JPH1114516A - パーティクルサンプリング装置とその駆動方法及びこれを適用した半導体素子製造システム - Google Patents

パーティクルサンプリング装置とその駆動方法及びこれを適用した半導体素子製造システム

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JPH1114516A
JPH1114516A JP10055383A JP5538398A JPH1114516A JP H1114516 A JPH1114516 A JP H1114516A JP 10055383 A JP10055383 A JP 10055383A JP 5538398 A JP5538398 A JP 5538398A JP H1114516 A JPH1114516 A JP H1114516A
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鎭 成 金
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空工程を行う工程チャンバーに影響を与え
ずにサンプリングガスを採取してパーティクルをサンプ
リングすることができるパーティクルサンプリング装置
とその駆動方法及びこれを適用した半導体素子製造シス
テムを提供すること。 【解決手段】 本発明は、サンプリングポートから第４
エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、
ポンプ及び排気ポートが順次的に配管連結されたサンプ
リングラインと、パージガス供給源から第２エアーバル
ブを経由した後分岐され一つは第３エアーバルブを経由
して前記第４エアーバルブとサンプラーの間に連結さ
れ、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バ
ルブとポンプの間に配管連結されるパージラインと、前
記分離バルブ前端と後端を連結し、第５エアーバルブを
含むバイパスラインと、前記各エアーバルブ、分離バル
ブ及びポンプの動作を制御する制御部とを備えることを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパーティクルサンプ
リング装置とその駆動方法及びこれを適用した半導体素
子製造システムに関し、より詳しくは真空工程（Vacuum
Process）が行われる工程チャンバーからインシトゥ
（in-situ）でパーティクルをサンプリングして分析、
評価できるようにしたパーティクルサンプリング装置と
その駆動方法及びこれを適用した半導体素子製造システ
ムに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体素子製造工程のために
は、非常に清潔な空間が必要であり、このような真空空
間が要求される半導体素子製造工程としては低圧化学気
相蒸着（LPCVD）、プラズマ化学気相蒸着（PECVD）、乾
式エッチング、スパッタリング、イオン注入工程等があ
るし、これらの各工程でも各工程設備の種類、工程ガス
によって発生する不良も多様である。特に、これらの各
工程空間で発生するパーティクルは半導体素子の不良誘
発に大きな影響を与え、後続工程にも大きな影響を与え
る。従って、工程空間で発生されるパーティクルを抑制
するためには工程空間で発生されたパーティクルの数や
成分を分析、評価してパーティクルの発生要因を迅速に
追跡してパーティクルの発生を抑制する必要がある。
【０００３】従来は工程空間で存在するか工程進行中発
生するパーティクルを分析するためには工程が完了され
た後ウェーハ上のパーティクル等ディフェックトをKLA
装備、SEM、SURFSCAN等を利用して分析した。従って、
工程進行中に発生されるパーティクルを工程進行中に見
ることができないのでパーティクル発生の原因を正確に
糾明できないという問題点があった。
【０００４】従って、工程進行中の工程空間内に存在す
るパーティクルを直接サンプリングして分析できる装備
が必要であり、このような装備としてインパクター（im
pactor）がある。インパクターは普通常圧下でパーティ
クルをサンプリングする装備であり図９に概略的な断面
図として図示した。
【０００５】図９を参照すると、インパクターと呼ばれ
るパーティクルサンプラー１０は工程チャンバー内のガ
スを矢印で表示された図面の左側の入口から右側の出口
に通過させながらガスの流れの方向に直角に設置された
ステージ１４、１５として切断されたウェーハの一部分
を配置してパーティクルを収集することである。前記パ
ーティクルサンプラー１０は２段の第１ステージ１４と
第２ステージ１５に構成され、前記各ステージの前方に
は第１ノズル１２と第２ノズル１３がお互い異なる直径
を有するように形成されている。
【０００６】従って、サンプラー１０の右側の出口を真
空状態にするとパーティクルを含有したサンプル空気が
第１ノズル１２を通過した後、第１ステージ１４に衝突
すると、サンプル空気の速度とパーティクルの質量によ
る慣性力によってパーティクルがステージ上に収集され
る。続いて、第１ステージ１４と衝突したサンプル空気
は第１ノズル１２の直径より小さな直径の第２ノズル１
３を通過しながら加速され第２ステージ１５に衝突す。
サンプル空気の速度が速い場合、より小さいパーティク
ルが衝突されステージ上に収集される。
【０００７】従来には前記パーティクルサンプラーを常
圧下でガスラインの評価のために使用したが、毒性ガス
に対しては使用できず、実際の使用ガスの代わりに窒素
ガスを流してパーティクルサンプリングを実施すること
もあった。
【０００８】一方、工程チャンバーとポンピングライン
の差圧を利用して真空工程でのパーティクルサンプリン
グを実施することもあった。これは工程チャンバーにサ
ンプリングポートを設置して、サンプリングポートから
遮断バルブ、パーティクルサンプラー及び遮断バルブを
順次的に配管連結した後、真空ポンプによる排気ライン
に連結してサンプリング空気を排気させるようにしたも
のである。この場合、工程チャンバーで真空工程が進行
される間にサンプリングしたい一定の時間の間前記遮断
バルブをオープンさせ前記パーティクルサンプラーにパ
ーティクルを収集した後、サンプラーを分離して収集さ
れたパーティクルを分析することになる。
【０００９】しかし、前記のように単純に工程チャンバ
ーにサンプリングポートを設置して望む時間の間にバル
ブをオープンさせサンプリングを実施する従来の場合に
は、特に工程チャンバー内で高真空のプロセスが進行さ
れる場合サンプリング中にサンプリング空気が工程チャ
ンバーの方に逆流し前記サンプラーに収集されたパーテ
ィクルが工程チャンバーに流入して工程不良を起こすと
いう問題点があった。
【００１０】また、パーティクルが収集されたサンプラ
ーは分析を経た後、再びパーティクルサンプリング設備
に装着して新しくパーティクルを収集するために使用さ
れるので事前に十分にパージ（purge）しなければなら
ない。しかし、サンプラーをパージした後、設備に再び
装着する間にサンプラー自体が再び汚染され得るのでパ
ーティクルに関する十分な分析が行われることができな
いという問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、装置
内部にパージシステムを設置すると共に工程進行中（in
-situ）での分析を可能とすることによりパーティクル
分析の信頼性、再現性を向上させたパーティクルサンプ
リング装置とその駆動方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は装置内部にポンプを設
置して、工程チャンバーとの差圧を適切に維持できるよ
うに構成したパーティクルサンプリング装置とその駆動
方法を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的はサンプリングガスが工
程チャンバーに逆流することを防止したパーティクルサ
ンプリング装置とその駆動方法を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は手動及び自動でパーテ
ィクルをサンプリングすることができるパーティクルサ
ンプリング装置とその駆動方法を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は本発明のパーティクル
サンプリング装置を適用した半導体素子製造システムを
提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明によるパーティクルサンプリング装置は、サン
プリングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサ
ンプラー、分離バルブ、ポンプ及び排気ポートが順次的
に配管連結されたサンプリングラインと、パージガス供
給源から第２エアーバルブを経由した後分岐され、一つ
は第３エアーバルブを経由して前記第４エアーバルブと
前記サンプラーの間に配管連結され、他の一つは第１エ
アーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの間
に配管連結されるパージラインと、前記分離バルブの前
端と後端を連結して、第５エアーバルブを含むバイパス
ラインと、前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前
記ポンプの動作を制御する制御部とを備えることを特徴
とする。
【００１７】前記サンプリングポートは真空下に行われ
る低圧化学気相蒸着、プラズマ化学気相蒸着、イオン注
入、乾式エッチング、スパッタリング等の半導体素子製
造工程が行われる真空チャンバーに連結され得る。
【００１８】前記分離バルブとポンプの間に第１圧力測
定計が、前記バイパスラインの第５エアーバルブと前記
分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、前記第３エ
アーバルブと前記サンプラーの前端のパージラインとの
合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置されていて
前記各バルブ及びポンプの動作を制御する基準になるよ
うにすることができる。
【００１９】前記第４エアーバルブと前記パージライン
との合流点の間に手動バルブをさらに設置して装置の安
全点検と手動操作を円滑にすることができるようにする
ことが望ましい。また、前記パージガス供給源と第２エ
アーバルブの間にレギュレーターを設置してパージガス
の供給量を調節することができるし、前記パージライン
の分岐点と前記第１エアーバルブ及び第３エアーバルブ
の間にそれぞれ第１ニードルバルブ及び第２ニードルバ
ルブをさらに設置してパーティクルサンプラーの前後で
のパージガス量を調節することができる。
【００２０】前記サンプリングラインのポンプはロータ
リーポンプであり、前記ロータリーポンプの前端にさら
にターボポンプを直列で設置し、高真空プロセス下での
パーティクルを円滑にサンプリングすることができる。
また、前記パーティクルサンプラーを複数個並列に設置
して真空工程で望む時間帯別にパーティクルをサンプリ
ングすることによりパーティクルの発生原因を正確に糾
明できるという点で望ましい。
【００２１】また、前記分離バルブとポンプの間に第１
圧力スイッチを、前記パージラインの第３エアーバルブ
と前記サンプラーの前端との合流点の間に第２圧力スイ
ッチを、前記パージガス供給源と第２エアーバルブの間
に第３圧力スイッチをそれぞれさらに設置して第１圧力
スイッチは前記ポンプの動作の有無を確認して、第２圧
力スイッチはパージの完了時点を判断して、第３圧力ス
イッチはパージガスの供給有無を確認できるようにす
る。
【００２２】前記サンプリングライン、パージライン、
バイパスライン及び制御部が移動式カート（cart）に集
合的に設置して使用できる。
【００２３】本発明の別の目的を達成するための本発明
によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法は、工
程チャンバーに連結されるサンプリングポートから第４
エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、
第１圧力測定計、ポンプ及び排気ポートが順次的に配管
連結されたサンプリングラインと、パージガス供給源か
ら第２エアーバルブを経由した後分岐され一つは第３エ
アーバルブ、圧力スイッチ及び第３圧力測定計を経由し
て前記第４エアーバルブと前記サンプラーの間に連結さ
れ、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バ
ルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージライン
と、前記分離バルブ前端で分岐され第２圧力測定計及び
第５エアーバルブを経由して前記分離バルブの後端に連
結されるバイパスラインとを備えるパーティクルサンプ
リング装置の駆動方法において、前記ポンプを駆動して
前記サンプリングライン内の圧力を前記工程チャンバー
より低圧に維持する準備段階と、前記サンプリングライ
ン内にパージガスを一定の時間、通過させプリパージ
（prepurge）する段階と、パージガス供給を遮断して前
記サンプリングライン内の圧力が基準圧力以下になるよ
うにポンピングする段階と、前記第４エアーバルブをオ
ープンさせ工程チャンバー内の工程ガスが前記サンプラ
ーを通過するようにして一定の時間の間パーティクルを
サンプリングする段階と、前記第４エアーバルブをクロ
ーズさせた後、前記サンプリングライン内にパージガス
を通過させポストパージ（postpurge）する段階とを備
えることを特徴とする。
【００２４】前記準備段階は、前記分離バルブ、第１、
第２及び第５エアーバルブをクローズさせた状態でポン
プを駆動させ前記第１圧力測定計での圧力が所定の圧
力、例えば５００mTorr以下になるようにする第１準備
段階及び、継続して前記第５エアーバルブをオープンさ
せ前記第２圧力測定計での圧力が所定圧力、例えば５０
０mTorr以下になるようにする第２準備段階に構成し
て、全体パーティクルサンプリングラインを次に準備さ
せ、各配管ラインのリークを検査することができるよう
にする。
【００２５】前記第１及び第２圧力測定計の圧力が一定
の時間内に所定圧力以下に落ちない場合に、前記第１及
び第２エアーバルブをオープンさせた後、パーティクル
サンプリング工程を中止させるようにしてサンプリング
の正確性を期することができる。
【００２６】前記プリパージ段階は第５エアーバルブを
クローズさせ、前記分離バルブをオープンさせ、前記第
２及び第３エアーバルブをオープンさせた後、所定時間
の間行い、前記ポンピング段階は前記第２及び第３エア
ーバルブをクローズさせた後前記第２圧力測定計の圧力
が基準圧力以下になるまで行うことが望ましい。
【００２７】前記第２圧力測定計の圧力が所定の時間内
に基準圧力に到達しない場合、前記分離バルブをクロー
ズさせ、前記第１及び第２エアーバルブをオープンさせ
た後前記ポンピング工程を中止するようにして測定の信
頼性を向上させることができる。
【００２８】前記サンプリング段階では前記工程チャン
バー内への逆流の有無をチェックする段階をさらに備え
るし、望ましくは前記工程チャンバー内への逆流は前記
第３圧力測定計の圧力によって判断できるようにする。
【００２９】前記ポストパージは前記第４エアーバルブ
をクローズさせた後、所定の時間経過後、前記第２及び
第３エアーバルブをオープンさせた状態で所定時間行う
ようにし、前記ポストパージ段階を行った後、前記分離
バルブをクローズさせた後、一定の時間が経過するか又
は前記第２圧力スイッチがオンされると前記第３エアー
バルブをクローズさせ、前記第１エアーバルブをオープ
ンさせた後工程を完了するようにする。
【００３０】前記ポンプ、分離バルブ及び全てのエアー
バルブはLCDを用いたタッチスクリーン（touch scree
n）を備える制御部で手動モード又は自動モードで操作
できるようにする。
【００３１】また、前記ポンプ、分離バルブ及び各種エ
アーバルブは相互にインターロック（inter-lock）され
るように構成される。即ち、前記ポンプは前記分離バル
ブ又は第４及び第５エアーバルブがオープンされた状態
ではオフさせられないようにインターロックされ、前記
分離バルブは前記第４エアーバルブがオープンされる場
合又は前記第２及び第３エアーバルブがオープンされた
場合にはクローズしないように、前記ポンプがオフされ
た場合オープンしないようにインターロックされ、前記
第１エアーバルブは前記分離バルブ又は第５エアーバル
ブ又は第３エアーバルブがオープンされた状態ではオー
プンしないようにインターロックされ、前記第２エアー
バルブは第４エアーバルブがオープンされた状態ではオ
ープンしないようにインターロックされ、前記第３エア
ーバルブは第１エアーバルブがオープンされた状態では
オープンしないようにインターロックされ、前記第４エ
アーバルブは第１、第２、第３エアーバルブがオープン
された場合、前記分離バルブがクローズされるかポンプ
がオープンされた場合、前記第２圧力測定計の圧力が所
定の基準圧力より大きい場合、及び前記第２圧力スイッ
チがオンされた場合にはオープンさせられないようにイ
ンターロックされ、前記第５エアーバルブは前記第２エ
アーバルブ及び第３エアーバルブがオープンされた場
合、前記ポンプがオープンされた場合ではオープンしな
いようにインターロックされている。
【００３２】また、本発明の別の目的を達成するための
本発明による半導体素子製造システムは、半導体素子製
造工程が行われる工程チャンバーと、前記工程チャンバ
ーに連結され工程チャンバーを真空に維持させるための
真空ポンプを備える真空ラインと、サンプリングポート
が前記工程チャンバーに連結され、排気ポートが前記真
空ラインの前記真空ポンプの後端に配管連結されるパー
ティクルサンプリング装置とを具備し、前記パーティク
ルサンプリング装置は、前記サンプリングポートから第
４エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バル
ブ、前記ポンプ及び前記排気ポートが順次的に配管連結
されたサンプリングラインと、パージガス供給源から第
２エアーバルブを経由した後分岐され、一つは第３エア
ーバルブを経由して前記第４エアーバルブと前記パーテ
ィクルサンプラーの間に配管連結され、他の一つは第１
エアーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの
間に配管連結されるパージラインと、前記分離バルブの
前端と後端を連結し第５エアーバルブを含むバイパスラ
インと、前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前記
ポンプの動作を制御する制御部とを備えることを特徴と
する。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例によるパ
ーティクルサンプリング装置の基本構成図である。
【００３４】前記パーティクルサンプリング装置は大き
くサンプリングライン、パージライン、バイパスライン
及び制御部で構成される。
【００３５】サンプリングラインはパーティクルをサン
プリングする時の実際のガス流れラインとして、低圧又
はプラズマ化学気相蒸着、乾式エッチング、イオン注入
又はスパッタリング工程などの真空工程が行われる工程
チャンバーに連結されるサンプリングポート２４からパ
ーティクルサンプラー１０、分離バルブであるＩＶ（Is
olation Valve；２２）、ロータリーポンプ２０を経て
排気ポート２８からなるサンプリングガスの流れライン
である。
【００３６】前記サンプリングポート２４は工程チャン
バーの特定位置に取り付け、取り外しが可能であるよう
に連結され、前記サンプリングポート２４とパーティク
ルサンプラー１０の間には第４エアーバルブであるＡＶ
４（Air Valve ４；３４d）と手動バルブ３９が順に設
置される。
【００３７】前記パーティクルサンプラー１０は図９で
示されるようにインパクターと呼ばれるパーティクル収
集装置として、工程チャンバーに連結されたサンプリン
グポート２４からのサンプリングガスを矢印で表示され
た図面の左側の入口から右側の出口に通過させながらガ
スの流れの方向に垂直に設置されたステージ１４、１５
から切断されたウェーハの一部分、例えば縦×横が１cm
×１cmである切断されたウェーハの一部分を配置してパ
ーティクルを収集する。
【００３８】前記パーティクルサンプラー１０は図９に
示されるように２段の第１ステージ１４と第２ステージ
１５で構成され得るし、図９の各ステージの前方に設置
される第１ノズル１２と第２ノズル１３と他の直径を有
する第３ステージ（図示せず）を含めて３段で構成でき
る。前記パーティクルサンプラー１０はサンプリングが
終了した後、サンプリングラインから取りはずされ分析
設備内に移動され、そこで収集されたパーティクルがSE
M，AES，EPMA等の装備によって成分、大きさ及び分布等
が評価される。分析が終わったパーティクルサンプラー
１０は再び組み立てられ次のサンプリング作業を行うよ
うになる。
【００３９】また、前記パーティクルサンプラー１０は
上述のように３段ステージの単一インパクターを使用す
る他に、適切なバルブを組み合わせて複数個のサンプラ
ーを並列に設置することにより、一つのインパクターを
取りはずしたときにもパーティクルサンプリングを連続
的に行うことや、真空工程で望む時間帯別にパーティク
ルのサンプリングを実施することができ、パーティクル
の発生原因を正確に糾明できるという点で望ましい。
【００４０】さらに、前記パーティクルサンプラー１０
は水平に設置して一定の気流が維持されるようにするこ
とが望ましく、各ステージ内には支持リング（図示せ
ず）を設置してサンプリングガスのリークを防止するこ
とが望ましい。
【００４１】前記分離バルブ２２はオンオフ機能のみを
行う断続バルブである。分離バルブ２２の代わりにガス
の流れ量を制御できるバルブを使用することができる。
【００４２】前記分離バルブ２２とロータリーポンプ２
０の間には第１圧力測定計であるＣＭ１（Capacitance
Manometer １；３０a）と第１圧力スイッチであるＰＳ
１（Pressure Switch １；３２a）が設置される。前記
第１圧力測定計３０aは０ないし１Torrまでの圧力を測
定することができるし、前記第１圧力スイッチ３２aは
特定圧力値、例えば７５Torrで作動することである。
【００４３】前記パージラインはパーティクルサンプリ
ング前後にサンプラー１０を含むサンプリング配管ライ
ンをパージガス、例えば窒素ガスを使用して洗浄するこ
とで、パージガス供給源２６bから出発して中間分岐点
で分岐して一つは前記サンプリングラインのサンプラー
１０と手動バルブ３９の間に配管連結され、他の一つは
前記サンプリングラインの分離バルブ２２とロータリー
ポンプ２０の間、より具体的には前記分離バルブ２２と
第１圧力測定計３０aの間に配管連結される。
【００４４】前記パージラインの分岐点以前に第３圧力
スイッチ（ＰＳ３）３２c、第１レギュレーター３８a及
び第２エアーバルブ（ＡＶ２） ３４bが順に設置されて
おり、サンプラー１０以前に連結されるパージラインに
は前記分岐点から第２ニードルバルブ３６b、第３エア
ーバルブ（ＡＶ３）３４c、第２圧力スイッチ（ＰＳ
２）３２b、第３圧力測定計（ＣＭ３）３０cが順に設置
されており、前記第２圧力スイッチ（ＰＳ２）３２bと
第３圧力測定計（ＣＭ３）３０cの間にフィルター（図
示せず）が設置されている。前記パージラインの分岐点
から前記ロータリーポンプ２０以前のサンプリングライ
ンとの合流点の間には第１ニードルバルブ３６aと第１
エアーバルブ（ＡＶ１）３４aが順に設置されている。
一方、前記パージラインと合流する他の配管はエアーバ
ルブを操作するためのもので空気供給源２６aから第２
レギュレーター３８bを経てパージラインと合流するよ
うになる。
【００４５】上述したように、前記第４エアーバルブと
前記パージラインとの合流点の間に手動バルブをさらに
設置して装置の安全点検と手動操作を円滑にすることが
できるようにすることが望ましい。また、前記パージガ
ス供給源と第２エアーバルブの間にレギュレーターを設
置することによりパージガスの供給量を調節することが
でき、前記パージラインの分岐点と前記第１エアーバル
ブ及び第３エアーバルブの間にそれぞれ第１ニードルバ
ルブ及び第２ニードルバルブをさらに設置することによ
りパーティクルサンプラーの前後でのパージガス量を調
節することができる。
【００４６】また、前記分離バルブとポンプの間に第１
圧力スイッチを、前記パージラインの第３エアーバルブ
と前記サンプラーの前端との合流点の間に第２圧力スイ
ッチを、前記パージガス供給源と第２エアーバルブの間
に第３圧力スイッチをそれぞれさらに設置して第１圧力
スイッチは前記ポンプの動作の有無を確認して、第２圧
力スイッチはパージの完了時点を判断して、第３圧力ス
イッチはパージガスの供給有無を確認できるようにす
る。
【００４７】一方、前記バイパスラインは前記分離バル
ブ２２を迂回する配管ラインとして、分離バルブ前端サ
ンプリングラインから出発して第２圧力測定計（ＣＭ
２）３０bと第５エアーバルブ（ＡＶ５）３４eが中間に
順に設置されている。
【００４８】前記分離バルブとポンプの間に第１圧力測
定計が、前記バイパスラインの第５エアーバルブと前記
分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、前記第３エ
アーバルブと前記サンプラーの前端のパージラインとの
合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置されている
ため前記各バルブ及びポンプの動作を制御するための基
準とすることができる。
【００４９】前記パーティクルサンプリング装置の各エ
アーバルブ、分離バルブ及びポンプ等を自動的に制御で
きる制御部が構成されているが図１には図示していな
い。
【００５０】図２は本発明の一実施例によるパーティク
ルサンプリング装置を高さの調節が可能な単一のカート
（cart）の形態に具体化させた図面である。
【００５１】図２を参照すると、基本構成は図１に図示
されたのと同じで、図１のパーティクルサンプリング装
置の構成部品を集合して一体化し六面体形状のプレーム
５０内に内蔵したもので、フレーム５０の下側にはロー
ラー５２が取り付けられて移動が便利になり、また支持
台５４を備えるためサンプリング装置を固定することも
できる。またフレーム５０の上側には取っ手５８を取り
付け、プレーム５０の上部面上にはパーティクルサンプ
ラー１０が装着される形状で構成し、上部面の取っ手５
８側にはLEDでできたタッチスクリーン５６が構成され
る。 前記タッチスクリーン５６でバルブ等の全てのア
クチュエーター（actuator）を手動または自動に調節で
きるように画面構成が行われる。パージガスはフレーム
５０の側面から供給されるように構成した。
【００５２】図３は本発明の一実施例によるパーティク
ルサンプリング装置を半導体製造工程システムに適用し
た一例を示す概略的な図面である。
【００５３】図３を参照すると、工程チャンバー４０の
下部に図１のサンプリングポート２４が結合されてお
り、サンプラー１０を経由してロータリーポンプ２０を
経て排気ポート２８を通じてサンプリングガスが排気さ
れる。前記サンプリング装置にはパージガス供給源２６
bからパージガスが供給される。
【００５４】一方、工程チャンバー４０の下段からスロ
ットル（throttle）バルブ４２、ターボポンプ４４及び
ロータリーポンプ４６が順に接続され工程チャンバー４
０内を望む真空度に維持するようにする。一方前記サン
プリング装置内のロータリーポンプ２０の前にターボポ
ンプ（図示せず）をさらに設置して真空システムの真空
圧力の均衡を図ることも可能である。
【００５５】一方、図１で示されたロータリーポンプ、
分離バルブ及び各種エアーバルブ等のアクチュエーター
は以下のようにそれぞれインターロック機能が設備され
測定の信頼度向上及び工程チャンバーにおいて進行する
工程の不安定を防止する。
【００５６】（Ａ）前記ロータリーポンプ２０は、前記
分離バルブ２２又は第４及び第５エアーバルブ３４d、
３４eがオープンされた状態では停止（オフ）しないよ
うにインターロックされている。
【００５７】（Ｂ）前記分離バルブ（ＩＶ）２２は、前
記第４エアーバルブ３４dがオープンされた場合又は前
記第２及び第３エアーバルブ３４b、３４cがオープンさ
れた場合にはクローズできないし、前記ポンプ２０が停
止（オフ）した場合オープンさせられないようにインタ
ーロックされている。
【００５８】（Ｃ）前記第１エアーバルブ（ＡＶ１）３
４aは、前記分離バルブ２２又は第５エアーバルブ３４e
又は第３エアーバルブ３４cがオープンされた状態では
オープンさせられないようにインターロックされてい
る。
【００５９】（Ｄ）前記第２エアーバルブ（ＡＶ２）３
４bは、第４エアーバルブ３４dがオープンされた状態で
はオープンさせられないようにインターロックされてい
る。
【００６０】（Ｅ）前記第３エアーバルブ（ＡＶ３）３
４cは、第１エアーバルブ３４aがオープンされた状態で
はオープンさせられないようにインターロックされてい
る。
【００６１】（Ｆ）前記第４エアーバルブ（ＡＶ４）３
４dは、第１、第２及び第３エアーバルブ３４a、３４
b、３４cがオープンされた場合、前記分離バルブ２２が
クローズされるかポンプ２０がオープンされた場合、前
記第２圧力測定計３０bの圧力が所定の基準圧力より大
きな場合及び前記第２圧力スイッチ３２bがオンされた
場合にはオープンさせられないようにインターロックさ
れている。
【００６２】（Ｇ）前記第５エアーバルブ（ＡＶ５）３
４eは、前記第２エアーバルブ３４b及び第３エアーバル
ブ３４cがオープンされた場合及び前記ポンプ２０がオ
ープンされた場合にはオープンさせられないようにイン
ターロックされている。
【００６３】次に図４乃至図８を参照して本発明のパー
ティクルサンプリング装置の駆動方法を詳しく調べてみ
る。本発明のサンプリング装置の駆動段階は大きく準備
段階、プリパージ段階、ポンピング段階、サンプリング
段階、ポストパージ段階及び工程完了段階に構成され
る。
【００６４】なお、ポンプ、分離バルブ及び全てのエア
ーバルブはLCDを用いたタッチスクリーン（touch scree
n）を備える制御部によって手動モード又は自動モード
で操作できる。
【００６５】図４は本発明の一実施例によるパーティク
ルサンプリング装置の駆動方法で準備段階でプリパージ
段階までの流れ図である。
【００６６】まず、図４を参照すると、第１エアーバル
ブ（ＡＶ１）３４a、第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４b
および第５エアーバルブ（ＡＶ５）３４ｅをクローズさ
せ、ロータリーポンプ２０を駆動（オン）させる。続い
て第１圧力測定計（ＣＭ１）３０aの圧力が５００mTorr
以下になると、第５エアーバルブ３４eをオープンさせ
る。この際、６０秒以上が経過しても第１圧力測定計３
０aの圧力が５００mTorr以下にならないとサンプリング
ラインのポンピングラインにリークが発生することに判
断して第１エアーバルブ（ＡＶ１）３４aと第２エアー
バルブ（ＡＶ２）３４bをオープンさせた後サンプリン
グ工程を中止する。
【００６７】一方、第５エアーバルブ３４eをオープン
させた後、第２圧力測定計（Capacitance Manometer;Ｃ
Ｍ２）３０bの圧力が５００mTorr以下になるとプリパー
ジ段階に移る。この際、６０秒以上が経過しても第２圧
力測定計（ＣＭ２）３０bの圧力が５００mTorr以下にな
らないとポンピングラインにリークが発生したものと判
断して第５エアーバルブ３４eをクローズさせ第１エア
ーバルブ（ＡＶ１）３４aと第２エアーバルブ（ＡＶ
２）３４bをオープンさせた後、サンプリング工程を中
止する。
【００６８】上述したように準備段階は、前記分離バル
ブ、第１、第２及び第５エアーバルブをクローズさせた
状態でポンプを駆動させ前記第１圧力測定計での圧力が
所定の圧力、例えば５００mTorr以下になるようにする
第１準備段階及び、継続して前記第５エアーバルブをオ
ープンさせ前記第２圧力測定計での圧力が所定圧力、例
えば５００mTorr以下になるようにする第２準備段階を
構成して、全体パーティクルサンプリングラインを次に
準備させることにより各配管ラインのリークを検査する
ことができるようにする。
【００６９】また、前記第１及び第２圧力測定計の圧力
が一定の時間内に所定圧力以下に落ちない場合には、前
記第１及び第２エアーバルブをオープンさせた後、パー
ティクルサンプリング工程を中止させるようにしてサン
プリングの正確性を期することができる。
【００７０】図５は本発明の一実施例によるパーティク
ルサンプリング装置の駆動方法でプリパージ段階からポ
ンピング段階までの流れ図である。
【００７１】プリパージ段階は第５エアーバルブ３４e
をクローズさせ、分離バルブ（ＩＶ）２２をオープンさ
せ、第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４bと第３エアーバ
ルブ（ＡＶ３）３４cをオープンさせた後行い、経過時
間がレシピー（recipe）で設定されたプリパージ時間に
達する時まで、継続して窒素ガスでパージをさせ、プリ
パージの時間を超過した場合ポンピング段階に移る。
【００７２】図６は本発明の一実施例によるパーティク
ルサンプリング装置の駆動方法での、ポンピング段階か
らサンプリング段階までの流れ図である。
【００７３】図５でプリパージが終了した後にポンピン
グし、第３エアーバルブ（ＡＶ３）３４cと第２エアー
バルブ（ＡＶ２）３４bをクローズさせた後、第２圧力
測定計（ＣＭ２）３０bが工程レシピーで設定した特定
の基準圧力以下になるとサンプリングを実施する。しか
し、経過時間が１８０秒を超えても基準圧力以下に落ち
ない場合にはポンピングラインにリークが発生したもの
と考え、分離バルブ（ＩＶ）２２をクローズさせ、第１
エアーバルブ３４a及び第２エアーバルブ３４bをオープ
ンさせサンプリング工程を中止するようにして測定の信
頼性を向上させることができる。
【００７４】上述したように、前記プリパージ段階は第
５エアーバルブをクローズさせ、前記分離バルブをオー
プンさせ、前記第２及び第３エアーバルブをオープンさ
せた後、所定の時間行い、前記ポンピング段階は前記第
２及び第３エアーバルブをクローズさせた後前記第２圧
力測定計の圧力が基準圧力以下になるまで行うことが望
ましい。
【００７５】図７は本発明の一実施例によるパーティク
ルサンプリング装置の駆動方法でサンプリング段階でポ
ストパージ段階までの流れ図である。
【００７６】前記サンプリング段階では工程チャンバー
内への逆流の有無をチェックする段階をさらに備え、望
ましくは前記工程チャンバー内への逆流は前記第３圧力
測定計の圧力によって判断できるようにする。
【００７７】すなわち、図７を参照すると、サンプリン
グは工程チャンバーに近接した第４エアーバルブ（ＡＶ
４）３４dをオープンさせた後、経過時間が工程レシピ
ーで設定したサンプリング時間を超えるとポストパージ
段階に移る。
【００７８】経過時間がサンプリング時間を超えなく工
程レシピーから工程チャンバーへのガスの逆流チェック
を選択すると第３圧力測定計（ＣＭ３）３０cの圧力と
工程レシピーで設定した特定の逆流比率（back stream
rate）とを比較する。前記逆流比率は基準圧力との関係
で算出することで、（基準圧力−基準圧力/比率）と表
せ、前記基準圧力と比率は工程レシピーで設定した値で
ある。
【００７９】一方、工程レシピーで逆流チェックを選択
しない場合には設定されたサンプリング時間に到達した
後、ポストパージ段階に移る。また、逆流チェックを選
択して第３圧力測定計（ＣＭ３）３０cの圧力が工程レ
シピーで設定した特定の逆流比率（back stream rate）
より小さくない場合にはサンプリング時間に到達するま
でサンプリングした後、ポストパージ段階に移るし、第
３圧力測定計（ＣＭ３）３０cの圧力が工程レシピーで
設定した特定の逆流比率（back stream rate）より小さ
い場合には逆流が発生したことと判断してサンプリング
を中断し、ラインに対してポストパージを実施する。
【００８０】図８は本発明の一実施例によるパーティク
ルサンプリング装置の駆動方法でポスト段階で工程完了
段階までの流れ図である。
【００８１】図８を参照すると、サンプリングが終った
後、第４エアーバルブ（ＡＶ４）３４dをクローズさせ
た後、１秒待機した後に第２エアーバルブ３４bと第３
エアーバルブ３４cをオープンさせる。前記のように一
定時間待機時間を与えることはガスの逆流を防止するた
めのものである。
【００８２】続いて、経過時間が工程レシピーで設定し
たポストパージ時間を超えた場合分離バルブ２２をクロ
ーズさせる。分離バルブ２２をクローズさせた後１０秒
が経過すると第２圧力スイッチ３２b又は第２ニードル
バルブ３６bがオフされ、続いて第３エアーバルブ３４c
をクローズさせ第１エアーバルブ３４aをオープンさせ
た後工程を完了する。 もしも経過時間が１０秒を超え
ない場合には、第２圧力スイッチ（ＰＳ２）３２bがオ
ンされない場合１０秒経過まで待つし、第２圧力スイッ
チ（ＰＳ２）３２bがオンされた場合には第３エアーバ
ルブ３４cをクローズさせ第１エアーバルブ３４aをオー
プンさせた後工程を完了する。
【００８３】以上で調べてみたようにパーティクルサン
プリング工程が終わるとパーティクルサンプラー１０を
設備から取り外した後、パーティクル分析評価を実施す
るようになる。
【００８４】以上で本発明は記載された具体例について
のみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が添付された
特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【００８５】
【発明の効果】したがって、本発明によれば真空工程の
進行中（in-situ）においてもパーティクル分析が可能
になるという効果がある。
【００８６】また、本発明によるとサンプリング装置自
身がパージシステムを具備するので、パーティクル分析
の信頼性を向上させる効果がある。
【００８７】また、本発明によると、サンプリング装置
内にポンプを具備することで工程チャンバーで行われる
工程条件と同一条件下でパーティクルサンプリングを行
うことができるのでパーティクルに対する正確な分析が
できるという効果がある。
【００８８】また、本発明によると、サンプリング過程
でサンプリングガスが工程チャンバーに逆流することを
防止するので工程チャンバーの半導体素子に対して不良
の原因等の影響を与えずにパーティクルサンプリングを
することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置の基本構成図である。
【図２】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置の単一カート（cart）形態に具体化させた図面
である。
【図３】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置を半導体製造工程システムに適用した一例を示
す概略的な図面である。
【図４】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置の駆動方法で準備段階でプリパージ段階までの
流れ図である。
【図５】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置の駆動方法でプリパージ段階からポンピング段
階までの流れ図である。
【図６】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置の駆動方法でポンピング段階からサンプリング
段階までの流れ図である。
【図７】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置の駆動方法でサンプリング段階でポストパージ
段階までの流れ図である。
【図８】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリ
ング装置の駆動方法で、ポスト段階から工程完了段階ま
での流れ図である。
【図９】本発明に適用される一般的なパーティクルサン
プラーであるインパクター（impactor）を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
１０ パーティクルサンプラー １２、１３ ノズル １４、１５ ステージ ２０ ロータリーポンプ ２２ 分離バルブ ２４ サンプリングポート ２６b パージガス供給源 ２８ 排気ポート ３０a-３０c 圧力測定計 ３２a-３２c 圧力スイッチ ３４a-３４e エアーバルブ ３６a、３６b ニードルバルブ ３８a、３８b レギュレーター ４０ 工程チャンバー ４２ スロットルバルブ ４４ ターボポンプ ４６ ロータリーポンプ ５０ フレーム ５２ ローラー ５４ 支持台 ５６ タッチスクリーン ５８ 取っ手
フロントページの続き (72)発明者 姜 聖 哲 大韓民国京畿道城南市盆唐区二梅洞金剛ア パート104−1606

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 サンプリングポートから第４エアーバル
    ブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、ポンプ及び
    排気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングライ
    ンと、 パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分
    岐され、一つは第３エアーバルブを経由して前記第４エ
    アーバルブと前記サンプラーの間に配管連結され、他の
    一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バルブと前
    記ポンプの間に配管連結されるパージラインと、 前記分離バルブの前端と後端を連結して、第５エアーバ
    ルブを含むバイパスラインと、 前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前記ポンプの
    動作を制御する制御部と、を備えることを特徴とするパ
    ーティクルサンプリング装置。
  2. 【請求項２】 前記サンプリングポートは半導体素子製
    造工程が行われる真空チャンバーに連結されることを特
    徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装
    置。
  3. 【請求項３】 前記分離バルブと前記ポンプの間に第１
    圧力測定計が、前記バイパスラインの前記第５エアーバ
    ルブと前記分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、
    前記第３エアーバルブと前記サンプラーの前端のパージ
    ラインとの合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置
    されていることを特徴とする請求項１記載のパーティク
    ルサンプリング装置。
  4. 【請求項４】 前記第４エアーバルブと前記パージライ
    ンとの合流点の間に手動バルブがさらに設置されること
    を特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング
    装置。
  5. 【請求項５】 前記パージガス供給源と前記第２エアー
    バルブの間にレギュレーターがさらに設置されることを
    特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装
    置。
  6. 【請求項６】 前記パージラインの分岐点と前記第１エ
    アーバルブ及び前記第３エアーバルブとの間にそれぞれ
    第１ニードルバルブ及び第２ニードルバルブがさらに設
    置されることを特徴とする請求項１記載のパーティクル
    サンプリング装置。
  7. 【請求項７】 前記サンプリングラインのポンプはロー
    タリーポンプであり、前記ロータリーポンプの前端にタ
    ーボポンプをさらに設置することを特徴とする請求項１
    記載のパーティクルサンプリング装置。
  8. 【請求項８】 前記パーティクルサンプラーは複数個が
    並列に設置されることを特徴とする請求項１記載のパー
    ティクルサンプリング装置。
  9. 【請求項９】 前記パーティクルサンプラーは測定ガス
    の入口に対して垂直に形成され、パーティクルを収集す
    ることができるステージが３段に形成されたことである
    ことを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリ
    ング装置。
  10. 【請求項１０】 前記サンプラー前端に合流するパージ
    ライン内にフィルターがさらに設置されることを特徴と
    する請求項９記載のパーティクルサンプリング装置。
  11. 【請求項１１】 前記分離バルブと前記ポンプの間に第
    １圧力スイッチが、前記パージラインの前記第３エアー
    バルブと前記サンプラーの前端との合流点の間に第２圧
    力スイッチが、前記パージガス供給源と前記第２エアー
    バルブの間に第３圧力スイッチがそれぞれ設置されてい
    ることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプ
    リング装置。
  12. 【請求項１２】 前記サンプリングライン、前記パージ
    ライン、前記バイパスライン及び制御部が移動式カート
    に集合的に設置されることを特徴とする請求項１記載の
    パーティクルサンプリング装置。
  13. 【請求項１３】 工程チャンバーに連結されるサンプリ
    ングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサンプ
    ラー、分離バルブ、第１圧力測定計、ポンプ及び排気ポ
    ートが順次的に配管連結されたサンプリングラインと、
    パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分
    岐され一つは第３エアーバルブ、圧力スイッチ及び第３
    圧力測定計を経由して前記第４エアーバルブと前記サン
    プラーの間に連結され、他の一つは第１エアーバルブを
    経由して前記分離バルブと前記ポンプの間に配管連結さ
    れるパージラインと、前記分離バルブ前端で分岐され第
    ２圧力測定計及び第５エアーバルブを経由して前記分離
    バルブの後端に連結されるバイパスラインとを備えるパ
    ーティクルサンプリング装置の駆動方法において、 前記ポンプを駆動して前記サンプリングライン内の圧力
    を前記工程チャンバーより低圧に維持する準備段階と、 前記サンプリングライン内にパージガスを一定の時間通
    過させプリパージ（prepurge）する段階と、 パージガス供給を遮断して前記サンプリングライン内の
    圧力が基準圧力以下になるようにポンピングする段階
    と、 前記第４エアーバルブをオープンさせ工程チャンバー内
    の工程ガスが前記サンプラーを通過するようにして一定
    の時間の間パーティクルをサンプリングする段階と、 前記第４エアーバルブをクローズさせた後、前記サンプ
    リングライン内にパージガスを通過させポストパージ
    （postpurge）する段階と、を備えることを特徴とする
    パーティクルサンプリング装置の駆動方法。
  14. 【請求項１４】 前記準備段階は、 前記分離バルブ、前記第１、第２及び第５エアーバルブ
    をクローズさせた状態で前記ポンプを駆動させ前記第１
    圧力測定計での圧力が所定の圧力以下になるようにする
    第１準備段階と、 前記第５エアーバルブを継続してオープンし前記第２圧
    力測定計での圧力が所定圧力以下になるようにする第２
    準備段階と、を備えることを特徴とする請求項１３記載
    のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
  15. 【請求項１５】 前記第１及び第２準備段階で前記第１
    及び第２圧力測定計の所定圧力は５００mTorrに設定す
    ることを特徴とする請求項１４記載のパーティクルサン
    プリング装置の駆動方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１及び第２圧力測定計の圧力が
    一定の時間内に所定圧力以下に落ちない場合に前記第１
    及び第２エアーバルブをオープンさせた後、パーティク
    ルサンプリング工程を中止させることを特徴とする請求
    項１４記載の前記パーティクルサンプリング装置の駆動
    方法。
  17. 【請求項１７】 前記プリパージ段階は前記第５エアー
    バルブをクローズさせ、前記分離バルブをオープンさ
    せ、前記第２及び第３エアーバルブをオープンさせた
    後、所定時間の間行うことを特徴とする請求項１３記載
    のパーティクル装置の駆動方法。
  18. 【請求項１８】 前記ポンピング段階は前記第２及び第
    ３エアーバルブをクローズさせた後前記第２圧力測定計
    の圧力が基準圧力以下になるように行うことを特徴とす
    る請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆
    動方法。
  19. 【請求項１９】 前記第２圧力測定計の圧力が所定の時
    間内に前記基準圧力に到達しない場合、前記分離バルブ
    をクローズさせ、前記第１及び第２エアーバルブをオー
    プンさせた後前記ポンピング工程を中止することを特徴
    とする請求項１８記載のパーティクルサンプリング装置
    の駆動方法。
  20. 【請求項２０】 前記サンプリング段階は前記工程チャ
    ンバー内への逆流の有無をチェックする段階をさらに備
    えることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサ
    ンプリング装置の駆動方法。
  21. 【請求項２１】 前記工程チャンバー内への逆流は前記
    第３圧力測定計の圧力によって判断することを特徴とす
    る請求項２０記載のパーティクルサンプリング装置の駆
    動方法。
  22. 【請求項２２】 前記サンプリング段階で逆流が発生し
    たと判断された時にはサンプリング段階を中止すること
    を特徴とする請求項２１記載のパーティクルサンプリン
    グ装置の駆動方法。
  23. 【請求項２３】 前記ポストパージは前記第４エアーバ
    ルブをクローズさせた後、所定時間の経過後、前記第２
    及び第３エアーバルブをオープンさせた状態で所定時間
    行うことを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサ
    ンプリング装置の駆動方法。
  24. 【請求項２４】 前記ポストパージ段階を行った後、前
    記分離バルブをクローズさせた後一定の時間が経過する
    か、又は前記第２圧力スイッチがオンされると前記第３
    エアーバルブをクローズさせ、前記第１エアーバルブを
    オープンさせた後工程を完了することを特徴とする請求
    項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方
    法。
  25. 【請求項２５】 前記工程が完了した後、前記パーティ
    クルサンプラーを分離してパーティクルを分析する段階
    をさらに備えることを特徴とする請求項２４記載のパー
    ティクルサンプリング装置の駆動方法。
  26. 【請求項２６】 前記ポンプ、前記分離バルブ及び前記
    全てのエアーバルブを手動で操作することを特徴とする
    請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動
    方法。
  27. 【請求項２７】 前記ポンプ、前記分離バルブ及び前記
    全てのエアーバルブを自動操作することを特徴とする請
    求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方
    法。
  28. 【請求項２８】 前記ポンプは前記分離バルブ又は第４
    及び第５エアーバルブがオープンされた状態では停止し
    ないようにインターロックされていることを特徴とする
    請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動
    方法。
  29. 【請求項２９】 前記分離バルブは前記第４エアーバル
    ブがオープンされる場合又は前記第２及び第３エアーバ
    ルブがオープンされた場合にはクローズできないように
    し、前記ポンプが停止した場合にはオープンしないよう
    にしてインターロックされていることを特徴とする請求
    項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方
    法。
  30. 【請求項３０】 前記第１エアーバルブは前記分離バル
    ブ又は前記第５エアーバルブ又は前記第３エアーバルブ
    がオープンされた状態ではオープンしないようにインタ
    ーロックされていることを特徴とする請求項１３記載の
    パーティクルサンプリング装置の駆動方法。
  31. 【請求項３１】 前記第２エアーバルブは前記第４エア
    ーバルブがオープンされた状態ではオープンしないよう
    にインターロックされていることを特徴とする請求項１
    ３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
  32. 【請求項３２】 前記第３エアーバルブは前記第１エア
    ーバルブがオープンされた状態ではオープンしないよう
    にインターロックされていることを特徴とする請求項１
    ３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
  33. 【請求項３３】 前記第４エアーバルブは前記第１、第
    ２、第３エアーバルブがオープンされた場合、前記分離
    バルブがクローズされるかポンプがオープンされる場
    合、前記第２圧力測定計の圧力が所定の基準圧力より大
    きい場合及び前記第２圧力スイッチがオンされた場合に
    はオープンしないようにインターロックされていること
    を特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリン
    グ装置の駆動方法。
  34. 【請求項３４】 前記第５エアーバルブは前記第２エア
    ーバルブ及び前記第３エアーバルブがオープンされた場
    合、前記ポンプがオープンされた場合ではオープンしな
    いようにインターロックされていることを特徴とする請
    求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方
    法。
  35. 【請求項３５】 半導体素子製造工程が行われる工程チ
    ャンバーと、 前記工程チャンバーに連結され工程チャンバーを真空に
    維持させるための真空ポンプを備える真空ラインと、 サンプリングポートが前記工程チャンバーに連結され、
    排気ポートが前記真空ラインの前記真空ポンプの後端に
    配管連結されるパーティクルサンプリング装置とを具備
    し、 前記パーティクルサンプリング装置は、 前記サンプリングポートから第４エアーバルブ、パーテ
    ィクルサンプラー、分離バルブ、前記ポンプ及び前記排
    気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングライン
    と、 パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分
    岐され、一つは第３エアーバルブを経由して前記第４エ
    アーバルブと前記パーティクルサンプラーの間に配管連
    結され、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分
    離バルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージライ
    ンと、 前記分離バルブの前端と後端を連結し第５エアーバルブ
    を含むバイパスラインと、 前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前記ポンプの
    動作を制御する制御部と、を備えることを特徴とする半
    導体素子製造システム。
  36. 【請求項３６】 前記パーティクルサンプリング装置
    は、前記分離バルブと前記ポンプの間に第１圧力測定計
    が、前記バイパスラインの前記第５エアーバルブと前記
    分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、前記第３エ
    アーバルブと前記サンプラーの前端のパージラインとの
    合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置されている
    ことを特徴とする請求項３５記載の半導体素子製造シス
    テム。
  37. 【請求項３７】 前記パーティクルサンプリング装置
    は、前記サンプリングラインの前記ポンプがロータリー
    ポンプであり、前記ロータリーポンプの前端にターボポ
    ンプをさらに設置することを特徴とする請求項３５記載
    の半導体素子製造システム。
  38. 【請求項３８】 前記パーティクルサンプラーは複数個
    が並列に設置されることを特徴とする請求項３５記載の
    半導体素子製造システム。
  39. 【請求項３９】 前記パーティクルサンプリング装置
    は、前記サンプリングライン、前記パージライン、前記
    バイパスライン及び前記制御部が高さの調節が可能な移
    動式カートに集合的に設置されることを特徴とする請求
    項３５記載の半導体素子製造システム。
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