TW380078B - Surface polishing pad - Google Patents

Surface polishing pad Download PDF

Info

Publication number
TW380078B
TW380078B TW087119118A TW87119118A TW380078B TW 380078 B TW380078 B TW 380078B TW 087119118 A TW087119118 A TW 087119118A TW 87119118 A TW87119118 A TW 87119118A TW 380078 B TW380078 B TW 380078B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
honing
small
gasket
wafer
cut
Prior art date
Application number
TW087119118A
Other languages
English (en)
Inventor
Hatsuyuki Arai
Xu-Jin Wang
Original Assignee
Speedfam Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Speedfam Co Ltd filed Critical Speedfam Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW380078B publication Critical patent/TW380078B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/22—Rubbers synthetic or natural
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S451/00—Abrading
    • Y10S451/921—Pad for lens shaping tool

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

經濟部中央標準局—工消费合作社印製
A7 HI 五.、發明説明（1 ) . 〔本ί明所屬之技術領域〕 本發明係有關於一種被使用在半導體晶圓的平面硏磨 之墊片者，更詳細係有關使用在晶圓的機械化學拋光所適 合的雙層構造之墊片者。 〔習知之技術〕 近年來隨著半導體裝置的高集成化或高密度化，多半 製造具有積層構造的裝置，連帶要求將被設在晶圓上面的 絕緣保護膜等表面加以高精度平坦化之技術》 此種晶圓平坦化技辦.之一，具有機械化學拋光（化學 式機械硏磨）；此乃，於被貼在旋轉的定盤之硏磨墊片， 以止動器來推壓被保持的晶圓，邊供給化學硏磨液邊以上 述墊片來硏磨晶圓的表面；此時，若使用壓縮率小的硬質 墊片，由於墊片面不易變形，所以晶圓表面的平坦性良好 ，但因墊片與晶圓的密貼性差，就晶圓整體而言，具有硏 磨均勻性（Unifority )降低之問題，反之，若使用壓縮率 大的軟質墊片，由於墊片與晶圓的密貼性良好，故均勻性 佳，但會因墊片變形而產生平坦性降低之問題。 因此，如第第5圖所示，使用將硬質的上層構件2與 軟質的下層構件3，以雙面貼紙等的接著層4加以接著的 雙層構造之墊片1^ 該硏磨墊片1係利用組合硬質的墊片與軟質的墊片來 提高平坦性與均勻性兩者精度之做法。 但就上述習知雙層硏磨墊片1而言，具有因硏磨液浸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-4 - (请先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -滅·-· A7 B7 五_、發明説明（2 ) 透而i易產生硏磨精度降低之問題：即，如上述的硏磨墊 片1而言，硏磨液會從外周面浸透到下層構件3，但不易 從覆蓋在上層構件2的上面浸透，故就下層構件3的外周 部分與中央部而言，具有因浸透硏磨液而容易產生硏磨精 度降低之問題；即，如上述的硏磨墊片1而言，硏磨液會 從外周面浸透到下層構件3，但不易從覆蓋在上層構件2 的上面浸透，故就下層構件3的外周部分與中央部而言， 會因硏磨液的浸透狀態的壓縮率產生差異，此乃造成硏磨 精度，尤其是均勻性下降的原因：因此，希望出現硏磨液 能均等浸透的雙層硏磨墊片。 、 ·· ， 習知之硏磨墊片中，如第5圖以假想線所示，爲了在 硏磨加工時防止墊片從吸附在墊片面的止動器飛出之目的 ，而在該墊片面以格子狀切割複數個溝5，但因該溝5深 度非常淺，相互間的間隔也寬，所以不具有將硏磨液浸透 到下層構件3的功能。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (请先W讀背面之注意事項再蛾寫本頁) 又，如上所述，表面被硏磨的晶圓會被分割成複數個 晶片，由於該晶圓非常昂貴，所以重點在於可將晶圓有效 良好的使用到外周附近，藉此，儘量提高晶片回收率；於， 是，一般硏磨後的晶圓W表面會顯示如第7圖所示的膜厚 分佈7，由於從外周到5mm左右的範圍，膜厚變厚，所 以該外周部分會成爲除外部分（Edge-Exclusion ) 6無法使 用，此乃造成晶片收率低的原因；因而’即使上述膜厚厚 的範圍減少1 mm，光是減少除外部分’就會關係到晶片 收回率的提昇，故認爲晶圓非常昂貴，藉此的經濟效果大 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（BOX297·公釐）-5- 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A? _ __ 五.、發明説明（3 ) ο 如上所述，在晶圓的外周部分得不到均勻膜厚的原因 之一，被認爲是硏磨墊片造成的；即，如第6圖所示’只 要硏磨時，雙層的硏磨墊片1是利用晶圓W被壓繁的，就 該晶圓W的外周部分而言，墊片面會做曲面狀變形，其壓 緊的程度，由內側到外側，會從最大限度壓緊狀態連續變 化到非壓緊狀態，且在面方向也會產生與伸長的部分一起 收縮的部分；此結果，面對晶圓W的墊片1的接觸壓會愈 向該晶圓的外周逐漸減小，所以晶圓外周部分的硏磨不足 ，被視爲造成如第7圖所示的膜厚分佈7。 於是，本發明人，就上述雙層墊片方面，重新刻意硏 究的結果，發現在墊片面以窄間隔切設深度深的細溝，藉 此，不僅能通過該細溝，使硏磨液均等地浸透到下層構件 ，還可利用藉由細溝所畫分的小區域做局部變形，將晶圓 均等地硏磨到靠近外周部分，完成本發明。 〔本發明欲解決之課題〕 本發明之技術課題，乃提供一能使墊片整體均等地浸 透硏磨液，同時能將晶圓均等地硏磨到靠近外周部分的雙 層構造之硏磨墊片》 〔用以解決課題之手段〕 爲解決上述課題，按本發明，其特徵爲：由具有硏磨 液浸透性的素材所製成的壓縮率小的硬質上層構件11、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐)~~^Q~.—" (婧先閲讀背面之注意事項再4寫本頁) 訂 經濟部中央標準局f工消费合作社印製 A7 B7 五.、發明説明（4 ) ♦ 和以同~樣素材的壓縮率大的軟質下層構件1 2、和介設在 兩構件間並將該些構件相互黏貼之接著層13所形成的， 在墊片面將爲了促進對下層構件12浸透硏磨液以及爲了 可將該墊片面局部變形畫分成複數個小區域15之複數個 細溝1 4，切設到小區域的一邊最大長度爲1 Omm以下 的間隔，而上層構件1 1的厚度至少被切到1/2以上的 深度。 具有上述構成之硏磨墊片，由於在其表面切割表層構 件厚度1/2以上的深細溝，所以通過該細溝，硏磨液很 容易浸透到下層溝件、：因.此，能使墊片整體在短時間內均 等地浸透硏磨液，解決硏磨液浸透不勻的部分的壓縮性相 同，來提高硏磨精度。 又，利用上述細構將墊片面畫分成一邊的最大長度爲 1 Omm以下的複數個小區域，由於該些小區域不會互相 干涉合在一起，可做局部性變性，所以當硏磨時將晶圓按 壓在墊片面時，僅接觸在該晶圓墊片部分會被局部性壓縮 ，其他部分不會受干涉，以均等的接觸壓來接觸晶圓整體 ，因此，該晶圓會被均等地硏磨到外周部分，膜厚厚的部 分只在靠近外周非常小的範圍，分割晶片之際的除外部分 減少，晶片回收率提高。 就本發明而言，最好上述細溝是被切到到達接著層或 到達之前的深度，更理想是上述細溝被切到到達下層構件 的深度；藉此，對下層構件的硏磨液浸透性更爲良好。 針對本發明之一的具體實施形態中，上述細溝爲格子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐）-7- (请先W讀背而之注意事項再填寫本頁)
.»T 經濟、邵中央標準局員工消費合作杜印製 A7 __B? 五_、發明説明（5 ) 狀切，藉此，墊片面會被畫分成矩形狀的小區域》 針對本.發明之一的具體實施形態中，上述細溝爲放射 狀及同心圓狀切割，藉此，墊片面被畫分成扇形的小區域 0 就本發明而言，最好上述接著層是利用尿烷系接著劑 或環氧系接著劑所形成的。 〔本發明之實施形態〕 第1圖係表示有關本發明之硏磨墊片之第1實施例之 俯視圖，該墊片1 0△，.由第2圖可知，利用以具有硏磨 液浸透性的素材所製成的壓縮率小的硬質上層構件11、 和以具有硏磨液浸透性的素材所製成的壓縮率大的軟質下 層構件12、和介設在該兩構件11，12間，將該些構 件相互接著之接著層1 3所形成的、又，在墊片面1 0A 的表面整體，爲了促進對下層構件1 2浸透硏磨液以及爲 了將該墊片面可局部變形畫分成複數個小區域15之複數 個細溝14是以一定間隔切設成格子狀。 因上述細溝14的理想溝幅Η必須不使墊片面的特性 下降，能確保良好的硏磨液流入性及浸透性，所以做成 0 . 5至1 . 5mm的範圍，但更理想的溝幅約爲lmm 左右：又，細溝1 4的理想深度D爲上層構件1 1厚度的 1/2以上，但更理想是至少被切割至到達接著層1 3或 到達之前的深度，圖面所示之例，係超過上層構件1 1以 及接著層13而切設至到達下層構件12的深度；將細溝 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格< 210X297公釐）-Λ- --^---„-------------訂------^1 (誚先閱讀背面之注意事項再^将本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7
IT 五.、發明説明（6 ) 1 4 ώ設至此種深度，藉此，可得到對下層構件1 2浸透 硏磨液的良好浸透性，同時，硏磨時，即使定盤旋轉，硏 磨液亦不會向外周方向流出，可得到優秀的硏磨液保持效 果。 —方面，上述縱橫細溝1 4的間距，係定在被該些細 溝間畫分的小區域1 5得以局部變形，同時兼備適度柔軟 性與剛性的大小，滿足此種條件的理想間距爲各小區域 1 5的一邊長度爲4至7mm的大小；小區域1 5過大， 局部變形性愈差，得不到必要的柔軟性，反之，柔軟過大 ，與晶圓接觸就易裂開。 ' · 又，也可在上述接著層1 3使用雙面貼紙，但因硏磨 液使用鹼性或酸性物質的關係，則希望使用對鹼性或酸性 而言，具耐久性的物質，譬如環氧系或尿烷系的接著劑。 甚至，上述上層構件1 1適合使用譬如硬質聚氨酯發 泡體製的墊片（ICIOOO/RODERU公司製）， 下層構件1 2適合使用軟質不織布製的拋光布（ SUBA400/RODERU公司製）或軟質聚氨酯塑 料發泡體製的墊片（UF/RODERU公司製）等，但 除此以外的素材當然也可。 具有上述構成的硏磨墊片1 0A，與公知者相同，黏 貼在旋轉的定盤，用於硏磨晶圓：此時，供給至墊片面的 硏磨液會流入墊片面整體被格子狀切割的細溝1 4內，通 過該細溝1 4浸透到下層構件1 2，藉此，在該下層構件 1 2整體做快速且均等地擴散，由於墊片1 〇 A經常保持 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐）-9- -------Γ-----,------1T—-----Μ , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ____ 五·、發明説明（7 ) ♦ •· 均勻的~彈性，所以不會產生硏磨液浸透不勻的部分的壓縮 性不同，得以保持高硏磨精度。 尤其是將上述細溝14切割至到達下層構件12深度 的情形下，由於硏磨液會通過該細溝1 4直接浸透到下層 構件1 2，其浸透是以非常短的時間迅速完成。 並且，如上所述，流入上述細溝1 4的硏磨液，由於 被保持在該細溝1 4內，即使定盤旋轉硏磨液噴出來，硏 磨材的保持能力還是很優秀，可得到高硏磨效果。 又，墊片面利用上述細溝1 4被畫分成複數個小區域 1 5，藉此，墊片1 A會在該些小區域1 5的部分局部變 形，如第3圖所示，晶圓W被推壓在墊片1 〇 A時，接觸 該晶圓W的小區域1 5的部分會被局部壓縮，其他部分不 會受干涉，在晶圓W整體以均等的接觸壓加以接觸；因此 ，該晶圓會被均等地硏磨到外周部分，保護膜厚厚的部分 只在外周邊非常小的範圍，分割晶片之際，不能用的除外 部分6 (參照第6圖）減少，晶片收回率提高。 且利用畫分成複數個小區域15的墊片1A之柔軟性 增大，各小區域1 5爲依存在每個軟質的下層構件1 2的 形狀，可良好的壓縮變形，面對晶圓W的該墊片1 A的密 著性增大，硏磨的均勻性也提高。 又，此種將墊片面畫分成複數個小區域的情形，如上 所述，墊片的壓縮變形是通過各小區域1 5來提高依存在 軟質的下層構件的程度，上層構件1 1可使用厚度比習知 硏磨墊片的上層構件厚2至4倍者，藉此，可減少墊片的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-10- (婧先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 R7 R7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五.、發明説明（8 ) 更換頻~率；即，一般就雙層構造的硏磨墊片而言，以墊片 硏磨附圖案的晶圓時，與硏磨一同摩耗的上層構件的厚度 變化，會大幅的影響到晶圓的平坦性，硬質的上層構件摩 耗到0.3至0.5mm時就必須更換新的墊片，但如利 用上述實施例的構成，使用厚度厚的上層構件，硏磨墊片 的更換頻率會大幅的減少。 第4圖係表示本發明之第2實施例，該第2實施例之 墊片1 Ο B，乃利用切成放射狀的細溝1 4 a與同心圓狀 的細溝1 4 b·，藉此，墊片面會被畫分成扇形的小區域 1 5 ;此時，小區域5.愈位於墊片1 b的外周側的形狀 愈大，但即使最大者也希望一邊最大長度是形成1 Omm 以下。 〔實施例〕 以下，就本發明之實施例方面加以說明。 此例所用的硏磨墊片，是使用硬質聚氨酯發泡體製的 墊片（IC1000，厚度 1 . 27mm/RODERU 公司製）作爲上層構件，同時，使用軟質聚氨酯泡沬塑料 發泡體製的墊片（UF，厚度1 . 27mm/ RODERU公司製）作爲下層構件，將其用環氧系的接 著劑加以接著，形成在墊片面的細溝溝幅爲1 mm，溝距 爲6mm，小區域的形狀爲正方形，而大小爲5 X 5mm ，細溝深度爲1.6mm。 將上述硏磨墊片安裝在單面硏磨機的定盤，使得在表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）—-11 - -----------^ '------.π -------妓！ (請先閲讀背面之注意事項再^寫本頁) Λ7B:__五.、發明説明（9 ) 面形€熱氧化膜的6吋定向平面型晶圓保持在夾頭，—邊 旋轉一邊按壓在墊片面加以硏磨：此時的硏磨條件如下所 不° 硏磨墊片旋轉數： 夾頭旋轉數 ： 加工壓力 ： 硏磨液流量 ： 硏磨時間' : 7 0 r . ρ 5 9 r . P 0 . 5 K g 10 0ml m 將被硏磨的晶圓表面均勻性，根據自該晶圓的4 9處 所得的硏磨速率，利用以下式子求得時爲5 . 1 3% ;又 ，晶圓外周的膜厚厚的範圍（除外部分）爲3mm。 均勻性（Uniformity) 硏磨速率(最大)-硏磨速率(最小） 硏磨速率（平均)χ 2 ------Γ-----------訂-------嫁. (诉先M·讀背而之注意事項再填巧本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 另一方面，比較例是使用與本發明同素材所製成的雙 層墊片，在墊片面不具有細溝者進行同樣的硏磨，測定均 勻性與膜厚厚的除外部分時，均勻性約爲1 0%，除外部 分爲5 m m。 此結果，可知使用本發明之墊片，藉此，均勻性改善 ，同時，晶圓外周的膜厚厚的除外部分的範圍減少，晶片 回收率提高；又，因均勻性改善，所以也可理解，硏磨時 ，硏磨液會均等的浸透到下層構件，墊片的壓縮性爲整體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-12- 經濟部中央標準局負工消費合作'杜印製 A? B7 五、發明説明（10 ) ♦ 均勻ΐ被保持》 〔本發明之效果〕 此種按本發明，針對以硬質的上層構件與軟質的下層 構件製成的雙層硏磨墊片中，在其墊片面以窄間隔來切設 深度深的細溝，藉此，可通過該細溝，使下層構件均等地 浸透硏磨液，同時，利用在各細溝間被畫分形成的複數個 小區域，來改善墊片的變形性以及柔軟性，將晶圓均等地 硏磨到靠近外周的部分，藉此，實現提高硏磨精度與晶圓 外周膜厚厚的除外部分之範圍：且流入上述細溝的硏磨液 ，即使定盤旋轉噴出來，硏磨材的保持能力還是很優秀， 可得到高硏磨效率。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係表示本發明之硏磨墊片之第1實施例之俯視 圖； 第2圖係第1圖之要部放大斷面圖； 第3圖係表示利用第1圖的硏磨墊片硏磨晶圓時的狀 態之要部放大斷面圖： 第4圖係表示本發明之硏磨墊片之第2實施例之俯視 rsrt · 圖， 第5圖係習知之硏磨墊片之斷面圖； 第6圖係表示利用習知的硏磨墊片硏磨晶圓時的狀態 之要部放大斷面圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（2丨0X297公釐）-13 - ---------Γ'-------ΐτ------4- 《請先閱請背而之注意事項再4¾本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 亂 0V3 _____· 五.、發明説明（11 ) _ 7圖係與膜厚分佈一同表示被硏磨的晶圓之側面圖
B 件件 ， ο 構構層 a 域 1 1 層層著 4 區 明，上下接 1 小 說 A......... 之 ο 1 2 3 4 5 IX I—I 一—I I—I 1—I 片 墊 b 4 溝 細 ---------^-- * f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 t 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-14 -

Claims (1)

  1. B8 六、申請專利範園 ί. 一種平面硏磨用墊片，其特徵爲：由以具有硏磨 液浸透性的素材所製成的壓鎗率小的硬質上層構件、和以 同樣素材的壓縮率大的軟質下層構件、和介設在兩構件間 ，並將該些構件相互接著之接著層所形成的，在墊片面將 爲了促進對下層構件浸透硏磨液以及爲了可將該墊片面局 部變形畫分成複數個小區域之複數個細溝，切設到小區域 的一邊最大長度爲1 Omm以下的間隔，而上層構件的厚 度至少爲1/2以上的深度。 2 .如申蕭專利範圍第1項所述之平面硏磨用墊片* 其中，上述細溝是被切至到達接著層或到達之前的深度。 ' -— 3 .如申請專利範圍第1項所述之平面硏磨用墊片， 其中，上述細溝是超過上層構件及接著層，被切至到達下 層構件的深度。 4 .如申請專利範圍第1至第3項任一項所述之平面 硏磨用墊片，其中，上述細溝爲格子狀切割，藉此，墊片 面會被畫分成矩形狀的小區域。 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 .如申請專利範圍第1至第3項任一項所-述之平面 硏磨用墊片，其中，上述細溝爲放射狀及同心圓狀切割， 藉此，墊片面被畫分成扇形的小區域。 6 .如申請專利範圍第1項所述之平面硏磨用墊片， 其中，上述接著層是用尿烷系的接著劑所形成的。 7 .如申請專利範圍第1項所述之平面硏磨用墊片， 其中，上述接著層是用環氧系接著劑所形成的。 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） •15·
TW087119118A 1997-11-25 1998-11-18 Surface polishing pad TW380078B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33944397A JPH11156699A (ja) 1997-11-25 1997-11-25 平面研磨用パッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW380078B true TW380078B (en) 2000-01-21

Family

ID=18327521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087119118A TW380078B (en) 1997-11-25 1998-11-18 Surface polishing pad

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6089966A (zh)
EP (1) EP0919336A3 (zh)
JP (1) JPH11156699A (zh)
KR (1) KR19990045523A (zh)
TW (1) TW380078B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7815491B2 (en) 2007-05-29 2010-10-19 San Feng Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad, the use thereof and the method for manufacturing the same
CN104661794A (zh) * 2012-07-23 2015-05-27 Jh罗得股份有限公司 非平面的玻璃抛光垫及制造方法
CN105345684A (zh) * 2015-11-20 2016-02-24 台山市远鹏研磨科技有限公司 一种海绵抛光轮
CN106660190A (zh) * 2014-08-27 2017-05-10 福吉米株式会社 研磨垫
CN106660189A (zh) * 2014-08-27 2017-05-10 福吉米株式会社 具有曲面形状的构件的研磨加工工具和加工方法
CN110712117A (zh) * 2018-07-12 2020-01-21 鼎朋企业股份有限公司 应用于非水平研磨表面的研磨机

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
JP2001150332A (ja) 1999-11-22 2001-06-05 Nec Corp 研磨パッドおよび研磨方法
WO2001043178A1 (fr) * 1999-12-07 2001-06-14 Ebara Corporation Dispositif distribuant du produit de polissage et dispositif de polissage
WO2001045900A1 (en) * 1999-12-23 2001-06-28 Rodel Holdings, Inc. Self-leveling pads and methods relating thereto
CN1203530C (zh) * 2000-04-24 2005-05-25 三菱住友硅晶株式会社 半导体晶片的制造方法
DE60110226T2 (de) * 2000-06-30 2006-03-09 Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc., Wilmington Unterlage für polierscheibe
KR100857504B1 (ko) * 2000-12-01 2008-09-08 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드용 쿠션층
US6612917B2 (en) 2001-02-07 2003-09-02 3M Innovative Properties Company Abrasive article suitable for modifying a semiconductor wafer
US6632129B2 (en) 2001-02-15 2003-10-14 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive article for use in modifying a semiconductor wafer
US6544107B2 (en) 2001-02-16 2003-04-08 Agere Systems Inc. Composite polishing pads for chemical-mechanical polishing
US6530829B1 (en) * 2001-08-30 2003-03-11 Micron Technology, Inc. CMP pad having isolated pockets of continuous porosity and a method for using such pad
US6648743B1 (en) * 2001-09-05 2003-11-18 Lsi Logic Corporation Chemical mechanical polishing pad
WO2003103959A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Controlled penetration subpad
CA2519942A1 (en) 2003-03-25 2004-10-14 Neopad Technologies Corporation Chip customized polish pads for chemical mechanical planarization (cmp)
KR100546355B1 (ko) * 2003-07-28 2006-01-26 삼성전자주식회사 국부 단차 형성용 삽입 패드를 구비하는 ｃｍｐ 장치
KR20060046093A (ko) * 2004-05-20 2006-05-17 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마 패드 및 화학 기계 연마 방법
JP4645825B2 (ja) * 2004-05-20 2011-03-09 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨パッド及び化学機械研磨方法
JP2007081322A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
US7329174B2 (en) * 2004-05-20 2008-02-12 Jsr Corporation Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad
US7059950B1 (en) * 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad having grooves arranged to improve polishing medium utilization
US7059949B1 (en) * 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement
US7179159B2 (en) 2005-05-02 2007-02-20 Applied Materials, Inc. Materials for chemical mechanical polishing
US7226345B1 (en) 2005-12-09 2007-06-05 The Regents Of The University Of California CMP pad with designed surface features
TW200744786A (en) * 2005-12-28 2007-12-16 Jsr Corp Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
US20080003935A1 (en) * 2006-07-03 2008-01-03 Chung-Chih Feng Polishing pad having surface texture
US20080220702A1 (en) * 2006-07-03 2008-09-11 Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad having surface texture
US7300340B1 (en) * 2006-08-30 2007-11-27 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. CMP pad having overlaid constant area spiral grooves
JP2008062367A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Nec Electronics Corp 研磨装置、研磨パッド、研磨方法
JP2008221368A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッド
US8012000B2 (en) * 2007-04-02 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Extended pad life for ECMP and barrier removal
US20080274674A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Cabot Microelectronics Corporation Stacked polishing pad for high temperature applications
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
TWI409137B (zh) * 2008-06-19 2013-09-21 Bestac Advanced Material Co Ltd 研磨墊及其微型結構形成方法
TWM352127U (en) * 2008-08-29 2009-03-01 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad
TWM352126U (en) * 2008-10-23 2009-03-01 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad
US8968058B2 (en) 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
JP6189013B2 (ja) * 2011-12-15 2017-08-30 株式会社Ｆｉｌｗｅｌ 研磨布
TWI599447B (zh) 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊
GB201411676D0 (en) 2014-07-01 2014-08-13 Element Six Abrasives Sa Superhard constructions & methods of making same
US10875146B2 (en) 2016-03-24 2020-12-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Debris-removal groove for CMP polishing pad
US10688621B2 (en) 2016-08-04 2020-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Low-defect-porous polishing pad
US9925637B2 (en) 2016-08-04 2018-03-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tapered poromeric polishing pad
US10259099B2 (en) 2016-08-04 2019-04-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tapering method for poromeric polishing pad
US10106662B2 (en) 2016-08-04 2018-10-23 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Thermoplastic poromeric polishing pad
KR102026250B1 (ko) 2018-02-05 2019-09-27 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 연마 장치용 연마 패드 및 그의 제조방법
US11859644B2 (en) 2020-03-24 2024-01-02 Stabilus Gmbh Piston assemblies and methods of using same
KR102570825B1 (ko) * 2020-07-16 2023-08-28 한국생산기술연구원 다공성 돌출 패턴을 포함하는 연마 패드 및 이를 포함하는 연마 장치
WO2022014978A1 (ko) * 2020-07-16 2022-01-20 한국생산기술연구원 연마 패드, 이를 포함하는 연마 장치, 그리고 연마 패드의 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES140683Y (es) * 1968-07-20 1969-07-16 Telas Disco abrasivo.
US5257478A (en) * 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
US5212910A (en) * 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5310455A (en) * 1992-07-10 1994-05-10 Lsi Logic Corporation Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers
US5564965A (en) * 1993-12-14 1996-10-15 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Polishing member and wafer polishing apparatus
US5609719A (en) * 1994-11-03 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Method for performing chemical mechanical polish (CMP) of a wafer
JP2738392B1 (ja) * 1996-11-05 1998-04-08 日本電気株式会社 半導体装置の研磨装置及び研磨方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7815491B2 (en) 2007-05-29 2010-10-19 San Feng Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad, the use thereof and the method for manufacturing the same
CN104661794A (zh) * 2012-07-23 2015-05-27 Jh罗得股份有限公司 非平面的玻璃抛光垫及制造方法
US9440326B2 (en) 2012-07-23 2016-09-13 Jh Rhodes Company, Inc. Non-planar glass polishing pad and method of manufacture
TWI602648B (zh) * 2012-07-23 2017-10-21 傑曲羅德斯公司 非平面玻璃硏磨墊及其製造方法
CN106660190A (zh) * 2014-08-27 2017-05-10 福吉米株式会社 研磨垫
CN106660189A (zh) * 2014-08-27 2017-05-10 福吉米株式会社 具有曲面形状的构件的研磨加工工具和加工方法
TWI693983B (zh) * 2014-08-27 2020-05-21 日商福吉米股份有限公司 具有曲面形狀之構件的研磨加工方法
CN105345684A (zh) * 2015-11-20 2016-02-24 台山市远鹏研磨科技有限公司 一种海绵抛光轮
CN110712117A (zh) * 2018-07-12 2020-01-21 鼎朋企业股份有限公司 应用于非水平研磨表面的研磨机
CN110712117B (zh) * 2018-07-12 2021-08-10 鼎朋企业股份有限公司 应用于非水平研磨表面的研磨机

Also Published As

Publication number Publication date
EP0919336A3 (en) 2000-09-27
EP0919336A2 (en) 1999-06-02
JPH11156699A (ja) 1999-06-15
US6089966A (en) 2000-07-18
KR19990045523A (ko) 1999-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW380078B (en) Surface polishing pad
JP3042593B2 (ja) 研磨パッド
US5876269A (en) Apparatus and method for polishing semiconductor device
JP5371251B2 (ja) 研磨パッド
JP2008528309A (ja) 低圧研磨のための多層研磨パッド
US20050202762A1 (en) Dresser for polishing cloth and method for producing the same
WO2006040864A1 (ja) 研磨パッド
JP3324643B2 (ja) 研磨パッド
US20030194955A1 (en) Conditioner and conditioning methods for smooth pads
JP2019523146A (ja) Ｃｍｐ用の保持リング
JP5234916B2 (ja) 積層研磨パッド
TW200300053A (en) Method of polishing wafer and polishing pad for polishing wafer
JP7156341B2 (ja) 片面研磨装置及び片面研磨方法、並びに研磨パッド
JPH10230455A (ja) 研磨装置
JPH11254305A (ja) ウエーハの両面研磨方法と該研磨方法に用いるウエーハキャリア
CN110871399A (zh) 游星轮与抛光方法
KR20100099991A (ko) 양면 연마장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마방법
JP2001001251A (ja) エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法
JP4982037B2 (ja) 研磨布用ドレッシングプレート及び研磨布のドレッシング方法並びにワークの研磨方法
JP2005123232A (ja) 研磨装置及び研磨方法、並びに半導体装置の製造方法。
JP2000246627A (ja) ウェーハ研磨装置
JPH10217108A (ja) ウェーハ研磨装置
JP5919592B1 (ja) 研磨装置
JP6330735B2 (ja) ウェーハの両面研磨方法
JP2020040198A (ja) ウェーハ研磨装置用研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees