TW387152B - Solar battery and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW387152B
TW387152B TW086110363A TW86110363A TW387152B TW 387152 B TW387152 B TW 387152B TW 086110363 A TW086110363 A TW 086110363A TW 86110363 A TW86110363 A TW 86110363A TW 387152 B TW387152 B TW 387152B
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TW
Taiwan
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photoelectric conversion
electrode
solar cell
layer
electrode layer
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TW086110363A
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English (en)
Inventor
Kazuo Nishi
Makoto Hosokawa
Yukihiro Isobe
Hideaki Ninomiya
Original Assignee
Tdk Corp
Semiconductor Energy Lab
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Description

經濟部中央標準局員二消f合作社印裳 A 7 B7 五、發明説明(/ ) 發明說明: 已知可使用無定形矽膜以構成太陽能電池•這種使用 無定彩矽膜之太陽能電池係,具有生產性佳、薄且重量輕 之優點。因龁,這種太陽能電泡係甬於fF爲掌上型計算機 及手錶等擷帶型機器的笔源· 特別是,若在手錶中安裝太陽能電浊1由於將產生不 泻交換電泡的優點,因此其對於石英錶的普及實具有極大 的貢獻。 然而,若將一般形狀的太陽能電池安裝在手錶上,由 於在設計上將受到限制,故不僅會造成外觀變差,同時會 產生整個手錶的尺寸變大的問題點。因此,已有人嘗試著 將形狀可吻合手錶的文字盤之太陽能電池組裝在手錶內 (曰經BUSINESS,1996年3月18日,第71〜73頁)。 然面,這種太陽能電泡係,不僅製造成本比習知之太 陽能電池高,且會產生可靠性不佳的問題。 又,爲了提高太陽能電池的生產性,目前已可採周藉 由£P刷以形成電極的技術, ^ 圖la係顯示具有使甬印刷法所形成的電極之太陽能 電池的部分搆造之斷面圖,然而*圖由所示之太陽能電 泡,係屬於令光從形成有先電變換層之面(裝置的表面) 側入射之型式。 圖la中,100代表玻璃基板、1鏽鋼基板或樹脂基 板等基板,1〇1代表例如鋁所形成之第1電極,102代表 甶基板100側起依ΡΜ-Ι§ί·Ν型或Ngl-I型-P型之順序積 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(2 ) 層出之無定彤矽構成的光電變換層,103代表作爲光入 射面側的電極之ITO所構成的第2電極,1 04代表使甩印 刷法矫形成盅之輸出電極。 印刷法係,一般爲將球肤、葉卷狀或橄欖球跃的金屬 粒子所搆成之導電村料分散於膠粘劑中以形成導電膠,並 將該導電膠印刷成既定的圖形。 在私民如lit般之可直接形成圖彩的筇刷法之場合,雖 然具有可簡化電極的製造步驟之優點,但對所印刷的部分 之局部將施加會產生問題的程度之壓力。此壓力係,特別 會集中在絰分散的導電材料所存在之部分。 圖la所示之構成中,ITO膜(第2電極103)係,並非 特別的強硬堅固,且僅具有數千埃以下的厚度。又,其表 面彤成有相當程度的凹凸。且,構成光電變換層102之無 定形矽乜不是很堅硬。 因此,基於別時局部之壓力集中,將對光電變換層 102的局部施加高的壓力。結杲,將在光電變換層102上 產生裂縫等損傷,有時將造成導電膠中之導電枋料侵入該 裂縫等的內部。圖lb係顯示此種狀態,105代表在此號 態下所形成的短路路徑》若形成如此般的短路路徑1〇5, 則將造成第1電極101與第2電極103間之短路,而將導 致無法發擇所有的作爲太陽能電泡的機能。 如上所述般,若使用印刷法以製造電極,雖然可謀求 步驟之簡S化,但會使得光電變換層受到損傷,且易產生 芾以夾住先電變換層之第1及第2電極間的短路。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A·!規格(2丨0 X 297公釐) --d-------裝------訂---^----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(3 ) 因此,本發明的目的係,提供一種可低成本迪製造出 且具有高可靠性之手錶用太陽能電池,及其製造方法。 本發明的另一目的係,提供一種可簡化生產步驟同時 具有高良品率之太陽能電泡,及其製造方法/ 爲了達成上述目的,本發明係提洪一種太陽能電泡, 其爲既定形跃的平面型太陽能電池,係具備:將該罕面分 割所形成之複數個光電變換元件;複數儒導電路,鄰接於 複數個光電變換元件而分別設置著,而,吊以使得各光電變 …換元件彼此形成串聯連接;及2個外部引出電極,分別與 位於形成串聯的光電變換元件的兩端之2光電瓣換元件 ~相連接,且設置於光電樊捵元件的光照射面之相對側的面 上》 依此構成,由於將甩以取出輸出之電極部分設置在光 照射靣6勺相對側上,故可簡化周以输出之输出部的構成。 又,亦可.使得進行梵電樊換的面積影成最大限。結杲,可 低成本地製造出安裝在手錶上之太陽能電池,且所得的太 陽能電浊具有高可靠性。 較佳之狀態爲,各允電變換元件係具備:基板、積層 於該基板上之第1電極層、積層於該第1電極層上之光電 變換半導體層、及積層於該光電變換半導體層上之透光性 第2電極層;且2外部弓丨出電極之一係達接一端的光電變 換元件之第2電極層,而另一外部引a電極係連接另一端 的光> 電變換元悴之第1電極層。 鉸诖之狀態爲•另具窗第1貫通狹縫,而吊以使得第 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CN'S )八4規格(210X297公釐广 -m - - ii''·-— --- 11 ― - ^m— _ I - ----- -1- ·^nt ' - - I i、一OJ1·— mu I ---- -i - -I —ί—I (请先閱讀背面之注意事項再填驾本頁) , 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ΑΊ B7 五、發明説明(仏) 2電極看與一外部引出電極形成電導通。 較佳之狀態爲,第1貫通狹縫之形成位置係,位於用 以使得第i電極層及光電變換半導體層的一部分與其他 部分彩或絕緣的區域。 較佳之狀態爲,另具備第2貫通狹縫,而用以使得第 1電極層與另一外部引出電極形成電導通。 較佳之狀態爲,該太陽能電泄爲圖形者,祓數個光電 變換元件係將該圓形的平面朝放射方向分割所形成之複 數個扇形的光電變換元件。 較佳之狀態爲 '複數倜導電路及2外部引出電極係設 置在複數個光電變換元#之舛周郜。 較佳之狀態爲,該太陽能電池爲多角彤者,複數個光 電變換元件係將該圓彩的平面朝放射方向分割所彩成之 複數個三角影的光電變換冗件,複數個導電路及2外部引 出電極係設置在複數個光電變換元件之外周部。 較佳之跃態爲,該太陽能電池爲矩形者,複數個光電 變換元#係將該圓形的平面朝縱方向分割所彤成之複數 個矩肜έ的光電變換宂怦,複數fi導電路係設在複数個光電 變換元件間,2件部引绝電極係設在位於兩端的光電變 換元俘之於側。 較佳之狀態爲,各光鼋變換元件係具備.:基扳、稹層 於該基板上之第1電極層、積層於該第1電極層上之光電 變換半導體層、積層於部分該光電變換半導體層上之樹脂 層、積層於先電變換半導體層上及樹脂層上之透光性第2 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2! Ο X 297公釐) ^ 枯衣 .—-訂 备 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標嗥局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(t ) 電極層、及積層於存在有樹脂,罾的部分之該第2電極層上 之第3電極層。 較洼之狀態爲,光電變換半導體層係甶PIN型之非單 結晶矽膜珩構成,第2電極層係S ITO膜所構成, 較疰之狀態爲,笫1電極層係由鋁膜所構成,笫3電 極層係由將金屬粒子分散於膠粘劑中所得之導電膠膜所 構成。 較佳之狀態爲,外部引出電極係,S將金屬粒子分散 於膠粘劑中所得之導電膠膜所構成。 本發明亦提拱一種太陽能電池,係具備:第1電極廢; 積層於該第1電極層上之光電變換半導體層;積層於部分 該光電變換半導體層上之樹脂層;積層於光電變換半導體 層上及樹脂層上之第2電極層;及積層於存在有樹脂層的 部分之該第2電極層上之第3電極層‘。 依犹搆成,就算在藉由印刷法以在光電變換元伶的上 部开彡成電極之場合,亦可有效地防止光電變換元件之受到 損傷。而珂在高良品率下製造出太陽能電池, 較佳之狀態爲,光電變換半導體層係囱PIN型之非單 結晶矽膜所構成。 較佳之戕態爲,第2電極層係由ITO膜所搆成。 較洼之肤態爲,第1電極係囱鋁膜所搆成= 鉸佳之狀態爲,第3電極層係,由將金屬粒子分散於 膠粘劑中所得之導電膠膜所構成。 鲛佳之犹態爲,外部引岀電極係,甴將金屬粒子分散 7 本紙張尺度適用令國國家橾準(CNS ) A4規格(2丨) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 B7 五、發明説明() 於膠粘劑力m得之導電膠膜所構成。 本發玥另提供一種太陽能電池之製造方法,係具備: 在基板上積層第1電極層之步驟:在該第1電極層上積層 光電變渙+導體層之歩驟;在部分該光電變換宇導體層上 積層樹脂層之步騾:在光電變換尘導體層上及樹脂層上積 層第2電極層之步驟:及在存在有樹脂層的部分之該第2 電極層上選擇性地稹層第3電極層之步驟。 詨佳之狀態爲,允電變換半導體層之積層步驟係,將 PIN型非單結晶矽膜積層之步驟》 較厓之狀態爲,第2電極層之積層步驟係,將ITO膜 積層之歩驟;第1電極層之積層歩驟係,將鋁膜積層之歩 驟;第3電極層之積層步驟係,將金屬粒子分散於膠粘劑 中所得之導電膠膜部分地形成之步驟= 2係將本發明的一實施形態之配置在手錶旳文字 盤上之太陽能電池由上面看起之平面圖。圖中之太陽能電 池係,使局厚70 // m之可撓性樹脂膜以作爲基板= 圖中,200、201、202、203等4區域分別代表1 具有光電變換機能之光電變換元件。各光電變換元f牛之搆 造爲,自基板側起依序積層出第1電極、以N型-I型-P型 的順序積層岀之光電變換層、第2電極。這4個光電變換 元泮200、201 ' 202、203係,串聯在一起,而係藉由 後述之外部引出電極312(圖3h)及512(圖5)以输岀光電動 勢。 4個光電變換元俘200、201、202、203係,藉由交 _8__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(210X297公釐} ^ —1 裝 n 訂 , 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(q) 叉成十字狀之線204及205的部分以分隔開來。此分隔係 藉由使用雪射光之切斷(稱作雷射畫線)以違行之。 lit太陽能電池係,在最後步驟時,藉由照射雪射光或 機械之沖涊以彩成具有圓髟的外周緣206之外影, 虛線207係,顯示各光電變換元俘200、20 1、202、 203的舛周部所存在的位置。龀外周部207係,如後述之 圖3d及圖4d所示般•藉囱雷射畫線以髟成岀。既芥周部 207與太陽能電池的外周緣206間之環狀區域係,未具有 太陽能電池機能之區域。 虛線208,係顯示各光電變換元伴的第2電極(光入射 側之透明電極)被選擇性地切斷之位置。龀切斷位置係., 如後述之圖3c及圖4c所示般,藉虫雷射畫線以形成出。 這些切斷位置207及208係,具有閉環狀的軌跡,亦 即,形成將切断起始鞴與終了鳙連箱在一起之環形* 圖3 圖3h係,將圖2的實施彤態之太陽能電池的製 造步驟以III-III線的斷面表示之。亦即,顯示朝外部的輸 tB電極(正側電極)的部分之製造步驟, 又,謹4a〜M 4g係,將_2的實施影態之太陽能電池 的製造步驟以IV-IV線的斷面表示之。亦即,顯示光電變 換元伴200舆光電變換元件203的蓮接位置部分之製造步 又,在這些圖中,包含薄膜的厚度等經縮小的尺寸係 與實際的相對關係完全無關。 本實施形態.中,係使苗PEN(聚萘酸乙二黯)薄膜以作 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX 297公釐) --J-------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(》) 爲基沒300。担除了 PEN以舛,亦可使闬例如PET(聚對 苯二甲酸乙二醇酯)等各種既知的工業周塑膠材料,| · 亦百度闬玻璃基板或金屬基板, 以下所示之各步猱,在最終歩霖後之形成圔面圖 所示之外観形狀爲止,係對於數十m〜數百m之長尺狀的 基板以連續地進行之。且在最終步驟時,係形成圖2所示 的外觀彩狀,在龀連續步驟中,係將長尺狀的基板捲在一 端的滾子上,而在將其朝另一端的滾子捲取之過程ώ,係 進行成膜、印刷、各種烘烤及雷射畫線等各步驟》 首先,如圖3a及圖4a所示般,在基板300上積靥鋁 電極301,在其上方再積層光電變換層302,該光電變換 層302係藉白從基板300側起以N型-I型-P型的順序積層 出之半導體所構或。鋁電極301之成膜係,藉由噴濺法以 進行之。又,光電變換層302之形成係,其各層皆是藉a 電漿C.VD法以進行成膜。 其次,藉由印刷法以形成第1樹脂層303及304(403 及404卜這些樹脂層的形成也是,使周大型的模版,而對 於長尺软的薄獏基板係連續地進'行之。lit時,樹脂層 3 03(404)係,設置在對.應於圖2的外周緣207之環狀區域 (之後泻以形成切斷芾狭縫307(407)的部分)。又,樹脂層 3 03 (404)係,設置在輿圖2之切斷位置208所示旳画柜對 應之環犹區域(之後用以髟成切斷甬狹縫306(406)的部 分)。如此般以得tB圖3a及4am示之構造。 接著藉甴噴濺法,以對透明電極之ITO電極305施加 1 0 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1 ^—f 1 ^ . '^冬 . * 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -、. 經滴部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(?) 全面地成m,κ ιτο膜之成膜也是,對於捲取在滾子上之 長尺狀的薄獏基板係連續地進行之。如lit般以得出圖3b 及4 b m示之構造, 接著藉由照射雷射光以進行切斷。此步驟亦稱作雷射 晝線步驟。此步驟係,掃瞄點徑80 rn之YAG雪射,# 藉由照射以將所需的層切斷。 此處•係藉虫雷射畫線以選擇性地進行ITO膜305的 切斷。此步驟係將ITO膜305切斷,以形成狹縫306(406)(參 照圖3c及圖4c)。此狹縫306(406)係如圖2之切斷位置2〇8 所示般之形成環狀。 在照射用以形成狹縫306(406)之雷射光時,作爲其底 層之樹脂層304(404)的存在乃是相當的重要。若未存在樹 脂層304(404),基於雷射光的輸出之分布不均等,有時雪 射光將照射至光電變換層302爲止。而在更極箱的場合· 有時狹縫之深度將到達鉬電極301。 在切斷位置208的下部,將光電變換層3 02铝斷竝石 致產生任何問題,肽乃基於,位於圖周外倒的光電變.換層 益不厓具置光雪變換機能。然而,在雷射光到達鋁電極 301 Ζ場台,有時將導致透明電極30 5與鋁電極301間產 生短路》亦那*藉由雷射光的能暈,會將構成鋁鼋極301 的材料溶题· f使該Μ輯延#至透明電極305,面具有霜 電極間產生短路之可能性。由於透明電極305與鋁雪極 301僅柜邁i#m左右,故lit時兩電極間產生短路的可能 性拒當高, 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) ΐ H 裝 ϋ訂 1— ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明() 又,若雪射光的照射能量過強,丙將鋁電極301完全 地沼斷時,則有可能造成光電變換元伴按跎間無法彩成電 導逼5 方芄·在圍2之IV-IV線所示之斷靣部分(圊4a〜圖4g 所示之浙面部分),若在ITO電極305之切斷位置20 8的T 部,蒋鋁電極301完全地钫斷,則光電變換元# 200與光 電變換元俘203間無法影成電導通。又,就算在ITO電極 305之切斷位置208的下部,鋁電極30 1並未完全地切斷, 若該部分係經由雷射光的照射而受到損傷,則將導致光電 變換元件彼此間之接觸不良或接觸電阻的增加。 本實施形態所示之搆造中,藉由設置樹脂層404,而 使得雷射允不致照射至鋁電極301。因此,即可避免透明 電極305與鋁電極301間產生短路。又,同時可防止鋁電 極301之.被切斷、損傷等。·如龀即可大幡地提高製造上的 良品率,而得岀圖3c及圖4c所示之構造。 其次,將雪射光的輸岀調高成比用以彤成上述狹縫 306(406)之雷射晝線時爲高,以再度進行雷射畫線。在此 步驟,係影成狹縫307(407)與狭縫308(參照圖3d與圖 4d” 甴這些圖可明顳地看出,在此步驟,係將雷射光的照 射條ί牛設定成,狹縫307(407)舆狹縫308之底部到達基板 300內。又,在形成這些狹縫307(407)與狹縫308時,将 雷射光之照射條伴設定成彼既相同亦可。 狹縫30 7(407)係,如圖2之切斷泣置207所示般之彩 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Λ4規格(210X297公釐) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------.Τ 線--- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____ B7_______ 五、發明説明(II ) 成環狀。 狹縫308係,形成於用以設置外部引迅電極區域之周 而用以切斷電極3 0 1 .,赴;狹縫3 0 8係與狹縫3 0 7相 達結,被狹縫3〇7與30S所圍繞之鋁電極301的一部分(封 閉區域,在此封閉區域內形成後述之貫通狭縫3〇9)係,在 其周圍形成完全絕緣般。 在狹縫307(407)及308形成時,藉白第1樹脂層 3 03(4〇3)及3〇4之存在,即可防止鋁電極301與110電極 305間產生短路=亦即,若未存在樹脂層3〇3+(4〇3)及3〇4, Η於鋁電極301與ITO電極305距離很近,故基於鋁電極 之溶融常會使得雨電極間產生短路。 如此以得出圖3d及圖4d所示之構造· 接著,藉由照射雷射光以彤成圖36所示之貫通狹縫 309。Ifc貫通狹縫309係,穿透至圖2中312所示之位置 的裡面。此狹縫309爲,在最終之連接於基板300的裡面 側之引出電極形成時,係用以作爲導電路313,而在該.狹 縫3 09的位置上形成外部引出電極》 之後,如圖3f及圖所示般,彤成第2樹脂層31 0(4 10) 及3 11 (4 1 1) »樹脂層3 10( 4 1 0)及3 11 ( 4 11)係.伴演著使兩 樹脂材料以充塡狹縫306(406)、307(407)及3〇8的角色。 又,對於彤成於其上方之接觭電極,亦具有作爲接觸電極 的底層之層間絕緣膜的效果。 這些第2樹脂層310(410)及31 1(411)也是藉由印刷法 以形·成。 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4规格(2丨0X297公釐) I ^ I I I I I I I ――訂 I I i ―― I 線 (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(|X ) 接著,如圖3g、圖4f、後述之圖5及圖6所示般, 使周銀膠以形成接觸電極209、210、211、212及213。 這些接觸電極也是藉由筇刷法以形成出。各接觸電極 209 ' 210、211、212及213的位置係,如圖2所示般。 且·在圖4f所示的狀態下,對於箭頭412所示的部分 進行雪射光的照射,以彩成用以使得鋁電極301與接觸電 極209電導通之導電路413。此步騾係,在形成接籐用狹 縫之同時,藉虫令接觸電極209的銀膠與鋁電極301 —起 溶融,以彩成闬以使得兩者電導通之導電路413 =如龀般 之步驟爲所謂雷射結合。 藉跎,以完成圖4g所示般之圖2之IV-IV線所示的斷 面。亦即,藉甶雷射結合,以使得光電變換元件203之鋁 電極301與連接在光電變換元件200的ITO電極上之銀膠 圖形(接觸電極)209形成電導通》 結果,以得氐光電變換元件203與光電變換元件200 形成串聯連接的狀態。其等之連接位置係,另有3個位置。 依此蓮接構造,即可形成依序將各光電變換元ί牛串聯連接 之構造 另一方面,ΙΙΙ-ΙΙΙ所示之斷面係,如圖3g及圖3h所 示般,在藉由銀謬以形成接觸電極211後,在裎靣側藉由 銀膠以菸或接篛電極3 1 2,該接觸電極3 1 2也是藉白卸刷 法以影成出。該接觸電極312係,介甶導電路313(基於形 成於貫通狹縫之銀膠 > 而與接觸電極211形成電導通;因 此,係與充電變換元ί牛202之ITO電極305彩成電導通。 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 种各 I訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 亦即,在《2所示的面之相對側的面上所形成之接腾 電極3 Γ2,係構成光電變換兀件2 〇 2 (參照圏2)的IT 0電極 305(參照圖3h)之引出電極。 該ITO電極30 5係’與光電變換亢ί牛202的光入射側 之Ρ型半導體層相接觸,因此,接觸電極3 Γ2係構成甩以 輸出正側電位之引出電極° 圖5係顯示圖2的實施形態的太陽能電泡的構造中之 V-V線斷靣。圖6係顯示圖2的實施彩態的太陽能電池的 構造中之VI-VI線斷面。在此部分,係形成光電變換元件 2〇1的Ν型半導體層之引出電極(負電位側的電極)。 如圖5所示般,介由導電路513而與鋁電極3〇1(光電 變換元件201之鋁電極)形成電導通之銀膠構成的接觸電 極(引出電極)5 1 2係,彤成在基板300的裡面側。 爲了使得鋁電極3〇1與引出電極51 2形成確實地電導 通,故VI.VI所示之斷面係具有圖6所示般的構造》亦即, 其構造爲,利闬雪射結合以在61S所示的位置形成接點。 詳而言之,其構造爲,鋁電極301與銀膠構成的接觸電極 21 3係,介甴導電路613以彤成電導通。 最後*對於以長尺狀的薄膜作爲基體所彤成之多數個 太陽能電迪,藉由機械沖切以得出各個太陽能電泡,亦 即,得呂外觀如圖2所示般之多數個太陽能笔池, 如既般,圖2所示之太陽能電池之構造爲,自光電變 換元件202的P型半導體層之引出電極312(參照圖3h, 存在於電極2 i 1的裡面側)與光電變換元件2 0 1的N型半 _________. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ! I ^ n n n I ! I —. I i 訂 I i I I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7 一 五、發明説明(叫) 導體層之引出電極51 2(參照圖5,存在於電極213的裡面 側)以輸出光電動勢。 圖7係將本發明的另一實施形態之配置在手錶的文 字盤上之太陽能電池由上面看起之平面圖。圖中之太陽能 電池係,使用厚70 m之可撓性樹脂膜以作爲基板。 圖中,700、701、702、703等4區域分別代表1 具有光電變換機能之光電變換元伴。各光電變換元伶之構 造爲,自基板側起依序積層出第1電極、以N型-I型·Ρ型 的順序積層出之光電變換層、第2電極。這4個光電變換 元件700、701、702、703係,串聯在一起,而係藉由 後述之外部引出電極812(圖8h)及1012(圖10)以输出光電 動勢。 4個光電變換元件700、701、702、703係,藉由交 叉成十字狀之線704及705的部分以分隔開來。此分隔係 藉由使用雷射光之切斷(稱作雷射畫線)以進行之。 此太陽能電池係,在最後步驟時,藉由照射雷射光或 機械之沖切以形成具有圓彤的外周緣706之外形》 虛線707係,顯示各光電變換元件700、701、702、 703的外周部所存在的位置》此外周部707係,如後述之 圖及圖9d所示般,藉由雪射畫線以形成出。此外周部 707與太陽能電池的外周緣706間之環狀區域係,未具有 太陽能電池機能之區域》 虛線708,係顯示各光電變換元件的第2電極(光入射 側之透明電極)被選擇性地切斷之位置。此切斷位置係, __16___ 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS〉A4規格(210X297公釐) ! II }| 打 I 線 (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部_央標隼局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(d) 如後述之圖k及圖9c.所示般,藉白雪射晝線以形戎出。 這些切斷位匿707及708係,具有閉環狀的軌跡,亦 即,彤成將切斷起始端與終了端連結在一起之環彩, 圖Sh係,將圖7的賨施髟態之太陽能電泡B勺製 造步驟以VIII〜VIII線的斷面代表之。亦即,顯示朝外部 的輸B電極(正倒電極 >的部分之製造步驟。 又,圖9卜圖9g係,將圖7的實施影態之太陽能電池 的製造步驟以IX-IX線的斷面代表之。亦即,顯示光電變 換元件700與光電變換元件703的連接位置部分之製造步 驟。 又,在這些圖中,包含薄膜的厚度等經_小的尺寸係 與實際的相對關係完全無關。 本實施形態中,係使用PEN(聚萘酸乙二酯)薄膜以作 爲基板800。但除了 PEN以外,苏可使周例如PET(聚對 苯二曱酸乙二醇m)等各種既知的工業m塑缪村料。又, 亦可使甬较璃基被或金屬基板。 以下所示之各步驟,在最終步驟後之形成圖7平面圖 所示之外觀形狀爲止,係對於數十m〜數百m之長尺狀的 基板以連續地進行之。且在最終步驟時,係形成圖7所示 的外観形狀》在此連續步鞣中,係將長尺狀的基板捲在一 端S3滾子上,而在將其朝另一端的滾子捲取之過程中,係 進行成嘆、印剧、各種烘烤及雪射晝線等各步驟。 首先,<如圖8a及圖9a所示般,在基板S00工積層鋁 電極801 ·在其上方苒積層光電變換層802 *該光電變換 1 7 本紙張尺度適珣中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -----------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 Λ 7 Β7 五、發明説明(4 ) 層802係藉由從基板800側起以N型-I型-P型的順序積曆 扭之+導體所構成。鋁電極80 1之成膜係·藉由噴濺法以 進行之,又,光電變換層802之髟成係,其各層皆是藉由 電漿CVD法以進行成瞑, 其次,藉由印刷法以形成第1樹脂層803及804(903 及904),這些樹脂層的形成也是,使周大型的模叛,而對 於長尺狀的薄膜基钣係連纘地進行之。此時,樹脂層 803(90 4)係,設置在對應於圖7的外周緣707之環狀區域 (之後甩以形成切斷用狭縫807(907)的部分)=又,樹脂罾 803(904)係,設置在與圖7之切斷位置708所示的圖相對 應之環狀區域(之後周以髟成切斷用狭縫806(906)的部 分)。 樹脂層804係作爲形成環狀之狹縫806的底層。又, 該樹脂層804係,在之後藉囱Ε卩刷法所形成之接觸電極的 下部,具有防止對於梵電變換層802產生損害的機能。 如龀般以得出圄8a及9a所示之構造。 接著藉由噴濺法,以對透明電極之ITO電極805施加 全面地或膜。此ITO膜之成膜也是,對於捲取在滾子上之 長尺狀的薄膜基板係連續培進行之。如此般以得出圖8b 及9b所示之構造, 接著藉由照射雷射充以進行切斷。&步驟亦稱作雪射 畫線步驟。此步驟係,擇瞄點徑SO# m之YAG雷射,並 藉白照射以將所需的層切斷。 lit處,係藉甴雪射晝線以選擇倥垲進行ITO膜805的 1 8 本纸張尺度通用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) -11 - · - - -I II - -li Hi - - —-ί --- - - I -- I i- ..... I- i - - ------ . ...... I ml (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 A7 B7 五、發明説明(丨Ί ) 切斷。&步霖係將ITO膜805切斷,以形成狹縫806(906)(參 照圖8c及圖9C)。此狹縫806(906)係如圖7之切斷位置708 所示般之形成環跋。 在照射周以影或狹縫806(906)之雪射充時,作爲其底 層之樹脂層804(904)的存在乃是相當的重要。若未·亨在樹 脂層804(904),基於雪射光的輸出之分布不均等,有時雷 射光將.照射至光電變換層802爲止,而在更極端的場合· 有時狹縫之深度將到達鋁電極801。 在切斷位置708的下部,將光電變渙層802切斷並不 致產生任何問題。此乃基於,位於圓周夕卜側的光電變換層 並不闬具欝光電變換機能。然而,在雪射光到達鋁電極 801之場合,有時將導致透明電極805與鋁電極801間產 生短路。亦即,藉由雷射光的能量,會將構成鋁電極801 的材料溶融,而使該材料延伸至透明電極S05,而具有兩 電極間產生短路之可能性。由於透明電極S05與鉬電極 S01僅相隔1 # m左右,故此時兩電極間產生短路的可能 性稆當高= 又,若雪射光的照射能量過強,而將鋁電極801完全 地切斷時·則有可能造成光電變換元件彼龀間無法形成電 導通。 亦節,在圖7之IX-IX線所示之斷面部分(圖9a〜圖9g 所示之斷面部分),若在ITO電極805之切斷泣置708的下 部,將鋁電極801完全地切斷,則光電變镆元件700與光 電變換元件703間無法形成電導通。又,就算在ITO電極 19 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ; "批衣 訂I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(,》) 805之切斷位置708的下部,鋁電極801並未完全地切斷, 若該部分係經由雷射先的照射而受到損傷,則將導致光電 變換元件彼此間之接觸不良或接觸電阻的增加》 本寅施彩態所示之構造中,藉由設置樹脂層904,而 使得雪射光不致照射至鋁電極801,因跆,即可避晃透明 m極805與鋁電極801間產生短路*又,同時可防止鋁電 極S01之被切斷、損傷等,如武即可大?1¾提高製造上的 良品率,而得出圖8c及圖9c所示之構造。 其次,將雷射光的輸出調高成比用以形成上述狹縫 8 06(906)之雪射畫線時爲高,以再度進行雷射畫線=在肚 步驟,係形成狹縫807(907)與狹縫808(參照圖8d與圖 9d) ^ 由這些圖可明顯地看出,在此步驟,係將雷射光的照 射條件設定成,狹縫80 7(907)與狹縫808之底部到達基板 800內。又,在肜成這些狹縫807(907)與狹縫808時,將 雪射光之照射條伴設定成彼此相同亦可。 狹縫807(907)係,如圖7之切斷位置707所示般之彩 成環狀。 狹縫808係,彤成於吊以設置外部引岀電極區域之周 園,而Μ以切斷鉬電極801。此狹縫808係與狹縫807相 連結,被狹縫8 07與8 0S珩圍繞之鋁電極801 —部分(封 閉區域,在·此封閉區域內形成後述之貫遇狹縫809)係,在 其局圍形或完全絕緣般。 在狹縫807(907)及形成時,藉白_ 1樹脂層 20 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS〉Α4規格(210X297公釐〉 —--------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A" __ B7_ 五、發明説明(丨?) 803(9〇3)及8〇4之存在,却可防止鋁電極801 _ IT◦電極 805間產生短路。亦即,若未存在樹脂層803(903)及804, 由於鉅電極801與ITO電極805距離很近,故基於鉬電極 之溶融常會使得兩電極閭產生短路。 如此以得tB圖8 d及圖9 d所示之樽造。 接著,藉由照射雪射光以形成圖Se所示之貫通狹縫 809。此声通狹縫809係.,穿透至圖7中8 12所示之位置 的裡面•此狹縫809爲,在最終之連接於基板800的裡面 側之引出電極形成時’係用以作爲導電路813 ’而在該狹 縫809的|立翯上形成外部引出電極。 之後,知圖Sf及圖9e所示般,形成第2樹脂層《10(910) 及811(911) »樹脂層81 0(9 10)及8 11 (9 11)係,伴漬著使用 樹脂枒料以充琪狹縫8〇6(9〇6)、8〇7(9〇7)及8〇8的角色。 又,對於彤成於其上方之接觸電極,茆具有作爲接篛電極 的底層之層閭絕緣膜的效果。 這些第2樹脂層81〇(91〇)及811(9U)也是藉甴印刷法 以形成S = 接著,如圖8g、圖9f、後述之圖1 0及圖11所示般’ 使用銀膠以形成接觸電極709、710、711、7 12及713。 這些接鐲電極包是藉虫印刷法以形成闺3各接錡電極 709、7 1 〇、7 11、7 1 2及7 1 3的位置係,如 7所示般, 且,在圖9f所示的狀態下,對於箭頭91 2所示的部分 進行雪射光的照射,以形成用以使得鋁電極1與接觸電 極709電·導.通之導電路9 1 3,此步驟係,在形成接觸芾狹 2 1 本紙依尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2IOX297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· -訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(π ) 縫之同時,藉囱令接觸電極的銀膠與鋁電極SOI —起 溶融•以形成吊以使得兩者電導通之導電路913。如此般 之步驟爲所謂雪射結合。 藉lit,以完成圖9g所示般之圖7之IX-IX線所示旳斷 面。亦即,藉由雪射結合,以使得光電變換元件703之鋁 電極S01與連接在光電變換元件700的ITO電極上之銀膠 圖形(接鐲電極)709形成電導通, 結果,以得出光電變換元件703與光電變'換元伶700 形成串聯連接的狀態。其等之連接位置係,另有3個位置》 依龀連接構造,即可形成依序將各光電變換元侔703、 700、701及702串聯連接之構造。 另一方面,Vin-VIII所示之斷面係,如圖8g及圖8h 所示般,在藉由銀膠以形成接觸電極71 1後,在裡面側藉 囱銀膠以影成接觴電極S 1 2。該接觸電極S 1 2也是藉由印 刷法以形成m。 在此銀膠構成的接觸電極711之形成步驟中,圖8g 中8 1 5所示的部分之接觸電極7 11下側之樹脂層804的存 在乃是相當的重要。.亦即,藉S lit樹脂層804的存在,印 刷時,將可有效地防止銀膠中所含的銀粒子之傷害光憊费 .換層S02,而藉此以防止鋁電極801與ITO電極S05問之 短路, 該接觸電極8 12係,介由導電路8 1 3(基於肜成於貫通 狹縫之銀謬)而與接觸電極711形成電導通;因此,係與 光電變換元ί牛702之ITO電極805影成電導通= 2 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CM ) Λ4規格(210X29?公簸) ---Ϊ 1 In HI; i— - -1 11— -- -ί I -- ! I 1 - j - -i -i I I I I - - -- --- I. ·-· i Hi j- li - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 A7 B7 . 五、發明説明(7丨) 亦即1在圖7所示的面之枵對側的面上所彤成之接觸 電極8 12,係構成光電變換元件702(參照圖7)的ITO電極 805(參藤圖8h)之引出電極* 該ITO電極805深,與光電變換元件702的充入射測 之P型半導體層相接觸,因此,接觸電極8 12係構成Μ以 輸出正側電位之引出電極。 圖10係顯示圖7的實施彤態的太滠能電泡的構造中 之X-X線斷面。圖11係顯示圖7的實施形態的太陽能電 池的構造中之XI-XI線斷面。在此部分,係形成光電變換 元件701的N型半導體層之引岀電極(負電位捌的電極)= 如圖10所示般,介甶導電路1013而與鋁電極801(光 電變換元·[牛701之鋁電極)形成電導通之銀膠構成的接觸 電極(引出電極)1〇12係,形成在基板800的裡面側。 爲了使得鋁電極801與引盅電極1012形成確賨地電 導通,故ΧΙ·ΧΙ所示之斷面係具有圜11所示般的構造· 亦即,其構造爲,利用雷射結合以在1115所示的位置形 成接點=詳而言之,其構造爲,鋁電極801與銀謬構成的 接鐲電極713係,介由導電路1113以彤成電導通。 最後·對於以長尺狀的薄膜作爲基體所影成之多數個 太陽能電洩,藉由機械沖切以得Hi各倜太陽能電泡,亦 即,得出件觀®圖7所示般之多數個太陽能電迆, 如既般,圖7所示之太陽能電池之構造爲,由梵電變 換元伴702的P型半導體層之引出電極812(參照圖8h, 存在於電極711的裡靣画)與光電變換元# 701的N型半 2 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉Λ4規格(2丨0:;<297公釐) i -i- i 1— - - I - -I i ......... .......I - - 1- I - -- I HI !_ . i— 111----aJI-- I- .1 -: --- - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作钍印製 A7 _ B7__
五、發明説明(>M 導體層之引出電極1012(參照圖10,存在於電極713的裡 面側)以取出光電動勢。 以下對於上述的實施形態中之雪射晝線方法進行說 明,一般m m的雷射奎線方法係,藉&掃瞄益照射點狀的 雷射光,以彤成既定形狀的狹縫。 藉由如此般的雪射畫線法以形成設置於圖2及圖7的 207、707或20S、70S位置之澴·狀狹縫之場合,有時會 產生雷射晝線的起點與終點不一致的問題, 圖1 2a係顯示岀,由起點1 200起進行雷射光的照射, 繞圓周一圈而再回到起點1200以完成雪射畫線時之軌 跡。 一般而言雷射畫線之點徑爲數十g m至數百# m左 右,在前述實施形態般之使周長尺狀的薄膜作爲基板之連 纘步驟中*對於這種程度的點徑欲沏制其位置偏差乃是柜 當困難的。因此,在連續地實施多個步驟之場合,將產生 雷射畫線的起點與終點不一致的情況。又,在雷射光照射 之最初進行點(雪射畫線之起點)與雷射光照射之最後進 行點(雷射畫綠之終點),夾住光電變換層之上下層間將易 產生短路現象。 爲了解法這些問題,只要依圖12b所示毅的軌跡之進 行雷射晝線即可。亦即,如120i的部分所示殷,在夥成 光電變換元件之區域1202內(畫線軌跡的內部),晝線起 點(開始位置)1 203與終點(終了位置)1204並不存在。亦 即,晝線起點(開始位置)1203與終點(終了位置)1204係存 24 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -n^n mf f-n n^n nn 訂 —«^n cm· HI—— m^i mu eu *^ιϋ 線 • nl^i· 1 — n.- 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(β) 在於光電變換元ί牛的11弧之外部。 基於此*即可確實地使得畫線彤成閉軌跡的形跃》 又,可誌除基於畫線起點與終點的存在所產生的影響.。布 即,虫於晝線的起點〗203與終點12〇4 Μ不存在於元件區 域1202內,故在這些點的上下間不致產生短路之問題。 以上所述之實施髟態中,係例示出全體的形狀爲圓 形、各光電變換元侔爲扇影之場合。然而•顯然全體的形 四角龄或六角形、或八角彤等多角髟的彭狀亦可。 圖1 3係將本發玥的再其他實施形態之配置在手錶的 文字盤上之太陽能電池由上面看起之平面圖。耽實施形態 中,全體的彩狀係髟成四角形。各光電變換冗件係彤成矩 形,本例中係在縱方向依序配列成8段。這8段的光電變 換元件係形成互相串聯。舛部引岀電極係,設置在縱方向 的兩端部,本實施形態中之其他構成、動作及效杲與前述 實施形態之場合完全相同。 圖1 4係將本發明的再其他實施形態之配置在手錶的 文字盤上之太陽能電泡由上面看起之平面圖,比實施彩態 中,全體的彤跃係肜成六角形。各光電變換元件係形或三 角形,這6·光電變換元伴係彤成互相串聯。t實施形態 中之其他媾成、動作及效果與前述實施形態之場合完全相 同7 圖1 5係將本發明的再其他實施彤態之配置在手錶的 文字盤上之太陽能電迪由上面看起之平面圄=此實施形態 中,全體的形狀係形成八角形。各光電變換元伶係彩成三 25 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 87__ 87__ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 五、發明説明( 角影。這8個光電變換元件係彤成互f目串聯。本實施彤態 中之其他構成 '動作及效杲與前述實施形態之場合完全相 同。 依上述之實施髟態,即可低成本地製造盅組裝在手錶 上的太陽能電池,且所得之太_能電池具有高可靠性。 又,由於將用以輸B之電極部分設置在光照射面的相對 側,故可®化芾以輸盅的輸岀部之構成。又亦可使得厉以 進行光電變換的面積形成最大限, 又,就算在藉由印刷法以在光電變換元件的上部形成 電極之場合,亦可有效地防止光電變換元件之受到損傷。 又,亦可在高良品率下·製造岀太陽能電池。 【圖式之簡軍說明】 圖la及lb係顯示具備使甬習知的印刷法所形成的電 極之太陽能電漶的部分構或之斷面圖。 圓2係將本發明的一實施痧態之配置在手錶的文宇 盤上之太陽能電池由上方看起的平靣圖a 圖3a〜3h係將圖2的實施彩態之太陽能電池的製造步 驟以ΠΙ_ΙΙΙ線的ff靣表示之。 圖4a〜4g係將圖2的實施形態之太陽能電池的製造步 驟以ιν·ιν線的斷面表示之。 _5係將圖2的賨施Β態之太陽能電洎構造以V-V線 的斷面代表之, 11 6係將圖2的實施彩態之太曝能電池構造以VI-VI 線的斷Ε代表之。 2 6 本紙張尺度適用中國國家標辛-(CNS ) Λ4規格(210'X29?公釐) • mu - -- 111 - I - ί - I -- —i I- nil I- !-l -- I 11 I -I ---_--aJ! I -I I ....... HI: . --- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _B7__ 五、發明説明(好) a 7係將t發明的另一實施形態之配置在手錶的文 宇盤上之太陽能電池®上方看起的平面圖。 圖8a〜8h係將圖7的實施彩態之太陽能電迪的製造步 驟以VIII、VIII裱的斷靣代表之。 圖9a〜9g係將圖7的實施形態之太陽能電池的製造步 驟以IX-IX線的斷面代表之。 圖10係將圖7的霣施形態之太陽能電泡構造以X-X 線的斷面代表之= 圖11係將圖7的實施形態之太陽能電池構造以XI-XI 線的斷面代表之。 圖12a及12b係用以說明雷射晝線的軌跡之圖形-。 圖13係將本發明的再一實施形態之配置在手錶的文 字盤上之太陽能電池甶上方看起的平面圖。 圖14係將本發明的再一實施形態之配置在手錶的文 字盤上之太陽能電池甴上方看起的平面圖。 圖1 5係將本發明的再一實施形態之配置在手錶的文 字盤上之太陽能電泡由上方看起的平面圖。 ^ ΐ衣 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 27 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種太陽能電池1其爲既定肜犹的平靣型太陽能電 浊·係具簏: ‘將該平面分割所彩成之複數個光電變換元侔乂 複數飼導電路,鄰接於前述複數ίΐ先電變換亢件而分 別設置著,西甩以使得各光電變換元件彼此形成_聯連 接;及 2個終部引tB電極,分別舆位於形成串聯的前述先電 變換元伶的兩端之2光電變換元件相連接,且設置於光電 變換元件的光照射面之相對側的面上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電泡,其中, 前述各光電變換冗件係具備:基板、積層於該基板上之第 1電極層、積層於該第1電極層上之光電變換半導體層、 及積層於該光電變換半導體層上之透光性第2電極層: 且,前述2舛部引岀電極之一係連接前述一端的光電 繾換元件之第2蕙極層•而另一外部引出電極係連接前述 另一端的光電變換元伴之第1電極層p 3. 如申諝專利範園第2項所述之太.陽能電池,其中, 另具備第1貢通狹縫,而Μ以使得前述第2電極層與訪述 一外部引出電極形成電導通。 4. 如申請專莉範a第3項所述之太瘍能電泡·其中, 前述第i貫通狭縫之器成泣置洚,s於用以使得ff述第1 電極層及前述光電.變換&導體層的一部分與其性部分形 成絕緣的區域。 5 . G申請專利範圍第2項芾述之太湯能電涖,其中, L 本紙張尺度逋用中國國家標率(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) ' 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央揉隼局肩工消費合作社印製 申請專利範圍 另具ft第2貫通狹縫,而用以资得前述第1電噹罾與前述 另一 &躬引出電極形成電導通。 ό.$Π申請專利範_第1項新述之太晶能電淖,其Φ, 該太陽能電尥爲1髟者,前述複數悝光電變換元Ρ係笞該 圚形的gs至朝放射方闫分割所彤成之複數甸霸形的光電 變換元俘,前述複數個導電路及前述2外部引B電極深設 置在前述複數充電變換元徉之舛周部= 7. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電浊,其中, 該太陽能電池爲多角形者,前述複數個光電變換元件係將 該圓形的平面朝放射方向分割所形成之複數倜三角彩的 光電變渙冗件,前述衩數個導電路及前述2外部引出電極 係設置在前述複數個光電變換元件之外周部。 8. 如串請專利範圍第1項所述之太陽能電池,其中, 該太陽能電泡爲矩形者,前述複數個光電變換元件係將該 圓彤的$面朝縱方向分割所形成之複數個矩彩的光電變 換元件,前述複數個導電路係設在前述複數個光電變換元 件間,前述2外部引出電極係設在前述,位於爾辩的光電變 換冗怦之外側, 9. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電泡,其由, 前述各光電變換元#係具備:基板、積層於該基板上之第 1電p層、積薈於該第1電極層上之光電變換半導體層、 積層於部分該光電變換半導體層上之樹脂層、積層於前述 光電變換半導體層上及前述樹脂層上之透光性第2電極 層、k積層於存在有前述樹脂層的部分之該第2電極層上 本紙張尺度適用中困國家樣率(CNS )八4规_格(210X297公釐) I 111 n I ^ 11 n 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 8 8 8 ABCD 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 之第3電極;1。 . 1〇.如串請專利範圍第9項所述之太陽能電池,其中, 前述光電變換半導體層係由PIN型之非單結晶矽購所構 成。 1 1 .如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池,其由, 前述第2電極層係由ITO膜所構成。 12. 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電浊,其中, 前述第1電極層係ή鋁膜所構成。 13. 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電浊,其中, 前述第3電極層係,由將金屬粒子分散於膠粘劑中所得之 導電膠膜所搆成。 14. 如申請專利範画笫1項所述之太瞄能電泄,其中, 前述外部引出電極係,由將金屬粒子分散於膠粘劑中所得 之導電膠膜芾構成。 15. —種太陽能電池,係具備: 第1電極層, 積層於該第1電極層上之光電變換半導體層, 積層於部分該光電變換半導體層上之樹脂層, 積層於前述光電變換半導體層上及前述樹脂層上之 第2電極層,及 積層於存在有前述樹脂層的部分之該第2笔極層上 之第3電極層。 16. 如申請專利範圍第1 5項所述之太陽能電池,其 中,前述光電變換半導·體磨係E PIN型之非單結晶矽膜戸斤 3 本紙張尺度逋用中國國家梂準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 裝 訂 線 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部‘智慧財產局員工消t合作社印製 A8 B8 C8 . —_____ _ D8 六、申請專利範圍 構成。 17. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池,其 中’前述第2電極層係由ITO膜所構成〃 18. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池,其 中,前述第1電極層係由鋁膜所構成。 19. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池,其 中,前述第3電極層係,由將金屬粒子分散於膠粘劑中所 得之導電膠膜所構成》 20. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池,其 中,前述外部引出電極係,由將金屜粒子分散於膠粘劑中 所得之導電膠膜所構成。 21. —種太陽能電池之製造方法,係具備: 在基板上積層第1電極層之步驟; 在該第1電極層上稹層光翟變換半導體層之步驟; 在部分該光電變換半導體層上積層樹脂層之步驟; 在前述光電變換半導體層上及前述樹脂層上積層第2 電極層之步驟;及 在存在有前述樹脂層的部分之該第2電極層上選擇 性地積層第3電極層之步驟。 ' 22. 如申請專利範圍第21項所述之太陽能電池之製造 方法,其中,前述光電變換半導體層之積層步驟係,將PIN 型非單結晶矽膜積層之步驟。 23. 如申請專利範圍第21項所述之太陽能電池之製造 方法,其中,前述第2電極層之積層步驟係,將ITO膜積 4 本纸張尺度逍用申釀困家梯率(CNsYa^T( 210X297^簸丁 ί—-------^------訂.------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本3r) AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 層之步驟。 24. 如申請專利範圍第21項所述之太陽能電池之製造 方法,其中,前述第1電極層之積層步驟係,將鋁膜積層 之步驟。 25. 如申請專利範圍第21項所述之太陽能電池之製造 方法,其中,前述第3電極層之積層步驟係,將金屬粒子 分散於膠粘劑中所得之導電膠膜部分地形成之步驟。 -----------------訂------^ (請先閎讀背面之注$項再祺寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家輮準(CNS ) A4规格(210X297公釐)
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