離閥、或者該第五 氣閥、或者該第三氣閥傜開啓之下被聯鎖成不被開啓 0 31. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該第二氣閥傜在該前氣閥傜開啓之下被 聯鎖成不被開啓。 32. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該第三氣閥僳在該第一氣閥係開啓之下 被聯鎖成不被開啓。 33. 如申請專利範圔第1 3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法，其中，該前氣閥傜在該第一、第二、和第三氣 閥係開啓、該隔離閥僳鼷閉、或者該泵係開啓、該第 二電容計之壓力係比某標準壓力高、且該第二壓力開 -26 - 本紙張尺度逋用中國•家揲準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐)~~ -ΊΙ.Ί—ίII (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 A8 B8 C8 D8 中請專利範囷 閼像開啓時被聯鎖成不被開啓。 ----------- **> . (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 34. 如申請專利範圍第丨3項所述之驅動粒子取樣裝置的 方法•其中，該第五氣閥僳在該第二和第三氣閥僳開 啓、且該泵傜開啓時被聯鎖成不被開啓。 35. —種半導體元件製造糸統，包含： —處理室，半導體元件製造過程係在該處理室内 實行； 一真空管線，該真空管線包括一値被連接至該處 理室並且將該處理室保持真空的真空泵；及 一粒子取樣器，該粒子取樣器的取樣气被連接至 該處理室而其之排放埠被連接至該真空管線之真空泵 的後端*該粒子取樣器包含： 一取樣管線*在該取樣管線中，一前氣閥、一粒 子取樣器、一隔離閥、一泵和該排放埠係從該取樣埠 開始依序連接； 經濟部中央檩準局貝工消费合作社印装 一清淨管線，該清淨管線像從一淨氣體源開始 •並且在通過一第二氣閥之後分道，它們中的一櫥通 過一第三氣賊並且連接於該前氣閥與該粒子取樣器之 間，而它們中的另一鏑通過該第一氣閥並且連接於該 隔離閥與該泵之間； 一旁通管線，該旁通管線連接該隔離閥的前端和 後端並且包括一第五氣阚在其内；及 一用於控制該等氣閥、該隔離閥、以及該泵之蓮 作的控制單元。 -27 - 本纸張尺度逋用t國國家輮準（CNS ) A4规格（210X297公釐）36. 如申請專利範圍第3 5項所述之半導醱元件製造条統 ，進一步包含： 經濟部中央棣率局貝工消费合作社中製 一第一電容計，該第一電容計像安裝，於該隔離閥 與該泵之間； —第二電容計，該第二電容計像安裝於該旁通管 線的第五氣閥與該隔離閥的前端之間；及 一第三電容計，該第三電容計傜安裝於該·第三氣 閥與該粒子取板器之前端和該清淨管線的接點之間。 37. 如申請專利範圍第3. 5項所述之半導體元件製造条統 ，其中，在該粒子取樣器中之該取樣管線.的泵是為一 旋轉泵，而且一渦輪泵傜進一步安裝於該旋轉泵的前 端。 38. 如申請專利範圍第35項所述之半導體元件製造糸統 ，其中，數値粒子取樣器傺並聯地安裝。 39. 如申請專利範圍第3 5項所述之半導髏元件製造条統 *其中*該取樣管線、該清淨管線、該旁通管線、和 該粒子取樣器的控制單元像共同地安裝於一傭能夠控 制高度的可移動滑車上。 本紙張尺度逋用中國國家樑準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注項再填寫本頁)
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| US7647810B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-01-19 | Horiba Ltd. | Solid particle counting system with flow meter upstream of evaporation unit |
| US7647811B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-01-19 | Horiba Ltd. | Solid particle counting system with valve to allow reduction of pressure pulse at particle counter when vacuum pump is started |
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| US4928537A (en) * | 1988-12-06 | 1990-05-29 | Regents Of The University Of Minnesota | System for airborne particle measurement in a vacuum |
| US5206818A (en) * | 1991-09-19 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Fugitive emissions monitoring system including integrated fugitive emissions analyzer and source identifier |
| US5297432A (en) * | 1991-11-12 | 1994-03-29 | United Sciences, Inc. | Vacuum dilution extraction gas sampling method |
| IL115830A0 (en) * | 1994-11-03 | 1996-01-19 | Thermedics Detection Inc | Apparatus for collecting vapor or particles |
| US5827744A (en) * | 1995-11-06 | 1998-10-27 | Dade International Inc. | Method and apparatus for cleaning a liquid dispensing probe |
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|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |